JP2000040852A - 広帯域半導体光増幅器 - Google Patents
広帯域半導体光増幅器Info
- Publication number
- JP2000040852A JP2000040852A JP10206727A JP20672798A JP2000040852A JP 2000040852 A JP2000040852 A JP 2000040852A JP 10206727 A JP10206727 A JP 10206727A JP 20672798 A JP20672798 A JP 20672798A JP 2000040852 A JP2000040852 A JP 2000040852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- optical amplifier
- active layer
- semiconductor optical
- active
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 広帯域に亘って平坦な利得特性を有する広帯
域半導体光増幅器を提供する。 【解決手段】 活性層３を光の伝搬方向に並ぶ２つの活
性層３−１，３−２に分割し、これら２つの活性層３−
１，３−２を組成成分が互いに共通でエネルギ・ギャッ
プが互いに異なる材料で構成し、光の入射側の活性層３
−１には光の伝搬方向に層厚が減ずるテーパ部１３を形
成し、光の出射側の活性層３−２には光の伝搬方向とは
逆方向に層厚が減ずるテーパ部１４を形成し、これらテ
ーパ部１３，１４を重ね合せることにより前記２つの活
性層３−１，３−２を光結合させた。それぞれの活性層
３−１，３−２の利得特性を合わせた広帯域の利得特性
が得られる。
域半導体光増幅器を提供する。 【解決手段】 活性層３を光の伝搬方向に並ぶ２つの活
性層３−１，３−２に分割し、これら２つの活性層３−
１，３−２を組成成分が互いに共通でエネルギ・ギャッ
プが互いに異なる材料で構成し、光の入射側の活性層３
−１には光の伝搬方向に層厚が減ずるテーパ部１３を形
成し、光の出射側の活性層３−２には光の伝搬方向とは
逆方向に層厚が減ずるテーパ部１４を形成し、これらテ
ーパ部１３，１４を重ね合せることにより前記２つの活
性層３−１，３−２を光結合させた。それぞれの活性層
３−１，３−２の利得特性を合わせた広帯域の利得特性
が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、活性層に電流を注
入することにより、活性層中を伝搬する光が増幅される
ようにした半導体光増幅器に係り、特に、広帯域に亘っ
て平坦な利得特性を有する広帯域半導体光増幅器に関す
るものである。
入することにより、活性層中を伝搬する光が増幅される
ようにした半導体光増幅器に係り、特に、広帯域に亘っ
て平坦な利得特性を有する広帯域半導体光増幅器に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】波長多重伝送を用いた高速、大容量、長
距離伝送方式及びそれに用いる光デバイスの研究開発が
活発に行われている。上記方式を実現する上で広帯域な
光増幅器は必須のデバイスである。この光増幅器として
小型化、低コスト化が期待できる半導体光増幅器が注目
され、その広帯域化のための構成に関する提案が多く行
われるようになってきた。その一つに、図７に示すもの
がある（特開平４−２９１９８３号）。これは、半導体
光増幅器において、活性層４３ａ，４３ｂと光導波路４
２ａ，４２ｂ，４４ａ，４４ｂの一方又はその両方の光
の進行方向の途中に単数又は複数の屈折率が変化する部
分を備え、これらの屈折率が変化する部分の間で各々が
光結合した複合共振器が形成されるよう構成したもので
ある。また、上記それぞれの複合共振器に電極４６ａ，
４６ｂを設け、各電極から注入する電流によって複合共
振器の共振ピークを独立に制御できるように構成したも
のである。
距離伝送方式及びそれに用いる光デバイスの研究開発が
活発に行われている。上記方式を実現する上で広帯域な
光増幅器は必須のデバイスである。この光増幅器として
小型化、低コスト化が期待できる半導体光増幅器が注目
され、その広帯域化のための構成に関する提案が多く行
われるようになってきた。その一つに、図７に示すもの
がある（特開平４−２９１９８３号）。これは、半導体
光増幅器において、活性層４３ａ，４３ｂと光導波路４
２ａ，４２ｂ，４４ａ，４４ｂの一方又はその両方の光
の進行方向の途中に単数又は複数の屈折率が変化する部
分を備え、これらの屈折率が変化する部分の間で各々が
光結合した複合共振器が形成されるよう構成したもので
ある。また、上記それぞれの複合共振器に電極４６ａ，
４６ｂを設け、各電極から注入する電流によって複合共
振器の共振ピークを独立に制御できるように構成したも
のである。
【０００３】また、別の広帯域化のための構成として、
図８に示されるように、活性層６４を２層以上の積層構
造（６６，６８）とし、上記活性層を構成する各層６
６，６８を同一の組成成分であるがエネルギ・ギャップ
が互いに異なる材料で構成し、各層の膜厚を互いに同一
の値とするか又は互いに近い値とする構成が提案されて
いる（特開平３−７６１８６号）。そして、各層のエネ
ルギ・ギャップを各層の材料の組成比を変えることによ
って異なる値に設定してもよいように提案されている。
図８に示されるように、活性層６４を２層以上の積層構
造（６６，６８）とし、上記活性層を構成する各層６
６，６８を同一の組成成分であるがエネルギ・ギャップ
が互いに異なる材料で構成し、各層の膜厚を互いに同一
の値とするか又は互いに近い値とする構成が提案されて
いる（特開平３−７６１８６号）。そして、各層のエネ
ルギ・ギャップを各層の材料の組成比を変えることによ
って異なる値に設定してもよいように提案されている。
【０００４】さらに、特開平６−２８３８２４号には、
活性領域が光閉じ込め層と、少なくとも一層が他層と厚
さが相違し、かつ格子不整合とされた複数の量子井戸層
と、各量子井戸層間に量子井戸層に接して形成された障
壁層とで構成されたものも提案されている。
活性領域が光閉じ込め層と、少なくとも一層が他層と厚
さが相違し、かつ格子不整合とされた複数の量子井戸層
と、各量子井戸層間に量子井戸層に接して形成された障
壁層とで構成されたものも提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体光増幅器
の広帯域化方式には次のような課題がある。
の広帯域化方式には次のような課題がある。
【０００６】（１）図７の構成は、２０〜３０ｎｍの波
長範囲では、ある程度の平坦な利得特性を得ることが可
能と考えられるが、それよりも広帯域化は期待できな
い。なぜならば、第一共振器の活性層の材料と第二共振
器の活性層の材料とが同じであるからである。また、こ
れら２つの共振器の材料を異ならせることが製法上難し
いからである。
長範囲では、ある程度の平坦な利得特性を得ることが可
能と考えられるが、それよりも広帯域化は期待できな
い。なぜならば、第一共振器の活性層の材料と第二共振
器の活性層の材料とが同じであるからである。また、こ
れら２つの共振器の材料を異ならせることが製法上難し
いからである。
【０００７】（２）図８の構成では活性層６４をエネル
ギ・ギャップの異なる２層以上の積層構造とすることに
よって広帯域化を図るものであるが、積層された活性層
の全厚みを必然的に厚くしなければならないので、厚み
方向の光閉じ込め効果が弱くなると共に、しきい値電流
の上昇などにより光出力の減少を招く。
ギ・ギャップの異なる２層以上の積層構造とすることに
よって広帯域化を図るものであるが、積層された活性層
の全厚みを必然的に厚くしなければならないので、厚み
方向の光閉じ込め効果が弱くなると共に、しきい値電流
の上昇などにより光出力の減少を招く。
【０００８】（３）特開平６−２８３８２４号の構成も
（２）と同様の問題点がある。
（２）と同様の問題点がある。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、広帯域に亘って平坦な利得特性を有する広帯域半導
体光増幅器を提供することにある。
し、広帯域に亘って平坦な利得特性を有する広帯域半導
体光増幅器を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、基板上に下部クラッド層、活性層及び上部
クラッド層を積層し、この上部クラッド層上に上部電極
を装荷し、前記基板下に下部電極を装荷し、前記上部電
極より前記活性層に電流を注入することにより、前記活
性層中を伝搬する光が増幅されるようにした半導体光増
幅器において、前記活性層を光の伝搬方向に並ぶ２つの
活性層に分割し、これら２つの活性層を組成成分が互い
に共通でエネルギ・ギャップが互いに異なる材料で構成
し、光の入射側の活性層には光の伝搬方向に層厚が減ず
るテーパ部を形成し、光の出射側の活性層には光の伝搬
方向とは逆方向に層厚が減ずるテーパ部を形成し、これ
らテーパ部を重ね合せることにより前記２つの活性層を
光結合させたものである。
に本発明は、基板上に下部クラッド層、活性層及び上部
クラッド層を積層し、この上部クラッド層上に上部電極
を装荷し、前記基板下に下部電極を装荷し、前記上部電
極より前記活性層に電流を注入することにより、前記活
性層中を伝搬する光が増幅されるようにした半導体光増
幅器において、前記活性層を光の伝搬方向に並ぶ２つの
活性層に分割し、これら２つの活性層を組成成分が互い
に共通でエネルギ・ギャップが互いに異なる材料で構成
し、光の入射側の活性層には光の伝搬方向に層厚が減ず
るテーパ部を形成し、光の出射側の活性層には光の伝搬
方向とは逆方向に層厚が減ずるテーパ部を形成し、これ
らテーパ部を重ね合せることにより前記２つの活性層を
光結合させたものである。
【００１１】前記２つの活性層は前記テーパ部に連続す
る一定層厚部を有し、これら２つの一定層厚部は層厚が
互いに等しいか近似してもよい。
る一定層厚部を有し、これら２つの一定層厚部は層厚が
互いに等しいか近似してもよい。
【００１２】前記２つの活性層の組成成分の組成比を互
いに異ならせることによりエネルギ・ギャップを互いに
異ならせてもよい。
いに異ならせることによりエネルギ・ギャップを互いに
異ならせてもよい。
【００１３】前記上部電極を前記２つの活性層の中間部
分の上部で分離し、分離されたそれぞれの上部電極より
独立に電流を注入するようにしてもよい。
分の上部で分離し、分離されたそれぞれの上部電極より
独立に電流を注入するようにしてもよい。
【００１４】前記上部電極を前記出射側活性層の上部で
分離し、出射端に近いほうに分離された上部電極に逆方
向電圧を印加することにより、前記出射側活性層の出射
端側を可飽和吸収部としてもよい。
分離し、出射端に近いほうに分離された上部電極に逆方
向電圧を印加することにより、前記出射側活性層の出射
端側を可飽和吸収部としてもよい。
【００１５】前記活性層の入出射端に窓領域を設けても
よい。
よい。
【００１６】前記活性層をバルク構造、量子井戸構造又
は歪量子井戸構造としてもよい。
は歪量子井戸構造としてもよい。
【００１７】前記２つの活性層間に障壁層を設けてもよ
い。
い。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００１９】図１に示されるように、本発明の広帯域半
導体光増幅器は、ＩｎＰ（ｎ+ ）基板１上に、下部クラ
ッド層となるＩｎＰ（ｎ）クラッド層２、活性層３、上
部クラッド層となるＩｎＰ（ｐ）クラッド層４、ＩｎＧ
ａＡｓＰコンタクト層５を積層し、ＩｎＧａＡｓＰコン
タクト層５上に上部電極６を装荷し、ＩｎＰ（ｎ+ ）基
板１下に下部電極７を装荷したものである。８−１，８
−２は、光の入射端面及び出射端面に施した無反射コー
ティング層、９は、しきい値電流以下の順方向電流Ｉｋ
を注入する端子である。１０は、入射端面へ入射させる
信号光を示し、１１は、出射端面より出射される増幅さ
れた信号光を示す。
導体光増幅器は、ＩｎＰ（ｎ+ ）基板１上に、下部クラ
ッド層となるＩｎＰ（ｎ）クラッド層２、活性層３、上
部クラッド層となるＩｎＰ（ｐ）クラッド層４、ＩｎＧ
ａＡｓＰコンタクト層５を積層し、ＩｎＧａＡｓＰコン
タクト層５上に上部電極６を装荷し、ＩｎＰ（ｎ+ ）基
板１下に下部電極７を装荷したものである。８−１，８
−２は、光の入射端面及び出射端面に施した無反射コー
ティング層、９は、しきい値電流以下の順方向電流Ｉｋ
を注入する端子である。１０は、入射端面へ入射させる
信号光を示し、１１は、出射端面より出射される増幅さ
れた信号光を示す。
【００２０】本発明の特徴として、活性層３が光の伝搬
方向に並ぶ２つの活性層３−１，３−２に分割されてい
る。光の入射側に位置する活性層３−１を入射側活性層
と呼び、出射側に位置する活性層３−２を出射側活性層
と呼ぶことにする。これら２つの活性層３−１，３−２
は、組成成分が互いに共通でエネルギ・ギャップが互い
に異なる材料で構成されている。即ち、入射側活性層３
−１は、組成成分としてＩｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｐを有し、
バンド・ギャップ波長がλｈとなるような材料Ｉｎ1-x
Ｇａx Ａｓ1-y Ｐy で構成され、出射側活性層３−２
は、組成成分としてＩｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｐを有し、バン
ド・ギャップ波長がλｌとなるような材料Ｉｎ1-t Ｇａ
t Ａｓ1-u Ｐu で構成されている。バンド・ギャップ波
長λｈは、バンド・ギャップ波長λｌよりも長いものと
する。
方向に並ぶ２つの活性層３−１，３−２に分割されてい
る。光の入射側に位置する活性層３−１を入射側活性層
と呼び、出射側に位置する活性層３−２を出射側活性層
と呼ぶことにする。これら２つの活性層３−１，３−２
は、組成成分が互いに共通でエネルギ・ギャップが互い
に異なる材料で構成されている。即ち、入射側活性層３
−１は、組成成分としてＩｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｐを有し、
バンド・ギャップ波長がλｈとなるような材料Ｉｎ1-x
Ｇａx Ａｓ1-y Ｐy で構成され、出射側活性層３−２
は、組成成分としてＩｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｐを有し、バン
ド・ギャップ波長がλｌとなるような材料Ｉｎ1-t Ｇａ
t Ａｓ1-u Ｐu で構成されている。バンド・ギャップ波
長λｈは、バンド・ギャップ波長λｌよりも長いものと
する。
【００２１】また、本発明の特徴として、２つの活性層
３−１，３−２は、上面と下面とがＩｎＰ（ｎ+ ）基板
１に平行な一定層厚部１３ａ，１４ａと、この一定層厚
部１３ａ，１４ａに連なりそれぞれ先細りしたテーパ部
１３ｂ，１４ｂとを有する。２つの活性層３−１，３−
２は、テーパ部１３ｂ，１４ｂを互いに接し合うように
重ね合せて光結合されている。テーパ部１３ｂは、Ｉｎ
Ｐ（ｎ+ ）基板１に平行な下面と、厚さがなくなるまで
傾斜した上面とを有し、テーパ部１４ｂは、基板１に平
行な上面と、厚さがなくなるまで傾斜した下面とを有
し、これらテーパ部１３ｂ，１４ｂは、互いに基板１に
平行な面同士を合わせてある。
３−１，３−２は、上面と下面とがＩｎＰ（ｎ+ ）基板
１に平行な一定層厚部１３ａ，１４ａと、この一定層厚
部１３ａ，１４ａに連なりそれぞれ先細りしたテーパ部
１３ｂ，１４ｂとを有する。２つの活性層３−１，３−
２は、テーパ部１３ｂ，１４ｂを互いに接し合うように
重ね合せて光結合されている。テーパ部１３ｂは、Ｉｎ
Ｐ（ｎ+ ）基板１に平行な下面と、厚さがなくなるまで
傾斜した上面とを有し、テーパ部１４ｂは、基板１に平
行な上面と、厚さがなくなるまで傾斜した下面とを有
し、これらテーパ部１３ｂ，１４ｂは、互いに基板１に
平行な面同士を合わせてある。
【００２２】このようにバンド・ギャップ波長の異なる
２種類の活性層３−１，３−２をカスケードに構成し、
互いのテーパ部１３ｂ，１４ｂを重ね合せることによ
り、両活性層３−１，３−２を光結合させてある。テー
パ部１３ｂ，１４ｂを重ね合せた部分を結合領域１５と
呼ぶことにする。
２種類の活性層３−１，３−２をカスケードに構成し、
互いのテーパ部１３ｂ，１４ｂを重ね合せることによ
り、両活性層３−１，３−２を光結合させてある。テー
パ部１３ｂ，１４ｂを重ね合せた部分を結合領域１５と
呼ぶことにする。
【００２３】図１の構成により、広帯域半導体光増幅器
は、図２に示すような利得特性を得ることができる。即
ち、波長の長いバンド・ギャップ波長λｈを中心とする
入射側活性層３−１による利得特性と、波長の短いバン
ド・ギャップ波長λｌを中心とする出射側活性層３−２
による利得特性とを重ねて、広帯域にわたって平坦な利
得特性が得られる。
は、図２に示すような利得特性を得ることができる。即
ち、波長の長いバンド・ギャップ波長λｈを中心とする
入射側活性層３−１による利得特性と、波長の短いバン
ド・ギャップ波長λｌを中心とする出射側活性層３−２
による利得特性とを重ねて、広帯域にわたって平坦な利
得特性が得られる。
【００２４】２つの活性層３−１，３−２のバンド・ギ
ャップ波長λｈ，λｌを異ならせる方法として、材料Ｉ
ｎ1-x Ｇａx Ａｓ1-y Ｐy 及び材料Ｉｎ1-t Ｇａt Ａｓ
1-uＰu のｘ，ｙ，ｔ，ｕの値を異ならせる。即ち、共
通の組成成分を有するがエネルギ・ギャップが異なる材
料で２つの活性層３−１，３−２を構成する。すなわ
ち、Ｉｎ1-x Ｇａx Ａｓ1-y Ｐy （Ｉｎ1-t Ｇａt Ａｓ
1-u Ｐu ）のバンド・ギャップ（エネルギ・ギャップ）
Ｅｇと組成ｘ（ｔ），ｙ（ｕ）の間には Ｅｇ＝１．３５＋０．６７２ｘ（ｔ）−１．０９１ｙ
（ｕ）＋０．７５８ｘ2 （ｔ2 ）＋０．１０１ｙ2 （ｕ
2 ）＋０．１１１ｘ（ｔ）ｙ（ｕ）−０．５８０ｘ
2 （ｔ2 ）ｙ（ｕ）−０．１５９ｘ（ｔ）ｙ2 （ｕ2 ）
＋０．２６８ｘ2 （ｔ2 ）ｙ2 （ｕ2 ） の関係があり、またバンド・ギャップＥｇが小さい程、
バンド・ギャップ波長λｇは大きくなることが知られて
いる。したがって、上記関係より、バンド・ギャップ波
長λｈ，λｌを設定し、これからエネルギ・ギャップＥ
ｇが決まり、このＥｇが決まれば、ｘ，ｙ，ｔ，ｕの値
を定めることができる。
ャップ波長λｈ，λｌを異ならせる方法として、材料Ｉ
ｎ1-x Ｇａx Ａｓ1-y Ｐy 及び材料Ｉｎ1-t Ｇａt Ａｓ
1-uＰu のｘ，ｙ，ｔ，ｕの値を異ならせる。即ち、共
通の組成成分を有するがエネルギ・ギャップが異なる材
料で２つの活性層３−１，３−２を構成する。すなわ
ち、Ｉｎ1-x Ｇａx Ａｓ1-y Ｐy （Ｉｎ1-t Ｇａt Ａｓ
1-u Ｐu ）のバンド・ギャップ（エネルギ・ギャップ）
Ｅｇと組成ｘ（ｔ），ｙ（ｕ）の間には Ｅｇ＝１．３５＋０．６７２ｘ（ｔ）−１．０９１ｙ
（ｕ）＋０．７５８ｘ2 （ｔ2 ）＋０．１０１ｙ2 （ｕ
2 ）＋０．１１１ｘ（ｔ）ｙ（ｕ）−０．５８０ｘ
2 （ｔ2 ）ｙ（ｕ）−０．１５９ｘ（ｔ）ｙ2 （ｕ2 ）
＋０．２６８ｘ2 （ｔ2 ）ｙ2 （ｕ2 ） の関係があり、またバンド・ギャップＥｇが小さい程、
バンド・ギャップ波長λｇは大きくなることが知られて
いる。したがって、上記関係より、バンド・ギャップ波
長λｈ，λｌを設定し、これからエネルギ・ギャップＥ
ｇが決まり、このＥｇが決まれば、ｘ，ｙ，ｔ，ｕの値
を定めることができる。
【００２５】また、バンド・ギャップ波長λｈ，λｌを
異ならせる方法として、材料の組成比を異ならせるよう
にしてもよい。即ち、２つの活性層３−１，３−２のＩ
ｎ1-x Ｇａx Ａｓ1-y Ｐy ，Ｉｎ1-t Ｇａt Ａｓ1-u Ｐ
u の４元素の組成をｘ＝１，ｔ＝１としてＩｎＧａＡｓ
1-y Ｐy ，ＩｎＧａＡｓ1-u Ｐu の３元素組成としても
よい。
異ならせる方法として、材料の組成比を異ならせるよう
にしてもよい。即ち、２つの活性層３−１，３−２のＩ
ｎ1-x Ｇａx Ａｓ1-y Ｐy ，Ｉｎ1-t Ｇａt Ａｓ1-u Ｐ
u の４元素の組成をｘ＝１，ｔ＝１としてＩｎＧａＡｓ
1-y Ｐy ，ＩｎＧａＡｓ1-u Ｐu の３元素組成としても
よい。
【００２６】テーパ部１３ｂ，１４ｂを重ね合せて構成
した結合領域１５は、活性層３−１内に入射して伝搬す
る信号光１０が、活性層３−２に効率良く光結合して伝
搬して増幅された信号光１１として出射されるように設
けたものである。逆に、無反射コーティング層８−２の
側から信号光を入射させて無反射コーティング層８−１
の側から増幅された信号光を出射するようにしてもよ
く、この場合でも、結合領域１５により効率良く光結合
させることができる。
した結合領域１５は、活性層３−１内に入射して伝搬す
る信号光１０が、活性層３−２に効率良く光結合して伝
搬して増幅された信号光１１として出射されるように設
けたものである。逆に、無反射コーティング層８−２の
側から信号光を入射させて無反射コーティング層８−１
の側から増幅された信号光を出射するようにしてもよ
く、この場合でも、結合領域１５により効率良く光結合
させることができる。
【００２７】ＩｎＰ（ｎ）クラッド層２は、下面がＩｎ
Ｐ（ｎ+ ）基板１に接し、上面が活性層３−１（一定層
厚部１３ａ）、テーパ部１４ｂ、活性層３−２（一定層
厚部１４ａ）に接するため層厚が変化している。ＩｎＰ
（ｐ）クラッド層４は、下面が活性層３−１（一定層厚
部１３ａ）、テーパ部１３ｂ、活性層３−２（一定層厚
部１４ａ）に接し、上面がＩｎＧａＡｓＰコンタクト層
５に接するが、上面も下面も活性層３に倣って変化し、
層厚は一定である。ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層５及び
上部電極６も、それぞれ、層厚は一定である。なお、Ｉ
ｎＰ（ｐ）クラッド層４の上面をＩｎＰ（ｎ+ ）基板１
と平行に形成しても良い。
Ｐ（ｎ+ ）基板１に接し、上面が活性層３−１（一定層
厚部１３ａ）、テーパ部１４ｂ、活性層３−２（一定層
厚部１４ａ）に接するため層厚が変化している。ＩｎＰ
（ｐ）クラッド層４は、下面が活性層３−１（一定層厚
部１３ａ）、テーパ部１３ｂ、活性層３−２（一定層厚
部１４ａ）に接し、上面がＩｎＧａＡｓＰコンタクト層
５に接するが、上面も下面も活性層３に倣って変化し、
層厚は一定である。ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層５及び
上部電極６も、それぞれ、層厚は一定である。なお、Ｉ
ｎＰ（ｐ）クラッド層４の上面をＩｎＰ（ｎ+ ）基板１
と平行に形成しても良い。
【００２８】次に、本発明の広帯域半導体光増幅器の他
の実施形態を説明する。
の実施形態を説明する。
【００２９】図３に広帯域半導体光増幅器の活性層３の
水平断面を示す。図３（ａ）の実施形態では、光の入射
端から出射端まで活性層３の幅は一定である。図３
（ｂ）、図３（ｃ）の実施形態では、結合領域１５にお
いて活性層３の幅が中央で括れるように両テーパ状に形
成されている。この活性層３の幅を狭めた部分を幅狭め
領域１６と呼ぶことにする。このように幅狭め領域１６
を設けることによって、結合領域１５での光の閉じ込め
を弱くし、これによって入射側活性層３−１から出射側
活性層３−２への結合効果を高めることができる。
水平断面を示す。図３（ａ）の実施形態では、光の入射
端から出射端まで活性層３の幅は一定である。図３
（ｂ）、図３（ｃ）の実施形態では、結合領域１５にお
いて活性層３の幅が中央で括れるように両テーパ状に形
成されている。この活性層３の幅を狭めた部分を幅狭め
領域１６と呼ぶことにする。このように幅狭め領域１６
を設けることによって、結合領域１５での光の閉じ込め
を弱くし、これによって入射側活性層３−１から出射側
活性層３−２への結合効果を高めることができる。
【００３０】また、図３（ｂ）、図３（ｃ）の実施形態
では、活性層３の入射端と出射端とに、活性層３が途切
れた形のいわゆる窓領域１７−１，１７−２が設けられ
ている。窓領域１７−１，１７−２は、活性層３を水平
方向に挟むクラッド層１７と同じ材料でクラッド層１７
と連続一体的に形成されている。窓領域１７−１，１７
−２を設けることによって、入射光の偏波方向によらず
安定でしかも帯域の広い利得特性を実現することができ
る。
では、活性層３の入射端と出射端とに、活性層３が途切
れた形のいわゆる窓領域１７−１，１７−２が設けられ
ている。窓領域１７−１，１７−２は、活性層３を水平
方向に挟むクラッド層１７と同じ材料でクラッド層１７
と連続一体的に形成されている。窓領域１７−１，１７
−２を設けることによって、入射光の偏波方向によらず
安定でしかも帯域の広い利得特性を実現することができ
る。
【００３１】なお、図３（ｂ）の広帯域半導体光増幅器
は、各活性層３−１，３−２の幅が窓領域１７−１，１
７−２に向かって細くなるようテーパ状に形成されてい
る。このようなデーパ状構造によって活性層内を伝搬す
る信号の光ビームスポット径を大きくし、入出射端面に
配置される光ファイバとの光結合効率を向上させること
ができる。これに対し、図３（ｃ）の広帯域半導体光増
幅器は、各活性層３−１，３−２の幅が幅狭め領域１６
以外は一定に形成されている。
は、各活性層３−１，３−２の幅が窓領域１７−１，１
７−２に向かって細くなるようテーパ状に形成されてい
る。このようなデーパ状構造によって活性層内を伝搬す
る信号の光ビームスポット径を大きくし、入出射端面に
配置される光ファイバとの光結合効率を向上させること
ができる。これに対し、図３（ｃ）の広帯域半導体光増
幅器は、各活性層３−１，３−２の幅が幅狭め領域１６
以外は一定に形成されている。
【００３２】なお、活性層３−１の一定層厚部１３ａの
層厚と活性層３−２の一定層厚部１４ａの層厚とは、互
いに等しいか近似させた値にするのが好ましい。という
のは、これらの層厚が互いに異なると、図２に示した、
活性層３−１，３−２の利得の波長特性の利得値が相違
したり、波長特性が非対称になったりして、結果的にト
ータルの利得波長特性の平坦性が得にくくなるからであ
る。
層厚と活性層３−２の一定層厚部１４ａの層厚とは、互
いに等しいか近似させた値にするのが好ましい。という
のは、これらの層厚が互いに異なると、図２に示した、
活性層３−１，３−２の利得の波長特性の利得値が相違
したり、波長特性が非対称になったりして、結果的にト
ータルの利得波長特性の平坦性が得にくくなるからであ
る。
【００３３】図４に示した広帯域半導体光増幅器の別の
実施形態では、２つの活性層３−１，３−２の中間部分
（結合領域１５）の上部に電極分離溝１８を設けること
により、上部電極６が２つに分離されている。入射側活
性層３−１の上部に分離される上部電極６−１には端子
９−１より電流Ｉｋ1 を注入し、これとは独立に、出射
側活性層３−２の上部に分離される上部電極６−２には
端子９−２より電流Ｉｋ2 を注入する。これにより、広
帯域半導体光増幅器は、第一増幅部１９と第二増幅部２
０とを有することになる。それぞれの注入電流Ｉｋ1 ，
Ｉｋ2 を独立に調節することにより、トータルの利得波
長特性を広帯域に亘って平坦にさせることができる。
実施形態では、２つの活性層３−１，３−２の中間部分
（結合領域１５）の上部に電極分離溝１８を設けること
により、上部電極６が２つに分離されている。入射側活
性層３−１の上部に分離される上部電極６−１には端子
９−１より電流Ｉｋ1 を注入し、これとは独立に、出射
側活性層３−２の上部に分離される上部電極６−２には
端子９−２より電流Ｉｋ2 を注入する。これにより、広
帯域半導体光増幅器は、第一増幅部１９と第二増幅部２
０とを有することになる。それぞれの注入電流Ｉｋ1 ，
Ｉｋ2 を独立に調節することにより、トータルの利得波
長特性を広帯域に亘って平坦にさせることができる。
【００３４】図５に示した広帯域半導体光増幅器の別の
実施形態では、２つの電極分離溝１８−１，１８−２を
設けることにより、上部電極６が３つに分離されてい
る。電極分離溝１８−１は結合領域１５の上部に設けら
れ、電極分離溝１８−１よりも入射端側の上部電極６
は、図４と同様、入射側活性層３−１の上部に分離され
る上部電極６−１である。電極分離溝１８−２は、出射
側活性層の上部に設けられ、電極分離溝１８−２よりも
結合領域１５側の上部電極６は上部電極６−２、電極分
離溝１８−２よりも出射端側の上部電極６は上部電極６
−３である。これにより、広帯域半導体光増幅器は、第
一増幅部１９と第二増幅部２０と可飽和吸収部２１とを
有することになる。可飽和吸収部２１の上部電極６−３
には、端子９−３より逆方向電圧−Ｖｋを印加する。可
飽和吸収部２１は、増幅された信号光に含まれる雑音、
特に自然放出光による雑音を低減する役目を担う。この
雑音低減量は逆方向電圧−Ｖｋの値によって制御するこ
とができる。即ち、Ｖｋの値を大きくすることによっ
て、雑音成分をより強く吸収させて減少させることがで
きる。この構成は、図１、図４の構成に比し、利得の
値、利得の波長特性及び雑音特性のそれぞれに対し制御
性がある（制御できる範囲が広い、制御がしやすい）。
実施形態では、２つの電極分離溝１８−１，１８−２を
設けることにより、上部電極６が３つに分離されてい
る。電極分離溝１８−１は結合領域１５の上部に設けら
れ、電極分離溝１８−１よりも入射端側の上部電極６
は、図４と同様、入射側活性層３−１の上部に分離され
る上部電極６−１である。電極分離溝１８−２は、出射
側活性層の上部に設けられ、電極分離溝１８−２よりも
結合領域１５側の上部電極６は上部電極６−２、電極分
離溝１８−２よりも出射端側の上部電極６は上部電極６
−３である。これにより、広帯域半導体光増幅器は、第
一増幅部１９と第二増幅部２０と可飽和吸収部２１とを
有することになる。可飽和吸収部２１の上部電極６−３
には、端子９−３より逆方向電圧−Ｖｋを印加する。可
飽和吸収部２１は、増幅された信号光に含まれる雑音、
特に自然放出光による雑音を低減する役目を担う。この
雑音低減量は逆方向電圧−Ｖｋの値によって制御するこ
とができる。即ち、Ｖｋの値を大きくすることによっ
て、雑音成分をより強く吸収させて減少させることがで
きる。この構成は、図１、図４の構成に比し、利得の
値、利得の波長特性及び雑音特性のそれぞれに対し制御
性がある（制御できる範囲が広い、制御がしやすい）。
【００３５】図１、図３、図４及び図５において、活性
層３にはバルク構造、量子井戸構造又は歪量子井戸構造
のいずれを用いてもよい。活性層３に歪量子井戸構造を
用いると、利得の偏波依存性を低く抑えることができ
る。
層３にはバルク構造、量子井戸構造又は歪量子井戸構造
のいずれを用いてもよい。活性層３に歪量子井戸構造を
用いると、利得の偏波依存性を低く抑えることができ
る。
【００３６】また、２つの活性層３−１，３−２間に障
壁層を設けてもよい。障壁層を設けると広帯域化と低偏
波依存化を促進できることとが知られていが、２つの活
性層３−１，３−２間に障壁層を挿入することによっ
て、さらに広帯域化と低偏波依存化とを実現することが
できる。
壁層を設けてもよい。障壁層を設けると広帯域化と低偏
波依存化を促進できることとが知られていが、２つの活
性層３−１，３−２間に障壁層を挿入することによっ
て、さらに広帯域化と低偏波依存化とを実現することが
できる。
【００３７】本発明は、ここまでの実施形態に限定され
ない。例えば、図６に示されるように、入射側活性層３
−１の下面及び出射側活性層３−２の上面に、ＩｎＧａ
ＡｓＰ光導波路２２−１，２２−２を設け、かつこれら
導波路２２−１，２２−２の屈折率を各活性層３−１，
３−２の屈折率よりも低い値に設定しておくようにして
もよい。このような構成にすると、各活性層３−１，３
−２の結晶成長が容易となる。また、入射側活性層３−
１から出射側活性層３−２への光の伝搬を効率良く行わ
せることができる。
ない。例えば、図６に示されるように、入射側活性層３
−１の下面及び出射側活性層３−２の上面に、ＩｎＧａ
ＡｓＰ光導波路２２−１，２２−２を設け、かつこれら
導波路２２−１，２２−２の屈折率を各活性層３−１，
３−２の屈折率よりも低い値に設定しておくようにして
もよい。このような構成にすると、各活性層３−１，３
−２の結晶成長が容易となる。また、入射側活性層３−
１から出射側活性層３−２への光の伝搬を効率良く行わ
せることができる。
【００３８】図１、図３、図４、図５及び図６の構成に
おいて、広帯域半導体光増幅器の入射端と出射端とにス
ポットサイズ変換用の光導波部を設けてもよい。スポッ
トサイズ変換用の光導波部は、光導波路のコア断面積を
目的のスポットサイズになるように徐々に変化させたも
のであり、例えば、広帯域半導体光増幅器の活性層３の
層厚と同じ厚さのコアを入出射用の光ファイバのスポッ
トサイズに近づくように徐々に小さく変化させてある。
このようにすると、光導波部と光ファイバとの光結合が
効率よく、かつ光導波部と広帯域半導体光増幅器との光
結合が効率よくなるので、光ファイバと広帯域半導体光
増幅器との光結合が効率よくなる。
おいて、広帯域半導体光増幅器の入射端と出射端とにス
ポットサイズ変換用の光導波部を設けてもよい。スポッ
トサイズ変換用の光導波部は、光導波路のコア断面積を
目的のスポットサイズになるように徐々に変化させたも
のであり、例えば、広帯域半導体光増幅器の活性層３の
層厚と同じ厚さのコアを入出射用の光ファイバのスポッ
トサイズに近づくように徐々に小さく変化させてある。
このようにすると、光導波部と光ファイバとの光結合が
効率よく、かつ光導波部と広帯域半導体光増幅器との光
結合が効率よくなるので、光ファイバと広帯域半導体光
増幅器との光結合が効率よくなる。
【００３９】
【発明の効果】本発明は次の如き優れた効果を発揮す
る。
る。
【００４０】（１）活性層を２つの活性層に分割し光の
伝搬方向に並べることにより、波長帯の異なる２つの光
増幅部をカスケード状につなぐことができ、しかも、こ
の２つの光増幅部は一体化されているので、今までにな
い超広帯域半導体光増幅器を実現することができる。
伝搬方向に並べることにより、波長帯の異なる２つの光
増幅部をカスケード状につなぐことができ、しかも、こ
の２つの光増幅部は一体化されているので、今までにな
い超広帯域半導体光増幅器を実現することができる。
【００４１】（２）製造については従来技術を用いて行
うことができるので、低コスト化を期待できる。
うことができるので、低コスト化を期待できる。
【００４２】（３）上部電極を分離することにより、２
つの光増幅部をそれぞれ独立に制御できるので、平坦な
利得特性を得ることができる。
つの光増幅部をそれぞれ独立に制御できるので、平坦な
利得特性を得ることができる。
【００４３】（４）２つの活性層が両者のテーパ部の重
ね合せによる非常に効率のよい結合領域で結合され、し
かも結合領域からの反射光は生じない構造であるので、
安定な光増幅器を実現することができる。
ね合せによる非常に効率のよい結合領域で結合され、し
かも結合領域からの反射光は生じない構造であるので、
安定な光増幅器を実現することができる。
【００４４】（５）可飽和吸収部を構成することによ
り、広帯域特性の他に低雑音特性も得ることができるの
で、ブースター光増幅器、前置光増幅器、中継用光増幅
器等に利用することができ、さらに、光受動部品の損失
補償用光増幅器等に利用することができる。
り、広帯域特性の他に低雑音特性も得ることができるの
で、ブースター光増幅器、前置光増幅器、中継用光増幅
器等に利用することができ、さらに、光受動部品の損失
補償用光増幅器等に利用することができる。
【００４５】（６）活性層の入出射端に窓領域を設ける
ことにより、偏波依存性の極めて小さい光増幅器を実現
することができる。また、活性層としてバルク構造以外
に、量子井戸構造又は歪量子井戸構造を用いることがで
きるので、低偏波依存性の光増幅器を実現することがで
きる。
ことにより、偏波依存性の極めて小さい光増幅器を実現
することができる。また、活性層としてバルク構造以外
に、量子井戸構造又は歪量子井戸構造を用いることがで
きるので、低偏波依存性の光増幅器を実現することがで
きる。
【図１】本発明の一実施形態を示す広帯域半導体光増幅
器の光の伝搬方向に沿った垂直断面図である。
器の光の伝搬方向に沿った垂直断面図である。
【図２】本発明の広帯域半導体光増幅器の利得波長特性
図である。
図である。
【図３】本発明の他の実施形態を示す広帯域半導体光増
幅器の水平断面図である。
幅器の水平断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態を示す広帯域半導体光増
幅器の光の伝搬方向に沿った垂直断面図である。
幅器の光の伝搬方向に沿った垂直断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態を示す広帯域半導体光増
幅器の光の伝搬方向に沿った垂直断面図である。
幅器の光の伝搬方向に沿った垂直断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態を示す広帯域半導体光増
幅器の光の伝搬方向に沿った垂直断面図である。
幅器の光の伝搬方向に沿った垂直断面図である。
【図７】従来の半導体光増幅器の光の伝搬方向に沿った
垂直断面図である。
垂直断面図である。
【図８】従来の半導体光増幅器の光の伝搬方向に直交す
る垂直断面図である。
る垂直断面図である。
１ ＩｎＰ（ｎ+ ）基板 ２ ＩｎＰ（ｎ）クラッド層（下部クラッド層） ３ 活性層 ３−１ 入射側活性層 ３−２ 出射側活性層 ４ ＩｎＰ（ｐ）クラッド層（上部クラッド層） ５ ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 ６、６−１、６−２ 上部電極 ７ 下部電極 ８−１、８−２ 無反射コーティング層 １３ａ、１４ａ 一定層厚部 １３ｂ、１４ｂ テーパ部 １５ 結合領域 １６ 幅狭め領域 １７−１、１７−２ 窓領域 １８、１８−１、１８−２ 電極分離溝
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に下部クラッド層、活性層及び上
部クラッド層を積層し、この上部クラッド層上に上部電
極を装荷し、前記基板下に下部電極を装荷し、前記上部
電極より前記活性層に電流を注入することにより、前記
活性層中を伝搬する光が増幅されるようにした半導体光
増幅器において、前記活性層を光の伝搬方向に並ぶ２つ
の活性層に分割し、これら２つの活性層を組成成分が互
いに共通でエネルギ・ギャップが互いに異なる材料で構
成し、光の入射側の活性層には光の伝搬方向に層厚が減
ずるテーパ部を形成し、光の出射側の活性層には光の伝
搬方向とは逆方向に層厚が減ずるテーパ部を形成し、こ
れらテーパ部を重ね合せることにより前記２つの活性層
を光結合させたことを特徴とする広帯域半導体光増幅
器。 - 【請求項２】 前記２つの活性層は前記テーパ部に連続
する一定層厚部を有し、これら２つの一定層厚部は層厚
が互いに等しいか近似することを特徴とする請求項１記
載の広帯域半導体光増幅器。 - 【請求項３】 前記２つの活性層の組成成分の組成比を
互いに異ならせることによりエネルギ・ギャップを互い
に異ならせたことを特徴とする請求項１又は２記載の広
帯域半導体光増幅器。 - 【請求項４】 前記上部電極を前記２つの活性層の中間
部分の上部で分離し、分離されたそれぞれの上部電極よ
り独立に電流を注入するようにしたことを特徴とする請
求項１〜３いずれか記載の広帯域半導体光増幅器。 - 【請求項５】 前記上部電極を前記出射側活性層の上部
で分離し、出射端に近いほうに分離された上部電極に逆
方向電圧を印加することにより、前記出射側活性層の出
射端側を可飽和吸収部としたことを特徴とする請求項１
〜４いずれか記載の広帯域半導体光増幅器。 - 【請求項６】 前記活性層の入出射端に窓領域を設けた
ことを特徴とする請求項１〜５いずれか記載の広帯域半
導体光増幅器。 - 【請求項７】 前記活性層をバルク構造、量子井戸構造
又は歪量子井戸構造としたことを特徴とする請求項１〜
６いずれか記載の広帯域半導体光増幅器。 - 【請求項８】 前記２つの活性層間に障壁層を設けたこ
とを特徴とする請求項１〜７いずれか記載の広帯域半導
体光増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20672798A JP4005705B2 (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | 広帯域半導体光増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20672798A JP4005705B2 (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | 広帯域半導体光増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000040852A true JP2000040852A (ja) | 2000-02-08 |
| JP4005705B2 JP4005705B2 (ja) | 2007-11-14 |
Family
ID=16528115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20672798A Expired - Fee Related JP4005705B2 (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | 広帯域半導体光増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4005705B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6671086B1 (en) * | 2002-02-19 | 2003-12-30 | Finisar Corporation | Semiconductor optical amplifiers with broadened gain spectrum |
| JP2004288921A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光集積回路 |
| JP2013530542A (ja) * | 2010-06-30 | 2013-07-25 | アルカテル−ルーセント | 光学ネットワークのための反射型半導体光増幅器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016143579A1 (ja) | 2015-03-06 | 2016-09-15 | 古河電気工業株式会社 | 半導体光素子 |
-
1998
- 1998-07-22 JP JP20672798A patent/JP4005705B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6671086B1 (en) * | 2002-02-19 | 2003-12-30 | Finisar Corporation | Semiconductor optical amplifiers with broadened gain spectrum |
| JP2004288921A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光集積回路 |
| JP2013530542A (ja) * | 2010-06-30 | 2013-07-25 | アルカテル−ルーセント | 光学ネットワークのための反射型半導体光増幅器 |
| US8948605B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-02-03 | Alcatel Lucent | Reflective semiconductor optical amplifier for optical networks |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4005705B2 (ja) | 2007-11-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2809124B2 (ja) | 光半導体集積素子およびその製造方法 | |
| JP4794505B2 (ja) | 半導体光増幅装置、半導体光増幅システム及び半導体光集積素子 | |
| US6148132A (en) | Semiconductor optical amplifier | |
| JPH0348476A (ja) | 半導体光素子 | |
| JP4415891B2 (ja) | 半導体光増幅素子 | |
| JP4485745B2 (ja) | 光機能素子および光機能装置 | |
| JPH05243551A (ja) | 半導体光集積素子 | |
| JP2000040852A (ja) | 広帯域半導体光増幅器 | |
| US7365904B2 (en) | Optical wavelength converter | |
| JP3378376B2 (ja) | 光制御型半導体光スイッチ | |
| JPH07231132A (ja) | 半導体光装置 | |
| JP3633296B2 (ja) | 広帯域半導体光増幅器 | |
| JP3014039B2 (ja) | 光パルス分散補償器、及びこれを用いた光パルス圧縮器、半導体短パルスレーザ素子並びに光通信システム | |
| WO2019230712A1 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH08271842A (ja) | 導波型波長フィルタ | |
| JP2854330B2 (ja) | 波長可変光フィルタ | |
| WO2004008595A1 (ja) | 分布ブラッグ反射型半導体レーザ、集積型半導体レーザ、半導体レーザモジュール、光ネットワークシステム | |
| JPS60260017A (ja) | 光変調素子 | |
| JP2000114670A (ja) | ワイドバンド半導体光増幅器 | |
| JP4611710B2 (ja) | 光増幅素子 | |
| JP2809216B2 (ja) | 非線形光導波路 | |
| JP2000114662A (ja) | 広帯域半導体光増幅器 | |
| JP4448651B2 (ja) | 波長変換素子 | |
| JP2938447B1 (ja) | 非線形光半導体素子 | |
| JP3203244B2 (ja) | 変調器集積半導体レーザの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040802 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040907 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041130 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070719 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070824 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110831 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |