JP2000187248A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】この発明の目的は、配線ＢＭ構造を用いてなが
らも、表示品位を低下することなく補助容量を形成して
いる電極間の短絡不良を改善できるアクティブマトリク
ス型液晶表示装置を提供することにある。 【解決手段】ＴＦＴ７５のソース電極６７、画素電極５
３、及び補助容量電極６１を互いに連結する連結配線８
０は、補助容量を形成する補助容量線５２及び補助容量
電極６１にともに重ならない配線部８０Ｘを含んでい
る。すなわち、この配線部８０Ｘは、アレイ基板の裏面
側から見て露出しているため、補助容量線５２と連結配
線８０、もしくは補助容量電極との間で短絡不良が生じ
た際に、この配線部８０Ｘにレーザビームを照射して電
気的に切断することにより、短絡不良が生じた画素を半
点灯状態まで改善することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、アクティブマト
リクス型液晶表示装置に係り、特に、ポリシリコンなど
の半導体層を用いた薄膜トランジスタをスイッチング素
子として備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高密度かつ大容量でありながら、
高機能、高精細な表示が得られる液晶表示装置の実用化
が進められている。

【０００３】この液晶表示装置には、各種方式がある
が、中でも薄膜トランジスタすなわちＴＦＴをスイッチ
ング素子とした画素電極がマトリクス状に設けられたア
レイ基板を備えるアクティブマトリクス型液晶表示装置
が注目されている。このアクティブマトリクス型液晶表
示装置は、隣接画素間のクロストークが小さく、高コン
トラストの表示が得られ、透過型表示が可能であり、か
つ大面積化も容易などの利点を有している。

【０００４】このアクティブマトリクス型液晶表示装置
に適用されるアレイ基板は、絶縁基板上に互いに交差す
る方向に複数本の走査線と複数本の信号線とを備えてい
る。また、アレイ基板は、これらの走査線と信号線との
交差部にＴＦＴを備え、さらに、走査線と信号線とによ
り区画された複数の領域すなわち画素領域に配置された
画素電極を有している。

【０００５】このようなアクティブマトリクス型液晶表
示装置は、画素領域間の光漏れを防ぐ目的でブラックマ
トリクスすなわちＢＭを備えている。このブラックマト
リクスは、一般に、カラーフィルタ用の着色層ととも
に、液晶層を介してアレイ基板に対向配置される対向基
板に配置される。このため、アレイ基板と対向基板との
合わせずれを考慮する必要が有り、合わせずれが発生し
た場合には、光を透過する開口部分の割合すなわち開口
率が低下する。

【０００６】こうした問題点を解決するため、近年、ア
レイ基板上に設けられた走査線や信号線などの配線部の
上に、遮光性の有機絶縁膜を設けてブラックマトリクス
として利用する配線ＢＭ構造が提案されている。この配
線ＢＭ構造では、画素電極が画素領域の最上層に設けら
れ、かつ画素電極の端部がマトリクス状に設けられた配
線部に重ねられている。また、有機絶縁膜の代わりに、
従来対向基板に形成されていたカラーフィルタの着色層
を配線部の上に設けてブラックマトリクスとして利用す
る配線ＢＭ構造も提案されている。これらの配線ＢＭ構
造では、アレイ基板と対向基板との合わせずれによる開
口率低下が無いため、高開口率を実現できる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな配線ＢＭ構造は、以下に述べるような欠点を有して
いる。

【０００８】すなわち、有機絶縁膜や着色層を挟んで配
線部と画素電極とを重ね合わせる構造は、信号線と画素
電極とを所定距離の間隔をおいて同一層に配置して対向
基板に配置したブラックマトリクスで開口部を規定する
構造と比較して、異なる層に配置された信号線と画素電
極との寄生容量が大きくなる。このため、液晶表示装置
に表示される表示画面の表示品位が影響を受けやすくな
る。これを避けるためには、すべての画素領域である一
定量の補助容量を形成する必要がある。

【０００９】アクティブマトリクス型液晶表示装置にお
いては、ＴＦＴに電気的に接続された画素電極が数十万
画素から百万画素以上マトリクス状に配列されている。
このため、全てのアレイ基板の全画素領域を無欠陥に製
造することは非常に困難であり、ある割合で画素欠陥が
生じる。この画素欠陥の原因は、様々であるが、補助容
量を形成する電極間の短絡による不良が、画素欠陥不良
の多くを占めることが、不良解析により明らかとなって
いる。このような不良が発生すると、その画素は、ある
電位に固定されるため、常時点灯の画素欠陥となる。さ
らには、対向電極との間に直流電圧が印加され続けるた
めに、画素領域に対応した液晶層に含まれる液晶組成物
が劣化することになり、信頼性上も問題である。

【００１０】このような画素欠陥を修復する一つの方法
として、短絡不良を生じた補助容量電極にレーザビーム
を照射して切断し、画素電極から電気的に切り離す手法
が知られている。この場合、修復された画素は、信号線
と画素電極との間の寄生容量の影響を受けるものの、半
点灯状態に改善される。

【００１１】しかしながら、上述した配線ＢＭ構造にお
いては、配線部と画素電極とが重なるため、レーザビー
ムで配線部の一部を切断しようとすると、新たな短絡不
良が発生するといった問題が発生する。これを避けるた
めに、画素電極に重ならないように、あらかじめ切断用
の配線部を形成すると、この配線部を光が透過し、コン
トラスト比が低下するという問題が生じる。

【００１２】この発明の目的は、上述した問題点に鑑み
なされたものであって、コントラストの低下を招くこと
なく、表示不良を改善できるアクティブマトリクス型液
晶表示装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項１に記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置は、互いに交差して配置された複数の
走査線及び信号線と、前記走査線と前記信号線との交差
部に配置され前記信号線に電気的に接続されたスイッチ
ング素子と、前記スイッチング素子に第１連結配線を介
して電気的に接続された画素電極と、前記スイッチング
素子及び前記画素電極のいずれか一方に第２連結配線を
介して電気的に接続された補助容量電極と、前記補助容
量電極に絶縁層を介して対向配置された補助容量信号線
と、を有するアレイ基板と、液晶組成物を介して前記画
素電極に対向配置された対向電極を有する対向基板と、
を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置におい
て、前記第２連結配線は、前記補助容量信号線から露出
する部分を有することを特徴とする。

【００１４】請求項７に記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置は、互いに交差して配置された複数の走査
線及び信号線と、前記走査線と前記信号線との交差部に
配置され前記信号線に電気的に接続されたスイッチング
素子と、前記スイッチング素子に第１連結配線を介して
電気的に接続された画素電極と、前記スイッチング素子
に第２連結配線を介して電気的に接続された補助容量電
極と、前記補助容量電極に絶縁層を介して対向配置され
た補助容量信号線と、を有するアレイ基板と、液晶組成
物を介して前記画素電極に対向配置された対向電極を有
する対向基板と、を備えたアクティブマトリクス型液晶
表示装置において、前記スイッチング素子は、半導体層
を有し、前記半導体層中に形成されたチャネル領域か
ら、前記第１連結配線及び第２連結配線との接続部まで
の間の半導体層の一部が、他の配線から露出する部分を
有することを特徴とする。

【００１５】請求項９に記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置は、互いに交差して配置された複数の走査
線及び信号線と、前記走査線と前記信号線との交差部に
配置され前記信号線に電気的に接続されたスイッチング
素子と、前記スイッチング素子に第１連結配線を介して
電気的に接続された画素電極と、前記スイッチング素子
及び前記画素電極のいずれか一方に第２連結配線を介し
て電気的に接続された補助容量電極と、前記補助容量電
極に絶縁層を介して対向配置された補助容量信号線と、
を有するアレイ基板と、液晶組成物を介して前記画素電
極に対向配置された対向電極を有する対向基板と、を備
えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前
記補助容量信号線は、前記補助容量電極と重なって補助
容量を形成する部分と、他の配線から露出する部分とを
有することを特徴とする。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、この発明のアクティブマト
リクス型液晶表示装置の実施の形態について図面を参照
して説明する。

【００１７】図１は、この発明の第１の実施の形態に係
るアクティブマトリクス型液晶表示装置の１画素領域を
概略的に示す平面図であり、図２は、図１に示したアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の連結配線を含む領域
を拡大した拡大平面図である。図３は、図２中の一点鎖
線Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄに沿って切断した断面を概略的に示す
断面図である。

【００１８】図１乃至図３に示すように、アレイ基板８
６の１画素領域内において、信号線５０は、層間絶縁膜
７６を介して、走査線５１及び第１電極配線としての補
助容量線５２に対して直交するように配置されている。
補助容量線５２は、走査線５１と同一の層に設けられて
いるとともに、走査線５１に対して平行に形成されてい
る。信号線５０及び補助容量線５２によって区画された
領域は、１画素領域に相当する。補助容量線５２の一部
は、ゲート絶縁膜６２を介してポリシリコン膜によって
形成された第２電極配線としての補助容量電極６１に対
向配置され、補助容量線５２と補助容量電極６１との間
で補助容量を形成している。

【００１９】画素電極５３は、信号線５０及び補助容量
線５２の上にその周縁部を重ねるように配置されてい
る。スイッチング素子として機能する薄膜トランジスタ
すなわちＴＦＴ７５は、信号線５０と走査線５１の交点
近傍に配置されている。このＴＦＴ７５は、Ｎチャネル
型Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ、すなわち
Ｎｃｈ型ＬＤＤ構造の素子を利用している。

【００２０】ＴＦＴ７５は、ポリシリコン膜によって形
成されたドレイン電極６６及びソース電極６７を有し、
ゲート絶縁膜６２を介して配置された走査線５１の一部
をゲート電極６３とする。ドレイン電極６６は、コンタ
クトホール７７を介して、信号線５０に電気的に接続さ
れている。ＴＦＴ７５のソース電極６７、画素電極５
３、および、補助容量電極６１は、一連の連結配線８０
によって電気的に接続されている。

【００２１】すなわち、ソース電極６７は、コンタクト
ホール７８を介して第１コンタクト電極６７Ｃに電気的
に接続されている。画素電極５３は、コンタクトホール
８３Ａ、８３Ｂを介して第２コンタクト電極５３Ｃに電
気的に接続されている。補助容量電極６１は、コンタク
トホール７９を介して第３コンタクト電極６１Ｃに電気
的に接続されている。

【００２２】第１コンタクト電極６７Ｃと第２コンタク
ト電極５３Ｃとは、連結配線８０の第１連結部８０Ａに
よって電気的に接続されている。これにより、第１連結
部８０Ａは、ソース電極６７と画素電極５３とを電気的
に連結する。

【００２３】第２コンタクト電極５３Ｃと第３コンタク
ト電極６１Ｃとは、連結配線８０の第２連結部８０Ｂに
よって電気的に接続されている。これにより、第２連結
部８０Ｂは、画素電極５３と補助容量電極６１とを電気
的に連結する。この第２連結部８０Ｂは、第１連結部８
０Ａに連続して形成されている。

【００２４】第２連結部８０Ｂの少なくとも一部は、補
助容量線５２及び補助容量電極６１に重ならない配線部
８０Ｘを含んでいる。すなわち、この第１の実施の形態
では、図１乃至図３に示したように、補助容量線５２及
び補助容量電極６１は、配線部８０Ｘに重なる所定の領
域に開口部５４Ａ及び５４Ｂを有している。これによ
り、図３に示すように、アレイ基板８６の裏面側から見
て、配線部８０Ｘは、これらの開口部５４（Ａ，Ｂ）を
介して補助容量線５２及び補助容量電極６１から露出す
ることになる。アレイ基板８６と対向基板９２との間を
所定の間隔に維持する柱状スペーサ５５は、補助容量線
５２及び補助容量電極６１の開口部５４に対応するよう
に設けられ、光漏れによるコントラスト比の低下を防い
でいる。

【００２５】このような構造とすることにより、第３コ
ンタクト電極６１Ｃに近い第２連結部８０Ｂと補助容量
線５２との間、あるいは、補助容量線５２と補助容量電
極６１との間で短絡が生じた場合には、他の駆動配線か
ら露出している配線部８０Ｘに向けてレーザビームを照
射して切断する。このように、連結配線８０の配線部８
０Ｘを切断することにより、走査線や信号線などの他の
駆動配線にダメージを与えることなく、短絡を修復する
ことが可能となる。

【００２６】次に、図１乃至図３を参照して、上述した
構造の第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス型
液晶表示装置の製造方法について説明する。

【００２７】まず、高歪点ガラス基板や石英基板などの
透明な絶縁性の基板６０上に、ＣＶＤ法などによりアモ
ルファスシリコン膜すなわちａ−Ｓｉ膜を５０ｎｍ程度
被着する。そして、４５０℃で１時間、アニールを行っ
た後、エキシマレーザビームを照射し、ａ−Ｓｉ膜を多
結晶化する。その後に、多結晶化されたシリコン膜すな
わちポリシリコン膜を、フォトエッチング法によりパタ
ーニングして、表示領域における各画素領域にそれぞれ
設けられるＴＦＴすなわち画素ＴＦＴ７５のチャネル
層、及び駆動回路領域に設けられるＴＦＴすなわち回路
ＴＦＴ６９、７２のチャネル層を形成するとともに、補
助容量を形成するための補助容量電極６１を開口部５４
とともに形成する。

【００２８】続いて、ＣＶＤ法により、基板６０の全面
にシリコン酸化膜すなわちＳｉＯｘ膜を１００ｎｍ程度
被着して、ゲート絶縁膜６２を形成する。

【００２９】続いて、ゲート絶縁膜６２上の全面にタン
タル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅
（Ｃｕ）などの単体、または、これらの積層膜、あるい
は、これらの合金膜を４００ｎｍ程度被着し、フォトエ
ッチング法により所定の形状にパターニングする。これ
により、走査線５１、ゲート絶縁膜６２を介して補助容
量電極６１に対向する補助容量線５２、走査線５１を延
在してなる画素ＴＦＴ７５のゲート電極６３、回路ＴＦ
Ｔ６９、７２のゲート電極６４、６５、および、駆動回
路領域内の各種配線を形成する。この時、補助容量線５
２についても、補助容量電極６１と同様に、開口部５４
を形成する。

【００３０】続いて、これらのゲート電極６３、６４、
６５をマスクとして、イオン注入法やイオンドーピング
法により不純物を注入する。これにより、画素ＴＦＴ７
５のドレイン電極６６及びソース電極６７、補助容量電
極６１のコンタクト領域６８、及びＮｃｈ型の回路ＴＦ
Ｔ６９のソース電極７０及びドレイン電極７１を形成す
る。この実施の形態では、例えば加速電圧８０ｋｅＶで
５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２のドーズ量で、ＰＨ３
／Ｈ２の条件でリンを高濃度注入した。

【００３１】続いて、画素ＴＦＴ７５、駆動回路領域の
Ｎｃｈ型の回路ＴＦＴ６９に、不純物が注入されないよ
うにレジストで被覆した後、Ｐｃｈ型の回路ＴＦＴ７２
のゲート電極６４をマスクとして、不純物を注入する。
これにより、Ｐｃｈ型の回路ＴＦＴ７２のソース電極７
３及びドレイン電極７４を形成する。この実施の形態で
は、加速電圧８０ｋｅＶで５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ２のドーズ量で、Ｂ２Ｈ６／Ｈ２の条件でボロンを高
濃度注入した。

【００３２】続いて、画素ＴＦＴ７５及び回路ＴＦＴ６
９にＮｃｈ型ＬＤＤ領域を形成するために、不純物を注
入し、基板全体をアニールすることにより不純物を活性
化する。

【００３３】続いて、基板６０の全面に二酸化シリコン
膜すなわちＳｉＯ２を５００ｎｍ程度被着し、層間絶縁
膜７６を形成する。

【００３４】続いて、ゲート絶縁膜６２及び層間絶縁膜
７６に、フォトエッチング法により、画素ＴＦＴ７５の
ドレイン電極６６に至るコンタクトホール７７及びソー
ス電極６７に至るコンタクトホール７８と、補助容量電
極６１のコンタクト領域６８に至るコンタクトホール７
９と、回路ＴＦＴ６９，７２のソース電極７０，７３及
びドレイン電極７１，７４に至るコンタクトホールとを
形成する。

【００３５】次に、Ｔａ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ
などの単体、または、これらの積層膜、あるいは、これ
らの合金膜を５００ｎｍ程度被着し、フォトエッチング
法により所定の形状にパターニングする。

【００３６】これにより、信号線５０を形成するととも
に、画素ＴＦＴ７５のドレイン電極６６と信号線５０と
を電気的に接続する。また、同時に、画素ＴＦＴ７５の
ソース電極６７に電気的に接続された第１コンタクト電
極６７Ｃ、後に形成される画素電極５３に電気的に接続
される第２コンタクト電極５３Ｃ、および、補助容量電
極６１に電気的に接続された第３コンタクト電極６１Ｃ
を形成する。さらに、同時に、第１コンタクト電極６７
Ｃと第２コンタクト電極５３Ｃとを電気的に接続する第
１連結部８０Ａ、および、第２コンタクト電極５３Ｃと
第３コンタクト電極６１Ｃとを電気的に接続する第２連
結部８０Ｂを形成し、連結配線８０を形成する。またさ
らに、同時に、駆動回路領域内の回路ＴＦＴ６９、７２
の各種配線を形成する。

【００３７】第１コンタクト電極６７Ｃ、第１連結部８
０Ａ、第２コンタクト電極５３Ｃ、第２連結部８０Ｂ、
及び第２コンタクト電極６１Ｃは、すべて一体に形成さ
れ、連結配線８０を構成している。

【００３８】続いて、基板６０の全面にシリコン窒化膜
すなわちＳｉＮｘを成膜し、保護絶縁膜８２を形成す
る。そして、この保護絶縁膜８２に、フォトエッチング
法により、第２コンタクト電極５３Ｃに至るコンタクト
ホール８３Ａを形成する。

【００３９】続いて、例えば赤、青、緑のそれぞれの顔
料を分散させた着色層８４Ｒ、８４Ｇ、８４Ｂを各画素
領域毎に２μｍ程度の厚さに形成する。そして、後述す
る画素電極５３から第２コンタクト電極５３Ｃに至るコ
ンタクトホール８３Ｂを形成する。

【００４０】続いて、透明導電性部材、例えばインジウ
ム−ティン−オキサイドすなわちＩＴＯをスパッタ法に
より、全面に１００ｎｍ程度の厚さで成膜し、フォトエ
ッチング法により所定の形状にパターニングする。これ
により、画素電極５３を形成するとともに、画素電極５
３と第２コンタクト電極５３Ｃとを電気的に接続し、連
結配線８０の第１配線部８０Ａを介して画素ＴＦＴ７５
のソース電極６７と画素電極５３とを電気的に接続す
る。

【００４１】最後に、例えば黒色の顔料を分散させた有
機絶縁膜層を全面に約５μｍの厚さで塗布し、フォトエ
ッチング法により、開口部５４を塞ぐように、柱状スペ
ーサ５５を形成する。

【００４２】以上のような工程を経て、アクティブマト
リクス型液晶表示装置のアレイ基板８６が得られる。

【００４３】一方、透明な絶縁性基板として例えばガラ
ス基板９０上に、スパッタ法により例えばＩＴＯを成膜
し、パターニングすることにより対向電極９１を形成す
る。

【００４４】このような工程を経て、アクティブマトリ
クス型液晶表示装置の対向基板９２が得られる。

【００４５】続いて、アレイ基板８６の画素電極５３側
と、対向基板９２の対向電極９１側の全面に低音キュア
型のポリイミドを印刷塗布し、両基板８６，９２を対向
させた時に、互いの配向軸が９０°となるようにラビン
グ処理を施すことにより、配向膜８５，９３を形成す
る。

【００４６】続いて、両基板８６，９２を対向して組み
立てて、セル化し、その間隙に注入口からネマティック
液晶１００を注入し封止する。そして、両基板８６，９
２の絶縁基板６０，９０上に偏向板を貼り付けることに
より、アクティブマトリクス型液晶表示装置が得られ
る。

【００４７】このようにして構成されたアレイ基板８６
においては、画素ＴＦＴ７５のソース電極６７と画素電
極５３との間は、連結配線８０の第１連結部８０Ａによ
って連結され、画素電極５３と補助容量電極６１との間
は、連結配線８０の第２連結部８０Ｂによって連結され
る。このように、ソース電極６７、画素電極５３、及び
補助容量電極６１は、互いに独立した連結部によって電
気的に接続されている。

【００４８】また、画素電極５３と補助容量電極６１と
の間を連結する第２連結部８０Ｂの少なくとも一部は、
他の導電膜が存在せず、且つ遮光性の膜が存在しない領
域５４を配線されている。すなわち、第２連結部８０Ｂ
の少なくとも一部は、遮光性を有し導電膜として機能す
る補助容量線５２及び補助容量電極６１に重ならないよ
うに、補助容量線５２及び補助容量電極６１に共通に形
成された開口部５４上を通過するように配線されてい
る。これにより、第２連結部８０Ｂの少なくとも一部
は、アレイ基板８６の裏面側から見て、露出している。

【００４９】このため、補助容量を形成する補助容量線
５２と補助容量電極６１との間で短絡不良が生じた際、
アレイ基板８６の裏面側からレーザビームを照射して、
露出している第２連結部８０Ｂの一部を電気的に切断す
ることにより、画素欠陥不良を半点灯状態に改善するこ
とができるため、歩留まりが改善される。

【００５０】また、この時、切断部分の上層及び下層に
は、導電膜が無いため、他の電極と新たな短絡不良を生
じることは無い。

【００５１】さらに、アレイ基板８６における対向基板
９２側の開口部５４に対応する位置には、遮光性の柱状
スペーサを配置しているため、コントラスト低下による
表示品位の劣化を防止することが可能となる。

【００５２】これにより、配線ＢＭ構造において、表示
品位の低下を伴うことなく、補助容量を形成している電
極間の短絡を修復することが可能となる。

【００５３】なお、上述した第１の実施の形態では、補
助容量線５２及び補助容量電極６１に形成された開口部
５４を塞ぐように柱状スペーサ５５を重ねて配置した
が、自画素以外の着色層８４Ｒ上に他の二色の着色層８
４Ｇ及び８４Ｂを重ねても、開口部５４を遮光すること
が可能である。この場合、三色の着色層を重ねた着色層
積層体の高さは、柱状スペーサ５５よりも低くなる。こ
のため、柱状スペーサ５５と着色層積層体とを組み合わ
せて配置すれば、着色層積層体はスペーサとしては機能
せず、単なる遮光部となる。これらの構造を組み合わせ
ることにより、表示領域内のスペーサ密度を自在に調整
することができる。

【００５４】また、この第１の実施の形態では、着色層
８４（Ｒ、Ｇ、Ｂ）をアレイ基板上に配置した場合につ
いて説明をしたが、有機絶縁膜を用いた場合においても
同様の効果が得られる。

【００５５】次に、この発明の第２の実施の形態に係る
アクティブマトリクス型液晶表示装置に適用されるアレ
イ基板の構造について説明する。

【００５６】図４は、この発明の第２の実施の形態に係
るアクティブマトリクス型液晶表示装置の連結配線を含
む領域を拡大した拡大平面図である。なお、ここでは、
第１の実施の形態と同一の構成については、同一の参照
番号を付して詳細な説明を省略する。

【００５７】すなわち、図４に示すように、ＴＦＴ７５
のソース電極６７に電気的に接続された第１コンタクト
電極６７Ｃと、画素電極５３に電気的に接続された第２
コンタクト電極５３Ｃとは、連結配線８０の第１連結部
８０Ａによって電気的に接続されている。また、第２コ
ンタクト電極５３Ｃと、補助容量電極６１に電気的に接
続された第３コンタクト電極６１Ｃとは、連結配線８０
の第２連結部８０Ｃによって電気的に接続されている。

【００５８】第２連結部８０Ｃの少なくとも一部は、補
助容量線５２及び補助容量電極６１に重ならない配線部
８０Ｘを含んでいる。すなわち、この第２の実施の形態
では、第２連結部８０Ｃの配線部８０Ｘは、アレイ基板
面内において、補助容量線５２及び補助容量電極６１に
重ならないような位置を迂回して配線されている。この
配線部８０Ｘの下層には、透明なゲート絶縁膜６２及び
透明な層間絶縁膜７６が配置されているとともに、配線
部８０Ｘの上層には、透明な画素電極５３が配置されて
いる。

【００５９】これにより、アレイ基板をセル化した際
に、配線部８０Ｘは、アレイ基板８６の裏面側から見
て、露出することになる。また、配線部８０Ｘが画素領
域内を配線されることにより、第１の実施の形態で説明
したような遮光性の柱状スペーサを設ける必要がなくな
る。

【００６０】このような構造とすることにより、第３コ
ンタクト電極６１Ｃに近い第２連結部８０Ｂと補助容量
線５２との間、あるいは、補助容量線５２と補助容量電
極６１との間で短絡が生じた場合には、アレイ基板８６
の裏面側から見て露出している配線部８０Ｘに向けてレ
ーザビームを照射して切断する。このように、連結配線
８０の配線部８０Ｘを切断することにより、短絡を修復
することが可能となる。

【００６１】また、柱状スペーサを形成する必要がなく
なるため、製造コストを低減することができる。

【００６２】次に、この発明の第３の実施の形態に係る
アクティブマトリクス型液晶表示装置に適用されるアレ
イ基板の構造について説明する。

【００６３】図５は、この発明の第３の実施の形態に係
るアクティブマトリクス型液晶表示装置の連結配線を含
む領域を拡大した拡大平面図である。なお、ここでは、
第１の実施の形態と同一の構成については、同一の参照
番号を付して詳細な説明を省略する。

【００６４】すなわち、図５に示すように、ＴＦＴ７５
のソース電極６７に電気的に接続された第１コンタクト
電極６７Ｃと、画素電極５３に電気的に接続された第２
コンタクト電極５３Ｃとは、連結配線８０の第１連結部
８０Ａによって電気的に接続されている。また、第１コ
ンタクト電極６７Ｃと、補助容量電極６１に電気的に接
続された第３コンタクト電極６１Ｃとは、連結配線８０
の第２連結部８０Ｄによって電気的に接続されている。

【００６５】第２連結部８０Ｄの少なくとも一部は、補
助容量線５２及び補助容量電極６１に重ならない配線部
８０Ｘを含んでいる。すなわち、この第３の実施の形態
では、第２連結部８０Ｄの配線部８０Ｘは、アレイ基板
面内において、補助容量線５２及び補助容量電極６１に
重ならないような位置を迂回して配線するために、第１
コンタクト電極６７Ｃと第３コンタクト電極６１Ｃとを
電気的に接続するように配線している。この配線部８０
Ｘの下層には、透明なゲート絶縁膜６２及び透明な層間
絶縁膜７６が配置されているとともに、配線部８０Ｘの
上層には、透明な画素電極５３が配置されている。

【００６６】これにより、アレイ基板をセル化した際
に、配線部８０Ｘは、アレイ基板８６の裏面側から見
て、露出することになる。また、配線部８０Ｘが画素領
域内を配線されることにより、第１の実施の形態で説明
したような遮光性の柱状スペーサを設ける必要がなくな
る。

【００６７】このような構造とすることにより、第２の
実施の形態と同様の効果が得られる。

【００６８】上述したように、この発明の第１乃至第３
の実施の形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示装
置によれば、ＴＦＴ７５のソース電極６７、画素電極５
３、及び補助容量電極６１を互いに連結する連結配線８
０は、補助容量を形成する補助容量線５２及び補助容量
電極６１にともに重ならない配線部８０Ｘを含んでい
る。すなわち、この配線部８０Ｘは、アレイ基板の裏面
側から見て露出しているため、補助容量線５２と連結配
線８０、もしくは補助容量電極との間で短絡不良が生じ
た際に、この配線部８０Ｘにレーザビームを照射して電
気的に切断することにより、短絡不良が生じた画素を半
点灯状態まで改善することが可能となる。したがって、
表示品位の低下を伴うことなく、短絡不良を修復するこ
とが可能なアクティブマトリクス型液晶表示装置を実現
することができる。

【００６９】次に、この発明の第４の実施の形態に係る
アクティブマトリクス型液晶表示装置に適用されるアレ
イ基板の構造について説明する。

【００７０】図６は、この発明の第４の実施の形態に係
るアクティブマトリクス型液晶表示装置の連結配線を含
む領域を拡大した拡大平面図であり、図７は、図６中の
一点鎖線Ａ−Ｂ−Ｃに沿って切断した断面を概略的に示
す断面図である。なお、ここでは、第３の実施の形態と
同一の構成については、同一の参照番号を付して詳細な
説明を省略する。

【００７１】上述したように、画素電極５３をカラーフ
ィルタ８４などの絶縁層上に形成する構造の場合、画素
電極５３とＴＦＴ７５との間の絶縁層が比較的厚いた
め、絶縁総にコンタクトホールを形成する際に、エッチ
ング不良を起こしやすくなる。このエッチング不良によ
り、画素電極５３と第２コンタクト電極５３Ｃとの接続
不良が発生し、ＴＦＴ７５からの信号が画素電極５３に
伝わらなくなる。このため、その画素は、ある電位に固
定されるため、常時点灯の画素欠陥となる。

【００７２】このような画素欠陥を正常化するために、
接続不良部にレーザビームを照射して、画素電極５３の
一部及び第２コンタクト電極５３Ｃの一部を溶融し、両
者をショートさせる方法がある。

【００７３】しかしながら、上述したような構造の場
合、第２コンタクト電極５３Ｃの下層に補助容量線５２
及び補助容量電極６１が配置されているため、アレイ基
板８６の裏面側から見て、第２コンタクト電極５３Ｃが
露出していない。このため、アレイ基板８６の裏面側か
らレーザビームを照射することが困難である。

【００７４】そこで、この第４の実施の形態に係るアク
ティブマトリクス型液晶表示装置では、図６及び図７に
示すように、第２コンタクト電極５３Ｃが他の配線から
露出するように構成されている。

【００７５】すなわち、第２コンタクト電極５３Ｃの下
層に位置する補助容量電極６１及び補助容量線５２は、
第２コンタクト電極に重複する領域に、レーザビーム透
過用の開口部６１Ｈ、５２Ｈを有している。開口部６１
Ｈは、補助容量電極６１の一部をエッチング加工によっ
て取り除くことにより形成される。この開口部６１Ｈ
は、例えば、コンタクトホール８３Ａ及び８３Ｂの重心
にほぼ等しい重心を持つ８×８μｍの正方形に形成され
る。開口部５２Ｈは、補助容量線５２の一部をエッチン
グ加工によって取り除くことにより形成される。この開
口部５２Ｈは、例えば、コンタクトホール８３Ａ及び８
３Ｂの重心にほぼ等しい重心を持つ６×６μｍの正方形
に形成される。

【００７６】このように構成することにより、ゲート絶
縁膜６２及び層間絶縁膜７６が透明であるため、第２コ
ンタクト電極５３Ｃが他の駆動配線から露出する。

【００７７】このような構造のアレイ基板において、画
素電極５３と第２コンタクト電極５３Ｃとの接続不良が
発生した場合には、アレイ基板８６の裏側から、補助容
量電極６１及び補助容量線５２のそれぞれに形成した開
口部６１Ｈ及び５２Ｈを介して、エネルギ約２ｍＪ、波
長５３２ｎｍのレーザビームを第２コンタクト電極５３
Ｃに照射する。これにより、第２コンタクト電極５３Ｃ
及び画素電極５３の一部が溶融する。

【００７８】溶融した第２コンタクト電極５３Ｃの一部
は、コンタクトホール８３Ａ及び８３Ｂを通過して画素
電極５３とショートする。すなわち、第２コンタクト電
極５３Ｃと画素電極５３とを電気的に接続することが可
能となる。これにより、走査線や信号線などの他の駆動
配線にダメージを与えることなく、画素電極５３と第２
コンタクト電極５３Ｃとの接続不良を改善することが可
能となる。

【００７９】上述したように、この発明の第４の実施の
形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置によれ
ば、補助容量線５２及び補助容量電極６１は、画素電極
５３とＴＦＴ７５とを電気的に接続する第２コンタクト
電極５３Ｃに重複する領域の一部にレーザビームを透過
可能とする開口部を有している。このため、第２コンタ
クト電極５３Ｃで接続不良が発生した場合であっても、
アレイ基板８６の裏側からレーザビームを照射して絶縁
層を消失させるとともに、画素電極及び第２コンタクト
電極の一部を溶融させて両者をショートさせることが可
能となる。

【００８０】したがって、表示不良を発生した画素欠陥
を正常化し、製造歩留まりを向上させることができる。

【００８１】次に、この発明の第５の実施の形態に係る
アクティブマトリクス型液晶表示装置に適用されるアレ
イ基板の構造について説明する。

【００８２】図８は、この発明の第５の実施の形態に係
るアクティブマトリクス型液晶表示装置の連結配線を含
む領域を拡大した拡大平面図であり、図９は、図８中の
一点鎖線Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄに沿って切断した断面を概略的
に示す断面図である。なお、ここでは、第３の実施の形
態と同一の構成については、同一の参照番号を付して詳
細な説明を省略する。

【００８３】上述した画素電極５３をカラーフィルタ８
４などの絶縁層上に形成する構造は、信号線を挟んで信
号線と同一層に画素電極を配置する構造と比較して、隣
接する画素電極間の距離を小さくすることが可能であ
り、開口率の向上を見込むことができる。しかしなが
ら、隣接する画素電極間の距離が短いため、画素電極形
成時のエッチング不良により、画素電極同士がショート
を起こしやすくなる。また、小さな金属ゴミでも、画素
電極同士のショートが起こりやすくなる。このため、シ
ョートした隣接画素は、ある電位に固定されるため、常
時点灯の画素欠陥となる。

【００８４】このような画素欠陥を正常化するために、
ショート部にレーザビームを照射して、ショート部を切
断する方法が考えられるが、ショート部を特定すること
が困難である。

【００８５】そこで、この第５の実施の形態に係るアク
ティブマトリクス型液晶表示装置では、図８及び図９に
示すように、ドレイン電極６６及びソース電極６７の一
部をなすポリシリコン膜Ｐが、信号線５０とのコンタク
トから、画素電極５３とのコンタクトの間に、他の金属
配線に重ならない領域を有するように構成されている。

【００８６】すなわち、ＴＦＴ７５は、走査線５１の一
部をゲート電極とし６３、ポリシリコン膜Ｐが信号線５
０にコンタクトする領域に形成されたドレイン電極６６
と、ポリシリコン膜Ｐが画素電極５３に電気的に接続さ
れる連結配線８０にコンタクトする領域、すなわち第２
コンタクト電極６７Ｃに形成されたソース電極６７と、
を有している。ポリシリコン膜Ｐは、図８に示すよう
に、ゲート電極６３を迂回するように配置されている。

【００８７】このようにポリシリコン膜Ｐを引き回すこ
とにより、図９に示すように、ポリシリコン膜Ｐの一部
ＰＡは、他の金属配線に重なることなく露出する。

【００８８】このような構造のアレイ基板において、例
えば、４Ｖの電位差で液晶を駆動する場合、黒を表示す
るために、第１列の画素電極に印加される電圧は、第１
フレームで９Ｖ、第２フレームで１Ｖであり、第２列の
画素電極に印加される電圧は、第１フレームで１Ｖ、第
２フレームで９Ｖである。この時、対向電極に印加され
る電圧は、５Ｖである。

【００８９】ここで、隣接する第１列及び第２列の画素
電極５３同士でショートが発生した場合には、第１列の
ＴＦＴは、信号線から第１列の画素電極に対して９Ｖの
電圧を印加し、第２列のＴＦＴは、信号線から第２列の
画素電極に対して１Ｖの電圧を印加する。この二つの画
素電極は、ショートしているため、印加された電圧が平
均化される。このため、これらの画素電極には、全体と
して５Ｖの電圧が印加されることになる。この結果、二
つの画素電極は、対向電極との間に電位差が生じず、と
もに輝点（白表示）となる。

【００９０】このときに、第２列のＴＦＴを構成するポ
リシリコン膜Ｐの露出部分ＰＡに向けて、アレイ基板８
６の裏側から、エネルギ約２ｍＪ、波長５３２ｎｍのレ
ーザビームを照射する。ポリシリコン膜Ｐは、膜厚が約
５０ｎｍないし７０ｎｍ程度であり、５００ｎｍ付近の
波長に対する吸収率も高い。このため、照射されたレー
ザビームの熱エネルギにより、ポリシリコン膜Ｐの露出
部分ＰＡが消失され、切断される。このとき、消失物質
によるイオン性の汚染もほとんど無い。

【００９１】通常、レーザリペアに用いられるレーザの
スポット径は数μｍ程度であるので、これに光学合わせ
のマージンなどを考慮して露出部分ＰＡの長さを数μｍ
〜１０μｍ程度とすることにより、他の駆動配線にダメ
ージを与えることなくレーザ切断可能となる。

【００９２】したがって、第２列のＴＦＴに駆動信号を
供給する信号線と、第２列の画素電極とが電気的に絶縁
される。この結果、第２列のＴＦＴに信号線から供給さ
れた駆動電圧は、第２列の画素電極に印加されない。す
なわち、第１列及び第２列の画素電極は、ともに、第１
列のＴＦＴから供給された駆動信号によって駆動される
ことになる。これにより、少なくとも第１列の画素電極
は、正常に動作することになり、表示不良の不良度を低
下させることができる。

【００９３】上述したように、この発明の第５の実施の
形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置によれ
ば、ＴＦＴ７５を構成するポリシリコン膜Ｐは、信号線
５０とのコンタクトから画素電極５３とのコンタクトま
での間に、他の金属配線と重複しない領域を有してい
る。このため、隣接する画素電極間でショートが発生し
た場合であっても、アレイ基板８６の裏側からレーザビ
ームを照射してポリシリコン膜Ｐを切断させることが可
能となる。

【００９４】これにより、表示不良を発生していた少な
くとも一方の画素電極は、正常化し、表示不良の不良度
を低下させることが可能となり、製造歩留まりを向上さ
せることができる。

【００９５】次に、この発明の第６の実施の形態に係る
アクティブマトリクス型液晶表示装置に適用されるアレ
イ基板の構造について説明する。

【００９６】図１０は、この発明の第６の実施の形態に
係るアクティブマトリクス型液晶表示装置の連結配線を
含む領域を示す平面図であり、図１１は、図１０中のＥ
−Ｅ’線に沿って切断した断面を概略的に示す断面図で
あり、図１２は、図１０中のＦ−Ｆ’線に沿って切断し
た断面を概略的に示す断面図である。

【００９７】この実施の形態の液晶表示装置は、アレイ
基板１００と対向基板２００との間に、例えば光変調層
としてＴＮ（ツイステッド・ネマティック）型液晶層３
００が配向膜３１１および３１３を介して保持してお
り、また、各基板１００及び２００の外表面に偏光板３
２１及び３２３が配置されて構成されている。

【００９８】アレイ基板１００は、液晶層３００のギャ
ップを一定に保つために、アレイ基板１００と一体に形
成された樹脂性のスペーサ３３１を有している。対向基
板２００は、ガラス基板２０１上に略ストライプ状に形
成された遮光膜２１１と、この上に配置されるＩＴＯか
らなる対向電極２２１と、を有している。遮光膜２１１
は、アレイ基板１００側に設けられる走査線１２１と補
助容量線１３１との間隙や、ＴＦＴ１４１を遮光する。

【００９９】この実施の形態のアレイ基板１００は、上
述した実施の形態に対して、各画素が少なくとも２つの
独立した補助容量Ｃｓ１、Ｃｓ２…を含み、それぞれが
リペア可能に構成されることを特徴としている。

【０１００】第１の補助容量Ｃｓ１は、補助容量線１３
１下にゲート絶縁膜１４５を介して配置されるポリシリ
コン薄膜から成る第１の下部電極１３７ａと補助容量線
１３１との間で形成される。

【０１０１】すなわち、ガラス基板１０１上に形成され
たポリシリコン膜は、ＴＦＴ１４１のソース領域及びド
レイン領域や、第１及び第２の下部電極１３７ａ及び１
３７ｂなどを形成する。

【０１０２】ＴＦＴ１４１のドレイン領域は、ゲート絶
縁膜１４５及び層間絶縁膜１４７を貫通するコンタクト
ホール１２３を介して信号線１１１に接続されている。
ＴＦＴ１４１のソース領域は、ゲート絶縁膜１４５及び
層間絶縁膜１４７を貫通するコンタクトホール１２５を
介して信号線１１１と同一工程で作製された接続配線１
５３の第１配線１５３ａと電気的に接続されている。こ
の第１配線１５３ａは、平滑化層１６１を貫通するコン
タクトホール１６３ａを介して画素電極１７１に電気的
に接続されている。

【０１０３】この第１配線１５３ａと連続する第２配線
１５３ｂは、走査線１２１と補助容量線１３１との間隙
を経て再び補助容量線１３１上に延在し、補助容量線１
３１の開口１３３内でゲート絶縁膜１４５及び層間絶縁
膜１４７を貫通するコンタクトホール１３５ａを介して
ポリシリコン薄膜から成る第１の下部電極１３７ａに電
気的に接続されている。

【０１０４】これにより、ＴＦＴ１４１のソース領域と
電気的に接続されるポリシリコン薄膜から成る第１の下
部電極１３７３と、補助容量線１３１との間で、第１の
補助容量Ｃｓ１が形成される。

【０１０５】第２の補助容量Ｃｓ２は、隣接する他の補
助容量線１０１の下にゲート絶縁膜１４５を介して配置
されるポリシリコン薄膜から成る第２の下部電極１３７
ｂと補助容量線１３１との間で形成される。

【０１０６】すなわち、ポリシリコン薄膜から成る第２
の下部電極１３７ｂは、隣接する他の補助容量線１３１
の開口１３３内でゲート絶縁膜１４５及び層間絶縁膜１
４７を貫通するコンタクトホール１３５ｂを介して信号
線１１１と同一工程で形成される第２接続配線１５５に
電気的に接続される。この第２接続配線１５５は、アレ
イ基板１００の光透過領域を経由するよう他の補助容量
線１３１から画素電極１７１内方を経由して再び補助容
量線１３１上に延在し、平滑化層１６１を貫通するコン
タクトホールｌ６３ｂを介して画素電極１７１と電気的
に接続されている。

【０１０７】これにより、画素電極１７１と電気的に接
続されるポリシリコン薄膜から成る第２の下部電極１３
７ｂと補助容量線１３１との間で第２の補助容量Ｃｓ２
が形成される。

【０１０８】そして、例えば、アレイ基板１００を作成
した後、補助容量線１３１に所定の電圧Ｖｃｓ１、Ｖｃ
ｓ２（隣接補助容量線間で印加される電圧をそれぞれ異
ならしめておく：Ｖｃｓ１，Ｖｃｓ２）を印加する。そ
の後、信号線１１１に電圧Ｖｃｓ１及びＶｃｓ２と異な
る所定の電圧Ｖｓを印加し、走査線１２１に順次走査パ
ルスＶｇを印加して、各画素電極１７１に電圧Ｖｓを書
込む。しかる後に、走査線１２１に再び順次走査パルス
Ｖｇを印加して画素電極１７１に書込まれた電荷を信号
線１１ｌから順次読み出す。この際、補助容量線１３１
と下部電極１３７とが短絡していると、信号線１１１か
らは電圧Ｖｃｓ１又はＶｃｓ２が読み出されることによ
り、補助容量線１３１と下部電極１３７との短絡箇所を
特定することができる。

【０１０９】そして、例えば図１０中の×Ｇで短絡が発
見されると、例えば図１０中のＨで示すアレイ基板１０
０の光透過領域において接続配線１５３の第２配線１５
３ｂの一部を、アレイ基板１００の裏面からレーザを照
射して切断する。これにより、画素電極電位が補助容量
線１３１の電位に固定されて不所望な表示状態となるこ
とが防止される。なお、この場合、リペアされた画素に
は、依然として補助容量Ｃｓ２が形成されているため、
画素電極電位の寄生容量の影響による変動が抑えられ、
良好な表示品位が維持される。

【０１１０】同様に、例えば図１０中の×Ｉで短絡が発
見されると、例えば図１０中のＪで示す領域の接続配線
１５５を、アレイ基板１００の裏面からレーザを照射し
て切断する。これにより、画素電極電位が補助容量線１
３１の電位に固定されて不所望な表示状態となることが
防止される。この場合も、リペアされた画素には、依然
として補助容量Ｃｓ２が形成されているため、画素電極
電位の寄生容量の影響による変動が抑えられ、良好な表
示品位が維持される。

【０１１１】また、第１及び第２補助容量Ｃｓ１及びＣ
ｓ２の両方が短絡している場合、上記のＨ及びＪのそれ
ぞれで配線１５３ｂ及び１５５を切断することにより、
リペアすることができる。

【０１１２】次に、この発明の第７の実施の形態に係る
アクティブマトリクス型液晶表示装置に適用されるアレ
イ基板の構造について説明する。

【０１１３】図１３は、この発明の第７の実施の形態に
係るアクティブマトリクス型液晶表示装置の連結配線を
含む領域を示す平面図であり、図１４は、図１３中のＫ
−Ｋ’線に沿って切断した断面を概略的に示す断面図で
あり、図１５は、図１３中のＬ−Ｌ’線に沿って切断し
た断面を概略的に示す断面図である。なお、上述した第
６の実施の形態と同一の構成については、同一の参照番
号を付して詳細な説明を省略する。

【０１１４】この実施の形態のアレイ基板１００は、上
述した第６の実施の形態と同様に、各画素が２つの独立
した補助容量Ｃｓｌ、Ｃｓ２を含み、それぞれがリペア
可能に構成されることを特徴としており、その補助容量
Ｃｓ１、Ｃｓ２の形状が第６の実施の形態とは相違して
いる。

【０１１５】第１の補助容量Ｃｓ１は、第６の実施の形
態と同様に、補助容量線１３１の下にゲート絶縁膜１４
５を介して配置されるポリシリコン薄膜から成る第１の
下部電極１３７ａと補助容量線１３１との間で形成され
る。

【０１１６】すなわち、ＴＦＴ１４１のソース領域は、
ゲート絶縁膜１４５及び層間絶縁膜１４７を貫通するコ
ンタクトホール１２５を介して信号線１１１と同一工程
で作製される接続配線１５３と電気的に接続され、この
接続配線１５３は、平滑化層１６１を貫通するコンタク
トホール１６３ａを介して画素電極１７１に電気的に接
続されている。そして、この画素電極１７１は、補助容
量線１３１の開口１３３に延在し、開口１３３内で平滑
化層１６１、ゲート絶縁膿１４５及び層間絶縁膜１４７
を貫通するコンタクトホール１６３ｂを介してポリシリ
コン薄膜から成る第１の下部電極１３７ａに信号線１１
１と同一工程で形成される接続部１５７ａを経由して電
気的に接続されている。

【０１１７】これにより、ＴＦＴ１４１のソ一ス領域と
電気的に接続されるポリシリコン薄膜から成る第１の下
部電極１３７ａと補助容量線１３１との間で第１の補助
容量Ｃｓ１は形成される。

【０１１８】第２の補助容量Ｃｓ２は、隣接する他の補
助容量線１３１下にゲート絶縁膜１４５を介して配置さ
れるポリシリコン薄膜から成る第２の下部電極１３７ｂ
と補助容量線１３１との間で形成される。

【０１１９】すなわち、ポリシリコン薄膜から成る第２
の下部電極１３７ｂは、隣接する他の補助容量線１３１
の開口１３０内で平滑化層１６１、ゲート絶縁膜１４５
及び層間絶縁膜１４７を貫通するコンタクトホール１３
５ｂを介して信号線１１１と同一工程で形成される接続
部１５７ｂを介して画素電極１７１に電気的に接続され
る。

【０１２０】これにより、画素電極１７１と電気的に接
続されるポリシリコン薄膜から成る第２の下部電極１３
７ｂと補助容量線１３１との間で第２の補助容量Ｃｓ２
は形成される。

【０１２１】換言すれば、この実施の形態では、補助容
量線１３１は、隣接する第１及び第２の下部電極１３７
ａ、１３７ｂに対応する領域と、これら領域を接続する
領域とによって構成されている。

【０１２２】そして、上述した第６の実施の形態と同様
に、例えば、アレイ基板１００を作成した後、補助容量
線１３１に所定の電圧Ｖｃｓ１、Ｖｃｓ２（隣接補助容
量線間で印加される電圧をそれぞれ異ならしめておく：
Ｖｃｓ１、Ｖｃｓ２）を印加する。その後、信号線１１
１に電圧Ｖｃｓ１及びＶｃｓ２と異なる所定の電圧Ｖｓ
を印加し、走査線１２１に順次走査パルスＶｇを印加し
て、各画素電極１７１に電圧Ｖｓを書込む。しかる後
に、走査線１２１に再び順次走査パルスＶｇを印加し
て、画素電極１７１に書込まれた電荷を信号線１１１か
ら順次読み出す。この際、補助容量線１３１と下部電極
１３７ａ及び１３７ｂとが短絡していると、信号線ｌ１
１からは電圧Ｖｃｓ１又はＶｃｓ２が読み出される。こ
れにより、補助容量線１３１と下部電極１３７ａ及び１
３７ｂとの短絡箇所を特定することができる。

【０１２３】そして、例えば図１３中の×Ｍで短絡が発
見されると、例えば図１３中のＮ及びＯに示す領域の補
助容量線１３１を、アレイ基板１００の裏面からレーザ
を照射して切断する。これにより、画素電極電位が補助
容量線１３１の電位に固定されて不所望な表示状態とな
ることが防止される。なお、この場合、リペアされた画
素には、依然として補助容量Ｃｓ２が形成されているた
め、画素電極電位の寄生容量の影響による変動が抑えら
れ、良好な表示品位が維持される。

【０１２４】同様に、例えば図１３中の×Ｐで短絡が発
見されると、例えば図１３中のＱ及びＲに示す補助容量
線１３１の一部を、アレイ基板１００の裏面からレーザ
を照射して切断する。これにより、画素電極電位が補助
容量線１３１の電位に固定されて不所望な表示状態とな
ることが防止される。この場合も、リペアされた画素に
は、依然として補助容量Ｃｓ２が形成されているため、
画素電極電位の寄生容量の影響による変動が抑えられ、
良好な表示品位が維持される。

【０１２５】また、第１及び第２補助容量Ｃｓ１、Ｃｓ
２の両方が短絡している場合、補助容量線１３１の上記
のＮ、Ｏ、Ｑ及びＲのそれぞれで切断することによりリ
ペアすることができる。

【０１２６】上述した実施の形態は、いずれも独立した
補助容量線とポリシリコン薄膜から成る下部電極との間
で補助容量Ｃｓを形成する場合を例にとり説明したが、
走査線１１１自体を補助容量線として用いるものであっ
ても構わないなお、上述したすべての実施の形態では、
ＴＦＴの半導体層としてポリシリコン膜を用いたアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置に関して説明したが、こ
の発明は、半導体層として例えばアモルファスシリコン
膜等の他の半導体層を用いたアクティブマトリクス型液
晶表示装置についても適用できることは言うまでもな
い。

【０１２７】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、配線ＢＭ構造を用いてながらも、表示品位を低下す
ることなく補助容量を形成している電極間の短絡不良を
改善できるアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、この発明の第１の実施の形態に係るア
クティブマトリクス型液晶表示装置の１画素領域を概略
的に示す平面図である。

【図２】図２は、図１に示したアクティブマトリクス型
液晶表示装置の連結配線を含む領域を拡大した拡大平面
図である。

【図３】図３は、図２中の一点鎖線Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄに沿
って切断した断面を概略的に示す断面図である。

【図４】図４は、この発明の第２の実施の形態に係るア
クティブマトリクス型液晶表示装置の連結配線を含む領
域を拡大した拡大平面図である。

【図５】図５は、この発明の第３の実施の形態に係るア
クティブマトリクス型液晶表示装置の連結配線を含む領
域を拡大した拡大平面図である。

【図６】図６は、この発明の第４の実施の形態に係るア
クティブマトリクス型液晶表示装置の連結配線を含む領
域を拡大した拡大平面図である。

【図７】図７は、図６中の一点鎖線Ａ−Ｂ−Ｃに沿って
切断した断面を概略的に示す断面図である。

【図８】図８は、この発明の第５の実施の形態に係るア
クティブマトリクス型液晶表示装置の連結配線を含む領
域を拡大した拡大平面図である。

【図９】図９は、図８中の一点鎖線Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄに沿
って切断した断面を概略的に示す断面図である。

【図１０】図１０は、この発明の第６の実施の形態に係
るアクティブマトリクス型液晶表示装置の連結配線を含
む領域を示す平面図である。

【図１１】図１１は、図１０中のＥ−Ｅ’線に沿って切
断した断面を概略的に示す断面図である。

【図１２】図１２は、図１０中のＦ−Ｆ’線に沿って切
断した断面を概略的に示す断面図である。

【図１３】図１３は、この発明の第７の実施の形態に係
るアクティブマトリクス型液晶表示装置の連結配線を含
む領域を示す平面図である。

【図１４】図１４は、図１３中のＫ−Ｋ’線に沿って切
断した断面を概略的に示す断面図である。

【図１５】図１５は、図１３中のＬ−Ｌ’線に沿って切
断した断面を概略的に示す断面図である。

【符号の説明】

５０…信号線 ５１…走査線 ５２…補助容量線 ５３…画素電極 ５４…開口部 ５５…柱状スペーサ ６０…絶縁性基板 ６１…補助容量電極 ６２…ゲート絶縁膜 ９０…絶縁性基板 ７６…層間絶縁膜 ８０…連結配線 ８０Ａ…第１連結部 ８０Ｂ…第２連結部 ８６…アレイ基板 ９２…対向基板

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１１年７月２日（１９９９．７．２）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１５】請求項８に記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置は、互いに交差して配置された複数の走査
線及び信号線と、前記走査線と前記信号線との交差部に
配置され前記信号線に電気的に接続されたスイッチング
素子と、前記スイッチング素子に第１連結配線を介して
電気的に接続された画素電極と、前記スイッチング素子
及び前記画素電極のいずれか一方に第２連結配線を介し
て電気的に接続された補助容量電極と、前記補助容量電
極に絶縁層を介して対向配置された補助容量信号線と、
を有するアレイ基板と、液晶組成物を介して前記画素電
極に対向配置された対向電極を有する対向基板と、を備
えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前
記補助容量信号線は、隣接する前記補助容量電極のそれ
ぞれと重なって補助容量を形成するとともに、部分的に
他の配線から露出する分岐部分を有することを特徴とす
る。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４５】続いて、アレイ基板８６の画素電極５３側
と、対向基板９２の対向電極９１側の全面に低温キュア
型のポリイミドを印刷塗布し、両基板８６，９２を対向
させた時に、互いの配向軸が９０°となるようにラビン
グ処理を施すことにより、配向膜８５，９３を形成す
る。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４６】続いて、両基板８６，９２を対向して組み
立てて、セル化し、その間隙に注入口からネマティック
液晶３００を注入し封止する。そして、両基板８６，９
２の絶縁基板６０，９０上に偏向板を貼り付けることに
より、アクティブマトリクス型液晶表示装置が得られ
る。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６０】このような構造とすることにより、第３コ
ンタクト電極６１Ｃに近い第２連結部８０Ｃと補助容量
線５２との間、あるいは、補助容量線５２と補助容量電
極６１との間で短絡が生じた場合には、アレイ基板８６
の裏面側から見て露出している配線部８０Ｘに向けてレ
ーザビームを照射して切断する。このように、連結配線
８０の配線部８０Ｘを切断することにより、短絡を修復
することが可能となる。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８６】すなわち、ＴＦＴ７５は、走査線５１の一
部をゲート電極６３とし、ポリシリコン膜Ｐが信号線５
０にコンタクトする領域に形成されたドレイン電極６６
と、ポリシリコン膜Ｐが画素電極５３に電気的に接続さ
れる連結配線８０にコンタクトする領域、すなわち第２
コンタクト電極６７Ｃに形成されたソース電極６７と、
を有している。ポリシリコン膜Ｐは、図８に示すよう
に、ゲート電極６３を迂回するように配置されている。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１０４

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１０４】これにより、ＴＦＴ１４１のソース領域と
電気的に接続されるポリシリコン薄膜から成る第１の下
部電極１３７ａと、補助容量線１３１との間で、第１の
補助容量Ｃｓ１が形成される。

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１０５

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１０５】第２の補助容量Ｃｓ２は、隣接する他の補
助容量線１３１の下にゲート絶縁膜１４５を介して配置
されるポリシリコン薄膜から成る第２の下部電極１３７
ｂと補助容量線１３１との間で形成される。

【手続補正９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１２１

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１２１】換言すれば、この実施の形態では、補助容
量線１３１は、図１３に示すように、隣接する第１及び
第２の下部電極１３７ａ、１３７ｂに対応するように分
岐した分岐領域と、これら分岐領域を接続する領域とに
よって構成されている。 ─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１２年３月１６日（２０００．３．１
６）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項１に記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置は、互いに交差して配置された複数の
走査線及び信号線と、前記走査線と前記信号線との交差
部に配置され前記信号線に電気的に接続されたスイッチ
ング素子と、前記走査線及び前記信号線及び前記スイッ
チング素子の少なくとも一部を覆うように配置された絶
縁膜層と、前記絶縁膜層に形成されるスルーホール部に
より前記スイッチング素子の各々に第１連結配線を介し
て電気的に接続された画素電極と、前記スイッチング素
子及び前記画素電極のいずれか一方に第２連結配線を介
して電気的に接続された補助容量電極と、前記補助容量
電極に絶縁層を介して対向配置された補助容量信号線
と、を有するアレイ基板と、液晶組成物を介して前記画
素電極に対向配置された対向電極を有する対向基板と、
を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置におい
て、前記第２連結配線は、前記スルーホール部を除く領
域において前記画素電極と電気的に絶縁され、かつ前記
補助容量信号線から露出する部分を有することを特徴と
する。

フロントページの続き (72)発明者 中村 貴文 埼玉県深谷市幡羅町１丁目９番２号 株式 会社東芝深谷電子工場内 (72)発明者 花澤 康行 埼玉県深谷市幡羅町１丁目９番２号 株式 会社東芝深谷電子工場内 (72)発明者 加賀 明広 埼玉県深谷市幡羅町１丁目９番２号 株式 会社東芝深谷電子工場内 Ｆターム(参考） 2H089 LA09 LA16 LA20 MA04X MA05X NA14 NA24 NA38 NA48 PA02 PA08 QA12 QA13 TA02 TA04 TA09 2H092 JA25 JA29 JA38 JA42 JA44 JA46 JA47 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB51 JB57 JB63 JB69 JB72 KA04 KA07 KA16 KA18 KB25 MA08 MA10 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA27 MA30 MA47 PA06 QA07

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】互いに交差して配置された複数の走査線及
   び信号線と、前記走査線と前記信号線との交差部に配置
   され前記信号線に電気的に接続されたスイッチング素子
   と、前記スイッチング素子に第１連結配線を介して電気
   的に接続された画素電極と、前記スイッチング素子及び
   前記画素電極のいずれか一方に第２連結配線を介して電
   気的に接続された補助容量電極と、前記補助容量電極に
   絶縁層を介して対向配置された補助容量信号線と、を有
   するアレイ基板と、 液晶組成物を介して前記画素電極に対向配置された対向
   電極を有する対向基板と、 を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置におい
   て、 前記第２連結配線は、前記補助容量信号線から露出する
   部分を有することを特徴とするアクティブマトリクス型
   液晶表示装置。
2. 【請求項２】前記補助容量信号線は、前記第２連結配線
   を露出する開口部を有することを特徴とする請求項１に
   記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
3. 【請求項３】前記補助容量電極は、前記第２連結配線を
   露出する開口部を有することを特徴とする請求項２に記
   載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
4. 【請求項４】前記開口部を遮蔽するように、前記アレイ
   基板と前記対向基板との間に配置された遮光部材を有し
   ていることを特徴とする請求項３に記載のアクティブマ
   トリクス型液晶表示装置。
5. 【請求項５】前記補助容量信号線は、前記画素電極と前
   記第１連結配線との接続部に重なる部分を有しているこ
   とを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス
   型液晶表示装置。
6. 【請求項６】前記補助容量信号線は、前記画素電極と前
   記第１連結配線との接続部を露出する開口部を有してい
   ることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリ
   クス型液晶表示装置。
7. 【請求項７】互いに交差して配置された複数の走査線及
   び信号線と、前記走査線と前記信号線との交差部に配置
   され前記信号線に電気的に接続されたスイッチング素子
   と、前記スイッチング素子に第１連結配線を介して電気
   的に接続された画素電極と、前記スイッチング素子に第
   ２連結配線を介して電気的に接続された補助容量電極
   と、前記補助容量電極に絶縁層を介して対向配置された
   補助容量信号線と、を有するアレイ基板と、 液晶組成物を介して前記画素電極に対向配置された対向
   電極を有する対向基板と、 を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置におい
   て、 前記スイッチング素子は、半導体層を有し、前記半導体
   層中に形成されたチャネル領域から、前記第１連結配線
   及び第２連結配線との接続部までの間の半導体層の一部
   が、他の配線から露出する部分を有することを特徴とす
   るアクティブマトリクス型液晶表示装置。
8. 【請求項８】互いに交差して配置された複数の走査線及
   び信号線と、前記走査線と前記信号線との交差部に配置
   され前記信号線に電気的に接続されたスイッチング素子
   と、前記スイッチング素子に第１連結配線を介して電気
   的に接続された画素電極と、前記スイッチング素子及び
   前記画素電極のいずれか一方に第２連結配線を介して電
   気的に接続された補助容量電極と、前記補助容量電極に
   絶縁層を介して対向配置された補助容量信号線と、を有
   するアレイ基板と、 液晶組成物を介して前記画素電極に対向配置された対向
   電極を有する対向基板と、 を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置におい
   て、 前記補助容量信号線は、前記補助容量電極と重なって補
   助容量を形成する部分と、他の配線から露出する部分と
   を有することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶
   表示装置。
9. 【請求項９】前記走査線と前記信号線とによって区画さ
   れた一画素は、複数の補助容量電極、及びこれらの補助
   容量電極に絶縁層を介して対向配置された複数の補助容
   量信号線を有していることを特徴とする請求項８に記載
   のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
10. 【請求項１０】一対の前記補助容量電極及び前記補助容
    量信号線によって形成される補助容量は、前記補助容量
    信号線を挟んで互いに隣接する２つの画素で共用される
    ことを特徴とする請求項９に記載のアクティブマトリク
    ス型液晶表示装置。