JP2000183541A - 多層プリント基板 - Google Patents

多層プリント基板

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JP2000183541A
JP2000183541A JP35345498A JP35345498A JP2000183541A JP 2000183541 A JP2000183541 A JP 2000183541A JP 35345498 A JP35345498 A JP 35345498A JP 35345498 A JP35345498 A JP 35345498A JP 2000183541 A JP2000183541 A JP 2000183541A
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Kinya Takamizawa
欣也 高見沢
Hisanori Tobara
久典 都原
Hiroshi Daishiyouji
寛 大庄司
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Toshiba Corp
Toshiba Medical Systems Engineering Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 プリント基板内の電源層の共振を抑制し、ま
た、シールド構造となるように基板層を構成すること
で、電源基板からの放射ノイズを低減する。 【解決手段】 電源層1dがデジタル回路2a貫通電流
等により共振することによって発生するノイズを低減さ
せるため、電源層1dには隣接してグラウンド層1cを
配置する。このグラウンド層1cと電源層1dの周囲に
は、ガードパターン6が形成され、バイヤホール7によ
って互いを接続する。これにより、所定周波数帯域での
電源層1dの共振を抑制することができる。また、ガー
ドパターン6によりノイズエネルギーのプリント基板1
外への放射を低減することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は多層プリント基板
の構成に関するものであり、特にプリント基板内の電源
層の共振を抑えさらにシールド構造となるように基板層
を構成することによってこの電源基板から放射するノイ
ズの大幅低減を可能としたプリント基板に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】電子機器を製造販売するにあたりその機
器から放射されるノイズを定められた規格値以下に抑え
なくてはならない。欧州では既にCEマーキングの制度
が開始されており、機器の放射ノイズ(EMI)は欧州
EMC規格(すなわち国際規格)を満たしたもののみ欧
州圏での販売が可能となっている。また我が国や米国等
においても国際規格への適合化の方向にある。したがっ
て電子機器の開発においてEMI対策が必須の事項であ
り、機器メーカはこの対策のために多くの時間と費用を
要している。
【0003】これまでのEMI対策は、製品試作がほぼ
完了した時点で行う、いわゆる後追い対策であったた
め、いったん発生したノイズに対しその低減策は筐体の
シールド強化に頼っていた。この方法は一般に大きな対
策コストと時間を要し、しかもそのノイズ低減効果には
限界があった。
【0004】ノイズ対策の基本はノイズ発生源からのノ
イズをできるだけ低減させることであり、またノイズ発
生源の近傍で対策することである。これを実現するため
には機器の設計段階においてEMI設計を開始する必要
がある。従来、電子機器からのノイズの発生源の主なも
のはスイッチング電源やインバータ装置などのいわゆる
パワーエレクトロニクスにおけるスイッチング回路であ
ったが、近年ではデジタル回路の高周波化、高密度化、
さらにはCMOS素子の普及により、通常のプリント基
板上のデジタル回路からのノイズ発生が問題になりつつ
ある。とくに情報通信機器においてはプリント基板にお
けるノイズ低減がEMI対策の最大の課題となりつつあ
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】一般にプリント基板の
ノイズには大きく分類して(1)信号線路からの放射ノ
イズと、(2)プリント基板の電源層からの放射ノイズ
がある。とくに後者は電源回路の低消費電力化を目的と
したCMOS−ICの普及にともないプリント基板から
の発生ノイズの大きな割合を占めるに至っており、その
低減技術の開発が望まれている。以下にプリント基板の
電源層からの放射ノイズの発生メカニズムについて述べ
る。
【0006】図27は、基板上にインバータ回路による
CMOSドライバとCMOSレシーバを各々1個配置
し、その両者をマイクロストリップラインで接続したモ
デルを示す図である。この図に示すようにプリント基板
100の信号線路101のパターンの直下には十分広い
グラウンドプレーン102が設けられている。このよう
な、いわゆるマイクロストリップラインの一端に置かれ
たCMOSドライバ105からの信号は前記信号線路1
01を介してマイクロストリップラインの他の端に接続
されたCMOSレシーバ106の入力端に至り、さらに
そのリターン電流は前記グラウンドプレーン102を介
してドライバに戻る。
【0007】図28の回路構成図に示すように、CMO
Sドライバ105が、P−chトランジスタ105aと
N−chトランジスタ105bで構成されている時、例
えばCMOSドライバ105の入力電圧Vinが0ボル
トならばP−chトランジスタ105aはON、N−c
hトランジスタ105bはOFFとなり、このCMOS
ドライバ105の出力電圧VoutはHレベル(Vh)
になる。次に前記CMOSドライバ105の入力電圧V
inが0ボルトから徐々にVthN(N−chトランジ
スタ105aがON状態になる閾値)以上になると、N
−chトランジスタ105bもONとなり、CMOSド
ライバ105の電源端子105vとグラウンド端子10
5gは短絡状態に近くなり大きな電流(いわゆる貫通電
流)が流れる。
【0008】さらにCMOSドライバ105の入力電圧
VinがVthP(P−chトランジスタ105aがO
FFとなる閾値)以上になるとP−chトランジスタ1
05aはOFFとなり、この貫通電流は止まり、出力電
圧VoutはLレベルに固定される。一方、前記Vin
がVhから0ボルトに変化する時も同様の貫通電流が流
れる。このように、CMOSを用いたデジタル回路では
その状態が変化する度に貫通電流が発生し、この過渡的
な電流がプリント基板の電源層を共振させノイズを放射
させることが知られている。なお、上記のようなCMO
Sドライバ105側で生じる問題は、同様にCMOSレ
シーバ106でも生じる。このときの共振周波数は、基
板の寸法やCMOS−ICに隣接したコンデンサ(バイ
パスコンデンサ:パスコン)の位置によって決まる。
【0009】次に具体例によって従来のプリント基板構
成とそのEMIにおける問題点について述べる。図29
には、6層からなる従来のプリント基板110を示す。
この6層のプリント基板110は、上部より第1層、第
2層、第5層、第6層が信号ライン層110a、110
b、110e、110f、第3層がグラウンド層110
c、第4層が電源層110dで構成され、第1層と第6
層の信号ライン層110a、110fに回路部品111
が装着されている。このプリント基板110上の回路部
品111は(1)デジタル回路111aや、(2)微小
信号を扱うアナログ回路111b、そして(3)スイッ
チング回路を含み比較的大きなノイズを発生するアナロ
グパワー回路111cが混在しているものとする。近年
のデジタル回路ではその消費電力を出来るだけ小さく抑
える目的でCMOS−ICが広く用いられている。
【0010】図29に示したデジタル回路111aのド
ライバやレシーバがCMOS−ICで構成されていれ
ば、すでに述べたようにICの状態が反転する度に電源
端子からグラウンド端子へ、すなわちプリント基板11
0の電源層110dからグラウンド層110cへ貫通電
流が流れ、この貫通電流によって電源層110dの電圧
変動(電源バウンス)が生ずる。この変動はプリント基
板110の寸法等によって決まる所定の周波数(共振周
波数)においてとくに大きく発生することは既に述べた
通りである。すなわち、電源層110dは貫通電流によ
って所定の周波数で共振する。この基板の共振により電
源層110dとグラウンド層110cの間で近傍電界お
よび近傍磁界が発生する(以下では説明を容易にするた
めに電界の代わりに電気力線を用いる。)。
【0011】すなわち、図29の矢印で示すように電源
層110dからグラウンド層110cに向かう電気力線
が形成され、これがプリント基板110からの放射ノイ
ズをもたらす。このとき電源層110dの中央部から発
生した電気力線はプリント基板(電源層110d)面に
対して垂直に発生しグラウンド層110cに垂直に到達
するが、電源層110dの端部から発生した電気力線は
図のように外側から回り込んでグラウンド層110cの
端部に到達する。このような電気力線は近傍の電界や磁
界を形成しさらには遠方の電磁界を形成して行く。これ
らの電気力線のうちとくに電源層110dの端部から発
生した電気力線によって生ずる放射電磁界(すなわち放
射ノイズ)はプリント基板110から発生するノイズ全
体の中で大きな割合を占めている。
【0012】図30には、放射ノイズの実測値を示す。
図示のプリント基板110は、縦55mm、横160m
mであり、このプリント基板110上にドライバおよび
レシーバとして上記説明したCMOSインバータ回路を
装着し、100mmのマイクロストリップライン(前記
信号線路101)で前記CMOSドライバ105とCM
OSレシーバ106を接続した構成である。
【0013】CMOSドライバ105およびCMOSレ
シーバ106を20MHzのクロックパルスにて動作さ
せた場合、放射ノイズは20MHzの整数倍の高調波と
して発生する。この放射ノイズは信号線路101から発
生するノイズと、プリント基板100全体から発生する
ノイズが合成されたものであるが、とくに大きな値を示
している160MHzおよび580MHz近傍のノイズ
は電源層110dの共振によって発生したノイズと考え
ることができる。
【0014】一方、全周波数帯域において比較的一様に
発生しているノイズの殆どは信号ライン110a,11
0f,110b,110eから発生しているノイズであ
る。この測定データでも明らかなようにプリント基板1
10の共振によって発生する放射ノイズはその周波数は
限られているが、前記信号ライン110a,110f,
110b,110eからの放射ノイズを上回り、これが
EMC規格で定められた許容値を超えてしまうことがあ
る。
【0015】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、プリント基板内の電源層の共振を抑え
ることができ、また、シールド構造となるように基板層
を構成することによってこの電源基板から放射するノイ
ズを低減できる多層プリント基板の提供を目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明に係る多層プリン
ト基板は、上述の課題を解決するため以下の特徴的な各
手段を有する。
【0017】グラウンド層に隣接して設けられた電源層
あるいは電源層と信号ライン層の端部あるいは周辺部に
ガードパターンを形成し、該ガードパターンをグラウン
ド層に接続してなる。このような多層プリント基板は、
グラウンド層に接続されたガードパターンにより電源層
から発生する電気力線を遮蔽し、放射ノイズを低減させ
ることができる。
【0018】また、請求項8記載のように、電源層の両
面にグラウンド層を隣接して配置したり、請求項14記
載のように、電源層および信号線路層の一部がグラウン
ド層によって挟む構成とする。この構成によれば、電源
層が共振することによってプリント基板外部に放射され
るノイズを抑えることができるようになる。
【0019】また、請求項26記載のように、グラウン
ド層あるいは電源層はスリットにより複数の電極に分割
形成され、該グラウンド層あるいは電源層に隣接して配
置された信号ライン層にはガードグラウンドラインが形
成されてなる。
【0020】このような構成によれば、プリント基板の
共振周波数を高域に移動させることができる。プリント
基板が共振して大きな放射ノイズ発生する条件とは電源
層の電極寸法によって決定される共振周波数にデジタル
回路用ICのクロック信号等の高調波周波数が一致する
時である。このため、上記のように、電源層の電極を分
割することによって、クロックパルスの高調波成分が無
視出来る周波数帯まで基板の共振周波数を高めることが
できプリント基板の共振がおこり難くなり、放射ノイズ
を著しく低減させることが可能となる。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る多層プリント
基板の好ましい実施の形態について図面を参照しながら
詳細に説明する。本発明の多層プリント基板は、電源
層、グラウンド層、および信号ライン層を多層化した構
成であり、デジタル回路用ICからなるドライバ回路あ
るいはレシーバ回路の少なくともいずれかが搭載される
ものに適用することができる。
【0022】(第1実施形態)図1は、本発明の第1実
施形態の多層構造を示す側面図である。この構成は後述
する他の実施形態と比較しグラウンド層を追加すること
なく電源層からの放射ノイズを低減させることが可能で
ある。
【0023】すなわち図1に示すように、この実施形態
のプリント基板1は、前述した従来例(図33)と同様
に6層から構成されている。上部より第1層、第2層、
第5層、第6層は信号ライン層1a,1b,1e,1f
であり、第3層はグラウンド層1c、第4層は電源層1
dから構成され、第1層1aと第6層1fに回路部品2
が装着されている。この回路部品2は(1)デジタル回
路2aや、(2)微小信号を扱うアナログ回路2b、そ
して(3)スイッチング回路を含み比較的大きなノイズ
を発生するアナログパワー回路2cが混在しているもの
とする。
【0024】図2は、プリント基板1の各層別のプリン
トパターンを示す平面図であり、図示の例のように第1
層と第6層の信号ライン層1a,1fには、CMOSド
ライバ3とCMOSレシーバ4が設けられ、信号ライン
5aや、第2層の信号ライン層1bの信号ライン5bで
接続されている。そして、この実施形態では、図2に示
すように第4層の電源層1dの端部あるいは周囲はガー
ドパターン6で囲まれ、さらにこのガードパターン6と
第3層のグラウンド層1cはその周囲にて所定間隔のバ
イアホール(VIA)7によって接続される。このよう
な構成をとることによって電源層1dの共振によって生
じた強い電気力線のうち電源層1dの中央部から発生し
た電気力線は電源層1dの面に対して垂直に発生しグラ
ウンド層1cの面に垂直に到達する。これに対して電源
層1dの端部付近から発生した電気力線は電源層1dの
周囲に形成された前記ガードパターン6に到達する。
【0025】このように第1実施形態では従来のプリン
ト基板においてノイズ放射の大きな原因の1つであった
電源層1d端部からの電気力線の大部分が、電源層1d
の周囲に置かれたガードパターン6によってシールドす
ることができる。
【0026】図3は上記第1実施形態の変形例を示す側
面図である。図示の構成では信号ライン層1a,1f,
1b,1eの一部あるいはすべてに対してその端部にガ
ードパターン6が配置されこれらはVIA7によってグ
ラウンド層1cに接続される。このようにプリント基板
1の端部は厚み方向にVIA7によって接地することに
より、電源層1dの端部から出た前記電気力線はより完
全に遮蔽されプリント基板1外に放射されるノイズを低
減させることが可能となる。このように電源層1dにの
みならず信号層1a,1f,1b,1eの端部にもグラ
ウンド層1cに接続されたVIA7を有することは以下
に述べる全ての実施形態の図面上で明示しない場合にお
いても共通に有効となりうる。図4は、図3の各層のプ
リントパターンを示す平面図である。
【0027】(第2実施形態)図5は、本発明の第2の
実施形態を示す側面図である。上記第1の実施形態では
第4層の電源層1dから発生した電気力線を1枚のグラ
ウンド層1cと電源層1d端部のガードパターン6によ
ってシールドしてプリント基板1内に閉じ込め電磁波の
放射を防ぐものであった。プリント基板1の層数は従来
例と同じであるため基板製作時のコストアップが無い
が、この方法では完全なシールドは望むことが出来な
い。すなわち第1の実施形態ではプリント基板1の中央
部から上下に発生していた電気力線(とくに下方に伸び
た電気力線)の1部は遮蔽されずにプリント基板1外に
放出される。
【0028】また電源層1dの端部から発生した電気力
線のうち1部は端部に隣接して置かれた前記ガードパタ
ーン6に到達せずにプリント基板1外に漏れることがあ
るため、特に電源層1dの共振による電圧変動が著しい
場合には、第1の実施形態では必要な低減効果が得られ
ないことがある。
【0029】図5に示した第2実施形態はさらにノイズ
低減効果を改善しようとするものであり、この実施形態
では第1の実施形態(図1)に対しグラウンド層1gが
一層追加され、プリント板は7層から構成されている。
すなわち第1層、第2層、第6層、第7層は信号ライン
層1a,1f,1b,1eであり、最外層の第1層と第
7層は部品層でもある。
【0030】一方、第4層の電源層1dは隣接した第3
層、第5層のグラウンド層1c、1gによって両側から
挟まれ、しかもこの第3層、第5層のグラウンド層1
c、1gは複数個のVIA7によって接続されている。
この時、前記VIA7はグラウンド層1gの周辺部に配
置してもよいがプリント基板1上の任意の位置になるべ
く均一になるように配置してもよい。このような構成を
とることによってプリント基板1内部の電源層1dから
上下方向に向かって発した電気力線の大部分は両側のグ
ラウンド層1c、1gによって遮蔽される。一方遮蔽し
きれなかった電気力線についてはその上向きの成分と下
向きの成分は方向が反対で大きさがほぼ等しいため、こ
れらから放射される近傍磁界や近傍電界は互いに打ち消
し合い小さく抑えることが出来る。このように電気力線
の上向き成分と下向き成分のバランスによる効果は電源
層1dの中央部のみならず端部においても同様である。
【0031】図6はこの第2実施形態おける放射ノイズ
を示すグラフである。同図に示すように、電源層の共振
の影響と思われる160MHz及び580MHz近傍の
ノイズ成分は従来例に比較して著しく低減できることが
示されている。
【0032】(第3実施形態)実施形態2では電源層1
dに隣接して置かれた2枚のグラウンド層1c、1gで
電源層1dを挟むことによって電気力線のプリント基板
1の厚み方向成分(上向き成分と下向き成分)のバラン
スをとり放射電磁界を低減した。この構成は電源層1d
の中央部においては有効であるが電源層1dの端部にお
いては必ずしも十分とはいえない。何故ならば端部の電
気力線にはプリント基板1の厚み方向の成分の他にこれ
と直角な方向の成分も有しており、この成分に関しては
実施形態2の方法では互いに強め合う方向で合成される
ため問題となる。
【0033】図7は第3実施形態を示す側面図であり、
電源層1dの端部から生ずる電気力線の影響を抑える構
成である。この実施形態でもグラウンド層1c、1gが
2層である7層のプリント基板構成となっている。第1
層、第2層、第6層、第7層の信号ライン層1a,1
f,1b,1e、最外層の第1層と第7層の部品層1
a,1f、第4層は電源層1dであり、第3層、第5層
のグラウンド層1c、1gは実施形態2と同様に電源層
1dの両側それぞれ隣接して配置されている。この電源
層1dの端部あるいは周囲は実施形態1の場合と同様に
ガードパターン6によって囲まれ、このガードパターン
6と第3層のグラウンド層1cおよび第5のグラウンド
層1gはその周囲にて所定間隔のVIA7によって接続
される。
【0034】このように電源層1dに隣接し厚み方向に
対称にグラウンド層1c、1gを置くことによって電源
層1dから生ずる電気力線の厚み方向(上下方向)成分
はグラウンド層1c、1gによって遮蔽され、またたと
え洩れた成分があったとしてもそれらは互いに打ち消し
合うため放射ノイズの大幅低減が可能となる。また、電
源層1dの端部から生じた電気力線についてはVIA7
でつながれたガードパターン6の効果でその大部分は内
部に閉じ込められるため、特に実施形態2の問題点であ
ったプリント基板1の厚み方向と直角な方向(層方向)
の成分のプリント基板1外への放射を抑えることがで
き、ノイズのさらなる低減を可能としている。なおこの
場合もプリント基板1の中央部に2枚のグラウンド層1
c、1gをつなぐVIA7を追加してもよい。
【0035】(第4実施形態)図8は本発明の第4実施
形態を示す側面図である。第2および第3の実施形態と
同様、7層から構成されたプリント基板1のうち2つの
層はグラウンド層1c、1gとして使用されている。た
だしグラウンド層1c、1gは第2層と第6層に配置さ
れており、第4層の電源層1dのみならず、第3層およ
び第5層の信号ライン層1b,1eも前記グラウンド層
1c、1gによって囲まれている。また第1層と第7層
の信号ライン層1a,1fのいずれかあるいは両方には
これまでの実施形態同様、ICなどの電子部品2が装着
されている。
【0036】この場合、ノイズ発生が比較的大きな信号
ライン(例えばこのプリント基板1がアナログ回路2b
とデジタル回路2aが混在している場合にはデジタル信
号ラインやスイッチング素子に接続されたアナログ信号
ライン、またこのプリント基板1がデジタル回路2aの
みで構成されている場合には高調波成分の大きなクロッ
ク信号ライン)は2つのグラウンド層1c、1gの内部
に配置された第3層あるいは第5層の信号ライン層1
b,1eを用いることによって、これらの信号ライン1
b,1eから放射されるノイズについても前記電源層1
dからの放射ノイズと同様にグラウンド層1c、1gに
よって遮蔽され、プリント基板1の外部に放射されるノ
イズを低減させることが可能となる。
【0037】一方、第1層あるいは第7層の信号ライン
層1a,1fは遮蔽構造とはなっていないが高調波成分
の少ない信号あるいは微小信号用(例えばデータパスや
連続的なアナログ信号)として用いることによって大き
なノイズの放射を防ぐことができる。この場合、図8に
示したようにグラウンド層1c、1gによって囲まれた
第3層のおよび第5層の信号ライン層1b,1eはその
端部あるいは周辺部において実施形態3で示した電源層
1dと同様にガードパターン6によって囲み、このガー
ドパターン6と第4層の電源層1dの端部(周辺部)の
グラウンドパターンをVIA7によって第2層と第6層
のグラウンド層1c、1gに接続すればさらに遮蔽効果
を高めることが可能となることは言うまでもない。図9
は、各層のプリントパターンを示す平面図である。
【0038】次に、図10は、上記第4実施形態の変形
例を示す側面図である。図10には、プリント基板1を
6層の構成で示したが、本質的には図8(第4実施形
態)と同様に2枚のグラウンド層1c、1gにて囲まれ
た部分に電源層1dと信号層1b、1eが配置されるこ
とを含む。そして、電源層1dおよび信号層1bからの
放射ノイズはグラウンド層1c、1gによって遮蔽さ
れ、外部への放出が抑えられることは既に述べた通りで
あるが電源層1dのノイズが信号ライン5a,5bのデ
ジタル信号に混入しその品質を劣化させる可能性があ
る。
【0039】図10ではスナバ回路8を用いることによ
ってこの電源層1dの共振エネルギーを吸収し信号ライ
ン5a、5bへの影響を低減させており、電源層1dと
グラウンド層1c、1gの所定の位置に図11に示す如
くコンデンサCと抵抗Rを直列接続したいわゆるスナバ
回路8をバイアホール11で接続する。なお、このスナ
バ回路8の代わりに、コンデンサCのみを使用すること
もできる。ここでは、便宜上、コンデンサのみの場合を
含めて「スナバ回路」と呼ぶ。図12は、スナバ回路8
を搭載したプリント基板1の各層のプリントパターンを
示す図である。
【0040】(第5実施形態)上記各実施形態は6層で
構成されたプリント基板1を例に本発明の特徴を述べて
きた。本発明の第2実施形態2から第4実施形態におい
ては、電源層1dからグラウンド層1b、1gに向けて
発生する電気力線のバランスをとるために電源層1dに
対してグラウンド層1b、1gを上下対称の位置に配置
した構成によりグラウンド層が1層増え7層のプリント
基板1となった。しかしながら奇数の相から構成される
プリント基板1は製作が複雑となり製造コストも高くな
るため、一般にはあまり使用されない。
【0041】すなわち、プリント基板1の全体の層数は
偶数が望ましい。一方、信号ライン5a,5bの電極パ
ターンに対して電源層1dやグラウンド層1b、1gの
電極は、全面パターン(ベタ)であることが多い。この
ためグラウンド層1b、1gや電源層1dの構成におい
て厚み方向の対称性が悪い場合にはプリント基板1に反
りの問題が発生しやすくその品質を著しく低下させる原
因となる。
【0042】図13は、第5実施形態を示す側面図であ
り、上記事情に鑑み偶数層の構成と、層構成の対称性の
2つの条件を同時に満たした構成である。この第5実施
形態では第4実施形態と比較して電源層(あるいはグラ
ウンド層)がさらに1層追加され、この2つの電源層
(第4層と第5層)1d、1hは、ともにグラウンド層
(第2層と第7層)1c、1gによって囲まれている。
このため2つの電源層1d、1hから放射されるノイズ
はグラウンド層1c、1gによって遮蔽される。
【0043】この場合第4実施形態のように信号ライン
層1b,1eの一部(とくに大きな放射ノイズが予想さ
れるデジタル信号用など)は電源層1d、1h同様、2
枚のグラウンド層1c、1gによって囲む構成にしても
よいし、第2実施形態のようにすべての信号ライン層1
a,1b,1e,1fはグラウンド層1c、1gの外側
に置き、電源層1d、1hのみをグラウンド層1c、1
gで囲む構成としてもよい。この場合図12に示したよ
うにグラウンド層1c、1gによって囲まれた第3層の
および第6層の信号ライン1b,1eおよび第4層と第
5層の電源層1d、1hは、その端部あるいは周辺部を
ガードパターン6によって囲み、このガードパターン6
と第2層と第7層のグラウンド層1c、1gをVIA7
によって接続すれば電源層1d、1hに対してグラウン
ド層1c、1gが多少離れても端部からのノイズ放射を
押さえることができる。
【0044】(第6実施形態)前記第5実施形態では第
4層の電源層1dから第2層のグラウンド層1cまでの
距離と第7層のグラウンド層1gまでの距離は異なるた
め電気力線の打ち消し効果は多少劣化し放射ノイズが増
加することがある。図14は、第6実施形態を示す側面
図であり、上記の課題を改善する構成である。
【0045】この第6実施形態では第5実施形態におい
てグラウンド層1c、1gで囲まれた電源層の1つ(1
d)を2つのグラウンド層1c、1gの外側に出し、こ
れを電源層あるいはグラウンド層として使用する。例え
ばこのプリント基板1上の電子回路がデジタル回路2a
とアナログ回路2bの混在した回路であれば電源パター
ンは分離させる必要がある。このアナログ回路2bがス
イッチング素子などを含まない場合には、この電源の変
動(電源バウンズ)は少ない。
【0046】一方、デジタル回路(とくにCMOS−I
Cを含む)2aのための電源は前記突入電流などの原因
により変動が大きくそこからの放射ノイズが問題となる
ことは既に述べた通りである。
【0047】このような電子回路の場合には電圧変動の
少ない(放射ノイズが無視できる)電源層1dは図14
に示すように2枚のグラウンド層1c、1gの外側にお
けば、電源変動の大きな電源層(第5層)1hは両側か
ら対称的にグラウンド層1c、1gによって囲まれ電気
力線の影響をより完全に打ち消し合うことが可能とな
る。
【0048】なお、対称となる電子回路がデジタル回路
のみの場合にはすべての電源層1d、1hはグラウンド
層1c、1gで囲うことが望ましいため図14における
第3層の電源層(すなわちグラウンド層1c、1gで囲
まれていない電源層)1dはグラウンド層に変更しても
よい。
【0049】(第7実施形態)次に本発明の第7実施形
態を説明する。本発明の目的は既に述べたようにプリン
ト基板1上に搭載されたデバイス(とくにCMOS−I
C)の貫通電流などが原因で発生する電源層1d(1
h)からの放射ノイズを低減することにあるが、上述の
各実施形態ではグラウンド層1c、1gや、グラウンド
層1c、1gにガードパターン6を接続させる構成と
し、電源層1dの共振によって発生した前記近傍電界を
遮蔽することによってノイズ低減を行う構成であった。
【0050】しかしながら、この構成では電源層1dか
らのノイズエネルギーはプリント基板1内に蓄積された
ままの状態となり、例えばこのプリント基板1にケーブ
ル等が接続されるとこれがアンテナの役割をし、プリン
ト基板1内に閉じ込められていたノイズがこのケーブル
によって外部に放射される可能性を有している。
【0051】したがって、プリント基板1内に発生する
ノイズエネルギを根本的に押さえることが望ましい。こ
のプリント基板1の電源層1dに貫通電流のようなエネ
ルギーが供給された場合、電源層1dが有する固有の共
振周波数においてとくに強いノイズが放射され、この共
振周波数は前述の式1で示したように、プリント基板1
の寸法あるいは電源層1dとグラウンド層1c、1hに
取り付けられたデカップリングコンデンサの位置などに
よって決定される。
【0052】プリント基板1上においてコンデンサを短
い間隔で配置し、その共振周波数を制御する方法は一般
に行われているが、この構成では(1)VIA(バイア
ホール)によって信号配線が制約を受ける。(2)コン
デンサはそのリードインダクタンスの影響で広帯域で性
能を維持することができない。すなわち、限られた周波
数成分以外は共振を抑えることが困難である。(3)対
策にコストがかかるなどの不具合を生じる。
【0053】図15は、第7実施形態を示す側面図であ
る。上記のようなプリント基板1の共振抑制法に対し
て、プリント基板1の電源層1dの電極寸法を所定値以
下に分割することによってプリント基板1の共振周波数
を高い周波数領域に移動させる構成である。
【0054】すでに述べたようにプリント基板1が共振
して大きな放射ノイズ発生する条件は、電源層1dの電
極寸法やデカップリングコンデンサの位置によって決定
される共振周波数にICのクロック信号等の高調波周波
数が一致する時である。
【0055】したがって、電源層1dの電極を互いに所
定のスリットSを有して小さなブロックあるいは櫛形形
状に複数分割することによって、デジタル回路のクロッ
クパルスの高調波成分が無視できるほどの高い周波数帯
までプリント基板1の共振周波数を移動させることによ
ってプリント基板1の共振そのものを抑えることができ
る。また、例え前記クロックパルスの高調波成分が十分
小さなレベルになく、無視できない大きさのノイズが放
射されたとしてもEMC規格にて定められた周波数範囲
の上限(現行規格では1GHz)以上にできれば規格適
合化を満たせる。すなわち電源電極の寸法が60mm以
下であれば基板の共振周波数は1GHz以上とすること
ができる。
【0056】図15の側面図および図16のプリントパ
ターンの平面図は、第4層の電源層1dを3分割して3
つの電極1da〜1dcで構成した例であり、電源層1
dの周囲には第3層と第5層のグラウンド層1c、1g
にVIA7によって接続されたガードパターン6が取り
付けられている。第4層の各電源層1dは同一電圧の電
源層であれば互いに接続する必要があるが、この接続に
よって低周波領域での共振が新たに発生しないよう図1
6に示す如く各接続用パターン1dkの位置をずらす構
成が望ましい。
【0057】ところで図17の側面図に示すように、電
源層1dと信号ライン層1eが隣接した場合、信号のリ
ターン電流の大部分はこの信号ライン層1eに隣接する
電源層1dを流れるが、電源層1dにスリットSがある
場合、リターン電流は信号ライン層1eの直下を流れる
ことが不可能となり電源層1d内を迂回して流れる。こ
のリターン電流の迂回によって電流ループが極端に大き
くなり放射ノイズが増加するため電源層1dにスリット
Sをつくることはこれまで好ましくないとされてきた。
しかしながら本発明では図15に示したように電源層
1dは両面からグラウンド層1c、1gによって囲まれ
ているためリターン電流の大部分は隣接したグラウンド
層1c、1g内の信号ラインの直下を流れ、電源層1d
には殆ど流れない。すなわち、本実施形態のように電源
層1dがスリットSを有する構造になっていても信号ラ
イン層1b,1eからのノイズ放射が大幅に増加するこ
とはない。しかも既に述べたようにプリント基板1の共
振周波数を高周波領域に移動させることができるためプ
リント基板1から放射されるノイズを抑えることが可能
となる。
【0058】なお、図15においては電源層1dのみが
グラウンド層1c、1gによって囲われた場合を示した
が既に図10あるいは図13において示したように信号
ライン層1b(1e)がグラウンド層1c、1g間に配
置されている場合においても、この第7実施形態で説明
した構成、すなわち電源層1dの分割、あるいは電源層
1dのデカップリング回路方式を用いることによって電
源層1dの共振ノイズが信号ライン層1b(1e)に混
入することによる品質の劣化を防ぐことが可能となるこ
とはいうまでもない。図18は、電源層1dが分割さ
れ、かつ、信号ライン層1b,1eがグラウンド層1
c、1g間に配置されている構成を示す図である。
【0059】(第8実施形態)上記第7実施形態では電
源層1dの共振周波数を所定範囲外にシフトさせるため
に電源層1dの電極を分割した構成であったが、例えば
同一のプリント基板1内において複数の電源を使用する
場合にも電源層1dにスリットSが形成されることにな
る。この時従来例(図33)のような層構成になってい
ると前述の理由により大きな放射ノイズ発生の原因とな
る(図17参照)。
【0060】これに対して、第8実施形態における構成
では、図15、図18(第7実施形態で説明)の如く、
信号ライン層1b,1eに近接してグラウンド層1c、
1gを配置させている。これにより、信号ライン層1
b,1eの直下をリターン電流が流れ放射ノイズ小さく
抑えることが可能となる。すなわち電源層1dをグラウ
ンド層1c、1gにて囲う構成によれば、電源層1dに
おいて複数の電源を使用するために複数の電極が設けら
れ、これに伴いスリットSが形成されても放射ノイズの
発生を解消できる。この場合、電源層1dの各電極それ
ぞれの電源をさらに細分化することによってプリント基
板1の共振を抑えることが出来ることは言うまでもな
い。
【0061】(第9実施形態)図19は、第9実施形態
によるプリントパターンを示す平面図である。この第8
実施形態は、電源層1dにおいて分割された電極間に流
れる高周波電流を遮断しプリント基板1の共振をさらに
抑える構成である。
【0062】図中、第4層の電源層1dの左側に位置し
ている電極1dtはプリント基板1外部の電源ユニット
(不図示)に接続されている。一方、分割された右側の
各電極1da〜1dcと左側の電極1dtとはデカップ
リング回路9を介して接続される。
【0063】図20は、デカップリング回路9の具体例
を示す図である。図20(a)に示す構成はインダクタ
9aで構成した例、同図(b)に示すものは電源層1d
の基板上に形成された所定長を有するジグザグ状の配線
パターン9bを介して接続されている。このように各分
割された電極1da〜1dc間にデカップリング回路9
を挿入配置する構成により、高周波電流が電源層1d全
体を流れることが無くなりプリント基板1の共振も抑え
られる。
【0064】(第10実施形態)図21は第10実施形
態を示す側面図であり、プリント基板1を4層で構成し
た側面図である。図示のような、4層程度の比較的層数
が少ない場合での放射ノイズ対策を説明する。このよう
な場合には電源層1dの両面からグラウンド層1cにて
シールドすることが不可能なため、実施形態1(図1あ
るいは図3記載)のように電源層1dの端部にガードパ
ターン6を形成する。また、上記の実施形態で説明した
ように電源層1dを複数の電極1da〜1dcに分割し
たり、あるいは電源層1dにデカップリング回路9を設
けることが有効となる。
【0065】但し、上記構成であっても、(例えば図1
5に示した構成と異なり)電源層1dの片面に信号ライ
ン層1fが隣接することとなる。すなわち、この信号ラ
イン層1fのリターン経路は分割された電源層1dを介
することになり信号ライン層1fからのノイズ放射を増
大させる大きな要因となる。したがって、この実施形態
では、図21に示す如く、リターン経路は信号ライン層
1fに隣接して配置したガードグラウンドライン10の
設置によって確保し、分割された電源層1dにリターン
電流が流れることを極力抑える構成とする。
【0066】図22は、各層のプリントパターンの平面
図である。第4層の信号ライン5bの両側には接近して
ガードグラウンドライン10が平行にパターン形成され
ており、このガードグラウンドライン10の両端は、そ
れぞれ第2層のグラウンド層1cにバイアホール11で
接続される。なお、このバイアホール11は第3層の電
源層1d部分は貫通形成されている。そして、信号ライ
ン5bとガードグラウンドライン10との間隔は信号層
1fと電源層1dの間隔、すなわち厚みより小さくする
ことによってリターン電流の大部分はガードグラウンド
ライン10に通すことができるようになる。
【0067】図23は上記ガードグラウンドライン10
を設けた構成における実験データを示すグラフである。
図示のように、ガードグラウンドライン10を設置した
場合の放射ノイズ(太破線)はガードパターンがない場
合(細破線)に比較して10〜20dBのノイズ低減効
果が得られた。また、このデータは電源層1dが分割さ
れていない場合における信号ライン5bからの放射ノイ
ズ(実線)とほぼ等しいレベルであることがわかる。な
お図示のグラフでは比較を容易にするためにノイズペク
トルの包絡腺によって示した。
【0068】図24は第10実施形態(図21)の変形
例を示す側面図である。図24は図21同様に電源層1
dとグラウンド層1c、1gはその端部などでスナバ回
路(この場合はコンデンサCのみで構成した回路でもよ
い)8によって接続される。この場合スナバ回路8と電
源層1dを接続するバイアホール11にごく接近して一
本ないし複数本のグラウンドバイアホール12が前記バ
イアホール11と平行して配置される。すでに述べたよ
うにこのような層構成のプリント基板1では電源層1d
および信号ライン層1bからの放射ノイズはグラウンド
層1c、1gによって遮蔽され、外部への放出が抑えら
れることは既に述べた通りである。しかし、電源層1d
のノイズが信号ライン5bのデジタル信号に混入しその
品質を劣化させる可能性があり、図10ではスナバ回路
8を用いることによってこの電源層1dの共振エネルギ
ーを吸収し信号ライン5bへの影響を低減させる構成で
あった。しかしながらこの場合、スナバ回路8と電源層
1dを接続したバイアホール11に瞬間的に大きな電流
が流れこれが新たなノイズ発生源になる。
【0069】第10実施形態ではこのようなプリント基
板1の厚み方向の電流によって生ずるノイズに対してさ
らに対策するものである。すなわち図24の側面図に示
す如くその両端がグラウンド層1c、1gに接続された
グランドバイアホール12を電源側のバイアホール11
に接近して平行に配置する。これによって電源からスナ
バ回路8にプリント基板1の共振による高周波電流が流
れると前記接近したバイアホール11,12間において
生ずる相互インダクタンスによってグラウンドバイアホ
ール12には逆向きでしかもほぼ大きさの等しい電流が
発生する。すなわち極めて小さなループアンテナが形成
されることになり、したがってプリント基板1の厚み方
向の放射ノイズは大幅に低減させることが可能となる。
【0070】図25は上記バイアホールの形成法を示す
図であり、(a)に示す構成はスナバ回路8のグラウン
ド側8bは信号ライン層1a端部に形成されたガードパ
ターン6に接続され、一方電源側8aはバイアホール1
1よって電源層1dに接続される。このバイアホール1
1に平行してガードパターン6とグラウンド層1c、1
gを接続するグラウンドバイアホール12が前記電源側
のバイアホール11に接近して2本配置されてなる。
【0071】一方、(b)は電源側のバイアホール11
とグラウンドバイアホール12は同軸型に形成されたも
のであり、より完全な打ち消し電流を作り出すことが可
能となる。なおこれらの構成によるバイアホールは、電
源層1dを両面からグラウンド層1c、1gでシールド
した図10のような層構造に適用するに限らず、図1の
ように電源層1dがグラウンド層1cによってシールド
されていない場合にも有効であることは言うまでもな
い。例えば、図26の側面図に示すように電源層1dが
グラウンド層1cによってシールドされていない層構造
(図1相当の構成)であっても、スナバ回路8を、互い
に平行な電源側のバイアホール11とグラウンドバイア
ホール12でそれぞれ電源層1d、グラウンド層1cに
接続する構成とすれば、コストの面からあまり多層化が
出来ないプリント基板1であってもより放射ノイズを低
減させることが可能となる。
【0072】最後に、本発明は上述した実施の形態に限
定されることはなく、本発明に係る技術的思想を逸脱し
ない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能で
あることは勿論である。
【0073】
【発明の効果】本発明に係る多層プリント基板は、グラ
ウンド層に隣接して電源層あるいは電源層と信号ライン
層の端部あるいは周辺部にガードパターンが形成され、
該ガードパターンがグラウンド層に接続された構成であ
り、このガードパターンによって電源層の共振から発生
する放射ノイズを大幅に低減させることができる。
【0074】また、請求項8記載のように電源層の両面
にグラウンド層を隣接して配置した構成によれば、電源
層が共振することによってプリント基板外部に放射され
るノイズを抑えることができるようになる。
【0075】同様に、請求項14記載のような、電源層
および信号線路層の一部をグラウンド層によって挟む構
成によっても、放射ノイズを抑えることができるように
なる。
【0076】また、請求項26記載のように、グラウン
ド層あるいは電源層をスリットにより複数の電極に分割
形成し、これに隣接する信号ライン層にガードグラウン
ドラインを形成した構成によれば、クロックパルスの高
調波成分が無視出来る周波数帯まで基板の共振周波数を
高めることができプリント基板そのものの共振がおこり
難くなり、放射ノイズを著しく低減させることが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の多層プリント基板の第1実施形態の多
層構造を示す側面図である。
【図2】図1の各層のプリントパターンを示す平面図で
ある。
【図3】第1の実施形態の変形例を示す側面図である。
【図4】図3の各層のプリントパターンを示す平面図で
ある。
【図5】本発明の第2実施形態を示す側面図である。
【図6】第2実施形態におけるノイズ低減効果を示すグ
ラフである。
【図7】本発明の第3実施形態を示す側面図である。
【図8】本発明の第4実施形態を示す側面図である。
【図9】図8の各層のプリントパターンを示す平面図で
ある。
【図10】本発明の第4実施形態の変形例であるスナバ
回路を用いた側面図である。
【図11】図10において用いられるスナバ回路を示す
構成図である。
【図12】図10の各層のプリントパターンを示す平面
図である。
【図13】本発明の第5実施形態を示す側面図である。
【図14】本発明の第6実施形態を示す側面図である。
【図15】本発明の第7実施形態を示す側面図である。
【図16】図15の各層のプリントパターンを示す平面
図である。
【図17】電源層に形成されたスリットによる放射ノイ
ズを説明する側面図である。
【図18】第7実施形態の変形例を示す側面図である。
【図19】本発明の第9実施形態のプリントパターンを
示す平面図である。
【図20】本発明の第9実施形態におけるデカップリン
グ回路の具体例を示す平面図である。
【図21】本発明の第10実施形態を示す側面図であ
る。
【図22】図21の各層のプリントパターンを示す平面
図である。
【図23】第10実施形態による効果を示した実測デー
タを示す図である。
【図24】第10実施形態の変形例であるグラウンドバ
イアホールを設けた構成の側面図である。
【図25】図24のグラウンドバイアホールの具体例で
ある。
【図26】図1の層構造にグラウンドバイアホールを採
用した例を示す側面図である。
【図27】従来の問題を説明するためのマイクロストリ
ップライン上のCMOSドライバとCMOSレシーバを
配置したモデルを示す図である。
【図28】プリント基板上のCMOS−ICから放射さ
れるノイズを説明するための回路図である。
【図29】従来のプリント基板の放射ノイズを示す側面
図である。
【図30】従来のプリント基板の放射ノイズ値を示す図
である。
【符号の説明】
1…プリント基板、1a,1b,1e,1f…信号ライ
ン層、1c,1g…グラウンド層、1d,1h…電源
層、1da〜1dc…電極、1dk…接続用パターン、
2…回路部品、2a…デジタル回路、2b…アナログ回
路、2c…アナログパワー回路、5a、5b…信号ライ
ン、6…ガードパターン、7…バイアホール(VI
A)、8…スナバ回路、9…デカップリング回路、10
…ガードグラウンドライン、11…バイアホール、12
…グラウンドバイアホール、S…スリット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 都原 久典 栃木県大田原市下石上1385番の1 株式会 社東芝那須工場内 (72)発明者 大庄司 寛 東京都北区赤羽2丁目16番4号 東芝医用 システムエンジニアリング株式会社内 Fターム(参考) 5E338 AA03 BB13 CC01 CC04 CC05 CC10 CD22 EE11 5E346 AA43 BB01 BB06 BB11 BB15 BB16 HH01

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電源層、グラウンド層、および信号ライ
    ン層から構成され、デジタル回路用ICからなるドライ
    バ回路あるいはレシーバ回路の少なくともいずれかが搭
    載される多層プリント基板において、 前記グラウンド層に隣接して設けられた電源層あるいは
    電源層と信号ライン層の端部あるいは周辺部にガードパ
    ターンを形成し、該ガードパターンを前記グラウンド層
    に接続してなることを特徴とする多層プリント基板。
  2. 【請求項2】 前記電源層と前記グラウンド層は複数の
    箇所においてスナバ回路によって接続されることを特徴
    とする請求項1記載の多層プリント基板。
  3. 【請求項3】 前記スナバ回路と前記電源層は電源バイ
    アホールによって接続されることを特徴とする請求項2
    記載の多層プリント基板。
  4. 【請求項4】 前記ガードパターンと前記グラウンド層
    および前記スナバ回路はグラウンドバイアホールによっ
    て複数箇所で接続されていることを特徴とする請求項1
    記載の多層プリント基板。
  5. 【請求項5】 前記グラウンドバイアホールの一部は前
    記電源バイアホールに接近して配置されたことを特徴と
    する請求項3または請求項4記載の多層プリント基板。
  6. 【請求項6】 前記グラウンドバイアホールと前記電源
    バイアホールは同軸状に形成されていることを特徴とす
    る請求項5記載の多層プリント基板。
  7. 【請求項7】 前記グラウンド層および前記電源層は隣
    接してプリント基板のほぼ中央部におかれることを特徴
    とする請求項1記載の多層プリント基板。
  8. 【請求項8】 電源層、グラウンド層、および信号ライ
    ン層から構成され、デジタル回路用ICからなるドライ
    バ回路あるいはレシーバ回路の少なくともいずれかが搭
    載される多層プリント基板において、 前記電源層の両面にはグラウンド層が隣接して配置され
    ていることを特徴とする多層プリント基板。
  9. 【請求項9】 前記電源層に隣接する2枚のグラウンド
    層は複数個のバイアホールによって接続されることを特
    徴とする請求項8記載の多層プリント基板。
  10. 【請求項10】 前記電源層の端部あるいは周辺部にガ
    ードパターンが形成され、該ガードパターンは前記バイ
    アホールによって前記2枚のグラウンド層に接続されて
    いることを特徴とする請求項9記載の多層プリント基
    板。
  11. 【請求項11】 前記電源層の電極は所定の大きさに分
    割されるかあるいはスリットによって分断されて形成さ
    れていることを特徴とする請求項8記載の多層プリント
    基板。
  12. 【請求項12】 前記電源層において分割された電極は
    デカップリング回路にて相互に接続されていることを特
    徴とする請求項11記載の多層プリント基板。
  13. 【請求項13】 前記電源層とグラウンド層は複数箇所
    でスナバ回路によって接続されていることを特徴とする
    請求項8記載の多層プリント基板。
  14. 【請求項14】 電源層、信号ライン層と複数枚のグラ
    ウンド層から構成され、デジタル回路用ICからなるド
    ライバ回路あるいはレシーバ回路の少なくともいずれか
    が搭載される多層プリント基板において、 前記電源層および信号ライン層の一部は前記グラウンド
    層によって挟まれたことを特徴とする多層プリント基
    板。
  15. 【請求項15】 前記電源層とそれぞれのグラウンド層
    の間隔はほぼ等しいことを特徴とする請求項14記載の
    多層プリント基板。
  16. 【請求項16】 前記電源層と信号層をはさむ2枚のグ
    ラウンド層は複数個のバイアホールによって接続される
    ことを特徴とする請求項14記載の多層プリント基板。
  17. 【請求項17】 前記電源層および信号層の端部あるい
    は周辺部にはガードパターンを有し、このガードパター
    ンは前記バイアホールによって前記2枚のグラウンド層
    に接続されていることを特徴とする請求項15記載の多
    層プリント基板。
  18. 【請求項18】 前記電源層の電極は所定の大きさに分
    割されるかあるいはスリットによって分断されて形成さ
    れていることを特徴とする請求項14記載の多層プリン
    ト基板。
  19. 【請求項19】 前記電源層において分割された電極は
    デカップリング回路にて相互に接続されていることを特
    徴とする請求項18記載の多層プリント基板。
  20. 【請求項20】 前記分割された電源層に隣接された信
    号層上に形成された信号ラインのうち少なくとも1つは
    ガードグラウンドパターンを有していることを特徴とす
    る請求項18記載の多層プリント基板。
  21. 【請求項21】 前記電源層とグラウンド層は複数箇所
    でスナバ回路によって接続されていることを特徴とする
    請求項14記載の多層プリント基板。
  22. 【請求項22】 前記スナバ回路と前記電源層は電源バ
    イアホールによって接続されることを特徴とする請求項
    21記載の多層プリント基板。
  23. 【請求項23】 前記ガードパターンと前記グラウンド
    層はグラウンドバイアホールによって複数箇所で接続さ
    れていることを特徴とする請求項21記載の多層プリン
    ト基板。
  24. 【請求項24】 前記グラウンドバイアホールの一部は
    前記電源バイアホールに接近して配置されたことを特徴
    とする請求項22または請求項23記載の多層プリント
    基板。
  25. 【請求項25】 前記接近したグラウンドバイアホール
    と電源バイアホールは同軸状に形成されていることを特
    徴とする請求項24記載の多層プリント基板。
  26. 【請求項26】 電源層、グラウンド層、および信号ラ
    イン層から構成され、デジタル回路用ICからなるドラ
    イバ回路あるいはレシーバ回路の少なくともいずれかが
    搭載される多層プリント基板において、 前記グラウンド層あるいは電源層はスリットにより複数
    の電極に分割形成され、該グラウンド層あるいは電源層
    に隣接して配置された信号ライン層にはガードグラウン
    ドラインが形成されていることを特徴とする多層プリン
    ト基板。
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