JP2000182398A

JP2000182398A - 半導体装置及び半導体装置の試験方法

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Publication number: JP2000182398A
Application number: JP10355705A
Authority: JP
Inventors: Kayoko Shibata; 佳世子柴田
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1998-12-15
Filing date: 1998-12-15
Publication date: 2000-06-30
Also published as: US6519726B1

Abstract

(57)【要約】【課題】簡易な回路構成によって、アドレスデ−タを
使わずに特定の物理パターンを使用して高集積型半導体
装置の試験を圧縮モードで短時間に且つ効率的に然も正
確に実行出来る半導体装置の構造を提供する。【解決手段】メモリセルアレイ１０を含む半導体装置
１００であって、ビット配線ＢＬとワード配線Ｗとから
選択された少なくとも一方の複数の配線群に、特定の試
験に使用するテストパターンを配線部のそれぞれに入力
するか、入力しないかを選択するテストパターン入力端
子選択手段１と、テストパターンを入力する為に選択さ
れた配線に所定のデータが入力され、配線に接続された
ライトデータバスＷＢＳＴ０上に所定のデータが出力さ
れると同時に、他の複数の配線群に接続されたデータバ
スＷＢＳＴ１〜ＷＢＳＴ３上にも予め定められたデータ
が同時に出力される様に構成された物理パターン発生手
段２とが設けられている半導体装置１００。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及び当
該半導体装置の試験方法に関するものであり、特に詳し
くは、高集積型半導体装置、中でも高集積型メモリセル
アレイからなる半導体装置に於て、効率良く試験を行う
ことが可能な半導体装置及びその試験方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】近年、記憶装置を含む半導体装置の集積
度は著しく向上してきており、それに伴って、各半導体
装置の各種試験に要する時間が飛躍的に増大してきてい
る。従って、係る半導体装置の高集積化に伴って、当該
半導体装置の試験に要する時間を如何に短縮するかが、
半導体装置の開発に際して、重要な課題の一つになって
来ている。

【０００３】つまり、半導体装置の高集積化に伴い、当
該半導体装置に例えば絶縁不良、リーク電流の有無、寄
生容量、寄生トランジスタ等の有無をテストするバーン
インテスト、或いはリフレッシュサイクルを確認するホ
ールドテスト等の各種試験を効率良く、短時間に然も信
頼性のあるテストデータを得ることが要求されてきてお
り、従来から、各種の技術が開発されて来ている。

【０００４】例えば、効率的で且つ信頼性のあるデータ
を得る為の回路構成を当該半導体装置内部にビルトイン
させる方法とか、当該半導体装置の外部周辺部に当該回
路構成を配置したもの等が開発されている。一例として
図８に示す様な、一般的にはＣＰＦ型メモリセルアレイ
と称される高集積半導体装置に於いては、ビットマップ
が複雑化されており、１つのカラムアドレスにより複数
のセルデータが選択され、それら複数のセルデータはそ
れぞれ異なる入出力手段Ｉ／Ｏに割り当てられているよ
うな製品において、特に上記した様な問題が発生する。

【０００５】即ち、例えば、セルに対してディスターブ
を必要とするＨＯＬＤテストを行う時には、注目するセ
ルに対して最悪と考えられるパターンを書き込む。それ
らはディスタ−ブの種類によって異なるが、アドレスの
順序に関係なく物理的に考慮して書き込むパターンであ
るため通常物理パターンと呼ばれる。つまり、物理パタ
ーンとは、所定の半導体装置を試験する場合に、当該半
導体装置の所定のセルに、書き込みたい予め定められた
試験データのパターンを意味するものである。

【０００６】処で、或る半導体装置に於ける入出力端子
を３２本、または、１６本持つ製品は、ウェハテスト時
またはバーンインテスト時にＩ／Ｏ圧縮と呼ばれるテス
トモードを使用する。このテストモードは、当該試験を
実行されるべき半導体装置の入出力手段であるＩ／Ｏピ
ンが３２本ないし１６本ある中の１つまたは数個の入出
力端子のみから読み出し、書き込みを行うテストモード
である。

【０００７】つまり、本テストモードは、従来の様に、
全ての入出力手段、即ち全てのＩ／Ｏピンを使用してそ
の入力に対する出力を検査する方法に変えて、複数本の
当該Ｉ／Ｏピンの中から一本若しくは数本のＩ／Ｏピン
を選択し、当該選択されたＩ／Ｏピンに対してのみ、所
定のテストデータを入力してその出力の状態を検査し、
当該半導体装置の製品特性が合格しているか否かを判断
するものである。

【０００８】より詳細に説明するならば、上記した様に
一つのＩ／Ｏピンのみに、予め定められたテストデータ
を入力し、複数のビット線（ライトバス、ＷＢＳＴ）に
同時に予め定められたデータをそれぞれ出力させる様に
するものであって、結局、一本のＩ／Ｏピンを使用し
て、複数本の他のＩ／Ｏピンに対応する複数のビット線
の出力状態を同時に検査しようとするものである。

【０００９】１つのチップの入出力端子（Ｉ／Ｏピン）
の数を減らすと、上記のテスト時に使用するテストボー
ドの中の数限りのあるＩ／Ｏピンをできる限り多くのチ
ップに割り当てることができ、１度により多数のチップ
をテストすることができ、テスト効率に有効であるため
必須となっている。上記の圧縮テストモードにおいて、
例えば、１つの入出力端子に圧縮した場合、その端子に
“１”データを書き込むとその他のＩ／Ｏにも“１”デ
ータが書き込まれる事と同じ状態になる。

【００１０】従って、係る型式の試験方法を一般的に
は、圧縮テスト方式と称されている。物理パターンを書
き込む方式に関する公知例としては、例えば、特開平９
−１４７５９７号公報に開示されている。係る従来の方
法に於いては、半導体装置に於けるメモリアレイの内、
所定のアドレス位置にあるセルのデータを反転させる
為、アドレス情報を使用して当該特定のセルを選択する
様に構成されている。

【００１１】然しながら、係る従来例に於いては、アド
レス信号を使用する為、負荷が多くなり、演算処理速度
が低下するという問題がある。同様に、特開平５−２４
９１９６号公報及び特開平１０−１７２２９８号公報に
も、上記した様なアドレス情報を使用してセルを選択す
る技術が開示されているが、上記したと同様の問題が存
在する事には変わりない。

【００１２】又、特開平７−１２９００号公報には、被
試験半導体装置とは別個に試験パターン発生部とフェイ
ルメモリに対して試験結果を書き込む為のアドレスを発
生する専用パターン発生部を設けるものであるが、被試
験半導体装置とは別体に構成されているので、被試験半
導体装置を取り替える毎に接続をやり直す必要があり、
操作が煩雑になると同時に、上記した様な問題も存在す
る。

【００１３】一方、特開平９−９１９９９号公報には、
フェイルビットマップの表示方法が開示されているが、
単にフェイルビットマップの表示方法が示されているの
みで、被試験半導体装置内部にアドレス情報を使用せず
に、特定の物理パターンを書き込む事が可能な回路構成
を配置する技術に関しては、開示がない。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、上記した従来技術の欠点を改良し、簡易な回路構成
を半導体装置内部に作り込む事によって、従来の様なア
ドレスデータを使わずに特定の物理パターンを使用して
高集積型半導体装置に於ける、特にメモリセルアレイの
試験を圧縮モードで短時間に且つ効率的に然も正確に実
行出来る半導体装置の構造を提供するものであり、更に
は、当該半導体装置の試験方法を提供するものである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に係る第１の態様として
は、互いに直交する複数のビット配線と複数のワード配
線とのそれぞれの交点に対応して設けられたメモリセル
がマトリックス状に配置されているメモリセルアレイを
含む半導体装置であって、当該ビット配線とワード配線
とから選択された少なくとも一方の複数の配線群のそれ
ぞれの端子部に、当該半導体装置の特定の試験に使用す
る予め定められたテストパターンを当該配線部のそれぞ
れに入力するか、入力しないかを選択するテストパター
ン入力端子選択手段と、当該テストパターンを入力する
為に選択された当該配線に所定のデータが入力され、当
該配線に接続されたデータバス上に所定のデータが出力
されると同時に、当該他の複数の当該配線群に接続され
たそれぞれのデータバス上にも予め定められたデータが
同時に出力される様に構成された物理パターン発生手
段、とが設けられている半導体装置であり、又、本発明
に係る第２の態様としては、互いに直交する複数のビッ
ト配線と複数のワード配線とのそれぞれの交点に対応し
て設けられたメモリセルがマトリックス状に配置されて
いるメモリセルアレイを含む半導体装置を試験するに際
し、テストパターン入力端子選択手段を使用して、当該
ビット配線とワード配線とから選択された少なくとも一
方の複数の配線群の内から、テストパターンを入力する
１つの当該配線と、テストパターンを入力しない複数の
当該配線とを予め選択しておくと共に、当該テストパタ
ーンを入力する為に選択された当該配線に、所定のテス
トパターンが入力された場合に、当該配線上に発生する
所定の出力信号と所定の関連を有する出力信号を当該テ
ストパターンを入力する為に選択された当該配線とは異
なる他の複数の当該配線群に同時に出力させる様に構成
された物理パターン発生手段を活性化せしめておき、当
該テストパターンを入力する為に選択された当該配線に
所定のデータが入力され、当該配線に接続されたデータ
バス上に所定のデータが出力されると同時に当該他の複
数の当該配線群に接続されたそれぞれのデータバス上に
も予め定められたデータを同時に出力させる様に構成さ
れている半導体装置の試験方法である。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明に係る半導体装置は、上記
した様な基本的な技術構成を採用しているので、ＣＰＦ
型セル使用プロセス製品のようにビットマップが複雑化
されているような製品で、さらにウェハテスト時または
他にビット圧縮を必要とするテストにおいて、所定のセ
ルに予め定められた特定の物理パターンの書き込みを行
うことが可能となるので、従来の技術の様にアドレス情
報を使用する必要がない。

【００１７】従って、本発明に於いては、アドレス信号
に影響を及ぼすことなく、簡単な回路変更のみで、正確
な試験を実行する事が可能となる。

【００１８】

【実施例】以下に、本発明に係る半導体装置及び当該半
導体装置の試験方法の一具体例の構成を図面を参照しな
がら詳細に説明する。即ち、図１は、本発明に係る半導
体装置の一具体例に於ける要部を拡大して示す回路図で
あって、図中、互いに直交する複数のビット配線ＢＬと
複数のワード配線Ｗとのそれぞれの交点に対応して設け
られたメモリセルＣがマトリックス状に配置されている
メモリセルアレイ１０を含む半導体装置１００であっ
て、当該ビット配線ＢＬとワード配線Ｗとから選択され
た少なくとも一方の複数の配線群、例えばビット配線群
ＢＬのそれぞれの入出力端子部（Ｉ／Ｏ０〜Ｉ／Ｏ３）
に、当該半導体装置１００の特定の試験に使用する予め
定められたテストパターンを当該配線部のそれぞれに、
つまりビット配線群ＢＬ０〜ＢＬ３又は／ＢＬ（バー）
０〜／ＢＬ（バー）３のそれぞれに入力するか、入力し
ないかを選択するテストパターン入力端子選択手段１
と、当該テストパターンを入力する為に選択された当該
配線に所定のデータが入力され、当該配線に接続された
ライトデータバス、例えばＷＢＳＴ０上に所定のデータ
が出力されると同時に、当該他の複数の当該配線群に接
続されたそれぞれのデータバス、例えばＷＢＳＴ１〜Ｗ
ＢＳＴ３上にも予め定められたデータが同時に出力され
る様に構成された物理パターン発生手段２とが設けられ
ている半導体装置１００が示されている。

【００１９】本発明に於いては、図１（Ｂ）に於いて、
当該半導体装置のメモリアレイのビット線に接続される
当該ライトデータバスを、当該ビット線ＢＬと接続され
た、ライトデータバスＷＢＳＴ０〜ＷＢＳＴ３のみを示
しているが、当然のことながら、当該ビット線ＢＬのデ
ータ極性とは反対のデータ極性を持つ様に構成された当
該ビット線／ＢＬ（ＢＬバー）と接続されるライトデー
タバスＷＢＳＮ０〜ＷＢＳＮ３を任意に選択する事も可
能である事は言うまでもない。

【００２０】尚、本発明に於ける以後の説明に於いて
は、当該ビット線ＢＬと接続された、ライトデータバス
線の極性及びこれに接続されるメモリセルの極性をＴ
（トルー）で表示し、又当該ビット線／ＢＬ（ＢＬバ
ー）と接続された、ライトデータバス線の極性及びこれ
に接続されるメモリセルの極性をＮ（バー）で表示する
事にする。

【００２１】上記した様に、本発明に於ける当該選択さ
れる配線群は、ビット配線群で有っても良く又ワード線
群であっても良いが、好ましくはビット配線群を使用す
る事が望ましい。そして、上記した様に、本発明に於い
ては、当該ビット配線群に於いては、それぞれビット配
線が、一つの入出力手段（Ｉ／Ｏ０〜Ｉ／Ｏ３）に対し
てライトデータバスＷＢＳＴ０〜ＷＢＳＴ３を介して、
互いに極性の異なるデータを処理する為に構成された対
をなす２本のビット線（ＢＬ、／ＢＬ（バー））に接続
される様に構成されている事が望ましい。

【００２２】本発明に於ける当該半導体装置は、圧縮モ
ード下で一つの選択された入出力端子部（Ｉ／Ｏ）を使
用して、所定の物理パターンを所定の配線部に書き込む
と同時に、出来るだけ多くの他の入出力端子部に対応す
る配線部に同時に所定の物理パターンをそれぞれ書き込
む様に構成する事が必要であり、その為に一つの選択さ
れた入出力端子部とこれに隣接する複数本の他の入出力
端子部を一つのグループとして取り扱う様に構成する必
要があり、係る他の入出力端子部の数は、特定されない
が、少なくとも３個の入出力端子部を一つのグループと
する事が望ましい。

【００２３】実際には、８個、１６個、３２個等の入出
力端子部を一つのグループとして圧縮テストを実行する
事になる。場合によっては、上記した様に４個の入出力
端子部（Ｉ／Ｏ０〜Ｉ／Ｏ３）を一つのグループとして
形成し、後は係る４個の入出力端子部のグループが繰り
返し配列される様な構成を採用する事も可能である。

【００２４】つまり、本発明に於ける基本的なグループ
構成パターンとしては、当該テストパターン入力端子選
択手段１により、当該テストパターンを入力される選択
された一つの当該入出力端子部（Ｉ／Ｏ０）に接続され
た配線、つまりライトデータバスＷＢＳＴ０、若しくは
ＷＢＳＮ０に対して組み合わされる当該テストパターン
を入力しない当該入出力端子部（Ｉ／Ｏ）に接続される
配線群の数は少なくとも３である事、つまりＷＢＳＴ１
〜ＷＢＳＴ３、若しくはＷＢＳＮ１〜ＷＢＳＮ３の組合
せとなる。

【００２５】本発明における当該物理パターン発生手段
２は、当該選択された複数の配線群であるライトデータ
バスＷＢＳＴ（Ｎ）のそれぞれの配線に接続される入力
バッファー手段３とラッチ手段４とを含んでいる事が望
ましい。そして、本発明に於ける当該半導体装置１００
に於いては、当該テストパターン入力端子選択手段１に
より選択された所定の当該配線、例えばライトデータバ
スＷＢＳＴ０或いはＷＢＳＮ０に接続された当該入力バ
ッファー手段３とラッチ手段４は、当該テストパターン
入力端子選択手段１により選択されなかった当該複数の
配線群ＷＢＳＴ１〜ＷＢＳＴ３或いはＷＢＳＮ１〜ＷＢ
ＳＮ３に接続されている当該入力バッファー手段３とラ
ッチ手段４とは異なる構成を有している事が必要であ
る。

【００２６】又、本発明に係る当該半導体装置１００に
於ける当該物理パターン発生手段２は、少なくとも圧縮
テストエントリ信号及び内部クロック信号とによって、
当該テストパターン入力端子選択手段１により選択され
なかった当該配線群に於ける当該入力バッファー手段３
とラッチ手段４を制御する制御信号を入力する制御信号
入力手段５を含んでいる事が望ましい。

【００２７】係る入出力手段（Ｉ／Ｏ）の選択は、予め
定められた検査モードによって、任意に自動的に設定さ
れるもので有っても良く、又予め定められたパターンを
使用するもので有っても良い。更に、本発明に於いて
は、当該物理パターン発生手段２は、更に、当該テスト
パターン入力端子選択手段１により選択された所定の配
線、例えば入出力端子部（Ｉ／Ｏ０）に接続されるライ
トデータバスＷＢＳＴ０於ける当該ラッチ手段４からの
出力データを当該データと同一若しくは異なるデータに
変換して、当該テストパターン入力端子選択手段１によ
り選択されなかった他の入出力端子部（Ｉ／Ｏ１〜Ｉ／
Ｏ３）に接続される複数の配線のそれぞれに、例えばラ
イトデータバスＷＢＳＴ１〜ＷＢＳＴ３に個別に供給す
るデータ変換手段６を含んでいる事が好ましい。

【００２８】本発明に使用される当該物理パターン発生
手段２は、上記した様に一つの選択された入出力手段
（Ｉ／Ｏ０）に接続されているライトデータバスＷＢＳ
Ｔ０とこれにグループ化される複数の他の入出力手段
（Ｉ／Ｏ１〜３）のそれぞれに接続されているライトデ
ータバスＷＢＳＴ１〜ＷＢＳＴ３とに、選択されるワー
ド配線毎に、予め定められた特定のデータからなる物理
パターンを書き込むものであり、当該物理パターンは、
特に限定されるものではない。

【００２９】当該物理パターンは、使用される被試験半
導体装置の例えばセルの配置形状、セルの極性、テスト
の目的等によってそれぞれ異なっているものであり、最
も簡単な当該物理パターンとしては、上記したライトデ
ータバスＷＢＳＴ０〜ＷＢＳＴ３のそれぞれに全て
“Ｈ”レベル若しくは“Ｌ”レベルのデータを書き込む
ものである。

【００３０】つまり、本発明に於ける該物理パターン発
生手段２の物理パターンの書き込み操作の一具体例とし
ては、当該テストパターン入力端子選択手段１により選
択された所定の配線と当該テストパターン入力端子選択
手段１により選択されなかった複数本の他の配線とに出
力されるデータを全て一致させる様に作動するものであ
る。

【００３１】係る物理パターン発生手段２は、ビット線
対（ＢＬ、／ＢＬ（バー））を構成する一方のビット配
線のみを選択する様にしても良く、又極性の異なる双方
のビット配線を任意に選択して使用する事も可能であ
る。つまり、本発明に於ける当該ビット線対（ＢＬ、／
ＢＬ（バー））の何れかを選択する操作は、上記したラ
イトデータバスＷＢＳＴ１〜ＷＢＳＴ３或いはＷＢＳＮ
１〜ＷＢＳＮ３の何れかを選択する事と同じであり、係
る選択操作は、例えば当該物理パターン発生手段２に隣
接して設けられたライトデータバス（ＷＢＳＴ）選択手
段７により実行することが可能である。

【００３２】そして、当該ライトデータバス（ＷＢＳ
Ｔ）選択手段７は、例えば図１１に示す様なセルの極性
配置マップ等の情報を制御信号に利用して制御する事が
可能である。本発明に於ける当該ビット線選択手段７
は、図１（Ａ）に示す様に、例えば、ライトアンプ（Ｗ
ＡＭＰ）２０等を介して、各ビット線対（ＢＬ、／ＢＬ
（バー））に接続されているそれぞれのセンスアンプＳ
Ａに接続されている。

【００３３】尚、本発明に於いては、当該ビット線選択
手段７と当該ライトアンプ（ＷＡＭＰ）２０の間に接続
されている配線を特にライトデータバスＷＢＳＴ／Ｎと
称するものである。更に、本発明に於て使用される半導
体装置のセルの配列型式については特に限定されるもの
ではなく、あらゆる型式のセルアレイを持つ半導体装置
を使用する事が可能である。

【００３４】従って、本発明に於いて使用される半導体
装置としては、図１（Ａ）に示す様な構成を持つ半導体
装置、図９に示される様なセル配置構成を有する半導体
装置、或いは上記した公知例に示される様なセル配置構
成を有する半導体装置等いずれの半導体装置でも使用可
能である。本発明に使用される当該物理パターン発生手
段２は、従来の様にアドレス情報を使用して所定のライ
トデータバスＷＢＳＴを選択して、必要なデータを書き
込む方法に対して、所定の制御信号を使用して、予め定
められた特定の回路を駆動させる事によって、所定のラ
イトデータバスＷＢＳＴ０〜ＷＢＳＴ３の選択と所定の
データの書き込みを実行しようとするものである。

【００３５】つまり、本発明に於いては、当該物理パタ
ーン発生手段２は、例えば、少なくとも圧縮テストエン
トリ信号、内部クロック信号及び物理パターンテストエ
ントリ信号とによって、当該テストパターン入力端子選
択手段１により選択されなかった当該配線群に於ける当
該入力バッファー手段３とラッチ手段４及び当該データ
変換手段６を制御信号入力手段５を介して制御する様に
構成されているものである。

【００３６】図１（Ｂ）は、本発明に係る図１（Ａ）に
示す半導体装置１００に於ける当該テストパターン入力
端子選択手段１と当該物理パターン発生手段２の一具体
例の構成を示す一部拡大図である。即ち、図１（Ｂ）の
ブロックダイアグラムから判る様に、本発明に係る半導
体装置の一具体例に於いては、当該一例として所定の物
理パターンを入力すべき入出力手段（Ｉ／Ｏ）として、
選択された一つの入出力手段（Ｉ／Ｏ０）に対して３個
の入出力手段（Ｉ／Ｏ１〜Ｉ／Ｏ３）が当該所定の物理
パターンを入力されない入出力手段（Ｉ／Ｏ）として選
択され、この４個の入出力手段（Ｉ／Ｏ）が一つのグル
ープを構成する様に設定されている。

【００３７】そして、係る構成に於て、４個の入出力手
段（Ｉ／Ｏ０〜Ｉ／Ｏ３））がテストパターン入力端子
選択手段１を構成し、４個の入力バッファー手段３（３
１〜３４）と４個のラッチ手段４（４１〜４４）及びデ
ータ変換手段６等から構成された物理パターン発生手段
２が設けられている。本発明に於ける本具体例に於て、
当該データ変換手段６は、図示の様に、インバータＩＮ
Ｖ１、ＮＡＮＤゲート回路０、及びトランジスタＮ６１
〜Ｎ６３とが図示の様に接続された回路構成を有してお
り、各回路部は、制御信号として当該制御信号入力部５
に入力される圧縮テストエントリ信号及び内部クロック
信号によって制御され、ライトデータバスＷＢＳＴ０〜
ＷＢＳＴ３のそれぞれに個別に予め設定された当該物理
パターンのデータの一つを出力する様に構成されてい
る。

【００３８】此処で、本具体例に於て使用される半導体
装置１００のメモリセル１０の構成の例を図８及び図９
に示しておく。図８及び図９に示されている当該メモリ
セル１０のセル配置型式は、ビットマップ複雑化の要因
の１つであるＣＰＦ型セル構成を有するものであり、図
に記されている“Ｎ”及び“Ｔ”は上記した様に、セル
に書き込まれるデータの極性を表しており、ディジット
線対のＮ側に接続されているセルは“Ｎ”、Ｔ側に接続
されているセルは“Ｔ”となる。

【００３９】更に、本具体例に於ける当該ＣＰＦ型セル
構成に於ける各セルの極性の配置を模式的に示したの
が、図１１である。即ち、図１１によって、例えば、入
出力手段Ｉ／Ｏ０に“１”データが書き込まれた場合、
ＩＯＴ０信号は“Ｈ”レベルに、又ＩＯＮ０信号は
“Ｌ”レベルになる。この時、ワード配線Ｗ０が選択さ
れていればセルＮ１に“Ｈ”レベルが書き込まれる。

【００４０】又、ワード配線Ｗ１が選択されているとセ
ルＮ２には“Ｌ”レベルが書き込まれる。つまり、ディ
ジット線対ビット線（ＢＬ、／ＢＬ（バー））のＴ側に
接続されているセルが選択された場合は“Ｈ”レベルデ
ータが書き込まれ、ディジット線対のＮ側に接続されて
いるセルが選択された場合は、外部から“１”データが
書き込まれたにもかかわらず“Ｌ”レベルデータが書き
込まれるということである。

【００４１】従って、図１１に示す様なセル極性
“Ｔ”、“Ｎ”の配列有するセルアレイを持つ半導体装
置１００を試験するに際し、図１（Ｂ）に示す様なテス
トパターン入力端子選択手段１及び物理パターン発生手
段２更にはビット配線選択手段７を使用する事によっ
て、先ずワード配線０が選択された場合には、図１２に
示す様に入出力手段Ｉ／Ｏ０及びＩ／Ｏ２に接続された
ライトデータバスＷＢＳＴ０及びＷＢＳＴ２に“Ｈ”レ
ベルのデータが書き込まれ、入出力手段Ｉ／Ｏ１及びＩ
／Ｏ３に接続されたライトデータバスＷＢＳＮ１及びＷ
ＢＳＮ３に“Ｌ”レベルのデータが書き込まれる事を示
しており、又ワード配線１が選択された場合には、入出
力手段Ｉ／Ｏ０〜Ｉ／Ｏ３に接続されたライトデータバ
スＷＢＳＮ０〜ＷＢＳＮ３の全てに“Ｈ”レベルのデー
タが書き込まれる事を示している。

【００４２】以下ワード配線２以降が選択された場合も
同様に図１２に示す様なデータがそれぞれのライトデー
タバスに書き込まれる事になる。つまり、図１２に示す
データが本発明で定義する物理パターンであり、換言す
れば、当該図１２に示す物理パターンを発生させる為
に、被試験半導体装置１００のセルの極性の配列情報を
勘案して図１（Ｂ）に示されたテストパターン入力端子
選択手段１と物理パターン発生手段２及びビット線選択
手段が設計されていると言うことである。

【００４３】上記の説明から明らかな様に、本発明に於
て使用される当該データ変換手段６は、当該テストパタ
ーン入力端子選択手段１により選択されなかった当該配
線群のそれぞれに配置されている事が望ましく、又、当
該データ変換手段は、例えばトランジスタＮ６１〜Ｎ６
３で構成されている事が望ましい。又、本発明に於いて
は、当該トランジスタの第１の端子は、当該テストパタ
ーン入力端子選択手段１により選択された入出力手段
（Ｉ／Ｏ）に接続された当該ラッチ手段の出力に接続さ
れているライトデータバスＷＢＳＴ０若しくはＷＢＳＮ
０に接続されており、又当該トランジスタの他方の端子
は、当該テストパターン入力端子選択手段により選択さ
れなかった配線に接続された当該ラッチ手段の出力、即
ち、ライトデータバスＷＢＳＴ１〜ＷＢＳＴ３若しくは
ＷＢＳＮ１〜ＷＢＳＮ３に接続されているものである。

【００４４】又、本発明に係る当該物理パターン発生手
段２は、制御信号入力手段５に入力される少なくとも圧
縮テストエントリ信号、内部クロック信号とによって、
当該テストパターン入力端子選択手段１により選択され
なかった当該入出力手段（Ｉ／Ｏ）群に於ける当該入力
バッファー手段３とラッチ手段４及び当該データ変換手
段６を制御すると共に、当該圧縮テストエントリ信号、
内部クロック信号とによって、当該データ変換手段を制
御する様に構成されているものである。

【００４５】尚、本具体例に於て使用する当該入力バッ
ファー手段３とラッチ手段４の構成は特に限定されるも
のではなく、従来公知のものを使用する事が可能であ
る。その具体例を図５及び図６にそれぞれ示しておく。
即ち、図５（Ａ）は、図１（Ｂ）の具体例に於ける入力
バッファー手段３の内第１の入出力手段（Ｉ／Ｏ０）に
接続されている入力バッファー手段３１の構成の例を示
すブロックダイアグラムである。

【００４６】即ち、本入力バッファー手段３１は、カレ
ントミラ−アンプを構成するトランジスタＰ４１、Ｎ４
１、Ｐ４３、Ｎ４２と、この回路の動作、非動作を制御
するトランジスタＰ４２、Ｎ４３から構成される。又、
本具体例に於ける当該入力バッファー手段３１に於いて
は、トランジスタＰ４２、Ｎ４３にはＰＯＷＥＲ−ＤＯ
ＷＮコントロ−ル信号が入力される様に構成されてお
り、当該入力バッファー手段３１はＰＯＷＥＲ−ＤＯＷ
Ｎモード以外では常時稼働する様に構成されている。

【００４７】一方、図５（Ｂ）は、図１（Ｂ）の具体例
に於ける入力バッファー手段３の内第２〜第４の入出力
手段（Ｉ／Ｏ１〜Ｉ／Ｏ３）に接続されている入力バッ
ファー手段３２から３４の構成の例を示すブロックダイ
アグラムである。即ち、本入力バッファー手段３２〜３
４は、カレントミラ−アンプを構成するトランジスタＰ
４４、Ｎ４４、Ｐ４６、Ｎ４５と、この回路の動作、非
動作を制御するトランジスタＰ４５、Ｎ４６から構成さ
れる。

【００４８】又、本具体例に於ける当該入力バッファー
手段３２〜３４に於いては、トランジスタＰ４５、Ｎ４
６にはＰＯＷＥＲ−ＤＯＷＮコントロ−ル信号と圧縮テ
ストエントリ信号とが入力される様に構成されており、
当該入力バッファー手段３２〜３４当該圧縮テストモー
ドに際しては、稼働が停止され、且つリーク電流が防止
される様に構成されている。

【００４９】次に、図６（Ａ）は、図１（Ｂ）の具体例
に於けるラッチ手段４の内第１の入出力手段（Ｉ／Ｏ
０）に接続されているラッチ手段４１の構成例を示すブ
ロックダイアグラムである。即ち、ラッチ手段４１は、
トランスファゲ−トトランジスタＴＧ５１、ＴＧ５２、
ＴＧ５３、ＴＧ５４と、インバータとが図示の様に配置
接続されて構成されたものであり、内部クロック信号に
よって制御されるものである。

【００５０】又、ラッチ手段４２〜４４は図６（Ｂ）に
示す様に、上記した図６（Ａ）の回路構成と略同一の構
成をとっているが、その制御信号は、内部クロック信号
ＣＬＫと圧縮テストエントリ信号とが入力されるＮＡＮ
Ｄゲート回路０の出力であり、従って、当該圧縮テスト
エントリ信号が出力される圧縮テストモードに於いては
当該ラッチ手段４２〜４４は稼働しないように構成され
ている。

【００５１】然しながら、上記具体例に於いては、当該
物理パターン発生手段２の構成上から、適用しようとす
る当該物理パターンのパターン数に限界があり、比較的
自由に構成された物理パターンを採用する事が難しい場
合があり、汎用性に欠けるきらいがある。例えば、図１
３に示す様に如何なるワード配線を選択しても、当該半
導体装置のメモリセルの極性の配列に係わらず、当該選
択された入出力手段（Ｉ／Ｏ）に接続されている全ての
ライトデータバスＷＢＳＴ０〜ＷＢＳＴ３或いはＷＢＳ
Ｎ０〜ＷＢＳＮ３のデータが全て“Ｈ”レベルを書き込
みたい場合があるとすると、図１（Ｂ）に示す具体例の
物理パターン発生手段２では、対応出来ないこともあ
る。

【００５２】その為、本発明に係る第２の具体例に於い
ては、第１の具体例よりも自由度を持たせた物理パター
ン発生手段を使用しているものである。図２は、本発明
に係る第２の具体例に於ける当該半導体装置１００のテ
ストパターン入力端子選択手段１及び物理パターン発生
手段２並びにビット線選択手段７等の構成の概要を示し
たブロックダイアグラムである。

【００５３】本具体例に於いては、図２のブロックダイ
アグラムに示される制御回路は、図８又は図９に示され
たセルアレイ配列とセル極性配置を有する半導体装置１
００を使用する例として示されている。即ち、ＣＰＦ型
セル使用プロセス製品のようにビットマップが複雑化さ
れているような半導体装置製品で、さらにウェハテスト
時または他にビット圧縮を必要とするテストにおいて、
上記した具体例１と同様に、圧縮テストモードを使用す
る際、読み出し及び書き込みはＩ／Ｏ０端子のみで行わ
れる。

【００５４】よって、所定の物理パターンを書き込む際
にはＩ／Ｏ０に書き込まれた当該物理パターンのデータ
がその他の入出力手段Ｉ／Ｏ１〜Ｉ／Ｏ３のそれぞれに
接続されているライトデータバスＷＢＳＴ１〜ＷＢＳＴ
３若しくはＷＢＳＮ１〜ＷＢＳＮ３にも伝えられるよう
になっている。即ち、本具体例に於いては、当該テスト
パターン入力端子選択手段１及び当該物理パターン発生
手段２の入力バッファー手段３１〜３４とラッチ手段４
１〜４４の構成は、上記した具体例１に於けるものと実
質的に同一である。

【００５５】然しながら、本具体例に於ける当該物理パ
ターン発生手段２内のデータ変換手段６の構成と制御信
号入力手段５の構成とが具体例１とは異なっている。つ
まり、本具体例に於ける当該制御信号入力手段５は、圧
縮テストエントリ信号、物理パターンテストエントリ信
号及び内部クロック信号の３種類の信号が使用されるも
のであり、又当該データ変換手段６の回路構成も、図２
に示す様に、インバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ５、ＮＡＮＤ
ゲート回路２１〜ＮＡＮＤゲート回路２３及びトランジ
スタＮ１１〜トランジスタＮ１５が、図示の配置構成で
互いに接続されている構成を持っているものである。

【００５６】勿論、図示されてはいないが、本具体例に
於いても上記した具体例１と同様にライトデータバスＷ
ＢＳＴ０〜ＷＢＳＴ３の他に、極性の異なるデータを処
理するライトデータバスＷＢＳＮ０〜ＷＢＳＮ３が設け
られており、当該ビット線（ＢＬ、／ＢＬ（バー））を
構成する該ライトデータバスの何れかを選択する為のビ
ット線選択手段７も設けられているものである。

【００５７】本具体例に於て、物理パターンテストモー
ドを使用する時は、同一のライトデータバスＷＢＳＴ０
〜ＷＢＳＴ３を選択する場合には、Ｉ／Ｏ０に書き込ん
だデータと同じデータがＩ／Ｏ２にも書き込まれ、Ｉ／
Ｏ１、３にはＩ／Ｏ０と逆データが書き込まれる。物理
パターンテストモードを使用しなければ、全Ｉ／ＯにＩ
／Ｏ０と同じデータが書き込まれる。

【００５８】又、当該物理パターンを書き込む際に、セ
ルの極性を考慮してライトデータバスの極性の選択を行
う事によって、図１３に示す様に、全てのワード配線に
於ける全てのライトデータバスに同一のデータを書き込
む事も可能となる。これらの使い分けは、書き込みたい
物理パターンによって、テストモードにエントリ−する
かしないかを選択すればよい。

【００５９】より具体的には、図２に示す様に、本具体
例に係る当該半導体装置１００に於いては、入出力手段
Ｉ／Ｏ０、Ｉ／Ｏ１、…Ｉ／Ｏｎの入力端子と、入力端
子から入力されたデータを増幅させる初段回路、つまり
入力バッファー手段３と、当該入力バッファー手段３の
出力データＤ１０、１１…をラッチするラッチ回路４か
ら構成される。

【００６０】当該入力バッファ手段３は２つの種類があ
り、Ｉ／Ｏ０に入力されたデータは入力バッファ手段３
１に入力され、Ｉ／Ｏ１、２、３…に入力されたデータ
は入力バッファ手段３２〜３４に入力される。一方、ラ
ッチ回路４の出力は、ライトデータバスＷＢＳＴ１〜Ｗ
ＢＳＴ３に出力されるものであり、ＷＢＳＴ０のデータ
１Ａは、Ｎ１１トランジスタを介してＷＢＳＴ１に、Ｎ
１３を介してＷＢＳＴ２に、Ｎ１４を介してＷＢＳＴ３
に接続され、その制御は圧縮テストモード信号及び物理
パターンテストエントリ−信号である。

【００６１】また、ＷＢＳＴ０の反転データ１ＢはＮ１
２を介してＷＢＳＴ１に接続され、さらにＮ１５を介し
てＷＢＳＴ３に接続され、その制御は節点１Ｃによる。
此処で、本具体例に於ける動作に付いて説明する。即ち
図２に於て、圧縮テストモードにエントリ−している場
合は圧縮テストモードエントリ−信号は“Ｈ”レベルで
ある。この時、入力バッファ手段３においては、入力バ
ッファ手段３１と入力バッファ手段３２〜３４では異な
る制御を行う。

【００６２】つまり図５（Ａ）に示す入力バッファ手段
３１は圧縮テストモードエントリ−信号のレベルに依存
せず入力端子のレベルを取り込むが、図５（Ｂ）の入力
バッファ手段３２〜３４は圧縮テストモードエントリ−
信号が“Ｈ”レベルの時は入力端子Ｉ／Ｏ０のレベルを
取り込まず、節点４ＡはＮ４６によってＧＮＤレベルに
固定される。

【００６３】すなわち、上記のモードでは、図２のＤ１
０のレベルは入出力端子Ｉ／Ｏ０のレベルによって変化
するが、Ｄ１１、Ｄ１２、Ｄ１３…は“Ｈ”レベルに固
定される。一方、ラッチ回路４に入力される節点１Ａの
データは、内部ＣＬＫ信号と圧縮テストエントリ−信号
によって作られるが、圧縮テストエントリ−信号が
“Ｈ”レベル時は節点１Ａは“Ｈ”レベルに固定され
る。

【００６４】従って、図６（Ａ）に示す当該ラッチ回路
４１は上記節点１Ａによらず、内部ＣＬＫ信号によって
通常動作を行うが、図６（Ｂ）に示されるラッチ回路４
２〜４４は節点５Ｈのデータが“Ｈ”レベルに固定され
るため、ＴＧ５７は非導通状態となり、ＴＧ５８は導通
状態に固定される。つまり、節点５Ｄのレベルがラッチ
されている状態となる。

【００６５】すなわち、上記のモードでは、Ｄ１１、Ｄ
１２、Ｄ１３…のレベルはＷＢＳＴ１、２、３には伝わ
らない。上記の状態において、物理パターンテストエン
トリ−信号が“Ｈ”レベルの場合、節点１Ｃは“Ｈ”レ
ベルになり、節点１Ｂは“Ｌ”レベルとなる。圧縮テス
トエントリ−信号は“Ｈ”レベルであるため、Ｎｃｈト
ランジスタＮ１３、Ｎ１２、Ｎ１５は導通状態となり、
ＮｃｈトランジスタＮ１１、Ｎ１４は非導通状態とな
る。

【００６６】また、入力端子Ｉ／Ｏ０に入力されたデー
タはＷＢＳＴ０に伝えられ、データ１Ａは入力されたデ
ータと同一データとなるが、データ１Ｂは入力データが
反転されたデータである。データ１Ｂを伝えるＮ１２、
Ｎ１５は導通状態であるので、ＷＢＳＴ１、３にはＷＢ
ＳＴ０の反転データが伝えられ、ＷＢＳＴ２にはＷＢＳ
Ｔ０と同じデータが伝えられる。

【００６７】物理パターンテストエントリ−信号が
“Ｌ”レベルの場合は、節点１Ｃは“Ｌ”レベル、節点
１Ｂは“Ｈ”レベルとなる。従って、導通するトランジ
スタはＮ１１，Ｎ１４、Ｎ１３であるため、ＷＢＳＴ
１、２、３にはデータ１Ａが伝えられる。よって、ＷＢ
ＳＴ０と同じデータが伝えられることになる。

【００６８】又、ライトデータバスＷＢＳＴ１〜ＷＢＳ
Ｔ３にＷＢＳＴ０と同一データを伝えるか、反転データ
を伝えるかは、物理パターンテストエントリ−信号を
“Ｈ”レベルにするか、“Ｌ”レベルにするか、で選択
することが出来る。上記した具体例の説明から理解され
る様に、本発明に於ける当該物理パターン発生手段は、
少なくとも圧縮テストエントリ信号、内部クロック信号
とによって、当該テストパターン入力端子選択手段によ
り選択されなかった当該配線群に於ける当該入力バッフ
ァー手段とラッチ手段及び当該データ変換手段を制御す
ると共に、当該テストパターン入力端子選択手段により
選択されなかった当該配線群の何れかに配線接続されて
いる当該入力バッファー手段の出力信号と当該圧縮テス
トエントリ信号、内部クロック信号とによって、当該デ
ータ変換手段を制御する様に構成されている事が望まし
い。

【００６９】更に、本発明に於いては、当該物理パター
ン発生手段２は、各ビットラインに接続されている各セ
ルの極性の配列及び入力されるパターンデータから予め
定められた所定の物理パターンを、当該所定のビットラ
インと対応するそれぞれの書き込みバスに出力する様な
回路構成、つまりビット線選択手段７を有している事が
望ましい。

【００７０】次に、本発明に於ける物理パターンの読み
出し操作に付いて説明する。図７は、本発明に係る具体
例１を使用した場合の当該物理パターンデータの読み出
し動作を説明する図であり、又図４は、本具体例２を使
用した場合の当該物理パターンデータの読み出し動作を
説明する図である。図７に於ては、上記具体例１に於
て、試験に使用されるライトデータバスＷＢＳＴ０〜Ｗ
ＢＳＴ３若しくはＷＢＳＮ０〜ＷＢＳＮ３に相当するリ
ードライトデータバスＲＷＢＳＴ０〜ＲＷＢＳＴ３若し
くはＲＷＢＳＮ０〜ＲＷＢＳＮ３は何れも一方の極性に
固定した場合で、且つ当該物理パターンとしては、全て
のライトデータバスＷＢＳＴ０〜ＷＢＳＴ３に同一のデ
ータ、つまり“Ｈ”レベルか“Ｌ”レベルの何れかが書
き込まれている場合を想定した場合の例を示しており、
具体的には、複数の選択されたリードライトデータバス
ＲＷＢＳＴ０〜ＲＷＢＳＴ３若しくはＲＷＢＳＮ０〜Ｒ
ＷＢＳＮ３に接続されるリードライトデータバス選択手
段８と判定手段９とから構成されており、当該リードラ
イトデータバス選択手段８は、上記した様に極性の異な
るリードライトデータバスＲＷＢＳＴ０〜ＲＷＢＳＴ３
若しくはＲＷＢＳＮ０〜ＲＷＢＳＮ３の内から、当該使
用されている物理パターンとセルアレイのセルの極性を
考慮して適宜のリードライトデータバスを選択する様に
構成されている。

【００７１】又、上記判定手段９は、一方の物理パター
ンに従って所定の選択された当該リードライトデータバ
スを入力して各リードライトデータバスのデータが、当
該所定の物理パターンと一致しているか否かを判断する
ものであり、本具体例では、ライトデータバスＷＢＳＴ
０〜ＷＢＳＴ３の全てに物理パターンとして“Ｈ”レベ
ルのデータを書き込んだ例を想定していることから、図
７のリードライトデータバス選択手段８は、ライトデー
タバスＷＢＳＴ０〜ＷＢＳＴ３に相当するリードライト
データバスＲＷＢＳＴ０〜ＲＷＢＳＴ３のみを選択し
て、判定手段９の第１判定手段９１に入力する。

【００７２】当該第１判定手段９１は、当該リードライ
トデータバスＲＷＢＳＴ０〜ＲＷＢＳＴ３の全てのデー
タが“Ｈ”レベルであるか否かを判断する為４入力端子
ＮＡＮＤゲート回路を構成している。尚、本発明に於
て、当該物理パターンの検査においては、トルー（Ｔ）
側のみ測定した場合には、誤りが存在する場合もあるの
で、バー（Ｎ）側のデータも測定してみてその結果を圧
縮テストエントリ信号とのＡＮＤを採って判定する様に
構成されている。

【００７３】つまりリードライトデータバスＲＷＢＳＮ
０〜ＲＷＢＳＮ３に対する極性の異なるリードライトデ
ータバスＲＷＢＳＮ０〜ＲＷＢＳＮ３が全て“Ｌ”レベ
ルになっているか否かを判断の為、４入力端子ＮＡＮＤ
ゲート回路からなる第２判定手段９２を構成している。
当該第１と第２の判定手段９１、９２の出力が３端子Ｎ
ＡＮＤゲート回路９３に入力され、圧縮テストエントリ
信号とＡＮＤが採られる様になっている。

【００７４】従って、図７の判定回路に於いては、物理
パターンが正確に書き込まれている場合には、当該判定
手段９から“Ｈ”レベルの信号が出力され、その結果を
確認する事が可能となる。又図４は、具体例２に使用さ
れる読み出し判定回路の構成の一具体例を示すブロック
ダイアグラムであり、基本的には、図７の構成と同様に
リードライトデータバス選択手段８と判定手段９とから
構成されている。

【００７５】但し、本具体例に於いては、より自由度を
持たせた物理パターンを使用するものであるので、当該
判定手段９は複数の判定回路を具備している。例えば、
図４の例に於て、当該判定手段９には、第４〜第７の４
入力端子ＮＡＮＤゲート回路９４〜９７が設けられてい
る。当該第４の判定手段９４に於いては、図８又は図９
に示されたセルアレイを使用し、当該セルアレイの各セ
ルの極性が図１１の配列であった場合に、当該入出力手
段Ｉ／Ｏ０〜Ｉ／Ｏ３に接続されるライトデータバスに
０、１、０、１の物理パターンを個別に書き込んだ場
合、当該第４の判定手段９４の入力には、全てのデータ
が“Ｈ”レベルとなる様に当該ライトデータバスの極性
を配慮しながら選択する事になり、その結果の一例が当
該判定手段９４に接続されたライトデータバスの組み合
わせである。

【００７６】係る組み合わせは、上記したリードライト
データバス選択手段８によって選択される事になる。係
る検査と全く極性を事にするライトデータバスに於ける
物理パターンのデータが当該判定手段９６に於て実行さ
れ、その両者の検査結果が、前記具体例と同様の考え方
によって、３端子ＮＡＮＤゲート回路からなる判定手段
９９に入力され、圧縮テストエントリ信号とＡＮＤが採
られる様になっている。

【００７７】係る場合には、物理パターンテストエント
リ信号が“Ｈ”レベルの状態となっており、その信号に
よってトランジスタＮ３１とＮ３３が駆動されて、上記
した判断操作が実行される。一方、当該物理パターンテ
ストエントリ信号が“Ｌ”レベルの場合には、その信号
によってトランジスタＮ３２とＮ３４が駆動されて、判
定手段９５と９７が選択される。

【００７８】当該判定手段９５と９７に於ける物理パタ
ーンの判定操作は、図７において説明した読み出し方法
と全く同一であるので、その詳細な説明は省略する。つ
まり、本具体例に於て、物理パターンテストエントリ信
号が“Ｈ”レベルとなっている場合には、Ｎｃｈトラン
ジスタＮ３１、Ｎ３３が導通状態となるため、節点３
Ａ、節点３Ｃが有効となる。前述のＷＢＳＴ０、１、２
…のデ−タが書き込まれたセルからの読み出しはＲＷＢ
ＳＴ／Ｎ０、１、２…を介して行われる。

【００７９】例えば、図２において、ＷＢＳＴ０、２に
“Ｈ”デ−タが、ＷＢＳＴ１、３に“Ｌ”デ−タが書き
込まれた場合、図４において、ＲＷＢＳＴ０、２は
“Ｈ”デ−タ、ＲＷＢＳＴ１、３は“Ｌ”デ−タ、ＲＷ
ＢＳＴＮ０、２は“Ｌ”デ−タ、ＲＷＢＳＴＮ１、３は
“Ｈ”デ−タとなっているはずである。セルからの読み
出しデ−タが前述の通りになっていれば、節点３Ａは
“Ｈ”レベルに、節点３Ｃは“Ｌ”レベルになるので、
圧縮テストモ−ド用出力デ−タは“Ｈ”レベルとなる。

【００８０】もし、誤って読み出しを行うと、節点３
Ａ，３Ｃは両方とも“Ｈ”レベルとなり、圧縮テストモ
−ド用出力デ−タは“Ｌ”レベルとなる。この場合、こ
のチップはＦＡＩＬであると判断される。一方、当該物
理パタ−ンテストエントリ−信号が“Ｌ”レベルの場合
は、節点３Ｂ，３Ｄが有効となり、各々のＲＷＢＳＴ／
Ｎ信号の比較によって、デ−タ読み出しの正誤が判定さ
れる。

【００８１】上記した本発明に係る当該半導体装置の読
み出し機能に関しては、例えば、互いに直交する複数の
ビット配線と複数のワード配線とのそれぞれの交点に対
応して設けられたメモリセルがマトリックス状に配置さ
れているメモリセルアレイを含む半導体装置であって、
当該ビット配線とワード配線とから選択された少なくと
も一方の複数の配線群のそれぞれの端子部に、当該半導
体装置の特定の試験に使用する予め定められたテストパ
ターンを当該配線部のそれぞれに入力するか、入力しな
いかを選択するテストパターン入力端子選択手段と、当
該テストパターンを入力する為に選択された当該配線に
所定のデータが入力され、当該配線に接続されたデータ
バス上に所定のデータが出力されると同時に、当該他の
複数の当該配線群に接続されたそれぞれのデータバス上
にも予め定められたデータが同時に出力される様に構成
された物理パターン発生手段、とが設けられている半導
体装置を試験するに際し、当該ビット配線とワード配線
とから選択された少なくとも一方の複数の配線群のそれ
ぞれの配線に対応する読み出しバスを選択する読み出し
バス選択手段８、当該選択された複数個の読み出しバス
の出力データを比較して、当該各読み出しバスから予め
定められた所定の物理パターンが出力されているか否を
判断する判定手段９とを有する半導体装置である。

【００８２】本発明に於ける当該読み出しバス選択手段
８は、各入出力手段のそれぞれに接続されている対をな
す２本のビット線（ＢＬ、／ＢＬ（バー））の内から、
一つのビット線（ＢＬ又は／ＢＬ（バー））を選択する
様に構成されているものである。更に、本発明にかかる
当該読み出しバス選択手段８は、各入出力手段のそれぞ
れから、当該各入出力手段に接続されている対をなす２
本のビット線（ＢＬ、／ＢＬ（バー））の内から、当該
読み出しバスのそれぞれに与えられている所定の物理パ
ターンデータで、互いに同一の第１の出力データを示す
ビット線を選択する様に構成されている第１の読み出し
バス選択手段８１を含んでいる事が望ましく、又、当該
読み出しバスのそれぞれに与えられている所定の物理パ
ターンデータで、互いに第１の出力データとは逆の同一
の出力である第２の出力データを示すビット線を選択す
る様に構成されている第２の読み出しバス選択手段８２
を含んでいる事も望ましい。

【００８３】一方、本発明に於ける当該読み出しバス選
択手段８に接続されている当該判定手段９は、当該入出
力手段の個数と同等の入力端子を有する第１のＮＡＮＤ
ゲート回路９４及び第２のＮＡＮＤゲート回路９６で構
成されている事が望ましい。又、本発明に於て、当該第
１のＮＡＮＤゲート回路９４と当該第２のＮＡＮＤゲー
ト回路９６との出力及び圧縮テストエントリ信号とが入
力される３端子ＮＡＮＤゲート回路９８で構成された読
み出し確認手段、つまり判定手段９を有するものであ
る。

【００８４】更に、本発明に於て、当該読み出しバス選
択手段８は、更に、各入出力手段のそれぞれから、当該
各入出力手段に接続されている対をなす２本のビット線
（ＢＬ、／ＢＬ（バー））の内、互いに同一の極性を有
するビット線のみを選択する様な機能を有するもので有
ってもよく、その場合には、当該判定手段としての第３
のＮＡＮＤゲート回路９５と第４のＮＡＮＤゲート回路
９７とに接続されているものである。

【００８５】上記した様に、本発明に於いては、ＣＰＦ
型セル使用プロセス製品のようにビットマップが複雑化
されているような製品で、さらにウェハテスト時または
他にビット圧縮を必要とするテストにおいて、物理パタ
−ンの書き込みを、アドレスによる制御を使用しないで
行える事である。その理由としては、入力端子のデ−タ
を他の圧縮された入出力端子の書き込みデ−タとして伝
える時に、同一デ−タだけでなく、デ−タを反転させる
機能を備えているからである。

【００８６】つまり、図８に示したセル構成図のセル極
性Ｔ／Ｎで、図１１に示す様な極性を持つセル構成に、
次の動作例によって書き込んだ場合のセルデ−タを図１
３に示す。即ち、物理パタ−ンテストエントリ−信号を
“Ｈ”レベルにして、入力端子Ｉ／Ｏ０に、ＷＯＲＤが
０、４の時は“１”デ−タを、ＷＯＲＤが２、６の場合
は“０”デ−タを書き込み、次に、物理パタ−ンテスト
エントリ−信号を“Ｌ”レベルにして、ＷＯＲＤが３、
７の時に“１”デ−タを、ＷＯＲＤが１、５の時には
“０”デ−タを書き込んだ例である。

【００８７】次に、本発明に係る当該半導体装置の別の
具体例について図３を参照して説明する。図３は、本発
明に係る半導体装置１００の別の具体例の構成を示すブ
ロックダイアグラムであり、基本的には上記した具体例
２の態様と同一であるが、本具体例３では、物理パタ−
ンテストエントリ−信号を排除し、この信号と同等の制
御を外部から入力させている。つまり、入出力手段（Ｉ
／Ｏ）で、当該物理パターンを書き込みする様に選択さ
れていない当該入出力手段（Ｉ／Ｏ）の何れかに適宜の
“Ｈ”レベル信号を入力する事によって同様の操作を実
行する事が可能となる。

【００８８】つまり、本発明に於ける当該テストパター
ン入力端子選択手段１により選択されなかった当該入出
力手段（Ｉ／Ｏ）の内で、当該データ変換手段を制御す
る信号として使用される信号を出力する当該入力バッフ
ァー手段の構成は、当該テストパターン入力端子選択手
段により選択された配線に接続された当該入力バッファ
ー手段の構成と同一である事が望ましい。

【００８９】つまり、本具体例３に於いては、物理パタ
−ンテストエントリ−信号のレベルを内部回路でコント
ロ−ルする必要がないので、テスト時間の短縮になる。
また、本発明はＣＬＫ信号によって動作を制御するシン
クロナスＤＲＡＭについて説明しているが、物理パタ−
ンの入力を必要とする半導体装置であれば、使用するこ
とはできる。

【００９０】上記した本発明に係る当該半導体装置の試
験方法の基本的な技術思想は、以下の通りである。即
ち、互いに直交する複数のビット配線と複数のワード配
線とのそれぞれの交点に対応して設けられたメモリセル
がマトリックス状に配置されているメモリセルアレイを
含む半導体装置を試験するに際し、テストパターン入力
端子選択手段を使用して、当該ビット配線とワード配線
とから選択された少なくとも一方の複数の配線群の内か
ら、テストパターンを入力する１つの当該配線と、テス
トパターンを入力しない複数の当該配線とを予め選択し
ておくと共に、当該テストパターンを入力する為に選択
された当該配線に、所定のテストパターンが入力された
場合に、当該配線上に発生する所定の出力信号と所定の
関連を有する出力信号を当該テストパターンを入力する
為に選択された当該配線とは異なる他の複数の当該配線
群に同時に出力させる様に構成された物理パターン発生
手段を活性化せしめておき、当該テストパターンを入力
する為に選択された当該配線に所定のデータが入力さ
れ、当該配線に接続されたデータバス上に所定のデータ
が出力されると同時に当該他の複数の当該配線群に接続
されたそれぞれのデータバス上にも予め定められたデー
タを同時に出力させる様に構成されている半導体装置の
試験方法である。

【００９１】本発明に於いては、当該物理パターン発生
手段は、少なくとも圧縮テストエントリ信号及び内部ク
ロック信号とによって、当該テストパターン入力端子選
択手段により選択されなかった当該配線群に於ける当該
入力バッファー手段とラッチ手段を制御する様に構成さ
れている事が望ましい。又、本発明に於ける当該半導体
装置の試験方法に於いては、当該物理パターン発生手段
２は、更に、当該テストパターン入力端子選択手段１に
より選択された所定の配線に於ける当該ラッチ手段４か
らの出力データと同一若しくは異なるデータに変換し
て、当該テストパターン入力端子選択手段１により選択
されなかった他の複数の配線のそれぞれに供給するデー
タ変換手段６を含んでいる事が望ましい。

【００９２】又、本発明に於ける当該半導体装置の試験
方法に於いては、当該物理パターン発生手段６は、当該
テストパターン入力端子選択手段１により選択された所
定の配線と当該テストパターン入力端子選択手段１によ
り選択されなかった複数本の他の配線とに出力されるデ
ータを全て一致させる様に作動する様に機能するもので
有ってもよい。

【００９３】一方、本発明に係る当該半導体装置の試験
方法に於て、書き込まれた物理パターンを読みだす方法
としては、互いに直交する複数のビット配線と複数のワ
ード配線とのそれぞれの交点に対応して設けられたメモ
リセルがマトリックス状に配置されているメモリセルア
レイを含む半導体装置であって、当該ビット配線とワー
ド配線とから選択された少なくとも一方の複数の配線群
のそれぞれの端子部に、当該半導体装置の特定の試験に
使用する予め定められたテストパターンを当該配線部の
それぞれに入力するか、入力しないかを選択するテスト
パターン入力端子選択手段と、当該テストパターンを入
力する為に選択された当該配線に所定のデータが入力さ
れ、当該配線に接続されたデータバス上に所定のデータ
が出力されると同時に、当該他の複数の当該配線群に接
続されたそれぞれのデータバス上にも予め定められたデ
ータが同時に出力される様に構成された物理パターン発
生手段、とが設けられている半導体装置を試験するに際
し、当該ビット配線とワード配線とから選択された少な
くとも一方の複数の配線群に設けられた入出力手段に接
続される配線に対応する読み出しバスを選択し、当該選
択された個々の読み出しバスの出力データから、当該各
読み出しバスの出力データが、予め定められた所定のデ
ータパターンを示しているか否かを判断する様に構成さ
れている装置の試験方法である。

【００９４】本発明に於ける当該各入出力手段のそれぞ
れから、当該各入出力手段に接続されている対をなす２
本のビット線（ＢＬ、／ＢＬ（バー））の内から、当該
読み出しバスのそれぞれに与えられている所定の物理パ
ターンデータで、互いに同一の第１の出力データを示す
ビット線を選択し、当該選択された各ビット線の出力デ
ータを比較する様に構成されるもので有っても良く又、
当該各入出力手段のそれぞれから、当該各入出力手段に
接続されている対をなす２本のビット線（ＢＬ、／ＢＬ
（バー））の内から、当該読み出しバスのそれぞれに与
えられている所定の物理パターンデータで、互いに第１
の出力データとは逆の同一の出力である第２の出力デー
タを示すビット線を選択し、当該選択された各ビット線
の出力データを比較する様に構成されたものであっても
良い。

【００９５】更に、本発明に於ける当該半導体装置の試
験方法に於いては、該第１の出力データのみによる比較
結果と当該第２の出力データのみによる比較結果とを更
に圧縮テストエントリ信号を用いて再検証する事も望ま
しい。当該試験方法は、物理パターンテストエントリ信
号が有効な場合にのみ実行されるものである。

【００９６】一方、本発明に於て、当該各入出力手段の
それぞれから、当該各入出力手段に接続されている対を
なす２本のビット線（ＢＬ、／ＢＬ（バー））の内、互
いに同一の極性を有するビット線のみを当該リードライ
トデータバス選択手段８により選択し、当該選択された
各ビット線の出力データを比較する様に構成されていて
も良く、又、当該第１の極性を有する複数個のビット線
のデータを比較した結果と、当該第２の極性を有する複
数個のビット線のデータを比較した結果とを更に圧縮テ
ストエントリ信号を用いて再検証する様に構成されてい
ても良い。

【００９７】当該試験方法は、物理パターンテストエン
トリ信号が有効でない場合にのみ実行されるものである
事を特徴とする請求項４５記載の半導体装置の試験方
法。本発明に係る当該半導体装置１００を実際に使用す
る場合の回路構成の一例を示す全体図を図１０に示して
おく。即ち、本発明に係るメモリセルアレイ１０７を有
する当該半導体装置１００は、従来の半導体装置と同様
に、行デコーダ１０８とセンスアンプ１１０を介した列
デコーダ１０９とによって、当該メモリセルアレイ１０
７の所定のセルが選択される様に駆動されるものであっ
て、当該行デコーダ１０８と列デコーダに１０９の駆動
系は、従来公知のものである。

【００９８】即ち、クロック信号発生回路１０１とコマ
ンドデコーダ１０２によって、外部からの制御信号が入
力されると共に、アドレス情報が行アドレスバッファ１
０４と列アドレスバッファ１０５に入力され、当該クロ
ック信号発生回路１０１とコマンドデコーダ１０２によ
って制御される制御回路１０６から必要な命令が出力さ
れて当該行アドレスバッファ１０４と列アドレスバッフ
ァ１０５を制御する事によって所定のアドレスが入力さ
れ、当該アドレスにより選択されたセルが駆動される様
になっている。

【００９９】本発明に係る当該半導体装置に於いては、
当該テストパターン入力端子選択手段１と物理パターン
発生手段２を構成する入力バッファー手段３とラッチ手
段４とを経て、所定の制御情報がデータ制御回路１１２
に入力され、当該データ制御回路１１２の制御信号が当
該列デコーダ１０９に入力される事によって、上記した
各種の操作が実行されるものである。

【０１００】

【発明の効果】本発明に係る当該半導体装置及び半導体
装置の試験方法は、上記した様な技術構成を採用してい
るので、ＣＰＦ型セル使用プロセス製品のようにビット
マップが複雑化されているような製品で、さらにウェハ
テスト時または他にビット圧縮を必要とするテストにお
いて、物理パタ−ンの書き込みを、先願にあるようなア
ドレスによる制御を使用しないで行える事である。

【０１０１】従って、本発明に於いては、アドレス信号
に影響を及ぼすことなく、簡単な回路変更のみで、正確
な試験を実行する事が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、本発明に係る半
導体装置の一具体例の構成を示したブロックダイアグラ
ムである。

【図２】図２は、本発明に係る半導体装置の他の具体例
の構成を示したブロックダイアグラムである。

【図３】図３は、本発明に係る半導体装置の別の具体例
の構成を示したブロックダイアグラムである。

【図４】図４は、本発明に係る半導体装置の試験方法に
於て使用される物理パターンの読み出し回路の一具体例
の構成を示したブロックダイアグラムである。

【図５】図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本発明に係る半
導体装置で使用される入力バッファー手段の一具体例の
構成を示したブロックダイアグラムである。

【図６】図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、本発明に係る半
導体装置で使用されるラッチ手段の一具体例の構成を示
したブロックダイアグラムである。

【図７】図７は、本発明に係る半導体装置の試験方法に
於て使用される物理パターンの読み出し回路の他の具体
例の構成を示したブロックダイアグラムである。

【図８】図８は、本発明に係る半導体装置に使用される
メモリセルアレイの一例を示すブロックダイアグラムで
ある。

【図９】図９は、図８に示すメモリセルアレイの一例に
於けるセルの配置状態を分かりやすく説明する為のブロ
ックダイアグラムである。

【図１０】図１０は、本発明に係る当該半導体装置の全
体の構成を例を示すブロックダイアグラムである。

【図１１】図１１は、本発明に係る半導体装置に使用さ
れるメモリセルアレイのセルの極性の配列を説明する図
である。

【図１２】図１２は、本発明に係る半導体装置に使用さ
れるメモリセルアレイに物理パターンを書き込んだ場合
の一例を示す図である。

【図１３】図１３は、本発明に係る半導体装置に使用さ
れるメモリセルアレイに物理パターンを書き込んだ場合
の他の例を示す図である。

【符号の説明】

１…テストパターン入力端子選択手段２…物理パターン発生手段３…入力バッファー手段４…ラッチ手段５…制御信号入力手段６…データ変換手段７…ビット線選択手段８…リードライトデータバス選択手段９…判定手段１０…メモリセルアレイ２０…ライトアンプ１００…半導体装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに直交する複数のビット配線と複数
のワード配線とのそれぞれの交点に対応して設けられた
メモリセルがマトリックス状に配置されているメモリセ
ルアレイを含む半導体装置であって、当該ビット配線とワード配線とから選択された少なくと
も一方の複数の配線群のそれぞれの端子部に、当該半導
体装置の特定の試験に使用する予め定められたテストパ
ターンを当該配線部のそれぞれに入力するか、入力しな
いかを選択するテストパターン入力端子選択手段と、当該テストパターンを入力する為に選択された当該配線
に所定のデータが入力され、当該配線に接続されたデー
タバス上に所定のデータが出力されると同時に、当該他
の複数の当該配線群に接続されたそれぞれのデータバス
上にも予め定められたデータが同時に出力される様に構
成された物理パターン発生手段、とが設けられている事
を特徴とする半導体装置。
【請求項２】当該選択される配線群は、ビット配線群
である事を特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】当該ビット配線群に於いては、それぞれ
ビット配線が、一つの入出力手段（Ｉ／Ｏ）に対して互
いに極性の異なるデータを処理する為に構成された対を
なす２本のビット線（ＢＬ、／ＢＬ（バー））で構成さ
れている事を特徴とする請求項１又は２に記載の半導体
装置。
【請求項４】当該テストパターン入力端子選択手段に
より、当該テストパターンを入力される選択された一つ
の当該配線に対して組み合わされる当該テストパターン
を入力しない当該配線群の数は少なくとも３である事を
特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の半導体装
置。
【請求項５】当該物理パターン発生手段は、当該選択
された複数の配線群のそれぞれの配線に接続される入力
バッファー手段とラッチ手段とを含んでいる事を特徴と
する請求項１乃至４の何れかに記載の半導体装置。
【請求項６】当該テストパターン入力端子選択手段に
より選択された所定の当該配線に接続された当該入力バ
ッファー手段とラッチ手段は、当該テストパターン入力
端子選択手段により選択されなかった当該複数の配線群
に接続されている当該入力バッファー手段とラッチ手段
とは異なる構成を有している事を特徴とする請求項５記
載の半導体装置。
【請求項７】当該物理パターン発生手段は、少なくと
も圧縮テストエントリ信号及び内部クロック信号とによ
って、当該テストパターン入力端子選択手段により選択
されなかった当該配線群に於ける当該入力バッファー手
段とラッチ手段を制御する様に構成されている事を特徴
とする請求項１乃至６の何れかに記載の半導体装置。
【請求項８】当該物理パターン発生手段は、更に、当
該テストパターン入力端子選択手段により選択された所
定の配線に於ける当該ラッチ手段からの出力データを当
該データと同一若しくは異なるデータに変換して、当該
テストパターン入力端子選択手段により選択されなかっ
た他の複数の配線のそれぞれに個別に供給するデータ変
換手段を含んでいる事を特徴とする請求項７記載の半導
体装置。
【請求項９】当該物理パターン発生手段は、当該テス
トパターン入力端子選択手段により選択された所定の配
線と当該テストパターン入力端子選択手段により選択さ
れなかった複数本の他の配線とに出力されるデータを全
て一致させる様に作動するものである事を特徴とする請
求項１乃至８の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１０】当該物理パターン発生手段は、少なく
とも圧縮テストエントリ信号、内部クロック信号及び物
理パターンテストエントリ信号とによって、当該テスト
パターン入力端子選択手段により選択されなかった当該
配線群に於ける当該入力バッファー手段とラッチ手段及
び当該データ変換手段を制御する様に構成されている事
を特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の半導体装
置。
【請求項１１】当該データ変換手段は、当該テストパ
ターン入力端子選択手段により選択されなかった当該配
線群のそれぞれに配置されている事を特徴とする請求項
１乃至１０の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１２】当該データ変換手段はトランジスタで
構成されている事を特徴とする請求項１１記載の半導体
装置。
【請求項１３】当該トランジスタの第１の端子は、当
該テストパターン入力端子選択手段により選択された配
線に接続された当該ラッチ手段の出力に接続されてお
り、又当該トランジスタの他方の端子は、当該テストパ
ターン入力端子選択手段により選択されなかった配線に
接続された当該ラッチ手段の出力に接続されている事を
特徴とする請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１４】当該物理パターン発生手段は、少なく
とも圧縮テストエントリ信号、内部クロック信号とによ
って、当該テストパターン入力端子選択手段により選択
されなかった当該配線群に於ける当該入力バッファー手
段とラッチ手段及び当該データ変換手段を制御すると共
に、当該テストパターン入力端子選択手段により選択さ
れなかった当該配線群の何れかに配線接続されている当
該入力バッファー手段の出力信号と当該圧縮テストエン
トリ信号、内部クロック信号とによって、当該データ変
換手段を制御する様に構成されている事を特徴とする請
求項１乃至１３の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１５】当該テストパターン入力端子選択手段
により選択されなかった当該配線群の内で、当該データ
変換手段を制御する信号として使用される信号を出力す
る当該入力バッファー手段の構成は、当該テストパター
ン入力端子選択手段により選択された配線に接続された
当該入力バッファー手段の構成と同一である事を特徴と
する請求項１４記載の半導体装置。
【請求項１６】当該物理パターン発生手段は、各ビッ
トラインに接続されている各セルの極性の配列及び入力
されるパターンデータから予め定められた所定の物理パ
ターンを、当該所定のビットラインと対応するそれぞれ
の書き込みバスに出力する様な回路構成を有している事
を特徴とする請求項１乃至１５の何れかに記載の半導体
装置。
【請求項１７】互いに直交する複数のビット配線と複
数のワード配線とのそれぞれの交点に対応して設けられ
たメモリセルがマトリックス状に配置されているメモリ
セルアレイを含む半導体装置であって、当該ビット配線
とワード配線とから選択された少なくとも一方の複数の
配線群のそれぞれの端子部に、当該半導体装置の特定の
試験に使用する予め定められたテストパターンを当該配
線部のそれぞれに入力するか、入力しないかを選択する
テストパターン入力端子選択手段と、当該テストパター
ンを入力する為に選択された当該配線に所定のデータが
入力され、当該配線に接続されたデータバス上に所定の
データが出力されると同時に、当該他の複数の当該配線
群に接続されたそれぞれのデータバス上にも予め定めら
れたデータが同時に出力される様に構成された物理パタ
ーン発生手段、とが設けられている半導体装置を試験す
るに際し、当該ビット配線とワード配線とから選択され
た少なくとも一方の複数の配線群のそれぞれの配線に対
応する読み出しバスを選択する読み出しバス選択手段、
当該選択された複数個の読み出しバスの出力データを比
較して、当該各読み出しバスから予め定められた所定の
物理パターンが出力されているか否を判断する判定手段
とを有する事を特徴とする半導体装置。
【請求項１８】当該選択される配線群は、ビット配線
群である事を特徴とする請求項１７記載の半導体装置。
【請求項１９】当該ビット配線群に於いては、それぞ
れビット配線が、一つの入出力手段（Ｉ／Ｏ）に対して
互いに極性の異なるデータを処理する為に構成された対
をなす２本のビット線（ＢＬ、／ＢＬ（バー））で構成
されている事を特徴とする請求項１７又は１８に記載の
半導体装置。
【請求項２０】当該読み出しバス選択手段は、各入出
力手段のそれぞれに接続されている対をなす２本のビッ
ト線（ＢＬ、／ＢＬ（バー））の内から、一つのビット
線（ＢＬ又は／ＢＬ（バー））を選択する様に構成され
ているものである事を特徴とする請求項１７乃至１９に
記載の半導体装置。
【請求項２１】当該読み出しバス選択手段は、各入出
力手段のそれぞれから、当該各入出力手段に接続されて
いる対をなす２本のビット線（ＢＬ、／ＢＬ（バー））
の内から、当該読み出しバスのそれぞれに与えられてい
る所定の物理パターンデータで、互いに同一の第１の出
力データを示すビット線を選択する様に構成されている
第１の読み出しバス選択手段を含んでいるものである事
を特徴とする請求項１７乃至２０の何れかに記載の半導
体装置。
【請求項２２】当該読み出しバス選択手段に接続され
ている当該判定手段は、当該入出力手段の個数と同等の
入力端子を有する第１のＮＡＮＤゲート回路で構成され
ている事を特徴とする請求項２１記載の半導体装置。
【請求項２３】当該読み出しバス選択手段は、更に、
各入出力手段のそれぞれから、当該各入出力手段に接続
されている対をなす２本のビット線（ＢＬ、／ＢＬ（バ
ー））の内から、当該読み出しバスのそれぞれに与えら
れている所定の物理パターンデータで、互いに第１の出
力データとは逆の同一の出力である第２の出力データを
示すビット線を選択する様に構成されている第２の読み
出しバス選択手段を含んでいる事を特徴とする請求項２
１に記載の半導体装置。
【請求項２４】当該読み出しバス選択手段に接続され
ている当該判定手段は、当該入出力手段の個数と同等の
入力端子を有する第２のＮＡＮＤゲート回路で構成され
ている事を特徴とする請求項２３記載の半導体装置。
【請求項２５】当該第１のＮＡＮＤゲート回路と当該
第２のＮＡＮＤゲート回路との出力及び圧縮テストエン
トリ信号とが入力される３端子ＮＡＮＤゲート回路で構
成された読み出し確認手段を有する事を特徴とする請求
項２４記載の半導体装置。
【請求項２６】当該読み出しバス選択手段は、更に、
各入出力手段のそれぞれから、当該各入出力手段に接続
されている対をなす２本のビット線（ＢＬ、／ＢＬ（バ
ー））の内、互いに同一の極性を有するビット線のみを
選択する機能を更に有している事を特徴とする請求項１
７乃至２５の何れかに記載の半導体装置。
【請求項２７】当該第１と第２のＮＡＮＤゲート回路
は、当該物理パターンテストエントリ信号が入力された
場合にのみ選択される事を特徴とする請求項２１乃至２
６の何れかに記載の半導体装置。
【請求項２８】当該第３と第４のＮＡＮＤゲート回路
は、当該物理パターンテストエントリ信号が入力されな
い場合にのみ選択される事を特徴とする請求項２１乃至
２６の何れかに記載の半導体装置。
【請求項２９】当該第３のＮＡＮＤゲート回路と当該
第４のＮＡＮＤゲート回路との出力及び圧縮テストエン
トリ信号とが入力される３端子ＮＡＮＤゲート回路で構
成された読み出し確認手段を有する事を特徴とする請求
項２６記載の半導体装置。
【請求項３０】互いに直交する複数のビット配線と複
数のワード配線とのそれぞれの交点に対応して設けられ
たメモリセルがマトリックス状に配置されているメモリ
セルアレイを含む半導体装置を試験するに際し、テスト
パターン入力端子選択手段を使用して、当該ビット配線
とワード配線とから選択された少なくとも一方の複数の
配線群の内から、テストパターンを入力する１つの当該
配線と、テストパターンを入力しない複数の当該配線と
を予め選択しておくと共に、当該テストパターンを入力
する為に選択された当該配線に、所定のテストパターン
が入力された場合に、当該配線上に発生する所定の出力
信号と所定の関連を有する出力信号を当該テストパター
ンを入力する為に選択された当該配線とは異なる他の複
数の当該配線群に同時に出力させる様に構成された物理
パターン発生手段を活性化せしめておき、当該テストパ
ターンを入力する為に選択された当該配線に所定のデー
タが入力され、当該配線に接続されたデータバス上に所
定のデータが出力されると同時に当該他の複数の当該配
線群に接続されたそれぞれのデータバス上にも予め定め
られたデータを同時に出力させる様に構成されている事
を特徴とする半導体装置の試験方法。
【請求項３１】当該テストパターン入力端子選択手段
により、当該テストパターンを入力される選択された一
つの当該配線に対して組み合わされる当該テストパター
ンを入力しない当該配線群の数は少なくとも３である事
を特徴とする請求項３０記載の半導体装置の試験方法。
【請求項３２】当該物理パターン発生手段は、当該選
択された複数の配線群のそれぞれの配線に接続される入
力バッファー手段とラッチ手段とを含んでいる事を特徴
とする請求項３０又は３１に記載の半導体装置の試験方
法。
【請求項３３】当該物理パターン発生手段は、少なく
とも圧縮テストエントリ信号及び内部クロック信号とに
よって、当該テストパターン入力端子選択手段により選
択されなかった当該配線群に於ける当該入力バッファー
手段とラッチ手段を制御する様に構成されている事を特
徴とする請求項３０乃至３２の何れかに記載の半導体装
置の試験方法。
【請求項３４】当該物理パターン発生手段は、更に、
当該テストパターン入力端子選択手段により選択された
所定の配線に於ける当該ラッチ手段からの出力データと
同一若しくは異なるデータに変換して、当該テストパタ
ーン入力端子選択手段により選択されなかった他の複数
の配線のそれぞれに供給するデータ変換手段を含んでい
る事を特徴とする請求項３０乃至３３の何れかに記載の
半導体装置の試験方法。
【請求項３５】当該物理パターン発生手段は、当該テ
ストパターン入力端子選択手段により選択された所定の
配線と当該テストパターン入力端子選択手段により選択
されなかった複数本の他の配線とに出力されるデータを
全て一致させる様に作動するものである事を特徴とする
請求項３０乃至３４の何れかに記載の半導体装置の試験
方法。
【請求項３６】当該物理パターン発生手段は、少なく
とも圧縮テストエントリ信号、内部クロック信号及び物
理パターンテストエントリ信号とによって、当該テスト
パターン入力端子選択手段により選択されなかった当該
配線群に於ける当該入力バッファー手段とラッチ手段及
び当該データ変換手段を制御する様に構成されている事
を特徴とする請求項３０乃至３５の何れかに記載の半導
体装置の試験方法。
【請求項３７】互いに直交する複数のビット配線と複
数のワード配線とのそれぞれの交点に対応して設けられ
たメモリセルがマトリックス状に配置されているメモリ
セルアレイを含む半導体装置であって、当該ビット配線
とワード配線とから選択された少なくとも一方の複数の
配線群のそれぞれの端子部に、当該半導体装置の特定の
試験に使用する予め定められたテストパターンを当該配
線部のそれぞれに入力するか、入力しないかを選択する
テストパターン入力端子選択手段と、当該テストパター
ンを入力する為に選択された当該配線に所定のデータが
入力され、当該配線に接続されたデータバス上に所定の
データが出力されると同時に、当該他の複数の当該配線
群に接続されたそれぞれのデータバス上にも予め定めら
れたデータが同時に出力される様に構成された物理パタ
ーン発生手段、とが設けられている半導体装置を試験す
るに際し、当該ビット配線とワード配線とから選択され
た少なくとも一方の複数の配線群に設けられた入出力手
段に接続される配線に対応する読み出しバスを選択し、
当該選択された個々の読み出しバスの出力データから、
当該各読み出しバスの出力データが、予め定められた所
定のデータパターンを示しているか否かを判断する事を
特徴とする半導体装置の試験方法。
【請求項３８】当該選択される配線群は、ビット配線
群である事を特徴とする請求項３７記載の半導体装置の
試験方法。
【請求項３９】当該ビット配線群に於いては、それぞ
れビット配線が、一つの入出力手段（Ｉ／Ｏ）に対して
互いに極性の異なるデータを処理する為に構成された対
をなす２本のビット線（ＢＬ、／ＢＬ（バー））で構成
されている事を特徴とする請求項３７又は３８に記載の
半導体装置の試験方法。
【請求項４０】当該各入出力手段のそれぞれから、当
該各入出力手段に接続されている対をなす２本のビット
線（ＢＬ、／ＢＬ（バー））の内から、当該読み出しバ
スのそれぞれに与えられている所定の物理パターンデー
タで、互いに同一の第１の出力データを示すビット線を
選択し、当該選択された各ビット線の出力データを比較
する事を特徴とする請求項３７乃至３９の何れかに記載
の半導体装置の試験方法。
【請求項４１】当該各入出力手段のそれぞれから、当
該各入出力手段に接続されている対をなす２本のビット
線（ＢＬ、／ＢＬ（バー））の内から、当該読み出しバ
スのそれぞれに与えられている所定の物理パターンデー
タで、互いに第１の出力データとは逆の同一の出力であ
る第２の出力データを示すビット線を選択し、当該選択
された各ビット線の出力データを比較する事を特徴とす
る請求項３７乃至３９の何れかに記載の半導体装置の試
験方法。
【請求項４２】当該第１の出力データのみによる比較
結果と当該第２の出力データのみによる比較結果とを更
に圧縮テストエントリ信号を用いて再検証する事を特徴
とする請求項３７乃至４１の何れかに記載の半導体装置
の試験方法。
【請求項４３】当該試験方法は、物理パターンテスト
エントリ信号が有効な場合にのみ実行されるものである
事を特徴とする請求項４２記載の半導体装置の試験方
法。
【請求項４４】当該各入出力手段のそれぞれから、当
該各入出力手段に接続されている対をなす２本のビット
線（ＢＬ、／ＢＬ（バー））の内、互いに同一の極性を
有するビット線のみを選択し、当該選択された各ビット
線の出力データを比較する事を特徴とする請求項３７乃
至４２の何れかに記載の半導体装置の試験方法。
【請求項４５】当該第１の極性を有する複数個のビッ
ト線のデータを比較した結果と、当該第２の極性を有す
る複数個のビット線のデータを比較した結果とを更に圧
縮テストエントリ信号を用いて再検証する事を特徴とす
る請求項４４に記載の半導体装置の試験方法。
【請求項４６】当該試験方法は、物理パターンテスト
エントリ信号が有効でない場合にのみ実行されるもので
ある事を特徴とする請求項４５記載の半導体装置の試験
方法。