JP2000173918A - Euvマイクロリソグラフィ用照明装置 - Google Patents

Euvマイクロリソグラフィ用照明装置

Info

Publication number
JP2000173918A
JP2000173918A JP11340839A JP34083999A JP2000173918A JP 2000173918 A JP2000173918 A JP 2000173918A JP 11340839 A JP11340839 A JP 11340839A JP 34083999 A JP34083999 A JP 34083999A JP 2000173918 A JP2000173918 A JP 2000173918A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
euv
microlithography
honeycomb
lens
array
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11340839A
Other languages
English (en)
Inventor
Johannes Wangler
ヴァングラー ヨハネス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Carl Zeiss AG
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Carl Zeiss AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH, Carl Zeiss AG filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Publication of JP2000173918A publication Critical patent/JP2000173918A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/7015Details of optical elements
    • G03F7/70183Zoom systems for adjusting beam diameter
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/14Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation
    • G02B13/143Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation for use with ultraviolet radiation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0927Systems for changing the beam intensity distribution, e.g. Gaussian to top-hat
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938Using specific optical elements
    • G02B27/095Refractive optical elements
    • G02B27/0955Lenses
    • G02B27/0961Lens arrays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lenses (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 EUV領域において求められる種々の要求に
応じることのできる照明装置を提供すること。 【解決手段】 フッ化物、例えばフッ化カルシウムから
なる反射性光学素子と、光導波値を高める素子としての
少なくとも1つのマイクロレンズアレイと、少なくとも
1つのハニカムコンデンサとを有しているように構成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、EUV光源とし
て、例えば157nm波長のF2エキシマレーザーを備
えたEUVマイクロリソグラフィ用照明装置に関する。
【0002】
【従来の技術】DUV領域においては、十分な大きさの
領域を均質にテレセントリックにかつ選択可能なコヒー
レンスレベルσで照明するために、既に157nm技術
のもとで所要の種々の構成要素と機能部を備えた適切な
照明システムが存在している。
【0003】この場合の問題は、使用可能な伝送材料に
大きな制限があることである。光学的材料としてはCa
2のみが既に確定しているのみで、これは十分な透過
性を有している。また使用可能なものとしてその他にフ
ッ化物が周知である。いずれにせよ最短のガラス経路に
注意が必要である。なぜなら後置のDUVシステムに比
べて吸収性が著しく高く、ビームの安定性が低下してい
るからである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、EU
V領域において求められる種々の要求に応じることので
きる照明装置を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によ
り、フッ化物、例えばフッ化カルシウムからなる反射性
光学素子と、光導波値を高める素子としての少なくとも
1つのマイクロレンズアレイと、少なくとも1つのハニ
カムコンデンサとを有しているように構成されて解決さ
れる。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明は、DUVに適したドイツ
連邦共和国特許出願 DE 195 20 563 A1 明細書に記載の
構成に基づくものである。但しそこでの有利な実施例と
してのガラスロッドの光混合素子は除く。なぜならこれ
は過度に長いため吸収性が高く、また従来の照明システ
ムのもとでも公知のハニカムコンデンサを越えているか
らである。
【0007】
【実施例】次に本発明を図面に基づき詳細に説明する。
【0008】図1にはEUVエキシマレーザー、特に1
57nm波長のF2レーザーが示されている。ビーム伝
播拡散系2は、投射照明装置に光を供給し、所要の光束
断面に整合させる。光導波値“Lichtleitwert”(“エ
タンデュまたはラグランジュ−不変式)は、レーザー1
の僅かな発散量(約1mrad)のために最小であり、
投射レンズの所要の開口を適切な焦点面で充たすには不
十分である。有利にはCaF2からなる2つのマイクロ
レンズアレイ3,5が高められた光導波値の導入のため
に用いられる。この場合介在的に接続されているズーム
レンズ4がコヒーレンスレベルσ(または瞳充填度)の
適合化を可能にする。公知の形式でこのズームレンズ4
には調整可能なエキシコン(Axicon)が集積化されてい
てもよい。これは可変のリングアパーチュア照明を可能
にするものである。
【0009】第2のマクロレンズアレイ5は、有利には
1つのフォーム、例えば矩形状のフォームを有する個別
素子であり、レチクルマスクや投射レンズのレンズフィ
ールドや焦点面と同じようなアスペクト比を有してい
る。
【0010】構成素子6は、拡散特性を備えたオプショ
ン装備可能な拡散ディスク、例えばエッチング処理され
たCaF2ディスクである。これは光導波値と均質性の
向上のために用いられる。
【0011】7aおよび7bは、ハニカムコンデンサの
2つのレンズラスタである。これらは例えばマイクロレ
ンズアレイとして構成されてもよいし(例えば“Teledy
ne Brown Engineering,Huntsville,AL,USA”)、それぞ
れ交差型の円筒状ステープル対として構成されてもよい
(例えば公知文献“G.A.Carts,Laser Focus World,Nove
mber 1991”39頁参照)。但しこれらのラスタエレメ
ントの数は、高まる傾向にある。例えば1mm厚のロッ
ドレンズで4×4cm2の断面サイズでは102〜103
のオーダーにあり、それ以上のロッドレンズないしは多
数のアレイ素子のそれぞれのオーダーが設けられてもよ
い。2つのレンズラスタ7a,7bは、ハニカムコンデ
ンサのもとで相対向する焦平面に配置される。その他に
前述の公知文献に記載されているように実施されてもよ
い。材料としては、CaF2またはその他のフッ化物で
あってもよい。ハニカムコンデンサの直径は、約100
mmまで可能である。
【0012】それに続いてリレー光学系8,平面型偏向
ミラー9,フィールドレンズ系10が配設されている。
有利には、その他にもレンズ数と全ガラス厚を低減させ
るために非球面レンズが用いられてもよい。また有利に
は、レチクルマスキング系12が集積化されてもよい。
これはレチクル11(マスク)上への正確なフィールド
絞りを形成する。このレチクルマスキング系12は、マ
スクの対象フィールドへの正確なマッチングのために調
整可能である。
【0013】約10の素子を有する公知のアレイに対し
て、ハニカムコンデンサ7a,7bの素子数の増加、す
なわち微細ラスタ化が瞳孔変化の際にあらゆる方向で全
領域に亘って均一な機能性の配慮をなす。
【0014】回折型オプティック(DOE)、バイナリ
ーオプティック、ゾーンプレートオプティック(フレネ
ルレンズ)の技術は、光導波値を高める素子3,5の構
成にも非常に適しているし、ハニカムコンデンサ7a,
7bの構成にも非常に適している。
【0015】これらの装置は、マイクロリソグラフィの
照明装置に求められる機能素子の全てを1つにして、例
えば157nmのEUV領域においても十分な伝播特性
を保証する。特にズームレンズ4、エキシコンを含めて
リレー8および集光レンズ10は、有利にはカタディオ
プティック(catadioptic)系としてミラーを含んでいて
もよい。またCaf2の他に透過性のオプティック素子
や、その他の材料、例えばフッ化物などが用いられても
よい。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明による照明装置の実施例を概略的
に示した図である。
【符号の説明】
1 レーザー 2 伝播拡散系 3,5 マイクロレンズアレイ 7a,7b ハニカムコンデンサ 10 フィールドレンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 515D

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 EUV光源、例えば157nm波長のF
    2レーザーを備えたEUVマイクロリソグラフィ用照明
    装置において、 フッ化物、例えばフッ化カルシウムからなる反射性光学
    素子と、 光導波値(Lichtleitwert)を高める素子としての少な
    くとも1つのマイクロレンズアレイ(3,5)と、 少なくとも1つのハニカムコンデンサ(7a、7b)と
    を有していることを特徴とするEUVマイクロリソグラ
    フィ用照明装置。
  2. 【請求項2】 交差型円筒状レンズアレイ、例えばロッ
    ド型レンズからなるハニカムコンデンサ(7a,7b)
    が含まれている、請求項1記載のEUVマイクロリソグ
    ラフィ用照明装置。
  3. 【請求項3】 ミラー(9)および/または他の材料か
    らなる反射生光学素子が含まれている、請求項1または
    2記載のEUVマイクロリソグラフィ用照明装置。
  4. 【請求項4】 2つのマイクロレンズアレイが含まれて
    おり、それらの間にレンズ(4)が配設されている、請
    求項1〜3いずれか1項記載のEUVマイクロリソグラ
    フィ用照明装置。
  5. 【請求項5】 介在的に配設されている前記レンズ
    (4)は、ズームレンズであり、照明のコヒーレンスレ
    ベルの調整のために用いられている、請求項4記載のE
    UVマイクロリソグラフィ用照明装置。
  6. 【請求項6】 第2のマイクロレンズアレイ(5)は、
    照明領域にほぼ幾何学的に類似した格子要素を有してい
    る、請求項4または5記載のEUVマイクロリソグラフ
    ィ用照明装置。
  7. 【請求項7】 前記ハニカムコンデンサ(7a,7b)
    に、リレー(8)とフィールドレンズ(10)が後置接
    続されている、請求項1〜6いずれか1項記載のEUV
    マイクロリソグラフィ用照明装置。
  8. 【請求項8】 偏光ミラー(9)を除いて、屈折型に構
    成されている、請求項1〜7いずれか1項記載のEUV
    マイクロリソグラフィ用照明装置。
  9. 【請求項9】 フッ化カルシウムからなる交差型円筒状
    レンズからなるそれぞれ2つのアレイ(7a,7b)を
    有する2つのプレートから形成され、前記各アレイは1
    2〜104のオーダーによる円筒状レンズからなる、ハ
    ニカムコンデンサ。
  10. 【請求項10】 前記アレイ(7a,7b)は、積層ロ
    ッド構造で構成されている、請求項9記載のハニカムコ
    ンデンサ。
  11. 【請求項11】 前記アレイ(7a,7b)は、微細構
    造のプレートで形成されている、請求項9記載のハニカ
    ムコンデンサ。
  12. 【請求項12】 請求項9〜11いずれか1項記載のハ
    ニカムコンデンサを含んでいる、請求項2記載のEUV
    マイクロリソグラフィ用照明装置。
  13. 【請求項13】 調整可能なレチクルマスキング系(1
    2)を含んでいる、請求項1〜12いずれか1項記載の
    EUVマイクロリソグラフィ用照明装置。
  14. 【請求項14】 少なくとも1つのマイクロレンズアレ
    イ(3,5)またはハニカムコンデンサのアレイ(7
    a,7b)は、回折型オプティック素子か、バイナリー
    オプティック素子またはゾーンプレートオプティック素
    子で構成されている、請求項1〜13いずれか1項記載
    のEUVマイクロリソグラフィ用照明装置。
JP11340839A 1998-11-30 1999-11-30 Euvマイクロリソグラフィ用照明装置 Pending JP2000173918A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19855106.1 1998-11-30
DE19855106A DE19855106A1 (de) 1998-11-30 1998-11-30 Beleuchtungssystem für die VUV-Mikrolithographie

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000173918A true JP2000173918A (ja) 2000-06-23

Family

ID=7889444

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11340839A Pending JP2000173918A (ja) 1998-11-30 1999-11-30 Euvマイクロリソグラフィ用照明装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6243206B1 (ja)
EP (1) EP1006411A3 (ja)
JP (1) JP2000173918A (ja)
KR (1) KR100768111B1 (ja)
DE (1) DE19855106A1 (ja)
TW (1) TW418348B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004031949A (ja) * 2002-06-11 2004-01-29 Asml Holding Nv マイクロリソグラフィー系、マイクロリソグラフィー用の照明系及び基板を露光する方法
JP2005294840A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Asml Holding Nv フィールド高さ及び瞳の変更を許容する照明システム及び方法
JPWO2004086121A1 (ja) * 2003-03-24 2006-06-29 株式会社ニコン 光学素子、光学系、レーザ装置、露光装置、マスク検査装置、及び高分子結晶の加工装置
WO2011119846A2 (en) * 2010-03-24 2011-09-29 Jacksen International, Ltd Fade out optical light masking projector system

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7126137B2 (en) * 1998-05-05 2006-10-24 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy
US20070030948A1 (en) * 1998-05-05 2007-02-08 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy
KR20000034967A (ko) * 1998-11-30 2000-06-26 헨켈 카르스텐 수정-렌즈를 갖는 오브젝티브 및 투사 조명 장치
US6635914B2 (en) * 2000-09-08 2003-10-21 Axon Technologies Corp. Microelectronic programmable device and methods of forming and programming the same
US6563567B1 (en) * 1998-12-17 2003-05-13 Nikon Corporation Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus
JP2001174615A (ja) * 1999-04-15 2001-06-29 Nikon Corp 回折光学素子、該素子の製造方法、該素子を備える照明装置、投影露光装置、露光方法、及び光ホモジナイザー、該光ホモジナイザーの製造方法
DE10062579A1 (de) * 1999-12-15 2001-06-21 Nikon Corp Optischer Integrierer,optische Beleuchtungseinrichtung, Photolithographie-Belichtungseinrichtung,und Beobachtungseinrichtung
DE10028756B4 (de) * 2000-06-09 2004-05-06 Forschungsverbund Berlin E.V. Verfahren und Anordnung zur orts- und zeitaufgelösten interferometrischen Charakterisierung von ultrakurzen Laserimpulsen
DE10117025A1 (de) 2001-04-05 2002-10-10 Zeiss Carl Teilchenoptische Vorrichtung,Beleuchtungsvorrichtung und Projektionssystem sowie Verfahren unter Verwendung derselben
JP3977038B2 (ja) * 2001-08-27 2007-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置およびレーザ照射方法
DE10151309A1 (de) * 2001-10-17 2003-05-08 Carl Zeiss Semiconductor Mfg S Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie für Lambda <200 nm
US7079321B2 (en) * 2001-10-18 2006-07-18 Asml Holding N.V. Illumination system and method allowing for varying of both field height and pupil
US7006295B2 (en) * 2001-10-18 2006-02-28 Asml Holding N.V. Illumination system and method for efficiently illuminating a pattern generator
JP2003288998A (ja) 2002-03-27 2003-10-10 Ushio Inc 極端紫外光源
JP4324957B2 (ja) * 2002-05-27 2009-09-02 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
ATE511668T1 (de) * 2004-02-17 2011-06-15 Zeiss Carl Smt Gmbh Beleuchtungssystem für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsvorrichtung
JP2005310942A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Canon Inc 露光装置、露光方法、及びそれを用いたデバイス製造方法
EP1941313B1 (en) * 2005-10-27 2014-12-03 Yale University An optical system for illumination of an evanescent field
CN102314096B (zh) * 2006-02-17 2014-05-21 卡尔蔡司Smt有限责任公司 制造长的微透镜阵列的方法
TWI545352B (zh) 2006-02-17 2016-08-11 卡爾蔡司Smt有限公司 用於微影投射曝光設備之照明系統
JP4261591B2 (ja) * 2007-03-30 2009-04-30 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 照明光学装置および試料検査装置
DE102013204443A1 (de) * 2013-03-14 2014-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe zur Lichtleitwerterhöhung
DE102015209645A1 (de) * 2015-05-27 2016-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage sowie Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem solchen Beleuchtungssystem

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08107060A (ja) * 1994-10-06 1996-04-23 Nikon Corp 光リソグラフィー用光学部材及び投影光学系
JPH096009A (ja) * 1995-06-23 1997-01-10 Nikon Corp 露光装置
JPH0925127A (ja) * 1995-07-10 1997-01-28 Nikon Corp 光学素子の製造方法およびそれに用いられる光学素子の成形型
JPH09184918A (ja) * 1995-09-23 1997-07-15 Carl Zeiss:Fa 放射偏光光学構造及びそれを有するマイクロリソグラフィ投影露光装置
JPH10256143A (ja) * 1997-03-10 1998-09-25 Nikon Corp 露光装置
JPH10270312A (ja) * 1997-03-24 1998-10-09 Canon Inc 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
JPH10270352A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 集積回路製造用露光装置
WO1998048451A1 (fr) * 1997-04-18 1998-10-29 Nikon Corporation Aligneur, procede d'exposition mettant en oeuvre ledit aligneur et procede de fabrication d'un dispositif de circuit
WO1998048452A1 (fr) * 1997-04-18 1998-10-29 Nikon Corporation Procede et dispositif de commande de l'exposition, procede et dispositif d'exposition, et procede de fabrication dudit dispositif
JPH11514106A (ja) * 1996-08-16 1999-11-30 カール−ツアイス−シュティフテュング・ハンデルンド・アルツ・カール・ツアイス 二酸化ゲルマニウムガラスを含む紫外線用色消しレンズ光学系

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2196132B (en) * 1984-02-01 1988-12-21 Canon Kk Exposure method and apparatus
JPS60232552A (ja) * 1984-05-02 1985-11-19 Canon Inc 照明光学系
US5719704A (en) * 1991-09-11 1998-02-17 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP3278277B2 (ja) * 1994-01-26 2002-04-30 キヤノン株式会社 投影露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法
JP3368653B2 (ja) * 1994-03-11 2003-01-20 株式会社ニコン 照明方法及び装置、並びに露光方法及び装置
JP3633002B2 (ja) * 1994-05-09 2005-03-30 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及び露光方法
EP0811221B1 (en) * 1995-12-22 1999-11-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Picture display device with two microlens arrays
US6061179A (en) * 1996-01-23 2000-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Stereoscopic image display apparatus with two-/three-dimensional image display switching function
US5754278A (en) * 1996-11-27 1998-05-19 Eastman Kodak Company Image transfer illumination system and method
JPH10209028A (ja) * 1997-01-16 1998-08-07 Nikon Corp 照明光学装置及び半導体素子の製造方法
JPH10244392A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー照射装置
US5844727A (en) * 1997-09-02 1998-12-01 Cymer, Inc. Illumination design for scanning microlithography systems
WO2001009684A1 (de) * 1999-07-30 2001-02-08 Carl Zeiss Steuerung der beleuchtungsverteilung in der austrittspupille eines euv-beleuchtungssystems

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08107060A (ja) * 1994-10-06 1996-04-23 Nikon Corp 光リソグラフィー用光学部材及び投影光学系
JPH096009A (ja) * 1995-06-23 1997-01-10 Nikon Corp 露光装置
JPH0925127A (ja) * 1995-07-10 1997-01-28 Nikon Corp 光学素子の製造方法およびそれに用いられる光学素子の成形型
JPH09184918A (ja) * 1995-09-23 1997-07-15 Carl Zeiss:Fa 放射偏光光学構造及びそれを有するマイクロリソグラフィ投影露光装置
JPH11514106A (ja) * 1996-08-16 1999-11-30 カール−ツアイス−シュティフテュング・ハンデルンド・アルツ・カール・ツアイス 二酸化ゲルマニウムガラスを含む紫外線用色消しレンズ光学系
JPH10256143A (ja) * 1997-03-10 1998-09-25 Nikon Corp 露光装置
JPH10270312A (ja) * 1997-03-24 1998-10-09 Canon Inc 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
JPH10270352A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 集積回路製造用露光装置
WO1998048451A1 (fr) * 1997-04-18 1998-10-29 Nikon Corporation Aligneur, procede d'exposition mettant en oeuvre ledit aligneur et procede de fabrication d'un dispositif de circuit
WO1998048452A1 (fr) * 1997-04-18 1998-10-29 Nikon Corporation Procede et dispositif de commande de l'exposition, procede et dispositif d'exposition, et procede de fabrication dudit dispositif

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004031949A (ja) * 2002-06-11 2004-01-29 Asml Holding Nv マイクロリソグラフィー系、マイクロリソグラフィー用の照明系及び基板を露光する方法
JP2011009780A (ja) * 2002-06-11 2011-01-13 Asml Holding Nv マイクロリソグラフィー系、マイクロリソグラフィー用の照明系及び基板を露光する方法
JPWO2004086121A1 (ja) * 2003-03-24 2006-06-29 株式会社ニコン 光学素子、光学系、レーザ装置、露光装置、マスク検査装置、及び高分子結晶の加工装置
JP4862398B2 (ja) * 2003-03-24 2012-01-25 株式会社ニコン 光学素子、光学系、レーザ装置、露光装置、被検物検査装置、及び高分子結晶の加工装置
JP2005294840A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Asml Holding Nv フィールド高さ及び瞳の変更を許容する照明システム及び方法
WO2011119846A2 (en) * 2010-03-24 2011-09-29 Jacksen International, Ltd Fade out optical light masking projector system
WO2011119846A3 (en) * 2010-03-24 2012-02-02 Jacksen International, Ltd Fade out optical light masking projector system

Also Published As

Publication number Publication date
EP1006411A2 (de) 2000-06-07
TW418348B (en) 2001-01-11
KR20000034917A (ko) 2000-06-26
EP1006411A3 (de) 2001-09-05
DE19855106A1 (de) 2000-05-31
US6243206B1 (en) 2001-06-05
KR100768111B1 (ko) 2007-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000173918A (ja) Euvマイクロリソグラフィ用照明装置
US4918583A (en) Illuminating optical device
US5650877A (en) Imaging system for deep ultraviolet lithography
JP4169374B2 (ja) 投影マイクロリソグラフィ装置の照明手段
US6535273B1 (en) Microlithographic illumination system with depolarizer
KR100876153B1 (ko) 비구면 요소를 갖는 투영 노출 렌즈 시스템
KR101163435B1 (ko) 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JP3913287B2 (ja) フォトリソグラフィー用ハイブリッド照明系
US6636295B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
US5241423A (en) High resolution reduction catadioptric relay lens
TW451076B (en) Optical projection lens system
TWI420249B (zh) 投影曝光裝置、投影曝光方法及投影物
JP2002203784A5 (ja)
WO2005078522A2 (en) Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
US6857764B2 (en) Illumination optical system and exposure apparatus having the same
JP2002116379A (ja) マイクロリソグラフィ用の照明システム
JP2001176789A (ja) 投影露光装置および該投影露光装置を用いたデバイスの製造方法
JP2002516650A (ja) 投影光源
KR100888011B1 (ko) 리소그래피 시스템의 조명 시스템에서 사용되는 릴레이렌즈
JP2003178970A (ja) マイクロリソグラフィで利用される最新式照射システム
US20050231702A1 (en) Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method using the same
JP2004335575A (ja) 露光装置
KR20090006747A (ko) 노광장치, 광학 소자의 선별방법 및 디바이스 제조방법
JP2712342B2 (ja) 照明光学装置およびそれを用いた露光装置
JPS6380243A (ja) 露光装置用照明光学装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20040901

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061109

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080822

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20080822

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20080901

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20080901

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090413

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090914