TW418348B - Illuminating system for vacuum ultraviolet microlithography - Google Patents

Illuminating system for vacuum ultraviolet microlithography Download PDF

Info

Publication number
TW418348B
TW418348B TW088120485A TW88120485A TW418348B TW 418348 B TW418348 B TW 418348B TW 088120485 A TW088120485 A TW 088120485A TW 88120485 A TW88120485 A TW 88120485A TW 418348 B TW418348 B TW 418348B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
item
patent application
lighting system
scope
caf2
Prior art date
Application number
TW088120485A
Other languages
English (en)
Inventor
Johannes Wangler
Original Assignee
Zeiss Stiftung
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zeiss Stiftung filed Critical Zeiss Stiftung
Application granted granted Critical
Publication of TW418348B publication Critical patent/TW418348B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70183—Zoom systems for adjusting beam diameter
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/14—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation
    • G02B13/143—Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation for use with ultraviolet radiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0927—Systems for changing the beam intensity distribution, e.g. Gaussian to top-hat
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938—Using specific optical elements
    • G02B27/095—Refractive optical elements
    • G02B27/0955—Lenses
    • G02B27/0961—Lens arrays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lenses (AREA)

Description

4 18348 A7 B7 五、發明說明（/ ) 激元雷射中157奈米的技術來自於低波長 微顯影投影照明設備之技術之發展。這丨5 7奈来之 技術已發展一段時曰。 在深紫外線範圍中，經驗顯示一適合的照明系 5統配上不同之元件及功能對於157奈米之技術十^ 必要.，因為要能均勾的、遠心的照明_相#大的場 域’同時具有可選擇的相干度口。 在此與之相關問題是傳導材料之取得受到極大 的限制。祗有氟化鈣為一己確立之光學材料，且且 Μ有足夠的r穿透力。其他敗化物為不可使用，但是了 必須注意到光路要儘量減短’因為與深紫外線系統 相較，鏡片之吸收顯著的增高’同時抗輻射之能九 也相對減低。 由上文的說明可了解本發明的目的係提供一照 15明系統，此系統可在真空紫外線範圍之内滿足這些 不同的需要。 在德國專利申請案DE 195 2〇 563 A1號中揭示 一照明裝置，此裝置使用在深紫外線之微顯影投影 设備中，該文以參考形式包含在本發明中。本發明 20即建立在該專利之教導上，但在光線混合元件不 同，因為玻璃棒長度造成高吸收量。因此本發明採 用在其他傳統照明系統之蜂巢形聚光器。 本發明的說明僅使用單一圖式（圖丨）以解說， 該圖為依據本發明之照明系統實施例之示意圖。 本紙張反度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----Γ---Ί訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 A7 B7 418345 五、發明說明（Λ ) 在圖一中，1為真空紫外線（vuv)激元雷射， 尤其是波長為157奈米的F2雷射。光束傳輸及延 展系統2將雷射光提供給投影照明裝置’並調整光 束配合所需。光導值（即拉格朗曰不變量Lagrange 5 invariant)非常的小，因為雷射1的極低的發散（約 1 mrad)不足充滿（或照明）一投影物鏡所需孔徑及所 具有之照明場域。 微透鏡陣列3及5最妤由氟化鈣材料所製造同 時能獲得一增大之光導值。一可以配合相干度（或 10 光曈充滿度）的變焦物鏡（4)安置其中。一可調旋轉 三稜鏡，如己知之使用方式，可以整合於變焦物鏡 4之中，-尤其如此可以造成一可變環形孔徑之照 明。 第二微透鏡陣列5中最好具有同樣形狀的個別 15 元件，該個別元件與投影物鏡中之遮蔽罩、物體場 域及影像場域皆為相同比例。該個別元件特別為一 長方形。 元件6為一擴散屏’在此可選配使用並具有一 漫散射。例如，元件6可為一银刻的氟化妈圓片以 20 改進光導值及均勻性。 元件7及7b為蜂巢式聚光器之兩透鏡光柵。 元件7a及7b可以組合為微透鏡陣列，如美國阿拉 巴馬州亨茲維爾（Huntsville)泰勒載布朗工程公 司（Teledyne Brown Engineer)所販售者。或者， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----Ί---丨訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4183484⑽4终
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（多） 元件7a及7b亦可包含一交錯式圓柱形堆疊組合， 如Y.A.Carts在1991年。月「雷射焦距世界」 Focus World)期刊第39頁中所發表的「圓柱形透 鏡陣列均勻激元光束」（Cylindrical “μ Amys homogenize ExcimerBeams)文章所描述的。光柵元 件之數里以次羃等級增多。例如，一個4x4cm2橫 切面就具有1〇2至1〇3甚至更多的厚度為imm棍狀 透鏡，即，其陣列中之元件數量為一個次羃等級。 兩個透鏡光柵元件（7a，7b)設置於蜂巢聚光器中相 對的焦距平面上’這與上述Y_AXarts所設計的不 同。本發明中以氟化鈣或其他氟化物為材料。蜂巢 聚光之直徑可延伸至100mm。 —— 一中繼光學元件8，一個平面偏向鏡9及場透 鏡10設置在兩透鏡光栅（7a，7b)之下游。最好是， 其中含有非球面透鏡以減低透鏡之數量及玻璃厚 度。最好* 一遮蔽單系統12亦整合在内，意即， 一場光闌可以精確的將影像投射至遮蔽罩u上。 遮蔽罩光罩系統1 2之光束橫切面可以調整，例如， 以可移動的孔徑葉片，以精確配合光罩之物場域。 蜂巢聚光器（7a，7b)中眾多的元件，即，其精細 刻故確保當光曈變化時整體場域不論任何方向都能 得到一均勻的效果。相較於僅具有丨〇個元件之己 知陣列，其均勻度及穩定性大為增加。 繞射光學元件（DOE)，二元光學元件及區域板 5 10 15 20 6 C請先«讀背面之注意事項再填寫本頁) ----Γ---;1訂---------線. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ，4彳83 4 8 A7 B7
/! ΊΤ 正 4 t奶牛9月塍止貝; ^-----^一一 五、發明說明（） 元件菲浬爾透鏡（Fresnel lenses)等技術非常適合甩 於增加光導值之元件（3,5)及用於透鏡陣列聚光器 (7a, 7b)中。 本系統結合了所有用於微顯影照明系統必須的 5 功能元件以確保甚至在VUV中能完全的傳輸，如 在1 57奈米中。特別是具有旋轉三稜鏡 '中繼光學 元件8、場透鏡10之變焦物鏡4可以包含反射鏡， 最好是一折反射式系統。.除了氟化妈，其他氟化_物. 如氟化鋇，氟化鰓，氟化納，氟化鋰亦可用於傳導 10 光學元件。 由以上敘述之内容得知本發明之最佳實施例可 以做不同的改變及修正，但又不脫離本發明在申請 專利範圍之精神及範圍。 15 圖式簡單說明： 圖一：一種用於真空紫外線（VUV )微顯影照明备 統之結構示意圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) . * --------訂---------線广;J· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 >： 297公釐） A7 f：. 41ΘΙ48 _B7 五、發明說明) 圖號說明： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
S 1 雷 射 光 3 第 - 微 透 鏡 陣 列 4 變 焦 物 鏡 5 第 - 微 透 鏡 陣 列 6 擴 散 屏 8 中 繼 光 學 元 件 9 平 面 偏 向 鏡 10 場 透 鏡 11 遮 蔽 罩 12 遮 蔽 罩 系 統 —— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 18348 A7 B7 五、發明説明) 表一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 元件 曲率半徑 厚度 材質 Ob - 45.640 1〆 -141.404 7.317 CaF2 -221.495 1.988 2 10014.863 11.476 CaF2 550.762 10.673 3 -15523.603 17.400 CaF2 -221.961 .144 4 1300.540 18.500 CaF2 -265.439 .110 5 418.505 27.260 CaF2 -790.362 .050 6 238.689 6.197 CaF2 125.491 4.512 7 111.036 11.213 CaF2 117.628 42.523 8 -236.214 18.628 CaF2 -169.181 8.977 9 -332.441 12.241 CaF2 243.348 23.482 10 -202.521 10.000 CaF2 815.972 30.627 11 -116.923 11.487 CaF2 823.017 25.597 12 -228.669 23.146 CaF2 ----------Φ----I—’灯------.^.:)「 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製· 暴18348 A7 B7 五、發明説明（子） -168.873 .751 13 -〆 · -1325.421 30.200 CaF2 -274.449 .771 14 5034.234 69.297 CaF2 -237.888 .806 15 293.933 68.217 CaF2 -1091.384 2.061 16 323.344 25.754 CaF2 674.492 .907 17 347.176 13.498 CaF2 202.739 .75.252 18 -241.746 21.276 Quarzglas 249.273 72.000 19 -160.892 32.500 CaF2 -182.327 .750 20 -219.478 19.298 CaF2 -254.487 .751 21 1445.240 89.777 LiF -228.368 1.970 22 5171.138 31.833 CaF2 -640.864 22.361 23 -314.265 15.102 Quarzglas 373.112 2.855 24 391.011 74.429 LiF -590.194 40.000 AP - -40.000 25 376.390 67.000 LiF -682.308 34.467 26 -295.655 16.777 Quarzglas 1269.117 4.300 27 1610.404 89.605 CaF2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0XM7公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製. 418348 A7 B7 五、發明説明（g )
-305.914 .751 2B 443.806 35.289 CaF2 1067.480 .750 29 206.523 54.196 CaF2 481.871 .750 30 238.768 28.328 CaF2 357.025 .750 31 179.002 21.481 CaJF2 239.040 28.958 32 2574.744 19.041 CaF2 870.773 .300 33 115.013 18.212 CaF2 96.781 18.665 34 239.152 6.467 CaF2 222.490 1.580 35 208.024 34.625 CaF2 594.953 3.037 P1 ---- 1.875 CaF2 一 11.259 IM ----------^^1--^---^—訂------線「}~~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 418348 A7 B7 五、發明説明（^) 表二 材質 折射係數 λ = 157,625 λ = 157,635 CaF2 1,55 8423 1,55 8397 LiF 1,47 8109 1,47 8094 Quarzglas 1,65 8774 1,65 8725 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X297公釐） 418346 五、發明説明（/汐） 表二 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
,1T 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 元件 曲率半徑 Ob 00 301 -4088.407 -251.776 302 -162.976 332.656 303 638.323 -201.060 304 376.236 -396.540 305 267.266 -392.008 306 188.384 107.326 307 -861.055 173.499 308 -200.368 402.418 309 -124.647 -884.148 310 -232.499 -168.623 311 -7947.837 -226.212 312 1155.936 -309.718 厚度 材質 34.982 12.912 CaF2 7.160 7.012 CaF2 8.317 22.473 CaF2 .750 20.205 CaF2 .750 33.457 CaF2 .750 8.018 CaF2 24.194 8.364 Quarzglas 24.642 8.851 Quarzglas 26.633 12.381 Quarzglas 13.344 31.578 CaF2 .750 36.667 CaF2 .750 37.063 CaF2 4.962 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） Λ183A8 A7 B7五、發明説明（// ) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 313 /·· ·- 312.669 . 39.669 CaF2 -819.836 -2.577 314 268.974 25.816 CaF2 1540,243 1.206 315 169.903 21.860 CaF2 127.436 50.392 316 -247.837 6.022 Quarzglas 154.186 46.893 317 -128.207 J0.035 Quarzglas 3266.627 39.908 318 -128.717 33.440 CaF2 -162.119 .811 319 -346.157 25.400 CaF2 -225.229 777 320 ----4370.082 43.576 CaF2 -313.397 7.351 321 2290.147 36.497 CaF2 -473.451 10.000 AP 00 -10.000 322 613.402 29.316 CaF2 -2794.107 .750 323 263.709 41.995 CaF2 1088.392 56.916 324 -267.395 31.647 CaF2 -308.065 .966 325 -337.948 25.505 CaF2 -294.154 1.084 326 226.085 28.352 CaF2 549.259 .966 327 123.477 34.813 CaF2 (請先閱讀背面之注意事項再填寫各頁)
本紙張尺度適用中國國家標举（CNS ) A4規格（2iOX29*7公釐） 經濟部中央標準局屬工消費合作社印製 4 1 8348 A7 B7 五、發明説明（/乂） 225.081 .759 328 113.400 26.294 CaP2. 181.384 10.360 329 306.612 9.814 Quarzglas 60.269 10.603 330 72.285 8.840 CaF2 55.167 .750 331 49.774 24.086 CaF2 358.667 4.638 P3 00 2.492 CaF2 00 13.082 IM 00 .000 .0 I — (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

  1. 418348 A8 B8 C8 D8 六、申請寻利範圍 1. 一種用於真空紫外線微顯影的照明系統，其中 包含： 一真空紫外線光源； 至少一由氟化物製造的折射性光學元件； 5 至少一微透鏡陣列做為光導值增強元件；以及 至少一蜂巢形聚光器。 2. 如申請專利範圍第1項所述之照明系統，其中 該折射光學元件為氟化鈣製成。 3. 如申請專利範圍第1項所述之照明系統，其中 10 該蜂巢形聚光器包含交錯的圓柱形陣列。 4. 如申請專利範圍第3項所述之照明系統，其中 該交錯陣列由棍狀透鏡所組成。 5. 如申請專利範圍第1項所述之照明系統，其中 該照明系統更進一步包含下列各項中至少一 15 項：一反射鏡或一個或多個由不同於該氟化物 之第二材料製造的折射光學元件。 6. 如申請專利範圍第1項所述之照明系統，其中 微透鏡陣列為第一微透鏡陣列；且該照明系統 更進一步包含一配置在第一微透鏡陣列下游的 20 第二微透鏡陣列；以及，置於該第一及第二微 透鏡陣列間的一物鏡。 7 ·如申請專利範圍第 6項所述之照明系統，其中 該物鏡為一變焦物鏡以調整相干度。 8.如申請專利範圍第6項所述之照明系統，其中 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） ------------i丨丨]11·--------線---11 (請先閱讀背面之注意事項再瑱寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α8 Β8 C8 D8 4 18348 六、申請寻利範圍 該照明系統目的是照明一場域，且該第二微透 鏡陣列包含多個光柵元件，在幾何形狀上類似 於所要照明之場域。 9. 如申請專利範圍第1項所述之照明系統，其中 5 更進一步包含一中繼光學元件及配置在該蜂巢 形聚光器之光軸下游位置的一場透鏡。 10. 如申請專利範圍第1項之照明系統，其中包含 折射元件，光學孔徑及光學平面鏡。 1 1,如申請專利範圍第1項所述之照明系統，其中 10 該蜂巢形聚光器包含：兩片平板，各板包含由 氟化物材料製造之交錯圓柱形透鏡陣列，且各 該陣列具有為數在 100到 10，ΌΌ0之圓柱形透 鏡、 .. 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之照明系統，其中之陣 15 列由交互堆疊的棍狀元件所組成。 1 3 .如申請專利範圍第1 1項之照明系統，其中陣列 由微結構平板組成。 14.如申請專利範圍第1項之照明系統，其中更進 一步包含一可調整的遮蔽罩系統，此系統配置 20 於該蜂巢形聚光器下游光軸處。 1 5 _如申請專利範圍第1項所述之照明系統，其中 至少一微透鏡陣列及蜂巢形聚光器中至少包含 下列元件：繞射元件，二元光學元件及區域板 元件。 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I n n H 1 n n ala n I * n n hwt I 1 i,J· I* I n n n n I ^1 ΜΊΊ J1 tmw n n j Φ - .tl_ ry (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 418348 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 16.—種蜂巢形聚光器丄_包含兩平板，各該平板包 含由氟化鈣材料製造之交錯圓柱形透鏡陣列， 且各讓陣列具有為數在100到10000的圓柱形 透鏡。 5 1 7 .如申請專利範圍第1 6項之蜂巢形聚光器，其中 兩陣列以交錯堆疊的棍狀元件組成。 18.如申請專利範圍第16項之蜂巢形聚光器，其中 兩陣列以微結構板組成。 (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規狢（210X297公釐）
TW088120485A 1998-11-30 1999-11-24 Illuminating system for vacuum ultraviolet microlithography TW418348B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19855106A DE19855106A1 (de) 1998-11-30 1998-11-30 Beleuchtungssystem für die VUV-Mikrolithographie

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW418348B true TW418348B (en) 2001-01-11

Family

ID=7889444

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088120485A TW418348B (en) 1998-11-30 1999-11-24 Illuminating system for vacuum ultraviolet microlithography

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6243206B1 (zh)
EP (1) EP1006411A3 (zh)
JP (1) JP2000173918A (zh)
KR (1) KR100768111B1 (zh)
DE (1) DE19855106A1 (zh)
TW (1) TW418348B (zh)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7126137B2 (en) * 1998-05-05 2006-10-24 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy
US20070030948A1 (en) * 1998-05-05 2007-02-08 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy
KR20000034967A (ko) * 1998-11-30 2000-06-26 헨켈 카르스텐 수정-렌즈를 갖는 오브젝티브 및 투사 조명 장치
US6635914B2 (en) * 2000-09-08 2003-10-21 Axon Technologies Corp. Microelectronic programmable device and methods of forming and programming the same
US6563567B1 (en) * 1998-12-17 2003-05-13 Nikon Corporation Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus
JP2001174615A (ja) * 1999-04-15 2001-06-29 Nikon Corp 回折光学素子、該素子の製造方法、該素子を備える照明装置、投影露光装置、露光方法、及び光ホモジナイザー、該光ホモジナイザーの製造方法
DE10062579A1 (de) * 1999-12-15 2001-06-21 Nikon Corp Optischer Integrierer,optische Beleuchtungseinrichtung, Photolithographie-Belichtungseinrichtung,und Beobachtungseinrichtung
DE10028756B4 (de) * 2000-06-09 2004-05-06 Forschungsverbund Berlin E.V. Verfahren und Anordnung zur orts- und zeitaufgelösten interferometrischen Charakterisierung von ultrakurzen Laserimpulsen
DE10117025A1 (de) 2001-04-05 2002-10-10 Zeiss Carl Teilchenoptische Vorrichtung,Beleuchtungsvorrichtung und Projektionssystem sowie Verfahren unter Verwendung derselben
JP3977038B2 (ja) 2001-08-27 2007-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置およびレーザ照射方法
DE10151309A1 (de) * 2001-10-17 2003-05-08 Carl Zeiss Semiconductor Mfg S Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie für Lambda <200 nm
US7079321B2 (en) * 2001-10-18 2006-07-18 Asml Holding N.V. Illumination system and method allowing for varying of both field height and pupil
US6813003B2 (en) 2002-06-11 2004-11-02 Mark Oskotsky Advanced illumination system for use in microlithography
US7006295B2 (en) * 2001-10-18 2006-02-28 Asml Holding N.V. Illumination system and method for efficiently illuminating a pattern generator
JP2003288998A (ja) 2002-03-27 2003-10-10 Ushio Inc 極端紫外光源
JP4324957B2 (ja) * 2002-05-27 2009-09-02 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
EP1615067B1 (en) * 2003-03-24 2015-09-23 Nikon Corporation Optical element, optical system, laser device, exposure device, mask testing device, and crystal processing device
WO2005078522A2 (en) * 2004-02-17 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
JP2005294840A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Asml Holding Nv フィールド高さ及び瞳の変更を許容する照明システム及び方法
JP2005310942A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Canon Inc 露光装置、露光方法、及びそれを用いたデバイス製造方法
EP1941313B1 (en) * 2005-10-27 2014-12-03 Yale University An optical system for illumination of an evanescent field
TWI545352B (zh) 2006-02-17 2016-08-11 卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 用於微影投射曝光設備之照明系統
JP5036732B2 (ja) * 2006-02-17 2012-09-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム用の光結合器
JP4261591B2 (ja) * 2007-03-30 2009-04-30 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 照明光学装置および試料検査装置
WO2011119846A2 (en) * 2010-03-24 2011-09-29 Jacksen International, Ltd Fade out optical light masking projector system
DE102013204443A1 (de) * 2013-03-14 2014-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe zur Lichtleitwerterhöhung
DE102015209645A1 (de) * 2015-05-27 2016-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage sowie Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem solchen Beleuchtungssystem

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2196132B (en) * 1984-02-01 1988-12-21 Canon Kk Exposure method and apparatus
JPS60232552A (ja) * 1984-05-02 1985-11-19 Canon Inc 照明光学系
US5719704A (en) * 1991-09-11 1998-02-17 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP3278277B2 (ja) * 1994-01-26 2002-04-30 キヤノン株式会社 投影露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法
JP3368653B2 (ja) * 1994-03-11 2003-01-20 株式会社ニコン 照明方法及び装置、並びに露光方法及び装置
JP3633002B2 (ja) * 1994-05-09 2005-03-30 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及び露光方法
JP3089955B2 (ja) * 1994-10-06 2000-09-18 株式会社ニコン 光リソグラフィー用光学部材及び投影光学系
JP3491212B2 (ja) * 1995-06-23 2004-01-26 株式会社ニコン 露光装置、照明光学装置、照明光学系の設計方法及び露光方法
JPH0925127A (ja) * 1995-07-10 1997-01-28 Nikon Corp 光学素子の製造方法およびそれに用いられる光学素子の成形型
DE19535392A1 (de) * 1995-09-23 1997-03-27 Zeiss Carl Fa Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit
JPH11502040A (ja) * 1995-12-22 1999-02-16 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ ２つのマイクロレンズアレイを有する画像表示装置
US6061179A (en) * 1996-01-23 2000-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Stereoscopic image display apparatus with two-/three-dimensional image display switching function
DE19633128A1 (de) * 1996-08-16 1998-02-19 Zeiss Carl Fa Achromatisches Linsensystem für Ultraviolettstrahlen mit Germaniumdioxid-Glas
US5754278A (en) * 1996-11-27 1998-05-19 Eastman Kodak Company Image transfer illumination system and method
JPH10209028A (ja) * 1997-01-16 1998-08-07 Nikon Corp 照明光学装置及び半導体素子の製造方法
JPH10244392A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー照射装置
JP3743103B2 (ja) * 1997-03-10 2006-02-08 株式会社ニコン 照明光学系の耐久性向上方法とこれを用いた露光装置
JP3005203B2 (ja) * 1997-03-24 2000-01-31 キヤノン株式会社 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
JPH10270352A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 集積回路製造用露光装置
AU6853698A (en) * 1997-04-18 1998-11-13 Nikon Corporation Method and device for exposure control, method and device for exposure, and method of manufacture of device
WO1998048451A1 (fr) * 1997-04-18 1998-10-29 Nikon Corporation Aligneur, procede d'exposition mettant en oeuvre ledit aligneur et procede de fabrication d'un dispositif de circuit
US5844727A (en) * 1997-09-02 1998-12-01 Cymer, Inc. Illumination design for scanning microlithography systems
JP2003506881A (ja) * 1999-07-30 2003-02-18 カール ツァイス シュティフトゥング トレイディング アズ カール ツァイス Ｅｕｖ照明光学系の射出瞳における照明分布の制御

Also Published As

Publication number Publication date
EP1006411A2 (de) 2000-06-07
US6243206B1 (en) 2001-06-05
KR20000034917A (ko) 2000-06-26
JP2000173918A (ja) 2000-06-23
EP1006411A3 (de) 2001-09-05
KR100768111B1 (ko) 2007-10-17
DE19855106A1 (de) 2000-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW418348B (en) Illuminating system for vacuum ultraviolet microlithography
JP3913287B2 (ja) フォトリソグラフィー用ハイブリッド照明系
US6583937B1 (en) Illuminating system of a microlithographic projection exposure arrangement
US6285443B1 (en) Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus
CN101681123B (zh) 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
US4918583A (en) Illuminating optical device
JP3005203B2 (ja) 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
US5594526A (en) Optical integrator and projection exposure apparatus using the same
JP5850267B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
TW451076B (en) Optical projection lens system
KR101813307B1 (ko) 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템
JPH06214318A (ja) 反射型ホモジナイザーおよび反射型照明光学装置
TW200931061A (en) Spatial light modulation unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JPH1154426A (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3877517B2 (ja) リソグラフィ装置用照明器、そのような照明器を含むリソグラフィ装置、およびそのようなリソグラフィ装置を使う製造方法
JP2997351B2 (ja) 照明光学装置
EP2253997A2 (en) Illumination system for a microlithographic contact and proximity exposure apparatus
JP2008530788A (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置
JP2005503011A (ja) ズーム系、特にマイクロリソグラフィ投影露光システムの照明装置用のズーム系
TW200401336A (en) Optical integrator, optical illumination device, exposure device and exposure method
JP2002516650A (ja) 投影光源
TW574633B (en) Advanced illumination system for use in microlithography
JP7029564B2 (ja) カタディオプトリック光学系、照明光学系、露光装置および物品製造方法
US9720327B2 (en) Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
JP2004335575A (ja) 露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees