JP4169374B2 - 投影マイクロリソグラフィ装置の照明手段 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザーと、対物レンズとを有する投影マイクロリソグラフィ装置の照明手段に関する。
【0002】
【従来の技術】
そのような手段は、たとえば、まだ公開されていない特許出願DE−P4421053の中に記載されている。
【0003】
マイクロリソグラフィ用の光源としては主にレーザーが使用されるが、その理由は、レーザーが非常に帯域幅の狭い光を発射し、エキシマレーザーの場合には、深紫外線範囲の、非常に波長の短い光を発射する。ところが、レーザーの時間的コヒーレンス及び空間的コヒーレンス、並びに光束の小さな横断面と小さな発散は、マイクロリソグラフィ用照明手段の状況には適合していない。
【0004】
光束横断面の個々の結像光学素子によって横断面と発散を変化させることはできず、光導値(Lichtleitwert )を増加させることはできない(M.Youngの「Optics and Lasers」(ベルリン、1984年刊)の51ページ、並びにK.Muetzeの「ABC der Optik」(ハーナウ,1961年刊)の477ページ以降を参照)。光導値の維持を伴ってごく類似しているのはラグランジェ定数である(先に挙げたYoungの文献の50/51ページを参照)。
【0005】
光導値を増加させるために、散乱素子が知られている。この目的では、通常、屈折作用、反射作用又は回折作用を及ぼす統計的に向きを定められたマイクロ面を有するマットエッチング処理済みのガラス板又は石英ガラス板が用いられている。そのような散乱板の散乱プロファイルは中央部分がきわめて大きく強調されているが、角度が大きいときには、分布の尾部でもなお著しいエネルギーを分布させる。
【0006】
発散と横断面の拡大を伴う目的にかなったビーム分布は、UV範囲及びDUV範囲で得られるレンズラスタ(Linsenrastern )によって実現できる。
石英の回折光学ラスタ素子はフォトリソグラフィによって様々に異なる構成で製造でき、それらをラスタレンズ板の代わりに使用できる。
【0007】
欧州特許第0312341号は、ウェハステッパと、投影対物レンズと、エキシマレーザーと、ビーム整形・拡張光学系と、複数のレンズ群を有する照明光学系とを含み、照明光学系の入射瞳と、別の平面とに2つの発散発生素子が設けられているようなウェハ露光装置を説明している。本発明の場合とは異なり、第2の平面は瞳平面でもあり、2つの素子は散乱ケイ素結晶を含む確率的散乱円板である。さらに、振動ミラーも設けられている。
【0008】
この全体が空間的コヒーレンスを減少させるのに有用である。ウェハ露光装置の有効光源の拡大によって空間的コヒーレンスを適合させることの意味を説明する。
【0009】
2つの散乱円板はアナモルフォティック作用をもつことができない。ズーム,アキシコン及びガラス棒は説明されていない。同心の多段リングを有するブレーズされた伝達格子の形態をとる、ラスタ状ではない回折光学素子が波面の収差を修正するために投影対物レンズの瞳に設けられている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、高い効率をもって妥当な複雑さで適切な形状の光の点、発散、コヒーレンス及び均質性を伴ってウェハの照明を可能し、しかも、ウェハステッパとしても、ウェハスキャナとしても使用できる冒頭に述べた種類の照明手段を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
この課題は、請求項1の特徴を有する照明手段によって解決される。それによれば、レーザーと、対物レンズとを有する投影マイクロリソグラフィ装置の照明手段の場合、物体平面と、対物レンズの射出瞳又はそれと等価の平面に、二次元配列の回折素子を有する光学ラスタ素子が1つずつ配置されている。
【0012】
そのように配置されたそれら2つのラスタ素子により、光束の整形のために必要なレーザー光の発散拡大を目的に合わせて利用でき、最良の効率が得られると共に、その他の光学素子群の構成をきわめて単純にすることができる。
【0013】
特に有利な一実施形態を図面に示し、以下の本発明のさらに詳細な説明のために利用する。
【0014】
【発明の実施の形態】
図1は、同じ出願人の公開されていない出願DE−P4421053の中に図4d(レーザー1から第2の回折光学素子8まで)と図4c(レチクル7まで)を組合わせたものとして十分に説明されている。新規なのは第1の回折光学素子9と、第2の回折光学素子8との協働である。
【0015】
レーザー1は、たとえば、欧州特許第0312341号の中に提示されているような、深紫外線(DUV)範囲のマイクロリソグラフィではよく使用される、波長が248nmのKrFエキシマレーザーである。
【0016】
たとえば、ドイツ特許公告公報第4124311号によるミラー構造などのビームエキスパンダ14はコヒーレンスを減少させると共に、ビームの横断面を、たとえば、y=35±10mm、x=10±5mmまで拡大する。
シャッタ13は、レーザー1の適切なパルス制御も適用できる。
【0017】
本発明によれば、第1の回折光学ラスタ素子9が設けられており、この素子は対物レンズ2の物体平面を形成し、対物レンズの射出瞳には第2の回折光学ラスタ素子8が位置している。
【0018】
入射光学系4は光をガラス棒5の入射面5eに伝達し、ガラス棒5は複数回の内部反射によって光を混合し且つ均質化する。射出面5aのすぐそばには、調整自在の視野絞りであるレチクルマスキングシステム(REMA)51が配置された中間視野平面がある。レンズ群61,63,65と、方向転換ミラー64と、瞳平面62とを含むその後に続く対物レンズ6は、レチクルマスキングシステム51の中間視野平面をレチクル7上に結像する。
【0019】
この照明光学系は、投影対物レンズ及び調整自在のウェハホルダと共に、電子素子のみならず、光学回折素子及び他の顕微構造素子から成るマイクロリソグラフィ用投影照明装置を形成する。
【0020】
ウェハステッパの場合、チップに対応する構造をもつ面全体、一般には、たとえば、1:1から1:2、特に1:1.3の任意の縦横比を有する矩形をできる限り一様に、また、縁部をできる限り鮮明に、レチクル7の上で照明する。
ウェハスキャナの場合には、レチクル7の上で、細いストライプ、すなわち、1:2から1:8の縦横比を有する矩形を照明し、走査により、チップの構造を含む視野の全体を逐次照明して行く。この場合にも、(走査方向に対して垂直な方向にのみ)きわめて一様で、縁部が鮮明な照明を構成できる。
【0021】
例外的なケースでは別の形状の照明面をレチクル7で得ることも可能である。レチクルマスキングシステム51の開口とガラス棒5の横断面は、必要とされる形状に厳密に適合されている。
ガラス棒5の前方に配置される素子、特に光学ラスタ素子8及び9の構成は、入射開口5eができる限り均質になるばかりでなく、できる限り高い効率をもって、すなわち、入射開口5eとの付近で大きな光の損失を生じることなく照明が行われるように選択されている。
【0022】
このために、以下のような措置がとられている。ビームエキスパンダ14から射出する平行な光のビームは矩形の横断面を有し、その発散度はθx=1mrad,θy=3mradと回転対称ではない。このビームは、第1の回折ラスタ素子9によって、発散度、すなわち、光導値とその形状について、ほぼ円形,環形又は四重極分布を生じる程度にのみ変化され、その結果、第2のラスタ素子8の場所にある対物レンズ2の射出瞳も対応する形状で照明される。第1の回折ラスタ素子9の開口数は、たとえば、NA=0.025になる。
【0023】
対物レンズ2の物体平面で発散度が小さくなると、対物レンズ2を小さいレンズ直径で妥当なコストにより、適切な修正を容易に実行でき且つズーム領域を広くとれるように構成することが可能である。瞳が回転対称であるため、レンズの横断面は光束により十分に利用される。対物レンズ2の要求される開口数は、たとえば、0.025にすぎない。
【0024】
ドイツ特許第4421053号の中で記載されているように、対物レンズ2は1対のアキシコン21を一体に組込んだズーム対物レンズ22である。焦点距離は三重拡張領域を伴って600mmから2000mmの範囲であるので、通常必要とされる値0.3≦σ≦0.9を有する一部コヒーレントな照明を実現できる。その場合、第2の回折素子8の瞳直径は50mmから100mmとなる。
1対のアキシコン21の調整により、より適切な環状開口照明を設定できる。加えて、付加的な絞りを設けるか又は1対のアキシコン21を特殊な角錐形とすることによって、多極照明、特に四重極照明を発生させることができる。
【0025】
対物レンズ2は、ドイツ特許第4421053号に記載されている実施形態とは異なり、開口数を小さくすることによって簡易化されている。さらに、第1のラスタ素子9が二次光源として焦点面に位置し、第2のラスタ素子8は平行光路に位置している(像幅∞)ので、対物レンズ2はコンデンサである。1対のアキシコン22も平行光路に配置されている。
第2のラスタ素子8は個々の角度の発散をもたらし、しかも、それは、ガラス棒5の入射面5eの縦横比、すなわち、ウェハステッパの場合には、たとえば、1:1.3の縦横比に対応する縦横比をもつ矩形分布を伴う。
【0026】
そこで、第2の光学素子8が配置されている瞳中間平面で発生する発散分布を入射光学系4を介して視野分布としてガラス棒5の入射面5eに伝達されると、それは入射面5eに厳密に対応する形状と大きさを有する。
【0027】
図2は、第1のラスタ素子9の特に有利な構成として、二次元ラスタの1つの素子91の平面図を示す。発生させるべき回転対称形の発散分布に最も良く対応させることができるという理由により、素子91は六角形であり、辺の離間距離rは典型的には1mmである。素子91は蜂の巣状に組立てられて、二次元ラスタ素子9を形成する。レーザー波長ラムダが248nmであるとき、出来上がる回折パターンの周期数は、0.014°の角度に対応して、ラムダ/r=2.48・10-4である。したがって、入射するレーザービームは1ミリメートル未満の空間コヒーレンスを有し且つ発散は1桁大きくなるので、干渉パターンは発生しない。
【0028】
ラスタの素子91は凹形回折フレネルレンズである。素子は、(π/4)・ラムダの厚さを有する8つの環状の段911〜914等々を有する(図2では、段は4つしか示されていない)。それらの段は最小構造幅を1μmとするフォトリソグラフィとエッチングによって製造される。
【0029】
素子91の開口はわずかNA=0.025である。多数の素子91を組立てて、矩形の回折光学ラスタ素子9を形成し、ラスタ素子9は入射するレーザービームの横断面全体を覆う。回折効率は80%を越える。
【0030】
これにより、対物レンズ2の射出瞳、すなわち、第2の回折光学ラスタ素子8の場所で達成される半径方向輝度分布は、横断面として見ると、矩形関数に非常に良く近似しており、縁部脱落は連続し且つ急傾斜であって、幅の0.9倍、特に0.95倍を越えるとき50%の点を含む。その間に、輝度の推移は非常に均質になり、回転対称リプルは±5%以下であり、レーザー1の空間コヒーレンスと発散によって決まる。
【0031】
第2の回折光学ラスタ素子8は、アナモルフォティック作用の強い直径が50mmから100mmの円板である。この素子は複数の回転対称構造をもつ、並列された二次元矩形素子81から構成されている。それらの素子81のうち1つが図3aに平面図で概略的に示されている。辺の比x/yはガラス棒5の入射面5e及びレチクル7で照明される面の縦横比に対応し、この場合にはx=1.5mm,y=2mmである。素子81の大きさについても、素子91に関して述べたことが当てはまる。素子81の数は、コヒーレンス度σの調整が妨害作用を伴わずに0.3から0.9のままであるような数である。
【0032】
素子81も、約−10.5mmの負の焦点距離を有する回折フレネルレンズ素子である。それらの素子は、0から6πxラムダの不変の厚さ推移を有するグラウトンレンズとして製造されている。図3aのx方向の横断面を示す図3bを参照すると、厚さは3つのリング811から81iとして変化している。
発生する発散は、ガラス棒5の入射面5eの縦横比に対応するx/y縦横比をもって、0.5°から7°である。
【0033】
あるいは、図3cの横断面に示すように、素子81を2進回折位相プロファイルレンズとして構成することもできる。すなわち、一様な高さπ・ラムダを有するが、幅も、間隔も異なるバー821〜82iが回折構造として設けられている。エッチングの深さが少ないという利点はあるが、構造の幅が縮小するという問題もある。
【0034】
図1に示す構造における第2の回折光学ラスタ素子8の全体は、ガラス棒5の入射面5eにおいて、均質な輝度分布をもたらし、x方向とy方向に、高い面の領域で第1の回折ラスタ素子9により与えられたラスタ素子8の入射側の強さ分布と同じ縁部勾配と波形状を有する近似矩形関数をそれぞれ発生させる。
輝度分布がこのように均質であると、全ての材料横断面は一様になり且つ害を及ぼす輝度ピークなしに照射されるので、後続する光学系、特にガラス棒の照射エネルギーは非常に高くなる。
実施形態で示した回折光学ラスタ素子の代わりに、UV固定材料、特に石英から成る屈折レンズラスタを使用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による照明手段の概略的概観図。
【図2】 第1の回折光学素子の1つのラスタ素子の概略的平面図とその位相プロファイルを示す図。
【図3】 第2の回折光学素子の1つのラスタ素子の概略的平面図(a)、そ回折ラスタ素子の位相プロファイルの図(b)と別の2進回折光学素子の位相プロファイルを示す図(c)。
【符号の説明】
1…レーザー、2…対物レンズ、4…入射光学系、5…ガラス棒、5e…入射面、8…第2の回折光学素子、9…第1の回折光学素子、14…ビームエキスパンダ、21,22…1対のアキシコン、81,91…ラスタ素子。

Claims (19)

  1. 投影マイクロリソグラフィ装置の照明手段であって、
    レーザー(1) を備え、
    このレーザー(1) からのレーザービームを受けて横断面で矩形の発散分布の光束にするビームエキスパンダ(14)を備え、
    射出瞳および物体平面を持つレンズ(2)を備え、
    このレンズ(2) の前記物体平面またはそれの等価平面に配設された、多数の回折素子 (91) の二次元配列から成る第1の光学ラスタ素子(9)を備え、
    前記レンズ(2) の前記射出瞳またはそれの等価の面に配設された、多数の回折素子 (81) の二次元配列から成る第2の光学ラスタ素子(8)を備え、
    前記第1の光学ラスタ素子(9) は、ビームエキスパンダからの光束の矩形の発散分布を、前記円形,環形又は四重極形状の射出側での分布に変形させ、
    前記第2の光学ラスタ素子(8) は、方向によって決まる発散を生じさせる、
    ことを特徴とする、投影マイクロリソグラフィ装置の照明手段。
  2. 請求項1記載の照明手段において、前記第1の光学ラスタ素子(9) の射出側での発散分布は、レンズ(2) が0.1未満の開口数しか必要としないように狭い、ことを特徴とする照明手段。
  3. 請求項1記載の照明手段において、前記第1の光学ラスタ素子(9) の射出側での発散分布は、レンズ(2) が0.03未満の開口数しか必要としないように狭い、ことを特徴とする照明手段。
  4. 請求項1〜3の何れか1項に記載の照明手段において、前記第2の光学ラスタ素子(8) は、照明手段の瞳として規定された平面であるレンズ(2) の前記射出瞳に配置されており、且つ発散を何倍にも増加させる、ことを特徴とする照明手段。
  5. 請求項1〜4の何れか1項に記載の照明手段において、前記第2の光学ラスタ素子(8) は、照明される照明視野が矩形になるように、発散分布をアナモルフォティックに変形させる、ことを特徴とする照明手段。
  6. 請求項5に記載の照明手段において、矩形の照明視野の縦横比は1:1から1:2の範囲にあり、ウェハステッパに適している、ことを特徴とする照明手段。
  7. 請求項5に記載の照明手段において、矩形の照明視野の縦横比は1:2から1:8の範囲にあり、ウェハスキャナに適している、ことを特徴とする照明手段。
  8. 請求項1〜7の何れか1項に記載の照明手段において、前記レンズ(2) はズームレンズである、ことを特徴とする照明手段。
  9. 請求項1〜8の何れか1項に記載の照明手段において、前記レンズ(2) は、選択的に環状照明を発生させ得る1対の調整自在のアキシコン(21)を含む、ことを特徴とする照明手段。
  10. 請求項1〜9の何れか1項に記載の照明手段において、前記第2の光学ラスタ素子(8) の後に入射光学系(4) と、均質化ガラス棒(5) とが続いていて、前記ガラス棒(5) の横断面は照明手段の照明視野の縦横比に適合されている、ことを特徴とする照明手段。
  11. 請求項1〜10の何れか1項に記載の照明手段において、前記レーザー(1) と前記第1の光学ラスタ素子(9) との間に、ビーム横断面を拡大させ且つコヒーレンスを減少させるミラー構造(14)が設けられている、ことを特徴とする照明手段。
  12. 請求項1〜11の何れか1項に記載の照明手段において、前記光学ラスタ素子(9,8) は多数の位相段フレネルレンズ(91,81) から構成されている、ことを特徴とする照明手段。
  13. 請求項12に記載の照明手段において、前記位相段フレネルレンズ(91,81) は8つまでの段を有する、ことを特徴とする照明手段。
  14. 請求項11または12に記載の照明手段において、前記光学ラスタ素子(9,8) は、2進方式の光学素子である(図3c)ことを特徴とする照明手段。
  15. 請求項12に記載の照明手段において、前記フレネルレンズ(91,81)は1μmの最小構造幅を有し、マイクロリソグラフィによって形成される、ことを特徴とする照明手段。
  16. 請求項1215の何れか1項に記載の照明手段において、前記光学ラスタの各回折素子は1mmの大きさの寸法を有する、ことを特徴とする照明手段。
  17. 請求項1216の何れか1項に記載の照明手段において、前記フレネルレンズ(91,81)は、非周期的位相シフトを除き、二次元で周期的に配列されている、ことを特徴とする照明手段。
  18. 請求項1〜17の何れか1項に記載の照明手段において、前記光学ラスタ素子(9,8)は、負の焦点距離を有する、ことを特徴とする照明手段。
  19. 請求項1〜18の何れか1項に記載の照明手段において、前記ラスタ素子(9,8) は光導値を向上させる、ことを特徴とする照明手段。
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Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6741394B1 (en) 1998-03-12 2004-05-25 Nikon Corporation Optical integrator, illumination optical apparatus, exposure apparatus and observation apparatus
DE69931690T2 (de) 1998-04-08 2007-06-14 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat
EP0949541B1 (en) * 1998-04-08 2006-06-07 ASML Netherlands B.V. Lithography apparatus
DE19829612A1 (de) * 1998-07-02 2000-01-05 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem der Mikrolithographie mit Depolarisator
DE19855108A1 (de) 1998-11-30 2000-05-31 Zeiss Carl Fa Mikrolithographisches Reduktionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage und -Verfahren
US6563567B1 (en) 1998-12-17 2003-05-13 Nikon Corporation Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus
JP2001174615A (ja) 1999-04-15 2001-06-29 Nikon Corp 回折光学素子、該素子の製造方法、該素子を備える照明装置、投影露光装置、露光方法、及び光ホモジナイザー、該光ホモジナイザーの製造方法
TW587199B (en) 1999-09-29 2004-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic method and apparatus
EP1170635B1 (en) * 2000-07-05 2006-06-07 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
TW498408B (en) 2000-07-05 2002-08-11 Asm Lithography Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
DE10065198A1 (de) 2000-12-20 2002-07-11 Zeiss Carl Lichtintegrator für eine Beleuchtungseinrichtung
US6683728B2 (en) 2001-03-20 2004-01-27 Carl-Zeiss-Stiftung Illumination system with reduced energy loading
DE10117025A1 (de) 2001-04-05 2002-10-10 Zeiss Carl Teilchenoptische Vorrichtung,Beleuchtungsvorrichtung und Projektionssystem sowie Verfahren unter Verwendung derselben
DE10120425C2 (de) 2001-04-26 2003-12-18 Leica Microsystems Scanmikroskop
DE10132988B4 (de) 2001-07-06 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage
DE10144243A1 (de) 2001-09-05 2003-03-20 Zeiss Carl Zoom-System für eine Beleuchtungseinrichtung
DE10144246A1 (de) * 2001-09-05 2003-03-20 Zeiss Carl Zoom-System für eine Beleuchtungseinrichtung
DE10144244A1 (de) 2001-09-05 2003-03-20 Zeiss Carl Zoom-System, insbesondere für eine Beleuchtungseinrichtung
US7006295B2 (en) 2001-10-18 2006-02-28 Asml Holding N.V. Illumination system and method for efficiently illuminating a pattern generator
US7079321B2 (en) 2001-10-18 2006-07-18 Asml Holding N.V. Illumination system and method allowing for varying of both field height and pupil
US6775069B2 (en) 2001-10-18 2004-08-10 Asml Holding N.V. Advanced illumination system for use in microlithography
US6813003B2 (en) 2002-06-11 2004-11-02 Mark Oskotsky Advanced illumination system for use in microlithography
TWI332682B (en) 2002-09-19 2010-11-01 Semiconductor Energy Lab Beam homogenizer and laser irradiation apparatus and method of manufacturing semiconductor device
SG137674A1 (en) * 2003-04-24 2007-12-28 Semiconductor Energy Lab Beam homogenizer, laser irradiation apparatus, and method for manufacturing semiconductor device
US7511886B2 (en) 2003-05-13 2009-03-31 Carl Zeiss Smt Ag Optical beam transformation system and illumination system comprising an optical beam transformation system
WO2005006079A1 (de) * 2003-07-07 2005-01-20 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage
WO2005024516A2 (de) 2003-08-14 2005-03-17 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage
EP1668421A2 (en) * 2003-09-12 2006-06-14 Carl Zeiss SMT AG Illumination system for a microlithography projection exposure installation
DE10343333A1 (de) * 2003-09-12 2005-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
US7408616B2 (en) 2003-09-26 2008-08-05 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method
US20070019179A1 (en) 2004-01-16 2007-01-25 Damian Fiolka Polarization-modulating optical element
ATE539383T1 (de) 2004-01-16 2012-01-15 Zeiss Carl Smt Gmbh Projektionssystem mit einem polarisationsmodulierenden optischen element mit variabler dicke
US8270077B2 (en) 2004-01-16 2012-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
KR101170182B1 (ko) * 2004-02-17 2012-08-01 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로 리소그래피 투영 노광 장치용 조명 시스템
DE102004010569A1 (de) * 2004-02-26 2005-09-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
DE102004011746A1 (de) * 2004-03-02 2005-09-22 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
EP1586946A3 (en) * 2004-04-14 2007-01-17 Carl Zeiss SMT AG Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
US7324280B2 (en) 2004-05-25 2008-01-29 Asml Holding N.V. Apparatus for providing a pattern of polarization
US7283209B2 (en) 2004-07-09 2007-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
EP1621930A3 (en) * 2004-07-29 2011-07-06 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
US8134687B2 (en) 2004-08-23 2012-03-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system of a microlithographic exposure apparatus
DE102005042005A1 (de) 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
DE102004063314A1 (de) 2004-12-23 2006-07-13 Carl Zeiss Smt Ag Filtereinrichtung für die Kompensation einer asymmetrischen Pupillenausleuchtung
JP2008533728A (ja) 2005-03-15 2008-08-21 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 投影露光方法及びそのための投影露光システム
WO2007093433A1 (de) 2006-02-17 2007-08-23 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die mikro-lithographie, projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen beleuchtungssystem
TWI467255B (zh) 2006-03-27 2015-01-01 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置以及元件製造方法
US7952803B2 (en) * 2006-05-15 2011-05-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006032810A1 (de) 2006-07-14 2008-01-17 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, mikrolithografisches Herstellungsverfahren für Bauelemente sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauelement
DE102007023411A1 (de) 2006-12-28 2008-07-03 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element, Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie mit mindestens einem derartigen optischen Element sowie Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102007025846A1 (de) 2007-06-01 2008-12-11 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem mit wenigstens einem akustooptischen Spiegel
DE102009014146A1 (de) 2008-05-21 2009-11-26 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102009016456A1 (de) 2008-06-03 2009-12-24 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die Mikrolithografie
DE102009025362A1 (de) 2008-08-01 2010-02-04 Carl Zeiss Smt Ag Variabel einstellbare Streuscheibe für Projektionsbelichtungsanlage
DE102009029103A1 (de) 2008-11-20 2010-05-27 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung für eine Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102009030502A1 (de) 2009-06-24 2010-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
CN103293863B (zh) * 2012-02-24 2015-11-18 上海微电子装备有限公司 一种光刻照明系统
DE102014219112A1 (de) 2014-09-23 2016-03-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie sowie Hohlwellenleiter-Komponente hierfür
DE102018201010A1 (de) 2018-01-23 2019-07-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102018201009A1 (de) 2018-01-23 2019-07-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58147708A (ja) * 1982-02-26 1983-09-02 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 照明用光学装置
US4939630A (en) * 1986-09-09 1990-07-03 Nikon Corporation Illumination optical apparatus
US4936665A (en) * 1987-10-25 1990-06-26 Whitney Theodore R High resolution imagery systems and methods
US4918583A (en) * 1988-04-25 1990-04-17 Nikon Corporation Illuminating optical device
EP0967524A3 (en) * 1990-11-15 2000-01-05 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
JP3360686B2 (ja) * 1990-12-27 2002-12-24 株式会社ニコン 照明光学装置および投影露光装置並びに露光方法および素子製造方法
DE4124311A1 (de) * 1991-07-23 1993-01-28 Zeiss Carl Fa Anordnung zur kohaerenzreduktion und strahlformung eines laserstrahls
JP3158691B2 (ja) * 1992-08-07 2001-04-23 株式会社ニコン 露光装置及び方法、並びに照明光学装置
US5636003A (en) * 1992-11-05 1997-06-03 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and scanning exposure apparatus
JP3428055B2 (ja) * 1992-11-05 2003-07-22 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、半導体製造方法および露光方法
KR100310787B1 (ko) * 1992-11-17 2002-01-09 브룩존 렌즈어레이사진석판노출장치와그방법
KR100234357B1 (ko) * 1992-11-21 1999-12-15 윤종용 투영노광장치
DE4342424A1 (de) * 1993-12-13 1995-06-14 Zeiss Carl Fa Beleuchtungseinrichtung für eine Projektions-Mikrolithographie- Belichtungsanlage
US5359388A (en) * 1993-04-02 1994-10-25 General Signal Corporation Microlithographic projection system
EP0687956B2 (de) * 1994-06-17 2005-11-23 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungseinrichtung
US5631721A (en) * 1995-05-24 1997-05-20 Svg Lithography Systems, Inc. Hybrid illumination system for use in photolithography
EP0955641B1 (de) * 1998-05-05 2004-04-28 Carl Zeiss Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
EP1202100A3 (de) * 2000-10-27 2005-04-06 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungssystem mit reduzierter Wärmebelastung

Also Published As

Publication number Publication date
EP0747772A1 (de) 1996-12-11
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