JP2003178970A - マイクロリソグラフィで利用される最新式照射システム - Google Patents
マイクロリソグラフィで利用される最新式照射システムInfo
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Abstract
ーの損失なく、照射領域のサイズを変更させ(すなわ
ち、照射領域を拡大させ)、開口数におけるテレセント
リック照射を保持する。 【解決手段】 本発明は、照射光源と、照射光源ととも
に光路上に配置されたビームコンディショナと、第1回
折アレイと、コンデンサシステムと、第2回折アレイと
を含む照射システムに関する。照射光源は、ビームコン
ディショナを通って、光を第1回折アレイに指向する。
光は、次に、第1回折アレイと第2回折アレイとの間の
光路上に配置されたコンデンサシステムに指向される。
コンデンサシステムは、複数の固定光学要素と複数の可
動光学要素とを含む。複数の可動光学要素は、複数の固
定光学要素とともに光路上に配置されている。
Description
ソグラフィ照射システムに関する。
フィとも呼ばれる)は、半導体デバイス製造技術であ
る。フォトリソグラフィは、半導体デバイス設計におい
て微細なパターンを生成するために紫外光または可視光
を使用する。半導体デバイスの多くのタイプ(例えば、
ダイオード、トランジスタ、集積回路)は、フォトリソ
グラフィ技術を用いて、製造され得る。露光システムま
たはツールは、半導体製造において、エッチングなどの
フォトリソグラフィ技術を実現するために使用される。
露光システムは、一般的には、照射システムと、回路パ
ターンを含むレチクル(いわゆる、マスク)と、投影シ
ステムと、半導体ウェハを覆うフォトレジストをアライ
メントするためのウェハアライメントステージとを含
む。照射システムは、好ましくは矩形スロット照射領域
でレチクルの領域を照射する。その投影システムは、レ
チクル回路パターンの照射された領域のイメージをウェ
ハ上に投影する。
て、その半導体デバイスを製造するために使用されるフ
ォトリソグラフィシステムの各要素に関する要求も増加
している。これは、レチクルを照射するために使用され
る照射システムを含む。例えば、均一な放射を有する照
射領域でレチクルを照射する必要がある。ステップアン
ドスキャンフォトリソグラフィにおいて、照射領域のサ
イズが異なる用途に合わせられ得るように、ウェハスキ
ャン方向に垂直な方向の照射領域のサイズを連続的に変
更する必要性もある。ウェハ処理のスループットをしば
しば制限するある要因は、照射システムの利用可能なエ
ネルギー量である。結果として、エネルギーの損失な
く、照射領域のサイズを変更する必要がある。
ルにおける照射領域の角度分布および特性を保存するこ
とが重要である。この目的を達成するために、照射領域
のサイズが変更する場合に、照射システムは、レチクル
における実質的に固定された開口数で、テレセントリッ
ク照射を保持する必要がある。ある照射システムは、レ
チクルの前に配置された、散乱光学要素(例えば、アレ
イ)を含む。その散乱光学要素は、後にイメージされ、
レチクルにリレーされる所望な角度の光分布を生成す
る。照射領域のサイズを変更する場合、そのような照射
システムでは、散乱光学要素および対応するレチクルに
おける実質的に固定された開口数においてテレセントリ
ック照射を保持する必要がある。
ズを変更し得る。しかしながら、標準的なズームレンズ
において、イメージ拡大率および対応する照射領域のサ
イズは、角倍率に反比例する。したがって、因子Mでイ
メージのサイズを増加させる標準的なズームレンズは、
不利にも、因子1/Mで開口数を減少させ、照射領域の
角度分布を保存することができない。
のサイズを変更する場合、エネルギーの損失なく、照射
領域のサイズを変更させ(すなわち、照射領域を拡大さ
せ)、開口数におけるテレセントリック照射を保持する
必要がある。
トリソグラフィにおける照射システムに関する。より詳
細には、本発明は、光学システムのレチクルにおいて照
射領域のサイズを変更するためのシステムおよび方法に
関する。
よる照射システムは、照射システムと、第1の回折アレ
イと、第2の回折アレイと、その第1の回折アレイと第
2の回折アレイとの間の光路に配置されたコンデンサシ
ステムとを備える。第1の回折アレイは、また、領域空
間アレイと呼ばれ、二重回折アレイである。第1の回折
アレイを通過する光は、特定の開口数を有する。開口数
は、レチクルにおける照射領域のサイズおよび/または
形状を決定する。ある実施形態において、第1の回折ア
レイは、拡大率の異なるオーダの光を通過させることが
でき、かつ、様々な角度で光を屈折できる回折グリッド
である。別の実施形態において、第1の回折アレイは、
様々な角度で光を屈折できる複数のマイクロレンズを含
む。第2の回折アレイは、また、ひとみアレイと呼ば
れ、第1の回折アレイと同様な構造の二重回折アレイで
ある。第2の回折アレイは、第2の回折アレイを通過す
る光によって、レチクルにおいて形成された照射領域の
サイズを拡大、かつ/または、縮小することができる。
ムは、スキャン方向および/またはクロススキャン方向
にパワーを有する複数の円筒レンズおよび/または断面
円筒レンズを備えている。コンデンサシステムは、複数
の固定レンズと複数の可動レンズとを備えている。複数
の固定レンズは、入力レンズと出力レンズとを含む。複
数の可動レンズは、入力レンズと出力レンズとの間で平
行移動可能な複数のレンズを含む。入力レンズと出力レ
ンズとの間で可動レンズを平行移動することにより、コ
ンデンサシステムは、その中を通過する光の倍率を拡大
および/または縮小し、それによりレチクルで光により
形成された照射領域のサイズを拡大および/または縮小
する。ある実施形態では、コンデンサシステムは、2つ
の固定レンズ(入力レンズおよび出力レンズ)と2つの
可動レンズとを含む4つのレンズを有している。別の実
施形態では、コンデンサシステムは、2つの固定レンズ
(入力レンズおよび出力レンズ)と3つの可動レンズと
を含む5つのレンズを有している。さらに別の実施形態
は、異なる数のレンズを含み得る。
ディショナに入射する。ビームコンディショナは光を調
整し、それを第1の回折アレイに指向する。第1の回折
アレイは、調整光を処理する。第1の回折アレイを通過
した調整光は、特定の開口数を有している。第1の回折
アレイを通過した調整光は、異なるサイズおよび/また
は形状の開口数を有し得る。第1の回折アレイからの光
は、コンデンサシステムに入射する。コンデンサシステ
ムは、第1の回折アレイから指向された光を集光する。
集光された光はコンデンサシステム照射領域を形成し、
その後第2の回折アレイを通過する。本明細書中で用い
る場合、用語集光された光は、拡大および/または縮小
された倍率を有する光を意味する。第2の回折アレイ
は、集光された光を処理する。集光された光は、第2の
回折アレイを通過後、レチクルで照射領域を形成する。
照射領域の特性は、開口数のサイズおよび/または形状
により、ならびにコンデンサシステムの光学要素の拡大
率および/または縮小率により決定される。
に本発明の種々の実施形態の構造および動作が、図面を
参照して以下に詳細に説明される。
部を構成する。図面は説明とともに本発明を図示するも
のであり、さらには本発明の原理を説明し、当業者が本
発明を実施したり、使用したりすることを可能にするこ
とに有用である。
面において、同じ参照符号は同じ素子または機能的に類
似した素子を示す。さらに、参照符号の一番左の数は、
その参照符号が初めて登場する図面を示す。
ステムは、第1回折アレイと、第2回折アレイと、該第
1回折アレイと該第2回折アレイとの間の光路上に配置
されたコンデンサシステムとを備え、該コンデンサシス
テムは、複数の固定光学要素と、複数の可動光学要素と
をさらに備え、該可動光学要素は、該複数の固定光学要
素に関して平行移動可能である、光学システムであり、
これにより、上記目的が達成される。
可能な領域空間アレイであってもよい。
可能な領域空間アレイであってもよい。
と、出力レンズ群とを備えてもよい。
をさらに備えてもよい。
面円筒レンズと少なくとも1つの円筒レンズとをさらに
備えてもよい。
可能レンズをさらに備えてもよい。
キャン光学パワーを有する少なくとも1つの円筒レンズ
をさらに備えてもよい。
−0.3〜1:−0.8の範囲のクロススキャン光学パ
ワーを有してよい。
でよい。
学要素と2つの可動光学要素とをさらに備えてもよい。
学要素と3つの可動光学要素とをさらに備えてもよい。
システムで利用されるコンデンサシステムであって、該
照射システムは、入力固定光学系群と、出力固定光学系
群と、該入力固定光学群と該出力固定光学群との間の光
路上に配置されたズーム可能レンズ群とを備え、該ズー
ム可能レンズ群は、該入力固定光学群と該出力固定光学
群とに対して平行移動可能であり、光路に沿った該入力
固定光学群の位置と、該出力固定光学群の位置と、該ズ
ーム可能レンズ群の位置とは、該照射システムの該デリ
ミッタ領域のサイズを変更するように調整可能であり、
これにより、上記目的が達成される。
ズをさらに備えてもよい。
断面円筒レンズと少なくとも1つの円筒レンズとをさら
に備えてもよい。
ン光学パワーを有する少なくとも1つの円筒レンズをさ
らに備えてもよい。
−0.3〜1:−0.8の範囲のクロススキャン光学パ
ワーを有してもよい。
ィック照射システムにおいて、デリミッタ領域を照射す
る方法であって、該方法は、(a)入力固定光学群を使
って光を受け取る工程と、(b)該入力固定光学群とと
もに該光路上に配置されたズーム可能レンズ群を使っ
て、光を拡大する工程または光を縮小する工程の少なく
とも1つの工程と、(c)出力固定光学群から指向され
た光で該デリミッタを照射する工程とを包含し、該工程
(b)は、該ズーム可能レンズ群を該光路に沿って平行
移動させる工程をさらに包含し、該工程(a)から該工
程(c)は、該照射システムで該デリミッタ領域のサイ
ズを変更する工程をさらに包含し、これにより、上記目
的が達成される。
2001年10月18日に出願されたOskotsky
らの米国仮特許出願番号第60/329,758号の優
先権を主張し、その全体を参考として援用する。
ンスト照射システム) (A.例示の照射システム) (B.コンデンサシステム) (B.1.4レンズコンデンサシステム) (B.2.4レンズコンデンサシステムの光路) (B.3.5レンズコンデンサシステム) (B.4.5レンズコンデンサシステムの光路) (2.結論)
形態を参照して本明細書中で説明されるが、本発明はそ
れらの実施形態に限定されないことが理解されるべきで
ある。本明細書中に提供される教示を利用する当業者
は、その範囲および本発明が非常に有用となるさらなる
分野内でのさらなる改変、応用、および実施形態を認識
する。
ためのアドバンスト照射システム) (A.例示の照射システム)図1は、本発明が実行可能
な例示の環境を示す。光学系100は、照射光源(例え
ば、レーザ)101から放射された光113を拡大する
ためのものである。光113は、ビームコンディショナ
102に受け取られる。ビームコンディショナ102
は、光学要素104を照射するために光を調整し、光を
順にマスクまたはレチクル106を通過させて投影光学
要素108を介して基板110上へと進行させる。この
光学系の1つの実施形態は、リソグラフィーシステムな
どであり得る。
ョナ102へ指向する。照射光源101は、ある波長
(例えば、可視領域ではない紫外波長)を有するレーザ
であり得る。本発明の例示の用途では、248ナノメー
トル(nm)、193nm、および157nmを含む波
長を使用するが、これらの波長に限定されない。さら
に、照射光源101は、パルス状のレーザであってもよ
く、連続波レーザであってもよい。ビームコンディショ
ナ102は、照射光源101から受けた光113を調整
する。ビームコンディショナ102は、所定の断面を有
する平行化ビームを生成する。これは、屈折光学システ
ムまたは反射光学システムなどのビーム拡大器によって
達成され得る。例示のビームコンディショナが、S.S
tantonらによる「フォトリソグラフィで使用する
ためのハイブリッド照射システム」(米国特許第5,6
31,721号)に記載され、同特許はその全体が本明
細書中において参考として援用される。
103は、照射光学要素104に入射する。
照射するための照射システム200の実施形態を示す。
照射光学要素104は、照射システム200を含み得
る。照射システム200は、第1の回折アレイまたはフ
ィールドアレイ210と、第2の回折アレイまたは瞳ア
レイ212と、第1の回折アレイ210と第2の回折ア
レイ212との間の光路に配置されたコンデンサシステ
ム220とを含む。照射システム200において、上記
の光学要素は光学軸209に沿って配置される。
に沿ってコンデンサレンズシステム220とともに配置
され、調整された光103を最初に処理する。第1の回
折アレイまたは領域空間アレイ210は、二重回折アレ
イである。第1の回折アレイ210は、1次光、2次
光、3次光およびそれ以上の高次光の通過を可能にする
回折格子またはマイクロレンズアセンブリであり得る。
各次数は、異なる角度における光の通過を表す。第1の
回折アレイ210は、照射システム200に入る調整さ
れた光103の空間的および時間的なコヒーレンス処理
を提供する。さらに、第1の回折アレイ210は、光の
高い透過性を提供する。
220と共に光学軸209に沿って配置される。集光シ
ステム220からの光213は、第2の回折アレイ21
2に入射する。第2の回折アレイ212は、ひとみとし
て作用して、光の大きさを変化させ、デリミッタ領域2
28を形成することができる。第2の回折アレイまたは
ひとみ空間アレイ212はまた、二重回折アレイであ
る。第1の回折アレイ210と同様に、第2の回折アレ
イ212は、回折格子またはマイクロレンズアセンブリ
を含み得る。第2の回折アレイ212は、空間的および
時間的なコヒーレンス処理を提供する。さらに、第2の
回折アレイ212は、光の高い透過性を可能にする。
200を通過した光は、デリミッタ(またはレチクル)
領域228の大きさを変化させ得る。集光システム22
0は、集光システム220を通過する光の大きさを変化
させ、それ故、デリミッタ領域228の光の大きさを変
化させる複数のレンズを含む。集光システム220の複
数のレンズは、光の大きさを拡大する、および/または
縮小させることが可能である。デリミッタ領域228の
大きさおよび/または形状は、どれくらい光がレチクル
106に入射したかを表す。集光システム220は、複
数の円筒レンズおよび/または断面円筒レンズを含む。
集光システム220の実施形態は、図3a〜図4dを参
照してさらに記載される。
210の回折格子の実施形態の簡略化された図を示す。
図5aは、第1の回折アレイ210の側面図を示す。図
5bは、図5aに示される第1の回折アレイ210の平
面図を示す。図5aを参照すると、調整された光103
は、第1の回折アレイ210の回折格子510を通過す
る。回折格子501は、図5aに示されるように、光学
軸209に関して、異なる角度α1、α2、およびα3
で調整された光103を反射する。
は、図6aおよび図6bに示される。この実施形態にお
いて、第1の回折アレイ210は、複数のマイクロレン
ズ601を含む。マイクロレンズ601は、図6bに示
されるように、多様な構造で配置され得る。言い換える
と、第1の回折アレイ210は、多様にアライメントさ
れた複数のマイクロレンズアセンブリ601を含み得
る。マイクロレンズ601は、Y軸方向に平行、および
X軸方向に平行に配置され得る。マイクロレンズ601
は、調整された光103を受光して、図6bに示される
ように光学軸209に関して、多様な角度β1、β2、
およびβ3で調整された光103を反射する。
レチクル(「デリミッタ」とも呼ばれる)106の方へ
光学軸209に沿って指向される。第1の回折アレイ2
10は、調整された光103を受光する。調整された光
103を処理した後、第1の回折アレイ210は、集光
システム220の方へ光211を指向する。第1の回折
アレイ210を通過した後、光211は、開口数215
を有する。開口数215は、レチクル106におけるデ
リミッタ領域228の大きさおよび/または形状を表
す。開口数(NA1)215は、次のように定義され
る。 NA=n・sin(θ1) (1) ここで、nは、光伝播媒体(この場合、第1の回折アレ
イ210)の屈折率である。θ1は、デリミッタ領域2
28を生成する光によって形成される、屈折角である。
従って、開口数(NA1)215の大きさは、デリミッ
タ領域228の大きさを制御する。言い換えると、開口
数215が大きくなればなるほど、デリミッタ領域22
8は大きくなる。開口数215の形状は、さらに、照射
領域228の形状を制御する。図2aの実施形態におい
て、開口数215は矩形であり、従って、デリミッタ領
域228は矩形になる。図2bの実施形態において、開
口数215は円弧状であり、従って、デリミッタ領域2
28は円弧状になる。開口数215の他の形状および大
きさ、ならびに、それに応じたデリミッタ領域228が
可能である。言い換えると、光211は、任意の大きさ
および/または形状の開口数215を有し得るので、第
1の回折アレイ210が変更され得る。従って、光21
3は、それに続いて、開口数215に応じたデリミッタ
領域228を形成する。
に沿って集光システム220の方へ光211を指向す
る。集光システム220を用いて、デリミッタ領域22
8の大きさを変化させる。集光システム220を通過す
る光によって、クロススキャン方向にズーム可能な領域
が発生する。集光システム220は、このようなズーム
可能な領域の発生を成し遂げるためにアナモルフィック
であり得る。言い換えると、集光システム220を通過
する光は、Y軸方向において、デリミッタ領域228の
大きさを変化することが可能である。集光システム22
0は、さらに、集光システム220を通過する光が、デ
リミッタ領域228の大きさを変化させつつ、第2の回
折アレイ212への光入射の角度分布を保持する、また
は維持することが可能である。集光システム220は、
デリミッタ領域228の大きさ(および、従って、レチ
クル106に入射する光量)を変化させつつ、均一な光
放射フラックス密度(表面の単位面積あたりの放射フラ
ックス入射)を維持する。例えば、集光システム220
を通過する光は、約11mm〜26mmの範囲でデリミ
ッタ領域228を変化させることが可能である。デリミ
ッタ領域228の大きさおよび/または形状は、用途特
有のものである。集光システム220は、さらに、図3
a〜図4dに記載される。
光システム220は、デリミッタ領域228の大きさを
変化させつつ、レチクル106に入射する光の所定の角
度分布を実質的に保持し、維持する。これを成し遂げる
ために、集光システム220は、デリミッタ領域228
の大きさを変化させつつ、開口数215におけるテレセ
ントリック照射を維持する。集光システム220は、さ
らに、デリミッタ領域228の大きさを変化させつつ、
照射システム200によるレチクル106へ伝播された
均一な照射量および所定のエネルギー量を維持する。集
光システム220の動作は、以下に詳細に記載される。
集光システム220の多様な実施形態を示す。図3a〜
図3dは、4レンズ集光システム220を示す。図4a
〜図4dは、5レンズ集光システム220を示す。
は、第1の回折アレイ210と第2の回折アレイ212
との間に光学軸209に沿って配置される、4レンズ集
光システム220を示す。4レンズ集光システム220
は、入力レンズ301、出力レンズ303、およびズー
ムレンズ部310を含む。ズームレンズ部310は、入
力レンズ301と出力レンズ303との間に光学軸20
9に沿って配置される。ズームレンズ部310は、第1
のズームレンズ311および第2のズームレンズ312
を含む。
よび出力レンズ303は固定レンズであり、ズームレン
ズ部分310は、入力レンズ301と出力レンズ303
との間を光学軸209に沿って平行移動することが可能
である。第1のズームレンズ311は、入力レンズ30
1と第2のズームレンズ312との間を光学軸209に
沿って平行移動することが可能である。第2のズームレ
ンズ312は、第1のズームレンズ311と出力レンズ
303との間を光学軸209に沿って平行移動すること
が可能である。第1のズームレンズ311および/また
は第2のズームレンズ312を光学軸209に沿って平
行移動することによって、ズームレンズ部310は、入
力レンズ301と出力レンズ303との間を光学軸20
9に沿って平行移動することが可能である。
11、第2のズームレンズ312、および出力レンズ3
03の間のそれぞれの距離を調節することによって、集
光システム220は、集光システム220を通過する光
を集光する。集光した光は、図3aに示されるように、
集光した光が第2の回折アレイ212を通過する前に照
射領域350を形成する。本明細書中に用いられるよう
に、集光した光は、拡大された大きさおよび/または縮
小された大きさを有する光を指す。集光システム220
から出射した集光した光は、照射フィールド350の大
きさを変化することが可能である。さらに、入力レンズ
301、第1のズームレンズ311、第2のズームレン
ズ312、および出力レンズ303の屈折力はまた、集
光システム220を通過する光の大きさに影響し、従っ
て、照射領域350の大きさに影響する。照射領域35
0は、レチクル106で形成されたデリミッタ領域22
8の大きさを決定する。
レンズ301、出力レンズ303、第1のズームレンズ
311、および第2のズームレンズ312は、正または
負の屈折力を有し得る。さらに、入力レンズ301およ
び出力レンズ303は、クロススキャン方向(または、
X軸およびY軸に沿って)に光パワーを備える円筒レン
ズである。第1のズームレンズ311および第2のズー
ムレンズ312は、クロススキャン方向(または、X軸
またはY軸に沿って)に光パワーを備える円筒レンズで
ある。特定の実施形態において、ズームレンズ群310
のエネルギー損失およびレンズの動作範囲を最小にする
ために、集光システム220の動作中は、ズームレンズ
群310におけるレンズのクロススキャン方向の光パワ
ーの比は、1:(−0.3)〜1:(−0.8)の範囲
内であり得る。代替の実施形態において、集光システム
220のレンズは、断面円筒レンズであり得る。
ズの集光システム実施形態に対する規定データを以下の
表1(添付の表1)に示す。図3dは、集光システム2
20の光学要素とそれに相当する光学面とを示す。入力
レンズ301は、図3dに示されるように、光学面2お
よび3を備える。第1のズームレンズ311は、光学面
4および5を備える。第2のズームレンズ312は、光
学面6および7を備える。出力レンズ303は、光学面
8および9を備える。光学要素は、物体平面と像平面と
の間に配置される。表1は、コンデンサレンズ220に
おける各光学要素(入力レンズ301、第1のズームレ
ンズ311、第2のズームレンズ312、および出力レ
ンズ303)の光学特性(例えば、厚さ、半径、材料、
およびその他)を表す。
おける光路)図3aを参照して、光211は、コンデン
サシステム220の入力レンズ301に入力する。入力
レンズ301は光211の大きさを変更する。本明細書
で使用される場合、用語、光の大きさの変更は、光の大
きさの拡大および/または縮小を意味する。入力レンズ
301による屈折の後、光211は、第1の集光された
光372となる。本明細書で使用する場合、用語、集光
された光は、拡大された大きさおよび/または縮小され
た大きさを有する光を意味する。入力レンズ301は、
第1の集光された光372をズームレンズ部310に向
ける。
310の第1のズームレンズ311は、位置321aに
おいて、第1の集光された光372を受け取る。第1の
ズームレンズ311は、第1の集光された光372の大
きさを変更する。第1のズームレンズ311による屈折
の後、第1の集光された光372は、第2の集光された
光373となる。第1のズームレンズ311は、図3a
に示されるように、位置321aにおいて、第2の集光
された光373を第2のズームレンズ312に向ける。
ンズ312は、位置321aにおいて、第2の集光され
た光373を受け取る。第2のズームレンズ312は、
第2の集光された光373の大きさを変更する。ズーム
レンズ312による屈折の後、第2の集光された光37
3は、第3の集光された光374となる。第2のズーム
レンズ312は、第3の集光された光374を出力レン
ズ303に向ける。
374を受け取る。出力レンズ303は、第3の集光さ
れた光374の大きさを変更する。出力レンズ303に
よる屈折の後、第3の集光された光374は、集光され
た光213になる。出力レンズ303は、集光された光
213を第2の屈折アレイ212に向ける。さらに、集
光された光213は、第2の屈折アレイ212に入力す
る前に照射領域350aを形成する。照射領域350a
の大きさは、第1のズームレンズ311の位置320a
および第2のズームレンズ312の位置321aに依存
する。
11は、位置320bを有し、第2のズームレンズ31
2は、位置321bを有する。レンズ311およびレン
ズ312がこのように配置されるため、コンデンサシス
テム220は、照射領域350bを形成する。照射領域
350bは、図3aの照射領域350aと比較して異な
る大きさを有し得る。
11は、位置320cを有し、第2のズームレンズ31
2は、位置321cを有する。レンズ311およびレン
ズ312はこのように配置されるため、コンデンサシス
テム220は、照射領域350cを形成する。照射領域
350cは、図3aの照射領域350aおよび図3bの
照射領域350bと比較して異なる大きさを有し得る。
図4aは、第1の屈折アレイ210と第2の屈折アレイ
212との間の光学軸209に沿って配置される、5レ
ンズコンデンサシステム220を示す。5レンズコンデ
ンサシステム220は、入力レンズ301、出力レンズ
303、およびズームレンズ部410を含む。ズームレ
ンズ部410は、入力レンズ301と出力レンズ303
との間の光学軸209に沿って配置される。ズームレン
ズ部410は、第1のズームレンズ411、第2のズー
ムレンズ412、および第3のズームレンズ413を含
む。
び出力レンズ303は、固定レンズであり、ズームレン
ズ部410は、入力レンズ301と出力レンズ303と
の間の光学軸209に沿って平行移動可能である。第1
のズームレンズ411は、入力レンズ301と第2のズ
ームレンズ412との間の光学軸209に沿って平行移
動可能である。第2のズームレンズ412は、第1のズ
ームレンズ411と第3のズームレンズ413との間の
光学軸209にそって平行移動可能である。第3のズー
ムレンズ413は第2のズームレンズ412と出力レン
ズ303との間の光学軸209に沿って平行移動可能で
ある。第1のズームレンズ411、第2のズームレンズ
412および/または第3のズームレンズ413を光学
軸209に沿って平行移動することによって、ズームレ
ンズ部410は、入力レンズ301と出力レンズ303
との間の光学軸209に沿って平行移動する。
11、第2のズームレンズ412、第3のズームレンズ
413、および出力レンズ303間の各距離を調整する
ことによって、コンデンサシステム220は、コンデン
サシステム220を通過する光を集光する。図4aに示
されるように、この集光された光が第2の屈折アレイ2
12を通過する前に、照射領域450を形成する。本明
細書で使用される場合、集光された光は、拡大された大
きさおよび/または縮小された大きさを有する光を意味
する。コンデンサシステム220から出力された集光さ
れた光は、照射領域450の大きさを変更することが可
能である。さらに、入力レンズ301、第1のズームレ
ンズ411、第2のズームレンズ412、第3のズーム
レンズ413、および出力レンズ303の屈折力はま
た、コンデンサシステム220を通過する光の大きさに
影響を与え、それにより、照射領域450の大きさに影
響を与える。照射領域450は、レチクル106におい
て形成されるデリミッタ領域228の大きさを決定す
る。
ンズ301、出力レンズ303、第1のズームレンズ4
11、第2のズームレンズ412、および第3のズーム
レンズ413は、正の屈折力または負の屈折力を有し得
る。さらに、入力レンズ301および出力レンズ303
は、クロススキャン方向(またはX軸およびY軸に沿
う)に光パワーを有する円筒形レンズである。第1のズ
ームレンズ411、第2のズームレンズ412、および
第3のズームレンズ413は、スキャン方向(あるいは
Y軸またはX軸に沿う)に光出力を有する円筒形レンズ
である。特定の実施形態では、コンデンサシステム22
0の動作中におけるズームレンズ群410のエネルギー
損失およびレンズの移動範囲を最小化するために、ズー
ムレンズ群410におけるレンズの断面光出力の比は、
1:−0.3〜1:−0.8の範囲であり得る。代替的
には、コンデンサシステム220におけるレンズは、円
筒形断面のレンズであり得る。
ズコンデンサシステムの実施形態に関する規定データを
以下の表2(添付物2参照)に示す。図4dは、コンデ
ンサシステム220の光学要素とそれに対応する光学面
とを示す。図4dに示すように、入力レンズ301は、
光学面2および光学面3を有する。第1のズームレンズ
411は、光学面4および光学面5を有する。第2のズ
ームレンズ412は、光学面6および光学面7を有す
る。第3のズームレンズ413は、光学面8および光学
面9を有する。出力レンズ303は、光学面10および
光学面11を有する。光学要素は、物体平面と像平面と
の間に配置される。表2は、コンデンサシステム220
内の各光学要素(入力レンズ301、第1ズームレンズ
411、第2ズームレンズ412、第3ズームレンズ4
13、および出力レンズ303)の光学特性(厚さ、半
径、材料、その他)を示す。
おける光路)図4aを参照して、光211は、コンデン
サシステム220の入力レンズ301に入力する。入力
レンズ301は、光211の大きさを変更する。本明細
書で使用される場合、用語、光の大きさの変更は、光の
大きさを拡大および/または縮小することを意味する。
入力レンズ301による屈折の後、光211は、第1の
集光された光472となる。本明細書で使用される場
合、用語、集光された光は、拡大および/または縮小さ
れた大きさを有する光を意味する。入力レンズ301
は、第1の集光された光472をズームレンズ部410
に向ける。
おいて、ズーム部410の第1のズームレンズ411
は、第1の集光された光472を受け取る。第1のズー
ムレンズ411は、第1の集光された光472の大きさ
を変更する。第1のズームレンズ411による屈折の
後、第1の集光された光472は、第2の集光された光
473になる。図4aに示されるように、位置421a
において、第1のズームレンズ411は、第2の集光さ
れた光473を第2のズームレンズ412に向ける。
おいて、第2のズームレンズ412は、第2の集光され
た光473を受け取る。第2のズームレンズ412は、
第2の集光された光473の大きさを変更する。第2の
ズームレンズ412による屈折の後、第2の集光された
光473は、第3の集光された光474になる。図4a
に示されるように、位置422aにおいて、第2のズー
ムレンズ412は、第3の集光された光474を第3の
ズームレンズ413に向ける。
ズ413は、第3の集光された光474を受け取る。第
3のズームレンズ413は、第3の集光された光474
の大きさを変更する。第3のズームレンズ413による
屈折の後、第3の集光された光474は、第4の集光さ
れた光475になる。第3のズームレンズ413は、第
4の集光された光475を出力レンズ303に向ける。
475を受け取る。出力レンズ303は、第4の集光さ
れた光475の大きさを変更する。出力レンズ303に
よる屈折の後、第4の集光された光475は、集光され
た光213となる。出力レンズ303は、集光された光
213を第2の屈折アレイ212に向ける。さらに、集
光された光213は、第2の屈折アレイ212に入力す
る前に照射領域450aを形成する。照射領域450a
の大きさは、第1のズームレンズ411の位置420
a、第2のズームレンズ412の位置421a、第3の
ズームレンズ413の位置422aに依存する。
11は位置420bを有し、第2のズームレンズ412
は位置421bを有し、第3のズームレンズ413は位
置422bを有する。レンズ411、412および41
3がこのように配置されるため、コンデンサシステム2
20は照射領域450bを形成する。照射領域450b
は図4aの照射領域450aと比較して異なる大きさを
有し得る。
11は位置420cを有し、第2のズームレンズ412
は位置421cを有し、第3のズームレンズ413は位
置422cを有する。レンズ411、412および41
3がこのように配置されるため、コンデンサシステム2
20は照射領域450cを形成する。照射領域450c
は図4aの照射領域450aおよび図4bの照射領域4
50bと比較して異なる大きさを有し得る。
よび構成要素の例示的な実施形態が本明細書中で説明さ
れてきた。上述したように、これらの例示的な実施形態
は、単に例示することを目的として説明されてきたので
あって、限定されない。他の実施形態も可能であり、こ
れらは本発明の範囲内に含まれる。このような実施形態
は、本明細書中に含まれる教示に基づいて当業者に明ら
かである。従って、本発明の範囲は、上述のいずれの例
示的な実施形態によって限定されるべきではなく、上記
の特許請求の範囲およびその均等物によってのみ限定さ
れるべきである。
光路上に配置されたビームコンディショナと、第1回折
アレイと、コンデンサシステムと、第2回折アレイとを
含む照射システムに関する。照射光源は、ビームコンデ
ィショナを通って、光を第1回折アレイに指向する。光
は、次に、第1回折アレイと第2回折アレイとの間の光
路上に配置されたコンデンサシステムに指向される。コ
ンデンサシステムは、複数の固定光学要素と複数の可動
光学要素とを含む。複数の可動光学要素は、複数の固定
光学要素とともに光路上に配置されている。可動光学要
素は、第1回折アレイから受光した光をズームするため
に、複数の固定光学要素間で平行移動可能である。第2
回折アレイは、光学的に、コンデンサシステムに結合さ
れ、コンデンサシステムから光を受け取り、次いで、レ
チクルで照射領域を生成する。
更する場合、エネルギーの損失なく、照射領域のサイズ
を変更させ(すなわち、照射領域を拡大させ)、開口数
におけるテレセントリック照射を保持することができ
る。
形態を示す。
実施形態を示す。
照射システムの4レンズコンデンサシステムの第1のレ
ンズ位置における実施形態を示す。
おける図3aに示される4レンズコンデンサシステムを
示す。
おける図3aに示される4レンズコンデンサシステムを
示す。
れる4レンズコンデンサシステムの対応する光学表面に
沿った複数の光学要素を示す。
照射システムの5レンズコンデンサシステムの第1のレ
ンズ位置における実施形態を示す。
おける図4aに示される5レンズコンデンサシステムを
示す。
おける図4aに示される5レンズコンデンサシステムを
示す。
れる5レンズコンデンサシステムの対応する光学表面に
沿った複数の光学要素を示す。
グリッドの側面図である。
グリッドの上面図である。
クロレンズアセンブリの上面図である。
クロレンズアセンブリの側面図である。
Claims (18)
- 【請求項1】 デリミッタ領域を照射する光学システム
であって、 第1回折アレイと、 第2回折アレイと、 該第1回折アレイと該第2回折アレイとの間の光路上に
配置されたコンデンサシステムと を備え、 該コンデンサシステムは、 複数の固定光学要素と、 複数の可動光学要素とをさらに備え、該可動光学要素
は、該複数の固定光学要素に関して平行移動可能であ
る、光学システム。 - 【請求項2】 前記第1回折アレイは、矩形開口数を生
成可能な領域空間アレイである、請求項1に記載の光学
システム。 - 【請求項3】 前記第1回折アレイは、曲線開口数を生
成可能な領域空間アレイである、請求項1に記載の光学
システム。 - 【請求項4】 前記複数の固定光学要素は、 入力レンズ群と、 出力レンズ群とを備える、請求項1に記載の光学システ
ム。 - 【請求項5】 前記入力レンズ群は、入力断面円筒レン
ズをさらに備える、請求項4に記載の光学システム。 - 【請求項6】 前記出力レンズ群は、少なくとも1つの
断面円筒レンズと少なくとも1つの円筒レンズとをさら
に備える、請求項4に記載の光学システム。 - 【請求項7】 前記複数の可動光学要素は、複数のズー
ム可能レンズをさらに備える、請求項1に記載の光学シ
ステム。 - 【請求項8】 前記複数のズーム可能レンズは、クロス
スキャン光学パワーを有する少なくとも1つの円筒レン
ズをさらに備える、請求項7に記載の光学システム。 - 【請求項9】 前記少なくとも1つの円筒レンズは、
1:−0.3〜1:−0.8の範囲のクロススキャン光
学パワーを有する、請求項8に記載の光学システム。 - 【請求項10】 前記第2回折アレイは、ひとみ回折ア
レイである、請求項1に記載の光学システム。 - 【請求項11】 前記コンデンサシステムは、2つの固
定光学要素と2つの可動光学要素とをさらに備える、請
求項1に記載の光学システム。 - 【請求項12】 前記コンデンサシステムは、2つの固
定光学要素と3つの可動光学要素とをさらに備える、請
求項1に記載の光学システム。 - 【請求項13】 デリミッタ領域を照射する照射システ
ムで利用されるコンデンサシステムであって、 該照射システムは、 入力固定光学系群と、 出力固定光学系群と、 該入力固定光学群と該出力固定光学群との間の光路上に
配置されたズーム可能レンズ群とを備え、 該ズーム可能レンズ群は、該入力固定光学群と該出力固
定光学群とに対して平行移動可能であり、 光路に沿った該入力固定光学群の位置と、該出力固定光
学群の位置と、該ズーム可能レンズ群の位置とは、該照
射システムの該デリミッタ領域のサイズを変更するよう
に調整可能である、コンデンサシステム。 - 【請求項14】 前記入力固定光学群は、入力断面円筒
レンズをさらに備える、請求項13に記載のコンデンサ
システム。 - 【請求項15】 前記出力固定光学群は、少なくとも1
つの断面円筒レンズと少なくとも1つの円筒レンズとを
さらに備える、請求項13に記載のコンデンサシステ
ム。 - 【請求項16】 前記ズーム可能レンズ群は、クロスス
キャン光学パワーを有する少なくとも1つの円筒レンズ
をさらに備える、請求項13に記載のコンデンサシステ
ム。 - 【請求項17】 前記少なくとも1つの円筒レンズは、
1:−0.3〜1:−0.8の範囲のクロススキャン光
学パワーを有する、請求項16に記載のコンデンサシス
テム。 - 【請求項18】 光路を有するフォトリソグラフィック
照射システムにおいて、デリミッタ領域を照射する方法
であって、 該方法は、 (a)入力固定光学群を使って光を受け取る工程と、 (b)該入力固定光学群とともに該光路上に配置された
ズーム可能レンズ群を使って、光を拡大する工程または
光を縮小する工程の少なくとも1つの工程と、 (c)出力固定光学群から指向された光で該デリミッタ
を照射する工程とを包含し、 該工程(b)は、該ズーム可能レンズ群を該光路に沿っ
て平行移動させる工程をさらに包含し、 該工程(a)から該工程(c)は、該照射システムで該
デリミッタ領域のサイズを変更する工程をさらに包含す
る、方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US32975801P | 2001-10-18 | 2001-10-18 | |
US60/329,758 | 2001-10-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003178970A true JP2003178970A (ja) | 2003-06-27 |
Family
ID=23286878
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6775069B2 (ja) |
EP (1) | EP1319983A3 (ja) |
JP (1) | JP2003178970A (ja) |
KR (1) | KR100758742B1 (ja) |
CN (1) | CN1303476C (ja) |
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- 2002-10-16 US US10/270,556 patent/US6775069B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-17 TW TW91123956A patent/TW574633B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-10-18 JP JP2002305101A patent/JP2003178970A/ja active Pending
- 2002-10-18 SG SG200206364A patent/SG120080A1/en unknown
- 2002-10-18 KR KR1020020063959A patent/KR100758742B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-10-18 CN CNB021547394A patent/CN1303476C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-18 EP EP02023411A patent/EP1319983A3/en not_active Ceased
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Publication number | Publication date |
---|---|
SG120080A1 (en) | 2006-03-28 |
US6775069B2 (en) | 2004-08-10 |
KR20030032898A (ko) | 2003-04-26 |
EP1319983A2 (en) | 2003-06-18 |
EP1319983A3 (en) | 2003-08-27 |
US20030076679A1 (en) | 2003-04-24 |
KR100758742B1 (ko) | 2007-09-14 |
CN1445610A (zh) | 2003-10-01 |
TW574633B (en) | 2004-02-01 |
CN1303476C (zh) | 2007-03-07 |
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