JPH02254710A - 露光方法及び露光装置 - Google Patents

露光方法及び露光装置

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JPH02254710A
JPH02254710A JP1077059A JP7705989A JPH02254710A JP H02254710 A JPH02254710 A JP H02254710A JP 1077059 A JP1077059 A JP 1077059A JP 7705989 A JP7705989 A JP 7705989A JP H02254710 A JPH02254710 A JP H02254710A
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laser beam
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diameter
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Kazushi Nakano
一志 中野
Takanaga Shiozawa
崇永 塩澤
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明はICなどの微細パターンをウェハー上に焼きつ
ける半導体製造用の露光方法及び露光装置に関するもの
であり、特にエキシマ・レーザーなどのレーザーを光源
とする露光方法及び露光装置に関するものである。
〈従来技術〉 従来、レーザーを光源とする露光装置では、レーザーか
ら出射される光束の形状を露光装置の照明光学系に必要
な所定の大きさの形状に成形するため、ビームエキスパ
ンダー等をレーザーと照明光学系の間に配置していた。
例えば、エキシマレーザ−から出射される光束の形状は
約5×20程度の長方形であり、この光束をシリンドリ
カル・ビームエキスパンダーおよびビームエキスパンダ
ーによって020〜口50程度の所定の大きさに成形し
、成形した光束を照明光学系に供給していた。
ところが、この種のレーザーにおいては、レーザー共振
器の電極の劣化や各共振器毎の機差等が要因となりレー
ザーから射出するレーザー光の光束径や形状が変動する
ことが判明した。
このようにレーザー光の光束径や形状が変動すると、照
明光学系に必要な所望の大きさのレーザー光を照明光学
系に供給できず、照明光学系の性能を十分に発揮させる
ことが不可能になる。
また、必要以上に光束径が大きなレーザー光が照明光学
系に供給されると、照明光学系の入射瞳でレーザー光の
一部がけられるため、光束の利用効率が下ることになる
。従って、露光に要する時間が長くなり、装置のスルー
ブツトが低下する。
〈発明の概要〉 本発明の目的は、上述の問題を解消し、露光装置の性能
を向上させることが可能な、露光方法及び露光装置を提
供することにある。
この目的を達成するために、本発明の露光方法は、レー
ザーから射出するレーザー光の光束径の変動を検出し、
該検出結果に応じて該レーザー光の光束径を所望の径に
調整し、該調整終了後、該レーザー光を照射光学系に指
向し、該照明光学系を介してウェハを露光することを特
徴としている。
また、同様に本発明の露光装置は、レーザーから射出す
るレーザー光を照明光学系に指向し、該照明光学系を介
してウェハを露光する装置において、該レーザー光の光
束径の変動を検出する検出手段と、該検出手段からの信
号に基づいて該レーザー光の光束径を所望の径に調整す
る調整手段とを有することを特徴としている。
本発明では、レーザー光の光束径の変動を検出し、この
検出結果に基づいてレーザー光の光束径を所望の径に調
整するので、レーザー光を常に最適な大きさで照明光学
系に供給できる。従って、照明光学系の性能を十分に発
揮せしめて、ウェハに対して良好な露光を行える。また
、光束の利用効率が低下することもない。
本発明は、マスクのパターンを投影光学系を介してウェ
ハ上に投影する投影露光装置に有効であり、エキシマレ
ーザ−を光源として使用して装置の解像度を向上させた
投影露光装置の性能を更に向上させることが可能になる
本発明の更なる特徴や具体的な形態は以下に示す各実施
例に記載されている。
〈実施例〉 第1図は本発明の露光装置全体の構成図である。
Aは露光光学系を有する露光装置本体を示す。lは波長
λ=248.4nmの光を放射するにγFエキシマレー
ザーであり、防振クツション4上のレーザー定盤3上に
設置されたxYθステージ2上に固定されている。Bは
レーザーlからのレーザー光20を露光装置本体Aの照
明光学系6へ伝送する伝送系であり、複数個の光学部品
で構成されている。
この伝送系の詳細は後述する。6は照明光学系、9は半
導体製造用の回路パターンが描かれたレチクル(マスク
)、90はレチクルホルダ、10はレチクル9の回路パ
ターンを115に縮小投影する為の縮小投影レンズ、1
1はレンズ支持台、12はウェハ、13はウェハ12を
吸着固定するチャック、14はxYステージ、15はス
テッパ一定盤、16は防振クツションである。エキシマ
レーザ−1から射出したレーザ光20は、伝送系Bを通
過して露光装置本体Aの照明光学系6に入射する。そし
て照明光学系6、レチクル9、投影レンズ10を経て、
12のウェハ上に到達する。照明光学系6と縮小投影レ
ンズ10から成る露光用光学系は、ステッパー定盤15
に固定されたレンズ支持台11によつてすべて一体化さ
れて固定されているため、露光装置本体A内での各光学
系の相対位置は実質的に不変である。また、伝送系Bも
露光装置本体Aに固定しである。レチクル9上には前述
のように回路パターンが描かれており、照明光学系6を
介してレーザー光でレチクル9を照明することにより、
縮小投影レンズ10を介して、回路パターンが115に
縮小されてウェハ12上に転写される。
ウェハ12は、ウェハチャック13上に真空吸着されて
おり、ウェハチャック13は、ステッパー定盤15上に
設けられた可動のXYステージ4上に固定されている。
ウェハ12をXYステージ14により互いに直交するX
およびYの2方向に搬送することができ、縮小されたパ
ターンを、ウェハ上に任意の位置(ショット)に転写す
ることができる。
通常ウェハ12上には数十ショットの縮小パターンが転
写されるため、XYステージ14をXまたはY方向に移
動させては、レーザ光を照射して転写をするという動作
をくり返し行うことになる。
また17はXYステージ14上に固設した光検出器から
成る照度計であり、xYステージ14を駆動することに
より、投影レンズ10の像面に位置付けられ、投影レン
ズ10の像面における照度を測定する。この照度計17
で測定される照度がウェハ12面上での照度として見な
され、露光時の露光量制御のための制御データとして用
いられる。
第2図は本発明の主要部を示す概略図であり、第1図の
露光装置の伝送系Bの一部の構成が図示しである。
第2図において、70は変倍光学系であり、レーザー1
から射出したレーザー光の光束系を変更する機能を有す
る。71は変倍光学系を通過したレーザー光の光路中に
斜設したハーフミラ−(ビームスプリッタ−)であり、
このレーザー光の一部を反射せしめ、他の大部分を透過
せしめる。24は照明光学系6の一部を成すオプティカ
ルインチグレーターであり、このオプティカルインチグ
レーター24は両端が球面の棒状レンズを複数個を有し
、各棒状レンズは照明光学系6の光軸に直交する面に平
行に配列しである。このオプティカルインチグレーター
24は、ハーフミラ−71を透過したレーザー光を受け
て、棒状レンズの数に対応した複数個の2次光源を形成
する。そして、第1図に示したレチクル9は、これらの
2次光源からの光で照明されることになる。72はCO
D等から成る受光素子(光検出器)で、ハーフミラ−7
1で反射されたレーザー光を受光し、レーザー光の光束
(断面)形状と強度分布に応じた信号を出力する。図示
されている通り、ハーフミラ−71は変倍光学系70か
ら射出したレーザー光の全ての部分と交叉するように斜
設しであるので、受光素子72の受光面上での光束径は
変倍光学系70から射出したレーザー光の光束径と比例
する。(第2図では同一。)100は計測装置で、受光
素子72からの、受光面上での光束径又は受光面上での
光束のエツジ位置に対応する出力信号に基づいて変倍光
学系70から射出したレーザー光の光束径(の変動)を
計測し、計測結果を制御装置200に入力する。制御装
置200は計測装置100からの入力に応じて変倍光学
系70の駆動装置300に指令信号を送り、駆動装置3
00で変倍光学系70を駆動することによりレーザー光
の光束径を所望の径に調整する。本実施例では、変倍光
学系70から射出したレーザー光の光束径がオプティカ
ルインチグレーター24の径とほぼ同じ大きさになるよ
うに、ハーフミラ−71,受光素子72、計測装置10
0.制御装置2001駆動装置300を介して変倍光学
系70の倍率を制御している。
従って、レーザーlから射出するレーザー光の光束径が
、レーザーlの経時変化などの要因により変化しても、
常に一定の径のレーザー光をオプティカルインチグレー
ター24(照明光学系6)に向けることが可能になる。
これにより、照明光学系6の性能を十分に発揮させて露
光装置の性能を向上させることができる。また、オプテ
ィカルインチグレーター6に入射するレーザー光の光束
径が予め定めた径より太き(なると、オプティカルイン
チグレーター6でけられてしまう光が生じるが、本実施
例の露光装置ではこのような問題も生じない。
第2図から明らかなように、レーザーlから射出するレ
ーザー光は照明光学系6の光軸に平行な平行光束であり
、且つ平行光束のままオプティカルインチグレーター2
4に向けられる。また、レーザーlから射出するレーザ
ー光の光束径に比べてオプティカルインチグレーター2
4の径は大きいので、レーザー光は光束径を拡大されて
オプティカルインチグレ−ター24に向けられる。従つ
て、本実施例の変倍光学系70はアフォーカルな光学系
を構成しており、またビームエキスパンダーとしての機
能を備えている。
変倍光学系70は複数個のレンズを組合せて構成するこ
とができ、これらのレンズの幾つかを光軸方向に移動せ
しめることにより倍率を変える。そして、倍率に応じて
レーザー光の光束径が変化することになる。この倍率制
御のためのレンズの移動が駆動装置300により駆動さ
れる。以下、第4図乃至第5図を用いて変倍光学系70
の具体的な構成の一例を示す。
第4図は第1図の17−ザー1からレチクル9に到る光
学系を示す概略図であり、本発明に用いる変倍光学系の
構成の一例を説明する説明図として用いる。
第4図において、第2図に描かれた部材と同じ部材には
第2図と同一の符号が付しである。そして、図中の21
.22 (22’ )、 23 (23’ )は変倍光
学系70を構成するレンズで、レンズ22.23は光軸
に沿って移動可能に設けられている。25.26.27
は照明光学系6を構成するレンズで、これらのレンズ2
5.26.27によりオプティカルインチグレーター2
4が形成する複数個の2次光源からの光をレチクル9上
で重ね合せる。これにより、レチクル9上での照度分布
が均一になる。28は視野絞りであり、露光装置におい
て「マスキングブレード」と一般に呼ばれる、レチクル
9の被照明領域を規制する部材である。視野絞り28は
レチクル9と1ノンズ26、27に関して光学的に共役
な位置に配置しである。29は開口絞りであり、照明光
学系6の光射出側(レチクル9側)の開口数(NA)を
定める。
開口絞り29はオプティカルインチグレーター24の光
射出面とレンズ25. 26に関して光学的に共役な位
置に配置しである。
以下、変倍光学系70についての詳しい説明を加える。
レンズ21の光射出側の焦点位置がレンズ22及びレン
ズ23から成る合成系の入射側焦点位置と一致するよう
にレンズ21〜23が配置されている。
ここで、レンズ21〜1ノンズ23の各焦点距離をf2
1*  r、、r23とし、レンズ22と1ノンズ23
の主点間距離をdとしたとき、レンズ22及びレンズ2
3の合成焦点距離f2□3は、 となる。
この時、レンズ21〜レンズ23によって構成される変
倍光学系70の倍率βは と求められる。また、レーザー光束Aの大きさがWlか
らW、 に変化した場合は同様に上記(2)式となり、
レンズ22とレンズ23の主点間距離dを変化させるこ
とにより倍率βを変化させることが可能である。
第4図において、レーザーlから射出した平行レーザー
光束Aの大きさをWlとし、照明光学系6に必要な光束
の大きさをW2とすれば、変倍光学系70のレンズ22
とレンズ23の主点間距離dは上記w2   121 なる主点間距離d′が求められる。従って、レンズ22
とレンズ23を移動させてレンズ22とレンズ23の主
点間距離dからd′ に移行させれば、照明光学系に必
要な大きさW2の大きさを得ることができる。
ただし、レンズ21の射出側焦点位置と、レンズ22及
びレンズ23の合成系の入射側焦点位置が常に一致する
ようにレンズ22とレンズ23を移動させ、変倍光学系
70から常に平行なレーザー光を射出させる。
第4図では3枚の正レンズを用い、レーザー光の光路中
に光束の集光点を一旦形成するタイプの変倍光学系70
を示したが、レーザー光の光路中に光束の集光点を形成
しないタイプの変倍光学系70を構成することができる
第5図はこのようなタイプの変倍光学系の一例を示す説
明図であり、第4図のレンズ21に代えて凹レンズ(負
レンズ)21′  を配置したものである。図示される
通り本実施例の変倍光学系70では、レーザー光を集光
することな(、オプティカルインチグレーター24に向
けている。本実施例においても、レンズ22とレンズ2
3を光軸に沿って移動させることにより変倍光学系70
の倍率を変え、所望の大きさのレーザー光でオプティカ
ルインチグレーター24を照明する。
本発明に用いる変倍光学系は、レーザーから射出するレ
ーザー光の断面形状と寸法(光束径)及び照明光学系に
必要なレーザー光の断面形状と寸法(光束径)に応じて
様々な形態が選択される。
第4図及び第5図は、通常の回転対称なレンズを用いた
変倍光学系70を示していたが、シリンドリカルレンズ
などを含むアナモフィックな光学系を有する変倍光学系
も構成できる。本願では、第4図及び第5図に示すタイ
プの変倍光学系を[ズームエキスパンダー」と呼び、シ
リンドリカルレンズを用いてレーザー光の断面の直交す
る2方向(縦及び横方向)のうちの一方向の光束径のみ
を変化せしめる片変倍機能を有する変倍光学系を「シリ
ンドリカルズームエキスパンダー」と呼ぶことにする。
第6図及び第8図は、このシリンドリカルズームエキス
パンダーを有する変倍光学系の一例を示す説明図であり
、ここで示す実施例においては、変倍光学系70を複数
の変倍光学系で構成している。
また、第1図に示すエキシマレーザ−1からは、先に述
べたように断面長方形の平行レーザー光が射出するので
、本実施例では、この長方形断面をもつレーザー光の光
束径を変化せしめる変倍光学系に関し述べる。
第6図において、レーザーlから射出した大きさaXb
の平行レーザー光Aは、縦方向の倍率を変化できるシリ
ンドリカルズームエキスパンダー41(第1変倍光学系
)によって大きさaXdの平行レーザー光に変換される
。この大きさaXdのレーザー光の形状は、照明光学系
に必要な大きさeXfのレーザー光の断面形状と相似形
となっている。
さて、上記大きさのaXdのレーザー光は、縦横等倍率
のズームエキスパンダー42(第2変倍光学系)により
、照明光学系に必要な大きさeXfを有するレーザー光
に形成され、不図示の照明光学系に供給される。このよ
うに、シリンドリカルズームエキスパンダー41とズー
ムエキスパンダー42を光路中に配置することにより、
レーザー光lから射出したレーザー光Aの形状や寸法の
経時変化や機差が、縦一方向に著しく現われる場合、シ
リンドリカルズームエキスパンダ41の倍率を変化させ
ることによって、レーザーlから射出したレーザー光A
を容易に照明光学系に必要な形状及び寸法の光束に調節
することができる。また、シリンドリカルズームエキス
パンダ41とズームエキスパンダ42の配置を逆転させ
て構成しても同様の効果が得られる。
第7図はレーザーlから射出したレーザー光Aの断面形
状(光束径)の経時変化や機差が縦横両方向に存在し、
かつ、縦と横方向の変動量が異なる場合の変倍光学系の
構成例であり、第7図において、シリンドリカルズーム
エキスパンダー51(第1変倍光学系)と52(第2変
倍光学系)は互いに異なる縦又は横方向の一方向の倍率
を変化させる。
本実施例では、シリンドリカルズームエキスパンダー6
1が横方向の倍率のみを変更可能に構成され、シリンド
リカルズームエキスパンダー52が縦方向の倍率のみを
変更可能に構成されており、両ズームエキスパンダー5
1.52はアフォーカル光学系となっている。従って、
レーザー1から射出した大きさaXbの平行レーザー光
はシリンドリカルズームエキスパンダー51によってe
Xbのレーザー光に変換され、この大きさeXbの平行
レーザー光がシリンドリカルズームエキスパンダー52
により大きさeXfのレーザー光に変換されて、不図示
の照明光学系に向けられる。本実施例の変倍光学系70
も第6図の光学系同様の効果を奏する。
第8図はシリンドリカルズームエキスパンダー61と像
回転プリズム62とを組合せて成る変倍光学系70を示
しており、シリンドリカルズームエキスパンダー61は
横方向の倍率のみを変更可能である。
像回転プリズム62は不図示の駆動機構により光軸を回
転中心として回転し、これにより入射光を回転させる。
従って、入射光の断面強度分布が非対称な場合、対称な
強度分布とすることができ、強度分布の均一化を図れる
本実施例では、レーザー11から射出した大きさaXb
の平行レーザー光Aが、シリンドリカルズームエキスパ
ンダー61によって横方向の大きさを照明光学系に必要
な大きさeに変換され、大きさaXeのレーザー光とな
る。この平行レーザー光は像回転プリズム62人射し、
プリズム62が回転することにより、実質的に画径φe
の円形断面をもつレーザー光に成形される。
また、第8図において、シリンドリカルズームエキスパ
ンダー61と像回転プリズム62の配置を逆転させ、且
つシリンドリカルズームエキスパンダー14の代りに縦
横の倍率が等しいズームエキスパンダーを配置しても、
第8図の変倍光学系70と同様の効果を示す光学系が得
られる。
このように像回転プリズムを変倍光学系70の一部とし
て組込んだ構成であっても、第6図や第7図に示した光
学系と同様の効果を奏することは言うまでもない。
以上、第4図乃至第8図に本発明に使用可能な変倍光学
系の形態例を幾つか示したが、当業者であれば、ここで
示した以外の他の光学系を適宜設計できる。従って、変
倍光学系の構成はここで示した光学系に限定されない。
第3図は第2図に示した実施例の変形例を示す概略図で
ある。第3図に示す実施例では、第2図の実施例でハー
フミラ−71及び受光素子72によって変倍光学系70
から射出したレーザー光の一部を検出していたのに対し
、変倍光学系70から射出したレーザー光の光路中に受
光素子73を配置してレーザー光の一部を検出している
。図示されている通り、受光素子73はレーザー光の外
周部付近の光を受光するように設けられており、これら
の光はオプティカルインチグレーター24に初めから入
射しない部分であるため、光の利用効率は低下しない。
変倍光学系70から射出するレーザー光の光束径が変動
すると、レーザー光のエネルギー密度(単位面積当りの
光エネルギー)が変動するので、受光素子73からの出
力信号のレベル(大きさ)も変化する。従って、計測装
置100は受光素子73からの出力信号に基づいてレー
ザー光の光束径を計測することが可能になる。本実施例
における他の動作は第2図の実施例で説明したものと同
様であるので、これに関する説明は省略するが、本実施
例においても第2図の実施例と同様の効果を奏する。
第1図乃至第3図に示した露光装置では伝送系B内に変
倍光学系70が組込まれていたが、伝送系Bがない場合
には、第1図の照明光学系6に付設すれば良い。また、
第2図及び第3図においてレーザー光の光束径の変動を
検討する検出手段(71,72゜100 、73. 1
00)とレーザー光の光束径を調整する調整手段(70
,200,300)の−例を示しているが、本発明の思
想を逸脱しない範囲で他の様々な形態の検出手段と調整
手段を構成することが可能である。
第1図乃至第3図に示した露光装置を使用してウェハ1
2の露光を行う時の幾つかの方法に関して簡単に説明す
る。
最初に、ウェハ12をウェハチャック13で吸着し、ウ
ェハ12をxYステージ14上に載置した状態で、ウェ
ハ12を縮小投影レンズ12によるレーザー光の照射領
域から外ずれた位置に位置づける。この動作はxYステ
ージ14を所定量移動させて実行される。次ににγFエ
キシマレーザー1を駆動し、KγFエキシマレーザ−1
からレーザー光を射出せしめる。そして、この時のレー
ザー光の光束径を第2図又は第3図に示した検出手段(
71゜72、 100 ; 73. 100)で検出し
、予め設定した光束径から変動していた時には、調整手
段(70゜200、 300)を使用して予め設定した
光束径になるようにレーザー光の光束径を調整する。調
整終了後、−旦にγFエキシマレーザー1の駆動を停止
し、xYステージ14を移動させてウェハ12をレーザ
ー光の照射領域に位置付ける。そして、ウェハ12に対
する露光を開始する。
この方法では、レーザー光の光束径を検出する時にウェ
ハ12をレーザー光の照射領域から退避させているが、
ウェハ12を退避させる代りに照明光学系6内に設置し
である露光量制御用のシャッターを使用するのも一つの
方法である。即ち、このシャッターを閉じておくことに
よりレーザー光がレチクル9、即ちウェハ12に向かわ
ないような状態にし、この状態で上述の検出及び調整を
実行すれば良い。この場合、調整終了後、シャッターを
開(ことにより露光動作に移れる。従って、KγFエキ
シマレーザ−1の駆動を一旦停止する必要がない。
また、露光中にレーザー光の光束径が太き(変動した時
には、まず変動を検出後にγFエキシマレーザー1の駆
動を停止するか、又はシャッターを閉じる。そして、上
述の検出及び調整を行った後、露光動作を復帰させれば
良い。一方、光束径の変動が比較的小さいが補正が必要
な場合には、露光動作を継続させた状態で上記検出及び
調整を行い、所望の光束径のレーザー光を成形する。
以上説明した各実施例は第1図に示した縮小投影露光装
置を基礎としているが、本発明の露光方法及び露光装置
は、この種の装置に限らず、コンタクト方式、プロキシ
ミテイ方式、レーザー描画方式、或いは反射型の投影系
を用いた等倍の投影露光を行う種々の露光装置に適用さ
れるものである。従って、本願で示した実施例以外の様
々な形態の露光方法と露光装置を構成することは、本願
の開示に基づいて当業者が容易に行える。
〈発明の効果〉 以上、本発明によれば、レーザー光の光束径の変動を検
出し、この検出結果に基づいてレーザー光の光束径を所
望の径に調整するので、レーザー光を常に最適な大きさ
で照明光学系に供給できる。
従って、照明光学系の性能を十分に発揮させて、ウェハ
に対して良好な露光を行える。また、光束径の変動に伴
う光束の利用効率の低下を回避することができるので、
露光時間の短縮化を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の露光装置の一実施例を示す構成図。 第2図は本発明の主要部を示す概略図で、第1図で示す
伝送系の一部を示す。 第3図は第2図の実施例の変形例を示す概略図。 第4図乃至第8図は各々変倍光学系の一実施例を示す説
明図。 1・・ ・・・・・・・・・・・・・   ・・・・・
・・・・エキシマレーサー6・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・ ・・・・       照明
光学系9・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 
    ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・レチ
クル10 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・ ・・・・・ 縮小投影レンズ12
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・  ・・・・
・・       ・・ ウェハ70・・・ ・・・・
・・・・・・・・ ・・  ・・・・・・・・・・・・
   変倍光学系71 ・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・  ・・・・・   ・・・ハーフミラ−
72,73・・・・・・・・・・・・・・・  ・・・
・・・・・ ・・  ・・・・受光素子100・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・  ・  ・・
・・・・・   計測装置制御装置 駆動装置

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レーザーから射出するレーザー光の光束径の変動
    を検出し、該検出結果に応じて該レーザー光の光束径を
    所望の径に調整し、該調整終了後、該レーザー光を照明
    光学系に指向し、該照明光学系を介してウェハを露光す
    ることを特徴とする露光方法。
  2. (2)レーザーから射出するレーザー光を照明光学系に
    指向し、該照明光学系を介してウェハを露光する装置に
    おいて、該レーザー光の光束径の変動を検出する検出手
    段と、該検出手段からの信号に基づいて該レーザー光の
    光束径を所望の径に調整する調整手段とを有することを
    特徴とする露光装置。
  3. (3)前記調整手段が、前記レーザーと照明光学系の間
    に配置した変倍光学系と該変倍光学系の倍率を変える倍
    率変更手段とを有することを特徴とする特許請求の範囲
    第(2)項記載の露光装置。
  4. (4)前記変倍光学系がアフオーカル光学系から成るこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第(3)項記載の露光装
    置。
  5. (5)前記変倍光学系が第1変倍光学系と第2変倍光学
    系とを有し、該第1及び第2変倍光学系の一方が前記レ
    ーザー光の断面の互いに直交する2方向のうちの一方の
    方向の倍率のみを変える片変倍光学系から成ることを特
    徴とする特許請求の範囲第(3)項記載の露光装置。
  6. (6)前記変倍光学系が第1変倍光学系と第2変倍光学
    系とを有し、該第1及び第2変倍光学系の各々が前記レ
    ーザー光の断面の互いに直交する2方向のうちの一方の
    方向の倍率のみを変える片変倍光学系から成り、該第1
    及び第2変倍光学系が互いに直交する方向の倍率を変え
    ることを特徴とする特許請求の範囲第(3)項記載の露
    光装置。
  7. (7)前記片変倍光学系がシリンドリカルレンズを有す
    ることを特徴とする特許請求の範囲第(5)項乃至第(
    6)項記載の露光装置。
  8. (8)前記調整手段が前記レーザーと前記照明光学系の
    間に回転可能な像回転プリズムを有することを特徴とす
    る特許請求の範囲第(2)項記載の露光装置。
  9. (9)前記レーザーがエキシマレーザーから成ることを
    特徴とする特許請求の範囲第(2)項記載の露光装置。
  10. (10)前記検出手段が、前記レーザー光の一部を取り
    出して光検出器へ導くビームスプリッターを有し、該光
    検出器の検出面上における光束径に対応する信号を出力
    することを特徴とする特許請求の範囲第(2)項記載の
    露光装置。
  11. (11)前記検出手段が、前記レーザー光の一部を検出
    する光検出器を有し、前記レーザー光の光束径の変動を
    該光検出器からの信号の出力レベルの変動として検出す
    ることを特徴とする特許請求の範囲第(2)項記載の露
    光装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011109097A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Asml Netherlands Bv ホモジナイザ

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