JP2000171827A - 液晶表示パネル - Google Patents
液晶表示パネルInfo
- Publication number
- JP2000171827A JP2000171827A JP35839698A JP35839698A JP2000171827A JP 2000171827 A JP2000171827 A JP 2000171827A JP 35839698 A JP35839698 A JP 35839698A JP 35839698 A JP35839698 A JP 35839698A JP 2000171827 A JP2000171827 A JP 2000171827A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- trench
- pixel electrode
- liquid crystal
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 補助容量部を備えたアクティブマトリクス型
の液晶表示パネルにおいて、所望の補助容量を得ること
ができる上、開口率を大きくする。 【解決手段】 ガラス基板１の上面にはトレンチ１ａが
設けられている。トレンチ１ａの内部には、下から順
に、補助容量電極４、ゲート絶縁膜６及び画素電極１１
の各一部が設けられている。このため、トレンチ１ａ内
の側壁上においても補助容量電極４と画素電極１１とが
互いに重なり合うことになる。したがって、トレンチ１
ａの平面サイズを比較的小さくしても、すなわち、補助
容量電極４の平面サイズを比較的小さくしても、トレン
チ１ａの部分における補助容量電極４と画素電極１１と
の重なり度合を大きくすることができ、ひいては所望の
補助容量を得ることができる上、開口率を大きくするこ
とができる。
の液晶表示パネルにおいて、所望の補助容量を得ること
ができる上、開口率を大きくする。 【解決手段】 ガラス基板１の上面にはトレンチ１ａが
設けられている。トレンチ１ａの内部には、下から順
に、補助容量電極４、ゲート絶縁膜６及び画素電極１１
の各一部が設けられている。このため、トレンチ１ａ内
の側壁上においても補助容量電極４と画素電極１１とが
互いに重なり合うことになる。したがって、トレンチ１
ａの平面サイズを比較的小さくしても、すなわち、補助
容量電極４の平面サイズを比較的小さくしても、トレン
チ１ａの部分における補助容量電極４と画素電極１１と
の重なり度合を大きくすることができ、ひいては所望の
補助容量を得ることができる上、開口率を大きくするこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は液晶表示パネルに
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばアクティブマトリクス型の液晶表
示パネルには、画素容量部のほかに補助容量部を備えた
ものがある。図５及び図６は従来のこのような液晶表示
パネルの一例の一部を示したものである。この液晶表示
パネルはガラス基板１を備えている。ガラス基板１の上
面の所定の箇所にはアルミニウムからなるゲート電極２
を含む走査線３が列方向に延びて設けられ、他の所定の
箇所にはアルミニウムからなる補助容量電極４を含む補
助容量線５が列方向に延びて設けられ、その上面全体に
は酸化シリコンからなるゲート絶縁膜６が設けられてい
る。ゲート絶縁膜６の上面の所定の箇所でゲート電極２
に対応する部分には真性アモルファスシリコンからなる
半導体層７が設けられている。半導体層７の上面中央部
には窒化シリコンからなるブロッキング層８が設けられ
ている。ブロッキング層８の上面両側及びその両側にお
ける半導体層７の上面にはｎ+シリコンからなるオーミ
ックコンタクト層９、１０が設けられている。一方のオ
ーミックコンタクト層９の上面及びゲート絶縁膜６の上
面の所定の箇所にはＩＴＯ（インジウム−錫酸化物）か
らなる画素電極１１が設けられている。一方のオーミッ
クコンタクト層９の上面及び画素電極１１の上面の所定
の箇所にはアルミニウムからなるソース電極１２が設け
られている。他方のオーミックコンタクト層１０の上面
及びゲート絶縁膜６の上面の所定の箇所にはアルミニウ
ムからなるドレイン電極１３を含む信号線１４が行方向
の延びて設けられている。
示パネルには、画素容量部のほかに補助容量部を備えた
ものがある。図５及び図６は従来のこのような液晶表示
パネルの一例の一部を示したものである。この液晶表示
パネルはガラス基板１を備えている。ガラス基板１の上
面の所定の箇所にはアルミニウムからなるゲート電極２
を含む走査線３が列方向に延びて設けられ、他の所定の
箇所にはアルミニウムからなる補助容量電極４を含む補
助容量線５が列方向に延びて設けられ、その上面全体に
は酸化シリコンからなるゲート絶縁膜６が設けられてい
る。ゲート絶縁膜６の上面の所定の箇所でゲート電極２
に対応する部分には真性アモルファスシリコンからなる
半導体層７が設けられている。半導体層７の上面中央部
には窒化シリコンからなるブロッキング層８が設けられ
ている。ブロッキング層８の上面両側及びその両側にお
ける半導体層７の上面にはｎ+シリコンからなるオーミ
ックコンタクト層９、１０が設けられている。一方のオ
ーミックコンタクト層９の上面及びゲート絶縁膜６の上
面の所定の箇所にはＩＴＯ（インジウム−錫酸化物）か
らなる画素電極１１が設けられている。一方のオーミッ
クコンタクト層９の上面及び画素電極１１の上面の所定
の箇所にはアルミニウムからなるソース電極１２が設け
られている。他方のオーミックコンタクト層１０の上面
及びゲート絶縁膜６の上面の所定の箇所にはアルミニウ
ムからなるドレイン電極１３を含む信号線１４が行方向
の延びて設けられている。
【０００３】そして、画素電極１１の左辺部は補助容量
電極４と重ね合わされ、この重ね合わされた部分によっ
て補助容量部が形成されている。一方、図示していない
が、画素容量部は、画素電極１１とこれに対向して配置
された共通電極とその間に介在された液晶層とによって
形成されている。なお、図５において一点鎖線で示すも
のは、上記共通電極を備えたガラス基板に設けられたブ
ラックマトリクスの開口部１５を示す。
電極４と重ね合わされ、この重ね合わされた部分によっ
て補助容量部が形成されている。一方、図示していない
が、画素容量部は、画素電極１１とこれに対向して配置
された共通電極とその間に介在された液晶層とによって
形成されている。なお、図５において一点鎖線で示すも
のは、上記共通電極を備えたガラス基板に設けられたブ
ラックマトリクスの開口部１５を示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のこの
ような液晶表示パネルでは、アルミニウムつまり非透過
性金属からなる補助容量電極４を画素電極１１の左辺部
と重ね合わせることにより補助容量部を形成しているの
で、画素電極４のサイズに比較して、ブラックマトリク
スの開口部１５のサイズがかなり小さくなり、開口率が
低下するという問題があった。なお、補助容量電極４と
画素電極１１との重なり度合を小さくすると、開口率を
大きくすることができるが、このようにすると、補助容
量が所望値よりも小さくなってしまう。この発明の課題
は、所望の補助容量を得ることができる上、開口率を大
きくすることである。
ような液晶表示パネルでは、アルミニウムつまり非透過
性金属からなる補助容量電極４を画素電極１１の左辺部
と重ね合わせることにより補助容量部を形成しているの
で、画素電極４のサイズに比較して、ブラックマトリク
スの開口部１５のサイズがかなり小さくなり、開口率が
低下するという問題があった。なお、補助容量電極４と
画素電極１１との重なり度合を小さくすると、開口率を
大きくすることができるが、このようにすると、補助容
量が所望値よりも小さくなってしまう。この発明の課題
は、所望の補助容量を得ることができる上、開口率を大
きくすることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板上に設
けられた補助容量電極上に絶縁膜を介して画素電極が設
けられた液晶表示パネルにおいて、前記基板の上面にト
レンチを設け、このトレンチ内に前記補助容量電極、前
記絶縁膜及び前記画素電極の少なくとも一部を設けたも
のである。この発明によれば、基板に設けられたトレン
チ内の側壁上においても補助容量電極と画素電極とが互
いに重なり合うことになるので、トレンチの平面サイズ
を比較的小さくしても、すなわち、補助容量電極の平面
サイズを比較的小さくしても、トレンチの部分における
補助容量電極と画素電極との重なり度合を大きくするこ
とができ、ひいては所望の補助容量を得ることができる
上、開口率を大きくすることができる。
けられた補助容量電極上に絶縁膜を介して画素電極が設
けられた液晶表示パネルにおいて、前記基板の上面にト
レンチを設け、このトレンチ内に前記補助容量電極、前
記絶縁膜及び前記画素電極の少なくとも一部を設けたも
のである。この発明によれば、基板に設けられたトレン
チ内の側壁上においても補助容量電極と画素電極とが互
いに重なり合うことになるので、トレンチの平面サイズ
を比較的小さくしても、すなわち、補助容量電極の平面
サイズを比較的小さくしても、トレンチの部分における
補助容量電極と画素電極との重なり度合を大きくするこ
とができ、ひいては所望の補助容量を得ることができる
上、開口率を大きくすることができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１及び図２はこの発明の一実施
形態における液晶表示パネルの要部を示したものであ
る。これらの図において、図５及び図６と同一名称部分
には同一の符合を付し、その説明を適宜省略する。この
液晶表示パネルでは、画素電極１１の図１の左上隅部に
対応する部分におけるガラス基板１の上面に平面方形状
のトレンチ１ａが設けられている。トレンチ１ａの深さ
は、ガラス基板１の厚さにもよるが、数十μｍ程度とな
っている。トレンチ１ａの内部には、下から順に、補助
容量電極４、ゲート絶縁膜６及び画素電極１１の各一部
が設けられている。この場合、補助容量電極４の平面サ
イズはトレンチ１ａの平面サイズよりもやや大きくなっ
ている。
形態における液晶表示パネルの要部を示したものであ
る。これらの図において、図５及び図６と同一名称部分
には同一の符合を付し、その説明を適宜省略する。この
液晶表示パネルでは、画素電極１１の図１の左上隅部に
対応する部分におけるガラス基板１の上面に平面方形状
のトレンチ１ａが設けられている。トレンチ１ａの深さ
は、ガラス基板１の厚さにもよるが、数十μｍ程度とな
っている。トレンチ１ａの内部には、下から順に、補助
容量電極４、ゲート絶縁膜６及び画素電極１１の各一部
が設けられている。この場合、補助容量電極４の平面サ
イズはトレンチ１ａの平面サイズよりもやや大きくなっ
ている。
【０００７】このように、この液晶表示パネルでは、ガ
ラス基板１の上面にトレンチ１ａを設け、このトレンチ
１ａ内に補助容量電極４、ゲート絶縁膜６及び画素電極
１１の各一部を設けているので、トレンチ１ａ内の側壁
上においても補助容量電極４と画素電極１１とが互いに
重なり合うことになる。したがって、トレンチ１ａの平
面サイズを比較的小さくしても、すなわち、補助容量電
極４の平面サイズを比較的小さくしても、トレンチ１ａ
の部分における補助容量電極４と画素電極１１との重な
り度合を大きくすることができ、ひいては所望の補助容
量を得ることができる上、ブラックマトリクスの開口部
１５を大きくして、開口率を大きくすることができる。
ラス基板１の上面にトレンチ１ａを設け、このトレンチ
１ａ内に補助容量電極４、ゲート絶縁膜６及び画素電極
１１の各一部を設けているので、トレンチ１ａ内の側壁
上においても補助容量電極４と画素電極１１とが互いに
重なり合うことになる。したがって、トレンチ１ａの平
面サイズを比較的小さくしても、すなわち、補助容量電
極４の平面サイズを比較的小さくしても、トレンチ１ａ
の部分における補助容量電極４と画素電極１１との重な
り度合を大きくすることができ、ひいては所望の補助容
量を得ることができる上、ブラックマトリクスの開口部
１５を大きくして、開口率を大きくすることができる。
【０００８】次に、この液晶表示パネルの製造方法の一
例について、図３（Ａ）〜（Ｃ）を順に参照して説明す
る。まず、図３（Ａ）に示すように、ガラス基板１の上
面の所定の箇所に平面方形状のトレンチ１ａを形成す
る。次に、図３（Ｂ）に示すように、ガラス基板１の上
面の所定の箇所にアルミニウムからなるゲート電極２を
含む走査線３を形成するとともに、トレンチ１ａを含む
他の所定の箇所にアルミニウムからなる補助容量電極４
を含む補助容量線５を形成する。次に、酸化シリコンか
らなるゲート絶縁膜６及び真性アモルファスシリコン層
２１を成膜する。次に、真性アモルファスシリコン層２
１の上面の所定の箇所でゲート電極２に対応する部分に
窒化シリコンからなるブロッキング層８を形成する。次
に、真性アモルファスシリコン層２１の上面に形成され
た自然酸化膜（図示せず）をＮＨ4Ｆで除去する。次
に、ｎ+シリコン層２２を成膜する。次に、ｎ+シリコン
層２２及び真性アモルファスシリコン層２１の不要な部
分を除去し、図３（Ｃ）に示すように、半導体層７及び
オーミックコンタクト層９、１０を形成する。次に、図
２に示すように、一方のオーミックコンタクト層９の上
面及びトレンチ１ａを含むゲート絶縁膜６の上面の所定
の箇所にＩＴＯからなる画素電極１１を形成する。次
に、一方のオーミックコンタクト層９の上面及び画素電
極１１の上面の所定の箇所にアルミニウムからなるソー
ス電極１２を形成するとともに、他方のオーミックコン
タクト層１０の上面及びゲート絶縁膜６の上面の所定の
箇所にアルミニウムからなるドレイン電極１３を含む信
号線１４を形成する。かくして、図１及び図２に示す液
晶表示パネルが得られる。
例について、図３（Ａ）〜（Ｃ）を順に参照して説明す
る。まず、図３（Ａ）に示すように、ガラス基板１の上
面の所定の箇所に平面方形状のトレンチ１ａを形成す
る。次に、図３（Ｂ）に示すように、ガラス基板１の上
面の所定の箇所にアルミニウムからなるゲート電極２を
含む走査線３を形成するとともに、トレンチ１ａを含む
他の所定の箇所にアルミニウムからなる補助容量電極４
を含む補助容量線５を形成する。次に、酸化シリコンか
らなるゲート絶縁膜６及び真性アモルファスシリコン層
２１を成膜する。次に、真性アモルファスシリコン層２
１の上面の所定の箇所でゲート電極２に対応する部分に
窒化シリコンからなるブロッキング層８を形成する。次
に、真性アモルファスシリコン層２１の上面に形成され
た自然酸化膜（図示せず）をＮＨ4Ｆで除去する。次
に、ｎ+シリコン層２２を成膜する。次に、ｎ+シリコン
層２２及び真性アモルファスシリコン層２１の不要な部
分を除去し、図３（Ｃ）に示すように、半導体層７及び
オーミックコンタクト層９、１０を形成する。次に、図
２に示すように、一方のオーミックコンタクト層９の上
面及びトレンチ１ａを含むゲート絶縁膜６の上面の所定
の箇所にＩＴＯからなる画素電極１１を形成する。次
に、一方のオーミックコンタクト層９の上面及び画素電
極１１の上面の所定の箇所にアルミニウムからなるソー
ス電極１２を形成するとともに、他方のオーミックコン
タクト層１０の上面及びゲート絶縁膜６の上面の所定の
箇所にアルミニウムからなるドレイン電極１３を含む信
号線１４を形成する。かくして、図１及び図２に示す液
晶表示パネルが得られる。
【０００９】なお、上記実施形態では、補助容量線５を
有する液晶表示パネルについて説明したが、これに限定
されるものではない。例えば、図４に示すこの発明の他
の実施形態のように、補助容量電極４を走査線３に接続
させて形成するようにしてもよい。この場合、トレンチ
１ａ及び補助容量電極４は、画素電極１１の図４の左下
隅部に対応する部分に設けられている。ただし、一の画
素電極１１にゲート電極２等からなる薄膜トランジスタ
（スイッチング素子）を介して接続された一の走査線３
に、当該一の画素電極１１の右側に隣接する他の画素電
極１１用の補助容量電極４が接続されている。そして、
このようにした場合には、図１に示す場合と比較して、
補助容量線５を有していないので、それに対応する分だ
け、画素電極１１及びブラックマトリクスの開口部１５
を大きくすることができ、開口率をより一層大きくする
ことができる。
有する液晶表示パネルについて説明したが、これに限定
されるものではない。例えば、図４に示すこの発明の他
の実施形態のように、補助容量電極４を走査線３に接続
させて形成するようにしてもよい。この場合、トレンチ
１ａ及び補助容量電極４は、画素電極１１の図４の左下
隅部に対応する部分に設けられている。ただし、一の画
素電極１１にゲート電極２等からなる薄膜トランジスタ
（スイッチング素子）を介して接続された一の走査線３
に、当該一の画素電極１１の右側に隣接する他の画素電
極１１用の補助容量電極４が接続されている。そして、
このようにした場合には、図１に示す場合と比較して、
補助容量線５を有していないので、それに対応する分だ
け、画素電極１１及びブラックマトリクスの開口部１５
を大きくすることができ、開口率をより一層大きくする
ことができる。
【００１０】また、上記実施形態では、ガラス基板１に
トレンチ１ａを１個設けた場合について説明したが、こ
れに限らず、開口率を大きくすることができることを条
件として、複数個設けるようにしてもよい。また、上記
実施形態では、トレンチ１ａを平面方形状とした場合に
ついて説明したが、これに限らず、例えば、平面ほぼ方
形状の周囲をギザギザとしてもよい。また、上記実施形
態では、オーミックコンタクト層９、１０を成膜したｎ
+シリコン層によって形成した場合について説明した
が、これに限らず、例えば図３（Ｂ）を参照して説明す
ると、ｎ+シリコン層２２を成膜せずに、ブロッキング
層８をマスクとしてアモルファスシリコン層２１にｎ型
イオンを注入し、このｎ型イオン注入領域によってオー
ミックコンタクト層を形成するようにしてもよい。さら
に、この発明は、上記のようなブロッキング層を有する
薄膜トランジスタに限らず、ブロッキング層を有しない
薄膜トランジスタにも適用することができる。また、こ
の発明は、上記のようなアモルファスシリコン薄膜トラ
ンジスタに限らず、ポリシリコン薄膜トランジスタにも
適用することができる。
トレンチ１ａを１個設けた場合について説明したが、こ
れに限らず、開口率を大きくすることができることを条
件として、複数個設けるようにしてもよい。また、上記
実施形態では、トレンチ１ａを平面方形状とした場合に
ついて説明したが、これに限らず、例えば、平面ほぼ方
形状の周囲をギザギザとしてもよい。また、上記実施形
態では、オーミックコンタクト層９、１０を成膜したｎ
+シリコン層によって形成した場合について説明した
が、これに限らず、例えば図３（Ｂ）を参照して説明す
ると、ｎ+シリコン層２２を成膜せずに、ブロッキング
層８をマスクとしてアモルファスシリコン層２１にｎ型
イオンを注入し、このｎ型イオン注入領域によってオー
ミックコンタクト層を形成するようにしてもよい。さら
に、この発明は、上記のようなブロッキング層を有する
薄膜トランジスタに限らず、ブロッキング層を有しない
薄膜トランジスタにも適用することができる。また、こ
の発明は、上記のようなアモルファスシリコン薄膜トラ
ンジスタに限らず、ポリシリコン薄膜トランジスタにも
適用することができる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、基板に設けられたトレンチ内の側壁上においても補
助容量電極と画素電極とが互いに重なり合うことになる
ので、トレンチの平面サイズを比較的小さくしても、す
なわち、補助容量電極の平面サイズを比較的小さくして
も、トレンチの部分における補助容量電極と画素電極と
の重なり度合を大きくすることができ、ひいては所望の
補助容量を得ることができる上、開口率を大きくするこ
とができる。
ば、基板に設けられたトレンチ内の側壁上においても補
助容量電極と画素電極とが互いに重なり合うことになる
ので、トレンチの平面サイズを比較的小さくしても、す
なわち、補助容量電極の平面サイズを比較的小さくして
も、トレンチの部分における補助容量電極と画素電極と
の重なり度合を大きくすることができ、ひいては所望の
補助容量を得ることができる上、開口率を大きくするこ
とができる。
【図１】この発明の一実施形態における液晶表示パネル
の要部の平面図。
の要部の平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ図１及び図２に示す
液晶表示パネルの製造方法の一例を説明するために示す
各製造工程の断面図。
液晶表示パネルの製造方法の一例を説明するために示す
各製造工程の断面図。
【図４】この発明の他の実施形態における液晶表示パネ
ルの要部の平面図。
ルの要部の平面図。
【図５】従来の液晶表示パネルの一例の一部の平面図。
【図６】図５のＡ−Ａ線に沿う断面図。
１ ガラス基板 １ａ トレンチ ２ ゲート電極 ３ 走査線 ４ 補助容量電極 ５ 補助容量線 ６ ゲート絶縁膜 ７ 半導体層 ８ ブロッキング層 ９、１０ オーミックコンタクト層 １１ 画素電極 １２ ソース電極 １３ ドレイン電極 １４ 信号線 １５ ブラックマトリクスの開口部
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に設けられた補助容量電極上に絶
縁膜を介して画素電極が設けられた液晶表示パネルにお
いて、前記基板の上面にトレンチが設けられ、このトレ
ンチ内に前記補助容量電極、前記絶縁膜及び前記画素電
極の少なくとも一部が設けられていることを特徴とする
液晶表示パネル。 - 【請求項２】 請求項１記載の発明において、前記画素
電極にスイッチング素子を介して走査線が接続され、当
該走査線に当該画素電極に隣接する画素電極用の補助容
量電極が接続されていることを特徴とする液晶表示パネ
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35839698A JP2000171827A (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | 液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35839698A JP2000171827A (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | 液晶表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000171827A true JP2000171827A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18459081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35839698A Abandoned JP2000171827A (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | 液晶表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000171827A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6897564B2 (en) | 2002-01-14 | 2005-05-24 | Plasmion Displays, Llc. | Plasma display panel having trench discharge cells with one or more electrodes formed therein and extended to outside of the trench |
| KR100623720B1 (ko) | 2004-11-24 | 2006-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법 |
| CN106125436A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-11-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及制作方法 |
| US10268091B2 (en) | 2017-01-16 | 2019-04-23 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus |
| WO2020258888A1 (zh) * | 2019-06-26 | 2020-12-30 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN113917741A (zh) * | 2020-07-08 | 2022-01-11 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置、电子设备以及电光装置的制造方法 |
-
1998
- 1998-12-03 JP JP35839698A patent/JP2000171827A/ja not_active Abandoned
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6897564B2 (en) | 2002-01-14 | 2005-05-24 | Plasmion Displays, Llc. | Plasma display panel having trench discharge cells with one or more electrodes formed therein and extended to outside of the trench |
| KR100623720B1 (ko) | 2004-11-24 | 2006-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법 |
| CN106125436A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-11-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及制作方法 |
| WO2018041081A1 (zh) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及制作方法和显示装置 |
| CN106125436B (zh) * | 2016-08-31 | 2019-09-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及制作方法 |
| US10615181B2 (en) | 2016-08-31 | 2020-04-07 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, display panel, manufacturing method, and display device |
| US10268091B2 (en) | 2017-01-16 | 2019-04-23 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus |
| WO2020258888A1 (zh) * | 2019-06-26 | 2020-12-30 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN113917741A (zh) * | 2020-07-08 | 2022-01-11 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置、电子设备以及电光装置的制造方法 |
| US11480840B2 (en) | 2020-07-08 | 2022-10-25 | Seiko Epson Corporation | Electric optical device, electronic device, and manufacturing method of electric optical device |
| CN113917741B (zh) * | 2020-07-08 | 2023-06-27 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置、电子设备以及电光装置的制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3941032B2 (ja) | 垂直薄膜トランジスタを有する薄膜トランジスタ液晶表示素子 | |
| KR100205388B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| US20050146667A1 (en) | Electro-optical device | |
| KR100607621B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| CN100433079C (zh) | 有源矩阵面板 | |
| JP3127619B2 (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
| JP2004363300A (ja) | 液晶表示装置 | |
| EP0468711B1 (en) | Matrix-addressed type display device | |
| JP2000171827A (ja) | 液晶表示パネル | |
| JPH1073809A (ja) | アクティブマトリックスパネル及びその製造方法 | |
| JP3463007B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2004325627A (ja) | アクティブマトリクス基板および表示装置 | |
| JPH0534709A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS58192090A (ja) | マトリツクスアレ− | |
| JPH07326767A (ja) | 薄膜トランジスタおよびそれを用いた液晶表示装置 | |
| JPH06160875A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH06148681A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP4075220B2 (ja) | 表示パネル及びその製造方法 | |
| KR100209622B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| JP2001332742A (ja) | 薄膜トランジスタ基板 | |
| JPH0472769A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| KR100267995B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| JPH0887025A (ja) | アクティブマトリックスパネル | |
| JP3346038B2 (ja) | アクティブマトリックス液晶表示素子 | |
| JP2566130B2 (ja) | アクテイブマトリクス表示装置用基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051031 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051115 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20060111 |