JP2000165142A - 発振回路 - Google Patents
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
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- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
- H03B2200/0042—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor the capacitance diode being in the feedback path
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- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
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- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アッパーへテロダイン方式の受信機の局部発
振回路において、発振信号の低い周波数におけるノイズ
を抑え、受信機の第一中間周波信号のＳ／Ｎを高める。 【解決手段】 帰還コンデンサ３、４と、前記帰還コン
デンサ３、４と共に並列共振回路を構成する第一のイン
ダクタンス手段５を備え、前記第一のインダクタンス手
段５は周波数が低くなるにつれて等価的なインダクタン
スが大きくなる第二のインダクタンス手段６と前記第二
のインダクタンス手段６に直列に接続される第三のイン
ダクタンス手段７とからなり、前記第三のインダクタン
ス手段７の両端から発振信号を取り出すようにした。
振回路において、発振信号の低い周波数におけるノイズ
を抑え、受信機の第一中間周波信号のＳ／Ｎを高める。 【解決手段】 帰還コンデンサ３、４と、前記帰還コン
デンサ３、４と共に並列共振回路を構成する第一のイン
ダクタンス手段５を備え、前記第一のインダクタンス手
段５は周波数が低くなるにつれて等価的なインダクタン
スが大きくなる第二のインダクタンス手段６と前記第二
のインダクタンス手段６に直列に接続される第三のイン
ダクタンス手段７とからなり、前記第三のインダクタン
ス手段７の両端から発振信号を取り出すようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発振回路に関し、特
に、アッパーへテロダイン方式の受信機の局部発振回路
として用いて好適な発振回路に関する。
に、アッパーへテロダイン方式の受信機の局部発振回路
として用いて好適な発振回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、数十ＭＨｚ帯から数百ＭＨｚ帯
までのテレビジョン信号をテレビジョンの中間周波信号
に周波数変換する際に、テレビジョン信号を一旦１３０
０ＭＨｚ帯の高い第一中間周波信号に周波数変換してい
る。このとき局部発振回路は、１３００ＭＨｚより高い
周波数で発振するようになっている。このような局部発
振回路として用いられる従来の発振回路を図５に示す。
この発振回路は、コレクタ接地型の発振回路であり、電
源電圧（Ｅ）が印加された発振トランジスタ３１のコレ
クタは直流阻止コンデンサ３２によって高周波的に接地
され、ベースとエミッタとの間、および、エミッタとコ
レクタとの間にはそれぞれ帰還コンデンサ３３、３４が
接続される。そして、ベースとグランドとの間にインダ
クタンス手段３５が接続される。インダクタンス手段３
５は、直列に接続された帰還コンデンサ３３、３４に対
して高周波的に並列に接続され、発振周波数においては
等価的に誘導性として働く。
までのテレビジョン信号をテレビジョンの中間周波信号
に周波数変換する際に、テレビジョン信号を一旦１３０
０ＭＨｚ帯の高い第一中間周波信号に周波数変換してい
る。このとき局部発振回路は、１３００ＭＨｚより高い
周波数で発振するようになっている。このような局部発
振回路として用いられる従来の発振回路を図５に示す。
この発振回路は、コレクタ接地型の発振回路であり、電
源電圧（Ｅ）が印加された発振トランジスタ３１のコレ
クタは直流阻止コンデンサ３２によって高周波的に接地
され、ベースとエミッタとの間、および、エミッタとコ
レクタとの間にはそれぞれ帰還コンデンサ３３、３４が
接続される。そして、ベースとグランドとの間にインダ
クタンス手段３５が接続される。インダクタンス手段３
５は、直列に接続された帰還コンデンサ３３、３４に対
して高周波的に並列に接続され、発振周波数においては
等価的に誘導性として働く。
【０００３】インダクタンス手段３５は、クラップコン
デンサ３６、バラクタダイオード３７、及びインダクタ
ンス素子３８が直列に接続されて構成される。そして、
インダクタンス手段３５の等価的なインダクタンスと、
直列接続された帰還コンデンサ３３、３４の直列容量と
による並列共振周波数によって発振周波数が決定され
る。
デンサ３６、バラクタダイオード３７、及びインダクタ
ンス素子３８が直列に接続されて構成される。そして、
インダクタンス手段３５の等価的なインダクタンスと、
直列接続された帰還コンデンサ３３、３４の直列容量と
による並列共振周波数によって発振周波数が決定され
る。
【０００４】発振トランジスタ３１のエミッタとグラン
ドとの間には抵抗３９が接続され、ベースとグランドと
の間には抵抗４０が接続される。また、ベースには抵抗
４１を介して電源電圧（Ｅ）が供給される。抵抗３９
は、エミッタにバイアス電圧を与えるためのエミッタバ
イアス抵抗となり、抵抗４０、４１は、ベースにバイア
ス電圧を与えるためのベースバイアス抵抗となってい
る。
ドとの間には抵抗３９が接続され、ベースとグランドと
の間には抵抗４０が接続される。また、ベースには抵抗
４１を介して電源電圧（Ｅ）が供給される。抵抗３９
は、エミッタにバイアス電圧を与えるためのエミッタバ
イアス抵抗となり、抵抗４０、４１は、ベースにバイア
ス電圧を与えるためのベースバイアス抵抗となってい
る。
【０００５】そして、発振トランジスタ３１のエミッタ
から出力される発振信号をピックアップ用コンデンサ４
２を介して増幅器４３に入力し、増幅器４３から図示し
ない混合回路に入力するようにしている。
から出力される発振信号をピックアップ用コンデンサ４
２を介して増幅器４３に入力し、増幅器４３から図示し
ない混合回路に入力するようにしている。
【０００６】この際、チョークコイル４４によってバラ
クタダイオード３７のカソードに制御電圧Ｖを印加し、
その電圧Ｖを変えることでバラクタダイオード３７の容
量を変え、受信するテレビジョン信号の周波数に対応し
て発振周波数を変えている。つまり、バラクタダイオー
ド３７に印加した制御電圧Ｖを高くするに従ってバラク
タダイオード３７の容量が小さくなり、インダクタンス
手段３５の等価的なインダクタンスが小さくなり、発振
周波数が高くなる。また、バラクタダイオード３７に印
加した制御電圧Ｖを低くするに従ってバラクタダイオー
ド３７の容量が大きくなり、インダクタンス手段３５の
等価的なインダクタンスが大きくなり、発振周波数が低
くなる。
クタダイオード３７のカソードに制御電圧Ｖを印加し、
その電圧Ｖを変えることでバラクタダイオード３７の容
量を変え、受信するテレビジョン信号の周波数に対応し
て発振周波数を変えている。つまり、バラクタダイオー
ド３７に印加した制御電圧Ｖを高くするに従ってバラク
タダイオード３７の容量が小さくなり、インダクタンス
手段３５の等価的なインダクタンスが小さくなり、発振
周波数が高くなる。また、バラクタダイオード３７に印
加した制御電圧Ｖを低くするに従ってバラクタダイオー
ド３７の容量が大きくなり、インダクタンス手段３５の
等価的なインダクタンスが大きくなり、発振周波数が低
くなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、発振回路か
ら出力される発振信号のレベルは、一般に発振周波数が
低くなるほど大きくなる。また、発振回路からはノイズ
も出力されており、このノイズのレベルも周波数が低く
なるほど大きくなる。従って、上記の発振回路をアッパ
ーへテロダイン方式の受信機の局部発振回路に使用する
と、発振周波数よりも低い第一中間周波数帯での大きな
ノイズが混合回路に入力され、第一中間周波信号のＳ／
Ｎが悪化するという欠点を有している。
ら出力される発振信号のレベルは、一般に発振周波数が
低くなるほど大きくなる。また、発振回路からはノイズ
も出力されており、このノイズのレベルも周波数が低く
なるほど大きくなる。従って、上記の発振回路をアッパ
ーへテロダイン方式の受信機の局部発振回路に使用する
と、発振周波数よりも低い第一中間周波数帯での大きな
ノイズが混合回路に入力され、第一中間周波信号のＳ／
Ｎが悪化するという欠点を有している。
【０００８】そこで、本発明の発振回路は、発振周波数
よりも低い周波数のノイズを抑えることにより受信機の
第一中間周波信号のＳ／Ｎを高めることを目的とする。
よりも低い周波数のノイズを抑えることにより受信機の
第一中間周波信号のＳ／Ｎを高めることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の発振回路は、帰還コンデンサと、前記帰還
コンデンサと共に並列共振回路を構成する第一のインダ
クタンス手段とを備え、前記第一のインダクタンス手段
は周波数が低くなるにつれて等価的なインダクタンスが
大きくなる第二のインダクタンス手段と前記第二のイン
ダクタンス手段に直列に接続される第三のインダクタン
ス手段とからなり、前記第三のインダクタンス手段の両
端から発振信号を取り出すようにした。
め、本発明の発振回路は、帰還コンデンサと、前記帰還
コンデンサと共に並列共振回路を構成する第一のインダ
クタンス手段とを備え、前記第一のインダクタンス手段
は周波数が低くなるにつれて等価的なインダクタンスが
大きくなる第二のインダクタンス手段と前記第二のイン
ダクタンス手段に直列に接続される第三のインダクタン
ス手段とからなり、前記第三のインダクタンス手段の両
端から発振信号を取り出すようにした。
【００１０】また、本発明の発振回路の前記第二のイン
ダクタンス手段は、第一のインダクタンス素子と前記第
一のインダクタンス素子に直列に接続された可変コンデ
ンサとを備え、前記可変コンデンサの容量値を変化させ
ることにより前記発振信号の周波数を制御するようにし
た。
ダクタンス手段は、第一のインダクタンス素子と前記第
一のインダクタンス素子に直列に接続された可変コンデ
ンサとを備え、前記可変コンデンサの容量値を変化させ
ることにより前記発振信号の周波数を制御するようにし
た。
【００１１】また、本発明の発振回路の前記第三のイン
ダクタンス手段は、第二のインダクタンス素子からな
り、前記第一のインダクタンス素子と前記第二のインダ
クタンス素子とを直列に接続すると共に第一のストリッ
プ線路で一体に構成し、前記第一のストリップ線路の長
さ方向の途中の位置から前記発振信号を取り出すように
し、前記第一のストリップ線路における前記第三のイン
ダクタンス手段の端部を高周波的に接地した。
ダクタンス手段は、第二のインダクタンス素子からな
り、前記第一のインダクタンス素子と前記第二のインダ
クタンス素子とを直列に接続すると共に第一のストリッ
プ線路で一体に構成し、前記第一のストリップ線路の長
さ方向の途中の位置から前記発振信号を取り出すように
し、前記第一のストリップ線路における前記第三のイン
ダクタンス手段の端部を高周波的に接地した。
【００１２】また、本発明の発振回路の前記第二のイン
ダクタンス手段は、第三のインダクタンス素子と、前記
第三のインダクタンス素子と互いに並列に接続された可
変コンデンサとを備え、前記可変コンデンサの容量値を
前記発振信号の周波数の増減方向と逆の方向に増減させ
るようにした。
ダクタンス手段は、第三のインダクタンス素子と、前記
第三のインダクタンス素子と互いに並列に接続された可
変コンデンサとを備え、前記可変コンデンサの容量値を
前記発振信号の周波数の増減方向と逆の方向に増減させ
るようにした。
【００１３】また、本発明の発振回路の前記第三のイン
ダクタンス手段は、第四のインダクタンス素子からな
り、前記第三のインダクタンス素子と前記第四のインダ
クタンス素子とを直列に接続すると共に第二のストリッ
プ線路で一体に構成し、前記第二のストリップ線路の長
さ方向の途中の位置から前記発振信号を取り出すように
し、前記第一のストリップ線路における前記第三のイン
ダクタンス手段の端部を高周波的に接地した。
ダクタンス手段は、第四のインダクタンス素子からな
り、前記第三のインダクタンス素子と前記第四のインダ
クタンス素子とを直列に接続すると共に第二のストリッ
プ線路で一体に構成し、前記第二のストリップ線路の長
さ方向の途中の位置から前記発振信号を取り出すように
し、前記第一のストリップ線路における前記第三のイン
ダクタンス手段の端部を高周波的に接地した。
【００１４】また、本発明の発振回路は、前記可変コン
デンサをバラクタダイオードで構成し、前記バラクタダ
イオードの容量を変える制御電圧を変化させることによ
り前記周波数を制御した。
デンサをバラクタダイオードで構成し、前記バラクタダ
イオードの容量を変える制御電圧を変化させることによ
り前記周波数を制御した。
【００１５】また、本発明の発振回路は、前記第三のイ
ンダクタンス手段は一端が高周波的に接地されている。
ンダクタンス手段は一端が高周波的に接地されている。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の発振回路を図１乃至図４
に従って説明する。
に従って説明する。
【００１７】先ず、図１に示す発振回路は、コレクタ接
地型の発振回路であり、電源電圧（Ｅ）が印加された発
振トランジスタ１のコレクタは直流阻止コンデンサ２に
よって高周波的に接地され、ベースとエミッタとの間、
および、エミッタとコレクタとの間にはそれぞれ帰還コ
ンデンサ３、４が接続される。そして、ベースとグラン
ドとの間に第一のインダクタンス手段５が接続される。
第一のインダクタンス手段５は、直列に接続された帰還
コンデンサ３、４に対して高周波的に並列に接続され、
発振周波数においては等価的に誘導性として働く。
地型の発振回路であり、電源電圧（Ｅ）が印加された発
振トランジスタ１のコレクタは直流阻止コンデンサ２に
よって高周波的に接地され、ベースとエミッタとの間、
および、エミッタとコレクタとの間にはそれぞれ帰還コ
ンデンサ３、４が接続される。そして、ベースとグラン
ドとの間に第一のインダクタンス手段５が接続される。
第一のインダクタンス手段５は、直列に接続された帰還
コンデンサ３、４に対して高周波的に並列に接続され、
発振周波数においては等価的に誘導性として働く。
【００１８】第一のインダクタンス手段５は、第二のイ
ンダクタンス手段６と第三のインダクタンス手段７が直
列に接続されて構成される。第二のインダクタンス手段
６は、第一のインダクタンス素子８とバラクタダイオー
ド９とクラップコンデンサ１０とが直列に接続されて構
成され、第三のインダクタンス手段７は第二のインダク
タンス素子１１で構成される。そして、第二のインダク
タンス素子１１の一端は接地され、他端が第一のインダ
クタンス素子８に接続される。更に第一のインダクタン
ス素子８にバラクタダイオード９が接続され、バラクタ
ダイオード９にクラップコンデンサ１０が接続され、ク
ラップコンデンサ１０は、発振トランジスタ１のベース
へ接続されている。そして、第一のインダクタンス手段
５の等価的なインダクタンスと、直列接続された帰還コ
ンデンサ３、４の直列容量とによる並列共振周波数によ
って発振周波数が決定される。
ンダクタンス手段６と第三のインダクタンス手段７が直
列に接続されて構成される。第二のインダクタンス手段
６は、第一のインダクタンス素子８とバラクタダイオー
ド９とクラップコンデンサ１０とが直列に接続されて構
成され、第三のインダクタンス手段７は第二のインダク
タンス素子１１で構成される。そして、第二のインダク
タンス素子１１の一端は接地され、他端が第一のインダ
クタンス素子８に接続される。更に第一のインダクタン
ス素子８にバラクタダイオード９が接続され、バラクタ
ダイオード９にクラップコンデンサ１０が接続され、ク
ラップコンデンサ１０は、発振トランジスタ１のベース
へ接続されている。そして、第一のインダクタンス手段
５の等価的なインダクタンスと、直列接続された帰還コ
ンデンサ３、４の直列容量とによる並列共振周波数によ
って発振周波数が決定される。
【００１９】発振トランジスタ１のエミッタとグランド
の間には抵抗１２が接続され、ベースとグランドとの間
には抵抗１３が接続される。また、ベースには抵抗１４
を介して電源電圧（Ｅ）が供給される。抵抗１２は、エ
ミッタにバイアス電圧を与えるためのエミッタバイアス
抵抗となり、抵抗１３、１４は、ベースにバイアス電圧
を与えるためのベースバイアス抵抗となっている。これ
らのバイアス抵抗１２、１３、１４によって発振トラン
ジスタ１に直流的な動作点が与えられる。
の間には抵抗１２が接続され、ベースとグランドとの間
には抵抗１３が接続される。また、ベースには抵抗１４
を介して電源電圧（Ｅ）が供給される。抵抗１２は、エ
ミッタにバイアス電圧を与えるためのエミッタバイアス
抵抗となり、抵抗１３、１４は、ベースにバイアス電圧
を与えるためのベースバイアス抵抗となっている。これ
らのバイアス抵抗１２、１３、１４によって発振トラン
ジスタ１に直流的な動作点が与えられる。
【００２０】また、第一のインダクタンス素子８と第二
のインダクタンス素子１１との接続点から出力される発
振信号をピックアップ用コンデンサ１５を介して増幅器
１６に入力し、増幅器１６から図示しない混合回路に入
力するようにしている。
のインダクタンス素子１１との接続点から出力される発
振信号をピックアップ用コンデンサ１５を介して増幅器
１６に入力し、増幅器１６から図示しない混合回路に入
力するようにしている。
【００２１】この際、チョークコイル１７によってバラ
クタダイオード９のカソードに制御電圧Ｖを印加し、そ
の制御電圧Ｖを変えることでバラクタダイオード９の容
量を変え、受信するテレビジョン信号の周波数に対応し
て発振周波数を変えている。つまり、バラクタダイオー
ド９に印加した制御電圧Ｖを高くするに従って、バラク
タダイオード９の容量が小さくなり、第二のインダクタ
ンス手段６の等価的なインダクタンスが小さくなり、第
一のインダクタンス手段５の等価的なインダクタンスが
小さくなるため、発振周波数が高くなる。また、バラク
タダイオード９に印加した制御電圧Ｖを低くするに従っ
てバラクタダイオード９の容量が大きくなり、第二のイ
ンダクタンス手段６の等価的なインダクタンス値が大き
くなるため、第一のインダクタンス手段５の等価的なイ
ンダクタンス値が大きくなり、発振周波数が低くなる。
クタダイオード９のカソードに制御電圧Ｖを印加し、そ
の制御電圧Ｖを変えることでバラクタダイオード９の容
量を変え、受信するテレビジョン信号の周波数に対応し
て発振周波数を変えている。つまり、バラクタダイオー
ド９に印加した制御電圧Ｖを高くするに従って、バラク
タダイオード９の容量が小さくなり、第二のインダクタ
ンス手段６の等価的なインダクタンスが小さくなり、第
一のインダクタンス手段５の等価的なインダクタンスが
小さくなるため、発振周波数が高くなる。また、バラク
タダイオード９に印加した制御電圧Ｖを低くするに従っ
てバラクタダイオード９の容量が大きくなり、第二のイ
ンダクタンス手段６の等価的なインダクタンス値が大き
くなるため、第一のインダクタンス手段５の等価的なイ
ンダクタンス値が大きくなり、発振周波数が低くなる。
【００２２】そして、第二のインダクタンス手段６のイ
ンダクタンス値が大きくなると、第一のインダクタンス
手段５の両端に発生する発振信号のレベルに対する第三
のインダクタンス手段７の両端に発生する発振信号のレ
ベルの割合は小さくなるため、発振周波数が低くなるほ
ど第一のインダクタンス素子８と第二のインダクタンス
素子１１との接続点から出力される発振信号が小さくな
る。同様に発振信号に含まれるノイズに関しても周波数
が低くなるほど、レベルが小さくなる。
ンダクタンス値が大きくなると、第一のインダクタンス
手段５の両端に発生する発振信号のレベルに対する第三
のインダクタンス手段７の両端に発生する発振信号のレ
ベルの割合は小さくなるため、発振周波数が低くなるほ
ど第一のインダクタンス素子８と第二のインダクタンス
素子１１との接続点から出力される発振信号が小さくな
る。同様に発振信号に含まれるノイズに関しても周波数
が低くなるほど、レベルが小さくなる。
【００２３】従って、上記の発振回路をアッパーへテロ
ダイン方式の受信機の局部回路に使用すると、発振周波
数よりも低い第一中間周波数帯でのノイズのレベルが従
来と比べて低くなるため、中間周波のＳ／Ｎが改善され
る。
ダイン方式の受信機の局部回路に使用すると、発振周波
数よりも低い第一中間周波数帯でのノイズのレベルが従
来と比べて低くなるため、中間周波のＳ／Ｎが改善され
る。
【００２４】図２は本発明の発振回路の他の実施の形態
を示す。この発振回路は、第一のインダクタンス手段５
の構成が図１に示す構成と異なっている。この発振回路
は、第一のインダクタンス手段５が第二のインダクタン
ス手段６と第三のインダクタンス手段７を直列に接続し
た回路より構成されている。第三のインダクタンス手段
７は第四のインダクタンス素子２２からなり、第二のイ
ンダクタンス手段６は、クラップコンデンサ１０と、互
いに並列に接続されたバラクタダイオード９及び第三の
インダクタンス素子２１とからなり、バラクタダイオー
ド９と第三のインダクタンス素子２１との一端同士が第
四のインダクタンス素子２２に接続され、他端同士がク
ラップコンデンサ１０に接続される。
を示す。この発振回路は、第一のインダクタンス手段５
の構成が図１に示す構成と異なっている。この発振回路
は、第一のインダクタンス手段５が第二のインダクタン
ス手段６と第三のインダクタンス手段７を直列に接続し
た回路より構成されている。第三のインダクタンス手段
７は第四のインダクタンス素子２２からなり、第二のイ
ンダクタンス手段６は、クラップコンデンサ１０と、互
いに並列に接続されたバラクタダイオード９及び第三の
インダクタンス素子２１とからなり、バラクタダイオー
ド９と第三のインダクタンス素子２１との一端同士が第
四のインダクタンス素子２２に接続され、他端同士がク
ラップコンデンサ１０に接続される。
【００２５】そして、第三のインダクタンス素子２１
と、第四のインダクタンス素子２２との接続点から出力
される発振信号をピックアップ用コンデンサ１５を介し
て増幅器１６に入力し、増幅器１６から図示しない混合
回路に入力するようにしている。
と、第四のインダクタンス素子２２との接続点から出力
される発振信号をピックアップ用コンデンサ１５を介し
て増幅器１６に入力し、増幅器１６から図示しない混合
回路に入力するようにしている。
【００２６】チョークコイル１７によってバラクタダイ
オード９のカソードに制御電圧Ｖを印加し、その制御電
圧Ｖが低くなるに従ってバラクタダイオード９の容量が
大きくなり、第二のインダクタンス手段６の等価的なイ
ンダクタンス値が大きくなるため、第一のインダクタン
ス手段５の等価的なインダクタンス値が大きくなり、発
振周波数が低くなる。
オード９のカソードに制御電圧Ｖを印加し、その制御電
圧Ｖが低くなるに従ってバラクタダイオード９の容量が
大きくなり、第二のインダクタンス手段６の等価的なイ
ンダクタンス値が大きくなるため、第一のインダクタン
ス手段５の等価的なインダクタンス値が大きくなり、発
振周波数が低くなる。
【００２７】そして、第二のインダクタンス手段６のイ
ンダクタンス値が大きくなると、第一のインダクタンス
手段５の両端に発生する発振信号のレベルに対する第三
のインダクタンス手段７の両端に発生する発振信号のレ
ベルの割合は小さくなるため、発振周波数が低くなるほ
ど第三のインダクタンス素子２１と第四のインダクタン
ス素子２２の接続点から出力される発振信号が小さくな
る。同様に発振信号に含まれるノイズに関しても周波数
が低くなるほど、レベルが小さくなる。
ンダクタンス値が大きくなると、第一のインダクタンス
手段５の両端に発生する発振信号のレベルに対する第三
のインダクタンス手段７の両端に発生する発振信号のレ
ベルの割合は小さくなるため、発振周波数が低くなるほ
ど第三のインダクタンス素子２１と第四のインダクタン
ス素子２２の接続点から出力される発振信号が小さくな
る。同様に発振信号に含まれるノイズに関しても周波数
が低くなるほど、レベルが小さくなる。
【００２８】従って、上記の発振回路をアッパーへテロ
ダイン方式の受信機の局部回路に使用すると、発振周波
数よりも低い第一中間周波数帯でのノイズのレベルが従
来と比べて低くなるため、中間周波のＳ／Ｎが改善され
る。
ダイン方式の受信機の局部回路に使用すると、発振周波
数よりも低い第一中間周波数帯でのノイズのレベルが従
来と比べて低くなるため、中間周波のＳ／Ｎが改善され
る。
【００２９】なお、図３は、図１に示した実施形態の変
形例であり、図１における第一のインダクタン素子８と
第二のインダクタンス素子１１とを一体として構成した
第一のストリップ線路２３を用いた例である。発振信号
は、第一のストリップ線路２３の途中のタップ位置２４
からピックアップ用コンデンサ１５を介して増幅器１６
に入力し、増幅器１６から図示しない混合回路に入力す
るようにしている。タップ位置２４とバラクタダイオー
ド９との間のインダクタンス値は図１に示す第一のイン
ダクタンス素子８と同じとし、タップ位置２４とグラン
ドとの間のインダクタンス値は図１に示す第二のインダ
クタンス素子１１のインダクタンス値と同じとする。こ
の場合、２つのインダクタンス素子８、１１を１つの第
一のストリップ線路２３で構成できるため、部品点数が
減り、小型化が可能となる。
形例であり、図１における第一のインダクタン素子８と
第二のインダクタンス素子１１とを一体として構成した
第一のストリップ線路２３を用いた例である。発振信号
は、第一のストリップ線路２３の途中のタップ位置２４
からピックアップ用コンデンサ１５を介して増幅器１６
に入力し、増幅器１６から図示しない混合回路に入力す
るようにしている。タップ位置２４とバラクタダイオー
ド９との間のインダクタンス値は図１に示す第一のイン
ダクタンス素子８と同じとし、タップ位置２４とグラン
ドとの間のインダクタンス値は図１に示す第二のインダ
クタンス素子１１のインダクタンス値と同じとする。こ
の場合、２つのインダクタンス素子８、１１を１つの第
一のストリップ線路２３で構成できるため、部品点数が
減り、小型化が可能となる。
【００３０】同様に図４は、図２に示した実施形態の変
形例であり、図２における第三のインダクタンス素子２
１と第四のインダクタンス素子２２を一体として構成し
た第二のストリップ線路２５を用いた例である。発振信
号は、第二のストリップ線路の途中のタップ位置２６か
らピックアップ用コンデンサ１５を介して増幅器１６へ
入力し、増幅器１２から図示しない混合回路に入力する
ようにしている。バラクタダイオード９のカソード側と
タップ位置２６との間のインダクタンス値は、図２に示
す第三のインダクタンス素子２１と同じとし、タップ位
置２６とグランドとの間のインダクタンス値は図２に示
す第四のインダクタンス素子２２のインダクタンス値と
同じとする。この場合も、２つのインダクタンス素子２
１、２２を１つの第二のストリップ線路２５で構成でき
るため、部品点数が減り、小型化が可能となる。
形例であり、図２における第三のインダクタンス素子２
１と第四のインダクタンス素子２２を一体として構成し
た第二のストリップ線路２５を用いた例である。発振信
号は、第二のストリップ線路の途中のタップ位置２６か
らピックアップ用コンデンサ１５を介して増幅器１６へ
入力し、増幅器１２から図示しない混合回路に入力する
ようにしている。バラクタダイオード９のカソード側と
タップ位置２６との間のインダクタンス値は、図２に示
す第三のインダクタンス素子２１と同じとし、タップ位
置２６とグランドとの間のインダクタンス値は図２に示
す第四のインダクタンス素子２２のインダクタンス値と
同じとする。この場合も、２つのインダクタンス素子２
１、２２を１つの第二のストリップ線路２５で構成でき
るため、部品点数が減り、小型化が可能となる。
【００３１】
【発明の効果】以上のように、本発明の発振回路は、帰
還コンデンサと、前記帰還コンデンサと共に並列共振回
路を構成する第一のインダクタンス手段を備え、前記第
一のインダクタンス手段は周波数が低くなるにつれて等
価的なインダクタンスが大きくなる第二のインダクタン
ス手段と前記第二のインダクタンス手段に直列に接続さ
れる第三のインダクタンス手段とからなり、前記第三の
インダクタンス手段の両端から発振信号を取り出すよう
にしたので、発振周波数よりも低い周波数におけるノイ
ズが低減される。この結果、アッパーへテロダイン受信
機の局部発振回路に用いることによって第一中間周波信
号のＳ／Ｎが向上する。
還コンデンサと、前記帰還コンデンサと共に並列共振回
路を構成する第一のインダクタンス手段を備え、前記第
一のインダクタンス手段は周波数が低くなるにつれて等
価的なインダクタンスが大きくなる第二のインダクタン
ス手段と前記第二のインダクタンス手段に直列に接続さ
れる第三のインダクタンス手段とからなり、前記第三の
インダクタンス手段の両端から発振信号を取り出すよう
にしたので、発振周波数よりも低い周波数におけるノイ
ズが低減される。この結果、アッパーへテロダイン受信
機の局部発振回路に用いることによって第一中間周波信
号のＳ／Ｎが向上する。
【００３２】また、本発明の発振回路の前記第二のイン
ダクタンス手段は、第一のインダクタンス素子と前記第
一のインダクタンス素子に直列に接続された可変コンデ
ンサとを備え、前記可変コンデンサの容量値を変化させ
ることにより前記発振信号の周波数のを制御するように
したので、可変コンデンサの容量を変化させることによ
って第一のインダクタンス手段の等価的なインダクタン
ス値を制御できる。
ダクタンス手段は、第一のインダクタンス素子と前記第
一のインダクタンス素子に直列に接続された可変コンデ
ンサとを備え、前記可変コンデンサの容量値を変化させ
ることにより前記発振信号の周波数のを制御するように
したので、可変コンデンサの容量を変化させることによ
って第一のインダクタンス手段の等価的なインダクタン
ス値を制御できる。
【００３３】また、本発明の発振回路の前記第三のイン
ダクタンス手段は、第二のインダクタンス素子からな
り、前記第一のインダクタンス素子と前記第二のインダ
クタンス素子とを直列に接続すると共に第一のストリッ
プ線路で一体に構成し、前記第一のストリップ線路の長
さ方向の途中の位置から前記発振信号を取り出すように
したので、部品点数が減り、小型化が可能となった。
ダクタンス手段は、第二のインダクタンス素子からな
り、前記第一のインダクタンス素子と前記第二のインダ
クタンス素子とを直列に接続すると共に第一のストリッ
プ線路で一体に構成し、前記第一のストリップ線路の長
さ方向の途中の位置から前記発振信号を取り出すように
したので、部品点数が減り、小型化が可能となった。
【００３４】また、本発明の発振回路の前記第二のイン
ダクタンス手段は、第三のインダクタンス素子と、前記
第三のインダクタンス素子と互いに並列に接続された可
変コンデンサとを備え、前記可変コンデンサの容量値を
変化させることにより前記発振信号の周波数を制御した
ので、可変コンデンサの容量を変化させることによって
第一のインダクタンス手段の等価的なインダクタンス値
を制御できる。
ダクタンス手段は、第三のインダクタンス素子と、前記
第三のインダクタンス素子と互いに並列に接続された可
変コンデンサとを備え、前記可変コンデンサの容量値を
変化させることにより前記発振信号の周波数を制御した
ので、可変コンデンサの容量を変化させることによって
第一のインダクタンス手段の等価的なインダクタンス値
を制御できる。
【００３５】また、本発明の発振回路の前記第三のイン
ダクタンス手段は、第四のインダクタンス素子からな
り、前記第三のインダクタンス素子と前記第四のインダ
クタンス素子とを直列に接続すると共に第二のストリッ
プ線路で一体に構成し、前記第二のストリップ線路の長
さ方向の途中の位置から前記発振信号を取り出すように
したので、部品点数が減り、小型化が可能となった。
ダクタンス手段は、第四のインダクタンス素子からな
り、前記第三のインダクタンス素子と前記第四のインダ
クタンス素子とを直列に接続すると共に第二のストリッ
プ線路で一体に構成し、前記第二のストリップ線路の長
さ方向の途中の位置から前記発振信号を取り出すように
したので、部品点数が減り、小型化が可能となった。
【００３６】また、本発明の発振回路は、前記可変コン
デンサをバラクタダイオードで構成し、前記バラクタダ
イオードの容量を変える制御電圧を変化させることによ
り前記発振信号の周波数を制御したので、制御電圧の変
化によって第二のインダクタンス手段の等価的なインダ
クタンス値を増減することができる。
デンサをバラクタダイオードで構成し、前記バラクタダ
イオードの容量を変える制御電圧を変化させることによ
り前記発振信号の周波数を制御したので、制御電圧の変
化によって第二のインダクタンス手段の等価的なインダ
クタンス値を増減することができる。
【００３７】また、本発明の発振回路は、前記第三のイ
ンダクタンス手段の一端が高周波的に接地したので、第
一のインダクタンス手段６と第二のインダクタンス手段
７の間から発振信号を取り出すだけで周波数が低くなる
ほどノイズのレベルは小さくなる。
ンダクタンス手段の一端が高周波的に接地したので、第
一のインダクタンス手段６と第二のインダクタンス手段
７の間から発振信号を取り出すだけで周波数が低くなる
ほどノイズのレベルは小さくなる。
【図１】本発明の発振回路の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の発振回路の他の構成を示す回路図であ
る。
る。
【図３】本発明の発振回路の更に他の構成を示す回路図
である。
である。
【図４】本発明の発振回路の更に他の構成を示す回路図
である。
である。
【図５】従来の発振回路の構成を示す回路図である。
１ 発振トランジスタ ２ 直流阻止コンデンサ ３、４ 帰還コンデンサ ５ 第一のインダクタンス手段 ６ 第二のインダクタンス手段 ７ 第三のインダクタンス手段 ８ 第一のインダクタンス素子 ９ バラクタダイオード １０ クラップコンデンサ １１ 第二のインダクタンス素子 １２ エミッタバイアス抵抗 １３、１４ ベースバイアス抵抗 １５ ピックアップ用コンデンサ １６ 増幅器 １７ チョークコイル ２１ 第三のインダクタンス素子 ２２ 第四のインダクタンス素子 ２３、２５ ストリップ線路 ２４、２６ タップ位置
Claims (7)
- 【請求項１】 帰還コンデンサと、前記帰還コンデンサ
と共に並列共振回路を構成する第一のインダクタンス手
段を備え、前記第一のインダクタンス手段は周波数が低
くなるにつれて等価的なインダクタンスが大きくなる第
二のインダクタンス手段と前記第二のインダクタンス手
段に直列に接続される第三のインダクタンス手段とから
なり、前記第三のインダクタンス手段の両端から発振信
号を取り出すようにしたことを特徴とする発振回路。 - 【請求項２】 前記第二のインダクタンス手段は第一の
インダクタンス素子と、前記第一のインダクタンス素子
に直列に接続された可変コンデンサとを備え、前記可変
コンデンサの容量値を変化させることにより前記発振信
号の周波数を制御するようにしたことを特徴とする請求
項１記載の発振回路。 - 【請求項３】 前記第三のインダクタンス手段は第二の
インダクタンス素子からなり、前記第一のインダクタン
ス素子と前記第二のインダクタンス素子とを直列に接続
すると共に第一のストリップ線路で一体に構成し、前記
第一のストリップ線路の長さ方向の途中の位置から前記
発振信号を取り出すようにしたことを特徴とする請求項
２記載の発振回路。 - 【請求項４】 前記第二のインダクタンス手段は第三の
インダクタンス素子と、前記第三のインダクタンス素子
と互いに並列に接続された可変コンデンサとを備え、前
記可変コンデンサの容量値を変化させることにより前記
発振信号の周波数を制御するようにした請求項１記載の
発振回路。 - 【請求項５】 前記第三のインダクタンス手段は第四の
インダクタンス素子からなり、前記第三のインダクタン
ス素子と前記第四のインダクタンス素子とを直列に接続
すると共に第二のストリップ線路で一体に構成し、前記
第二のストリップ線路の長さ方向の途中の位置から前記
発振信号を取り出すようにしたことを特徴とする請求項
４記載の発振回路。 - 【請求項６】 前記可変コンデンサをバラクタダイオー
ドで構成し、前記バラクタダイオードの容量を変える制
御電圧を変化させることにより前記発振信号の周波数を
制御したことを特徴とする請求項２または４記載の発振
回路。 - 【請求項７】 前記第三のインダクタンス手段の一端を
高周波的に接地したことを特徴とする請求項１乃至７の
いずれかに記載の発振回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10333795A JP2000165142A (ja) | 1998-11-25 | 1998-11-25 | 発振回路 |
| US09/441,606 US6172578B1 (en) | 1998-11-25 | 1999-11-16 | Oscillation circuit suitable for upper heterodyne receiver |
| CN99123770A CN1110889C (zh) | 1998-11-25 | 1999-11-22 | 振荡电路 |
| KR1019990052335A KR100315943B1 (ko) | 1998-11-25 | 1999-11-24 | 발진회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10333795A JP2000165142A (ja) | 1998-11-25 | 1998-11-25 | 発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000165142A true JP2000165142A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=18270052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10333795A Withdrawn JP2000165142A (ja) | 1998-11-25 | 1998-11-25 | 発振回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6172578B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000165142A (ja) |
| KR (1) | KR100315943B1 (ja) |
| CN (1) | CN1110889C (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4150344A (en) * | 1976-03-01 | 1979-04-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Tunable microwave oscillator |
| JPH0323688Y2 (ja) * | 1984-10-04 | 1991-05-23 | ||
| JPH10505728A (ja) | 1995-06-30 | 1998-06-02 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 高調波出力を有する可同調発振器 |
| JP2793521B2 (ja) | 1995-07-13 | 1998-09-03 | 埼玉日本電気株式会社 | 電圧制御発振器 |
-
1998
- 1998-11-25 JP JP10333795A patent/JP2000165142A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-11-16 US US09/441,606 patent/US6172578B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-11-22 CN CN99123770A patent/CN1110889C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-11-24 KR KR1019990052335A patent/KR100315943B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1110889C (zh) | 2003-06-04 |
| KR100315943B1 (ko) | 2001-12-12 |
| CN1257342A (zh) | 2000-06-21 |
| KR20000047706A (ko) | 2000-07-25 |
| US6172578B1 (en) | 2001-01-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040122 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040217 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040331 |