JPH0323688Y2 - - Google Patents
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- JPH0323688Y2 JPH0323688Y2 JP1984150397U JP15039784U JPH0323688Y2 JP H0323688 Y2 JPH0323688 Y2 JP H0323688Y2 JP 1984150397 U JP1984150397 U JP 1984150397U JP 15039784 U JP15039784 U JP 15039784U JP H0323688 Y2 JPH0323688 Y2 JP H0323688Y2
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- Japan
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- line
- resonant
- diode
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
-
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- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
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- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
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- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C3/00—Angle modulation
- H03C3/10—Angle modulation by means of variable impedance
- H03C3/12—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element
- H03C3/22—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element the element being a semiconductor diode, e.g. varicap diode
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は発振器、特に１つの発振器を用いて異
なつた周波数で送信および受信等を行う際に、当
該周波数の切り換えに伴つて生じる性能劣化を軽
減するよう構成した発振器に関するものである。
なつた周波数で送信および受信等を行う際に、当
該周波数の切り換えに伴つて生じる性能劣化を軽
減するよう構成した発振器に関するものである。
従来、１つの発振器例えばマイクロ・ストリツ
プ・ラインを共振線路に用いた発振器によつて無
線通信等を行う場合、第４図図示の如く、共振ラ
イン１の両端に図示の如き容量C1，C2，C01ない
しC02等を装荷した短縮1/2λ型の共振回路をトラ
ンジスタTRで作動状態にして発振させる局部発
振周波数を用いていた。該発振器は、バラクタ・
ダイオードBD1に印加する図示制御入力信号の電
圧値によつて図示出力信号の形で送出される発振
周波数が電圧制御される、いわゆる電圧制御発振
器（VCO）を構成している。また、送信あるい
は受信時等に於けるいずれかの周波数に対応すべ
く発振周波数をシフトさせるために、図示シフト
入力信号を用いて順方向電圧をダイオードD1に
印加して当該ダイオードD1を導通状態にするこ
とによつて容量C2を共振ライン１に並列に装荷
して装荷容量を変化させていた。
プ・ラインを共振線路に用いた発振器によつて無
線通信等を行う場合、第４図図示の如く、共振ラ
イン１の両端に図示の如き容量C1，C2，C01ない
しC02等を装荷した短縮1/2λ型の共振回路をトラ
ンジスタTRで作動状態にして発振させる局部発
振周波数を用いていた。該発振器は、バラクタ・
ダイオードBD1に印加する図示制御入力信号の電
圧値によつて図示出力信号の形で送出される発振
周波数が電圧制御される、いわゆる電圧制御発振
器（VCO）を構成している。また、送信あるい
は受信時等に於けるいずれかの周波数に対応すべ
く発振周波数をシフトさせるために、図示シフト
入力信号を用いて順方向電圧をダイオードD1に
印加して当該ダイオードD1を導通状態にするこ
とによつて容量C2を共振ライン１に並列に装荷
して装荷容量を変化させていた。
従来、第４図図示の如く構成していたため、共
振ライン１の図示右端側に装荷容量C2がダイオ
ードD1のON／OFFに伴つて並列に接続された
り、接続されなかつたりするために、図示バラク
タ・ダイオードBD1による周波数の可変量が変化
してしまう欠点があつた。この際、共振回路のＱ
を大きくしようとすると、共振ライン１の特性イ
ンピーダンスを小さくする必要があるために装荷
容量が更に大きくなり、前記欠点の影響も更に大
きくなつてしまう問題点もあつた。また、第５図
図中共振ライン１の終端に接続する装荷容量C2
の値が変わると、図示ノード・ポイントが移動し
てしまい、取り出された出力レベルに差が生じる
と共に、ノード・ポイントの移動に伴い発振条件
が変動して最適な発振条件を得にくい問題点があ
つた。更に、共振ライン１のＱを大きくするため
に特性インピーダンスを小さくしようとすると、
装荷容量C2の値が大きくなるために、スイツチ
ング素子（ダイオード等）に流れる高周波電流の
値が大きくなつてON時の抵抗値Rsが無視できな
くなり、共振回路のＱを大きくし得ないという問
題点があつた。
振ライン１の図示右端側に装荷容量C2がダイオ
ードD1のON／OFFに伴つて並列に接続された
り、接続されなかつたりするために、図示バラク
タ・ダイオードBD1による周波数の可変量が変化
してしまう欠点があつた。この際、共振回路のＱ
を大きくしようとすると、共振ライン１の特性イ
ンピーダンスを小さくする必要があるために装荷
容量が更に大きくなり、前記欠点の影響も更に大
きくなつてしまう問題点もあつた。また、第５図
図中共振ライン１の終端に接続する装荷容量C2
の値が変わると、図示ノード・ポイントが移動し
てしまい、取り出された出力レベルに差が生じる
と共に、ノード・ポイントの移動に伴い発振条件
が変動して最適な発振条件を得にくい問題点があ
つた。更に、共振ライン１のＱを大きくするため
に特性インピーダンスを小さくしようとすると、
装荷容量C2の値が大きくなるために、スイツチ
ング素子（ダイオード等）に流れる高周波電流の
値が大きくなつてON時の抵抗値Rsが無視できな
くなり、共振回路のＱを大きくし得ないという問
題点があつた。
本考案は、前記問題点を解決するために、１つ
の発振器を用いて異なつた周波数で送信および受
信等を行う際に、前記共振ライン１に並列に他の
補助共振ラインを設け、該他の補助共振ラインを
前記共振ライン１にいわば並列接続するか否かに
よつて周波数の切り換えを行うことにより、安定
した異なつた発振周波数を得ている。そのため、
本考案の発振器は、マイクロ・ストリツプ・ライ
ンを共振線路として用いた発振器において、前記
マイクロ・ストリツプ・ラインの一端に接続さ
れ、電圧によつて容量値を制御される共振周波数
制御用の可変容量と、一端が前記マイクロ・スト
リツプ・ラインの一端に高周波的に接続された補
助マイクロ・ストリツプ・ラインと、該補助マイ
クロ・ストリツプ・ラインの他端と前記マイク
ロ・ストリツプ・ラインとを接続するダイオード
スイツチとを備え、該ダイオードスイツチを開閉
することによつて発振周波数を切り換えることを
特徴としている。
の発振器を用いて異なつた周波数で送信および受
信等を行う際に、前記共振ライン１に並列に他の
補助共振ラインを設け、該他の補助共振ラインを
前記共振ライン１にいわば並列接続するか否かに
よつて周波数の切り換えを行うことにより、安定
した異なつた発振周波数を得ている。そのため、
本考案の発振器は、マイクロ・ストリツプ・ライ
ンを共振線路として用いた発振器において、前記
マイクロ・ストリツプ・ラインの一端に接続さ
れ、電圧によつて容量値を制御される共振周波数
制御用の可変容量と、一端が前記マイクロ・スト
リツプ・ラインの一端に高周波的に接続された補
助マイクロ・ストリツプ・ラインと、該補助マイ
クロ・ストリツプ・ラインの他端と前記マイク
ロ・ストリツプ・ラインとを接続するダイオード
スイツチとを備え、該ダイオードスイツチを開閉
することによつて発振周波数を切り換えることを
特徴としている。
以下図面を参照しつつ本考案の実施例を詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本考案の１実施例構成図、第２図およ
び第３図は夫々第１図図示本考案の１実施例構成
の動作を説明する動作説明図を示す。
び第３図は夫々第１図図示本考案の１実施例構成
の動作を説明する動作説明図を示す。
図中、１，２は共振ライン、C01ないしC05，
C1，C3は容量、R1，R3は抵抗、TRはトランジス
タを表す。
C1，C3は容量、R1，R3は抵抗、TRはトランジス
タを表す。
第１図において、図示トランジスタTRによつ
て動作状態に置かれることは従来と同じである
が、図中共振ライン２は本考案に係わるものであ
つていわば補助マイクロ・ストリツプ・ラインで
あり、一端が容量C3によつて共振ライン１の一
端に接続されている。そして図中抵抗R3を介し
て順方向電圧をダイオードD2に印加することに
よつて当該共振ライン２の他端が共振ライン１に
並列接続されることとなる。なお当該ダイオード
D2はスイツチ・ダイオードとして働いている。
このように共振ライン２を共振ライン１に並列接
続することによつてマイクロ・ストリツプ・ライ
ンの線路インピーダンスが低下するため、発振周
波数が上昇する。一方、順方向電圧をダイオード
D2に印加しないことにより共振ライン２の他端
が共振ライン１から開放状態にされることによつ
て、図示容量C3と当該共振ライン２によつて生
成される容量とによつて定まる装荷容量Ｃが共振
ライン１の一端に接続される形となるために発振
周波数が低下する。この際、当該共振ライン２は
共振ライン１に対して容量性となるべく例えば1/
４λよりも若干短くしてある。以下順次構成およ
び動作を詳細に説明する。
て動作状態に置かれることは従来と同じである
が、図中共振ライン２は本考案に係わるものであ
つていわば補助マイクロ・ストリツプ・ラインで
あり、一端が容量C3によつて共振ライン１の一
端に接続されている。そして図中抵抗R3を介し
て順方向電圧をダイオードD2に印加することに
よつて当該共振ライン２の他端が共振ライン１に
並列接続されることとなる。なお当該ダイオード
D2はスイツチ・ダイオードとして働いている。
このように共振ライン２を共振ライン１に並列接
続することによつてマイクロ・ストリツプ・ライ
ンの線路インピーダンスが低下するため、発振周
波数が上昇する。一方、順方向電圧をダイオード
D2に印加しないことにより共振ライン２の他端
が共振ライン１から開放状態にされることによつ
て、図示容量C3と当該共振ライン２によつて生
成される容量とによつて定まる装荷容量Ｃが共振
ライン１の一端に接続される形となるために発振
周波数が低下する。この際、当該共振ライン２は
共振ライン１に対して容量性となるべく例えば1/
４λよりも若干短くしてある。以下順次構成およ
び動作を詳細に説明する。
図示トランジスタTRを動作状態に置くことに
よつてマイクロ・ストリツプ・ラインで構成する
共振ライン１を含む回路が発振状態となる。図示
シフト入力信号をＨレベルあるいはＬレベルの信
号の形に切り換えることによつて周波数のシフト
が行われる。そして、その上での周波数の調整
は、図示制御入力信号を用いて図示バラクタ・ダ
イオードBD1に印加する電圧を制御することによ
つて行われる。
よつてマイクロ・ストリツプ・ラインで構成する
共振ライン１を含む回路が発振状態となる。図示
シフト入力信号をＨレベルあるいはＬレベルの信
号の形に切り換えることによつて周波数のシフト
が行われる。そして、その上での周波数の調整
は、図示制御入力信号を用いて図示バラクタ・ダ
イオードBD1に印加する電圧を制御することによ
つて行われる。
発振周波数をシフトする場合について、詳述す
る。
る。
まず最初に、第２図を用いて第１図図中シフト
入力信号としてＬレベルの信号を第１図図示構成
に供給した場合の動作を説明する。
入力信号としてＬレベルの信号を第１図図示構成
に供給した場合の動作を説明する。
図中シフト入力信号としてＬレベルの信号を供
給すると、第１図図中ダイオードD2は非導通状
態、即ち開放状態になるため、共振ライン２は第
２図イ図示の如く共振ライン１の右端だけに容量
C3を介して接続された状態となる。このため、
第２図ロ図示の如く当該容量C3と共振ライン２
の有する容量とを合わせた容量Ｃがいわば共振ラ
イン１の右端に接続されたことと等価になる。こ
れにより、共振ライン１の右端に容量Ｃが装荷さ
れ、発振周波数が低下することとなる。
給すると、第１図図中ダイオードD2は非導通状
態、即ち開放状態になるため、共振ライン２は第
２図イ図示の如く共振ライン１の右端だけに容量
C3を介して接続された状態となる。このため、
第２図ロ図示の如く当該容量C3と共振ライン２
の有する容量とを合わせた容量Ｃがいわば共振ラ
イン１の右端に接続されたことと等価になる。こ
れにより、共振ライン１の右端に容量Ｃが装荷さ
れ、発振周波数が低下することとなる。
次いで、第３図を用いて第１図図中シフト入力
信号としてＨレベルの信号を第１図図示構成に供
給した場合の動作を説明する。
信号としてＨレベルの信号を第１図図示構成に供
給した場合の動作を説明する。
図中シフト入力信号としてＨレベルの信号を供
給すると、第１図図中ダイオードD2は導通状態、
即ち短絡状態になるため、共振ライン２は第３図
イ図示の如く共振ライン１といわば並列接続され
た状態となる。このため、第３図ロ図示の如く共
振ライン１の中央から右側のマイクロ・ストリツ
プ・ラインが太い形となつたものと等価になり、
線路インピーダンスを低下させる働きをする。こ
れにより、共振ライン１の発振周波数が上昇する
こととなる。
給すると、第１図図中ダイオードD2は導通状態、
即ち短絡状態になるため、共振ライン２は第３図
イ図示の如く共振ライン１といわば並列接続され
た状態となる。このため、第３図ロ図示の如く共
振ライン１の中央から右側のマイクロ・ストリツ
プ・ラインが太い形となつたものと等価になり、
線路インピーダンスを低下させる働きをする。こ
れにより、共振ライン１の発振周波数が上昇する
こととなる。
以上説明した如き構成を採用することによつ
て、従来用いられていた終端容量（第４図図中容
量C2等）をスイツチ素子で接続状態／非接続状
態に切り換えていた場合に比較して、同一周波数
のシフト量では共振ライン１に装荷される装荷容
量を小さくすることができるため、前記スイツチ
素子で切り換えた際の制御感度差を小さくするこ
とができる。同様に、周波数の切り換え前後での
装荷容量の変動分が小さいために、ノード・ポイ
ントの移動量が小さくなりかつ発振条件の変動も
小さくなる。更に、従来は発振器のＱを大きくし
ようとすると、共振線路インピーダンスを小さく
する必要があり、このようにすると前記スイツチ
素子を切り換えた際の装荷容量が大きくなり、シ
フト用のダイオードD1の内部抵抗Rsを無視でき
なくなる。このため、Ｑを大きくするには限界が
あつたが、本考案では線路インピーダンスと終端
容量とを用いて周波数をいわばシフトさせるた
め、ダイオードの内部抵抗Rsによる影を小さく
することができると共に、回路のＱを大きくする
ことができる。
て、従来用いられていた終端容量（第４図図中容
量C2等）をスイツチ素子で接続状態／非接続状
態に切り換えていた場合に比較して、同一周波数
のシフト量では共振ライン１に装荷される装荷容
量を小さくすることができるため、前記スイツチ
素子で切り換えた際の制御感度差を小さくするこ
とができる。同様に、周波数の切り換え前後での
装荷容量の変動分が小さいために、ノード・ポイ
ントの移動量が小さくなりかつ発振条件の変動も
小さくなる。更に、従来は発振器のＱを大きくし
ようとすると、共振線路インピーダンスを小さく
する必要があり、このようにすると前記スイツチ
素子を切り換えた際の装荷容量が大きくなり、シ
フト用のダイオードD1の内部抵抗Rsを無視でき
なくなる。このため、Ｑを大きくするには限界が
あつたが、本考案では線路インピーダンスと終端
容量とを用いて周波数をいわばシフトさせるた
め、ダイオードの内部抵抗Rsによる影を小さく
することができると共に、回路のＱを大きくする
ことができる。
以上説明した如く、本考案によれば、１つの発
振器を用いて異なつた周波数で送信および受信等
を行う際に、前記共振ラインに並列に他の補助共
振ラインを設け、該他の補助共振ラインを前記共
振ラインの一端に接続すると共に他端を共振ライ
ンにいわば並列接続するか否かによつて周波数の
切り換えを行つているため、安定した振幅を有す
る出力信号を得ることができ、また、従来に比し
共振回路のＱを高めることが可能となる。
振器を用いて異なつた周波数で送信および受信等
を行う際に、前記共振ラインに並列に他の補助共
振ラインを設け、該他の補助共振ラインを前記共
振ラインの一端に接続すると共に他端を共振ライ
ンにいわば並列接続するか否かによつて周波数の
切り換えを行つているため、安定した振幅を有す
る出力信号を得ることができ、また、従来に比し
共振回路のＱを高めることが可能となる。
第１図は本考案の１実施例構成図、第２図およ
び第３図は第１図図示本考案の１実施例構成の動
作を説明する動作説明図、第４図は従来の発振器
の構成図、第５図は第４図図示従来の発振器の構
成の動作を説明する動作説明図を示す。 図中、１，２は共振ライン、Ｃ，C01ないし
C05，C1，C3は容量、R1，R3は抵抗、TRはトラ
ンジスタを表す。
び第３図は第１図図示本考案の１実施例構成の動
作を説明する動作説明図、第４図は従来の発振器
の構成図、第５図は第４図図示従来の発振器の構
成の動作を説明する動作説明図を示す。 図中、１，２は共振ライン、Ｃ，C01ないし
C05，C1，C3は容量、R1，R3は抵抗、TRはトラ
ンジスタを表す。
Claims (1)
- マイクロ・ストリツプ・ラインを共振線路とし
て用いた発振器において、前記マイクロ・ストリ
ツプ・ラインの一端に接続され、電圧によつて容
量値を制御される共振周波数制御用の可変容量
と、一端が前記マイクロ・ストリツプ・ラインの
一端に高周波的に接続された補助マイクロ・スト
リツプ・ラインと、該補助マイクロ・ストリツ
プ・ラインの他端と前記マイクロ・ストリツプ・
ラインとを接続するダイオードスイツチとを備
え、該ダイオードスイツチを開閉することによつ
て発振周波数を切り換えることを特徴とする発振
器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984150397U JPH0323688Y2 (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | |
| KR2019850004856U KR900005273Y1 (ko) | 1984-10-04 | 1985-04-27 | 발진기 |
| US06/784,339 US4639691A (en) | 1984-10-04 | 1985-10-04 | Oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984150397U JPH0323688Y2 (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6164723U JPS6164723U (ja) | 1986-05-02 |
| JPH0323688Y2 true JPH0323688Y2 (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=15496084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984150397U Expired JPH0323688Y2 (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4639691A (ja) |
| JP (1) | JPH0323688Y2 (ja) |
| KR (1) | KR900005273Y1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5083098A (en) * | 1990-06-25 | 1992-01-21 | Hughes Aircraft Company | Tunable VCO frequency sensitivity |
| JP2531000B2 (ja) * | 1990-08-15 | 1996-09-04 | 株式会社村田製作所 | 発振器 |
| JPH04117805A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電圧制御発振器 |
| DE4418432A1 (de) * | 1994-05-26 | 1995-11-30 | Siemens Ag | Frequenzveränderbare Oszillatoranordnung |
| KR0153379B1 (ko) * | 1995-09-26 | 1998-11-16 | 김광호 | 디지탈 무선통신시스템의 업/다운컨버터용 전압제어발진기 |
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1985
- 1985-04-27 KR KR2019850004856U patent/KR900005273Y1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-10-04 US US06/784,339 patent/US4639691A/en not_active Expired - Lifetime
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| KR900005273Y1 (ko) | 1990-06-15 |
| KR860005377U (ko) | 1986-06-11 |
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