JPS641775Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS641775Y2 JPS641775Y2 JP5177281U JP5177281U JPS641775Y2 JP S641775 Y2 JPS641775 Y2 JP S641775Y2 JP 5177281 U JP5177281 U JP 5177281U JP 5177281 U JP5177281 U JP 5177281U JP S641775 Y2 JPS641775 Y2 JP S641775Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- oscillation frequency
- microstrip line
- capacitor
- change
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 28
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 26
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、高周波トランジスタ発振器に関す
る。特に、制御電圧により発振周波数が変化する
電圧制御発振器に関するものである。
る。特に、制御電圧により発振周波数が変化する
電圧制御発振器に関するものである。
従来、車両登載無線機などの振動状態下で使用
される高周波発振器には、マイクロストリツプラ
インを共振回路として用いたものが多く使用され
ている。第１図は従来例のマイクロストリツプラ
インを共振回路として用いた高周波発振回路要部
回路構成図である。この回路は制御信号により周
波数の変化する電圧制御発振回路であり、第１図
中、TRはトランジスタ、C1，C2C3，C4，C5はコ
ンデンサ、Ｘはダイオード（バラクタダイオー
ド）、Ｓはマイクロストリツプライン、INはダイ
オード印加電圧端子をそれぞれ示す。従来、この
種のマイクロストリツプラインを用いた発振回路
で発振周波数を変更する場合には、マイクロスト
リツプラインＳの長さまたは幅を変化させてい
る。しかし、マイクロストリツプラインの長さま
たは幅を変化するには、必要な発振周波数帯域を
カバーするために多種類のマイクロストリツプラ
インを構成した基板を準備しなければならない欠
点を有する。
される高周波発振器には、マイクロストリツプラ
インを共振回路として用いたものが多く使用され
ている。第１図は従来例のマイクロストリツプラ
インを共振回路として用いた高周波発振回路要部
回路構成図である。この回路は制御信号により周
波数の変化する電圧制御発振回路であり、第１図
中、TRはトランジスタ、C1，C2C3，C4，C5はコ
ンデンサ、Ｘはダイオード（バラクタダイオー
ド）、Ｓはマイクロストリツプライン、INはダイ
オード印加電圧端子をそれぞれ示す。従来、この
種のマイクロストリツプラインを用いた発振回路
で発振周波数を変更する場合には、マイクロスト
リツプラインＳの長さまたは幅を変化させてい
る。しかし、マイクロストリツプラインの長さま
たは幅を変化するには、必要な発振周波数帯域を
カバーするために多種類のマイクロストリツプラ
インを構成した基板を準備しなければならない欠
点を有する。
また、発振周波数を変更するために、コンデン
サC3，C4の容量値を変更させることも行われて
いる。しかし、コンデンサC3，C4の容量値を変
更させる場合は、変調感度が大幅に変化する欠点
がある。
サC3，C4の容量値を変更させることも行われて
いる。しかし、コンデンサC3，C4の容量値を変
更させる場合は、変調感度が大幅に変化する欠点
がある。
第２図にコンデンサC3またはC4の容量変更に
対するダイオード印加電圧−発振周波数の特性図
を示す。第２図で横軸はダイオード印加電圧、縦
軸は発振周波数、パラメタa1，a2，a3，a4は、コ
ンデンサC4を一定にしてコンデンサC3の容量を
大きいものからしだいに小さくしたときの特性曲
線をそれぞれ示す。特性曲線a1〜a4へ変化するに
したがつて傾斜が変化している。この傾斜は、ダ
イオード印加電圧に対する発振周波数の変化の割
合を表わし、いわゆる変調感度を示している。一
般に電圧制御発振器において望ましいことは、使
用周波数帯で変調感度が変化せず、しかも簡単な
調整法によつて使用周波数帯を前後に移動できる
ことである。すなわち一般には使用する部品のば
らつきや部品の取付け位置のばらつきにより発振
周波数は希望値から上下にずれることが多い。そ
の際にコンデンサC3あるいはC4の容量をを変更
して使用周波数帯に調整することになるが、これ
に伴つて発振器の変調感度が第２図に示すように
大きく変化してしまう。この変調感度の変化を最
小限に押さえる方法はコンデンサC3，C4，C5の
容量値の組合わせを適切に選択することである。
しかし、この方法はコンデンサC3，C4，C5の容
量値を発振周波数と変調感度を同時に許容範囲内
で満足するように選択する作業となり、簡単に処
理できない。
対するダイオード印加電圧−発振周波数の特性図
を示す。第２図で横軸はダイオード印加電圧、縦
軸は発振周波数、パラメタa1，a2，a3，a4は、コ
ンデンサC4を一定にしてコンデンサC3の容量を
大きいものからしだいに小さくしたときの特性曲
線をそれぞれ示す。特性曲線a1〜a4へ変化するに
したがつて傾斜が変化している。この傾斜は、ダ
イオード印加電圧に対する発振周波数の変化の割
合を表わし、いわゆる変調感度を示している。一
般に電圧制御発振器において望ましいことは、使
用周波数帯で変調感度が変化せず、しかも簡単な
調整法によつて使用周波数帯を前後に移動できる
ことである。すなわち一般には使用する部品のば
らつきや部品の取付け位置のばらつきにより発振
周波数は希望値から上下にずれることが多い。そ
の際にコンデンサC3あるいはC4の容量をを変更
して使用周波数帯に調整することになるが、これ
に伴つて発振器の変調感度が第２図に示すように
大きく変化してしまう。この変調感度の変化を最
小限に押さえる方法はコンデンサC3，C4，C5の
容量値の組合わせを適切に選択することである。
しかし、この方法はコンデンサC3，C4，C5の容
量値を発振周波数と変調感度を同時に許容範囲内
で満足するように選択する作業となり、簡単に処
理できない。
本考案はこの点を改良するもので、変調感度を
大きく変化させずに発振周波数の変更を容易に行
うことができる電圧制御発振器を提供することを
目的とする。
大きく変化させずに発振周波数の変更を容易に行
うことができる電圧制御発振器を提供することを
目的とする。
本考案は、マイクロストリツプラインと、この
マイクロストリツプラインの一端に接続される能
動素子と、このマイクロストリツプラインの他端
に接続されるコンデンサおよび印加電圧により容
量が変化する可変容量ダイオードとを含み、前記
マイクロストリツプラインを共振回路素子とする
電圧制御発振器において、そのマイクロストリツ
プライン上の定在波電圧の零点近傍である前記マ
イクロストリツプラインの中間点と地気との間に
値を変更できる容量リアクタンスが挿入されたこ
とを特徴とする。
マイクロストリツプラインの一端に接続される能
動素子と、このマイクロストリツプラインの他端
に接続されるコンデンサおよび印加電圧により容
量が変化する可変容量ダイオードとを含み、前記
マイクロストリツプラインを共振回路素子とする
電圧制御発振器において、そのマイクロストリツ
プライン上の定在波電圧の零点近傍である前記マ
イクロストリツプラインの中間点と地気との間に
値を変更できる容量リアクタンスが挿入されたこ
とを特徴とする。
本考案の一実施例を図面に基づいて説明する。
第３図は、本考案第一実施例の要部回路構成図で
ある。第１図で示した従来例と比較すると、マイ
クロストリツプラインＳの定在波電圧の零点近傍
となる中間点と地気との間に発振周波数変更用の
コンデンサC6を挿入したところに特徴がある。
第３図は、本考案第一実施例の要部回路構成図で
ある。第１図で示した従来例と比較すると、マイ
クロストリツプラインＳの定在波電圧の零点近傍
となる中間点と地気との間に発振周波数変更用の
コンデンサC6を挿入したところに特徴がある。
他の点は第１図で示した従来例と同様である。
このような回路構成では、ダイオード印加電圧
に対する変調感度の変化量は、コンデンサC6の
マイクロストリツプラインＳとの接続位置によつ
て異なつてくる。発振状態においてはマイクロス
トリツプラインＳ上には発振周波数の定在波電圧
が発生する。コンデンサC6を接続する位置が、
この定在波電圧の零点より離れるにしたがつてコ
ンデンサC6を接続したことによる発振周波数の
変化量は増加するが、ダイオード印加電圧に対す
る変調感度の変化量も増加する。逆に、コンデン
サC6を接続する位置が定在波電圧の零点へ近づ
くにつれてコンデンサC6を接続したことによる
発振周波数の変化量は減少するが、ダイオード印
加電圧に対する変調感度の変化量も減少する。し
たがつて、ダイオード印加電圧に対する変調感度
の変化量を少なくしながら発振周波数を変化させ
るにはコンデンサC6の接続個所を定在波電圧の
零点に近い位置にし、コンデンサC6の容量値を
変更すればよい。
に対する変調感度の変化量は、コンデンサC6の
マイクロストリツプラインＳとの接続位置によつ
て異なつてくる。発振状態においてはマイクロス
トリツプラインＳ上には発振周波数の定在波電圧
が発生する。コンデンサC6を接続する位置が、
この定在波電圧の零点より離れるにしたがつてコ
ンデンサC6を接続したことによる発振周波数の
変化量は増加するが、ダイオード印加電圧に対す
る変調感度の変化量も増加する。逆に、コンデン
サC6を接続する位置が定在波電圧の零点へ近づ
くにつれてコンデンサC6を接続したことによる
発振周波数の変化量は減少するが、ダイオード印
加電圧に対する変調感度の変化量も減少する。し
たがつて、ダイオード印加電圧に対する変調感度
の変化量を少なくしながら発振周波数を変化させ
るにはコンデンサC6の接続個所を定在波電圧の
零点に近い位置にし、コンデンサC6の容量値を
変更すればよい。
第４図は、コンデンサC6の接続個所を定在波
電圧の零点に近い個所に選び、その容量値を変更
することによつて周波数変更した場合のダイオー
ド印加電圧−発振周波数特性図である。第４図
で、横軸はダイオード印加電圧、縦軸は発振周波
数、b1，b2，b3，b4，b5はコンデンサC6の容量値
を大きい値から小さい値に変更した時の特性曲線
をそれぞれ示す。
電圧の零点に近い個所に選び、その容量値を変更
することによつて周波数変更した場合のダイオー
ド印加電圧−発振周波数特性図である。第４図
で、横軸はダイオード印加電圧、縦軸は発振周波
数、b1，b2，b3，b4，b5はコンデンサC6の容量値
を大きい値から小さい値に変更した時の特性曲線
をそれぞれ示す。
第４図から解るように、コンデンサC6の容量
値を変更することにより発振周波数を容易に変化
することができ、しかも変調感度の変化量を小さ
くすることができる。
値を変更することにより発振周波数を容易に変化
することができ、しかも変調感度の変化量を小さ
くすることができる。
第５図は、本考案第二実施例の要部回路構成図
である。この実施例はコンデンサC6を交換して
容量を変更する代わりに可変コンデンサCVを接
続したものである。
である。この実施例はコンデンサC6を交換して
容量を変更する代わりに可変コンデンサCVを接
続したものである。
この第二実施例では、可変コンデンサCVの容
量値可変幅が一定であつても、接続位置を移動す
ることによつて可変コンデンサの発振周波数に対
する素子感度を自由に調整できるため周波数調整
範囲が任意に選定できる。
量値可変幅が一定であつても、接続位置を移動す
ることによつて可変コンデンサの発振周波数に対
する素子感度を自由に調整できるため周波数調整
範囲が任意に選定できる。
以上説明したように、本考案によれば、マイク
ロストリツプラインの定在波が零点となる近傍の
中間点と地気との間に発振周波数変更用の容量リ
アクタンスを挿入することとした。したがつて、
ダイオード印加電圧に対する変調感度を大幅に変
化させることなく発振周波数変更を簡単に行うこ
とができ、しかも、容量リアクタンスの挿入位置
により、周波数調整範囲が任意に選定できる等の
効果を有する。
ロストリツプラインの定在波が零点となる近傍の
中間点と地気との間に発振周波数変更用の容量リ
アクタンスを挿入することとした。したがつて、
ダイオード印加電圧に対する変調感度を大幅に変
化させることなく発振周波数変更を簡単に行うこ
とができ、しかも、容量リアクタンスの挿入位置
により、周波数調整範囲が任意に選定できる等の
効果を有する。
第１図は従来例の要部回路構成図。第２図は上
記例の発振周波数特性図。第３図は本考案第一実
施例の要部回路構成図。第４図は上記実施例の発
振周波数特性図。第５図は本考案第二実施例の要
部回路構成図。 C1，C2，C3，C4，C5，C6……コンデンサ、TR
……トランジスタ、Ｘ……ダイオード、Ｓ……ス
トリツプライン、CV……可変コンデンサ。
記例の発振周波数特性図。第３図は本考案第一実
施例の要部回路構成図。第４図は上記実施例の発
振周波数特性図。第５図は本考案第二実施例の要
部回路構成図。 C1，C2，C3，C4，C5，C6……コンデンサ、TR
……トランジスタ、Ｘ……ダイオード、Ｓ……ス
トリツプライン、CV……可変コンデンサ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 マイクロストリツプラインと、このマイクロス
トリツプラインの一端に接続される能動素子と、
このマイクロストリツプラインの他端に接続され
るコンデンサおよび印加電圧により容量が変化す
る可変容量ダイオードとを含み、前記マイクロス
トリツプラインを共振回路素子とする電圧制御発
振器において、 前記マイクロストリツプライン上の定在波電圧
の零点近傍であるそのマイクロストリツプライン
の中間点と地気との間に、発振周波数を変更する
ために値を変更できる容量リアクタンスが挿入さ
れた ことを特徴とする電圧制御発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5177281U JPS641775Y2 (ja) | 1981-04-09 | 1981-04-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5177281U JPS641775Y2 (ja) | 1981-04-09 | 1981-04-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57163810U JPS57163810U (ja) | 1982-10-15 |
| JPS641775Y2 true JPS641775Y2 (ja) | 1989-01-17 |
Family
ID=29848488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5177281U Expired JPS641775Y2 (ja) | 1981-04-09 | 1981-04-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS641775Y2 (ja) |
-
1981
- 1981-04-09 JP JP5177281U patent/JPS641775Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57163810U (ja) | 1982-10-15 |
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