JP2000155159A - タイミング発生装置 - Google Patents

タイミング発生装置

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JP2000155159A
JP2000155159A JP10330053A JP33005398A JP2000155159A JP 2000155159 A JP2000155159 A JP 2000155159A JP 10330053 A JP10330053 A JP 10330053A JP 33005398 A JP33005398 A JP 33005398A JP 2000155159 A JP2000155159 A JP 2000155159A
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JP
Japan
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oscillation
circuit
timing
clock
variable delay
Prior art date
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Pending
Application number
JP10330053A
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English (en)
Inventor
Yasumitsu Tsutsui
保光 筒井
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Ando Electric Co Ltd
Original Assignee
Ando Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡易なハードウェア規模であっても、テスト
レイト発生周期よりも高速なクロックエッジを連続発生
させる。 【解決手段】 レイト発生回路1は、信号Aを受け取る
と、クロックCとタイミングデータBを発生する。シフ
ト回路3は、タイミングデータBを入力とし、設定され
た段数分だけシフトし、タイミングデータDを出力す
る。変換メモリ4は、タイミングデータDを入力アドレ
スとし、発振回路5A,5B内の可変遅延回路に入力さ
れる可変遅延設定データEを出力する。発振制御回路6
は発振回路5A,5Bを交互に発振させるようなイネー
ブル信号をF1,F2を出力する。発振回路5A,5B
は、発振イネーブルF1,F2信号により発振を開始
し、発振周波数を可変できる。論理和ゲート7は、発振
クロックG1,G2の和をとり、高速なクロックエッジ
Hを連続発生させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体記憶回路
を試験する半導体試験装置において、テストレイト内に
あらかじめ設定された本数のクロックエッジを連続発生
させることができるタイミング発生装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】図4は、従来のこの種のタイミング発生
装置のブロック図である。この図において、1はレイト
発生回路,2は制御回路,8A,8Bはタイミング発生
回路,9は波形整形回路である。制御回路2は、レイト
発生回路1に対してテストレイト発生信号A1を、タイ
ミング発生回路8A,8Bに対してはタイミングエッジ
発生信号A2を出力する。レイト発生回路1は、テスト
レイト発生信号A1を受け取ると、これを解読し、レイ
ト発生タイミングデータが読み出され、テストレイトク
ロックBを順次発生し、タイミング発生回路8A,8B
に出力する。タイミング発生回路8A,8Bは、タイミ
ングエッジ発生信号A2を受け取ると、これを解読し、
クロック発生タイミングデータが読み出され、テストレ
イトクロックBを基準として、タイミングエッジ発生信
号A2をクロック発生タイミングデータの時間分だけ遅
延させたタイミングエッジC1,C2を順次発生し、波
形整形回路9に出力する。波形整形回路9は、タイミン
グエッジC1,C2を受け取ると、クロックエッジDを
生成し出力する。
【0003】次に、本タイミング発生装置の動作例を図
5のタイミングチャートを用いて説明する。レイト発生
回路1は、テストレイト発生信号A1を受け取ると、こ
れを解読し、レイト発生タイミングデータが読み出され
る。例えば、このデータが「000,100,000」の場合、最
下位ビットからの重み付けから、250ps,500ps,1ns,2ns
・・・・とすると、このデータは8nsという意味を持つ
ことになる。なお、このレイト発生回路1は、500MHZク
ロックを入力とするカウンタにより構成されている場
合、この例のように8nsの間隔でのテストレイトクロッ
クBを発生させるには、500MHZクロックの1周期は2ns
なので、4回分のカウントをすることによりテストレイ
トクロックBを発生させることになる(図5のB)。
【0004】タイミング発生回路8Aは、タイミングエ
ッジ発生信号A2を受け取ると、これを解読し、クロッ
ク発生タイミングデータが読み出される。例えば、この
データが「000,001,000」の場合、最下位ビットからの
重み付けから、250ps,500ps,1ns,2ns・・・・とする
と、このデータは2nsという意味を持つことになる。な
お、このタイミング発生回路8Aは、500MHZクロックを
入力とするカウンタにより構成されている場合、タイミ
ングエッジ発生信号A2を起点として1回分のカウント
をすることによりタイミングエッジC1を発生させる
(図5のC1)。
【0005】タイミング発生回路8Bは、タイミング発
生回路8Aと同様に、タイミングエッジ発生信号A2を
受け取ると、これを解読し、クロック発生タイミングデ
ータが読み出される。例えば、このデータが「000,011,
000」の場合、このデータは6nsという意味を持つことに
なり、テストレイトクロックA2を起点として3回分の
カウントをすることによりタイミングエッジC2を発生
させる(図5のC2)。
【0006】波形整形回路9は、タイミングエッジC
1,C2を受け取ると、クロックエッジDを生成し出力
する(図5のD)。この例では、波形整形回路9内は、
セットリセットフリップフロップで構成されており、セ
ット端子にはタイミングエッジC1,リセット端子には
タイミングエッジC2が接続されている。
【0007】以上のような動作を繰り返すことにより、
順次にクロックエッジDを発生させることができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】近年の半導体メモリ
は、高速インターフェース回路を備え、高速なクロック
エッジに同期してデータのやりとりが行われる。このよ
うなメモリを試験する際に、この高速クロックエッジを
上述した従来のタイミング発生装置を用いて発生させよ
うとすると、回路規模が大きくなってしまい実用的では
ない。この発明は、小規模ハードウェアでありながら、
テストレイト発生周期よりも高速なクロックエッジを連
続して発生させることができるタイミング発生装置を提
供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の本発明の
タイミング発生装置は、テストレイトクロックを発生す
るレイト発生回路と、レイト発生タイミングデータを入
力とし、あらかじめ設定された段数分だけシフトしてク
ロック発生タイミングデータを出力するシフト回路と、
該クロック発生タイミングデータを入力アドレスとし、
次段の発振回路内の可変遅延回路に入力される可変遅延
設定データを出力する変換メモリと、前記テストレイト
クロックを入力とし、次段に接続される2つの前記発振
回路を交互に発振させるような発振イネーブル信号を出
力する発振制御回路と、該発振イネーブル信号により、
発振を開始し、発振回路内の可変遅延回路においては前
記可変遅延設定データの設定による遅延量の制御によ
り、発振周波数を可変できる2つの発振回路と、該発振
回路の出力信号の論理和をとる論理和ゲートとを備える
ことを特徴とする。また、請求項2記載の本発明のタイ
ミング発生装置は、前記クロック発生タイミングデータ
は、前記レイト発生回路内で用いるレイト発生タイミン
グデータにより、前記シフト回路を用いてあらかじめ設
定された段数分だけビットシフトされ、自動生成される
ことを特徴とする。さらに、請求項3記載の本発明のタ
イミング発生装置は、前記発振回路内の可変遅延回路の
遅延量は、発振回路内の固定遅延分を考慮し、所望する
タイミングにてクロックエッジが出力できるように調整
することとし、前記変換メモリは、前記クロック発生タ
イミングデータを入力アドレスとし、前記発振回路の固
定遅延量を発振回路に入力する可変遅延設定データとし
て格納する変換テーブルを記憶することを特徴とする。
さらに、請求項4記載の本発明のタイミング発生装置
は、前記発振回路内で用いる可変遅延回路は立ち上り時
間,立ち下り時間を個別に調整することが可能であり、
前記変換メモリには、前記立ち上がり時間と立ち下がり
時間に対応した、2種類の可変遅延設定データをそれぞ
れ格納し、前記クロックエッジのパルス幅を調整するこ
とができることを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につき
図を参照して詳細に説明する。本発明によるタイミング
発生装置の構成を図1に示す。この図において、1はレ
イト発生回路,2は制御回路,3はシフト回路,4は変
換メモリ,5A,5Bは発振回路,6は発振制御回路,
7は論理和ゲートである。
【0011】レイト発生回路1は、制御回路2からのテ
ストレイト発生信号Aを受け取ると、この信号からレイ
ト発生タイミングデータBを解読し、シフト回路3へ出
力する。また、このデータからテストレイトクロックC
を発生し、発振制御回路6に出力する。
【0012】シフト回路3は、受け取ったレイト発生タ
イミングデータBをあらかじめ設定された段数分だけ、
シフトさせ、クロック発生タイミングデータDとして変
換メモリ4に出力する。
【0013】変換メモリ4は、受け取ったクロック発生
タイミングデータDを入力アドレスとし、このアドレス
に対応し、あらかじめ格納されている可変遅延設定デー
タEを読み出し、発振回路5A,5Bに出力する。
【0014】一方、発振制御回路6は、受け取ったテス
トレートクロックCにより、このクロックに対応して、
次段に接続される発振回路5A,5Bに対して交互に発
振するような発振イネーブル信号F1,F2を出力す
る。
【0015】発振回路5Aは、図2に示すように、論理
積ゲート81と可変遅延回路82をリング状にした構成
となっている。発振イネーブル信号F1は、論理積ゲー
ト81の一方の端子に接続されており、可変遅延設定デ
ータEは可変遅延回路82の遅延量をコントロールする
端子に接続されている。
【0016】発振回路5Aは、発振イネーブル信号F1
を受け取ると、その信号を受け取っている間のみ論理積
ゲート81が開いて発振する。そして、可遅延回路82
を通過する際には、可変遅延設定データEに対応し遅延
量の調整がなされているので、所望するタイミングの周
期で発振し、この発振クロックを取り出して発振クロッ
クG1が出力される。
【0017】発振回路5Bは、発振回路5Aと同様な回
路構成となっており、発振イネーブル信号F2を受け取
ると、その信号を受け取っている間のみ論理積ゲート8
1が開いて発振する。そして、可変遅延回路82を通過
する際には、可変遅延設定データEに対応し遅延量の調
整がなされているので、所望するタイミングの周期で発
振し、この発振クロックを取り出して発振クロックG2
が出力される。
【0018】論理和ゲート7は、発振クロックG1と発
振クロックG2との論理和をとることにより、連続した
高速クロックエッジHとして出力される。
【0019】次に、このタイミング発生装置のタイミン
グチャート(図3)を用いて、さらに詳しく説明する。本
発明による高速クロックエッジ発生は、4つのクロック
エッジを1テストレイト内に1/4周期間隔で出力させる
ものとする。つまり、シフト回路3においては、入力さ
れたレイト発生タイミングデータBを3段シフトさせ
て、クロック発生タイミングデータDを自動生成するの
である。
【0020】まず、制御回路2から出力されるテストレ
イト発生信号Aをレイト発生回路1が受け取ると、この
信号からレイト発生タイミングデータB「000,100,00
0」を解読する。このデータは、最下位ビットからの重
み付けから、250ps,500ps,1ns,2ns・・・・とすると、
8nsという意味を持つことになる。このレート発生タイ
ミングデータB「000,100,000」はシフト回路3に出力
される。
【0021】なお、このレイト発生回路1は、500MHZク
ロックを入力とするカウンタにより構成されている場
合、この例のように 8nsの間隔でテストレイトクロック
Cを発生させるには、4回分のカウントすることにより
テストレイトクロックCを発生させることになる。
【0022】このようにして順次、テストレイト発生信
号Aを受け取るとレイト発生タイミングデータBを解読
して出力させ、また、テストレイトクロックCも順次発
生させる(図3のC)。
【0023】シフト回路3は受け取ったレイト発生タイ
ミングデータB「000,100,000」を3段シフトさせて、
クロック発生タイミングデータD「000,000,100」を自
動生成し、変換メモリ4に出力する。なお、このデータ
は 1nsという意味を持つ。変換メモリ4は、受け取った
クロック発生タイミングデータD「000,000,100」を入
力アドレスとし、可変遅延データEを読み出し、次段の
発振回路5A,5Bに出力する。
【0024】この例の場合、1nsでクロックエッジを発
生させたいが、発振回路内の固定遅延として、立ち上が
りエッジ が500ps,立ち下がりエッジが250psあるもの
とすると、不足分の遅延量は、可変遅延回路82にて補
う。つまり、変換メモリ4の入力アドレス「000,001,00
0」に対応して読み出される可変遅延設定データEは、
立ち上がりエッジ 500psに相当する遅延データ「000,00
0,010」、立ち下がりエッジ250psに相当する可変遅延デ
ータ「000,000,001」をあらかじめ格納しておく。
【0025】発振制御回路6は、受け取ったテストレイ
トクロックCから、このクロックに対応して次段に接続
される発振回路5A,5Bに対して交互に発振するよう
な発振イネーブル信号F1,F2を出力する(図3のF
1,F2)。
【0026】発振回路5Aは、発振イネーブル信号F1
を受け取ると発振を開始する。なお、発振回路5A内の
可変遅延回路82を通過する際には、あらかじめ設定さ
れている遅延量分だけ、信号を遅延させる。このように
して発振した信号を発振クロックG1として取り出し、
論理和ゲート7に出力する(図3のG1)。
【0027】同様にして、発振回路5Bは、発振イネー
ブル信号F2を受け取ると発振を開始し、発振した信号
は発振クロックG2として取り出し、論理和ゲート7に
出力される(図3のG2)。
【0028】論理和ゲート7は、2つの発振クロックG
1とG2との論理和をとることにより、連続した高速ク
ロックエッジHを出力する(図3のH)。
【0029】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、小規模なハードウェアにより、テストパターン発生
周期よりも高速なクロックエッジを連続発生させること
が実現できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のタイミング発生装置の一実施例を示
すブロック図。
【図2】 本発明のタイミング発生装置における発振回
路の構成を示すブロック図。
【図3】 本発明のタイミング発生装置のタイミングチ
ャート。
【図4】 従来のタイミング発生装置の一例を示すブロ
ック図。
【図5】 従来のタイミング発生装置のタイミングチャ
ート。
【符号の説明】
1 レイト発生回路 2 制御回路 3 シフト回路 4 変換メモリ 5A,5B 発振回路 6 発振制御回路 7 論理和ゲート 8A,8B タイミング発生回路 9 波形整形回路

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 テストレイトクロックを発生するレイト
    発生回路と、レイト発生タイミングデータを入力とし、
    あらかじめ設定された段数分だけシフトしてクロック発
    生タイミングデータを出力するシフト回路と、 該クロック発生タイミングデータを入力アドレスとし、
    次段の発振回路内の可変遅延回路に入力される可変遅延
    設定データを出力する変換メモリと、 前記テストレイトクロックを入力とし、次段に接続され
    る2つの前記発振回路を交互に発振させるような発振イ
    ネーブル信号を出力する発振制御回路と、 該発振イネーブル信号により、発振を開始し、発振回路
    内の可変遅延回路においては前記可変遅延設定データの
    設定による遅延量の制御により、発振周波数を可変でき
    る2つの発振回路と、 該発振回路の出力信号の論理和をとる論理和ゲートとを
    備えることを特徴とするタイミング発生装置。
  2. 【請求項2】 前記クロック発生タイミングデータは、
    前記レイト発生回路内で用いるレイト発生タイミングデ
    ータにより、前記シフト回路を用いてあらかじめ設定さ
    れた段数分だけビットシフトされ、自動生成されること
    を特徴とする請求項1記載のタイミング発生装置。
  3. 【請求項3】 前記発振回路内の可変遅延回路の遅延量
    は、発振回路内の固定遅延分を考慮し、所望するタイミ
    ングにてクロックエッジが出力できるように調整するこ
    ととし、前記変換メモリは、前記クロック発生タイミン
    グデータを入力アドレスとし、前記発振回路の固定遅延
    量を発振回路に入力する可変遅延設定データとして格納
    する変換テーブルを記憶することを特徴とする請求項1
    記載のタイミング発生装置。
  4. 【請求項4】 前記発振回路内で用いる可変遅延回路は
    立ち上り時間,立ち下り時間を個別に調整することが可
    能であり、前記変換メモリには、前記立ち上がり時間と
    立ち下がり時間に対応した、2種類の可変遅延設定デー
    タをそれぞれ格納し、前記クロックエッジのパルス幅を
    調整することができることを特徴とする請求項3記載の
    タイミング発生装置。
JP10330053A 1998-11-19 1998-11-19 タイミング発生装置 Pending JP2000155159A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102045042B (zh) * 2009-10-19 2013-03-27 京元电子股份有限公司 使用于半导体元件测试的频率信号产生方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102045042B (zh) * 2009-10-19 2013-03-27 京元电子股份有限公司 使用于半导体元件测试的频率信号产生方法

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