JP2000150551A - リードフレームの表面処理機構およびその方法 - Google Patents

リードフレームの表面処理機構およびその方法

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JP2000150551A
JP2000150551A JP10320228A JP32022898A JP2000150551A JP 2000150551 A JP2000150551 A JP 2000150551A JP 10320228 A JP10320228 A JP 10320228A JP 32022898 A JP32022898 A JP 32022898A JP 2000150551 A JP2000150551 A JP 2000150551A
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Yasuhiko Yagi
木 康 彦 屋
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Abstract

(57)【要約】 【課題】リードフレームがモールド封止される前に光洗
浄を行うことで、リードフレームに付着した湿気や有機
化合物を除去し、モールド封止したパッケージの特性不
良を最小限におさえることができ、各工程を遅らせるこ
となくリードフレームを光洗浄できるリードフレームの
表面処理機構およびその方法を提供することを課題とす
る。 【解決手段】半導体チップを実装したリードフレームW
を装填する装填装置10と、この装填装置から送られて
来る前記リードフレームを整列させる整列機構21と、
この整列機構から送られてくる前記リードフレームをモ
ールド封止する封止機構23とを備えるモールド封止機
構30の配置において、前記リードフレームを前記封止
機構でモールド封止する前の位置で、前記リードフレー
ムの搬送経路に沿って、所定波長の紫外線を含む光を照
射する光源装置Aを設けることを特徴とするリードフレ
ームの表面処理機構Mとして構成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体チップを
実装したリードフレームを、モールド封止する前に、そ
のリードフレームを光洗浄するリードフレームの表面処
理機構およびその方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、回路などを形成した半導体チップ
をリードフレームに実装し、整列装置を介してそのリー
ドフレームをモールド封止するモールド封止機構が知ら
れている。
【0003】前記モールド封止機構は、すでに洗浄され
たモールド封止前リードフレームを装填するリードフレ
ーム装填装置と、このリードフレーム装填装置から送ら
れてくるモールド封止前リードフレームを整列する整列
装置と、この整列装置で整列させたモールド封止前リー
ドフームを装着すると共に、樹脂タブレット装填部の樹
脂タブレットを装着する装着供給装置と、この装着供給
装置を受け取り上型および下型によりリードフレームを
モールド封止する封止装置などから構成されている。
【0004】したがって、半導体チップを実装したモー
ルド封止前リードフレームは、はじめに、整列装置で整
列作業を行った後に、装着供給装置に樹脂タブレットと
一緒に配置され、すでに高温に加熱されている封止装置
により樹脂タブレットを溶融して、半導体チップを実装
した状態でリードフレームがモールド封止されていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のモ
ールド封止機構では、以下のような問題点が存在してい
た。 リードフレームは、モールド封止される直前にその
リードフレームに湿気が付着している場合や、製造工程
の一連の工程で除去しきれない有機化合物の汚染物質が
付着している場合があり、それらをより確実に除去する
ことが望まれていた。
【0006】 リードフレームに湿気または有機化合
物の汚染物質が付着したまま、そのリードフレームをモ
ールド封止した場合は、製品が完成した後の半導体素子
が壊れやすくなる原因になった。あるいは、リードフレ
ームに付着した湿気がパッケージの内部に進入して特性
不良を引き起こす原因になっていた。
【0007】 半導体素子を形成する各工程は、リー
ドフレームに半導体チップが実装され、モールド封止工
程までの間に、各工程を一連の流れ作業のなかで順次行
っている。そのため、他の工程作業を遅らせることな
く、そのリードフレームがモールド封止される直前に光
洗浄を行うことが望まれていた。
【0008】この発明は、前記の問題点に鑑み創案され
たものであり、リードフレームがモールド封止される前
に光洗浄を行うことで、リードフレームに付着した湿気
や有機化合物を除去し、モールド封止したパッケージの
特性不良を最小限におさえることができ、各工程を遅ら
せることなくリードフレームを光洗浄できるリードフレ
ームの表面処理機構およびその方法を提供することを目
的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
め、この発明は、半導体チップを実装したリードフレー
ムを装填する装填装置と、この装填装置から送られて来
る前記リードフレームを整列させる整列機構と、この整
列機構から送られてくる前記リードフレームをモールド
封止する封止機構とを備えるモールド封止機構の配置で
あって、前記リードフレームを前記封止機構でモールド
封止する前の位置で、前記リードフレームの搬送経路に
沿って、所定波長の紫外線を含む光を照射する光源装置
を設けるリードフレームの表面処理機構として構成し
た。
【0010】また、前記光源装置は、前記半導体チップ
のリードフレームを整列する整列機構の位置に設ける構
成にすると都合が良い。そして、前記光源装置は、リー
ドフレームの上方側および下方側の2箇所に設け、リー
ドフレームの構成により選択的に使用する構成としても
良い。
【0011】さらに、前記光源装置は、オゾンの生成分
解を生じる所定波長の紫外線を含む光を照射する放電灯
を使用する構成とすることや、または、前記光源装置
は、オゾンを発生させないオゾン制御手段を介してリー
ドフレームに光照射を行う構成としても良いものであ
る。
【0012】また、リードフレームの表面処理方法とし
ては、半導体チップを実装したリードフレームを装填装
置に装填する第1工程と、前記リードフレームを装填装
置から受け取り整列機構により整列させると共に、その
整列機構の位置で所定波長の紫外線を含む光を、そのリ
ードフレームに照射して光洗浄する第2工程と、光洗浄
した前記リードフレームを封止機構によりモールド封止
する第3工程とから構成した。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
図面に基づいて説明する。図1は、リードフレームの表
面処理機構の光源装置の要旨を示す原理図、図2は、リ
ードフレームの表面処理機構の光源装置の配置を示す全
体の平面図、図3は、リードフレームの表面処理機構の
他の構成の光源装置の構成を示す原理図、図4は、図3
の光源装置の配置を示す全体の平面図、図5(a)は、
紫外線照射時間と接触角を示すグラフ図、(b)は、照
射エネルギーとシェア力との関係を示すグラフ図であ
る。
【0014】図1および図2で示すように、リードフレ
ームの表面処理機構Mは、モールド封止機構30に光源
装置Aを有する紫外線処理装置1を配置している。前記
モールド封止機構30は、モールド封止前のリードフレ
ーム(以下、ワークWという)を装填する装填装置10
と、モールド封止装置20とから構成されている。な
お、前記モールド封止装置20は、ワークWを整列する
整列機構21、ワークWの搬送機構22、ワークWにモ
ールド封止を行う上下の金型を備える封止機構23およ
び、モールド封止したワークWを収納するストッカ部2
4を備えている。
【0015】前記紫外線処理装置1は、ワークWの搬送
経路で、そのワークWに所定波長の紫外線を含む光線を
照射する放電灯2と、この放電灯2から照射される光線
を光照射方向に反射する反射鏡3とからなる光源装置A
を備えている。そして、前記放電灯2の光照射経路に
は、石英ガラス4が設けられていると共に、前記光源装
置AのワークWの搬入側および搬出側には、シャッタ機
構6、6を備えている。さらに、前記シャッタ機構6、
6間には、ワークWの移動機構7を備えている。なお、
図面では、ワークWの上方に光源装置Aを配置した構成
としているが、放電灯2をワークWの上方から外れた位
置に配置し、光の照射方向を変える反射鏡を照射経路に
一か所または複数か所に介在させてワークWに光照射す
る構成としても良い。
【0016】前記放電灯2は、低圧放電灯、中圧放電
灯、高圧放電灯、超高圧放電灯、エキシマランプなど、
紫外線の所定波長の内、184.9nmおよび253.
7nmの波長の紫外線を照射する構成のものが使用され
る。そして、放電灯2は、一灯で使用しても良いが、こ
こでは、放電灯2は、複数のものを等間隔に並列して使
用する構成とした。また、前記反射鏡3には、所定位置
に換気用の開口部5が形成されており、放電灯2の点灯
による発熱を冷却する。そして、前記シャッタ機構6
は、遮蔽部6a,6aを駆動する駆動部6b,6bを備
えている。なお、前記光源装置AとワークWの間隔は、
近接させた状態であることが望ましく、ここでは、石英
ガラス4からワークWまでの距離を30cmから5mm
の範囲になるように設定している。
【0017】つぎに、前記紫外線処理装置1でワークW
を洗浄する際の作用を説明する。はじめに、装填装置1
0から送られて来た複数のワークWは、移動機構7によ
り所定光源装置Aの下方で所定位置まで搬送されて停止
する。ワークWの搬送が完了すると、シャッタ機構6の
遮蔽部6a,6aが降下して光源装置Aからの光が外部
に漏れないように遮蔽する。
【0018】つぎに、放電灯2を点灯させワークWに所
定波長の紫外線を照射する。なお、前記放電灯2は、あ
らかじめ点灯しておき、放電灯2からの光線の照射を遮
断する遮断シャッタを設け、その遮断シャッタの開閉を
行うことで、放電灯2からの光照射を行う構成としても
良い。
【0019】光源装置AからワークWに光照射が行われ
ると、空気中の酸素がオゾンO3 の生成と分解を繰り返
し、原子状の酸素Oにより汚染物質が付着している場合
は、除去することになる。
【0020】なお、紫外線処理装置1を作動中には、そ
の照射処理位置に、清浄な空気または酸素を送り込む換
気機構(図示せず)を設ける構成にするとさらにワーク
Wに対する洗浄能力を向上させることが可能となる。
【0021】つぎに、図5(a)で示すように、前記紫
外線処理装置1によりワークWを光洗浄した場合は、紫
外線を照射しない場合に比べて、モールド封止後に有効
な結果をもたらし、好ましくは、照射時間が1分を越え
るとワークWの洗浄度が急激に向上し、さらに、3分を
越えるとワークWの洗浄度が格段に良くなったことが判
断できる。このワークWの洗浄度を判断するため、ここ
では水滴による接触角によって評価した。なお、図5
(a)では、ワークWに汚染物質が付着している場合
に、光洗浄を行った際の状態を示している。
【0022】また、図5(b)で示すように、モールド
封止までに、全く紫外線の照射による光洗浄を行わない
場合に比べて紫外線を照射する場合は、その全ての場合
でモールド封止後に有効な結果をもたらし、好ましく
は、紫外線の照射エネルギーの値を500mJ/cm2
以上にあげると、シェア力(剪断力)が一段と向上し、
さらに、1000mJ/cm2 を越す値からシェア力が
著しく向上し、1500mJ/cm2 を越す値から最高
のシェア力を得ることができる。なお、図5(b)で
は、ワークWに汚染物質が付着している場合に、光洗浄
を行った際の状態を示している。
【0023】さらに、ワークWの構成によっては、オゾ
ンO3 に対して不良を起こす原因を備えるものもある。
したがって、照射される紫外線により、空気中の酸素O
2 からオゾンO3 の分解生成による洗浄を行うことなく
水分や汚染物質を除去する必要がある。そのため、18
4.9nmおよび253.7nmの波長の紫外線を除去
する手段として、オゾン制御手段を設けることで対応さ
せている。前記オゾン制御手段は、184.9nmおよ
び253.7nmの波長の紫外線を除去するフィルタF
(図1の仮想線)を石英ガラス4に設ける構成とするこ
とや、また、放電灯自体を前記オゾンO3 分解生成領域
の紫外線の発光が少ないか、あるいはほとんどない、高
圧水銀灯などを使用することで対応させる構成としてい
る。
【0024】したがって、光源装置Aおよびオゾン制御
手段(F)を介してワークWに照射した照射光は、ワー
クWに有機物質の汚染物質が付着していると、その汚染
物質を光分解して除去することになる。また、その際に
は、光源装置Aからの光照射による加熱で水分の除去を
行うこともできるものである。
【0025】なお、オゾン制御手段としてフィルタFを
使用する場合は、そのフィルタFを設ける位置は、放電
灯2の表面、石英ガラス4の内側、外側、あるいは、そ
の石英ガラス4自体に混入させてフィルタの構成として
も良い。
【0026】また、紫外線処理装置1の配置は、図2の
ワークWの装填装置10と、モールド封止装置20間に
設ける構成としているが、モールド封止装置20の内部
で、ワークWの整列機構21の位置に設ける構成として
も良く、さらに、前記装填装置10の直前位置に設ける
構成としても良い。
【0027】つぎに、図3および図4を参照して、リー
ドフレームの表面処理機構Mで使用される紫外線処理装
置1Aの他の形態を説明する。なお、前記図1および図
2で示した構成と同じ部材は、同じ符号を付して説明を
省略する。
【0028】図3および図4で示すように、紫外線洗処
理置1Aは、ワークWの整列機構21の位置に、光源装
置A,Bを設けるように構成されている。光源装置B
は、整列機構21の下方側から所定波長の紫外線を含む
光線を光照射する放電灯9と、この放電灯9からの照射
光を光照射方向に反射する反射鏡9bとから構成されて
いる。また、前記放電灯9の上方には、石英ガラス8を
設けている。
【0029】なお、前記光源装置は、ワークの搬送経路
に沿った位置で、ワークの上方あるいは下方から外れた
位置に配置し、その配置位置から照射される光照射経路
に反射鏡を一か所または複数か所設け、光照射方向を変
える反射鏡を介してワークWに光照射する構成としても
良い。また、光源装置は、どちらか一方のみを使用し、
その一方の光源装置から照射される照射光を一方と他方
に振り分ける回動反射鏡を設け、その回動反射鏡からの
反射光をワーク側に導くようにそれぞれ反射鏡を設ける
構成としても良い。
【0030】前記整列機構21は、ワークを一定の基準
位置に整列させるためのものであり、移動機構(図示せ
ず)と、この移動機構によりワークWの位置を整列さ
せ、ワークWの基準となる位置を位置センサなどの検出
手段(図示せず)により検出することで整列させるよう
に構成されている。
【0031】したがって、ワークWが、ワークWの装填
装置10から整列機構21側に搬送されてきた際に、シ
ャッタ機構6の開閉操作により紫外線処理装置1A側に
搬入すると、光源装置A,Bから光照射することでワー
クWの光洗浄作業を行う構成としている。
【0032】なお、ワークWによっては、ワークWの設
置面に対してワークWの下方側のみに洗浄操作が必要な
ものがあり、その場合は、光源装置B側を作動させてワ
ークWに光照射する構成とする。また、ワークWが下方
および上方のどちらからも光照射可能な構成である場合
は、光源装置A、Bの両者を作動させてワークWに光照
射を行う。もちろん、光源装置Aのみを作動させてワー
クに光照射することもできる。
【0033】また、ワークWがオゾンO3 に対して不都
合な場合は、前記光源装置B側に前記したように、オゾ
ン制御手段を設ける構成としている。オゾン制御手段
は、石英ガラス4に設けたフィルタFの構成とすること
や、放電灯9自体の構成を、オゾン分解生成を行う紫外
線領域を発光させない放電灯を使用する構成にすること
で対応する。さらに、光照射処理装置1Aの配置は、図
1で示す位置や、装填装置10の直前の位置としても良
いことは勿論である。
【0034】なお、前記紫外線処理装置1、1Aにより
ワークWに光照射して光洗浄作業を行った後に、モール
ド封止した半導体素子は、100%に近い数値で良品を
得ることができた。
【0035】
【発明の効果】以上に述べたごとく本発明は次の優れた
効果を発揮する。 紫外線処理装置は、リードフレームのモールド封止
工程を行う前に配置し、そのリードフレームを光洗浄す
る構成としているため、モールド封止後の半導体素子の
加熱テストを行った場合は、ほとんど100%に近い数
値で良品を製造することが可能となる。そのため、著し
く歩留りの向上を達成することができる。
【0036】 紫外線処理装置は、モールド封止機構
の整列機構の位置に配置することで、リードフレームを
整列して次のモールド封止を行う時の待機する時間内
で、封止前のリードフレームを洗浄することが可能とな
る。したがって、半導体素子を形成する一連の流れを阻
害することなく、かつ、半導体素子の歩留りを向上させ
ることが可能となる。
【0037】 紫外線処理装置は、封止前のリードフ
レームの上下位置に設けた光源装置を選択的に作動させ
て、光洗浄を行う構成としているため、リードフレーム
の構成に対応して適切な洗浄作業を行うことが可能とな
る。
【0038】 紫外線処理装置は、光源装置にオゾン
を生成分解する所定波長の紫外線を照射する放電灯を設
けているため、封止前のリードフレームにその紫外線を
照射することでオゾンO3 の分解生成により発生する原
子状の酸素により洗浄作業を行うことが可能となる。
【0039】 紫外線処理装置は、光源装置にオゾン
を発生させないオゾン制御手段を有しているため、被洗
浄物であるリードフレーム側に、オゾンに対して不具合
を生じる構成がある場合に適切な光洗浄を行うことが可
能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明のリードフレームの表面処理機構の光
源装置の要旨を示す原理図である。
【図2】この発明のリードフレームの表面処理機構の光
源装置の配置を示す全体の平面図である。
【図3】この発明の他の形態を表すリードフレームの表
面処理機構の光源装置の要旨を示す原理図である。
【図4】この発明の図3の光源装置の配置を示す全体の
平面図である。
【図5】(a)は、紫外線照射時間と接触角との関係を
示すグラフ図、(b)は、照射エネルギーとシェア力と
の関係を示すグラフ図である。
【符号の説明】
1 紫外線処理装置 1A 紫外線処理装置 2 放電灯 3 反射鏡 4 石英ガラス 5 開口部 6 シャッタ機構 7 移動機構 8 石英ガラス 9 放電灯 9a 反射鏡 10 装填装置 20 モールド封止装置 21 整列機構 22 搬送機構 23 封止機構 24 ストッカ部 30 モールド封止機構 A 光源装置 B 光源装置 M リードフレームの表面処理機構 W ワーク(モールド封止前のリードフレー
ム)
フロントページの続き Fターム(参考) 4F206 AD02 AH37 AM13 JA02 JB17 JF05 JF36 JL02 JQ06 JQ90 4K053 PA02 PA06 QA04 SA20 XA04 ZA10 5F061 AA01 BA01 CA21 CB12 DB02 DD04 5F067 AA04 DE01

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体チップを実装したリードフレームを
    装填する装填装置と、この装填装置から送られて来る前
    記リードフレームを整列させる整列機構と、この整列機
    構から送られてくる前記リードフレームをモールド封止
    する封止機構とを備えるモールド封止機構の配置におい
    て、 前記リードフレームを前記封止機構でモールド封止する
    前の位置で、前記リードフレームの搬送経路に沿って、
    所定波長の紫外線を含む光を照射する光源装置を設ける
    ことを特徴とするリードフレームの表面処理機構。
  2. 【請求項2】前記光源装置は、前記整列機構の位置に設
    けることを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム
    の表面処理機構。
  3. 【請求項3】前記光源装置は、前記リードフレームの上
    方側および下方側の2箇所に設け、そのリードフレーム
    の構成により選択的に使用することを特徴とする請求項
    1または2に記載のリードフレームの表面処理機構。
  4. 【請求項4】前記光源装置は、オゾンの生成分解を生じ
    る所定波長の紫外線を含む光を照射する放電灯を備えた
    ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記
    載のリードフレームの表面処理機構。
  5. 【請求項5】前記光源装置は、オゾンを発生させないオ
    ゾン制御手段を介してリードフレームに光照射を行うこ
    とを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載
    のリードフレームの表面処理機構。
  6. 【請求項6】半導体チップを実装したリードフレームを
    装填装置に装填する第1工程と、 前記リードフレームを装填装置から受け取り整列機構に
    より整列させると共に、その整列機構の位置で所定波長
    の紫外線を含む光を、そのリードフレームに照射して光
    洗浄する第2工程と、 光洗浄した前記リードフレームを封止機構によりモール
    ド封止する第3工程とからなるリードフレームの表面処
    理方法。
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