JP2000143394A - シリコン単結晶引き上げ装置用の回転軸 - Google Patents
シリコン単結晶引き上げ装置用の回転軸Info
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- JP2000143394A JP2000143394A JP10347726A JP34772698A JP2000143394A JP 2000143394 A JP2000143394 A JP 2000143394A JP 10347726 A JP10347726 A JP 10347726A JP 34772698 A JP34772698 A JP 34772698A JP 2000143394 A JP2000143394 A JP 2000143394A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコン単結晶引き上げ装置に用いられる、
高強度な回転軸を得る。 【解決手段】回転軸の基材をＣ／Ｃコンポジットにより
形成し、さらには基材の一部もしくは全面に熱分解炭素
を含浸するとともに被膜を形成したこと。
高強度な回転軸を得る。 【解決手段】回転軸の基材をＣ／Ｃコンポジットにより
形成し、さらには基材の一部もしくは全面に熱分解炭素
を含浸するとともに被膜を形成したこと。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン単結晶引
き上げ装置を構成するための部材に関し、特に、シリコ
ン単結晶引き上げ装置を構成するシリコン材料を溶融す
るためのルツボを回転および上下移動させるためのシリ
コン単結晶引き上げ装置用の回転軸に関するものであ
る。
き上げ装置を構成するための部材に関し、特に、シリコ
ン単結晶引き上げ装置を構成するシリコン材料を溶融す
るためのルツボを回転および上下移動させるためのシリ
コン単結晶引き上げ装置用の回転軸に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】シリコン単結晶引き上げ装置は所謂チョ
クラルスキー法と称される方法により、雰囲気ガスの存
在下で、ルツボ内のシリコン融液からシリコン単結晶を
引き上げるもので、例えば、特公昭５７−１５０７９号
公報にて示されているような「単結晶引上装置」として
知られている。この公報に示された装置は、図２に示す
ように、「炉体容器１内にその下方より回転軸２が導入
され、その回転軸２の端面上に受け皿３を介してルツボ
４が配される。又該ルツボ４の周りに発熱体５と保温筒
６が配され、ルツボ４内でシリコンが溶融され融液７を
得る。一方炉体容器１の上方には上下に滑動する回転軸
９が設けられている。該回転軸９の遊端にシリコンの種
結晶８を取付け、回転軸９を種結晶８がルツボ４内の融
液７に触れている状態より上方に移動させて、種結晶８
の下に続くシリコン単結晶１０を得る。単結晶を育成す
る際、不必要な反応生成ガスが、単結晶１０及び融液７
の液面で反応しないように、これを排除する必要があ
る。このためにアルゴン等の不活性ガスを雰囲気ガスと
して、炉体容器１の上方より単結晶及び液面に供給し、
炉体容器下部より排出する」というものである（上記公
報の第２欄）。
クラルスキー法と称される方法により、雰囲気ガスの存
在下で、ルツボ内のシリコン融液からシリコン単結晶を
引き上げるもので、例えば、特公昭５７−１５０７９号
公報にて示されているような「単結晶引上装置」として
知られている。この公報に示された装置は、図２に示す
ように、「炉体容器１内にその下方より回転軸２が導入
され、その回転軸２の端面上に受け皿３を介してルツボ
４が配される。又該ルツボ４の周りに発熱体５と保温筒
６が配され、ルツボ４内でシリコンが溶融され融液７を
得る。一方炉体容器１の上方には上下に滑動する回転軸
９が設けられている。該回転軸９の遊端にシリコンの種
結晶８を取付け、回転軸９を種結晶８がルツボ４内の融
液７に触れている状態より上方に移動させて、種結晶８
の下に続くシリコン単結晶１０を得る。単結晶を育成す
る際、不必要な反応生成ガスが、単結晶１０及び融液７
の液面で反応しないように、これを排除する必要があ
る。このためにアルゴン等の不活性ガスを雰囲気ガスと
して、炉体容器１の上方より単結晶及び液面に供給し、
炉体容器下部より排出する」というものである（上記公
報の第２欄）。
【０００３】ところで、以上述べた単結晶製造装置にお
いて、回転軸９は単にルツボを支えて回転および上下移
動させるだけでなく、、万が一回転軸９が破損した場合
にはルツボが落下することにより、最悪の場合、溶融し
たＳｉが冷却層の隔壁を破壊し水蒸気爆発を起こすとい
う危険性がある。従って、以上のような回転軸を構成す
るための材料としては、黒鉛材が通常用いられている。
いて、回転軸９は単にルツボを支えて回転および上下移
動させるだけでなく、、万が一回転軸９が破損した場合
にはルツボが落下することにより、最悪の場合、溶融し
たＳｉが冷却層の隔壁を破壊し水蒸気爆発を起こすとい
う危険性がある。従って、以上のような回転軸を構成す
るための材料としては、黒鉛材が通常用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近の
シリコン単結晶の大口径化に伴い、石英ルツボ及び黒鉛
ルツボが大型化し、前記石英ルツボに収容するシリコン
原料の重量は１６インチφウェハの場合、５００ｋｇに
もおよぶ。従って、回転軸に対する応力も増大し、強度
的に問題があった。
シリコン単結晶の大口径化に伴い、石英ルツボ及び黒鉛
ルツボが大型化し、前記石英ルツボに収容するシリコン
原料の重量は１６インチφウェハの場合、５００ｋｇに
もおよぶ。従って、回転軸に対する応力も増大し、強度
的に問題があった。
【０００５】回転軸の強度をアップさせるには、回転軸
の径を太くする方法もあるが、前記回転軸の径を太くす
ると、そこから奪われる熱量が大きくなり、結果として
ルツボ内のシリコン融液の温度分布が均一でなくなり、
回転軸より奪われた熱を補うために周囲のヒーター２０
からの熱量を多く供給する必要があり、そのために石英
ルツボ、黒鉛ルツボ、及びヒーター２０の寿命が短くな
るといった問題や熱効率が悪くなるといった問題もあ
る。また、シリコン融液内の温度分布が不均一である
と、引き上げたシリコン単結晶の品質に悪影響を及ぼ
す。
の径を太くする方法もあるが、前記回転軸の径を太くす
ると、そこから奪われる熱量が大きくなり、結果として
ルツボ内のシリコン融液の温度分布が均一でなくなり、
回転軸より奪われた熱を補うために周囲のヒーター２０
からの熱量を多く供給する必要があり、そのために石英
ルツボ、黒鉛ルツボ、及びヒーター２０の寿命が短くな
るといった問題や熱効率が悪くなるといった問題もあ
る。また、シリコン融液内の温度分布が不均一である
と、引き上げたシリコン単結晶の品質に悪影響を及ぼ
す。
【０００６】そこで、本発明者等はこの種のシリコン単
結晶引上げ装置用の回転軸について、前述した問題を解
決するにはどうしたらよいかについて種々検討を重ねて
きた結果、本発明を完成したのである。
結晶引上げ装置用の回転軸について、前述した問題を解
決するにはどうしたらよいかについて種々検討を重ねて
きた結果、本発明を完成したのである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに、まず、請求項１に係る発明の採った手段は、以下
の実施形態の説明中において使用する符号を付して説明
すると、「シリコン単結晶引き上げ装置１００を構成す
るシリコン材料を溶融するためのルツボ１０の下部に配
置されて、前記ルツボ１０を回転および上下移動させる
ためのシリコン単結晶引き上げ装置用の回転軸６０であ
って、前記回転軸６０の基材をＣ／Ｃコンポジットによ
り形成したことを特徴とするシリコン単結晶引き上げ装
置用の回転軸６０」である。
めに、まず、請求項１に係る発明の採った手段は、以下
の実施形態の説明中において使用する符号を付して説明
すると、「シリコン単結晶引き上げ装置１００を構成す
るシリコン材料を溶融するためのルツボ１０の下部に配
置されて、前記ルツボ１０を回転および上下移動させる
ためのシリコン単結晶引き上げ装置用の回転軸６０であ
って、前記回転軸６０の基材をＣ／Ｃコンポジットによ
り形成したことを特徴とするシリコン単結晶引き上げ装
置用の回転軸６０」である。
【０００８】すなわち、請求項１の発明に係るシリコン
単結晶引き上げ装置用の回転軸６０は、図１に示すよう
に、密閉本体５０内のルツボ１０の下部に配置されて、
前記ルツボ１０を回転および上下移動させるものであ
り、その基材をＣ／Ｃコンポジットによって形成したも
のである。
単結晶引き上げ装置用の回転軸６０は、図１に示すよう
に、密閉本体５０内のルツボ１０の下部に配置されて、
前記ルツボ１０を回転および上下移動させるものであ
り、その基材をＣ／Ｃコンポジットによって形成したも
のである。
【０００９】このシリコン単結晶引き上げ装置用の回転
軸６０の基材を構成するＣ／Ｃコンポジットは、高強度
であり、次のようにして形成される。まず、炭素繊維
を、１軸配向あるいは複数軸配向させて筒状素材として
おいて、これに樹脂を含浸させて、これを炭化するので
ある。含浸に用いる樹脂としては、フェノール、フラン
等の樹脂の他、タール・ピッチ等がある。
軸６０の基材を構成するＣ／Ｃコンポジットは、高強度
であり、次のようにして形成される。まず、炭素繊維
を、１軸配向あるいは複数軸配向させて筒状素材として
おいて、これに樹脂を含浸させて、これを炭化するので
ある。含浸に用いる樹脂としては、フェノール、フラン
等の樹脂の他、タール・ピッチ等がある。
【００１０】請求項１又は２に記載のシリコン単結晶引
き上げ装置用の回転軸は、その基材が中心軸に対し、円
周方向に炭素繊維フィラメントもしくは炭素繊維クロス
が巻きつけられた層を有することを内容とする。前記構
成により、炭素繊維が中心軸に対し円周方向に存在する
ので、強度が大幅にアップする。したがって、極力強度
を持たせた上で、径を細くすることが可能となり、シリ
コン融液の熱が奪われるのを最小にとどめることができ
る。
き上げ装置用の回転軸は、その基材が中心軸に対し、円
周方向に炭素繊維フィラメントもしくは炭素繊維クロス
が巻きつけられた層を有することを内容とする。前記構
成により、炭素繊維が中心軸に対し円周方向に存在する
ので、強度が大幅にアップする。したがって、極力強度
を持たせた上で、径を細くすることが可能となり、シリ
コン融液の熱が奪われるのを最小にとどめることができ
る。
【００１１】請求項１又は３に記載のシリコン単結晶引
き上げ装置用の回転軸は、その基材の一部もしくは全面
に熱分解炭素を含浸するとともに被膜を形成したことを
内容とする。このような構成とする理由は、前記熱分解
炭素被膜によって、シリコン単結晶引き上げ時に発生す
るＳｉＯガスやＳｉ蒸気が基材に接触することはなく、
従って基材中のＣ（炭素）と反応することを防止し、珪
化による強度の劣化を防止できる。
き上げ装置用の回転軸は、その基材の一部もしくは全面
に熱分解炭素を含浸するとともに被膜を形成したことを
内容とする。このような構成とする理由は、前記熱分解
炭素被膜によって、シリコン単結晶引き上げ時に発生す
るＳｉＯガスやＳｉ蒸気が基材に接触することはなく、
従って基材中のＣ（炭素）と反応することを防止し、珪
化による強度の劣化を防止できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に本発明を、図面に示した実施
の形態について説明すると、図１には、本発明に係るシ
リコン単結晶引き上げ装置用の回転軸６０が適用される
シリコン単結晶引き上げ装置１００の縦断面図が示して
ある。このシリコン単結晶引き上げ装置１００は、その
密閉本体５０内に、シリコンを溶融させるためのルツボ
１０を回転軸６０にて回転および上下移動可能に収納し
たものである。
の形態について説明すると、図１には、本発明に係るシ
リコン単結晶引き上げ装置用の回転軸６０が適用される
シリコン単結晶引き上げ装置１００の縦断面図が示して
ある。このシリコン単結晶引き上げ装置１００は、その
密閉本体５０内に、シリコンを溶融させるためのルツボ
１０を回転軸６０にて回転および上下移動可能に収納し
たものである。
【００１３】シリコン単結晶引き上げ装置用の回転軸６
０はその基材をＣ／Ｃコンポジットを材料として形成し
たものである。またその基材の一部もしくは全面に熱分
解炭素を含浸するとともに被膜が形成してある。これら
のＣ／Ｃコンポジット基材および熱分解炭素被膜は、以
下の実施例にて示すように製造または形成されるもので
ある。
０はその基材をＣ／Ｃコンポジットを材料として形成し
たものである。またその基材の一部もしくは全面に熱分
解炭素を含浸するとともに被膜が形成してある。これら
のＣ／Ｃコンポジット基材および熱分解炭素被膜は、以
下の実施例にて示すように製造または形成されるもので
ある。
【００１４】
【実施例１】まず、炭素繊維で編んだ布を用いて、直径
が約６０ｍｍφの筒体状に複数回巻回することにより、
筒状の炭素繊維素材を形成し、これに、フェノール樹脂
を含浸させた。これらを硬化させてから、これを不活性
雰囲気中で９００℃で焼成し炭素化した。以上の含浸・
炭素化を２回繰り返し、これを黒鉛化して外径約１００
ｍｍφ、内径約６０ｍｍφ、長さ１４００ｍｍのＣ／Ｃ
コンポジットからなる基材を得た。
が約６０ｍｍφの筒体状に複数回巻回することにより、
筒状の炭素繊維素材を形成し、これに、フェノール樹脂
を含浸させた。これらを硬化させてから、これを不活性
雰囲気中で９００℃で焼成し炭素化した。以上の含浸・
炭素化を２回繰り返し、これを黒鉛化して外径約１００
ｍｍφ、内径約６０ｍｍφ、長さ１４００ｍｍのＣ／Ｃ
コンポジットからなる基材を得た。
【００１５】得られた基材を機械加工後、ＣＶＤ炉に入
れて１４００℃に加熱するとともに、水素ガスをキャリ
アとしてメタンガスを炉内に連続的に供給した。これに
より基材の表面全体に厚さ約５０μｍの熱分解被膜が形
成された。
れて１４００℃に加熱するとともに、水素ガスをキャリ
アとしてメタンガスを炉内に連続的に供給した。これに
より基材の表面全体に厚さ約５０μｍの熱分解被膜が形
成された。
【００１６】
【実施例２】この実施例における基材の形成は次の２通
りの方法によって行った。第１の方法は、炭素繊維フィ
ラメントを用いて筒状体を形成し、これにフェノール樹
脂含浸、硬化、焼成を２回繰り返して全体を炭素化し、
Ｃ／Ｃコンポジットからなる基材を得た。
りの方法によって行った。第１の方法は、炭素繊維フィ
ラメントを用いて筒状体を形成し、これにフェノール樹
脂含浸、硬化、焼成を２回繰り返して全体を炭素化し、
Ｃ／Ｃコンポジットからなる基材を得た。
【００１７】第２の方法は、炭素繊維で編んだ布を用い
て回転体６０となるべき形に形成し、これにフェノール
樹脂を含浸して、硬化後に９００℃で焼成した。これを
黒鉛化して、得られた基材をＣＶＤ炉に入れて１４００
℃に加熱するとともに水素ガスをキャリアとしてメタン
ガスを炉内に断続的に供給し、基材内部に熱分解炭素を
含浸した、Ｃ／Ｃコンポジットからなる基材を得た。こ
の基材を機械加工後、実施例１と同様な方法によって熱
分解炭素被膜を形成した。
て回転体６０となるべき形に形成し、これにフェノール
樹脂を含浸して、硬化後に９００℃で焼成した。これを
黒鉛化して、得られた基材をＣＶＤ炉に入れて１４００
℃に加熱するとともに水素ガスをキャリアとしてメタン
ガスを炉内に断続的に供給し、基材内部に熱分解炭素を
含浸した、Ｃ／Ｃコンポジットからなる基材を得た。こ
の基材を機械加工後、実施例１と同様な方法によって熱
分解炭素被膜を形成した。
【００１８】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明においては、
上記実施形態において例示した如く、「シリコン単結晶
引き上げ装置１００を構成するシリコン材料を溶融する
ためのルツボ１０の下部に配置されて、ルツボ１０を回
転および上下移動させるためのシリコン単結晶引き上げ
装置用の回転軸６０であって、前記回転軸６０の基材を
Ｃ／Ｃコンポジットにより形成し、さらにはその基材が
中心軸に対し、円周方向に炭素繊維フィラメントもしく
は炭素繊維クロスが巻きつけられた層を有するか、その
基材の一部もしくは全面に熱分解炭素を含浸するととも
に被膜を形成したこと」にその構成上の特徴があり、そ
れにより、高強度で、耐久性の高いシリコン単結晶引き
上げ装置用の回転軸を提供することができる。
上記実施形態において例示した如く、「シリコン単結晶
引き上げ装置１００を構成するシリコン材料を溶融する
ためのルツボ１０の下部に配置されて、ルツボ１０を回
転および上下移動させるためのシリコン単結晶引き上げ
装置用の回転軸６０であって、前記回転軸６０の基材を
Ｃ／Ｃコンポジットにより形成し、さらにはその基材が
中心軸に対し、円周方向に炭素繊維フィラメントもしく
は炭素繊維クロスが巻きつけられた層を有するか、その
基材の一部もしくは全面に熱分解炭素を含浸するととも
に被膜を形成したこと」にその構成上の特徴があり、そ
れにより、高強度で、耐久性の高いシリコン単結晶引き
上げ装置用の回転軸を提供することができる。
【図１】本発明に係る回転軸を採用したシリコン単結晶
引き上げ装置の縦略断面図である。
引き上げ装置の縦略断面図である。
【図２】従来のシリコン単結晶引き上げ装置を示す断面
図である。
図である。
１００ シリコン単結晶引き上げ装置 １０ ルツボ １１ 石英ルツボ ２０ ヒータ ３０ 保温筒 ４０ 断熱材 ５０ 密閉本体 ６０ 回転軸
Claims (3)
- 【請求項１】シリコン単結晶引き上げ装置を構成するシ
リコン材料を溶融するためのルツボの下部に配置され
て、前記ルツボを回転および上下移動させるためのシリ
コン単結晶引き上げ装置用の回転軸であって、前記回転
軸の基材をＣ／Ｃコンポジットにより形成したことを特
徴とするシリコン単結晶引き上げ装置用の回転軸。 - 【請求項２】前記基材は、中心軸に対し円周方向に炭素
繊維フィラメントもしくは炭素繊維クロスが巻き付けら
れた層を有することを特徴とする請求項１に記載のシリ
コン単結晶引き上げ装置用の回転軸。 - 【請求項３】前記基材の一部もしくは全面に熱分解炭素
を含浸するとともに被膜を形成したことを特徴とする請
求項１に記載のシリコン単結晶引き上げ装置用の回転
軸。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10347726A JP2000143394A (ja) | 1998-10-31 | 1998-10-31 | シリコン単結晶引き上げ装置用の回転軸 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10347726A JP2000143394A (ja) | 1998-10-31 | 1998-10-31 | シリコン単結晶引き上げ装置用の回転軸 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000143394A true JP2000143394A (ja) | 2000-05-23 |
Family
ID=18392182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10347726A Pending JP2000143394A (ja) | 1998-10-31 | 1998-10-31 | シリコン単結晶引き上げ装置用の回転軸 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000143394A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2644755A1 (en) * | 2010-11-22 | 2013-10-02 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Single crystal pulling device and low heat conductive member to be used in single crystal pulling device |
-
1998
- 1998-10-31 JP JP10347726A patent/JP2000143394A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2644755A1 (en) * | 2010-11-22 | 2013-10-02 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Single crystal pulling device and low heat conductive member to be used in single crystal pulling device |
| KR20140017507A (ko) * | 2010-11-22 | 2014-02-11 | 토요 탄소 가부시키가이샤 | 단결정 인상장치 및 단결정 인상장치에 이용되는 저열전도성 부재 |
| EP2644755A4 (en) * | 2010-11-22 | 2014-05-14 | Toyo Tanso Co | SINGLE CRYSTAL DRAWING DEVICE AND LOW HEAT CONDUCTING ELEMENT FOR USE IN SINGLE CRYSTAL DRAWING DEVICE |
| US9453291B2 (en) | 2010-11-22 | 2016-09-27 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Single crystal pulling apparatus and low heat conductive member used for single crystal pulling apparatus |
| KR101907708B1 (ko) * | 2010-11-22 | 2018-12-07 | 토요 탄소 가부시키가이샤 | 단결정 인상장치 및 단결정 인상장치에 이용되는 저열전도성 부재 |
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|---|---|---|---|
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|
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|
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090310 |