JP2000143393A - ルツボ受け皿 - Google Patents
ルツボ受け皿Info
- Publication number
- JP2000143393A JP2000143393A JP10347725A JP34772598A JP2000143393A JP 2000143393 A JP2000143393 A JP 2000143393A JP 10347725 A JP10347725 A JP 10347725A JP 34772598 A JP34772598 A JP 34772598A JP 2000143393 A JP2000143393 A JP 2000143393A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- base material
- receptacle
- composite
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコン単結晶引き上げ装置に用いられる、
高強度なルツボ受け皿を得る。 【解決手段】ルツボ受け皿の基材をＣ／Ｃコンポジット
により形成し、さらには基材の一部もしくは全面に熱分
解炭素を含浸するとともに被膜を形成したこと。
高強度なルツボ受け皿を得る。 【解決手段】ルツボ受け皿の基材をＣ／Ｃコンポジット
により形成し、さらには基材の一部もしくは全面に熱分
解炭素を含浸するとともに被膜を形成したこと。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン単結晶引
き上げ装置を構成するための部材に関し、特に、シリコ
ン単結晶引き上げ装置を構成するヒーターの内側に配置
されて、ヒーターからの熱を受けてシリコン材料を溶融
するルツボを保持するためのルツボ受け皿に関するもの
である。
き上げ装置を構成するための部材に関し、特に、シリコ
ン単結晶引き上げ装置を構成するヒーターの内側に配置
されて、ヒーターからの熱を受けてシリコン材料を溶融
するルツボを保持するためのルツボ受け皿に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】シリコン単結晶引き上げ装置は所謂チョ
クラルスキー法と称される方法により、雰囲気ガスの存
在下で、ルツボ内のシリコン融液からシリコン単結晶を
引き上げるもので、例えば、特公昭５７−１５０７９号
公報にて示されているような「単結晶引上装置」として
知られている。この公報に示された装置は、図２に示す
ように、「炉体容器１内にその下方より回転軸２が導入
され、その回転軸２の端面上に受け皿３を介してルツボ
４が配される。又該ルツボ４の周りに発熱体５と保温筒
６が配され、ルツボ４内でシリコンが溶融され融液７を
得る。一方炉体容器１の上方には上下に滑動する回転軸
９が設けられている。該回転軸９の遊端にシリコンの種
結晶８を取付け、回転軸９を種結晶８がルツボ４内の融
液７に触れている状態より上方に移動させて、種結晶８
の下に続くシリコン単結晶１０を得る。単結晶を育成す
る際、不必要な反応生成ガスが、単結晶１０及び融液７
の液面で反応しないように、これを排除する必要があ
る。このためにアルゴン等の不活性ガスを雰囲気ガスと
して、炉体容器１の上方より単結晶及び液面に供給し、
炉体容器下部より排出する」というものである（上記公
報の第２欄）。
クラルスキー法と称される方法により、雰囲気ガスの存
在下で、ルツボ内のシリコン融液からシリコン単結晶を
引き上げるもので、例えば、特公昭５７−１５０７９号
公報にて示されているような「単結晶引上装置」として
知られている。この公報に示された装置は、図２に示す
ように、「炉体容器１内にその下方より回転軸２が導入
され、その回転軸２の端面上に受け皿３を介してルツボ
４が配される。又該ルツボ４の周りに発熱体５と保温筒
６が配され、ルツボ４内でシリコンが溶融され融液７を
得る。一方炉体容器１の上方には上下に滑動する回転軸
９が設けられている。該回転軸９の遊端にシリコンの種
結晶８を取付け、回転軸９を種結晶８がルツボ４内の融
液７に触れている状態より上方に移動させて、種結晶８
の下に続くシリコン単結晶１０を得る。単結晶を育成す
る際、不必要な反応生成ガスが、単結晶１０及び融液７
の液面で反応しないように、これを排除する必要があ
る。このためにアルゴン等の不活性ガスを雰囲気ガスと
して、炉体容器１の上方より単結晶及び液面に供給し、
炉体容器下部より排出する」というものである（上記公
報の第２欄）。
【０００３】ところで、以上述べた単結晶製造装置にお
いて、受け皿３は単にルツボを載せるだけでなく、シリ
コン融液を収容する石英ルツボを外側より包囲する黒鉛
ルツボは、前記石英ルツボと熱膨張係数が異なるため、
引き上げ後の冷却時に破損する恐れがある。そのため、
実公昭５２−２７８８０号公報に記載されているよう
に、前記黒鉛ルツボは２分割および３分割された形態を
とっており、単結晶引上げ装置においては、受け皿３は
単にルツボを載せるだけでなく、分割された黒鉛ルツボ
を一体に保つ必要がある。また、万が一受け皿が破損し
た場合にはルツボが落下することにより、最悪の場合、
溶融したＳｉが冷却層の隔壁を破壊し水蒸気爆発を起こ
すという危険性がある。以上のようなルツボ受け皿を構
成するための材料としては、黒鉛が通常用いられてい
る。
いて、受け皿３は単にルツボを載せるだけでなく、シリ
コン融液を収容する石英ルツボを外側より包囲する黒鉛
ルツボは、前記石英ルツボと熱膨張係数が異なるため、
引き上げ後の冷却時に破損する恐れがある。そのため、
実公昭５２−２７８８０号公報に記載されているよう
に、前記黒鉛ルツボは２分割および３分割された形態を
とっており、単結晶引上げ装置においては、受け皿３は
単にルツボを載せるだけでなく、分割された黒鉛ルツボ
を一体に保つ必要がある。また、万が一受け皿が破損し
た場合にはルツボが落下することにより、最悪の場合、
溶融したＳｉが冷却層の隔壁を破壊し水蒸気爆発を起こ
すという危険性がある。以上のようなルツボ受け皿を構
成するための材料としては、黒鉛が通常用いられてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近の
シリコン単結晶の大口径化に伴い、石英ルツボ及び黒鉛
ルツボが大型化し、前記石英ルツボに収容するシリコン
原料の重量は１６インチφウェハの場合、５００ｋｇに
もおよぶ。したがって、ルツボ受け皿に対する応力も増
大し、強度的に問題があった。
シリコン単結晶の大口径化に伴い、石英ルツボ及び黒鉛
ルツボが大型化し、前記石英ルツボに収容するシリコン
原料の重量は１６インチφウェハの場合、５００ｋｇに
もおよぶ。したがって、ルツボ受け皿に対する応力も増
大し、強度的に問題があった。
【０００５】そこで、本発明者等はこの種のシリコン単
結晶引上げ装置用のルツボ受け皿について、前述した問
題を解決するにはどうしたらよいかについて種々検討を
重ねてきた結果、本発明を完成したのである。
結晶引上げ装置用のルツボ受け皿について、前述した問
題を解決するにはどうしたらよいかについて種々検討を
重ねてきた結果、本発明を完成したのである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに、まず、請求項１に係る発明の採った手段は、以下
の実施形態の説明中において使用する符号を付して説明
すると、「シリコン単結晶引き上げ装置１００を構成す
るヒーター２０の内側に配置されてこのヒーター２０か
らの熱を受けてシリコン材料を溶融するために、前記シ
リコン材料を直接収容する石英ルツボと、前記石英ルツ
ボを外側から包み込む保護容器とにより構成したルツボ
１０を保持するためのルツボ受け皿６０であって、前記
ルツボ受け皿６０の基材をＣ／Ｃコンポジットにより形
成したことを特徴とするルツボ受け皿６０」である。
めに、まず、請求項１に係る発明の採った手段は、以下
の実施形態の説明中において使用する符号を付して説明
すると、「シリコン単結晶引き上げ装置１００を構成す
るヒーター２０の内側に配置されてこのヒーター２０か
らの熱を受けてシリコン材料を溶融するために、前記シ
リコン材料を直接収容する石英ルツボと、前記石英ルツ
ボを外側から包み込む保護容器とにより構成したルツボ
１０を保持するためのルツボ受け皿６０であって、前記
ルツボ受け皿６０の基材をＣ／Ｃコンポジットにより形
成したことを特徴とするルツボ受け皿６０」である。
【０００７】すなわち、請求項１の発明に係るルツボ受
け皿６０は、図１に示すように、密閉本体５０内のルツ
ボ１０を保持するものであり、その基材をＣ／Ｃコンポ
ジットによって形成したものである。
け皿６０は、図１に示すように、密閉本体５０内のルツ
ボ１０を保持するものであり、その基材をＣ／Ｃコンポ
ジットによって形成したものである。
【０００８】このルツボ受け皿６０の基材を構成するＣ
／Ｃコンポジットは、高強度であり、次のようにして形
成される。まず、炭素繊維を、１軸配向あるいは複数軸
配向させて円柱素材としておいて、これに樹脂を含浸さ
せて、これを炭化するのである。含浸に用いる樹脂とし
ては、フェノール、フラン等の樹脂の他、タール・ピッ
チ等がある。
／Ｃコンポジットは、高強度であり、次のようにして形
成される。まず、炭素繊維を、１軸配向あるいは複数軸
配向させて円柱素材としておいて、これに樹脂を含浸さ
せて、これを炭化するのである。含浸に用いる樹脂とし
ては、フェノール、フラン等の樹脂の他、タール・ピッ
チ等がある。
【０００９】請求項１又は２に記載のルツボ受け皿は、
その基材が中心軸に対し、円周方向に炭素繊維フィラメ
ントもしくは炭素繊維クロスが巻きつけられた層を有す
ることを内容とする。前記構成により、炭素繊維が中心
軸に対し円周方向に存在するので、ルツボからかかる応
力に対して強度が大幅にアップする。
その基材が中心軸に対し、円周方向に炭素繊維フィラメ
ントもしくは炭素繊維クロスが巻きつけられた層を有す
ることを内容とする。前記構成により、炭素繊維が中心
軸に対し円周方向に存在するので、ルツボからかかる応
力に対して強度が大幅にアップする。
【００１０】請求項１又は３に記載のルツボ受け皿は、
その基材の一部もしくは全面に熱分解炭素を含浸すると
ともに被膜を形成したことを内容とする。このような構
成とする理由は、前記熱分解炭素被膜によって、シリコ
ン単結晶引き上げ時に発生するＳｉＯガスやＳｉ蒸気が
基材に接触することはなく、従って基材中のＣ（炭素）
と反応することを防止し、珪化及びＳｉ浸透による強度
の低下を防止できる。
その基材の一部もしくは全面に熱分解炭素を含浸すると
ともに被膜を形成したことを内容とする。このような構
成とする理由は、前記熱分解炭素被膜によって、シリコ
ン単結晶引き上げ時に発生するＳｉＯガスやＳｉ蒸気が
基材に接触することはなく、従って基材中のＣ（炭素）
と反応することを防止し、珪化及びＳｉ浸透による強度
の低下を防止できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に本発明を、図面に示した実施
の形態について説明すると、図１には、本発明に係るル
ツボ受け皿６０が適用されるシリコン単結晶引き上げ装
置１００の縦断面図が示してある。このシリコン単結晶
引き上げ装置１００は、その密閉本体５０内に、シリコ
ンを溶融させるためのルツボ１０を回転軸５５にて回転
可能に収納したものであり、このルツボ１０の下には本
発明に係るルツボ受け皿６０が配置してある。
の形態について説明すると、図１には、本発明に係るル
ツボ受け皿６０が適用されるシリコン単結晶引き上げ装
置１００の縦断面図が示してある。このシリコン単結晶
引き上げ装置１００は、その密閉本体５０内に、シリコ
ンを溶融させるためのルツボ１０を回転軸５５にて回転
可能に収納したものであり、このルツボ１０の下には本
発明に係るルツボ受け皿６０が配置してある。
【００１２】ルツボ受け皿６０はその基材をＣ／Ｃコン
ポジットを材料として形成したものである。またその基
材の一部もしくは全面に熱分解炭素を含浸するとともに
被膜が形成してある。これらのＣ／Ｃコンポジット基材
および熱分解炭素被膜は、以下の実施例にて示すように
製造または形成されるものである。
ポジットを材料として形成したものである。またその基
材の一部もしくは全面に熱分解炭素を含浸するとともに
被膜が形成してある。これらのＣ／Ｃコンポジット基材
および熱分解炭素被膜は、以下の実施例にて示すように
製造または形成されるものである。
【００１３】
【実施例１】まず、炭素繊維で編んだ布を用いて、ワイ
ンディング法により、ルツボ受け皿６０となるべき形に
形成し、この炭素繊維素材に、フェノール樹脂を含浸し
て、硬化後に９００℃で焼成した。さらにフェノール樹
脂含浸、硬化、焼成を２回繰り返し、これを黒鉛化し
て、３２インチφルツボ用の受け皿の基材を得た。
ンディング法により、ルツボ受け皿６０となるべき形に
形成し、この炭素繊維素材に、フェノール樹脂を含浸し
て、硬化後に９００℃で焼成した。さらにフェノール樹
脂含浸、硬化、焼成を２回繰り返し、これを黒鉛化し
て、３２インチφルツボ用の受け皿の基材を得た。
【００１４】得られた基材をＣＶＤ炉に入れて１４００
℃に加熱するとともに、水素ガスをキャリアとしてメタ
ンガスを炉内に連続的に供給した。これにより基材の表
面全体に厚さ約５０μｍの熱分解被膜が形成された。
℃に加熱するとともに、水素ガスをキャリアとしてメタ
ンガスを炉内に連続的に供給した。これにより基材の表
面全体に厚さ約５０μｍの熱分解被膜が形成された。
【００１５】
【実施例２】この実施例における基材の形成は次の２通
りの方法によって行った。第１の方法は、炭素繊維フィ
ラメントを用いてワインディング法により、ルツボ受け
皿６０となるべき形に形成し、これにフェノール樹脂含
浸、硬化、焼成を２回繰り返して全体を炭素化し、これ
を黒鉛化してＣ／Ｃコンポジットからなる基材を得た。
りの方法によって行った。第１の方法は、炭素繊維フィ
ラメントを用いてワインディング法により、ルツボ受け
皿６０となるべき形に形成し、これにフェノール樹脂含
浸、硬化、焼成を２回繰り返して全体を炭素化し、これ
を黒鉛化してＣ／Ｃコンポジットからなる基材を得た。
【００１６】第２の方法は、炭素繊維で編んだ布を用い
て、ワインディング法により、ルツボ受け皿６０となる
べき形に形成し、これにフェノール樹脂を含浸して、硬
化後に９００℃で焼成した。これを黒鉛化して、得られ
た基材をＣＶＤ炉に入れて１４００℃に加熱するととも
に、水素ガスをキャリアとして、メタンガスを炉内に断
続的に供給し、基材内部に熱分解炭素を含浸したＣ／Ｃ
コンポジットからなる基材を得た。この基材に実施例１
と同様な方法によって熱分解炭素被膜を形成した。
て、ワインディング法により、ルツボ受け皿６０となる
べき形に形成し、これにフェノール樹脂を含浸して、硬
化後に９００℃で焼成した。これを黒鉛化して、得られ
た基材をＣＶＤ炉に入れて１４００℃に加熱するととも
に、水素ガスをキャリアとして、メタンガスを炉内に断
続的に供給し、基材内部に熱分解炭素を含浸したＣ／Ｃ
コンポジットからなる基材を得た。この基材に実施例１
と同様な方法によって熱分解炭素被膜を形成した。
【００１７】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明においては、
上記実施形態において例示した如く、「シリコン単結晶
引き上げ装置１００を構成するヒーター２０の内側に配
置されてこのヒーター２０からの熱を受けてシリコン材
料を溶融するために、前記シリコン材料を直接収容する
石英ルツボと、前記石英ルツボを外側から包み込む保護
容器とにより構成したルツボ１０を保持するためのルツ
ボ受け皿６０であって、前記ルツボ受け皿６０の基材を
Ｃ／Ｃコンポジットにより形成し、さらにはその基材が
中心軸に対し、円周方向に炭素繊維フィラメントもしく
は炭素繊維クロスが巻きつけられた層を有するか、その
基材の一部もしくは全面に熱分解炭素を含浸するととも
に被膜を形成したこと」にその構成上の特徴があり、そ
れにより、高強度で、耐久性の高いルツボ受け皿を提供
することができる。
上記実施形態において例示した如く、「シリコン単結晶
引き上げ装置１００を構成するヒーター２０の内側に配
置されてこのヒーター２０からの熱を受けてシリコン材
料を溶融するために、前記シリコン材料を直接収容する
石英ルツボと、前記石英ルツボを外側から包み込む保護
容器とにより構成したルツボ１０を保持するためのルツ
ボ受け皿６０であって、前記ルツボ受け皿６０の基材を
Ｃ／Ｃコンポジットにより形成し、さらにはその基材が
中心軸に対し、円周方向に炭素繊維フィラメントもしく
は炭素繊維クロスが巻きつけられた層を有するか、その
基材の一部もしくは全面に熱分解炭素を含浸するととも
に被膜を形成したこと」にその構成上の特徴があり、そ
れにより、高強度で、耐久性の高いルツボ受け皿を提供
することができる。
【図１】本発明に係るルツボ受け皿を採用したシリコン
単結晶引き上げ装置の縦略断面図である。
単結晶引き上げ装置の縦略断面図である。
【図２】従来のシリコン単結晶引き上げ装置を示す断面
図である。
図である。
１００ シリコン単結晶引き上げ装置 １０ ルツボ １１ 石英ルツボ ２０ ヒータ ３０ 保温筒 ４０ 断熱材 ５０ 密閉本体 ６０ ルツボ受け皿
Claims (3)
- 【請求項１】シリコン単結晶引き上げ装置を構成するヒ
ーターの内側に配置されて、前記ヒーターからの熱を受
けてシリコン材料を溶融するために、前記シリコン材料
を直接収容する石英ルツボと、前記石英ルツボを外側か
ら包み込む保護容器とにより構成したルツボを保持する
ためのルツボ受け皿であって、前記ルツボ受け皿の基材
をＣ／Ｃコンポジットにより形成したことを特徴とする
ルツボ受け皿。 - 【請求項２】前記基材は、中心軸に対し円周方向に炭素
繊維フィラメントもしくは炭素繊維クロスが巻き付けら
れた層を有することを特徴とする請求項１に記載のルツ
ボ受け皿。 - 【請求項３】前記基材の一部もしくは全面に熱分解炭素
を含浸するとともに被膜を形成したことを特徴とする請
求項１に記載のルツボ受け皿。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10347725A JP2000143393A (ja) | 1998-10-31 | 1998-10-31 | ルツボ受け皿 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10347725A JP2000143393A (ja) | 1998-10-31 | 1998-10-31 | ルツボ受け皿 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009206965A Division JP5053344B2 (ja) | 2009-09-08 | 2009-09-08 | ルツボ受け皿の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000143393A true JP2000143393A (ja) | 2000-05-23 |
Family
ID=18392175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10347725A Pending JP2000143393A (ja) | 1998-10-31 | 1998-10-31 | ルツボ受け皿 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000143393A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8449674B2 (en) | 2008-08-27 | 2013-05-28 | Amg Idealcast Solar Corporation | System and method for liquid silicon containment |
| CN110256094A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-09-20 | 内蒙古航天红岗机械有限公司 | 一种c/c复合材料用井式气相沉积炉装炉沉积工装 |
| CN113968747A (zh) * | 2021-11-03 | 2022-01-25 | 哈尔滨工业大学（威海） | 一种预制体浸渍、裂解一体化自动化生产设备及使用方法 |
-
1998
- 1998-10-31 JP JP10347725A patent/JP2000143393A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8449674B2 (en) | 2008-08-27 | 2013-05-28 | Amg Idealcast Solar Corporation | System and method for liquid silicon containment |
| CN110256094A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-09-20 | 内蒙古航天红岗机械有限公司 | 一种c/c复合材料用井式气相沉积炉装炉沉积工装 |
| CN113968747A (zh) * | 2021-11-03 | 2022-01-25 | 哈尔滨工业大学（威海） | 一种预制体浸渍、裂解一体化自动化生产设备及使用方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2123800B1 (en) | Crucible holding member and method for producing the same | |
| KR100310317B1 (ko) | 실리콘 단결정 추출 장치 | |
| KR930004506A (ko) | 실리콘 결정을 성장시키는데 사용되는 유리질 탄소 피복 흑연성분 | |
| KR100761580B1 (ko) | 열구조 복합재료로 된 보울의 제조방법과 이에 의해형성된 보울 및 이를 도가니 지지부로 사용하는 방법 | |
| US6755911B2 (en) | Crucible made of carbon fiber-reinforced carbon composite material for single crystal pulling apparatus | |
| KR20020053750A (ko) | 탄소 재료, 특히 탄소/탄소 복합물로 된, 실리콘 인발용실리카 도가니와 같은 도가니를 수용하기 위한 보울의보호 방법 및 장치 | |
| CN208618006U (zh) | 一种碳化硅单晶生长装置 | |
| JP4077601B2 (ja) | 単結晶引き上げ用ｃ／ｃルツボの製造方法 | |
| JP3198914B2 (ja) | 単結晶引き上げ用黒鉛ルツボ及びその製造方法 | |
| JP2001261481A (ja) | 炭素質ルツボの内面保護シート | |
| JP2000143393A (ja) | ルツボ受け皿 | |
| JPH1072292A (ja) | シリコン単結晶引き上げ装置用の保温筒 | |
| JP2000169295A (ja) | ルツボ受け皿 | |
| KR100694913B1 (ko) | 열구조적 복합재료보울, 특히 실리콘 단결정 제조장치용보울의 제조방법 | |
| JP4198806B2 (ja) | シリコン単結晶引き上げ装置用の回転軸 | |
| JP2000351689A (ja) | 熱分解炭素被覆炭素繊維強化炭素複合材料及び単結晶引き上げ装置用部品 | |
| JP5053344B2 (ja) | ルツボ受け皿の製造方法 | |
| JPH1072291A (ja) | シリコン単結晶引き上げ装置用のルツボ | |
| JP2000143394A (ja) | シリコン単結晶引き上げ装置用の回転軸 | |
| JPH10101471A (ja) | 単結晶引き上げ用黒鉛ルツボ | |
| JP3116005B2 (ja) | 半導体単結晶引上げ用ｃ／ｃ製ルツボの製法 | |
| JPS63166790A (ja) | シリコン単結晶引上装置 | |
| TWI794376B (zh) | 從坩堝及相關芯總成移除矽融化物之方法 | |
| JP4170426B2 (ja) | 単結晶引上げ装置用高温部材及びその製造方法 | |
| JP4673459B2 (ja) | 単結晶引き上げ装置用保温筒及び単結晶引き上げ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050916 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080909 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081104 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20081104 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081202 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090310 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090417 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090714 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091110 |