JP2000131545A - 光デバイスと光デバイスを備えた光モジュール - Google Patents
光デバイスと光デバイスを備えた光モジュールInfo
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】生産する際の歩留まりなどを改善するなどして
コストの高騰を抑制できるとともに、容易に外部装置と
接続できる光デバイスを提供する。 【解決手段】光デバイスとしての光送受信デバイス１は
基板１１と光導波路１２とＬＤ１３と一対のＰＤ１４
ａ，１４ｂとフィルタ１５とを備えている。基板１１は
基準面１６とこの基準面１６から凹のＶ溝１７とを備え
ている。Ｖ溝１７にはコネクタなどの外部装置との接続
に用いる嵌合ピン６が嵌合する。光導波路１２は基準面
１６上に形成されておりコア２１とクラッド２２とを備
えている。ＬＤ１３はコア２１及びＰＤ１４ａに向って
第１の波長の信号光を出射する。フィルタ１５はコア２
１を分断して光導波路１２内に設けられている。フィル
タ１５は第１の波長の信号光を透過しかつ第２の波長を
有する信号光を反射する。フィルタ１５によって反射さ
れた信号光はＰＤ１４ｂに受光される。
コストの高騰を抑制できるとともに、容易に外部装置と
接続できる光デバイスを提供する。 【解決手段】光デバイスとしての光送受信デバイス１は
基板１１と光導波路１２とＬＤ１３と一対のＰＤ１４
ａ，１４ｂとフィルタ１５とを備えている。基板１１は
基準面１６とこの基準面１６から凹のＶ溝１７とを備え
ている。Ｖ溝１７にはコネクタなどの外部装置との接続
に用いる嵌合ピン６が嵌合する。光導波路１２は基準面
１６上に形成されておりコア２１とクラッド２２とを備
えている。ＬＤ１３はコア２１及びＰＤ１４ａに向って
第１の波長の信号光を出射する。フィルタ１５はコア２
１を分断して光導波路１２内に設けられている。フィル
タ１５は第１の波長の信号光を透過しかつ第２の波長を
有する信号光を反射する。フィルタ１５によって反射さ
れた信号光はＰＤ１４ｂに受光される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光通信など
に用いられる光デバイスに関する。
に用いられる光デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、光通信などに用いる光送受信
デバイスとして、図５に示す光ファイバなどを用いる光
デバイス４１や、特開平８−１９００２６号公報に示さ
れた図６に示す光デバイス５１などが知られている。
デバイスとして、図５に示す光ファイバなどを用いる光
デバイス４１や、特開平８−１９００２６号公報に示さ
れた図６に示す光デバイス５１などが知られている。
【０００３】図５に例示された光デバイス４１は、基板
４２と、光ファイバ４３と、レーザダイオード（Laser
Diode ：以下ＬＤと呼ぶ）４４と、フォトダイオード
（Photodiode：以下ＰＤと呼ぶ）４５と、フィルタ４６
と、を備えている。
４２と、光ファイバ４３と、レーザダイオード（Laser
Diode ：以下ＬＤと呼ぶ）４４と、フォトダイオード
（Photodiode：以下ＰＤと呼ぶ）４５と、フィルタ４６
と、を備えている。
【０００４】基板４２は、シリコン単結晶からなりかつ
Ｖ溝４７を備えている。光ファイバ４３は、Ｖ溝４７内
に配されている。ＬＤ４４は、光ファイバ４３に対し信
号光を出射する。ＰＤ４５は、光ファイバ４３の上方に
設けられている。フィルタ４６は、光ファイバ４３を分
断して設けられかつこの光ファイバ４３内を伝わる信号
光のうちＬＤ４４が出射する信号光の波長とは異なる波
長を有する信号光をＰＤ４５に導く。
Ｖ溝４７を備えている。光ファイバ４３は、Ｖ溝４７内
に配されている。ＬＤ４４は、光ファイバ４３に対し信
号光を出射する。ＰＤ４５は、光ファイバ４３の上方に
設けられている。フィルタ４６は、光ファイバ４３を分
断して設けられかつこの光ファイバ４３内を伝わる信号
光のうちＬＤ４４が出射する信号光の波長とは異なる波
長を有する信号光をＰＤ４５に導く。
【０００５】この光デバイス４１は、光通信などに用い
られるコネクタなどの外部装置の光ファイバと光ファイ
バ４３とを接続することによって、前述した外部装置と
光学的に接続する。このように、光デバイス４１は、光
ファイバ同士の接続によって外部装置と光学的に接続す
る。このため、外部装置との接続が比較的容易に行える
とともに、接続の際の損失を比較的低く抑えることがで
きる。
られるコネクタなどの外部装置の光ファイバと光ファイ
バ４３とを接続することによって、前述した外部装置と
光学的に接続する。このように、光デバイス４１は、光
ファイバ同士の接続によって外部装置と光学的に接続す
る。このため、外部装置との接続が比較的容易に行える
とともに、接続の際の損失を比較的低く抑えることがで
きる。
【０００６】また、光ファイバ４３を基板４２に取付け
る際に、Ｖ溝４７を用いているので、光ファイバ４３を
比較的高精度で位置決めできる。このため、外部装置の
光導波路などとも比較的高い精度で光学的に接続するこ
とが可能となる。
る際に、Ｖ溝４７を用いているので、光ファイバ４３を
比較的高精度で位置決めできる。このため、外部装置の
光導波路などとも比較的高い精度で光学的に接続するこ
とが可能となる。
【０００７】一方、図６に例示された光デバイス５１
は、平面光導波路５２（Planer Lightwave Circuit）
と、この平面光導波路５２の所定位置に配された発光デ
バイスとしてのＬＤ５３と、受光デバイスとしての一対
のＰＤ５４ａ，５４ｂと、フィルタ５５と、を備えてい
る。
は、平面光導波路５２（Planer Lightwave Circuit）
と、この平面光導波路５２の所定位置に配された発光デ
バイスとしてのＬＤ５３と、受光デバイスとしての一対
のＰＤ５４ａ，５４ｂと、フィルタ５５と、を備えてい
る。
【０００８】前記平面光導波路５２は、シリコン単結晶
からなる基板材料５６上に形成されており、主成分がＳ
ｉＯ2 などからなりかつ互いに屈折率の異なるコア５７
とクラッド５８とを備えている。また、一対のＰＤ５４
ａ，５４ｂは、それぞれ、平面光導波路５２のコア５７
と光学的に接続する光導波路を備えた導波路内蔵型のフ
ォトダイオードとなっている。
からなる基板材料５６上に形成されており、主成分がＳ
ｉＯ2 などからなりかつ互いに屈折率の異なるコア５７
とクラッド５８とを備えている。また、一対のＰＤ５４
ａ，５４ｂは、それぞれ、平面光導波路５２のコア５７
と光学的に接続する光導波路を備えた導波路内蔵型のフ
ォトダイオードとなっている。
【０００９】前記コア５７及びクラッド５８は、ＦＨＤ
法（Flame Hydrolysis Deposition：火炎堆積法）、あ
るいはＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition ：化学気
相蒸着法）、あるいはＰＶＤ法（Physical Vapor Depos
ition ：物理気相蒸着法）などの膜形成方法によって、
形成されてきた。
法（Flame Hydrolysis Deposition：火炎堆積法）、あ
るいはＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition ：化学気
相蒸着法）、あるいはＰＶＤ法（Physical Vapor Depos
ition ：物理気相蒸着法）などの膜形成方法によって、
形成されてきた。
【００１０】この光デバイス５１は、一つの基板材料５
６上に、前述したＣＶＤ法などの膜形成方法やフォトリ
ソグラフィなどの微細加工技術などによって一括した導
波路形成が可能である。このため、生産性に優れてい
る。
６上に、前述したＣＶＤ法などの膜形成方法やフォトリ
ソグラフィなどの微細加工技術などによって一括した導
波路形成が可能である。このため、生産性に優れてい
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】前述した光デバイス４
１を製造する際には、比較的細くて折れやすい光ファイ
バ４３を基板４２に取付けた状態で、ＬＤ４４、ＰＤ４
５などの半田付けしたり、組み立てたりする必要が生じ
る。これらの半田付けや組み立てを行う際に、光ファイ
バ４３が破損しやすかった。光ファイバ４３が破損する
と、この光ファイバ４３の単位時間当たりの信号光の伝
送量が低下するなどの、光デバイス４１自体の歩留まり
が低下する恐れがあった。このため、結果的にコストが
高騰する傾向にあった。
１を製造する際には、比較的細くて折れやすい光ファイ
バ４３を基板４２に取付けた状態で、ＬＤ４４、ＰＤ４
５などの半田付けしたり、組み立てたりする必要が生じ
る。これらの半田付けや組み立てを行う際に、光ファイ
バ４３が破損しやすかった。光ファイバ４３が破損する
と、この光ファイバ４３の単位時間当たりの信号光の伝
送量が低下するなどの、光デバイス４１自体の歩留まり
が低下する恐れがあった。このため、結果的にコストが
高騰する傾向にあった。
【００１２】一方、光デバイス５１の平面光導波路５２
のコア５７に、外部装置の光ファイバを接続する際にお
いては、これらコア５７と光ファイバとの互いの光軸を
合せるために精密な調芯作業が要求される。また、ＰＤ
５４ａ，５４ａが導波路内蔵型であるため、これらのＰ
Ｄ５４ａ，５４ａと平面光導波路５２のコア５７との光
軸のずれを高精度に保つ必要が生じる。
のコア５７に、外部装置の光ファイバを接続する際にお
いては、これらコア５７と光ファイバとの互いの光軸を
合せるために精密な調芯作業が要求される。また、ＰＤ
５４ａ，５４ａが導波路内蔵型であるため、これらのＰ
Ｄ５４ａ，５４ａと平面光導波路５２のコア５７との光
軸のずれを高精度に保つ必要が生じる。
【００１３】このため、光デバイス５１の組み立てに要
する作業時間と手間が増大してコストが高騰する傾向に
あった。さらに、光デバイス５１を外部装置に光学的に
接続する際に要する時間と手間が増大する傾向にあっ
た。
する作業時間と手間が増大してコストが高騰する傾向に
あった。さらに、光デバイス５１を外部装置に光学的に
接続する際に要する時間と手間が増大する傾向にあっ
た。
【００１４】従って本発明の目的は、生産する際の歩留
まりなどを改善するなどして低コスト化を図ることを可
能とするとともに、外部装置との接続を容易とする光デ
バイスと光デバイスを備えた光モジュールを提供するこ
とにある。
まりなどを改善するなどして低コスト化を図ることを可
能とするとともに、外部装置との接続を容易とする光デ
バイスと光デバイスを備えた光モジュールを提供するこ
とにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決し目的を
達成するために、請求項１に記載の光デバイスは、平坦
に形成された基準面と、この基準面から凹に形成された
Ｖ溝と、を有する基板と、前記基準面上に形成されかつ
この基準面に沿うコアを有する光導波路と、を備えたこ
とを特徴としている。
達成するために、請求項１に記載の光デバイスは、平坦
に形成された基準面と、この基準面から凹に形成された
Ｖ溝と、を有する基板と、前記基準面上に形成されかつ
この基準面に沿うコアを有する光導波路と、を備えたこ
とを特徴としている。
【００１６】請求項２に記載の光デバイスは、請求項１
に記載の光デバイスにおいて、前記光導波路内を伝わる
第１の波長を有する信号光を透過しかつ前記光導波路内
を伝わる第２の波長を有する信号光を反射するフィルタ
を備え、前記基板がシリコン単結晶からなり、かつ前記
Ｖ溝が異方性エッチングによって形成されたことを特徴
としている。
に記載の光デバイスにおいて、前記光導波路内を伝わる
第１の波長を有する信号光を透過しかつ前記光導波路内
を伝わる第２の波長を有する信号光を反射するフィルタ
を備え、前記基板がシリコン単結晶からなり、かつ前記
Ｖ溝が異方性エッチングによって形成されたことを特徴
としている。
【００１７】請求項３に記載の光デバイスは、請求項２
に記載の光デバイスにおいて、前記光導波路の上方に配
された受光デバイスと、前記光導波路のコアに前記第１
の波長を有する信号光を出射する発光デバイスと、を備
え、前記フィルタが、前記光導波路のコアを分断して光
導波路内に挿入され、かつ前記第２の波長を有する信号
光を受光デバイスに導くことを特徴としている。
に記載の光デバイスにおいて、前記光導波路の上方に配
された受光デバイスと、前記光導波路のコアに前記第１
の波長を有する信号光を出射する発光デバイスと、を備
え、前記フィルタが、前記光導波路のコアを分断して光
導波路内に挿入され、かつ前記第２の波長を有する信号
光を受光デバイスに導くことを特徴としている。
【００１８】請求項４に記載の光モジュールは、平坦に
形成された基準面とこの基準面から凹に形成されたＶ溝
とを有する基板と、前記基準面上に形成されかつこの基
準面に沿うコアを有する光導波路と、を備えた第１の光
デバイスと、光ファイバとこの光ファイバに沿う基準面
とこの基準面から凹に形成された位置決め溝とを有しか
つ前記光ファイバを覆う被覆部と、を備えた第２の光デ
バイスと、前記第１の光デバイスのＶ溝と第２の光デバ
イスの位置決め溝とに嵌合する嵌合ピンと、を備え、前
記第１の光デバイスのＶ溝と第２の光デバイスの位置決
め溝とに亘って嵌合ピンが嵌合した際に、第１の光デバ
イスの光導波路のコアの光軸と第２の光デバイスの光フ
ァイバの光軸とが互いに実質的に一致することを特徴と
している。
形成された基準面とこの基準面から凹に形成されたＶ溝
とを有する基板と、前記基準面上に形成されかつこの基
準面に沿うコアを有する光導波路と、を備えた第１の光
デバイスと、光ファイバとこの光ファイバに沿う基準面
とこの基準面から凹に形成された位置決め溝とを有しか
つ前記光ファイバを覆う被覆部と、を備えた第２の光デ
バイスと、前記第１の光デバイスのＶ溝と第２の光デバ
イスの位置決め溝とに嵌合する嵌合ピンと、を備え、前
記第１の光デバイスのＶ溝と第２の光デバイスの位置決
め溝とに亘って嵌合ピンが嵌合した際に、第１の光デバ
イスの光導波路のコアの光軸と第２の光デバイスの光フ
ァイバの光軸とが互いに実質的に一致することを特徴と
している。
【００１９】請求項１に記載の光デバイスは、基板の基
準面にＶ溝とコアを有する光導波路とを形成しているの
で、ＣＶＤ法などの膜形成方法やフォトリソグラフィな
どの微細加工技術などによって、Ｖ溝と光導波路との相
対的な位置関係を高精度に保つことが可能となる。した
がって、生産する際の歩留まりを改善することができ、
コストの高騰を抑制することが可能となる。
準面にＶ溝とコアを有する光導波路とを形成しているの
で、ＣＶＤ法などの膜形成方法やフォトリソグラフィな
どの微細加工技術などによって、Ｖ溝と光導波路との相
対的な位置関係を高精度に保つことが可能となる。した
がって、生産する際の歩留まりを改善することができ、
コストの高騰を抑制することが可能となる。
【００２０】また、信号光を伝送するために光導波路を
用いており、この光導波路のコアがクラッドなどに覆わ
れている。このため、半田付けや組み立て作業を行う際
に、コアなどが破損することがなくなって、信号光の伝
送量が低下するなどの歩留まりの低下を防止できる。し
たがって、コストの高騰を抑制することが可能となる。
用いており、この光導波路のコアがクラッドなどに覆わ
れている。このため、半田付けや組み立て作業を行う際
に、コアなどが破損することがなくなって、信号光の伝
送量が低下するなどの歩留まりの低下を防止できる。し
たがって、コストの高騰を抑制することが可能となる。
【００２１】さらに、Ｖ溝が基板の基準面から凹に形成
されかつ光導波路のコアが基準面に沿っているので、Ｖ
溝とコアの互いの相対的な位置関係が高精度に保たれて
いる。このため、このＶ溝内に例えば光ファイバを有す
るコネクタなどの外部装置の嵌合ピンなどを挿入するこ
とによって、コアと前述した外部装置の光ファイバとの
光軸を容易に高精度に接続することが可能となる。した
がって、外部装置との接続する際に要する手間や時間を
抑制することができ、この外部装置との接続を容易に行
うことができる。
されかつ光導波路のコアが基準面に沿っているので、Ｖ
溝とコアの互いの相対的な位置関係が高精度に保たれて
いる。このため、このＶ溝内に例えば光ファイバを有す
るコネクタなどの外部装置の嵌合ピンなどを挿入するこ
とによって、コアと前述した外部装置の光ファイバとの
光軸を容易に高精度に接続することが可能となる。した
がって、外部装置との接続する際に要する手間や時間を
抑制することができ、この外部装置との接続を容易に行
うことができる。
【００２２】請求項２に記載の光デバイスは、基板がシ
リコン単結晶からなりＶ溝が異方性エッチングによって
形成されているので、Ｖ溝と光導波路との相対的な位置
関係がより高精度に保たれている。したがって、生産す
る際の歩留まりをより一層改善できかつコストの高騰を
より一層抑制できるとともに外部装置とより高精度に接
続することができる。
リコン単結晶からなりＶ溝が異方性エッチングによって
形成されているので、Ｖ溝と光導波路との相対的な位置
関係がより高精度に保たれている。したがって、生産す
る際の歩留まりをより一層改善できかつコストの高騰を
より一層抑制できるとともに外部装置とより高精度に接
続することができる。
【００２３】請求項３に記載の光デバイスは、受光デバ
イスが光ファイバの上方に設けられているので、この受
光デバイスとして面受光型のフォトダイオードを用いる
ことができる。この面受光型のフォトダイオードは比較
的低コストでありかつ所定の面積（広がり）を有する受
光面を有しているため、組み立てる際の受光デバイスの
位置決め精度を緩和することができる。
イスが光ファイバの上方に設けられているので、この受
光デバイスとして面受光型のフォトダイオードを用いる
ことができる。この面受光型のフォトダイオードは比較
的低コストでありかつ所定の面積（広がり）を有する受
光面を有しているため、組み立てる際の受光デバイスの
位置決め精度を緩和することができる。
【００２４】したがって、比較的低コストな面受光型の
フォトダイオードを用いることができるとともに容易に
組み立てることができるので、コストの高騰を抑制する
ことができる。
フォトダイオードを用いることができるとともに容易に
組み立てることができるので、コストの高騰を抑制する
ことができる。
【００２５】請求項４の光モジュールは、第１の光デバ
イスが、信号光を伝送するために光導波路を用いてい
る。このため、半田付けや組み立て作業を行う際に、光
導波路のコアなどが破損することがなくなって、信号光
の伝送量が低下するなどの歩留まりの低下を防止でき
る。したがって、歩留まりの低下を抑制でき、かつコス
トの高騰を抑制することが可能となる。
イスが、信号光を伝送するために光導波路を用いてい
る。このため、半田付けや組み立て作業を行う際に、光
導波路のコアなどが破損することがなくなって、信号光
の伝送量が低下するなどの歩留まりの低下を防止でき
る。したがって、歩留まりの低下を抑制でき、かつコス
トの高騰を抑制することが可能となる。
【００２６】また、光モジュールは、第１の光デバイス
のＶ溝と、第２の光デバイスの位置決め溝とに亘って嵌
合ピンを嵌合させることによって、光導波路のコアの光
軸と光ファイバの光軸とが互いに実質的に一致する。し
たがって、第１の光デバイスと第２の光デバイスとを互
いに光学的に接続する際に要する時間と手間とが増大す
ることを抑制できる。このため、第２の光デバイスの光
ファイバを外部装置などに接続することによって、この
外部装置などとの接続を容易に行うことができる。
のＶ溝と、第２の光デバイスの位置決め溝とに亘って嵌
合ピンを嵌合させることによって、光導波路のコアの光
軸と光ファイバの光軸とが互いに実質的に一致する。し
たがって、第１の光デバイスと第２の光デバイスとを互
いに光学的に接続する際に要する時間と手間とが増大す
ることを抑制できる。このため、第２の光デバイスの光
ファイバを外部装置などに接続することによって、この
外部装置などとの接続を容易に行うことができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施形態につい
て、図１から図４を参照して説明する。
て、図１から図４を参照して説明する。
【００２８】図１などに示す第１の光デバイスとしての
光送受信デバイス１は、外部装置としてのコネクタ２な
どの光ファイバ３を通して送られてきた信号光を電気信
号変換するとともに、電話などの外部装置などからの電
気信号を信号光に変換して、前述した光ファイバ３から
外部へ送信する装置である。なお、コネクタ２は、本明
細書に記した第２の光デバイスをなしている。
光送受信デバイス１は、外部装置としてのコネクタ２な
どの光ファイバ３を通して送られてきた信号光を電気信
号変換するとともに、電話などの外部装置などからの電
気信号を信号光に変換して、前述した光ファイバ３から
外部へ送信する装置である。なお、コネクタ２は、本明
細書に記した第２の光デバイスをなしている。
【００２９】一般に、高速変調された信号光は、光送受
信デバイス１に、図４などに示す外部装置としての周知
のコネクタ２などの光ファイバ３などを通って伝送され
てくる。この信号光をできるだけ低損失で音声や映像信
号などに変換するためには、一度電気信号に変換する必
要が生じる。光送受信デバイス１は、このように光ファ
イバ３を通って伝送されてきた信号光を電気信号に変換
するなどの機能を有する光デバイスである。
信デバイス１に、図４などに示す外部装置としての周知
のコネクタ２などの光ファイバ３などを通って伝送され
てくる。この信号光をできるだけ低損失で音声や映像信
号などに変換するためには、一度電気信号に変換する必
要が生じる。光送受信デバイス１は、このように光ファ
イバ３を通って伝送されてきた信号光を電気信号に変換
するなどの機能を有する光デバイスである。
【００３０】光送受信デバイス１は、図１ないし図３な
どに示すように、石英ガラスまたはシリコン単結晶など
の基板材料１０からなる基板１１と、光導波路１２と、
発光デバイスとしてのレーザダイオード（Laser Diode
：以下ＬＤと呼ぶ）１３と、一対のフォトダイオード
（Photo Diode：以下ＰＤと呼ぶ）１４ａ，１４ｂと、
フィルタ１５と、を備えている。
どに示すように、石英ガラスまたはシリコン単結晶など
の基板材料１０からなる基板１１と、光導波路１２と、
発光デバイスとしてのレーザダイオード（Laser Diode
：以下ＬＤと呼ぶ）１３と、一対のフォトダイオード
（Photo Diode：以下ＰＤと呼ぶ）１４ａ，１４ｂと、
フィルタ１５と、を備えている。
【００３１】基板１１は、略平坦に形成された基準面１
６と、Ｖ溝１７と、を備えている。基準面１６は、基板
１１を構成する基板材料１０の表面１０ａに対し段差を
有して一段低く形成されている。基準面１６は、基板１
１を構成する基板材料１０の表面１０ａに沿って平坦に
形成されている。
６と、Ｖ溝１７と、を備えている。基準面１６は、基板
１１を構成する基板材料１０の表面１０ａに対し段差を
有して一段低く形成されている。基準面１６は、基板１
１を構成する基板材料１０の表面１０ａに沿って平坦に
形成されている。
【００３２】基準面１６は、基板１１を構成する基板材
料１０がシリコン単結晶から構成された場合には、基板
材料１０の表面１０ａに対し段差を有するように異方性
エッチングまたは研削加工などによって形成されるとと
もに、基板１１の基板材料１０が石英ガラスから構成さ
れた場合には、研削加工などによって形成される。
料１０がシリコン単結晶から構成された場合には、基板
材料１０の表面１０ａに対し段差を有するように異方性
エッチングまたは研削加工などによって形成されるとと
もに、基板１１の基板材料１０が石英ガラスから構成さ
れた場合には、研削加工などによって形成される。
【００３３】Ｖ溝１７は、互いに平行でかつ間隔を有し
て一対設けられている。Ｖ溝１７は、それぞれ、基準面
１６から凹に形成されている。Ｖ溝１７は、基準面１６
から離れるのにしたがって徐々に開口が狭くなるように
断面形がＶ字状に形成されている。Ｖ溝１７は、それぞ
れ基板１１一つの端面１１ａに開口しているとともに、
この端面１１ａから基板１１の中間部まで延びて形成さ
れている。
て一対設けられている。Ｖ溝１７は、それぞれ、基準面
１６から凹に形成されている。Ｖ溝１７は、基準面１６
から離れるのにしたがって徐々に開口が狭くなるように
断面形がＶ字状に形成されている。Ｖ溝１７は、それぞ
れ基板１１一つの端面１１ａに開口しているとともに、
この端面１１ａから基板１１の中間部まで延びて形成さ
れている。
【００３４】Ｖ溝１４は、基板１１の基板材料１０がシ
リコン単結晶から構成された場合には、異方性エッチン
グまたは研削加工などによって形成されるとともに、基
板１１の基板材料１０が石英ガラスから構成された場合
には、研削加工などによって形成される。
リコン単結晶から構成された場合には、異方性エッチン
グまたは研削加工などによって形成されるとともに、基
板１１の基板材料１０が石英ガラスから構成された場合
には、研削加工などによって形成される。
【００３５】これら一対のＶ溝１７，１７は、図４に示
す嵌合ピン６，６などがそれぞれ嵌合する位置に配され
ている。
す嵌合ピン６，６などがそれぞれ嵌合する位置に配され
ている。
【００３６】光導波路１２は、基板１１の基準面１６上
に形成されており、高屈折率のコア２１と、このコアを
覆う低屈折率のクラッド２２とを備えている。コア２１
は、その光軸Ｐが基板１１の基準面１６及び一対のＶ溝
１７，１７に沿って形成されている。コア２１は、基板
１１の端面１１ａから、この端面１１ａから離れた位置
に位置する基準面１６の縁部１６ａとに亘って形成され
ている。
に形成されており、高屈折率のコア２１と、このコアを
覆う低屈折率のクラッド２２とを備えている。コア２１
は、その光軸Ｐが基板１１の基準面１６及び一対のＶ溝
１７，１７に沿って形成されている。コア２１は、基板
１１の端面１１ａから、この端面１１ａから離れた位置
に位置する基準面１６の縁部１６ａとに亘って形成され
ている。
【００３７】また、コア２１は、コネクタ２などの後述
する位置決め溝５，５とＶ溝１７，１７とに亘って嵌合
ピン６，６が嵌合した際に、光ファイバ３と光学的に接
続する位置に配されている。クラッド２２は、Ｖ溝１
７，１７上を除いて、基準面１６を覆って形成されてい
る。
する位置決め溝５，５とＶ溝１７，１７とに亘って嵌合
ピン６，６が嵌合した際に、光ファイバ３と光学的に接
続する位置に配されている。クラッド２２は、Ｖ溝１
７，１７上を除いて、基準面１６を覆って形成されてい
る。
【００３８】光導波路１２には、基板１１の端面１１ａ
に沿いかつ光送受信デバイス１の両縁１８ａ，１８ｂに
亘るフィルタ挿入溝２３が形成されている。このフィル
タ挿入溝２３は、図３に示すように、光送受信デバイス
１の側方からみて、基準面１６及びコア２１の光軸Ｐに
対し傾きθを有するように、これらの基準面１６及びコ
ア２１の光軸Ｐに対して傾いて形成されている。フィル
タ挿入溝２３は、光導波路１２のコア２１を機械的に分
断している。フィルタ挿入溝２３は、周知のダイシング
マシンまたはエッチングなどによって形成される。
に沿いかつ光送受信デバイス１の両縁１８ａ，１８ｂに
亘るフィルタ挿入溝２３が形成されている。このフィル
タ挿入溝２３は、図３に示すように、光送受信デバイス
１の側方からみて、基準面１６及びコア２１の光軸Ｐに
対し傾きθを有するように、これらの基準面１６及びコ
ア２１の光軸Ｐに対して傾いて形成されている。フィル
タ挿入溝２３は、光導波路１２のコア２１を機械的に分
断している。フィルタ挿入溝２３は、周知のダイシング
マシンまたはエッチングなどによって形成される。
【００３９】ＬＤ１３は、基板１１を構成する基板材料
１０の表面１０ａに配されている。ＬＤ１３は、光通信
において主に用いられる波長が１．３μｍの信号光と
１．５５μｍの信号光とのうち、一方の波長の信号光
を、光導波路１２のコア２１に向って出射する。
１０の表面１０ａに配されている。ＬＤ１３は、光通信
において主に用いられる波長が１．３μｍの信号光と
１．５５μｍの信号光とのうち、一方の波長の信号光
を、光導波路１２のコア２１に向って出射する。
【００４０】ＬＤ１３は、光導波路１２のコア２１に向
って一方の波長の信号光を出射する際に、同時にＰＤ１
４ａ，１４ｂのうち後述する一方のＰＤ１４ａに向って
前述した波長の信号光を出射する。図示例において、Ｌ
Ｄ１３は、第１の波長としての波長が１．３μｍの信号
光を出射するようになっている。
って一方の波長の信号光を出射する際に、同時にＰＤ１
４ａ，１４ｂのうち後述する一方のＰＤ１４ａに向って
前述した波長の信号光を出射する。図示例において、Ｌ
Ｄ１３は、第１の波長としての波長が１．３μｍの信号
光を出射するようになっている。
【００４１】ＬＤ１３は、外部機器などと電気的に接続
しており、この外部機器から入力される電気信号を前述
した波長が１．３μｍの信号光に変換して、この信号光
を光導波路１２のコア２１に向って出射する。
しており、この外部機器から入力される電気信号を前述
した波長が１．３μｍの信号光に変換して、この信号光
を光導波路１２のコア２１に向って出射する。
【００４２】ＰＤ１４ａ，１４ｂのうち一方のＰＤ１４
ａ（以下モニタ用ＰＤと呼ぶ）は、基板１１を構成する
基板材料１０の表面１０ａに配されている。モニタ用Ｐ
Ｄ１４ａは、前述したようにＬＤ１３が出射する信号光
を受信する。モニタ用ＰＤ１４ａは、外部機器などと電
気的に接続しており、ＬＤ１３からの信号光を受信する
ことによって、このＬＤ１３の送信状況を前述した外部
機器などに向って出力する。
ａ（以下モニタ用ＰＤと呼ぶ）は、基板１１を構成する
基板材料１０の表面１０ａに配されている。モニタ用Ｐ
Ｄ１４ａは、前述したようにＬＤ１３が出射する信号光
を受信する。モニタ用ＰＤ１４ａは、外部機器などと電
気的に接続しており、ＬＤ１３からの信号光を受信する
ことによって、このＬＤ１３の送信状況を前述した外部
機器などに向って出力する。
【００４３】ＰＤ１４ａ，１４ｂのうち他方のＰＤ１４
ｂ（以下受信用ＰＤと呼ぶ）は、光導波路１２の表面に
設けられている。このように、受信用ＰＤ１４ｂは光導
波路１２の上方に設けられている。受信用ＰＤ１４ｂ
は、外部装置としてのコネクタ２などからコア２１に入
力しかつフィルタ１５によって反射された信号光を受信
する。受信用ＰＤ１４ｂは、前述した外部機器などと電
気的に接続しており、フィルタ１５によって反射された
信号光を受信して、外部機器からの信号光を電気信号に
変換する。なお、この受信用ＰＤ１４ｂは、本明細書に
記した受光デバイスをなしている。
ｂ（以下受信用ＰＤと呼ぶ）は、光導波路１２の表面に
設けられている。このように、受信用ＰＤ１４ｂは光導
波路１２の上方に設けられている。受信用ＰＤ１４ｂ
は、外部装置としてのコネクタ２などからコア２１に入
力しかつフィルタ１５によって反射された信号光を受信
する。受信用ＰＤ１４ｂは、前述した外部機器などと電
気的に接続しており、フィルタ１５によって反射された
信号光を受信して、外部機器からの信号光を電気信号に
変換する。なお、この受信用ＰＤ１４ｂは、本明細書に
記した受光デバイスをなしている。
【００４４】ＰＤ１４ａ，１４ｂは、図示例において、
比較的低コストでかつ所定の面積（広がり）を有する受
光面を備えた面受光型のフォトダイオードが用いられて
いる。また、基板１１を構成する基板材料１０の表面１
０ａ及び光導波路１２の表面には、前述したＬＤ１３及
びＰＤ１４ａ，１４ｂなどと前述した外部機器とを互い
に電気的に接続する図示しない電極膜が形成されてい
る。これらの電極膜は、金（Ａｕ）またはアルミニウム
（Ａｌ）などから構成されている。ＬＤ１３及びＰＤ１
４ａ，１４ｂと電極膜とは、互いに半田付けなどによっ
て電気的に接続されている。
比較的低コストでかつ所定の面積（広がり）を有する受
光面を備えた面受光型のフォトダイオードが用いられて
いる。また、基板１１を構成する基板材料１０の表面１
０ａ及び光導波路１２の表面には、前述したＬＤ１３及
びＰＤ１４ａ，１４ｂなどと前述した外部機器とを互い
に電気的に接続する図示しない電極膜が形成されてい
る。これらの電極膜は、金（Ａｕ）またはアルミニウム
（Ａｌ）などから構成されている。ＬＤ１３及びＰＤ１
４ａ，１４ｂと電極膜とは、互いに半田付けなどによっ
て電気的に接続されている。
【００４５】フィルタ１５は、板状に形成されており、
光通信において主に用いられる波長が１．３μｍの信号
光と１．５５μｍの信号光とのうち、ＬＤ１３が出射す
る一方の波長の信号光を透過するとともに、前記他方の
波長の信号光を反射して透過させないようになってい
る。
光通信において主に用いられる波長が１．３μｍの信号
光と１．５５μｍの信号光とのうち、ＬＤ１３が出射す
る一方の波長の信号光を透過するとともに、前記他方の
波長の信号光を反射して透過させないようになってい
る。
【００４６】図示例において、ＬＤ１３が第１の波長と
しての波長が１．３μｍの信号光を出射するので、フィ
ルタ１５は、この第１の波長としての波長が１．３μｍ
の信号光を透過するとともに、第２の波長としての波長
が１．５５μｍの信号光を反射するようになっている。
しての波長が１．３μｍの信号光を出射するので、フィ
ルタ１５は、この第１の波長としての波長が１．３μｍ
の信号光を透過するとともに、第２の波長としての波長
が１．５５μｍの信号光を反射するようになっている。
【００４７】前記フィルタ１５は、光導波路１２のコア
２１を機械的に分断した状態で、光導波路１２のフィル
タ挿入溝２３内に挿入されている。フィルタ１５は、光
送受信デバイス１の側方からみて基準面１６に対し傾き
θを有するように傾斜しかつ光送受信デバイス１の上方
からみて光導波路１２のコア２１の光軸Ｐに対し直交な
どの交差する方向に沿って、基板１１内に挿入されてい
る。
２１を機械的に分断した状態で、光導波路１２のフィル
タ挿入溝２３内に挿入されている。フィルタ１５は、光
送受信デバイス１の側方からみて基準面１６に対し傾き
θを有するように傾斜しかつ光送受信デバイス１の上方
からみて光導波路１２のコア２１の光軸Ｐに対し直交な
どの交差する方向に沿って、基板１１内に挿入されてい
る。
【００４８】フィルタ１５は、フィルタ挿入溝２３内に
挿入されたのち、紫外線が照射されると硬化するＵＶ硬
化剤などによって、前記基板１１に固定される。
挿入されたのち、紫外線が照射されると硬化するＵＶ硬
化剤などによって、前記基板１１に固定される。
【００４９】フィルタ１５は、外部装置としてのコネク
タ２（図４に示す）の光ファイバ３などからコア２１に
入力する信号光のうち、ＬＤ５が出射する一方の波長で
はない他方の波長の信号光を反射して、受信用ＰＤ１４
ｂに導く。図示例において、フィルタ１５は、第２の波
長としての波長が１．５５μｍの信号光を反射して受信
用ＰＤ１４ｂに導く。
タ２（図４に示す）の光ファイバ３などからコア２１に
入力する信号光のうち、ＬＤ５が出射する一方の波長で
はない他方の波長の信号光を反射して、受信用ＰＤ１４
ｂに導く。図示例において、フィルタ１５は、第２の波
長としての波長が１．５５μｍの信号光を反射して受信
用ＰＤ１４ｂに導く。
【００５０】また、光送受信デバイス１は、図３に示す
ように、ＬＤ１３が出射した信号光をモニタ用ＰＤ１４
ａに導く導光部２４を備えている。導光部２４は、基板
１１を構成する基板材料１０の表面１０ａから凹に形成
された凹部２５と、この凹部２５の内面に形成された反
射膜２６と、を備えている。
ように、ＬＤ１３が出射した信号光をモニタ用ＰＤ１４
ａに導く導光部２４を備えている。導光部２４は、基板
１１を構成する基板材料１０の表面１０ａから凹に形成
された凹部２５と、この凹部２５の内面に形成された反
射膜２６と、を備えている。
【００５１】凹部２５は、ＬＤ１３及びモニタ用ＰＤ１
２ａの下方に設けられている。反射膜２６は、金または
クロムなどの金属が、凹部２５の内面に蒸着させること
によって形成されている。反射膜２６は、その表面が鏡
面状となっている。
２ａの下方に設けられている。反射膜２６は、金または
クロムなどの金属が、凹部２５の内面に蒸着させること
によって形成されている。反射膜２６は、その表面が鏡
面状となっている。
【００５２】次に、前述した構成の光送受信デバイス１
の製造工程の一例を説明する。
の製造工程の一例を説明する。
【００５３】まず、シリコン単結晶または石英ガラスな
どからなる基板材料１０に、エッチングまたは研削加工
などを施して、この基板材料１０の表面１０ａに対して
段差を有して一段低い基準面１６を形成する。
どからなる基板材料１０に、エッチングまたは研削加工
などを施して、この基板材料１０の表面１０ａに対して
段差を有して一段低い基準面１６を形成する。
【００５４】ＣＶＤ法、ＰＶＤ法及びＦＨＤ法などの膜
形成方法によって、基準面１１上にＳｉＯ2 などからな
る低屈折率の下部クラッドを形成する。この下部クラッ
ドは、光導波路１２のコア２１の下方に位置することと
なる。この下部クラッドにエッチングまたは研磨加工な
どを施して、下部クラッドの表面を基準面１６に沿うよ
うに平坦にする。
形成方法によって、基準面１１上にＳｉＯ2 などからな
る低屈折率の下部クラッドを形成する。この下部クラッ
ドは、光導波路１２のコア２１の下方に位置することと
なる。この下部クラッドにエッチングまたは研磨加工な
どを施して、下部クラッドの表面を基準面１６に沿うよ
うに平坦にする。
【００５５】そして、下部クラッド上に、前述したＣＶ
Ｄ法などの膜形成方法によって、ゲルマニウム（Ｇｅ）
やチタン（Ｔｉ）などのドープ剤などを添加して下部ク
ラッドより屈折率を０．２〜０．３２％程度高くしたＳ
ｉＯ2 を主成分とするコア２１を形成する。なお、屈折
率を低下させるドープ剤などを下部クラッドを形成する
ＳｉＯ2 に添加するなどして、この下部クラッドの屈折
率をコア２１の屈折率より下げるようにしても良い。
Ｄ法などの膜形成方法によって、ゲルマニウム（Ｇｅ）
やチタン（Ｔｉ）などのドープ剤などを添加して下部ク
ラッドより屈折率を０．２〜０．３２％程度高くしたＳ
ｉＯ2 を主成分とするコア２１を形成する。なお、屈折
率を低下させるドープ剤などを下部クラッドを形成する
ＳｉＯ2 に添加するなどして、この下部クラッドの屈折
率をコア２１の屈折率より下げるようにしても良い。
【００５６】コア２１の表面にフォトレジストによって
所定パターンの導波路パターンを形成した後、ＲＩＥ
（Reactive Ion Etching）などの方法によってエッチン
グ行うことにより、所定パターンの導波路コア２１部分
を成形する。
所定パターンの導波路パターンを形成した後、ＲＩＥ
（Reactive Ion Etching）などの方法によってエッチン
グ行うことにより、所定パターンの導波路コア２１部分
を成形する。
【００５７】異方性エッチングまたは研削加工などによ
ってＶ溝１７を形成する。このとき、基板１１を構成す
る基板材料１０がシリコン単結晶からなる場合には、異
方性エッチングによってＶ溝１７を形成するので、これ
らコア２１とＶ溝１７とを形成する際に同一のフォトマ
スクを用いることができる。このため、導波路コア２１
とＶ溝１７との相対的な位置ずれを殆ど零にすることが
できる。
ってＶ溝１７を形成する。このとき、基板１１を構成す
る基板材料１０がシリコン単結晶からなる場合には、異
方性エッチングによってＶ溝１７を形成するので、これ
らコア２１とＶ溝１７とを形成する際に同一のフォトマ
スクを用いることができる。このため、導波路コア２１
とＶ溝１７との相対的な位置ずれを殆ど零にすることが
できる。
【００５８】次に、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法及びＦＨＤ法な
どの膜形成方法によって、コア２１の上方に位置するこ
ととなるＳｉＯ2 などからなる低屈折率の上部クラッド
を形成する。前述した下部クラッドと上部クラッドとに
よって光導波路２１のクラッド２２が形成される。その
後、不要なクラッド２２などを除去して、基板材料１０
の表面１０ａを露出させる。
どの膜形成方法によって、コア２１の上方に位置するこ
ととなるＳｉＯ2 などからなる低屈折率の上部クラッド
を形成する。前述した下部クラッドと上部クラッドとに
よって光導波路２１のクラッド２２が形成される。その
後、不要なクラッド２２などを除去して、基板材料１０
の表面１０ａを露出させる。
【００５９】基板材料１０の表面１０ａ及び光導波路１
２上に電極膜を形成する。ダイシングマシンまたはエッ
チングによって、フィルタ挿入溝２３を形成する。ＬＤ
１３及びＰＤ１４ａ，１４ｂをそれぞれ所定の位置に配
し、それぞれ半田付けなどによって電極膜と電気的に接
続する。フィルタ挿入溝２３内にフィルタ１５を挿入
し、ＵＶ接着剤などによって、このフィルタ１５をフィ
ルタ挿入溝２３内に固定する。
２上に電極膜を形成する。ダイシングマシンまたはエッ
チングによって、フィルタ挿入溝２３を形成する。ＬＤ
１３及びＰＤ１４ａ，１４ｂをそれぞれ所定の位置に配
し、それぞれ半田付けなどによって電極膜と電気的に接
続する。フィルタ挿入溝２３内にフィルタ１５を挿入
し、ＵＶ接着剤などによって、このフィルタ１５をフィ
ルタ挿入溝２３内に固定する。
【００６０】光送受信デバイス１は、第２の光デバイス
としてのコネクタ２と接続して光モジュール７を形成す
る。光モジュール７は、光送受信デバイス１とコネクタ
２と嵌合ピン６などを備えている。
としてのコネクタ２と接続して光モジュール７を形成す
る。光モジュール７は、光送受信デバイス１とコネクタ
２と嵌合ピン６などを備えている。
【００６１】コネクタ２は、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）
に示すように、光ファイバ３と、この光ファイバ３を保
護するために被覆した被覆部４と、を備えている。被覆
部４は光ファイバ３の光軸Ｐ１に沿う基準面８と、この
基準面８から凹に形成された位置決め溝５と、を備えて
いる。位置決め溝５は、一対設けられている。嵌合ピン
６は、光送受信デバイス１のＶ溝１７，１７と、位置決
め溝５，５とに亘って嵌合する。
に示すように、光ファイバ３と、この光ファイバ３を保
護するために被覆した被覆部４と、を備えている。被覆
部４は光ファイバ３の光軸Ｐ１に沿う基準面８と、この
基準面８から凹に形成された位置決め溝５と、を備えて
いる。位置決め溝５は、一対設けられている。嵌合ピン
６は、光送受信デバイス１のＶ溝１７，１７と、位置決
め溝５，５とに亘って嵌合する。
【００６２】コネクタ２の光ファイバ３は、嵌合ピン６
がＶ溝１７，１７と位置決め溝５，５とに亘って嵌合し
た際に、光導波路１２のコア１２と互いに光学的に接続
する位置に配されている。この際、光ファイバ３の光軸
Ｐ１とコア２１の光軸Ｐとは、互いのずれが例えば０．
５μｍ以下の範囲となって、実質的に一致する。
がＶ溝１７，１７と位置決め溝５，５とに亘って嵌合し
た際に、光導波路１２のコア１２と互いに光学的に接続
する位置に配されている。この際、光ファイバ３の光軸
Ｐ１とコア２１の光軸Ｐとは、互いのずれが例えば０．
５μｍ以下の範囲となって、実質的に一致する。
【００６３】前述した構成によって、光モジュール７の
光送受信デバイス１は、外部装置としてのコネクタ２の
光ファイバ３などから波長が１．５５μｍの信号光が入
力すると、光導波路１２のコア２１を通って、フィルタ
１５によって反射される。反射された信号光は、図３中
の矢印λ2 に沿って基板１１の基準面１６に向って進
み、受信用ＰＤ１４ｂによって受光させる。受信用ＰＤ
１４ｂは、信号光を電気信号に変換する。そして、所望
の出力が得られる。
光送受信デバイス１は、外部装置としてのコネクタ２の
光ファイバ３などから波長が１．５５μｍの信号光が入
力すると、光導波路１２のコア２１を通って、フィルタ
１５によって反射される。反射された信号光は、図３中
の矢印λ2 に沿って基板１１の基準面１６に向って進
み、受信用ＰＤ１４ｂによって受光させる。受信用ＰＤ
１４ｂは、信号光を電気信号に変換する。そして、所望
の出力が得られる。
【００６４】一方、ＬＤ１３から出射される波長が１．
３μｍの信号光は、図３中に矢印λ1 に沿って光導波路
１２のコア２１内に入射し、フィルタ１５を透過して光
ファイバ３に入射する。光ファイバ３などを介して光送
受信デバイス１外に所望の信号光を送り出す。また、Ｌ
Ｄ１３からモニタ用ＰＤ１４ａに向う信号光は、図７中
の矢印λ1aに沿うように、導光部２４の反射膜２６など
によって反射されてモニタ用ＰＤ１４ａに受信される。
３μｍの信号光は、図３中に矢印λ1 に沿って光導波路
１２のコア２１内に入射し、フィルタ１５を透過して光
ファイバ３に入射する。光ファイバ３などを介して光送
受信デバイス１外に所望の信号光を送り出す。また、Ｌ
Ｄ１３からモニタ用ＰＤ１４ａに向う信号光は、図７中
の矢印λ1aに沿うように、導光部２４の反射膜２６など
によって反射されてモニタ用ＰＤ１４ａに受信される。
【００６５】本実施形態によれば、基板１１の基準面１
６にＶ溝１７と、コア２１を有する光導波路１２と、を
形成しているので、ＣＶＤ法などの膜形成方法やフォト
リソグラフィなどの微細加工技術などによって、Ｖ溝１
７と光導波路２１との相対的な位置関係を高精度に保つ
ことが可能となる。さらに、生産する際の歩留まりを改
善することができ、コストの高騰を抑制することが可能
となる。
６にＶ溝１７と、コア２１を有する光導波路１２と、を
形成しているので、ＣＶＤ法などの膜形成方法やフォト
リソグラフィなどの微細加工技術などによって、Ｖ溝１
７と光導波路２１との相対的な位置関係を高精度に保つ
ことが可能となる。さらに、生産する際の歩留まりを改
善することができ、コストの高騰を抑制することが可能
となる。
【００６６】また、光送受信デバイス１が、信号光を伝
送するために光ファイバを用いずに光導波路１２を用
い、この光導波路１２のコア２１がクラッド２２などに
覆われているので、ＬＤ１３及びＰＤ１４ａ，１４ｂな
どの半田付けや組み立て作業を行う際に、コア２１など
が破損することがない。したがって、信号光の伝送量が
低下するなどの歩留まりの低下を防止でき、コストの高
騰を抑制することが可能となる。
送するために光ファイバを用いずに光導波路１２を用
い、この光導波路１２のコア２１がクラッド２２などに
覆われているので、ＬＤ１３及びＰＤ１４ａ，１４ｂな
どの半田付けや組み立て作業を行う際に、コア２１など
が破損することがない。したがって、信号光の伝送量が
低下するなどの歩留まりの低下を防止でき、コストの高
騰を抑制することが可能となる。
【００６７】さらに、Ｖ溝１７が基板１１の基準面１６
から凹に形成されかつ光導波路１２のコア２１が基準面
１６に沿っているので、Ｖ溝１７とコア２１との相対的
な位置関係を高精度に保っている。このため、光送受信
デバイス１とコネクタ２とを互いに光学的に接続して光
モジュール７を形成する際に、Ｖ溝１７と位置決め溝５
とに亘って嵌合ピン６を嵌合することによって、コア２
１の光軸Ｐと光ファイバ３の光軸Ｐ１とを容易に高精度
に接続することが可能となる。したがって、コネクタ２
などの外部装置との接続する際に要する手間や時間を抑
制することができ、このコネクタ２などの外部装置との
接続を容易に行うことができる。
から凹に形成されかつ光導波路１２のコア２１が基準面
１６に沿っているので、Ｖ溝１７とコア２１との相対的
な位置関係を高精度に保っている。このため、光送受信
デバイス１とコネクタ２とを互いに光学的に接続して光
モジュール７を形成する際に、Ｖ溝１７と位置決め溝５
とに亘って嵌合ピン６を嵌合することによって、コア２
１の光軸Ｐと光ファイバ３の光軸Ｐ１とを容易に高精度
に接続することが可能となる。したがって、コネクタ２
などの外部装置との接続する際に要する手間や時間を抑
制することができ、このコネクタ２などの外部装置との
接続を容易に行うことができる。
【００６８】さらに、基板１１を構成する基板材料１０
がシリコン単結晶からなりかつＶ溝１７が異方性エッチ
ングによって形成された場合には、Ｖ溝１７とコア２１
との相対的な位置関係がより高精度に保たれている。こ
の場合、光モジュール７を形成する際に、コア２１と光
ファイバ３とをより高精度に接続することができる。
がシリコン単結晶からなりかつＶ溝１７が異方性エッチ
ングによって形成された場合には、Ｖ溝１７とコア２１
との相対的な位置関係がより高精度に保たれている。こ
の場合、光モジュール７を形成する際に、コア２１と光
ファイバ３とをより高精度に接続することができる。
【００６９】フィルタ１５によって反射された信号光
が、直接、受信用ＰＤ１４ｂに導かれるので、信号光の
損失を抑制できる。このため、比較的信号光の受光効率
を高く維持することが可能となる。
が、直接、受信用ＰＤ１４ｂに導かれるので、信号光の
損失を抑制できる。このため、比較的信号光の受光効率
を高く維持することが可能となる。
【００７０】ＰＤ１４ａ，１４ｂとして面受光型のフォ
トダイオードを用いているので、受光デバイスのコスト
を抑制できるとともに、光送受信デバイス１の組み立て
る際のＰＤ１４ａ，１４ｂの位置決め精度を緩和して、
組み立てに要する時間と手間を抑制することが可能とな
る。
トダイオードを用いているので、受光デバイスのコスト
を抑制できるとともに、光送受信デバイス１の組み立て
る際のＰＤ１４ａ，１４ｂの位置決め精度を緩和して、
組み立てに要する時間と手間を抑制することが可能とな
る。
【００７１】したがって、比較的低コストな面受光型の
フォトダイオードを用いることができるとともに、容易
に組み立てることができるので、コストの高騰を抑制す
ることができる。
フォトダイオードを用いることができるとともに、容易
に組み立てることができるので、コストの高騰を抑制す
ることができる。
【００７２】
【発明の効果】請求項１に記載の光デバイスは、Ｖ溝と
光導波路との相対的な位置関係を高精度に保って、歩留
まりを改善できるので、コストの高騰を抑制することが
可能となる。
光導波路との相対的な位置関係を高精度に保って、歩留
まりを改善できるので、コストの高騰を抑制することが
可能となる。
【００７３】さらに、Ｖ溝とコアとの相対的な位置関係
が高精度に保たれているため、このＶ溝内に外部装置と
しての別体のコネクタなどとの接続に用いるガイドピン
などを嵌合することによって、コアと外部装置の光ファ
イバなどと互いの光軸を容易に高精度に接続できる。し
たがって、外部装置との接続する際に要する手間や時間
を抑制することができるとともに、この外部装置との接
続を容易に行うことができる。
が高精度に保たれているため、このＶ溝内に外部装置と
しての別体のコネクタなどとの接続に用いるガイドピン
などを嵌合することによって、コアと外部装置の光ファ
イバなどと互いの光軸を容易に高精度に接続できる。し
たがって、外部装置との接続する際に要する手間や時間
を抑制することができるとともに、この外部装置との接
続を容易に行うことができる。
【００７４】請求項２に記載の光デバイスは、請求項１
の効果に加え、Ｖ溝が異方性エッチングによって形成さ
れているので、歩留まりをより一層改善できかつコスト
の高騰をより一層抑制できるとともに外部装置とより高
精度に接続できる。
の効果に加え、Ｖ溝が異方性エッチングによって形成さ
れているので、歩留まりをより一層改善できかつコスト
の高騰をより一層抑制できるとともに外部装置とより高
精度に接続できる。
【００７５】請求項３に記載の光デバイスは、さらに請
求項２の効果に加え、受光デバイスが光ファイバの上方
に設けられているので、この受光デバイスとして面受光
型のフォトダイオードを用いることができる。この面受
光型のフォトダイオードは比較的低コストでありかつ所
定の面積（広がり）を有する受光面を有しているため、
組み立てる際の受光デバイスの位置決め精度を緩和する
ことができる。したがって、より一層のコストの高騰を
抑制することができる。
求項２の効果に加え、受光デバイスが光ファイバの上方
に設けられているので、この受光デバイスとして面受光
型のフォトダイオードを用いることができる。この面受
光型のフォトダイオードは比較的低コストでありかつ所
定の面積（広がり）を有する受光面を有しているため、
組み立てる際の受光デバイスの位置決め精度を緩和する
ことができる。したがって、より一層のコストの高騰を
抑制することができる。
【００７６】請求項４に記載の光モジュールは、第１の
光デバイスの信号光の伝送量が低下するなどの歩留まり
の低下を防止できる。したがって、歩留まりの低下を抑
制でき、かつコストの高騰を抑制することが可能とな
る。
光デバイスの信号光の伝送量が低下するなどの歩留まり
の低下を防止できる。したがって、歩留まりの低下を抑
制でき、かつコストの高騰を抑制することが可能とな
る。
【００７７】また、第１の光デバイスのＶ溝と、第２の
光デバイスの位置決め溝とに亘って嵌合ピンを嵌合させ
ることによって、光導波路のコアの光軸と光ファイバの
光軸とが互いに実質的に一致する。したがって、第２の
光デバイスの光ファイバを外部装置などに接続すること
によって、この外部装置などとの接続を容易に行うこと
ができる。
光デバイスの位置決め溝とに亘って嵌合ピンを嵌合させ
ることによって、光導波路のコアの光軸と光ファイバの
光軸とが互いに実質的に一致する。したがって、第２の
光デバイスの光ファイバを外部装置などに接続すること
によって、この外部装置などとの接続を容易に行うこと
ができる。
【図１】本発明の一実施形態の光送受信デバイスを示す
斜視図。
斜視図。
【図２】図１に示されたｉｉ−ｉｉ線に沿う断面図。
【図３】図１に示されたｉｉｉ−ｉｉｉ線に沿う断面
図。
図。
【図４】（Ａ）は図１に示された光送受信デバイスとコ
ネクタとが接続する状態を示す斜視図。（Ｂ）は図１に
示された光送受信デバイスとコネクタとが接続して形成
された光モジュールを示す斜視図。
ネクタとが接続する状態を示す斜視図。（Ｂ）は図１に
示された光送受信デバイスとコネクタとが接続して形成
された光モジュールを示す斜視図。
【図５】従来の光デバイスを示す斜視図。
【図６】従来の他の光デバイスを示す斜視図。
１…光送受信デバイス（第１の光デバイス） ２…コネクタ（第２の光デバイス） ３…光ファイバ ４…被覆部 ５…位置決め溝 ６…嵌合ピン ７…光モジュール ８…基準面 １１…基板 １２…光導波路 １３…レーザダイオード（発光デバイス） １４ｂ…受信用ＰＤ（受光デバイス） １５…フィルタ １６…基準面 １７…Ｖ溝 ２１…コア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 夏目 豊 神奈川県横浜市金沢区福浦３丁目10番地 日本発条株式会社内 (72)発明者 増田 享哉 神奈川県横浜市金沢区福浦３丁目10番地 日本発条株式会社内 Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA02 BA11 CA38 DA03 DA11 DA12 DA37 2H047 KA04 LA18 MA05 MA07 PA01 PA05 PA21 PA24 QA04 RA00 TA00 TA42 TA43
Claims (4)
- 【請求項１】平坦に形成された基準面と、この基準面か
ら凹に形成されたＶ溝と、を有する基板と、 前記基板の基準面上に形成されかつこの基準面に沿うコ
アを有する光導波路と、を備えたことを特徴とする光デ
バイス。 - 【請求項２】前記光導波路内を伝わる第１の波長を有す
る信号光を透過しかつ前記光導波路内を伝わる第２の波
長を有する信号光を反射するフィルタを備え、 前記基板がシリコン単結晶からなり、かつ前記Ｖ溝が異
方性エッチングによって形成されたことを特徴とする請
求項１記載の光デバイス。 - 【請求項３】前記光導波路の上方に配された受光デバイ
スと、 前記光導波路のコアに前記第１の波長を有する信号光を
出射する発光デバイスと、を備え、 前記フィルタが、前記光導波路のコアを分断して光導波
路内に挿入され、かつ前記第２の波長を有する信号光を
受光デバイスに導くことを特徴とする請求項２記載の光
デバイス。 - 【請求項４】平坦に形成された基準面とこの基準面から
凹に形成されたＶ溝とを有する基板と、前記基準面上に
形成されかつこの基準面に沿うコアを有する光導波路
と、を備えた第１の光デバイスと、 光ファイバと、この光ファイバに沿う基準面とこの基準
面から凹に形成された位置決め溝とを有しかつ前記光フ
ァイバを覆う被覆部と、を備えた第２の光デバイスと、 前記第１の光デバイスのＶ溝と第２の光デバイスの位置
決め溝とに嵌合する嵌合ピンと、を備え、 前記第１の光デバイスのＶ溝と第２の光デバイスの位置
決め溝とに亘って嵌合ピンが嵌合した際に、第１の光デ
バイスの光導波路のコアの光軸と第２の光デバイスの光
ファイバの光軸とが互いに実質的に一致することを特徴
とする光モジュール。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30425398A JP3835018B2 (ja) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | 光デバイスと光デバイスを備えた光モジュール |
| EP99949426A EP1043608A1 (en) | 1998-10-26 | 1999-10-26 | Optical device and optical module with optical device |
| PCT/JP1999/005911 WO2000025157A1 (fr) | 1998-10-26 | 1999-10-26 | Dispositif optique et module optique a dispositif optique |
| US09/598,037 US6361222B1 (en) | 1998-10-26 | 2000-06-21 | Optical device and optical module provided with optical device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30425398A JP3835018B2 (ja) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | 光デバイスと光デバイスを備えた光モジュール |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP3835018B2 JP3835018B2 (ja) | 2006-10-18 |
Family
ID=17930842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30425398A Expired - Fee Related JP3835018B2 (ja) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | 光デバイスと光デバイスを備えた光モジュール |
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|---|---|
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| JP (1) | JP3835018B2 (ja) |
| WO (1) | WO2000025157A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100486474B1 (ko) * | 2001-04-27 | 2005-05-03 | 후루까와덴끼고오교 가부시끼가이샤 | 커넥터 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2001324631A (ja) | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Nec Corp | 基板、光ファイバ接続端部材、光素子ハウジング部材、光モジュール及び基板の製造方法 |
| US6665475B2 (en) * | 2001-11-30 | 2003-12-16 | Jds Uniphase Corporation | Precision fiber optic alignment and attachment apparatus |
| JP2003294964A (ja) * | 2002-04-03 | 2003-10-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光通信モジュール |
| CA2461081C (en) * | 2003-03-27 | 2007-05-22 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Optical monitor module |
| US10877213B2 (en) * | 2018-06-20 | 2020-12-29 | Hisense Broadband Multimedia Technologies Co., Ltd. | Optical module |
| US11145606B1 (en) * | 2020-03-26 | 2021-10-12 | Globalfoundries U.S. Inc. | Corner structures for an optical fiber groove |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4900118A (en) * | 1987-05-22 | 1990-02-13 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Multiple-fiber optical component and method for manufacturing of the same |
| JP2744309B2 (ja) * | 1989-12-08 | 1998-04-28 | 富士通株式会社 | 光導波路と受光素子の結合構造 |
| JPH0452606A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光ファイバ配列溝付き光導波路の製造方法 |
| JPH05333231A (ja) * | 1992-05-29 | 1993-12-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光導波路と光ファイバの接続方法 |
| JP3344446B2 (ja) | 1995-01-12 | 2002-11-11 | 日本電信電話株式会社 | 光送受信モジュール |
| JPH08240738A (ja) * | 1995-03-02 | 1996-09-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路デバイス及びその製造方法 |
| JPH10160959A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光合分波構造及びこれを用いた光合分波モジュール |
| JPH11133267A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光導波路部品の製造方法 |
| JP3804888B2 (ja) * | 1997-12-03 | 2006-08-02 | 松下電器産業株式会社 | 光導波路部品 |
-
1998
- 1998-10-26 JP JP30425398A patent/JP3835018B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-10-26 EP EP99949426A patent/EP1043608A1/en not_active Withdrawn
- 1999-10-26 WO PCT/JP1999/005911 patent/WO2000025157A1/ja not_active Application Discontinuation
-
2000
- 2000-06-21 US US09/598,037 patent/US6361222B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100486474B1 (ko) * | 2001-04-27 | 2005-05-03 | 후루까와덴끼고오교 가부시끼가이샤 | 커넥터 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2000025157A1 (fr) | 2000-05-04 |
| US6361222B1 (en) | 2002-03-26 |
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