JP2002031748A

JP2002031748A - 光送受信モジュール

Info

Publication number: JP2002031748A
Application number: JP2000218222A
Authority: JP
Inventors: Mitsuo Ukechi; 光雄請地; Takeshi Saito; 健斎藤; Shinichi Kaneko; 進一金子
Original assignee: Japan Aviation Electronics Industry Ltd; Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Japan Aviation Electronics Industry Ltd; Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2000-07-19
Filing date: 2000-07-19
Publication date: 2002-01-31
Anticipated expiration: 2020-07-19
Also published as: JP3533566B2

Abstract

(57)【要約】【課題】製造容易な２波長同時双方向通信用光送受信
モジュールを提供する。【解決手段】Ｖ型光導波路２３を形成すると共に送信
光波長を反射すると共に受信光波長を透過する誘電体多
層膜フィルタ１４を端面に形成した光導波路基板１を具
備し、直線光導波路２１’を形成すると共に送信光波長
を遮断する光遮断誘電体多層膜フィルタ１４’を端面に
形成した直線光導波路基板５１を具備し、受信用フォト
ダイオード１０を側面に取り付けたサブマウント５２を
具備し、Ｖ型光導波路２３の分岐端面を直線光導波路２
１’の一方の端面に対向して光導波路基板１を直線光導
波路基板５１に取り付け固定し、直線光導波路２１’の
光軸の延長線上にフォトダイオード１０の受光面を位置
決めしてサブマウント５２を設置した光送受信モジュー
ル。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、光送受信モジュ
ールに関し、特に、２波長による同時双方向通信用の光
送受信モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】図８および図９を参照して光送受信モジ
ュールの従来例を説明する。光通信技術分野において
は、波長１. ３１μｍの信号光による双方向デジタル通
信と、波長１. ５５μｍの信号光によるアナログ映像放
送とを１本の光ファイバにより実施する計画が立てられ
ている。この場合、信号光をアクセスする端末において
は、波長１. ３１μｍの信号光と波長１. ５５μｍの信
号光の２波長光をフィルタにより分離し、波長１. ３１
μｍの信号光はレーザダイオード９およびフォトダイオ
ード１０の双方にアクセスすると共に、波長１. ５５μ
ｍの信号光は映像受信機に導入することができる双方向
通信モジュールが必要となる。

【０００３】ここで、図８（ａ）を参照するに、光導波
路基板１には光導波路２が形成されるクラッド３が接合
固定されている。従来例の光導波路２は波長１. ３１μ
ｍの信号光および波長１. ５５μｍの信号光を伝送する
直線光導波路２１と波長１.３１μｍの信号光を伝送す
るＹ分岐光導波路２２より成る。そして、直線光導波路
２１とＹ分岐光導波路２２の結合端面はクラッド３の端
面に露出し、この露出した結合端面に波長１. ５５μｍ
の信号光は透過するが、波長１. ３１μｍの信号光は反
射する誘電体多層膜フィルタ１４を形成する。Ｙ分岐光
導波路２２の結合端面が露出したクラッド３の端面は直
線光導波路２１に対して直角ではなく、誘電体多層膜フ
ィルタ１４における反射光がＹ分岐光導波路２２に導入
される角度に構成されている。光導波路２は光導波路基
板１に形成される一方、断面Ｖ字溝６は断面Ｖ字溝基板
５の表面に形成されていて、両基板が別体であるので光
導波路２の端面に誘電体多層膜フィルタ１４を形成する
上において好都合であり、その形成を容易にしている。

【０００４】図８（ｂ）を参照するに、断面Ｖ字溝基板
５には光ファイバ８が嵌合接合固定される断面Ｖ字溝６
が形成されると共に表面にはレーザダイオード９に接続
する電極１１’およびフォトダイオード１０に接続する
電極１１’が形成される。ダイシング溝７は光導波路基
板１に対応して角度が付されている。そして、レーザダ
イオード９およびフォトダイオード１０をそれぞれの電
極１１’に接続固定する。

【０００５】この従来例の光送受信モジュールの組み立
ての仕方を説明する。図８（ａ）において説明された通
りに構成された光導波路基板１を上下を逆に反転して、
図８（ｂ）において説明された通りに構成された断面Ｖ
字溝基板５に対して、位置合わせマーク４、４’を参照
して相互位置合わせをし、光導波路基板１と断面Ｖ字溝
基板５の間を接合一体化する。更に、断面Ｖ字溝６の双
方に光ファイバ８を嵌合接合固定して組み立ては終了す
る。

【０００６】光導波路基板１に形成される位置合わせマ
ーク４と断面Ｖ字溝６が形成される断面Ｖ字溝基板５に
形成される位置合わせマーク４’相互を認識して位置合
わせするには、対向させた夫々の基板の間にカメラを挿
入し、両位置合わせマークのパターンを同時に観察して
位置合わせを実施する。或いは、赤外線、Ｘ線の如き透
過性の強い光を使用して基板の位置合わせマークを照射
し、透過光を観察して位置合わせを実施する。光導波路
基板１および断面Ｖ字溝基板５は実際の厚さは小さいの
で、赤外線、Ｘ線は容易に透過して位置合わせマークを
透視することができる。組み立ての終了した光送受信モ
ジュールにおいて、光ファイバ８はそれぞれその中心軸
を直線光導波路２１の端面中心に対向した状態にあり、
レーザダイオード９およびフォトダイオード１０はＹ分
岐光導波路２２のそれぞれの分岐端面に対向している。

【０００７】ここで、一方の光ファイバ８を介して入射
した波長１. ５５μｍの信号光は、直線光導波路２１に
送り込まれ、誘電体多層膜フィルタ１４を透過して他方
の光ファイバ８に出力される。これに対して、一方の光
ファイバ８を介して入射した波長１. ３１μｍの信号光
は、直線光導波路２１に送り込まれ、誘電体多層膜フィ
ルタ１４において反射してＹ分岐光導波路２２に導入さ
れ、その分岐端面に対向設置されているフォトダイオー
ド１０に受光されるに到る。そして、レーザダイオード
９から送信される波長１. ３１μｍの信号光は、レーザ
ダイオード９に対向する分岐端面を介してＹ分岐光導波
路２２に導入され、誘電体多層膜フィルタ１４において
反射して直線光導波路２１に送り込まれ、直線光導波路
２１に対向する一方の光ファイバ８に出力される。以上
の通りにして、波長１. ３１μｍの信号光による双方向
通信と、波長１. ５５μｍの信号光による通信を１本の
光ファイバにより実施することができる（詳細は、参考
文献特開平６−２５００１７号公報参照）。

【０００８】以上の従来例においては、先の誘電体多層
膜フィルタ１４により波長１. ５５μｍの信号光を透過
し、波長１. ３１μｍの信号光を反射しているが、図８
の従来例においては、光導波路基板１の直線光導波路２
１とＹ分岐光導波路２２の交差領域に対応してスリット
７１を形成し、このスリット７１にフィルム状の誘電体
多層膜フィルタ１４を挿入して波長１. ５５μｍの信号
光を透過し、波長１.３１μｍの信号光を反射してい
る。

【０００９】図１１の従来例は、レーザダイオード９と
フォトダイオード１０を共通の光導波路基板１に搭載し
ている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】以上の従来例におい
て、レーザダイオード９とフォトダイオード１０の間の
相互位置関係についてみるに、図８および図９の従来例
はＹ分岐光導波路２２の分岐端面に対向して共通の光導
波路基板１に搭載されており、両者はＹ分岐光導波路２
２の分岐端面間の極く僅かの間隔に接近して位置決めさ
れている。これにより、レーザダイオード９からフォト
ダイオード１０に光が入射するクロストークが問題とな
る場合がある。

【００１１】図１０および図１１の従来例は、何れも、
直線光導波路２１の端面に対向してフォトダイオード１
０を位置決めすると共に、Ｙ分岐光導波路２２の一方の
分岐端面に対向してレーザダイオード９を位置決めし、
レーザダイオード９とフォトダイオード１０との間のク
ロストークの問題を緩和している。ところが、光導波路
基板１にスリット７１を形成し、このスリット７１にフ
ィルム状の誘電体多層膜フィルタ１４を挿入する従来例
は種々の問題を内包している。即ち、誘電体多層膜フィ
ルタ１４を光導波路基板１に形成されるスリット７１に
挿入する工程は容易ではない。スリット７１に対する誘
電体多層膜フィルタ１４の挿入位置決めは、光送受信モ
ジュールの光伝送特性に大きく影響する。誘電体多層膜
フィルタ１４の厚さは１５μｍ程度の極く薄いものであ
り、これをスリット７１に挿入するには、当然、スリッ
ト７１の幅が誘電体多層膜フィルタ１４の厚さより大で
なくてはならず、スリット７１の幅は２０μｍ程度に形
成される。従って、誘電体多層膜フィルタ１４はスリッ
ト７１内で遊びがあり、その位置は設計位置に厳密には
決められない。位置決め精度を向上するにはスリット７
１の幅を狭く設計形成しなければならないが、幅を狭く
する程誘電体多層膜フィルタ１４の挿入は困難になる。

【００１２】そして、１枚の誘電体多層膜フィルタ１４
で光の反射特性および透過特性の双方を満足するのも本
来困難である。レーザダイオード９とフォトダイオード
１０が対向しているので、同時双方向通信しようとする
と、光送受信モジュール内で上述した通りレーザダイオ
ード９からフォトダイオード１０に光が入射する。これ
を阻止するには、誘電体多層膜フィルタ１４のアイソレ
ーションは６０ｄＢ程度である必要がある。この要請を
満足するには、誘電体多層膜フィルタ１４の膜厚、即
ち、誘電体多層膜の層数を多くするのであるあが、これ
は、反射特性とは背反する。反射特性は誘電体多層膜の
膜厚が薄い方が良好である。フィルタを反射用フィルタ
とアイソレーション用フィルタの２枚に分け、使用する
ことにより光送受信モジュールの反射特性および透過特
性の双方を満足することができるのであるが、この実施
は更に困難である。図１０および図１１の従来例は、そ
もそも、直線光導波路２１およびＹ分岐光導波路２２の
端面に対向してレーザダイオード９およびフォトダイオ
ード１０を合わせて１μｍ程度の高精度に位置決め搭載
しなければならない。

【００１３】この発明は、上述の問題を解消した２波長
による同時双方向通信用の光送受信モジュールを提供す
るものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】請求項１：相異なる２波
長光による同時双方向通信を行う光送受信モジュールに
おいて、Ｖ型光導波路２３を形成すると共に送信光波長
を反射すると共に受信光波長を透過する誘電体多層膜フ
ィルタ１４を端面に形成した光導波路基板１を具備し、
直線光導波路２１’を形成すると共に送信光波長を遮断
する光遮断誘電体多層膜フィルタ１４’を端面に形成し
た直線光導波路基板５１を具備し、受信用フォトダイオ
ード１０を側面に取り付けたサブマウント５２を具備
し、Ｖ型光導波路２３の分岐端面を直線光導波路２１’
の一方の端面に対向して光導波路基板１を直線光導波路
基板５１に取り付け固定し、直線光導波路２１’の光軸
の延長線上にフォトダイオード１０の受光面を位置決め
してサブマウント５２を設置した光送受信モジュールを
構成した。

【００１５】そして、請求項２：請求項１に記載される
光送受信モジュールにおいて、直線光導波路基板５１の
内の光導波路基板１固定側の端部に延伸部５１１を形成
し、この延伸部５１１に断面Ｖ字溝６を形成し、レーザ
ダイオード９を取り付けると共にレーザダイオード９に
接続する電極１１’を形成した光送受信モジュールを構
成した。また、請求項３：請求項１および請求項２の内
の何れかに記載される光送受信モジュールにおいて、エ
ッチング技術と成膜技術より構成した光導波路基板１と
直線光導波路基板５１には位置合せマーク４、４’が形
成され、位置合せマーク４、４’を認識して光導波路基
板１を直線光導波路基板５１に位置決め取り付けた光送
受信モジュールを構成した。

【００１６】更に、請求項４：請求項１ないし請求項３
の内の何れかに記載される光送受信モジュールにおい
て、直線導波路２１’はマルチモード直線光導波路より
成る光送受信モジュールを構成した。そして、請求項
５：請求項１ないし請求項４の内の何れかに記載される
光送受信モジュールにおいて、直線光導波路基板５１の
端面および直線導波路２１’の端面に形成される誘電体
多層膜フィルタ１４および光遮断誘電体多層膜フィルタ
１４’は何れか一方或いは双方が端面への直接成膜形成
したものである光送受信モジュールを構成した。

【００１７】また、請求項６：請求項１ないし請求項５
の内の何れかに記載される光送受信モジュールにおい
て、Ｖ型光導波路２３および直線光導波路２１’の何れ
か一方或いは双方をポリマ導波路とした光送受信モジュ
ールを構成した。更に、請求項７：請求項２ないし請求
項５の内の何れかに記載される光送受信モジュールにお
いて、直線光導波路基板５１はシリコン基板より成り、
この基板表面にシリコン異方性エッチング技術を適用し
て断面Ｖ字溝６を形成した光送受信モジュールを構成し
た。

【００１８】

【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図１およ
び図２の実施例を参照して説明する。シリコン基板を準
備してこの表面にエッチング技術および薄膜成膜技術を
適用し、クラッド３に埋設される光導波路２と位置合わ
せマーク４を形成した光導波路基板１を構成する仕方
は、先の参考文献に詳細に図示説明されている。この実
施例はこの仕方を参照して、光導波路基板１、クラッド
３、Ｖ型光導波路２３、位置合わせマーク４を、半田膜
１５を含めて同様に構成する。Ｖ型光導波路２３の分岐
端面はクラッド３の端面に露出している。Ｖ型光導波路
２３の露出する分岐端面に対して周知慣用される誘電体
多層膜の成膜技術を適用し、１. ３１μｍ光反射／１.
５５μｍ光透過する誘電体多層膜フィルタ１４を直接に
成膜形成している。

【００１９】マルチモード直線光導波路基板５１として
シリコン基板を準備し、この基板表面の一方の１／２の
領域の中央部にシリコン異方性エッチング技術を適用し
て凹み１２を形成する。そして、シリコン基板の他方の
１／２の領域にエッチング技術および薄膜成膜技術を適
用してオーバークラッド３３に埋設されるマルチモード
直線光導波路２１’を形成する。ここで、マルチモード
直線光導波路２１’はマルチモード直線光導波路基板５
１の長さ方向に延伸形成され、その内外側両端面はオー
バークラッド３３端面に露出している。また、位置合わ
せマーク４および半田膜１５’を基板表面の一方の１／
２の領域の両側部に形成する。ここで、マルチモード直
線光導波路２１’の両端面はオーバークラッド３３端面
に露出している。マルチモード直線光導波路２１’外側
端面が露出するオーバークラッド３３の端面に誘電体多
層膜の成膜技術を適用して、１. ３１μｍ光遮断誘電体
多層膜フィルタ１４’を直接に成膜形成している。

【００２０】ここで、Ｖ型光導波路２３が形成される光
導波路基板１をマルチモード直線光導波路基板５１に対
して接合一体化する。この接合一体化に際して、光導波
路基板１のＶ型光導波路２３が含まれるクラッド３の部
分をマルチモード直線光導波路基板５１に形成される凹
み１２に嵌合し、光導波路基板１およびマルチモード直
線光導波路基板５１の双方をその位置合わせマーク４を
参照して相互位置決めし、半田膜１５と半田膜１５’を
介して接合一体化する。光導波路基板１とマルチモード
直線光導波路基板５１とが接合一体化したところで、Ｖ
型光導波路２３の分岐端面とマルチモード直線光導波路
２１’の内側端面は１. ３１μｍ光遮断誘電体多層膜フ
ィルタ１４’を介して対向する。この場合、マルチモー
ド直線光導波路基板５１に対する光導波路基板１の位置
決め精度はかなり尤度が大きい。というのは、１. ５５
μｍの受信光はシングルモードのＶ型光導波路２３から
マルチモードの直線光導波路２１’に入力するので、横
方向の位置精度はおよそマルチモードのＶ型光導波路２
３のコア寸法程度に形成しておけばこれで差し支えな
く、そして、両光導波路間に１０数μｍの隙間が生じて
も光学特性に劣化は発生しない。ここで、Ｖ型光導波路
２３およびマルチモード直線光導波路２１’の何れか一
方或いは双方はポリマ導波路とすることができる。

【００２１】５２はサブマウントであり、１. ５５μｍ
光を受信するフォトダイオード１０をその側面に取り付
け固定している。サブマウント５２は、光導波路基板１
のマルチモード直線光導波路２１’の光軸の延長線にフ
ォトダイオード１０の受光面を位置決めして設置され
る。他の実施例を図３および図４を参照して説明する。
この実施例は、図１および図２の実施例において、マル
チモード直線光導波路基板５１の内の光導波路基板１接
合側の端部を延伸して延伸部５１１を形成し、この表面
から断面Ｖ字溝６を形成し、この表面にフォトダイオー
ド１０を取り付けると共にこのフォトダイオード１０に
接続する電極１１’を形成したものに相当する。これら
以外の構成は図１および図２の実施例と同等である。Ｖ
型光導波路２３およびマルチモード直線光導波路２１’
の何れか一方或いは双方はポリマ導波路とすることがで
きる。

【００２２】ここで、図５を参照するに、これは以上の
実施例における光導波路基板１のＶ型光導波路２３の近
傍を切り出して示した図である。このＶ型光導波路２３
はシングルモードの伝播特性の光導波路に形成しなくて
はならないので、図示される通りの埋込み型とする必要
がある。この形成の仕方は先の参考文献に説明される通
りである。Ｖ型光導波路２３ポリマ導波路とすることが
できる。図６を参照するに、これはマルチモード直線光
導波路２１’を説明する図である。この直線光導波路２
１’はＶ型光導波路２３を伝播してきた１. ５５μｍ受
信光をフォトダイオード１０に導光する光導波路である
ので、マルチモード光導波路により構成して差し支えな
い。このマルチモード直線光導波路２１’を構成するに
は、マルチモード直線光導波路基板５１としてシリコン
基板を準備し、その表面にクラッド３として２酸化シリ
コンを成膜し、クラッド３の表面にクラッド３および空
気と比較して屈折率の大なる透光性材料を直線光導波路
形成層３０として膜厚２０μｍ程度に成膜する。次い
で、膜厚２０μｍの表面層にエッチング処理を施して２
０μｍ程度の幅のマルチモード直線光導波路２１’のみ
を残存形成する。

【００２３】図７を参照するに、これはマルチモード直
線光導波路２１’の他の実施例を説明する図である。図
６の場合と同様、マルチモード直線光導波路基板５１と
してシリコン基板を準備し、その表面にクラッド３とし
て２酸化シリコンを成膜し、クラッド３の表面に２酸化
シリコンより成るクラッド３および空気と比較して屈折
率の大なる透光性材料を直線光導波路形成層３０として
膜厚２０μｍ程度に成膜する。次いで、直線光導波路形
成層３０に対してダイシング切削加工をマルチモード直
線光導波路基板５１表面に到るまで施して切削溝３４を
形成し、２０μｍ程度の幅のマルチモード直線光導波路
２１’を分離形成する。図６および図７において、マル
チモード直線光導波路２１’ポリマ導波路とすることが
できる。

【００２４】

【発明の効果】以上の通りであって、この発明は、直線
光導波路をマルチモード光導波路により構成して差し支
えないことに着目して光導波路を２分割し、Ｖ型光導波
路の端面に誘電体多層膜フィルタが形成された光導波路
基板と、直線光導波路の端面に光遮断多層膜フィルタが
形成されたマルチモード直線光導波路基板とにより構成
した。これにより、従来例と比較して、光導波路の形成
および組み立てが容易となり、出来上がりの光送受信モ
ジュールの光学的特性も安定した。

【００２５】即ち、この発明は、誘電体多層膜フィルタ
がＶ型光導波路の端面に成膜、貼り付け形成された光導
波路基板と、光遮断多層膜フィルタが直線光導波路の端
面に成膜、貼り付け形成されたマルチモード直線光導波
路基板を組み合わせて光送受信モジュールを構成するの
で、従来例の如くスリットにフィルム状の誘電体多層膜
フィルタを挿入する煩雑困難な工程は不要であり、これ
らフィルタと光導波路端面の位置関係は一定である。

【００２６】そして、直線光導波路はマルチモード光導
波路により構成して差し支えないところから、マルチモ
ード直線光導波路の製造は図６および図７を参照して説
明した通り、これを容易に実施することができる。ここ
で、直線光導波路の断面寸法をシングルモード光導波路
の７×７μｍ□程度の断面寸法と比較して遥かに大きい
２０×２０μｍ□程度に設計することができる。従っ
て、シングルモード光導波路であるＶ型光導波路の端面
をマルチモード直線光導波路の端面に対向位置決めする
際の尤度は大きく、位置合わせは極く容易となる。

【００２７】また、光導波路基板のＶ型光導波路の端面
に誘電体多層膜フィルタを形成し、マルチモード直線光
導波路の直線光導波路の端面に光遮断多層膜フィルタを
形成して、Ｖ型光導波路の誘電体多層膜フィルタを反射
特性を重視した設計とすると共に、直線光導波路の光遮
断多層膜フィルタを透過特性を重視した設計とする役割
分担させることにより、背反する光反射／透過特性を共
に満足する光送受信モジュールを構成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の分解斜視図。

【図２】図１を上から視た図。

【図３】他の実施例の分解斜視図。

【図４】図３を上から視た図。

【図５】Ｖ型光導波路チップを説明する図。

【図６】直線光導波路の実施例を説明する図。

【図７】直線光導波路の他の実施例を説明する図。

【図８】従来例を説明する図。

【図９】図８の従来例の斜視図。

【図１０】他の従来例を説明する図。

【図１１】更なる他の従来例の斜視図。

【符号の説明】

１光導波路基板１０フォトダイオード１１’電極１２凹み１４誘電体多層膜フィルタ１４’１. ３１μｍ光遮断誘電体多層膜フィルタ１５半田膜１５’半田膜２光導波路２１直線光導波路２１’マルチモード直線光導波路２２Ｙ分岐光導波路２３Ｖ型光導波路３クラッド３０直線光導波路形成層３３オーバークラッド４位置合わせマーク４’位置合わせマーク５断面Ｖ字溝基板５１マルチモード直線光導波路基板５１１延伸部５２サブマウント６断面Ｖ字溝７ダイシング溝７１スリット８光ファイバ９レーザダイオード

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者斎藤健東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内 (72)発明者金子進一東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA02 BA11 BA22 CA37 DA02 DA11 2H047 KA03 KA11 LA12 MA05 MA07 TA43 5F088 AA01 BA16 BB01 JA13 JA14 KA02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】相異なる２波長光による同時双方向通信
を行う光送受信モジュールにおいて、Ｖ型光導波路を形成すると共に送信光波長を反射すると
共に受信光波長を透過する誘電体多層膜フィルタを端面
に形成した光導波路基板を具備し、直線光導波路を形成すると共に送信光波長を遮断する光
遮断誘電体多層膜フィルタを端面に形成した直線光導波
路基板を具備し、受信用フォトダイオードを側面に取り付けたサブマウン
トを具備し、Ｖ型光導波路の分岐端面を直線光導波路の一方の端面に
対向して光導波路基板を直線光導波路基板に取り付け固
定し、直線光導波路の光軸の延長線上にフォトダイオードの受
光面を位置決めしてサブマウントを設置したことを特徴
とする光送受信モジュール。
【請求項２】請求項１に記載される光送受信モジュー
ルにおいて、直線光導波路基板の内の光導波路基板固定側の端部に延
伸部を形成し、この延伸部に断面Ｖ字溝を形成し、レー
ザダイオードを取り付けると共にレーザダイオードに接
続する電極を形成したことを特徴とする光送受信モジュ
ール。
【請求項３】請求項１および請求項２の内の何れかに
記載される光送受信モジュールにおいて、エッチング技術と成膜技術より構成した光導波路基板と
直線光導波路基板には位置合せマークが形成され、位置
合せマークを認識して光導波路基板を直線光導波路基板
に位置決め取り付けたことを特徴とする光送受信モジュ
ール。
【請求項４】請求項１ないし請求項３の内の何れかに
記載される光送受信モジュールにおいて、直線導波路はマルチモード直線光導波路より成ることを
特徴とする光送受信モジュール。
【請求項５】請求項１ないし請求項４の内の何れかに
記載される光送受信モジュールにおいて、直線光導波路基板の端面および直線導波路の端面に形成
される誘電体多層膜フィルタおよび光遮断誘電体多層膜
フィルタは何れか一方或いは双方が端面への直接成膜形
成したものであることを特徴とする光送受信モジュー
ル。
【請求項６】請求項１ないし請求項５の内の何れかに
記載される光送受信モジュールにおいて、Ｖ型光導波路および直線光導波路の何れか一方或いは双
方をポリマ導波路としたことを特徴とする光送受信モジ
ュール。
【請求項７】請求項２ないし請求項５の内の何れかに
記載される光送受信モジュールにおいて、直線光導波路
基板はシリコン基板より成り、この基板表面にシリコン
異方性エッチング技術を適用して断面Ｖ字溝を形成した
ことを特徴とする光送受信モジュール。