JP2000124011A - チップ型可変抵抗器及びそのチップ型可変抵抗器の取付方法 - Google Patents

チップ型可変抵抗器及びそのチップ型可変抵抗器の取付方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 プリント配線基板の導電パターンに端子33
がクリーム半田36によって、接続される際に、このク
リーム半田36の融点が、電極32と端子33とを接続
する半田35の融点とほぼ同一の融点であることからプ
リント配線基板にチップ型可変抵抗器を電気的、及び機
械的に接続する際のリフロー炉による半田付け作業を行
うのに、このリフロー炉内にて電極32と端子33とを
接続する半田35が再び溶融し、この後リフロー炉外に
て半田35が再び固まって半田付けされる。このことか
ら、半田接続は、初期の半田接続に対して、再度半田が
溶融して半田接続が行こなわれることになり、接続が不
安定になる可能性が生じる。 【解決手段】 絶縁基板1と、該絶縁基板の上面1aに
設けられた抵抗体2と、該抵抗体の両端部に接続して前
記絶縁基板の上面に設けられた一対の電極3と、該電極
に接続された金属板から成る端子5とを備え、前記端子
が、前記電極に高温半田9によって接続されているこ
と。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型可変抵抗
器及びそのチップ型可変抵抗器の取付方法に関し、特
に、半固定型のチップ型可変抵抗器及びそのチップ型可
変抵抗器の取付方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のチップ型可変抵抗器について図面
を用いて説明する。図15は、従来のチップ型可変抵抗
器を示す上面図、図16は、従来のチップ型可変抵抗器
を示す断面図、図17は、従来のチップ型可変抵抗器を
示す下面図である。
【0003】図15〜図17に示すように、絶縁基板3
0は、セラミック材から成り、焼成加工され、略矩形に
形成され、上面30aと、下面30bと、側面30cと
を有する。また、略中央部に設けられた太径の孔30d
と、一方の端部に設けられた3個の細径の孔30eと、
それぞれの孔30eの近傍であって、側面30cに3つ
の切り欠き部30fとを有している。また、その縦×横
×厚さ寸法は、約4mm×約3.5mm×約0.8mm
の大きさ(体積が約11.2mm2)である。
【0004】抵抗体31は、例えば、ガラス成分に金属
等を混入して形成されるサーメットペースト、或いはバ
インダー樹脂にカーボンを混入したカーボンペースト等
からなり、絶縁基板30の上面30aに、孔30dを囲
むように円弧状に印刷形成されている。電極32は、例
えば、ガラス、或いは樹脂に銀粉を混入した銀ペースト
等からなり、絶縁基板30の上面30aに設けられた抵
抗体31の両端部と、両端部の間とに設けられると共
に、それぞれの孔30eを囲むように設けられている。
また、抵抗体31の両端部の間(中央部)に設けられた
電極32は、抵抗体31の内側で孔30dを囲むように
設けられた円環状の導電部(図示せず)と接続されてい
る。
【0005】端子33は、鋼や、銅や、その合金などの
金属板から成り、打ち抜き・曲げ加工され、金属メッキ
されて、一方の端部の下面端子部33aと、他方の端部
の上面端子部33bとを有している。また、この端子3
3は、絶縁基板30の孔30eに挿通されると共に、下
面端子部33aは、絶縁基板30の下面30b側に平行
に折り曲げられ、上面端子部33bは、上面30a、及
び切り欠き部30f内に沿うように折り曲げられてい
る。
【0006】摺動子34は、円柱状の中心軸部34a
と、中心軸部34aの外周面に設けられた摺動子片34
bとを有する。この摺動子34の中心軸部34aは、絶
縁基板30の孔30dに上面30a側から下面30b側
に挿通され、中心軸部34aの一方の端部は、下面30
b側にカシメ付けられて取り付けられている。この状態
で、摺動子34の摺動子片34bは、抵抗体31に弾接
し、また、摺動子34は、絶縁基板30に対して回動自
在に保持されている。
【0007】半田35は、一般的な融点(例えば、約1
80度)の半田であって、この半田35によって、それ
ぞれの電極32と端子33の上面端子部33bとが半田
接続されている。
【0008】次に、従来のチップ型可変抵抗器をプリン
ト配線基板に取り付けた状態について説明する。図17
は、従来のチップ型可変抵抗器をプリント配線基板に取
り付けた状態を示す断面図である。図17に示すよう
に、プリント配線基板20は、例えば、ガラス入り合成
樹脂材料やセラミック材料などから成り平板状で、プリ
ント配線基板20の少なくとも一方の面には、所望の導
電パターン(図示せず)が形成されている。このプリン
ト配線基板20の導電パターン(図示せず)上に上述の
従来のチップ型可変抵抗器の端子33の下面端子部33
aを載置する。
【0009】このとき所定の導電パターン上に一般的な
融点(例えば、約180度)を有するクリーム半田36
を塗布しておき、このクリーム半田36に接続するよう
にチップ型可変抵抗器の端子33の下面端子部33aを
載置する。
【0010】このクリーム半田36の融点は、端子33
の上面端子部33bと電極32とが半田付けされている
半田35の融点とほぼ同一の融点を有する半田が用いら
れている。この状態で、チップ型可変抵抗器が載置され
たプリント配線基板20をリフロー炉(図示せず:リフ
ロー炉内の温度は、約220度)内に配置して、チップ
型可変抵抗器の端子33の下面端子部33aとプリント
配線基板20の導電パターンとをクリーム半田36にて
半田接続する。このとき、チップ型可変抵抗器の端子3
3の上面端子部33bと電極32とは、半田35で、半
田接続されていることから、このリフロー炉内の温度で
は、一度(再び)溶融して流れだし、その後、リフロー
炉外に取り出されて、再び半田は固まり、よって、半田
接続がされる。
【0011】このリフロー炉内の温度は、プリント配線
基板上に配置されている集積回路(IC)やチップ型コ
ンデンサなどの耐熱温度を考慮すると比較的低い温度に
設定されることが好ましく、又、一般的に半田融点より
約40〜50度程度リフロー炉内の温度を高くしないと
半田が充分に溶融しないから、この程度の温度に設定さ
れている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
チップ型可変抵抗器は、プリント配線基板の導電パター
ンに端子33の下面端子部33aがクリーム半田36に
よって、接続される際に、このクリーム半田36の融点
が、電極32と端子33の上面端子部33bとを接続す
る半田35の融点とほぼ同一の融点であることからプリ
ント配線基板にチップ型可変抵抗器を電気的、及び機械
的に接続する際のリフロー炉による半田付け作業を行う
のに、このリフロー炉内にて電極32と端子33の上面
端子部33bとを接続する半田35が再び溶融し、この
後リフロー炉外にて半田35が再び固まって半田付けさ
れる。ところで、一般に金属である上面端子部33bの
半田に対する濡れ性は、ガラスやバインダー樹脂を含ん
だ電極32に較べて良好である。このことから、電極3
2と端子33の上面端子部33bとの半田接続は、最初
の半田接続に対して、再度半田が溶融し、多くの半田が
面端子部33bに移行した状態で半田接続が行こなわれ
ることになり、特に、この様に小型で接合面積の小さい
チップ型可変抵抗器においては、接続が不安定になる可
能性が生じるという問題がある。
【0013】本発明のチップ型可変抵抗器は、上述の問
題点を解決するためのもので、その目的は、プリント配
線基板上に半田によって接続されたチップ型可変抵抗器
が安定した電気的及び機械的特性を有するチップ型可変
抵抗器を提供する。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明のチップ型可変抵
抗器は、絶縁基板と、該絶縁基板の上面に設けられた抵
抗体と、該抵抗体の両端部に接続して絶縁基板の上面に
設けられた一対の電極と、該電極に接続された金属板か
ら成る端子とを備え、端子が、電極に高温半田によって
接続されていることである。
【0015】また、本発明のチップ型可変抵抗器は、高
温半田の融点が、220度〜330度の温度範囲である
ことである。
【0016】また、本発明のチップ型可変抵抗器の取付
方法は、チップ型可変抵抗器と、導電パターンを有する
プリント配線基板とを備え、プリント配線基板の導電パ
ターンへのチップ型可変抵抗器の端子の半田付けを、チ
ップ型可変抵抗器の電極に端子が半田付けされた高温半
田の融点よりも低い融点の半田で行うようにしたことで
ある。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態のチッ
プ型可変抵抗器を図面を用いて説明する。図1は、本発
明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示す分解斜視
図、図2は、本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器
を示す上面図、図3は、本発明の実施の形態のチップ型
可変抵抗器を示す下面図、図4は、本発明の実施の形態
のチップ型可変抵抗器を示す断面図、図5は、本発明の
実施の形態のチップ型可変抵抗器を示す要部側面図、図
6は、本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示す
要部上面図、図7は、本発明の実施の形態のチップ型可
変抵抗器の絶縁基板を示す上面図、図8は、本発明の実
施の形態のチップ型可変抵抗器の絶縁基板を示す下面
図、図9は、本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器
の絶縁基板を示す側面図、図10は、図7の10−10
線における断面図である。
【0018】図1〜図10に示すように、絶縁基板1
は、セラミック材から成り、略矩形に焼成加工され、そ
の縦×横×厚さ寸法は、約3.5mm×約3mm×約
0.8mmの小型の大きさ(体積が約8.4mm2
で、上面1aと、下面1bと、四方を囲む側面1c1〜
1c4と、上面1aから下面1bに貫通する中心部に設
けられた円形の孔1dとを有している。また、上面1a
の中央部には、孔1dを囲むように略円形の凹部1eが
設けられ、下面1bの略中央部には、矩形の浅い溝状の
溝部1fが設けられ、この溝部1fの一方の端部は側面
1c1方向が外部に開放している。
【0019】また、一方の対向する側面1c1と側面1
c3(図2の上下方向)には、幅広の略矩形の切り欠き
部1hと、幅狭の略矩形の切り欠き部1iとがそれぞれ
設けられ、他方の対向する側面1c2と側面1c4(図
2の左右方向)には、後述する電極3を挟んで、前記切
り欠き部1iと対向して一対の矩形の切り欠き部1jが
設けられている。
【0020】また、下面1bには、前記切り欠き部1i
側(図2参照)のそれぞれの角部に一対の矩形の凹部1
gが設けられ、この凹部1gは、下面1bから凹んで形
成されるとともに、直交して、隣り合う2つの側面1c
2と側面1c3、及び側面1c3と側面1c4に繋がっ
て形成され、それらの方向は、外部に開放した状態で形
成されている。また、この凹部1gと溝部1fとの深さ
寸法t2は、例えば、約0.2mmである。この凹部1
gは、該凹部1gの直交して、隣り合う側面1c2、1
c3方向(及び側面1c3、1c4方向)が開放された
もので説明したが、これに限定されず、3つの側面方向
を開放、或いは、対向する2つの側面方向を開放させた
形状としても良い。
【0021】抵抗体2は、例えば、ガラス成分にパラジ
ウムやルテニウム等の金属粉を混入したサーメット系の
ペーストなどから成り、絶縁基板1の上面1aの凹部1
eの周囲に略円弧状に印刷等によって形成されている。
電極3は、例えば、ガラス成分に銀粉等を混入したサー
メット系の銀ペーストなどから成り、略矩形で、絶縁基
板1の上面1aに設けられ、抵抗体2の両端部にそれぞ
れ接続し、一対が印刷等によって形成されている。ま
た、この電極3は、直交し、隣り合う絶縁基板1のそれ
ぞれの側面1c2、1c3、及び側面1c3、1c4に
よって形成される角部の近傍に配置されている。
【0022】端子4は、鋼や、銅などの金属板から成
り、打ち抜き・折り曲げ加工され、一対の第1端子5
と、第2端子6とから構成されている。また、この端子
4の厚さ寸法(板厚)t3は、例えば、約0.15mm
である。
【0023】そして、第1端子5は、略矩形(四角形)
の底板5aと、底板5aの直交し、隣り合う2つの側縁
からそれぞれ上方に折り曲げられた第1脚部5b、及び
第2脚部5cと、第1脚部5b、及び第2脚部5cの間
に底板5aから外方に突出する突出部5dとを有する。
また、一方の第1脚部5bは、幅広の根元部5eと、根
元部5eから上方に延設され、底板5aに略平行である
ように折り曲げられるようになった根元部5eより幅狭
の先端部5fとを備え、他方の第2脚部5cの幅寸法
は、根元部から先端部5gまで同一の幅寸法に形成さ
れ、前記先端部5fとほぼ同じ幅で形成されると共に、
この先端部5gは、底板5aに略平行であるように折り
曲げられている。
【0024】そして、第1端子5は、絶縁基板1に取り
付けられ、詳しくは、第1端子5の底板5aは、絶縁基
板1の下面1bの凹部1gに当接して収納され、第1端
子5の第1脚部5b、及び第2脚部5cは、絶縁基板1
の凹部1gが設けられている角部の直交して、隣り合う
2つの側面1c1、1c3及び側面1c2、1c4に沿
って配置され、更に、第1脚部5b、及び第2脚部5c
の先端部5f、5gが、絶縁基板1の上面1a側に折り
曲げられている。この状態のとき、第1脚部5b、及び
第2脚部5cの先端部5f、5gは、絶縁基板1の上面
1aに設けられている電極3の抵抗体3側の外縁に沿っ
て折り曲げられ、よって、絶縁基板1の角部との間に所
定の間隔を隔てて位置する事となるので、電極3には、
先端部5f、5gによって被われていない比較的大きな
エリアが形成されている。また、第1端子5は、第1脚
部5b、及び第2脚部5cが直交する側面1c3、1c
4、及び側面1c2、1c3に当接した状態に配置さ
れ、このことから後述するように組み立て時に絶縁基板
1の位置決めが容易に出来る。
【0025】また、この状態のとき、絶縁基板1の凹部
1gに当接した第1端子5の底板5aは、凹部1gの深
さ寸法t2が、例えば、約0.2mmであり、底板5a
の厚さ寸法(板厚)t3が、例えば、約0.15mmで
あることから、絶縁基板1の下面1bと底板5aの下面
との間には、約0.05mmの隙間t1(t1=t2−
t3)が形成されている。即ち、絶縁基板1の凹部1g
に第1端子5の底板5aが収納された状態に配置されて
いる。また、発明者は、この隙間t1について種々の実
験を行った結果、隙間t1は、0<t1≦0.1mmの
範囲であれば良いことを確認している。
【0026】また、第2端子6は、略長方形の底板6a
と、底板6aの一方の端部に上方に切り起こされた切り
起こし部6bと、底板6aの他方の端部側に上方に絞り
加工にて設けられた円筒状の中空軸部6cとを有する。
【0027】また、第2端子6は、絶縁基板1に取り付
けられ、詳しくは、第2端子6の底板6aは、絶縁基板
1の下面1bの溝部1fに収納されて当接し、中空軸部
6cは、絶縁基板1の孔1dに挿通され、切り起こし部
6bは、絶縁基板1の側面1c1に設けられた切り欠き
部1hの内壁に沿って上面1a方向に延びた状態で配置
されている。
【0028】この状態のとき、前記第1端子5と同様
に、絶縁基板1の下面1bと第2端子6の下面との間に
は、約0.05mmの隙間が形成されている。
【0029】摺動子7は、ステンレス、銅、その合金な
どの金属板から成り、打ち抜き・折り曲げて一体加工さ
れ、略円盤状に絞り加工にて形成された保持部7aと、
保持部7aの上方に配置された操作部7bと、保持部7
aから延設された略U字状の摺動部7cとを有してい
る。また、保持部7aの中心部には、円形の孔7d(図
4参照)が形成され、操作部7bの中心部には、十字状
の孔7eが形成されている。
【0030】この摺動子7の保持部7aは、絶縁基板1
の上面1aの凹部1e内に配置されると共に、第2端子
6の中空軸部6cが、絶縁基板1の孔1dに挿通された
状態で、中空軸部6cの先端部が、孔1dに挿通され
て、保持部7aの孔7dにカシメ付けられ、この状態
で、摺動子7は、絶縁基板1に対して回動可能に保持さ
れている。このとき、摺動子7は、第2端子6に接触し
ている。
【0031】また、このとき、摺動子7の摺動部7c
は、絶縁基板1の上面1aに設けられた抵抗体2に弾接
され、摺動子7の回動に対応して、摺動部7cが抵抗体
2上を摺動するようになっている。
【0032】半田9は、一般的な融点(例えば、約18
0度)の半田に比較して、高い融点を有する高温半田で
あって、その融点は、220度〜330度の温度範囲で
ある。この半田9は、絶縁基板1の上面1aに設けられ
た電極3と、第1端子5の第1脚部5bの先端部5f、
及び第2脚部5cの先端部5gとを接続している。この
とき電極3の先端部5f、及び先端部5gが被わない比
較的大きなエリアが、半田付けエリアとなって、この半
田付けエリアにて先端部5f、及び先端部5gが電極3
と半田付けされている。この半田9の融点の温度範囲
が、220度〜330度であるのは、融点があまりに低
温であると実装時に再溶隔し不都合を生じる場合があ
り、また、高温であると半田付けの際に多くの熱を必要
とし、その熱が、その周囲の構成部材に悪影響を及ぼす
危険があるため、これらが生じないように定めたためで
ある。
【0033】次に、本発明の実施の形態のチップ型可変
抵抗器の製造方法について説明する。 図13は、本発
明のチップ型可変抵抗器の製造方法を説明する工程図で
ある。図13に示すように、先ず、最初の(A)の工程
にて、端子フープ10に、絞り加工された円筒状の中空
軸部6cが形成されると共に、送り孔11が形成され
る。
【0034】そして更に、端子フープ10に、所定の間
隔毎に枠部12が形成されると共に、一対の第1端子5
と第2端子6とが形成され、このとき同時に第2端子6
の切り起こし部6bが切り起こされて形成されると共
に、一対の第1端子5の第1脚部5b、及び第2脚部5
cが、底板5aの2つの側縁からそれぞれ上方に折り曲
げられる。
【0035】ここで、絞り・曲げ・切断工程にて形成さ
れた端子フープについて詳細に説明する。図11は、本
発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器の端子の製造工
程における端子フープを示す要部平面図、図12は、図
11の12−12線における断面図である。
【0036】図11、図12に示すように、端子フープ
10は、鋼や、銅などの帯状の金属板から成り、絞り・
打ち抜き・曲げ・切断工程によって形成されている。ま
た、端子フープ10は、複数個連続して形成された略矩
形の枠部12と、枠部12の板幅方向に対向し、所定の
間隔で設けられた送り孔11とを有する。
【0037】また、枠部12には、送り孔11の近傍か
ら枠部12の内方に突出し、枠部12に繋がる一対の突
出部5dと、それぞれの突出部5dに繋がる略四角形の
底板5a(第1端子5)と、隣り合う2つの送り孔11
の間から枠部12の内方に突出し、枠部12に繋がる第
2端子6とが設けられている。また、前記底板5aに
は、前述の如く突出部5dを挟んで、上方に折り曲げら
れた第1脚部5b、及び第2脚部5cが形成されてい
る。
【0038】次に、図13に示すように、(B)の載置
・カシメ工程にて、別の工程(図示せず)にて製造さ
れ、抵抗体2及び電極3が上面に設けられた絶縁基板1
からなる半製品を、端子フープ10の枠部12に繋がっ
て形成されている第1端子5の底板5aと第2端子6と
の上に載置する。このとき、半製品の絶縁基板1の側面
1c3、1c2(及び側面1c3、1c4)を第1端子
5の第1脚部5b、及び第2脚部5cに当接させて、端
子フープ10に対する絶縁基板1の位置決めするような
工程となっている。このとき絶縁基板1の孔1dに第2
端子6の中空軸部6cが挿通されて配置される。
【0039】この載置工程の後に、絶縁基板1の上面1
a側に第1脚部5b、及び第2脚部5cのそれぞれの先
端部5f、5gを折り曲げて、第1端子5と第2端子6
とを半製品にカシメ付ける曲げ工程が成される。この曲
げ工程にて、第1脚部5b、及び第2脚部5cのそれぞ
れの先端部5f、5gは、電極3の抵抗体2との境界近
傍の外縁に沿って折り曲げられ、電極3には、比較的大
きな半田付けエリアが設けられる。
【0040】次に、(C)の半田付け工程にて、第1端
子5の第1脚部5b、及び第2脚部5cの先端部5f、
5gが、電極3に設けられた半田付けエリアにて高温半
田にて半田付けされ、第1端子5と電極3とが接続され
る。
【0041】次に、摺動子組み込み・切断工程にて、第
1端子5が半田付けされた半製品に摺動子7が組み込ま
れ、組み込まれた摺動子7は、第2端子6の中空軸部6
cにカシメ付けられ、半製品と摺動子7と第2端子6と
は一体化され、(D)の単品切断工程にて、第2端子6
の切り起こし部6bの近傍と、第1端子5の突出部5d
とを切断して枠体11から単品としてのチップ型可変抵
抗器を分離する。
【0042】次に、本発明の実施の形態のチップ型可変
抵抗器がプリント配線基板に取付けられるチップ型可変
抵抗器の取付方法について説明する。図14は、本発明
の実施の形態のチップ型可変抵抗器がプリント配線基板
に取付けられた状態を示す断面図である。
【0043】図14示すように、プリント配線基板20
は、例えば、ガラス入り合成樹脂材料などから成り平板
状で、プリント配線基板20の少なくとも一方の面に
は、所望の導電パターン(図示せず)が形成されてい
る。このプリント配線基板20の導電パターン(図示せ
ず)上に上述の本発明のチップ型可変抵抗器を載置す
る。このとき所定の導電パターン上にクリーム半田13
を塗布しておき、このクリーム半田13に接続するよう
にチップ型可変抵抗器の第1端子5と第2端子6とを載
置する。
【0044】このクリーム半田13の融点は、例えば、
約180度のものが用いられ、この約180度の融点
は、第1端子5が電極3に半田付けされている高温半田
(融点が、220度〜330度)よりも融点が、低い温
度の半田が用いられている。この状態で、チップ型可変
抵抗器が載置されたプリント配線基板20をリフロー炉
(図示せず:リフロー炉内の温度は、約220度)内に
配置して、チップ型可変抵抗器とプリント配線基板20
の導電パターン21とを半田接続するが、リフロー炉の
温度は、半田の融点に対し、約40〜50度程度高い温
度に設定されていないと半田が溶融しないことが一般に
知られている。このチップ型可変抵抗器の第1端子5と
電極3とは、高温半田で、半田接続されており、クリー
ム半田13の融点より、約40〜50度程度高い温度で
リフロー炉内の温度が設定されているから、このリフロ
ー炉内の温度では、クリーム半田13が溶融すると共
に、高温半田9は溶融せずに安定した半田接続がされて
いる。
【0045】また、このとき、チップ型可変抵抗器の絶
縁基板1の下面と第1端子5の底面5aの下面との間、
及び絶縁基板1の下面と第2端子6の下面との間に、そ
れぞれ隙間が形成されており、更に、絶縁基板1の凹部
1gと、溝部1fとの各側面方向が開放されていること
から、プリント配線基板20へのチップ型可変抵抗器の
第1、第2端子5、6の半田付けに際して、クリーム半
田13内のフラックス及び溶剤が前記隙間を通って側面
方向の開放部分から確実に飛散される。
【0046】
【発明の効果】以上のように、本発明のチップ型可変抵
抗器は、端子が、電極に高温半田によって接続されてい
ることによって、プリント配線基板へのチップ型可変抵
抗器をリフロー炉にて半田付け(クリーム半田)すると
きに、チップ型可変抵抗器の端子と電極との半田付けが
高温半田にて行われていることから、この端子と電極と
の高温半田がリフロー炉内で溶融せずに安定した接続を
保つことが出来るチップ型可変抵抗器を提供できる。
【0047】また、本発明のチップ型可変抵抗器は、高
温半田の融点が、220度〜330度の温度範囲である
ことから、端子と電極との半田付けにおいて、チップ型
可変抵抗器を形成する各構成部材への熱による影響が少
なく、また、220度の高温半田であればリフロー炉内
の温度が一般的に考えられる約220〜230度程度で
は高温半田は溶けず、よって、安定した電気的、及び機
械的特性を有するチップ型可変抵抗器を提供出来る。
【0048】また、本発明のチップ型可変抵抗器の取り
付け方法は、プリント配線基板の導電パターンへのチッ
プ型可変抵抗器の端子の半田付けを、チップ型可変抵抗
器の電極に端子が半田付けされた高温半田の融点よりも
低い融点の半田で行うようにしたことから、プリント配
線基板へのチップ型可変抵抗器の半田付けの際の熱がプ
リント配線基板上に配置されたチップ型可変抵抗器や集
積回路やチップ型コンデンサなどに悪影響が無く、それ
ぞれが安定した特性を維持できる取り付け方法を提供出
来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示
す分解斜視図である。
【図2】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示
す上面図である。
【図3】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示
す下面図である。
【図4】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示
す断面図である。
【図5】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示
す要部側面図である。
【図6】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示
す要部上面図である。
【図7】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器の絶
縁基板を示す上面図である。
【図8】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器の絶
縁基板を示す下面図である。
【図9】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器の絶
縁基板を示す側面図である。
【図10】本発明の図7の10−10線における断面図
である。
【図11】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器の
端子の製造工程における端子フープを示す要部平面図で
ある。
【図12】図11の12−12線における断面図であ
る。
【図13】本発明のチップ型可変抵抗器の製造方法を説
明する工程図である。
【図14】本発明のチップ型可変抵抗器をプリント配線
基板に取り付けた状態を示す断面図である。
【図15】従来のチップ型可変抵抗器を示す上面図であ
る。
【図16】従来のチップ型可変抵抗器を示す断面図であ
る。
【図17】従来のチップ型可変抵抗器を示す下面図であ
る。
【図18】従来のチップ型可変抵抗器をプリント配線基
板に取り付けた状態を示す断面図である。
【符号の説明】
1 絶縁基板 1a 上面 1b 下面 1c1、1c2、1c3、1c4 側面 1g 凹部 1f 溝部 2 抵抗体 3 電極 4 端子 5 第1端子(端子) 5a 底板 5b 第1脚部 5c 第2脚部 5d 突出部 5e 根元部 5f、5g 先端部 6 第2端子(端子) 6a 底板 6b 切り起こし部 6c 中空軸部 7 摺動子 7c 摺動部 9 半田(高温半田) 10 端子フープ 11 送り孔 12 枠部 13 クリーム半田

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁基板と、該絶縁基板の上面に設けら
    れた抵抗体と、該抵抗体の両端部に接続して前記絶縁基
    板の上面に設けられた一対の電極と、該電極に接続され
    た金属板から成る端子とを備え、前記端子が、前記電極
    に高温半田によって接続されていることを特徴とするチ
    ップ型可変抵抗器。
  2. 【請求項2】 前記高温半田の融点が、220度〜33
    0度の温度範囲であることを特徴とする請求項1記載の
    チップ型可変抵抗器。
  3. 【請求項3】 請求項1、又は2記載のチップ型可変抵
    抗器と、導電パターンを有するプリント配線基板とを備
    え、前記プリント配線基板の前記導電パターンへの前記
    チップ型可変抵抗器の前記端子の半田付けを、前記チッ
    プ型可変抵抗器の前記電極に前記端子が半田付けされた
    前記高温半田の融点よりも低い融点の半田で行うように
    したことを特徴とするチップ型可変抵抗器の取付方法。
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