JP2000114891A - 電流源回路 - Google Patents

電流源回路

Info

Publication number
JP2000114891A
JP2000114891A JP10279802A JP27980298A JP2000114891A JP 2000114891 A JP2000114891 A JP 2000114891A JP 10279802 A JP10279802 A JP 10279802A JP 27980298 A JP27980298 A JP 27980298A JP 2000114891 A JP2000114891 A JP 2000114891A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
current
voltage
drain
source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10279802A
Other languages
English (en)
Inventor
Takehiro Seki
毅裕 関
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP10279802A priority Critical patent/JP2000114891A/ja
Publication of JP2000114891A publication Critical patent/JP2000114891A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低電源電圧で動作可能で、且つ出力抵抗が大
きく、広い出力電圧範囲において安定した電流を供給で
きる電流源回路を実現する。 【解決手段】 カレントミラー回路を構成するペアトラ
ンジスタN1とN2のドレイン電圧をオペアンプOPA
1の差動入力端子にそれぞれ入力し、オペアンプOPA
1の出力電圧をトランジスタN3のゲートに印加する。
トランジスタN3のソースはトランジスタN2のドレイ
ンに接続し、ドレインは負荷回路に接続する。オペアン
プOPA1はトランジスタN1とN2のドレインを同電
圧に制御するので、トランジスタN1のドレインに入力
される基準電流Iref およびペアトランジスタN1とN
2のサイズなどにより、トランジスタN2およびN3の
電流Iout が制御されるので、電源電圧、温度または負
荷回路の変動に依存せず、安定した電流を供給できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁ゲート型電界
効果トランジスタ、例えば、MOSトランジスタペアか
らなるカレントミラー回路により構成された電流源回路
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電流源回路において、基準電流をカレン
トミラー回路を構成するトランジスタペアの一方のトラ
ンジスタに入力し、他方のトランジスタから基準電流に
応じた電流が出力される。図4はカレントミラー回路に
より構成された電流源回路の一例を示している。
【0003】図示のカレントミラー回路は、ゲート同士
が接続されているnMOSトランジスタN1とN2によ
り構成されている。トランジスタN1のドレインに基準
電流Iref を供給する電流源が接続され、さらにトラン
ジスタN1のドレインはトランジスタN1とN2のゲー
トに接続されている。トランジスタN1とN2のソース
がともに接地されている。
【0004】図4に示すカレントミラー回路において、
トランジスタN1とN2のサイズを等しく設定した場合
に、トランジスタN2のドレインから基準電流Iref
ほぼ同じ電流が得られる。なお、このタイプのカレント
ミラー回路では、トランジスタN1とN2の出力抵抗が
十分大きい場合、基準電流側のトランジスタN1と出力
電流側のトランジスタN2のドレイン−ソース間の電圧
差が無視でき、基準電流Iref とほぼ等しい出力電流I
out が得られる。
【0005】しかし、実際のMOSトランジスタは有限
の出力抵抗をもっており、MOSトランジスタの微細化
に伴い、出力抵抗はさらに小さくなる傾向がある。この
場合、カレントミラー回路において、基準電流Iref
応じて発生した出力電流Iout は電源電圧依存や出力電
圧、即ち、出力側トランジスタのドレイン電圧依存性が
顕著となり、所望の電流値を供給することは難しくな
る。また、出力抵抗の影響をできるだけ小さく抑えるた
めに、トランジスタ長Lの大きいトランジスタを使用し
てもその効果は小さく、逆にレイアウト面積の増加を招
く。
【0006】出力抵抗の影響を抑制するために、図5に
示すカスコード型のカレントミラー回路が有効である。
図示のように、このタイプのカレントミラー回路は、ト
ランジスタN1と基準電流源との間に、トランジスタN
3を接続し、トランジスタN2と電流出力端子との間
に、トランジスタN4を接続する。トランジスタN3と
N4のゲート同士が接続され、さらにその接続点がトラ
ンジスタN3のドレインに接続される。
【0007】図5に示すカスコード型のカレントミラー
回路において、出力抵抗が大きくなり、出力電圧の変化
に対して安定した出力電流Iout を供給することが可能
である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したカ
スコード型のカレントミラー回路においては、トランジ
スタN2とN4の両方がともに飽和領域で動作する必要
があるため、最低動作電圧が高くなり、低電源電圧動作
が要求される場合に問題がある。カスコード型カレント
ミラー回路を低電源電圧で使用する場合に、バイアス電
圧、即ち、トランジスタのゲート−ソース間電圧と当該
トランジスタのしきい値電圧との差(Vgs−Vth)を小
さくする必要があり、これによりプロセスのバラツキに
よるしきい値電圧変動の影響を受けやすくなるという不
利益がある。
【0009】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、低電源電圧で動作可能で、且つ
出力抵抗が大きく、広い出力電圧範囲において安定した
電流を供給できる電流源回路を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の電流源回路は、第1の電圧源と第2の電圧
源との間に直列に接続されている定電流源と第1のトラ
ンジスタと、電流出力端子と上記第2の電圧源との間に
直列に接続されている第2と第3のトランジスタと、入
力端子が上記定電流源と上記第1のトランジスタとの接
続点に接続され、反転入力端子が上記第2と第3のトラ
ンジスタとの接続点に接続され、出力端子が上記第3の
トランジスタの制御端子に接続されている差動増幅回路
とを有し、上記第1と第2のトランジスタの制御端子が
接続され、当該制御端子同士の接続点が上記定電流源と
上記第1のトランジスタとの接続点に接続され、上記電
流出力端子から上記定電流源の供給電流に応じた電流が
出力される。
【0011】また、本発明の電流源回路において、好適
には、第2の電流出力端子と上記第2の電圧源との間に
直列に接続されている第4と第5のトランジスタを有
し、上記第4のトランジスタの制御端子が上記第2のト
ランジスタの制御端子に接続され、上記第5のトランジ
スタの制御端子が上記差動増幅回路の出力端子に接続さ
れ、上記第2の電流出力端子から上記定電流源の供給電
流に応じた第2の電流が出力される。
【0012】さらに、本発明では、好適には、上記トラ
ンジスタはnチャネル絶縁ゲート型電界効果トランジス
タであり、上記第2の電圧源は接地電位を供給し、上記
第1の電圧源は、上記接地電位より高い電圧を供給す
る。または、上記トランジスタはpチャネル絶縁ゲート
型電界効果トランジスタであり、上記第1の電圧源は接
地電位を供給し、上記第2の電圧源は上記接地電位より
高い電圧を供給する。
【0013】本発明によれば、例えば、カレントミラー
回路を構成するペアトランジスタのそれぞれのドレイン
電圧を差動増幅回路に入力され、当該差動増幅回路によ
りペアトランジスタのソース−ドレイン間電圧を同じレ
ベルに制御される。これによって、プロセスのバラツ
キ、電源電圧、温度などの変動に依存せず、基準電流お
よびカレントミラー回路を構成するペアトランジスタの
サイズにより設定された定電流が供給される。
【0014】
【発明の実施の形態】第1実施形態 図1は本発明に係る電流源回路の第1の実施形態を示す
回路図である。図示のように、本実施形態の電流源回路
は、電流源IS1、nMOSトランジスタN1,N2,
N3および差動増幅回路で構成された演算増幅回路(以
下、オペアンプという)OPA1により構成されてい
る。
【0015】電流源IS1は、基準電流Iref を供給す
る。トランジスタN1においてそのドレインが電流源I
S1に接続され、ソースが接地されている。トランジス
タN2のゲートがトランジスタN1のゲートに接続さ
れ、さらに当該ゲート同士の接続点がトランジスタN1
のドレインに接続されている。トランジスタN2のソー
スが接地され、ドレインはトランジスタN3のソースに
接続されている。オペアンプOPA1の入力端子(+)
は、トランジスタN1のドレインに接続され、反転入力
端子(−)はトランジスタN2のドレインに接続されて
いる。オペアンプOPA1の出力端子はトランジスタN
3のゲートに接続されている。トランジスタN3のドレ
インに図示しない負荷回路が接続され、当該負荷回路に
基準電流Iref に応じた定電流Iout が供給される。
【0016】本実施形態の電流源回路によって、シンク
電流、即ち、トランジスタN3のドレインからトランジ
スタN3およびN2を介して接地側に流れる電流Iout
が発生される。当該電流Iout は電流源IS1の基準電
流Iref に応じて所望の電流値が設定される。
【0017】上述した電流源回路において、電流源IS
1により供給される基準電流IrefはトランジスタN1
のドレインに入力される。通常、MOSトランジスタN
1とN2のゲート電流が小さく、無視できるので、トラ
ンジスタN1に流れる電流は、基準電流Iref とほぼ同
じである。
【0018】オペアンプOPA1により、トランジスタ
N2のドレイン電圧はトランジスタN1のドレイン電圧
とほぼ等しく設定される。負荷回路の変動などによりト
ランジスタN3のドレイン電圧が変化したとき、それに
応じてトランジスタN3のソース、即ち、トランジスタ
N2のドレイン電圧が変化する。当該電圧の変化に応じ
てオペアンプOPA1の出力電圧も変化する。
【0019】例えば、トランジスタN2のドレイン電圧
が上昇し、トランジスタN1のドレイン電圧より高くな
ると、当該ドレイン電圧の上昇分に応じて、トランジス
タN2とN1のドレイン電圧には電圧差が生じる。当該
電圧差に応じてオペアンプOPA1の出力電圧は降下す
る。トランジスタN3のしきい値電圧が一定であるた
め、そのゲート電圧の降下に伴いソース電圧も低下する
ので、トランジスタN2のドレイン電圧はほぼ一定に保
持される。逆に、トランジスタN2のドレインが降下
し、トランジスタN1のドレイン電圧より低くなると
き、当該ドレイン電圧の降下分に応じて、オペアンプO
PA1の出力電圧が上昇する。これに応じてトランジス
タN3のソース電圧が上昇し、トランジスタN2のドレ
イン電圧の降下傾向が抑制される。
【0020】上述したように、トランジスタN3のドレ
インに接続されている負荷回路の変動などにより生じた
トランジスタN2のドレイン電圧の変動がオペアンプO
PA1により抑えられ、トランジスタN2のドレインは
ほぼ一定のレベル、即ち、トランジスタN1のドレイン
電圧と等しいレベルに保持される。トランジスタN2と
トランジスタN1は同じ条件、例えば、同じサイズ、且
つソースおよびドレインを形成する不純物領域の不純物
濃度が等しい場合に、トランジスタN2にはトランジス
タN1と同じ電流が流れる。即ち、トランジスタN3の
ドレインに基準電流Iref とほぼ同じシンク電流Iout
が流れる。
【0021】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、ドレインに基準電流Iref が入力され、ソースが接
地されているトランジスタN1と、ゲートがトランジス
タN1のゲートに接続され、当該ゲート同士の接続点が
トランジスタN1のドレインに接続され、ソースが接地
されているトランジスタN2と、入力端子および反転入
力端子がそれぞれトランジスタN1とN2のドレインに
接続されているオペアンプOPA1と、ゲートがオペア
ンプOPA1の出力端子に接続され、ソースがトランジ
スタN2のドレインに接続されているトランジスタN3
により電流源回路を構成し、トランジスタN3のドレイ
ン電圧の変化により生じたトランジスタN1とN2のド
レイン電圧の差に応じてトランジスタN3のゲート電圧
を制御するので、トランジスタN2とN1のドレイン電
圧は等しくなるように制御され、トランジスタN3のド
レインから基準電流Iref に応じて電流Iout が供給さ
れる。このため、出力電流Iout は負荷回路の変化に依
存せず、安定した電流を供給できる。
【0022】第2実施形態 図2は本発明に係る電流源回路の第2の実施形態を示す
回路図である。図示のように、本実施形態の電流源回路
は、電流源IS2、pMOSトランジスタP1,P2,
P3および差動増幅回路で構成された演算増幅回路(以
下、オペアンプという)OPA2により構成されてい
る。
【0023】電流源IS2は、トランジスタP1のドレ
インから接地電位GNDに向かって流れる基準電流I
ref を供給する。トランジスタP1のソースが電源電圧
CCの供給線に接続され、ドレインが電流源IS2に接
続されている。トランジスタP1とP2のゲート同士が
接続され、その接続点がトランジスタP1のドレインに
接続されている。トランジスタP2のソースは電源電圧
CCの供給線に接続されている。
【0024】オペアンプOPA2の入力端子(+)はト
ランジスタP1のドレインに接続され、その反転入力端
子(−)はトランジスタP2のドレインに接続されてい
る。トランジスタP3のゲートはオペアンプOPA2の
出力端子に接続され、ソースはトランジスタP2のドレ
インに接続されている。
【0025】トランジスタP3のドレインが図示しない
負荷回路に接続されている。トランジスタP3のドレイ
ンから負荷回路に電流Iout 、いわゆるソース電流が供
給される。当該ソース電流Iout は、負荷回路の変動な
どによらず、常に基準電流Iref に応じた電流値に設定
されている。
【0026】本実施形態の電流源回路は、図1に示す第
1の実施形態の電流源回路と同じ原理に基づいて動作す
る。即ち、何らかの原因でトランジスタP3のドレイン
電圧が変化した場合、これに応じてトランジスタP2の
ドレイン電圧も変化し、トランジスタP2とP1のドレ
イン電圧間に差が生じる。当該電圧差に応じてオペアン
プOPA2により制御電圧が出力され、当該制御電圧で
トランジスタP3のゲート電圧が調整されるので、トラ
ンジスタP2のドレイン電圧は常にトランジスタP1の
ドレイン電圧とほぼ同じレベルに保持される。
【0027】例えば、負荷回路の変動などによりトラン
ジスタP3のドレイン電圧が上昇したとき、これに応じ
てトランジスタP3のソース電圧、即ちトランジスタP
2のドレイン電圧も上昇し、トランジスタP1とP2の
ドレイン電圧間に電圧差が生じる。当該電圧差に応じて
オペアンプOPA2の出力電圧が降下する。トランジス
タP3において、ゲート電圧の降下に伴い、そのソース
電圧も降下するので、トランジスタP2のドレイン電圧
の上昇傾向が抑制される。逆に、トランジスタP3のド
レイン電圧が降下したとき、それに従ってトランジスタ
P2のドレイン電圧も降下するので、この電圧降下分に
応じてオペアンプOPA2の出力電圧が上昇するので、
トランジスタP3のゲート電圧の上昇に伴い、そのソー
ス電圧も上昇するので、トランジスタP2のドレイン電
圧の降下傾向が抑えられる。
【0028】このように、トランジスタP3のドレイン
電圧の変化により生じたトランジスタP2のドレイン電
圧の変動がオペアンプOPA2により抑えられ、トラン
ジスタP2のドレイン電圧は常に一定のレベル、即ち、
トランジスタP1のドレイン電圧とほぼ等しいレベルに
保持される。トランジスタP1とP2は同じ条件に形成
された場合に、トランジスタP2にトランジスタP1と
同じ電流が流れる。この結果、トランジスタP3のドレ
インから基準電流Iref に応じた電流Iout が供給され
る。
【0029】第3実施形態 図3は本発明に係る電流源回路の第3の実施形態を示す
回路図である。図示のように、本実施形態の電流源回路
は、図1および図2に示した2種類の電流源回路を組み
合わせて構成したものであり、基準電流Iref に応じ
て、ソース電流Iout1,Iout2およびシンク電流
out3,Iout4がそれぞれ供給される。
【0030】図3に示すように、本実施形態の電流源回
路は、基準電流Iref を発生する基準電流発生部10、
ソース電流Iout1,Iout2を発生するソース電流発生部
20およびシンク電流Iout3,Iout4を発生するシンク
電流発生部30により構成されている。
【0031】基準電流発生部10は、オペアンプOPA
1とnMOSトランジスタN0により構成されている電
圧フォロワ(Voltage follower)および抵抗素子R0に
より構成されている。オペアンプOPA1の入力端子
(+)に、基準電圧Vref が入力されている。トランジ
スタN0のソースはオペアンプOPA1の反転入力端子
(−)に接続され、さらに、抵抗素子R0を介して接地
されている。
【0032】基準電圧Vref は、例えば、バンドギャッ
プリファレンス回路などで発生した基準電圧であり、電
源電圧VCCおよび温度依存性のない安定した電圧であ
る。オペアンプOPA1は抵抗素子R0に印加される電
圧、即ち、トランジスタN0のソース電圧を基準電圧V
ref と同じレベルに保持する。抵抗素子R0は、例え
ば、外付けの高精度な抵抗素子であるので、抵抗素子R
0に流れる電流は、基準電圧Vref と抵抗素子R0の抵
抗値により正確に設定される。このため、トランジスタ
N0のドレイン電流Iref は、電源電圧および温度変化
に依存せずに、安定した基準電流となる。当該基準電流
ref は、ソース電流発生部20に供給される。
【0033】ソース電流発生部20において、pMOS
トランジスタP1とP2,P3およびP4のソースはと
もに電源電圧VCCの供給線に接続され、これらのトラン
ジスタのゲート同士が接続され、その接続点がトランジ
スタP1のドレインに接続されている。即ち、トランジ
スタP1とP2,P3およびP4はカレントミラー回路
を構成している。オペアンプOPA2の入力端子(+)
はトランジスタP1のドレインに接続され、その反転入
力端子(−)はトランジスタP2のドレインに接続さ
れ、出力端子はトランジスタP5,P6およびP7のゲ
ートに接続されている。なお、トランジスタP5,P6
およびP7のソースはそれぞれトランジスタP2,P3
およびP4のドレインに接続されている。
【0034】ソース電流発生部20において、トランジ
スタN0から出力される基準電流Iref は、ダイオード
接続されたpMOSトランジスタP1に入力される。オ
ペアンプOPA2には、トランジスタP1のドレイン電
圧とトランジスタP2のドレイン電圧がそれぞれ入力さ
れているので、これらのトランジスタのドレイン電圧差
に応じてオペアンプOPA2の出力電圧が設定され、当
該出力電圧に応じてトランジスタP5,P6およびP7
のゲート電圧が設定される。このため、トランジスタP
5,P6およびP7のドレインから基準電流Iref に応
じた電流Iout0,Iout1およびIout2がそれぞれ出力さ
れる。なお、トランジスタP5のドレインから出力され
る電流Iout0は、基準電流としてシンク電流発生部30
に入力される。ソース電流発生部20の他の出力電流I
out1およびIout2は、例えば、それぞれの負荷回路に供
給される。
【0035】シンク電流発生部30において、nMOS
トランジスタN1のゲートは、nMOSトランジスタN
2およびN3のゲートに接続され、これらのゲート同士
の接続点はトランジスタN1のドレインに接続されてい
る。トランジスタN1,N2およびN3のソースはとも
に接地されている。即ち、トランジスタN1,N2およ
びN3はカレントミラー回路を構成している。
【0036】オペアンプOPA3の入力端子(+)はト
ランジスタN1のドレインに接続され、その反転入力端
子(−)はトランジスタN2のドレインに接続されてい
る。トランジスタN4およびN5のゲートはオペアンプ
OPA3の出力端子に接続されている。トランジスタN
4のソースはトランジスタN2のドレインに接続され、
トランジスタN5のソースはトランジスタN3のドレイ
ンに接続されている。
【0037】トランジスタN1のドレインにソース電流
発生回路20からの基準電流Iout0が入力される。トラ
ンジスタN1のドレイン電圧とトランジスタN2のドレ
イン電圧がオペアンプOPA3に入力され、これらのト
ランジスタのドレイン電圧間の差電圧に応じてオペアン
プOPA3の出力電圧が設定される。オペアンプOPA
3の出力電圧に応じて、トランジスタN4およびN5の
ゲート電圧が設定されるので、トランジスタN4および
N5のドレインからトランジスタN1に入力される基準
電流Iout0に応じたシンク電流Iout3およびIout4がそ
れぞれ出力される。
【0038】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、カレントミラー回路を構成するペアトランジスタの
ドレイン−ソース間電圧をオペアンプによってほぼ等し
いレベルに保持されているので、カレントミラー回路を
構成するトランジスタのサイズなどを適宜に設定するこ
とにより、基準電流Iref に基づいて、任意の電流を供
給することができ、電源電圧まはた温度などの変化に影
響されることなく、安定した電流を供給できる。また、
カレントミラー回路を構成するペアトランジスタのドレ
イン−ソース間電圧をオペアンプにより同電位に制御し
ているため、ゲート長の小さいトランジスタを使用して
も、ペアトランジスタの出力抵抗の低下による基準電流
と出力電流間のミスマッチは抑制され、レイアウト面積
を小さくできる。さらに、カスコード型のカレントミラ
ー回路に比べて低電源電圧での動作が可能である。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電流源回
路によれば、カレントミラー回路の出力抵抗を見かけ上
大きくできるので、広い電源電圧範囲で所望の定電流を
得られる。本発明の電流源回路は、従来のカスコード型
カレントミラー回路と同程度の出力抵抗を持ち、且つ低
電圧で動作することが可能できる。さらに、本発明にお
いては、カレントミラー回路を構成するペアトランジス
タのドレイン−ソース間電圧が同電位になるように制御
されているため、比較的にゲート長の短いトランジスタ
を使用しても基準電流と出力電流間のミスマッチを小さ
く抑制でき、レイアウト面積の縮小を実現できる利点が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る電流源回路の第1の実施形態を示
す回路図である。
【図2】本発明に係る電流源回路の第2の実施形態を示
す回路図である。
【図3】本発明に係る電流源回路の第3の実施形態を示
す回路図である。
【図4】カレントミラー回路により構成された一般的な
電流源回路の構成を示す回路図である。
【図5】カスコード型カレントミラー回路により構成さ
れた電流源回路を示す回路図である。
【符号の説明】
10…基準電流発生部、20…ソース電流発生部、30
…シンク電流発生部、N0,N1,N3,N4,N5,
N6…nMOSトランジスタ、P1,P2,P3,P
4,P5,P6,P7…pMOSトランジスタ、OPA
1,OPA2,IPA3…オペアンプ、R0…抵抗素
子、Iref …基準電流、VCC…電源電圧、GND…接地
電位。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1の電圧源と第2の電圧源との間に直列
    に接続されている定電流源と第1のトランジスタと、 電流出力端子と上記第2の電圧源との間に直列に接続さ
    れている第2と第3のトランジスタと、 入力端子が上記定電流源と上記第1のトランジスタとの
    接続点に接続され、反転入力端子が上記第2と第3のト
    ランジスタとの接続点に接続され、出力端子が上記第3
    のトランジスタの制御端子に接続されている差動増幅回
    路とを有し、 上記第1と第2のトランジスタの制御端子が接続され、
    当該制御端子同士の接続点が上記定電流源と上記第1の
    トランジスタとの接続点に接続され、上記電流出力端子
    から上記定電流源の供給電流に応じた電流が出力される
    電流源回路。
  2. 【請求項2】第2の電流出力端子と上記第2の電圧源と
    の間に直列に接続されている第4と第5のトランジスタ
    を有し、 上記第4のトランジスタの制御端子が上記第2のトラン
    ジスタの制御端子に接続され、上記第5のトランジスタ
    の制御端子が上記差動増幅回路の出力端子に接続され、
    上記第2の電流出力端子から上記定電流源の供給電流に
    応じた第2の電流が出力される請求項1記載の電流源回
    路。
  3. 【請求項3】上記トランジスタはnチャネル絶縁ゲート
    型電界効果トランジスタであり、上記第2の電圧源は接
    地電位を供給し、上記第1の電圧源は上記接地電位より
    高い電圧を供給する請求項1記載の電流源回路。
  4. 【請求項4】上記トランジスタはpチャネル絶縁ゲート
    型電界効果トランジスタであり、上記第1の電圧源は接
    地電位を供給し、上記第2の電圧源は上記接地電位より
    高い電圧を供給する請求項1記載の電流源回路。
JP10279802A 1998-10-01 1998-10-01 電流源回路 Pending JP2000114891A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10279802A JP2000114891A (ja) 1998-10-01 1998-10-01 電流源回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10279802A JP2000114891A (ja) 1998-10-01 1998-10-01 電流源回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000114891A true JP2000114891A (ja) 2000-04-21

Family

ID=17616128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10279802A Pending JP2000114891A (ja) 1998-10-01 1998-10-01 電流源回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000114891A (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6587000B2 (en) 2001-03-26 2003-07-01 Nec Electronics Corporation Current mirror circuit and analog-digital converter
JP2006146170A (ja) * 2004-11-23 2006-06-08 Samsung Sdi Co Ltd データ駆動部,発光表示装置,及び電流範囲制御回路
JP2006201761A (ja) * 2004-12-21 2006-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電流駆動装置,データドライバ,および表示装置
JP2006238447A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Infineon Technologies Ag 可変増幅器およびその使用
US7425870B2 (en) 2005-03-10 2008-09-16 Semiconductor Technology Academic Research Center Current mirror circuit
US7965125B2 (en) 2009-03-24 2011-06-21 Freescale Semiconductor, Inc. Current drive circuit
JP2013544060A (ja) * 2010-12-16 2013-12-09 ザイリンクス インコーポレイテッド カレントミラーおよび高コンプライアンス単段増幅器
CN106383546A (zh) * 2016-08-31 2017-02-08 厦门优迅高速芯片有限公司 一种用于dac输出端的高线性度电流镜电路
US9680483B2 (en) 2014-01-21 2017-06-13 Fujitsu Limited Current mirror circuit and charge pump circuit
CN108572686A (zh) * 2018-07-18 2018-09-25 深圳市富满电子集团股份有限公司 一种应用于ac-dc系统的恒流装置
CN113014209A (zh) * 2021-02-23 2021-06-22 成都西瓴科技有限公司 一种基于稳定带宽电路的浮空偏置动态放大电路
CN115407820A (zh) * 2022-09-01 2022-11-29 苏州明彰半导体技术有限公司 自适应电流镜电路

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6587000B2 (en) 2001-03-26 2003-07-01 Nec Electronics Corporation Current mirror circuit and analog-digital converter
JP2006146170A (ja) * 2004-11-23 2006-06-08 Samsung Sdi Co Ltd データ駆動部,発光表示装置,及び電流範囲制御回路
JP4504894B2 (ja) * 2004-11-23 2010-07-14 三星モバイルディスプレイ株式會社 データ駆動部,発光表示装置,及び電流範囲制御回路
JP2006201761A (ja) * 2004-12-21 2006-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電流駆動装置,データドライバ,および表示装置
US7889005B2 (en) 2005-02-23 2011-02-15 Infineon Technologies Ag Controllable amplifier and the use thereof
JP2006238447A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Infineon Technologies Ag 可変増幅器およびその使用
JP4664835B2 (ja) * 2005-02-23 2011-04-06 インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト 可変増幅器を備えた調整器構造
US7425870B2 (en) 2005-03-10 2008-09-16 Semiconductor Technology Academic Research Center Current mirror circuit
US7622993B2 (en) 2005-03-10 2009-11-24 Semiconductor Technology Academic Research Center Current mirror circuit
US7965125B2 (en) 2009-03-24 2011-06-21 Freescale Semiconductor, Inc. Current drive circuit
JP2013544060A (ja) * 2010-12-16 2013-12-09 ザイリンクス インコーポレイテッド カレントミラーおよび高コンプライアンス単段増幅器
US9680483B2 (en) 2014-01-21 2017-06-13 Fujitsu Limited Current mirror circuit and charge pump circuit
US9787178B2 (en) 2014-01-21 2017-10-10 Fujitsu Limited Current mirror circuit and charge pump circuit
CN106383546A (zh) * 2016-08-31 2017-02-08 厦门优迅高速芯片有限公司 一种用于dac输出端的高线性度电流镜电路
CN108572686A (zh) * 2018-07-18 2018-09-25 深圳市富满电子集团股份有限公司 一种应用于ac-dc系统的恒流装置
CN108572686B (zh) * 2018-07-18 2024-02-06 富满微电子集团股份有限公司 一种应用于ac-dc系统的恒流装置
CN113014209A (zh) * 2021-02-23 2021-06-22 成都西瓴科技有限公司 一种基于稳定带宽电路的浮空偏置动态放大电路
CN113014209B (zh) * 2021-02-23 2023-09-19 成都西瓴科技有限公司 一种基于稳定带宽电路的浮空偏置动态放大电路
CN115407820A (zh) * 2022-09-01 2022-11-29 苏州明彰半导体技术有限公司 自适应电流镜电路

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI390829B (zh) 疊接(Cascode)電路及半導體裝置
US8476967B2 (en) Constant current circuit and reference voltage circuit
JP2008015925A (ja) 基準電圧発生回路
JPH06204838A (ja) 基準電圧発生器及び基準電圧の発生方法
US5959446A (en) High swing current efficient CMOS cascode current mirror
JP2006190946A (ja) 温度に鈍感な飽和電流を有するmosトランジスタ及びそれを用いた定電圧発生器
JP2000114891A (ja) 電流源回路
KR101080560B1 (ko) 트랜스컨덕턴스 조정 회로
US6940338B2 (en) Semiconductor integrated circuit
US9523995B2 (en) Reference voltage circuit
JP2006338434A (ja) 基準電圧発生回路
US20210286394A1 (en) Current reference circuit with current mirror devices having dynamic body biasing
US5739682A (en) Circuit and method for providing a reference circuit that is substantially independent of the threshold voltage of the transistor that provides the reference circuit
US6965270B1 (en) Regulated cascode amplifier with controlled saturation
JP4263056B2 (ja) 基準電圧発生回路
JP3024645B1 (ja) 定電圧発生回路
JP4868868B2 (ja) 基準電圧発生回路
JP2005044051A (ja) 基準電圧発生回路
US7961037B2 (en) Intermediate potential generation circuit
JP2550871B2 (ja) Cmos定電流源回路
JP3227711B2 (ja) 基準電圧発生回路
KR100273076B1 (ko) 증폭기 장치 및 그것들을 구비하는 집적회로
KR100380978B1 (ko) 기준전압 발생기
JPH0934566A (ja) 電流源回路
KR100554441B1 (ko) 캐스코드 전류 미러의 전류 바이어스 회로