JP2000113979A - 有機ｅｌパネル及びその製造方法 - Google Patents

有機ｅｌパネル及びその製造方法

Info

Publication number
JP2000113979A
JP2000113979A JP10282666A JP28266698A JP2000113979A JP 2000113979 A JP2000113979 A JP 2000113979A JP 10282666 A JP10282666 A JP 10282666A JP 28266698 A JP28266698 A JP 28266698A JP 2000113979 A JP2000113979 A JP 2000113979A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
organic
pixel
light emitting
developer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10282666A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3031356B1 (ja
Inventor
Yoshikazu Sakaguchi
嘉一 坂口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP10282666A priority Critical patent/JP3031356B1/ja
Priority to TW088117191A priority patent/TW443074B/zh
Priority to US09/411,973 priority patent/US6514649B1/en
Priority to KR1019990042818A priority patent/KR100311265B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of JP3031356B1 publication Critical patent/JP3031356B1/ja
Publication of JP2000113979A publication Critical patent/JP2000113979A/ja
Priority to US10/356,977 priority patent/US6794816B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G13/00—Electrographic processes using a charge pattern
    • G03G13/22—Processes involving a combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】有機ＥＬパネルの微細化、カラー化には、メタ
ルマスクプレートをもちいて、スライドさせる方法等が
ある。しかし、マスクの自重、熱膨張による歪みが生じ
る、マスクの位置精度、蒸着の回り込みによる分離不足
が発生する等の問題がある。 【解決手段】少なくとも一方が透明または半透明の対向
する一対の電極間に有機発光材料を積層した有機ＥＬパ
ネルの製造方法において、透明電極２側に電荷発生層
３、電荷移動層４を有する感光体を形成し、その感光体
を帯電、露光し静電潜像を形成する。その露光部または
非露光部を、粉体現像剤を用いて現像を行い、帯電した
粉体現像剤からなる分離隔壁を形成する。次いで、真空
蒸着法により発光層、電子輸送層、陰極を一様蒸着し、
その蒸着後、分離隔壁に用いた現像剤を転写により取り
去ることにより、発光層、電子輸送層、陰極の積層体も
一緒に選択的に除去して、発光パターン形成、陰極分離
を行って、画素形成を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンスパネルの製造方法、特に、有機エレクトロ
ルミネッセンスパネルにおける画素形成方法ならびにカ
ラー塗り分け方法に関するものである。なお、本明細書
において以下、エレクトロルミネッセンスを『ＥＬ』と
称する。
【０００２】
【従来の技術】特開平５−１０８０１４公報には、無機
ＥＬパネルの製造方法が開示されている。この無機ＥＬ
パネルの製造方法においては、図２２に示したように、
同一表示カラーの画素用の発光膜部分に対応する窓パタ
ーン１９Ａをもつマスクプレート１９を、（透明基板１
上に透明電極２と絶縁層１７とが積層された）パネル基
板に非常に近接して配設した状態で、絶縁層１７上の窓
パターン１９Ａに対応する位置に同一表示カラーの無機
発光層１８を選択的にかつ一斉に蒸着源２０から成膜す
る工程を、各色ごとにマスクプレート１９の位置をずら
して順次実行して、表示カラーの異なる発光膜部分を各
色ごとに位置をずらして順次成膜する。以下、この方法
を第１の従来方法と称する。
【０００３】また、特開平７−１２１０５６には、プラ
ズマディスプレイや液晶ディスプレイのカラーフィルタ
の製造方法が開示されている。この方法によれば、有機
光導電層を有する感光体層を形成した基板を所望の極性
に帯電し、選択的に露光して静電潜像を形成したのち、
無機顔料を分散した現像剤を付着させパターンを形成
し、該基板を焼成して、有機光導電層を除去して、所望
のパターンを得ることができる。以下、この方法を第２
の従来方法と称する。
【０００４】更に、液晶ディスプレイのカラーフィルタ
の製造方法としてフォトリソグラフィーを利用した顔料
分散法が考えられる。これは、着色顔料を分散した感光
性ポリマーを基板に塗布した後、フォトマスクを介して
露光し、更に現像、エッチングを行って着色パターンを
形成することを、レッド、グリーン、ブルーの各色ごと
と繰り返す方法である。以下、この方法を比較例の方法
と称する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記各色に応じてマス
クプレートをスライドさせる第１の従来方法は、マスク
プレートの自重、蒸着時の輻射熱による熱膨張でマスク
プレートの撓み、歪みが発生すること、マスクプレート
の微細な位置制御が難しいこと等の理由のために、各層
が重なり、分離不足が発生しやすい問題があり、そのた
め、歩留りの観点から大画面化が困難である等の欠点が
ある。また、マスクプレートは薄い金属板にフォトエッ
チングによりパターンを開けて作成するが、微細になれ
ば切れやすくなり、マスクプレート自体の作製も難しく
なる。更に、マスクプレートと基板との接触時の傷によ
る各画素のショート対策のためにマスクプレートと基板
を離す必要があるが、蒸着時に蒸着材料の回り込みが発
生し、微細化に限界がある。
【０００６】感光体の静電潜像を無機顔料の分散現像剤
で現像後、焼成して感光体を除去する第２の従来方法
は、有機ＥＬパネルには発光層や電荷輸送層等に耐熱性
の無い有機材料を用いているため、有機ＥＬパネルにお
いては用いることができない。また、有機ＥＬパネルで
は、白色発光材料が現在のところ無いので、カラーフィ
ルタを利用することは困難である。更に、顔料分散方式
を有機ＥＬパネルのカラー化へ応用する比較例の方法の
場合、有機ＥＬ材料は水分に非常に弱いため、パターン
ニングにおいて、感光性ポリマーを基板に塗布した後、
フォトマスクを介して露光し、更に現像、エッチング等
のウェットプロセスを行うため、ダークスポットの発
生、成長、有機層−陰極界面剥離等で画素欠陥が発生し
やすい。
【０００７】以上のように、従来、現実的で効果的に微
細化及び／またはカラー化が実現できる有機ＥＬパネル
の製造方法はなかった。本発明は、上記問題を鑑みてな
されたものであって、有機ＥＬパネルにおいて画素にダ
メージが少なく、簡便な方法で微細化、カラー化が図れ
る有機薄膜ＥＬパネルの製造方法を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、少なくとも一方が透明または半透明の対向する一対
の電極間に有機発光材料を積層した有機ＥＬパネルにお
いて、画素発光層と画素電極とを形成する本発明による
方法は、透明または半透明の共通電極が一方の面に形成
された透明基板を用意し、前記共通電極上に、電荷発生
層と電荷移動層とを有する感光性薄膜を形成し、前記感
光性薄膜を一様帯電して、所与のパターンで露光して静
電潜像を形成し、前記感光性薄膜の露光部または非露光
部を、粉体現像剤を用いて現像し、帯電した前記粉体現
像剤からなる分離隔壁を形成し、発光層と電子輸送層と
画素電極層とを順番に一様に堆積し、堆積後、前記静電
潜像の電荷を利用して、前記分離隔壁に用いた前記粉体
現像剤を転写により、その堆積体を選択的に一緒に取り
去り、画素発光層のパターン形成と画素電極層の分離を
同時に行い、所望の画素パターンの画素発光層と画素電
極とを形成することを特徴とする。
【０００９】また、少なくとも一方が透明または半透明
の対向する一対の電極間に有機発光材料を積層したカラ
ー有機ＥＬパネルにおいて、各色の画素発光層と画素電
極とを互いに分離して形成する本発明による方法は、透
明または半透明の共通電極が一方の面に形成された透明
基板を用意し、前記共通電極上に、電荷発生層と電荷移
動層とを有する感光性薄膜を形成し、前記感光性薄膜を
一様帯電して、レッド、グリーン及びブルーの３色の内
の第１の色のためのパターンで露光して静電潜像を形成
し、前記感光性薄膜の露光部または非露光部を、粉体現
像剤を用いて現像し、帯電した前記粉体現像剤からな
り、前記第１の色の画素領域以外の領域を覆う第１のマ
スクを形成し、前記第１の色の発光層と電子輸送層と画
素電極層とを順番に一様に堆積し、堆積後、静電潜像の
電荷を利用して、前記第１のマスクに用いた前記粉体現
像剤を転写により、その堆積体を選択的に一緒に取り去
り、前記第１の色の画素パターンの画素発光層と画素電
極とを形成し、前記感光性薄膜を一様帯電して、レッ
ド、グリーン及びブルーの３色の内の第２の色のための
パターンで露光して静電潜像を形成し、前記感光性薄膜
の露光部または非露光部を、粉体現像剤を用いて現像
し、帯電した前記粉体現像剤からなり、前記第２の色の
画素領域以外の領域を覆う第２のマスクを、前記第１の
マスクの位置からずれた位置に形成し、前記第２の色の
発光層と電子輸送層と画素電極層とを順番に一様に堆積
し、堆積後、静電潜像の電荷を利用して、前記第２のマ
スクに用いた前記粉体現像剤を転写により、その堆積体
を選択的に一緒に取り去り、前記第２の色の画素パター
ンの画素発光層と画素電極とを形成し、前記感光性薄膜
を一様帯電して、レッド、グリーン及びブルーの３色の
内の第３の色のためのパターンで露光して静電潜像を形
成し、前記感光性薄膜の露光部または非露光部を、粉体
現像剤を用いて現像し、帯電した前記粉体現像剤からな
り、前記第３の色の画素領域以外の領域を覆う第３のマ
スクを、前記第１のマスクの位置からも前記第３のマス
クの位置からもずれた位置に形成し、前記第３の色の発
光層と電子輸送層と画素電極層とを順番に一様に堆積
し、堆積後、静電潜像の電荷を利用して、前記第３のマ
スクに用いた前記粉体現像剤を転写により、その堆積体
を選択的に一緒に取り去り、前記第３の色の画素パター
ンの画素発光層と画素電極とを形成し、それぞれの所望
の画素パターンのレッド、グリーン及びブルーの３色の
画素発光層と画素電極とを形成することを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明の有機ＥＬパネルの製造方法によれば、
ガラス等透明基板に成膜した透明または半透明の共通電
極上に有機感光体を形成、帯電し、所与のパターンに選
択的に露光して静電潜像を形成したのち、発光部以外の
部分に静電潜像を形成し、前記静電潜像を、一定の粒
径、帯電量を有する粉体現像剤を用いて現像を行い、画
素の分離隔壁を形成する。また、本発明のカラー有機Ｅ
Ｌパネルの製造方法によれば、各色ごとに、透明電極側
に形成した有機感光体を帯電、露光し、当該色の発光ド
ット以外の部分（すなわち、２色分のドット幅＋スペー
ス部分）の静電潜像を形成、現像剤を用いて現像し、現
像された部分で、密着マスクを形成する。ついで、当該
色の発光層、電子輸送層、及び画素電極層を順番に且つ
一様に例えば蒸着により形成後、分離隔壁または密着マ
スクを形成している現像剤をパネル基板から除去するこ
により、当該色の発光画素と画素電極を得る工程を、実
施する。
【００１１】得られる有機ＥＬパネルのドットピッチや
スペース幅は、露光精度と現像剤粒径により決定し、大
きさが１０μ程度の微細パターンが形成できる。また、
上記方法によると、前述した第１の従来方法のように基
板から離したマスクプレートを用いて真空蒸着法により
薄膜を形成した時の、マスクの浮きによる蒸着時の回り
込みがないため、色ずれ、位置ずれが発生せず、エッジ
のシャープなパネルが作製できる。マスクの位置合わせ
を行う必要がなく、真空プロセスを減らすことができる
ため、パネル作製プロセスを高速化できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、図を用いて、本発明につ
いて説明する。まず、図１に示すように、ガラス等の透
明基板１上に、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化ス
ズ薄膜等の透明な共通電極２を形成する。なお、共通電
極２は半透明でもよい。共通電極２を形成する薄膜形成
方法は、スパッタリング法、電子ビーム法、化学反応法
等いずれを用いても良い。透明電極２上に、有機電荷発
生層３と有機電荷移動層４からなる有機感光体層を形成
する。有機電荷発生層３には、例えばブチラール樹脂に
有機電荷発生剤を分散した塗液を用いて成膜する。有機
電荷発生剤には、無金属フタロシアニンや銅フタロシア
ニンやチタニルフタロシアニンやバナジルフタロシアニ
ン等のフタロシアニン化合物、ペリレン系色素、多環キ
ノン系色素、スクアリリウム色素、アズレニウム色素等
が使用できる。有機電荷発生層３は、少なくとも０．０
４μｍの膜厚を有していることが好ましい。
【００１３】有機電荷移動層４には、例えばポリカーボ
ネート樹脂にホール移動性有機化合物を分散した塗液を
用いて成膜する。ホール移動性有機化合物には、Ｎ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニ
ル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（Ｔ
ＰＤと略記）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス
（α−ナフチル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−
ジアミン（α−ＮＰＤと略記）等のジアミン誘導体、
４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニル
アミノ）−トリフェニルアミンなどのアリールアミン系
誘導体、オキサジアゾールやオキサゾールやピラゾリン
等の複素環式化合物、ヒドラゾン系化合物、縮合多環式
化合物等が使用できる。この有機電荷移動層４も、少な
くとも０．０４μｍの膜厚を有していることが好まし
い。
【００１４】電荷発生層３と電荷移動層４の薄膜形成方
法は、ディップによる方法、スピンコート法どちらを用
いてもよい。電荷発生層３と電荷移動層４からなる有機
感光体層の膜厚は、キャリアの移動度、光をガラス基板
側から取り出すことを考慮して、できるだけ薄い方が好
ましい。しかし、薄すぎるとピンホール等で絶縁破壊が
起きる。一方、有機感光体層の膜厚が厚くなると、完成
した有機ＥＬパネルの必要な駆動電圧が高くなり過ぎる
ので、上限は、２５μｍ程度が好ましい。総合的に考え
て、更に好ましくは、有機感光体層の膜厚は、０．１〜
５μｍ程度とするのがよい。そして、電荷発生層３と電
荷移動層４との膜厚の比は、１：１から１：２０が適当
である。
【００１５】この後の工程は幾つかの態様をとることが
できるので、態様ごとに説明する。 第１の態様 基板に形成した有機感光層を、図２に示すようにスコロ
トロンワイヤ５ａとグリッド５ｂを有するスコロトロン
などのコロナ帯電器５を用いて、または図３に示すよう
にブラシ式帯電器やブレード式帯電器やローラ式帯電器
等の接触式帯電器６を用いて、帯電させる。透明電極２
をグラウンド電位としたときの感光体帯電電位Ｖ0は、
形成する有機膜の膜厚や移動度により変わるが、負帯電
現像剤を用い、反転現像を行うとき、−３００〜−１２
００Ｖ程度である。
【００１６】次に、図４に示すように、反転現像の場
合、レーザーやＬＥＤ等の露光器８を用いて、蒸着する
目標の発光部以外の部分を選択的に走査してパターン露
光するか、蒸着する目標の発光部以外の部分を、パター
ンを形成したフォトマスクを介して一様露光を行う。す
なわち、形成したい画素発光層のドットパターンの反転
パターンに、帯電した感光体を露光する。このとき、透
明電極２はグラウンド電位に接続する。露光器の波長
は、電荷発生層の吸収波長である７８０ｎｍ前後であ
る。このとき、レーザー光等の光は、電荷発生層まで達
し、ホール−電子対を発生させ、それらホールと電子と
が解離し、電子は透明電極２を介してグラウンドに逃が
され、一方、ホールは、感光体表面の帯電電位Ｖ0に基
づく電界により電荷移動層に注入、移動し感光体表面ま
で到達する。表面に達したホールが、帯電電荷と結合し
て、帯電電荷が消滅することにより、図５に示すように
露光電位Ｖiの静電潜像９を形成する。大きい面積の基
板に比較的粗いパターンを形成するにはフォトマスクを
用いＬＥＤで一様露光することが効率的であり、一方、
より微細で複雑なパターンの形成にはレーザー走査露光
方式が有効である。
【００１７】ついで、透明電極２をグラウンド電位に維
持して、静電潜像を現像剤１０で現像する。現像剤１０
には、ポリエステル、スチレン−アクリル共重合体およ
びアクリルから選択した高分子に帯電制御剤（ＣＣＡ）
を混練したものを適当な粒径まで粉砕した粉砕現像剤、
または前記高分子の重合時に帯電制御剤（ＣＣＡ）を包
含させて適当な粒径まで重合した重合現像剤を用いる。
正帯電性帯電制御剤としては、ニグロシン染料や第４級
アンモニウム塩等を使用することができる。また、負帯
電性帯電制御剤としては、モノアゾ染料の金属錯体等の
電子受容性物質を使用することができる。
【００１８】現像剤を一様帯電し且つ静電潜像を現像す
るための現像器は、例えば、図２１に示す構造となって
いる。すなわち、図示の現像器は、現像剤１０を貯留す
るホッパ２１と、現像剤１０の帯電と静電潜像を形成し
た感光層への供給とを行う現像室２２とを有する。ホッ
パ２１内の現像剤１０は、撹拌部材２３によって撹拌さ
れ、図では反時計方向に回転駆動するローラで構成され
る現像剤供給部材２４によって、図では同じく反時計方
向に回転するローラで構成される現像剤担持体２５に供
給される。現像剤担持体２５は、例えば、ステンレス、
アルミニウム等の金属ローラと、その外周に設けたケッ
チェンブラックやアセチレンブラックで導電性を付与し
たシリコーン、ニトリル・ブタジエン共重合体、ウレタ
ンゴム等の弾性ゴム材料からなっている。この現像剤担
持体２５の表面の弾性部分は、ドクターブレードで構成
される薄層形成部材２６との接触圧を考慮してゴム硬度
がＪＩＳのＡ硬度計で30〜40度、更に、現像剤担持体の
低抵抗による静電潜像担持体へのリーク、高抵抗による
現像効率の低下、カブリ等を考慮して、最適現像効率が
得られるようにローラ表面と軸間の抵抗値が１０5〜１
０6Ωとなるようにする。また、後述する実施例で用い
る粒径が６μｍ程度の現像剤を均一に帯電、搬送させる
為には、現像剤担持体の十点平均表面粗さRzは、10μｍ
以下であることが望ましい。
【００１９】現像剤担持体２５に供給された現像剤１０
は、薄層形成部材２６によって摩擦帯電され且つ厚さが
規制され、現像剤１層から数層程度の均一な薄層とな
る。薄層形成部材２６は、ステンレス、リン青銅等の金
属薄板のバネ材からなる。現像剤担持体上に薄層となっ
た帯電現像剤は、現像剤担持体の回転にしたがって現像
剤担持体と感光体の対向部分まで運ばれ、感光体表面の
帯電電位Ｖ0、露光電位Ｖiと現像剤担持体に印加されて
いる現像バイアスＶbとの電位差に基づく電界により、
感光体表面の静電潜像に移動して像を形成する（図
５）。現像剤担持体と有機感光体は、接触していても良
いし、近接した距離であれば、現像剤は電界により感光
体へ飛翔するので、１００〜３００μｍ程度離れていて
も良い。非接触現像を行うことで非現像部へのカブリや
チリを減少させることができる。
【００２０】図５に示す現像は、感光体電位と現像剤の
帯電極性が同極性の反転現像法である。画素のドットパ
ターンの反転パターンで露光されて形成させた図５に示
す静電潜像では、露光電位Ｖiが反転パターンに分布
し、帯電電位Ｖ0（負電位）が画素のドットパターンに
分布している。そのような静電潜像を、負帯電現像剤１
０で現像すると、負帯電現像剤１０は、帯電電位Ｖ0
（負電位）の画素のドットパターン部分には付着せず、
露光電位Ｖiの反転パターン部分にのみ付着する。な
お、現像プロセスとしては、図５に示すように感光体電
位と現像剤の帯電極性が同極性の反転現像法と、後述す
る感光体電位と現像剤の帯電が逆極性の正現像法との２
つあるが、どちらを用いてよい。比較的広い領域を現像
するには正現像法が有効であり、微細領域を現像するに
は反転現像が有効である。現像器を用いて静電潜像を現
像することにより、図６に示すように、発光ドットを互
いに分ける分離隔壁１１が付着現像剤で形成される。
【００２１】次に、図６示すように、透明電極２を正電
位にバイアスして、例えば真空蒸着法により、発光層１
２を形成する。グリーンまたはレッドの発光層１２を形
成するためには、ホストにトリス（８−キノリノール）
アルミニウム（アルミキノリン錯体）に代表される８−
ヒドロキシキノリン金属錯体、１，４−ビス（２−メチ
ルスチリル）ベンゼン等のジスチリルベンゼン誘導体、
ビススチリルアントラセン誘導体、クマリン誘導体、ペ
リレン誘導体等を使用して、グリーンまたはレッドのた
めのドーパントを共蒸着する。グリーンのドーパントと
しては、キナクリドン、２，９−ジメチルキナクリドン
等キナクリドン誘導体、または３−（２−ベンゾチアゾ
リル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン５４
０）等のクマリン誘導体を使用する。レッドのドーパン
トとしては、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−
（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣ
Ｍと略記）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−
〔２−（９−ユロリジル）エテニル〕−４Ｈ−チオピラ
ン等のジシアノメチレンピラン色素、フェノキサゾン誘
導体、またはスクアリリウム色素を使用する。ブルーの
発光層１２は、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペ
ンタフェニルシクロペンタジエン、テトラフェニルブタ
ジエン誘導体、ペリレン誘導体、ジベンゾナフタセン、
ベンゾピレン等を蒸着して形成する。
【００２２】次に、トリス（８−キノリノール）アルミ
ニウム、ビス（８−キノリノール）マグネシウム等の８
−ヒドロキシキノリン金属錯体、オキサジアゾール誘導
体、ペリレン誘導体等の、電子をキャリアとする材料を
蒸着して電子輸送層１３を形成する。最後に、Ｍｇ：Ａ
ｇやＡｌ：Ｌｉを、それらの合金からまたは共蒸着法を
用いて、真空蒸着を行い画素電極層すなわち陰極１４を
形成する。かくして、付着現像剤の分離隔壁１１上と露
出感光体表面上とに一様に、発光層１２と電子輸送層１
３と画素電極層すなわち陰極１４とからなる３層膜（１
２＋１３＋１４）が形成される。
【００２３】蒸着後、図７に示すように、透明電極２を
負電位にバイアスして、発光部の分離壁に用いた現像剤
を、パネル基板から転写することにより取り去り、発光
パターン形成、陰極分離を行い、画素形成を行う。現像
剤を除去する方法としては、蒸着後基板上に厚さ１０μ
ｍ程度のポリエチレン等の高分子シートまたは無塵紙等
の転写媒体１５を配置し、転写媒体１５の背面からコロ
ナ帯電器（スコロトロンなど）や接触式帯電器（転写ロ
ーラなど）の転写部材１６により正電界を印加して、分
離壁に用いた現像剤を転写媒体１５に転写して取り去
る。このとき、３層膜（１２＋１３＋１４）も選択的
に、現像剤と一緒に除去され、３層膜（１２＋１３＋１
４）がパターニングされる。
【００２４】かくして、図８に示すように、発光部のパ
ターンの形成、陰極分離を行い、モノカラーの有機ＥＬ
パネルが完成する。すなわち、電荷移動層１４の上に、
発光層１２、電子輸送層１３及び画素電極すなわち陰極
１４とから３層積層体が、互いに分離されて形成され
る。そして、有機ＥＬパネルとしては、電荷発生層３が
正孔注入層として機能し、電荷移動層４が正孔輸送層と
して機能する。
【００２５】第２の態様 以上の第１の実施の態様では、反転現像を行ったが、上
述したように、正現像を行うこともできる。以下、正現
像の例を説明する。有機感光層を帯電するまでの工程
は、第１の実施の態様と同一である。しかし、正帯電現
像剤を用いて正現像を行うときも、感光体帯電電位Ｖ0
は、形成する有機膜の膜厚や移動度により変わるが、−
１００〜−１０００Ｖ程度である。
【００２６】図４に示す露光工程において、正現像の場
合、レーザーやＬＥＤ等の露光器８を用いて、蒸着する
目標の発光部を選択的に走査してパターン露光するか、
蒸着する目標の発光部を、パターンを形成したフォトマ
スクを介して一様露光を行う。すなわち、形成したい画
素発光層のドットパターンに、帯電した感光体を露光す
る。露光器の波長は、第１の実施の態様と同様に、電荷
発生層の吸収波長である７８０ｎｍ前後である。この場
合、露光電位Ｖiの分布パターンは、画素のドットパタ
ーンに対応し、帯電電位Ｖ0部分の分布パターンは、画
素のドットパターンの反転パターンに対応する。
【００２７】現像は、第１の実施の態様と同様に、図２
１に示すような現像器を使用して現像する。しかし、こ
の場合、現像剤１０は、正に帯電している。正帯電現像
剤を用いた正現像プロセスにおいても、現像剤担持体上
に薄層となった帯電現像剤は、現像剤担持体の回転にし
たがって現像剤担持体と感光体の対向部分まで運ばれ、
感光体表面の帯電電位Ｖ0、露光電位Ｖiと現像剤担持体
に印加されている現像バイアスＶbとの電位差に基づく
電界により、感光体表面の静電潜像に移動して像を形成
する（図９）。この場合、静電潜像を、正電現像剤１０
で現像すると、正電現像剤１０は、帯電電位Ｖ0（負電
位）の画素のドットパターンの反転パターン部分に付着
し、露光電位Ｖiの画素のドットパターンには付着しな
い。
【００２８】この場合も、第１の実施の態様と同様に、
現像剤担持体と有機感光体は、接触していても良いし、
近接した距離であれば、現像剤は電界により感光体へ飛
翔するので、１００〜３００μｍ程度離れていても良
い。非接触現像を行うことで非現像部へのカブリやチリ
を減少させることができる。
【００２９】図９に示す現像は、感光体電位と現像剤の
帯電極性が逆極性の正現像法である。画素のドットパタ
ーンで露光されて形成させた図９に示す静電潜像では、
露光電位Ｖiが画素のドットパターンに分布し、帯電電
位Ｖ0（負電位）が画素のドットパターンの反転パター
ンに分布している。そのような静電潜像を、透明電極２
をグラウンド電位にバイアスして、正帯電現像剤１０で
現像すると、正帯電現像剤１０は、帯電電位Ｖ0（負電
位）の反転パターン部分に付着し、露光電位Ｖiの画素
のドットパターンには付着しない。
【００３０】次に、図１０示すように、透明電極２を負
電位にバイアスして、例えば真空蒸着法により、発光層
１２、電子輸送層１３及び画素電極すなわち陰極１４と
から３層積層体を形成する。発光層１２、電子輸送層１
３及び画素電極すなわち陰極１４とから３層積層体を形
成する工程は、第１の実施の態様と同様であるので、説
明は省略する。蒸着後、図１１に示すように、発光部の
分離壁に用いた現像剤を、パネル基板から転写すること
により取り去り、発光パターン形成、陰極分離を行い、
画素形成を行う。現像剤を除去する方法としては、透明
電極２を正電位にバイアスして、蒸着後基板上に厚さ１
０μｍ程度のポリエチレン等の高分子シートまたは無塵
紙等の転写媒体１５を配置し、転写媒体１５の背面から
スコロトロン５のようなコロナ帯電器や接触式帯電器
（転写ローラなど）の転写部材により負電界を印加し
て、分離壁に用いた現像剤を転写媒体１５に転写して取
り去る。このとき、３層積層膜（１２＋１３＋１４）も
選択的に、現像剤と一緒に除去され、３層積層膜（１２
＋１３＋１４）がパターニングされる。
【００３１】かくして、図８に示すように、発光部のパ
ターンの形成、陰極分離を行い、モノカラーの有機ＥＬ
パネルが完成する。すなわち、電荷移動層１４の上に、
発光層１２、電子輸送層１３及び画素電極すなわち陰極
１４とから３層積層体が、互いに分離されて形成され
る。
【００３２】有機ＥＬパネルのカラー化方法、すなわ
ち、カラー有機ＥＬパネルの製造方法は、上述したモノ
カラーの有機ＥＬパネルの製造方法を、レッド、グリー
ン、ブルー３色の各色ごとに実行する。従って、以下の
説明において、各色ごとに実行する工程の詳細は、上述
したモノカラーの有機ＥＬパネルの製造方法と基本的に
同一であるので、各工程の詳細な説明は省略する。一
方、カラー有機ＥＬパネルの製造方法は、モノカラーの
有機ＥＬパネルの製造方法と同様に、感光体電位と現像
剤の帯電極性が同極性の反転現像法と、感光体電位と現
像剤の帯電極性が逆極性の正現像法との２つの態様で実
施できるので、各態様を以下に説明する。
【００３３】第３の態様 感光体電位と現像剤の帯電極性が同極性の反転現像法を
使用したカラー有機ＥＬパネルの製造方法は、以下の通
りである。上述したモノカラーの有機ＥＬパネルの製造
方法の第１の態様により、レッド、グリーン、ブルー３
色中の第１の色、例えば、レッドの発光層１２、電子輸
送層１３及び画素電極すなわち陰極１４とから３層積層
体を、電荷移動層４の上に形成した状態を、図１２に示
す。前述の第１の態様と異なる点は、反転現像の場合、
所望のレッドの発光ドット以外の部分を露光して静電潜
像を形成する際、そのレッドの発光ドット以外の部分
は、〔他２色分（すなわち、グリーン、ブルー）のドッ
ト幅〕＋〔各色を互い分離するスペース部〕に相当す
る。従って、そのような静電潜像を感光体と同じ帯電極
性現像剤を用いて現像して、分離隔壁を作成する。この
分離隔壁は、レッドの発光ドット以外の部分、すなわ
ち、〔他２色分のドット幅〕＋〔各色を互い分離するス
ペース部〕に相当する領域を覆っているので、カラー有
機ＥＬパネルの製造方法の場合、密着マスクと称する。
【００３４】図１２において、透明電極２をグラウンド
電位にバイアスし、更に好ましくは電荷移動層４を介し
てレッドの陰極１４をグラウンドにバイアスして、レッ
ドの発光層１２、電子輸送層１３及び画素電極すなわち
陰極１４とから３層積層体を電荷移動層４の上に形成し
た感光性薄膜を負電荷で一様帯電して、レッド、グリー
ン及びブルーの３色の内の第２の色、例えば、グリーン
のドッドパターンの反転パターンで露光して静電潜像を
形成する。なお、図面において図面の簡略化のために、
発光層１２と電子輸送層１３とを１つの有機層として描
いている。また、電荷移動層４を介してレッドの陰極１
４をグラウンドにバイアスした場合、レッドの陰極１４
上には負電荷は帯電しないが、形成される静電潜像が、
グリーンのドッドパターンの反転パターンに対応するこ
とには変わりがない。
【００３５】次いで、図１２に示すように、透明電極２
をグラウンド電位にバイアスし、一様帯電時に電荷移動
層４を介してレッドの陰極１４をグラウンドにバイアス
した場合には、電荷移動層４を介してレッドの陰極１４
を正電位にバイアスして、感光性薄膜の露光部を、負電
荷で帯電された粉体現像剤を用いて現像する。その結
果、図１３に示すように、粉体現像剤からなる分離隔壁
すなわち第２の密着マスク１１を形成する。この第２の
密着マスク１１は、負電荷に帯電した粉体現像剤からな
り、グリーンの発光ドット以外の部分、すなわち、〔他
２色分のドット幅〕＋〔各色を互い分離するスペース
部〕に相当する領域を覆っている。従って、第２の密着
マスク１１は、レッドの発光層１２、電子輸送層１３及
び画素電極すなわち陰極１４とから３層積層体上を覆っ
ており、且つ、レッドの発光層を形成するために使用し
た密着マスク（第１の密着マスクと称する）の位置から
ずれた位置に形成されている。
【００３６】その後、図１３に示すように、透明電極２
を正電位にバイアスして、グリーンの発光層と電子輸送
層と画素電極層とを順番に一様に真空蒸着法により蒸着
する。蒸着後、静電潜像の電荷を利用して、第２の密着
マスクに用いた粉体現像剤を転写により取り去り、グリ
ーンの画素パターンの画素発光層と画素電極とを形成す
る。この状態で、図１４に示すように、レッドの発光層
と電子輸送層と画素電極の３層積層体と、グリーンの発
光層と電子輸送層と画素電極の３層積層体とが電荷移動
層４の上に形成されている。
【００３７】図１４において、透明電極２をグラウンド
電位にバイアスし、更に好ましくは電荷移動層４を介し
てレッドとグリーンの陰極１４をグラウンドにバイアス
して、レッドの発光層と電子輸送層と画素電極の３層積
層体とグリーンの発光層と電子輸送層と画素電極の３層
積層体とが電荷移動層４の上に形成されている感光性薄
膜を一様帯電して、レッド、グリーン及びブルーの３色
の内の第３の色、すなわちブルーのドットパターンの反
転パターンで露光して静電潜像を形成する。電荷移動層
４を介してレッドとグリーンの陰極１４をグラウンドに
バイアスした場合、レッドとグリーンの陰極１４上には
負電荷は帯電しないが、形成される静電潜像が、ブルー
のドットパターンの反転パターンに対応することに変わ
りはない。
【００３８】次いで、図１４に示すように、透明電極２
をグラウンド電位にバイアスし、一様帯電工程で電荷移
動層４を介してレッドとグリーンの陰極１４をグラウン
ドにバイアスした場合には、電荷移動層４を介してレッ
ドとグリーンの陰極１４を正電位にバイアスして、感光
性薄膜の露光部を、負電荷で帯電された粉体現像剤を用
いて現像する。その結果、図１５に示すように、粉体現
像剤からなる分離隔壁すなわち第３の密着マスク１１を
形成する。この第３の密着マスク１１は、負電荷に帯電
した粉体現像剤からなり、ブルーの発光ドット以外の部
分、すなわち、〔他２色分のドット幅〕＋〔各色を互い
分離するスペース部〕に相当する領域を覆っている。従
って、第３の密着マスク１１は、レッドの発光層１２、
電子輸送層１３及び画素電極すなわち陰極１４とからな
る３層積層体上と、グリーンの発光層１２、電子輸送層
１３及び画素電極すなわち陰極１４とからなる３層積層
体上とを覆っており、且つ、レッドの発光層を形成する
ために使用した第１の密着マスクの位置からも、グリー
ンの発光層を形成するために使用した第２の密着マスク
の位置からもずれた位置に形成されている。
【００３９】その後、図１５に示すように、透明電極２
を正電位にバイアスして、ブルーの発光層と電子輸送層
と画素電極層とを順番に一様に真空蒸着法により蒸着す
る。蒸着後、静電潜像の電荷を利用して、第３の密着マ
スクに用いた粉体現像剤を転写により取り去り、グリー
ンの画素パターンの画素発光層と画素電極とを形成す
る。かくして、図１６に示すように、レッドの発光層と
電子輸送層と画素電極の３層積層体と、グリーンの発光
層と電子輸送層と画素電極の３層積層体と、ブルーの発
光層と電子輸送層と画素電極の３層積層体とが、互いに
分離されて、電荷移動層４の上に形成されている。
【００４０】第４の態様 感光体電位と現像剤の帯電極性が逆極性の正現像法を使
用したカラー有機ＥＬパネルの製造方法は、以下の通り
である。上述したモノカラーの有機ＥＬパネルの製造方
法の第２の態様により、レッド、グリーン、ブルー３色
中の第１の色、例えば、レッドの発光層１２、電子輸送
層１３及び画素電極すなわち陰極１４とから３層積層体
を、電荷移動層４の上に形成した状態を、図１７に示
す。前述の第２の態様と異なる点は、正現像の場合、所
望のレッドの発光ドットを露光して形成した静電潜像を
感光体帯電電荷の極性と逆極性の帯電極性現像剤を用い
て現像して形成される分離隔壁は、レッドの発光ドット
以外の部分、すなわち、〔他２色分（すなわち、グリー
ン、ブルー）のドット幅〕＋〔各色を互い分離するスペ
ース部〕に相当する領域を覆っていることであり、この
ように形成された分離隔壁は、第３の態様と同様に、密
着マスクと称する。
【００４１】図１７において、透明電極２をグラウンド
電位にバイアスして、更に好ましくは、レッドの陰極１
４を電荷移動層４を介してグラウンド電位にバイアスし
て、レッドの発光層１２、電子輸送層１３及び画素電極
すなわち陰極１４とから３層積層体を、電荷移動層４の
上に形成した感光性薄膜を一様帯電して、レッド、グリ
ーン及びブルーの３色の内の第２の色、例えば、グリー
ンのドッドパターンで露光して静電潜像を形成する。な
お、図面において図面の簡略化のために、第４の態様で
も、発光層１２と電子輸送層１３とを１つの有機層とし
て描いている。
【００４２】次いで、図１７に示すように、透明電極２
をグラウンドにバイアスし、レッドの陰極１４を電荷移
動層４を介して負電位にバイアスして、感光性薄膜の非
露光部を、正電荷に帯電した粉体現像剤を用いて現像
し、図１８に示すように、粉体現像剤からなる分離隔壁
すなわち第２の密着マスク１１を形成する。この第２の
密着マスク１１は、正電荷に帯電した粉体現像剤からな
り、グリーンの発光ドット以外の部分、すなわち、〔他
２色分のドット幅〕＋〔各色を互い分離するスペース
部〕に相当する領域を覆っている。従って、第２の密着
マスク１１は、レッドの発光層１２、電子輸送層１３及
び画素電極すなわち陰極１４とから３層積層体上を覆っ
ており、且つ、レッドの発光層を形成するために使用し
た密着マスク（第１の密着マスクと称する）の位置から
ずれた位置に形成されている。
【００４３】その後、図１８に示すように、透明電極２
を負電位にバイアスして、グリーンの発光層と電子輸送
層と画素電極層とを順番に一様に真空蒸着法により蒸着
する。蒸着後、静電潜像の電荷を利用して、第２の密着
マスクに用いた粉体現像剤を転写により取り去り、グリ
ーンの画素パターンの画素発光層と画素電極とを形成す
る。この状態で、図１９に示すように、レッドの発光層
と電子輸送層と画素電極の３層積層体と、グリーンの発
光層と電子輸送層と画素電極の３層積層体とが電荷移動
層４の上に形成されている。
【００４４】図１９において、透明電極２をグラウンド
電位にバイアスして、更に好ましくは、レッドとグリー
ンの陰極１４を電荷移動層４を介してグラウンド電位に
バイアスして、レッドの発光層と電子輸送層と画素電極
の３層積層体とグリーンの発光層と電子輸送層と画素電
極の３層積層体とが電荷移動層４の上に形成されている
感光性薄膜を一様帯電して、更に、レッド、グリーン及
びブルーの３色の内の第３の色、すなわちブルーのドッ
トパターンのパターンで露光して静電潜像を形成する。
【００４５】次いで、図１９に示すように、透明電極２
をグラウンド電位にバイアスして、レッドとグリーンの
陰極１４を電荷移動層４を介して負電位にバイアスし
て、感光性薄膜の非露光部を、正電荷で帯電した粉体現
像剤を用いて現像し、図２０に示すように、粉体現像剤
からなる分離隔壁すなわち第３の密着マスク１１を形成
する。この第３の密着マスク１１は、正電荷に帯電した
粉体現像剤からなり、ブルーの発光ドット以外の部分、
すなわち、〔他２色分のドット幅〕＋〔各色を互い分離
するスペース部〕に相当する領域を覆っている。従っ
て、第３の密着マスク１１は、レッドの発光層１２、電
子輸送層１３及び画素電極すなわち陰極１４とからなる
３層積層体上と、グリーンの発光層１２、電子輸送層１
３及び画素電極すなわち陰極１４とからなる３層積層体
上とを覆っており、且つ、レッドの発光層を形成するた
めに使用した第１の密着マスクの位置からも、グリーン
の発光層を形成するために使用した第２の密着マスクの
位置からもずれた位置に形成されている。
【００4６】その後、図２０に示すように、透明電極２
を負電位にバイアスして、ブルーの発光層と電子輸送層
と画素電極層とを順番に一様に真空蒸着法により蒸着す
る。蒸着後、静電潜像の電荷を利用して、第３の密着マ
スクに用いた粉体現像剤を転写により取り去り、グリー
ンの画素パターンの画素発光層と画素電極とを形成す
る。かくして、図１６に示すように、レッドの発光層と
電子輸送層と画素電極の３層積層体と、グリーンの発光
層と電子輸送層と画素電極の３層積層体と、ブルーの発
光層と電子輸送層と画素電極の３層積層体とが、互いに
分離されて、電荷移動層４の上に形成されている。な
お、上述したプロセスは、任意に且つ微細領域に露光、
現像を行うことができるので、成膜順序は任意でよい。
【００４７】
【実施例】実施例１ 厚さ０．７ｍｍのガラス基板に陽極としてスパッタによ
りＩＴＯ膜を２０ｎｍを形成し、リソグラフィーとウェ
ットエッチングにより透明電極を形成した。シート抵抗
は、１５Ω／□で、配線幅３００μｍ、スペース幅３０
μｍであった。その上に塗膜する電荷発生層（正孔注入
層）としてチタニルフタロシアニンとブチラール樹脂を
重量比で３．０：１となるよう秤量し、ＴＨＦ（テトラ
ヒドロフラン）に溶かしミキサーで分散させ、固形分比
率３ｗｔ％の分散塗料を作製した。該塗料をディッピン
グにより該ガラス基板の塗膜、乾燥し膜厚３００ｎｍの
薄膜を形成した。
【００４８】電荷輸送層（正孔輸送層）として、Ｎ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニ
ル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンとポ
リカーボネートを重量比で２．５：１となるよう秤量
し、ジクロロメタンに溶かし固形分比率３ｗｔ％の分散
塗料を作製した。ジクロロメタンに溶かした塗液をディ
ッピングにより膜厚３００ｎｍの薄膜を形成した。上記
のように有機感光体を形成した基板を、帯電ローラを用
いた接触式帯電器を用いて帯電させる。帯電ローラへの
印加電圧−７００Ｖ、定電圧制御でガラス基板への表面
帯電電位Ｖ0は−４００Ｖであった。
【００４９】次に、半導体レーザーを用いて、ＩＴＯの
配線パターンに直交するように陰極間スペース部以外の
部分（所望の画素パターンの箇所）に対して選択的にパ
ターン露光を行った。露光器の波長は、電荷発生剤の吸
収波長である７８０ｎｍである。露光量は０．３ｍＷ／
ｃｍ2、露光スポット径は１０μｍ、露光幅３０μｍ
で、露光電位Ｖi＝−４０Ｖの静電潜像を得た。次に、
現像剤として用いる現像剤には、スチレン−アクリル共
重合体の重合時に正帯電性帯電制御剤（ＣＣＡ）を包含
させた体積中心粒径６μｍ、平均帯電量８μC／ｇの球
形の重合現像剤を用いて、現像バイアスＶb＝−１６０
Ｖを現像剤担持体（ローラ）２５に印加し現像を行い、
陰極間のスペース部（非露光部）に現像剤（分離壁）を
付けた。
【００５０】その上に、グリーンの発光層として、ホス
トにトリス（８−キノリノール）アルミニウム（アルミ
キノリン錯体）、ドーパントとしてキナクリドン（ドー
ピング濃度５ｗｔ％）を２５ｎｍ共蒸着し、続いて電子
輸送層としてトリス（８−キノリノール）アルミニウム
を３０ｎｍ蒸着により形成した。次に、電極としてＭ
ｇ：Ａｇを二源からの共蒸着により１５０ｎｍ蒸着し陰
極を形成した。
【００５１】最後に、蒸着後の基板上に厚さ１０μｍ程
度の無塵紙を配置し、転写ローラを用いて、転写バイア
スＶp ＝−４００Ｖを印加し、分離壁に用いた現像剤を
パネル基板から無塵紙に転写、除去することにより取り
去る。かくして、発光パターン形成、陰極分離を行い、
画素形成を行った。ドットピッチ３００×３００μｍ、
スペース３０μｍ、画素数 ２５６×６４ドットのグリ
ーンパネルが作製できた。
【００５２】実施例２ 厚さ１．１ｍｍのガラス基板に陽極としてスパッタによ
りＩＴＯ膜を２０ｎｍを形成し、リソグラフィーとウェ
ットエッチングにより透明電極を形成した。シート抵抗
は、１５Ω／□で、配線幅は１６０μｍ、スペース５０
μｍであった。電荷発生層（正孔注入層）として銅フタ
ロシアニンとブチラール樹脂を重量比で３．０：１とな
るよう秤量し、ＴＨＦに溶かしミキサーで分散させ、固
形分比率５ｗｔ%の分散塗料を作製した。該塗料を、ガ
ラス基板にＩＴＯ薄膜を形成した基板上に、スピンコー
トにより膜厚２００ｎｍの薄膜を形成した。
【００５３】電荷輸送層（正孔輸送層）として、Ｎ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（α−ナフチル）−
１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンとポリカー
ボネートを重量比で２．５：１となるよう秤量し、ジク
ロロメタンに溶かし固形分比率２ｗｔ％の分散塗料を作
製した。該塗液をスピンコートによりガラス基板上に膜
厚３００ｎｍの薄膜を形成した。上記したように有機感
光体を形成した基板に、スコロトロンを用いて表面の帯
電電位Ｖ0＝−４００ｖに帯電させた。スコロトロンワ
イヤ５ａの印加電圧はＤＣ約−３ＫＶ、定電流制御５０
０μＡ、グリッド５ｂ電圧 Ｖg＝−４００Ｖである。
【００５４】次に、反転現像を行うために、半導体レー
ザーを用いてＩＴＯの配線パターンに直交するように、
所望の発光色パターン以外の箇所（陰極間スペース部＋
所望の色以外の箇所に該当する部分）を選択的に露光を
行った。露光器の波長、露光量、露光スポット径は実施
例１と同様である。感光層表面の帯電電位Ｖ0＝−４０
０Ｖ、露光電位Ｖi＝−５０Ｖの静電潜像を形成した。
【００５５】現像剤としてモノアゾ染料の金属錯体等の
電子受容性物質を用いた帯電制御剤（ＣＣＡ）を混練し
たポリエステル樹脂を、体積中心粒径６μｍまで粉砕、
平均帯電量＝−１１μＣ／ｇとし、現像バイアスＶb＝
−１５０Ｖを印加して現像を行い、蒸着しようとする発
光部以外の基板部分（露光部）に現像剤を付着させた。
その上に、レッドの発光層として、ホストとしてのトリ
ス（８−キノリノール）アルミニウムにドーパントとし
て４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメ
チルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ、ドーピ
ング濃度５ｗｔ％）を２５ｎｍ共蒸着、電子輸送層とし
てトリス（８−キノリノール）アルミニウム（アルミキ
ノリン錯体）を３５ｎｍ蒸着により形成した。次に、陰
極として、Ａｌ：Ｌｉを共蒸着により３０ｎｍ、その後
アルミニウムのみを１００ｎｍ蒸着した。
【００５６】レッドパターンを作成後、基板上に厚さ１
０μｍ程度の無塵紙を配置し、スコロトロンを用いて転
写バイアスＶp ＝４００Ｖを印加して分離隔壁（現像剤
層）すなわち密着マスクを基板から除去した（図１
１）。スコロトロンワイヤ５ａの印加電圧はＤＣ約３Ｋ
Ｖ、定電流制御５００μＡ、グリッド５ｂ電圧 Ｖg＝４
００Ｖである。
【００５７】グリーン発光部形成についても同様に、帯
電、露光、現像、蒸着、転写工程を繰り返す。反転現像
では、先に形成したレッドの発光部は表面が陰極である
ため、接地することにより帯電されず露光を行ったこと
と同様となり現像される。更に、より現像効率を大きく
するためには、陰極部に対して現像剤の極性とは逆極性
のバイアスを印加すればよい（図１２）。グリーンの発
光部として、トリス（８−キノリノール）アルミニウム
をホストに、ドーパントとして２，９−ジメチルキナク
リドン（ドーピング濃度５ｗｔ％）を２５ｎｍ共蒸着、
電子輸送層としてトリス（８−キノリノール）アルミニ
ウムを３５ｎｍ蒸着後、陰極として、Ａｌ：Ｌｉを共蒸
着により３０ｎｍ、その後アルミニウムのみを１００ｎ
ｍ蒸着した（図１３）。レッドの場合と同様に転写工程
により分離隔壁（現像剤層）すなわち密着マスクを除去
した。
【００５８】ブルー発光部形成についても同様に、帯
電、露光、現像、蒸着、転写工程を繰り返す。ブルーの
発光部には、テトラフェニルブタジエンを２５ｎｍ、レ
ッド、グリーンと同様な材料、膜厚で電子輸送層、陰極
を蒸着により形成した（図１５）。レッドの場合と同様
に転写工程により分離隔壁（現像剤層）すなわち密着マ
スクを除去し、有機ＥＬパネルを作製した。ドットピッ
チ５０μｍ、スペース１５μｍ、画素数 水平３２０×
垂直２４０ドットのカラー表示可能なパネルが作製でき
た（図１６）。
【００５９】実施例３ 厚さ１．１ｍｍのガラス基板に陽極としてスパッタによ
りＩＴＯ膜を２０ｎｍの膜厚に形成し、リソグラフィー
とウェットエッチングにより透明電極を形成した。シー
ト抵抗は、１５Ω／□で、配線幅１６０μｍ、スペース
５０μｍであった。電荷発生層（正孔注入層）として無
金属フタロシアニンとブチラール樹脂を重量比で３．
０：１となるよう秤量し、ＴＨＦに溶かしミキサーで分
散させ、固形分比率５ｗｔ%の分散塗料を作製した。該
塗料を、ガラス基板にＩＴＯ薄膜を形成した基板上に、
スピンコートにより膜厚２００ｎｍの薄膜を形成した。
【００６０】電荷輸送層（正孔輸送層）として、Ｎ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（α−ナフチル）−
１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンとポリカー
ボネートを重量比で２．５：１となるよう秤量し、ジク
ロロメタンに溶かし固形分比率２ｗｔ％の分散塗料を作
製した。該塗液をスピンコートによりガラス基板上に膜
厚３００ｎｍの薄膜を形成した。上記したように有機感
光体を形成した基板に、スコロトロンを用いて表面の帯
電電位Ｖ0＝−４００Ｖに帯電させた。スコロトロンワ
イヤ５ａの印加電圧はＤＣ約−３ＫＶ、定電流５００μ
Ａに制御し、グリッド５ｂ電圧Ｖgは−４００Ｖであ
る。次に、半導体レーザーを用いてＩＴＯの配線パター
ンに直交するように、所望の画素パターンの箇所を選択
的に露光を行った（正現像）。露光器の波長、露光量、
露光スポット径は実施例１と同様である。感光層表面の
帯電電位Ｖ0＝−４００Ｖ、露光電位Ｖi＝−４０Ｖの静
電潜像を形成した。
【００６１】現像剤としてスチレン−アクリル共重合体
の重合時に正帯電性帯電制御剤（ＣＣＡ）を包含させた
体積中心粒径６μｍ、平均帯電量１０μＣ／ｇの球形の
重合現像剤を用いて、現像バイアスＶb＝−１５０Ｖを
印加して現像を行い、蒸着しようとする発光部以外の基
板部分に現像剤を付着させた。
【００６２】その上に、レッドの発光層としてトリス
（８−キノリノール）アルミニウムにドーパントとして
４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチ
ルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ、ドーピン
グ濃度５ｗｔ％）を２５ｎｍ共蒸着、電子輸送層として
２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４’−ビフ
ェニル）１，３，４−オキサジアゾールを３５ｎｍ蒸着
により形成した。次に、Ａｌ：Ｌｉを共蒸着により３０
ｎｍ、その後アルミニウムのみを１００ｎｍ蒸着して陰
極を形成した。レッドパターンを作成後、基板上に厚さ
１０μｍのポリエチレン等の高分子シートを配置し、ス
コロトロンを用いて転写バイアスＶp −３００Ｖを印加
して分離隔壁（現像剤層）すなわち密着マスクを基板か
ら除去した（図１１）。スコロトロンワイヤ５ａの印加
電圧はＤＣ約−２．７ＫＶ、定電流５００μＡに制御
し、グリッド５ｂ電圧Ｖgは−３００Ｖである。
【００６３】グリーン発光部形成についても同様に、帯
電、露光、現像、蒸着、転写工程を繰り返す。正現像で
は、現像に、有機感光体の表面電位（帯電電位）に対し
て逆極性の現像剤を用いるため、先に形成したレッド発
光部の陰極に対して、現像剤の極性とは逆極性のバイア
ス−２５０Ｖを印加する（図１７）。これにより、レッ
ド発光部上も現像され、マスクされた状態となる。すな
わち、分離隔壁（現像剤層）すなわち密着マスクが形成
される。グリーンの発光部には、トリス（８−キノリノ
ール）アルミニウム（Ａｌｑ3）をホストに、ドーパン
トとしてキナクリドン（ドーピング濃度３ｗｔ％）を２
５ｎｍ共蒸着、電子輸送層として２−（４’−ｔ−ブチ
ルフェニル）−５−（４’−ビフェニル）１，３，４−
オキサジアゾールを３５ｎｍ蒸着後、陰極として、Ａ
ｌ：Ｌｉを共蒸着により３０ｎｍ、その後アルミニウム
のみを１００ｎｍ蒸着した（図１８）。レッドの場合と
同様に転写工程により分離隔壁（現像剤層）すなわち密
着マスクを除去した。
【００６４】ブルー発光部形成についても同様に、帯
電、露光、現像、蒸着、転写工程を繰り返す。ブルーの
発光部には、ペンタフェニルシクロペンタジエンを２５
ｎｍ蒸着し、レッド、グリーンと同様な材料、膜厚で電
子輸送層、陰極を蒸着により形成した。レッドの場合と
同様に転写工程により分離隔壁（現像剤層）すなわち密
着マスクを除去し、有機ＥＬパネルを作製した。ドット
ピッチ５０μｍ、スペース１５μｍ、画素数 水平３２
０×垂直２４０ドットのカラー表示可能なパネルが作製
できた。
【００６５】従来例 上記実施例と比較するために、厚さ１．１ｍｍのガラス
基板に透明電極として膜厚１２０ｎｍ面抵抗１５Ω／□
のＩＴＯ薄膜をスパッタにより陽極を形成し、その上に
正孔注入、輸送層として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、
Ｎ’−ビス（α−ナフチル）−１，１’−ビフェニル−
４，４’−ジアミンを５０ｎｍ真空蒸着により形成し
た。その上にレッド発光層材料として、トリス（８−キ
ノリノール）アルミニウムにＤＣＭを５ｗ％ドーピング
するように２５ｎｍ共蒸着、グリーン発光層としてトリ
ス（８−キノリノール）アルミニウムとドーパントとし
てキナクリドンを３ｗ％となるように２５ｎｍ共蒸着、
ブルー発光層として、ペンタフェニルシクロペンタジエ
ンを２５ｎｍ蒸着し、続いて電子輸送層としてアルミキ
ノリン錯体３０ｎｍを蒸着した。
【００６６】レッド、グリーン、ブルー各３色の色分離
には、メタルマスクをスライドさせて行った。次に、メ
タルマスクを用いてＩＴＯ、有機薄膜に直交するよう
に、Ａｌ：Ｌｉを共蒸着により３０ｎｍ、その後アルミ
ニウムのみを１２０ｎｍ蒸着して陰極を形成、有機ＥＬ
パネルを作成した。上記マスクを用いた色分離方法で
は、ドットピッチ８０μｍ、スペース４０μｍ以下はマ
スクの位置合わせが困難で色ずれが発生し、パネル作成
は困難であった。
【００６７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
透明電極上に有機感光体を形成、選択的に露光、現像し
発光パターンを形成するので、従来の有機ＥＬパネルの
製造方法において用いられている真空蒸着でマスクプレ
ートをスライドさせる方法と比較して、マスクの歪みや
位置ずれによる材料の回り込み、分離不足が無くなり、
高い寸法精度、位置精度を確保できる。更に、発光パタ
ーンの分解能は、露光器、現像剤の粒径に依存するの
で、１０μｍ程度まで微細加工ができる。また、成膜、
色分離プロセスが簡便で、スループットを上げることが
でき、不良率も改善できる。バインダーに正孔注入輸送
材料を分散させることにより、ＩＴＯ−有機層界面の密
着性が上がり、材料の凝集、膜質変化が無くなる。これ
により有機ＥＬパネルの耐熱性が高くなり、長寿命化も
はかれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの製
造方法において、透明基板上に透明電極と有機感光体薄
膜が形成された状態を示す断面図である。
【図２】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの製
造方法において、感光体薄膜を一様帯電させる第１の方
法を説明する断面図である。
【図３】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの製
造方法において、感光体薄膜を一様帯電させる第２の方
法を説明する断面図である。
【図４】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの製
造方法において、感光体薄膜を露光する態様を説明する
断面図である。
【図５】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの製
造方法において、第１の態様での現像方法を説明する断
面図である。
【図６】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの製
造方法において、第１の態様での発光層、電子輸送層、
陰極の積層体を形成する方法を説明する断面図である。
【図７】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの製
造方法において、第１の態様での発光層、電子輸送層、
陰極の積層体を除去する方法を説明する断面図である。
【図８】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの製
造方法において、第１の態様及び第２の態様で形成され
る有機ＥＬパネルの概略断面図である。
【図９】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの製
造方法において、第２の態様での現像方法を説明する断
面図である。
【図１０】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの
製造方法において、第２の態様での発光層、電子輸送
層、陰極の積層体を形成する方法を説明する断面図であ
る。
【図１１】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの
製造方法において、第２の態様での発光層、電子輸送
層、陰極の積層体を除去する方法を説明する断面図であ
る。
【図１２】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの
製造方法において、第３の態様での、第２の色のための
静電潜像の現像方法を説明する断面図である。
【図１３】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの
製造方法において、第３の態様での、第２の色のための
発光層、電子輸送層、陰極の積層体を除去する方法を説
明する断面図である。
【図１４】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの
製造方法において、第３の態様での、第３の色のための
静電潜像の現像方法を説明する断面図である。
【図１５】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの
製造方法において、第３の態様での、第３の色のための
発光層、電子輸送層、陰極の積層体を除去する方法を説
明する断面図である。
【図１６】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの
製造方法において、第３の態様及び第４の態様で形成さ
れるカラー有機ＥＬパネルの概略断面図である。
【図１７】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの
製造方法において、第４の態様での、第２の色のための
静電潜像の現像方法を説明する断面図である。
【図１８】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの
製造方法において、第４の態様での、第２の色のための
発光層、電子輸送層、陰極の積層体を除去する方法を説
明する断面図である。
【図１９】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの
製造方法において、第４の態様での、第３の色のための
静電潜像の現像方法を説明する断面図である。
【図２０】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの
製造方法において、第４の態様での、第３の色のための
発光層、電子輸送層、陰極の積層体を除去する方法を説
明する断面図である。
【図２１】 本発明の実施例における有機ＥＬパネルの
製造に用いる現像器の断面図である。
【図２２】 従来例の無機ＥＬパネルの製造工程を説明
する断面図である。
【符号の説明】
１：透明基板 ２：透明電極 ３：電荷発生層（正孔注入層） ４：電荷移動層（正孔輸送層） ５：コロナ帯電器 ６：接触式帯電器 ７：表面電荷 ８：露光器 ９：静電潜像 １０：現像剤 １１：分離隔壁 １２：発光層 １３：電子輸送層 １４：陰極 １５：転写媒体 １６：転写部材 １７：絶縁層 １８：無機発光層 １９：マスクプレート ２０：蒸着源 ２１：現像剤ホッパ ２２：現像室 ２３：攪拌部材 ２４：現像剤供給部材 ２５：現像剤担持体 ２６：薄層形成部材
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１０月２５日（１９９９．１０．
２５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、図を用いて、本発明につ
いて説明する。まず、図１に示すように、ガラス等の透
明基板１上に、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化ス
ズ薄膜等の透明な共通電極２を形成する。なお、共通電
極２は半透明でもよい。共通電極２を形成する薄膜形成
方法は、スパッタリング法、電子ビーム法、化学反応法
等いずれを用いても良い。その透明な共通電極２上に、
図１に示すように透明な共通電極２のほぼ全体を一様に
覆うように、有機電荷発生層３と有機電荷移動層４から
なる有機感光体層を形成する。有機電荷発生層３には、
例えばブチラール樹脂に有機電荷発生剤を分散した塗液
を用いて成膜する。有機電荷発生剤には、無金属フタロ
シアニンや銅フタロシアニンやチタニルフタロシアニン
やバナジルフタロシアニン等のフタロシアニン化合物、
ペリレン系色素、多環キノン系色素、スクアリリウム色
素、アズレニウム色素等が使用できる。有機電荷発生層
３は、少なくとも０．０４μｍの膜厚を有していること
が好ましい。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】少なくとも一方が透明または半透明の対向
    する一対の電極間に有機発光材料を積層した有機ＥＬパ
    ネルにおいて、画素発光層と画素電極とを形成する方法
    であって、 透明または半透明の共通電極が一方の面に形成された透
    明基板を用意し、 前記共通電極上に、電荷発生層と電荷移動層とを有する
    感光性薄膜を形成し、 前記感光性薄膜を一様帯電して、所与のパターンで露光
    して静電潜像を形成し、 前記感光性薄膜の露光部または非露光部を、粉体現像剤
    を用いて現像し、帯電した前記粉体現像剤からなる分離
    隔壁を形成し、 発光層と電子輸送層と画素電極層とを順番に一様に堆積
    し、 堆積後、前記静電潜像の電荷を利用して、前記分離隔壁
    に用いた前記粉体現像剤を転写により、その堆積体を選
    択的に一緒に取り去り、 画素発光層のパターン形成と画素電極層の分離を同時に
    行い、所望の画素パターンの画素発光層と画素電極とを
    形成することを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】少なくとも一方が透明または半透明の対向
    する一対の電極間に有機発光材料を積層したカラー有機
    ＥＬパネルにおいて、画素発光層と画素電極とを各色ご
    とに互いに分離して形成する方法であって、 透明または半透明の共通電極が一方の面に形成された透
    明基板を用意し、 前記共通電極上に、電荷発生層と電荷移動層とを有する
    感光性薄膜を形成し、 前記感光性薄膜を一様帯電して、レッド、グリーン及び
    ブルーの３色の内の第１の色のためのパターンで露光し
    て静電潜像を形成し、 前記感光性薄膜の露光部または非露光部を、粉体現像剤
    を用いて現像し、帯電した前記粉体現像剤からなり、前
    記第１の色の画素領域以外の領域を覆う第１のマスクを
    形成し、 前記第１の色の発光層と電子輸送層と画素電極層とを順
    番に一様に堆積し、 堆積後、静電潜像の電荷を利用して、前記第１のマスク
    に用いた前記粉体現像剤を転写により、その堆積体を選
    択的に一緒に取り去り、前記第１の色の画素パターンの
    画素発光層と画素電極とを形成し、 前記感光性薄膜を一様帯電して、レッド、グリーン及び
    ブルーの３色の内の第２の色のためのパターンで露光し
    て静電潜像を形成し、 前記感光性薄膜の露光部または非露光部を、粉体現像剤
    を用いて現像し、帯電した前記粉体現像剤からなり、前
    記第２の色の画素領域以外の領域を覆う第２のマスク
    を、前記第１のマスクの位置からずれた位置に形成し、 前記第２の色の発光層と電子輸送層と画素電極層とを順
    番に一様に堆積し、 堆積後、静電潜像の電荷を利用して、前記第２のマスク
    に用いた前記粉体現像剤を転写により、その堆積体を選
    択的に一緒に取り去り、前記第２の色の画素パターンの
    画素発光層と画素電極とを形成し、 前記感光性薄膜を一様帯電して、レッド、グリーン及び
    ブルーの３色の内の第３の色のためのパターンで露光し
    て静電潜像を形成し、 前記感光性薄膜の露光部または非露光部を、粉体現像剤
    を用いて現像し、帯電した前記粉体現像剤からなり、前
    記第３の色の画素領域以外の領域を覆う第３のマスク
    を、前記第１のマスクの位置からも前記第３のマスクの
    位置からもずれた位置に形成し、 前記第３の色の発光層と電子輸送層と画素電極層とを順
    番に一様に堆積し、 堆積後、静電潜像の電荷を利用して、前記第３のマスク
    に用いた前記粉体現像剤を転写により、その堆積体を選
    択的に一緒に取り去り、前記第３の色の画素パターンの
    画素発光層と画素電極とを形成し、 それぞれの所望の画素パターンのレッド、グリーン及び
    ブルーの３色の画素発光層と画素電極とを形成すること
    を特徴とする方法。
  3. 【請求項３】発光層と電子輸送層と画素電極層との前記
    堆積は、真空蒸着法により、発光層と電子輸送層と画素
    電極層とを順番に一様に蒸着することを特徴とする請求
    項１または２に記載の方法。
  4. 【請求項４】前記現像は、一定の粒径、帯電量を有する
    粉体現像剤を用いて行うことを特徴とする請求項１〜３
    のいずれか１項に記載の方法。
  5. 【請求項５】前記現像剤としては、ポリエステル、スチ
    レン−アクリル共重合体およびアクリルから選択した高
    分子に帯電制御剤を混練したものを適当な粒径まで粉砕
    した粉砕現像剤、または前記高分子の重合時に帯電制御
    剤を包含させて適当な粒径まで重合した重合現像剤を用
    いることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記
    載の方法。
  6. 【請求項６】前記感光性薄膜は、有機電荷発生層と有機
    電荷移動層からなる有機感光体層であり、前記有機電荷
    発生層と前記有機電荷移動層は各々、少なくとも０．０
    ４μｍの膜厚を有していることを特徴とする請求項１〜
    ５のいずれか１項に記載の方法。
  7. 【請求項７】前記有機電荷発生層は、ブチラール樹脂に
    有機電荷発生剤を分散した塗液を用いて成膜し、前記有
    機電荷移動層は、ポリカーボネート樹脂にホール移動性
    有機化合物を分散した塗液を用いて成膜することを特徴
    とする請求項６に記載の方法。
  8. 【請求項８】前記現像は、前記感光性薄膜と現像剤担持
    体とを１００〜３００μｍ程度離して非接触現像を行う
    ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の
    方法。
  9. 【請求項９】少なくとも一方が透明または半透明の対向
    する一対の電極間に有機発光材料を積層した有機ＥＬパ
    ネルであって、 透明または半透明の共通電極が一方の面に形成された透
    明基板と、 前記共通電極上に形成された、電荷発生層と電荷移動層
    とを有する感光性薄膜と、 前記感光性薄膜上に、画素単位に形成された、発光層と
    電子輸送層と画素電極との多数の積層体とを具備してお
    り、前記多数の積層体は、互いに分離していることを特
    徴とする有機ＥＬパネル。
  10. 【請求項１０】前記多数の積層体は、レッド、グリーン
    及びブルーの各色ごとに設けられ、且つ互いに分離して
    いることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬパネ
    ル。
JP10282666A 1998-10-05 1998-10-05 有機ｅｌパネル及びその製造方法 Expired - Fee Related JP3031356B1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10282666A JP3031356B1 (ja) 1998-10-05 1998-10-05 有機ｅｌパネル及びその製造方法
TW088117191A TW443074B (en) 1998-10-05 1999-10-04 Organic EL panel and its manufacture
US09/411,973 US6514649B1 (en) 1998-10-05 1999-10-04 Organic EL panel and method for forming the same
KR1019990042818A KR100311265B1 (ko) 1998-10-05 1999-10-05 유기 ｅｌ 패널 및 그 제조 방법
US10/356,977 US6794816B2 (en) 1998-10-05 2003-02-03 Organic EL panel and the manufacture thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10282666A JP3031356B1 (ja) 1998-10-05 1998-10-05 有機ｅｌパネル及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP3031356B1 JP3031356B1 (ja) 2000-04-10
JP2000113979A true JP2000113979A (ja) 2000-04-21

Family

ID=17655483

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10282666A Expired - Fee Related JP3031356B1 (ja) 1998-10-05 1998-10-05 有機ｅｌパネル及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6514649B1 (ja)
JP (1) JP3031356B1 (ja)
KR (1) KR100311265B1 (ja)
TW (1) TW443074B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1132980A3 (en) * 2000-03-06 2005-06-22 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film forming method for light emitting devices

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001324713A (ja) * 2000-05-15 2001-11-22 Hitachi Ltd 液晶表示素子およびこの液晶表示素子を用いた液晶表示装置
JP2002090737A (ja) * 2000-09-18 2002-03-27 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP4021177B2 (ja) * 2000-11-28 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置並びに電子機器
KR100774878B1 (ko) * 2001-09-28 2007-11-08 엘지전자 주식회사 일렉트로 루미네센스 패널의 제조방법
US7226332B2 (en) * 2002-04-30 2007-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
KR100501228B1 (ko) * 2002-11-21 2005-07-18 엘지전자 주식회사 유기 전계발광소자 및 그의 제조 방법
US20040191564A1 (en) * 2002-12-17 2004-09-30 Samsung Sdi Co., Ltd. Donor film for low molecular weight full color organic electroluminescent device using laser induced thermal imaging method and method for fabricating low molecular weight full color organic electroluminescent device using the film
JP4393402B2 (ja) * 2004-04-22 2010-01-06 キヤノン株式会社 有機電子素子の製造方法および製造装置
EP1653529B1 (en) * 2004-10-11 2007-11-21 Samsung SDI Co., Ltd. Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same
KR100730190B1 (ko) * 2005-12-20 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 소자 및 이의 제조방법
KR100741098B1 (ko) * 2005-12-20 2007-07-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 소자 및 이의 제조방법
JP4673279B2 (ja) * 2005-12-20 2011-04-20 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機発光表示素子及びその製造方法
JP5171077B2 (ja) * 2007-03-15 2013-03-27 富士フイルム株式会社 放射線検出装置
KR20090092051A (ko) * 2008-02-26 2009-08-31 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
US9653689B2 (en) 2011-01-17 2017-05-16 Samsung Display Co., Ltd. Condensed-cyclic compound and organic light-emitting diode including the same
CN102617626B (zh) * 2011-01-17 2016-12-14 三星显示有限公司 缩合环化合物和包括该缩合环化合物的有机发光二极管
KR20130049075A (ko) * 2011-11-03 2013-05-13 삼성디스플레이 주식회사 신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 포함한 유기발광 소자

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
JPH01197994A (ja) 1988-01-30 1989-08-09 Hitachi Chem Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JPH0372368A (ja) 1989-08-11 1991-03-27 Bando Chem Ind Ltd 静電潜像現像用トナー
JPH0534506A (ja) 1991-08-02 1993-02-12 Olympus Optical Co Ltd 耐薬反射防止膜
JPH05108014A (ja) 1991-10-16 1993-04-30 Fuji Electric Co Ltd Ｅｌ表示パネルのカラー表示用発光膜の成膜方法
JPH0613184A (ja) 1992-06-24 1994-01-21 Shinko Electric Co Ltd 有機薄膜ｅｌ素子およびその製造方法
JP3147621B2 (ja) 1993-10-21 2001-03-19 凸版印刷株式会社 パターン形成方法
JP2850905B1 (ja) * 1997-10-24 1999-01-27 日本電気株式会社 有機ｅｌパネルおよびその製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1132980A3 (en) * 2000-03-06 2005-06-22 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film forming method for light emitting devices
US7022535B2 (en) 2000-03-06 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film forming device, method of forming a thin film, and self-light-emitting device
KR100764185B1 (ko) * 2000-03-06 2007-10-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 형성 방법 및 ｅｌ 표시장치 제작방법
KR100764178B1 (ko) * 2000-03-06 2007-10-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 형성 장치
US7564054B2 (en) 2000-03-06 2009-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film forming device, method of forming a thin film, and self-light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
TW443074B (en) 2001-06-23
US6514649B1 (en) 2003-02-04
KR100311265B1 (ko) 2001-10-18
US20030132703A1 (en) 2003-07-17
US6794816B2 (en) 2004-09-21
KR20000028844A (ko) 2000-05-25
JP3031356B1 (ja) 2000-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3031356B1 (ja) 有機ｅｌパネル及びその製造方法
US6520819B1 (en) Organic EL panel and method for manufacturing the same
US8026666B2 (en) Organic EL element array with improved aperture ratio
JP6253242B2 (ja) 有機ｅｌ素子、画像形成装置、表示装置及び撮像装置
US20140042928A1 (en) Light-emitting device
US8421339B2 (en) Organic electroluminescent device, exposure device, process cartridge, image forming apparatus, display apparatus, and method for driving organic electroluminescent device
US6303255B1 (en) Organic EL panel and method of manufacturing the same
US8427517B2 (en) Light-emitting element, exposure head and image-forming apparatus
JP2008277193A (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法及びラインヘッド
JP7435839B2 (ja) 電子写真感光体の製造方法
JP2000277253A (ja) 発光素子、発光装置、表示装置、露光装置及び画像形成装置
JP3636639B2 (ja) 有機ｅｌパネル及びその製造方法
JP2007042488A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた露光装置並びに画像形成装置
JP4857368B2 (ja) 有機ｅｌ素子アレイ
JP2004006133A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2000188181A (ja) 発光装置、露光装置及び画像形成装置
JP2001250685A (ja) 発光素子およびその製造方法
JP4265280B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、露光装置および画像形成装置
JP2000289249A (ja) 露光装置及びそれを用いた画像形成装置
JP2012028305A (ja) 有機電界発光素子、露光ヘッド、カートリッジ、及び画像形成装置
JPH08244272A (ja) 光プリンタヘッド
JP2007288073A (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法
JP2008288123A (ja) 発光装置、画像形成装置および表示装置
JP2012083591A (ja) 画像形成装置
JP2007141472A (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び画像形成装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20000111

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080210

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210

Year of fee payment: 9

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210

Year of fee payment: 9

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210

Year of fee payment: 9

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210

Year of fee payment: 10

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210

Year of fee payment: 10

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120210

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130210

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130210

Year of fee payment: 13

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130210

Year of fee payment: 13

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210

Year of fee payment: 14

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees