JPH01197994A - エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置Info
- Publication number
- JPH01197994A JPH01197994A JP63020662A JP2066288A JPH01197994A JP H01197994 A JPH01197994 A JP H01197994A JP 63020662 A JP63020662 A JP 63020662A JP 2066288 A JP2066288 A JP 2066288A JP H01197994 A JPH01197994 A JP H01197994A
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- JP
- Japan
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- electro
- ions
- electrode
- electrostatic image
- electric field
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、画像表示装置として利用されるエレクトロル
ミネッセンス(以下ELという)表示装置に関する。
ミネッセンス(以下ELという)表示装置に関する。
(従来の技術)
EL表示装置は単純な表示等に利用されるセグメント型
、単純X−Yマトリックス型、薄膜トランジスタ等を用
いたアクティブマトリックス型などが検討されている。
、単純X−Yマトリックス型、薄膜トランジスタ等を用
いたアクティブマトリックス型などが検討されている。
(発明が解決しようとする問題点)
大容量、多機能表示を実現するためにはドツトマトリッ
クス型が優れているが、単純X−Yマトリックス型では
、しきい値特性を持たないELの特性からコントラスト
が十分ではなく、個々の画素にスイッチング素子やダイ
オード素子等を設けたアクティブマトリックス型が優れ
ている。しかし上記スイッチング素子やダイオード素子
を大面積にわたり無欠陥で作成することは困難で大型化
、低コスト化のあい路となっている。
クス型が優れているが、単純X−Yマトリックス型では
、しきい値特性を持たないELの特性からコントラスト
が十分ではなく、個々の画素にスイッチング素子やダイ
オード素子等を設けたアクティブマトリックス型が優れ
ている。しかし上記スイッチング素子やダイオード素子
を大面積にわたり無欠陥で作成することは困難で大型化
、低コスト化のあい路となっている。
本発明は、小型化、低コスト化を可能とするEL表示装
を提供するものである。
を提供するものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明を以下図面をもって説明する。第1図は本発明の
一実施例を示す断面図であるが、本f@明の特徴は透明
電極2.を形成した透明基板1と電極をもたない誘電体
基板3の間にEL発光層4をはさんだELパネルを用い
る点にある。EL発光層としては蛍光体粉末を有機バイ
ンダーに分散したものなどが用いられる。EL層に印加
する電界の形成にはイオン帯電を利用する。すなわち書
込電極5によりイオンを選択的に誘電体基板3上に帯電
させて静電像を得る。イオンの帯電した部分は透明電極
2との間に電界を生じて発光し、イオンの帯電しなかっ
た部分は、電界を生じないので発光しないため静電像に
対応したEL表示が実現できる。このイオンの帯電は各
帯電イオンが独立に働くのでアクティブマトリックスと
全く同値に作用する。書込電極としては例えば特開昭6
2−34187号公報に示されているようなコロナイオ
ン発生器と、このイオンの流れを制御する制御電極から
成る書込電極などが使用できる。
一実施例を示す断面図であるが、本f@明の特徴は透明
電極2.を形成した透明基板1と電極をもたない誘電体
基板3の間にEL発光層4をはさんだELパネルを用い
る点にある。EL発光層としては蛍光体粉末を有機バイ
ンダーに分散したものなどが用いられる。EL層に印加
する電界の形成にはイオン帯電を利用する。すなわち書
込電極5によりイオンを選択的に誘電体基板3上に帯電
させて静電像を得る。イオンの帯電した部分は透明電極
2との間に電界を生じて発光し、イオンの帯電しなかっ
た部分は、電界を生じないので発光しないため静電像に
対応したEL表示が実現できる。このイオンの帯電は各
帯電イオンが独立に働くのでアクティブマトリックスと
全く同値に作用する。書込電極としては例えば特開昭6
2−34187号公報に示されているようなコロナイオ
ン発生器と、このイオンの流れを制御する制御電極から
成る書込電極などが使用できる。
その−例を第2図に示す。直径40〜120μmの金メ
ツキタングステン線7に、正または負の3〜l0KV程
度の電圧を印加してコロナイオンを発生させる。このイ
オンは制御電極8によってその通過が制御される。制御
電極8は上部電極8aと下部型ti8bが所定間隔で配
置され、中央に設けられた透孔をコロナイオン流が通過
できるように構成されている。次に動作について説明す
る。
ツキタングステン線7に、正または負の3〜l0KV程
度の電圧を印加してコロナイオンを発生させる。このイ
オンは制御電極8によってその通過が制御される。制御
電極8は上部電極8aと下部型ti8bが所定間隔で配
置され、中央に設けられた透孔をコロナイオン流が通過
できるように構成されている。次に動作について説明す
る。
第2図(a)のように上部電極8aが正、下部電極が負
になるように、制御電源lOを印加すると電界が順方向
となりコロナイオンが通過する。逆に第2図(b)のよ
うに制御1!1liKloを逆極性に印加するとコロナ
イオンは通過できない。なお11はバイアス電源である
。消去は逆極性のコロナイオンを用いて行う。
になるように、制御電源lOを印加すると電界が順方向
となりコロナイオンが通過する。逆に第2図(b)のよ
うに制御1!1liKloを逆極性に印加するとコロナ
イオンは通過できない。なお11はバイアス電源である
。消去は逆極性のコロナイオンを用いて行う。
(発明の効果)
本発明はアクティブマトリックス型EL表示装置と全く
同じ機能をもつEL表示装置をアクティブマトリックス
形成手段の如き困難な工程を不要にして実現できるので
、高コントラスト表示装置が安価に出来るうえ大型化に
もあい路がないため黒板大の大型表示装置にも適用でき
る。
同じ機能をもつEL表示装置をアクティブマトリックス
形成手段の如き困難な工程を不要にして実現できるので
、高コントラスト表示装置が安価に出来るうえ大型化に
もあい路がないため黒板大の大型表示装置にも適用でき
る。
第1図は本発明の一実施例を示す断面図、第2図(a)
、(b)は書込電極の一実施例と動作原理の説明する回
路図である。 符号の説明 1、透明基板 2.透明電極3、誘電体基
板 4.EL発光層5、書込電極
6.スペーサ7、コロナワイヤ 8.イオ
ン制御電極9、帯電イオン(静電潜像)lO0制俳電源
11、バイアス電源 12.高圧電源−q=
、(b)は書込電極の一実施例と動作原理の説明する回
路図である。 符号の説明 1、透明基板 2.透明電極3、誘電体基
板 4.EL発光層5、書込電極
6.スペーサ7、コロナワイヤ 8.イオ
ン制御電極9、帯電イオン(静電潜像)lO0制俳電源
11、バイアス電源 12.高圧電源−q=
Claims (1)
- 1. 透明電極の形成された透明基板と背面誘電体基板
間にエレクトロルミネッセンス発光層が狭持されると共
に、背面誘電体基板のエレクトロルミネッセンス発光層
と接しない側の主面にイオンの流れを制御して静電像を
形成する書込電極によって、静電像を形成して表示を行
うよう構成されることを特徴とするエレクトロルミネッ
センス表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63020662A JPH01197994A (ja) | 1988-01-30 | 1988-01-30 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63020662A JPH01197994A (ja) | 1988-01-30 | 1988-01-30 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01197994A true JPH01197994A (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=12033416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63020662A Pending JPH01197994A (ja) | 1988-01-30 | 1988-01-30 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01197994A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19944519A1 (de) * | 1999-09-16 | 2001-03-22 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung zum Ansteuern einer Last |
US6514649B1 (en) | 1998-10-05 | 2003-02-04 | Nec Corporation | Organic EL panel and method for forming the same |
-
1988
- 1988-01-30 JP JP63020662A patent/JPH01197994A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6514649B1 (en) | 1998-10-05 | 2003-02-04 | Nec Corporation | Organic EL panel and method for forming the same |
US6794816B2 (en) | 1998-10-05 | 2004-09-21 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic EL panel and the manufacture thereof |
DE19944519A1 (de) * | 1999-09-16 | 2001-03-22 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung zum Ansteuern einer Last |
DE19944519B4 (de) * | 1999-09-16 | 2010-02-11 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung zum Ansteuern einer Last |
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