JP2000109324A - Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方法 - Google Patents
Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】９００℃以下の低温で緻密に焼結でき、初透磁
率が８００以上のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製
造方法を提供する。 【解決手段】少なくとも鉄化合物、ニッケル化合物、銅
化合物および亜鉛化合物を混合した後、仮焼し、その後
粉砕する工程を備えたＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料
の製造方法において、鉄化合物として比表面積が８．５
ｍ2／ｇ以上の粉体を用い、混合後の粉体の比表面積を
８．０ｍ2／ｇ以上、仮焼後の粉体の比表面積を５．０
ｍ2／ｇ以上、粉砕後の粉体の比表面積を６．０ｍ2／ｇ
以上とするとともに、仮焼後のスピネル合成度を８５〜
９８％とする。
率が８００以上のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製
造方法を提供する。 【解決手段】少なくとも鉄化合物、ニッケル化合物、銅
化合物および亜鉛化合物を混合した後、仮焼し、その後
粉砕する工程を備えたＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料
の製造方法において、鉄化合物として比表面積が８．５
ｍ2／ｇ以上の粉体を用い、混合後の粉体の比表面積を
８．０ｍ2／ｇ以上、仮焼後の粉体の比表面積を５．０
ｍ2／ｇ以上、粉砕後の粉体の比表面積を６．０ｍ2／ｇ
以上とするとともに、仮焼後のスピネル合成度を８５〜
９８％とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フェライト材料、
特にチップインダクタ用として好適なＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
フェライト材料の製造方法に関する。
特にチップインダクタ用として好適なＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
フェライト材料の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】インダクタ部品は、電子機器の電気回路
用ノイズフィルターとして使用されてきた。そして、小
型化、高密度実装化に対応するため、もれ磁束が少な
く、かつ、占有面積が小さい、フェライトセラミック
（コア）内に内部導体を備えた構造のチップインダクタ
が提案され、実用化されてきた。
用ノイズフィルターとして使用されてきた。そして、小
型化、高密度実装化に対応するため、もれ磁束が少な
く、かつ、占有面積が小さい、フェライトセラミック
（コア）内に内部導体を備えた構造のチップインダクタ
が提案され、実用化されてきた。
【０００３】このチップインダクタは、例えば、複数の
フェライト材料層とその層間に形成した導体材料層とを
同時焼成して得られる。そして、通常、チップインダク
タのフェライト材料としてはＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライ
ト材料が、また、導体材料としては電気伝導度の大きい
Ａｇが用いられてきた。
フェライト材料層とその層間に形成した導体材料層とを
同時焼成して得られる。そして、通常、チップインダク
タのフェライト材料としてはＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライ
ト材料が、また、導体材料としては電気伝導度の大きい
Ａｇが用いられてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】導体材料としてＡｇを
用いて、同時焼成で上述のチップインダクタを得る場
合、Ａｇの融点は酸素平衡状態（大気中）においては９
５０℃であり、９００℃以上に加熱すると加熱時間の増
加に伴い、Ａｇの塑性変形が始まり、フェライト中への
浸透・拡散が起る。これにより、内部導体の断面積が減
少し、直流抵抗値が増加し、消費電力が増大するという
不具合が生じる。さらに、高温に加熱し、９５０℃を越
えると内部導体の一部が断線し、インダクタとしての働
きを失ってしまうことになる。したがって、Ａｇを内部
導体としたチップインダクタを得るためには、９５０℃
以下、より好ましくは９００℃以下の温度で焼成しなけ
ればならない。
用いて、同時焼成で上述のチップインダクタを得る場
合、Ａｇの融点は酸素平衡状態（大気中）においては９
５０℃であり、９００℃以上に加熱すると加熱時間の増
加に伴い、Ａｇの塑性変形が始まり、フェライト中への
浸透・拡散が起る。これにより、内部導体の断面積が減
少し、直流抵抗値が増加し、消費電力が増大するという
不具合が生じる。さらに、高温に加熱し、９５０℃を越
えると内部導体の一部が断線し、インダクタとしての働
きを失ってしまうことになる。したがって、Ａｇを内部
導体としたチップインダクタを得るためには、９５０℃
以下、より好ましくは９００℃以下の温度で焼成しなけ
ればならない。
【０００５】しかしながら、従来、チップインダクタの
コア材（フェライトセラミック）として使用されるＮｉ
−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料は、緻密な焼結体を得るた
めには１０００℃以上の温度で焼成する必要があり、こ
れ以下の温度では、十分な焼結密度が得られず、初透磁
率が低かったり、気孔が多いという問題点があった。
コア材（フェライトセラミック）として使用されるＮｉ
−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料は、緻密な焼結体を得るた
めには１０００℃以上の温度で焼成する必要があり、こ
れ以下の温度では、十分な焼結密度が得られず、初透磁
率が低かったり、気孔が多いという問題点があった。
【０００６】また、３０ＭＨｚ以下の低周波領域におけ
るノイズを効果的に除去するため、電気回路用ノイズフ
ィルターの特性として、Ｒ成分の周波数曲線とＸ成分の
周波数曲線の交点であるクロスポイント周波数を１０Ｍ
Ｈｚ以下に抑えることが要求されている。そのために
は、チップインダクタのコアであるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフ
ェライトの初透磁率を８００以上にすることが必要であ
る。
るノイズを効果的に除去するため、電気回路用ノイズフ
ィルターの特性として、Ｒ成分の周波数曲線とＸ成分の
周波数曲線の交点であるクロスポイント周波数を１０Ｍ
Ｈｚ以下に抑えることが要求されている。そのために
は、チップインダクタのコアであるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフ
ェライトの初透磁率を８００以上にすることが必要であ
る。
【０００７】そこで、本発明の目的は、９００℃以下の
低温で緻密に焼結でき、初透磁率が８００以上のＮｉ−
Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方法を提供することに
ある。
低温で緻密に焼結でき、初透磁率が８００以上のＮｉ−
Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方法を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方
法は、少なくとも鉄化合物、ニッケル化合物、銅化合物
および亜鉛化合物を混合した後、仮焼し、その後粉砕す
る工程を備えたＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造
方法において、前記鉄化合物として比表面積が８．５ｍ
2／ｇ以上の粉体を用い、混合後の粉体の比表面積を
８．０ｍ2／ｇ以上とし、仮焼後の粉体の比表面積を
５．０ｍ2／ｇ以上とし、粉砕後の粉体の比表面積を
６．０ｍ2／ｇ以上とするとともに、仮焼後のスピネル
合成度を８５〜９８％とすることを特徴とする。
め、本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方
法は、少なくとも鉄化合物、ニッケル化合物、銅化合物
および亜鉛化合物を混合した後、仮焼し、その後粉砕す
る工程を備えたＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造
方法において、前記鉄化合物として比表面積が８．５ｍ
2／ｇ以上の粉体を用い、混合後の粉体の比表面積を
８．０ｍ2／ｇ以上とし、仮焼後の粉体の比表面積を
５．０ｍ2／ｇ以上とし、粉砕後の粉体の比表面積を
６．０ｍ2／ｇ以上とするとともに、仮焼後のスピネル
合成度を８５〜９８％とすることを特徴とする。
【０００９】なお、ここでいうスピネル合成度とは、粉
末Ｘ線回折におけるＦｅ2Ｏ3の（１０４）面のピーク強
度（IFe104）と、スピネル結晶の（３１１）面のピーク
強度（Isp311）より、次式で表わされる値のことであ
る。
末Ｘ線回折におけるＦｅ2Ｏ3の（１０４）面のピーク強
度（IFe104）と、スピネル結晶の（３１１）面のピーク
強度（Isp311）より、次式で表わされる値のことであ
る。
【００１０】 スピネル合成度=Isp311/(IFe104+Isp311)×100 （％） そして、前記鉄化合物は、α−Ｆｅ2Ｏ3、さらに好まし
くは湿式法で合成されたα−Ｆｅ2Ｏ3あることを特徴と
する。
くは湿式法で合成されたα−Ｆｅ2Ｏ3あることを特徴と
する。
【００１１】また、前記Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材
料は、Ｆｅ2Ｏ3が４８．０〜４９．８モル％、ＺｎＯが
２０．０〜３４．０モル％、ＣｕＯが６．０〜２０．０
モル％、ＮｉＯが残部、からなることを特徴とする。
料は、Ｆｅ2Ｏ3が４８．０〜４９．８モル％、ＺｎＯが
２０．０〜３４．０モル％、ＣｕＯが６．０〜２０．０
モル％、ＮｉＯが残部、からなることを特徴とする。
【００１２】ここで上記した範囲に限定したのは、次の
ような理由による。まず、粉砕後の粉体の比表面積が
６．０ｍ2／ｇ未満の場合には、粉体の反応性が低いた
め、９００℃以下の温度では十分焼結せず焼結密度が上
がらず、８００以上の初透磁率を得ることができない。
したがって、粉砕後の粉体の比表面積は、６．０ｍ2／
ｇ以上であることが好ましい。
ような理由による。まず、粉砕後の粉体の比表面積が
６．０ｍ2／ｇ未満の場合には、粉体の反応性が低いた
め、９００℃以下の温度では十分焼結せず焼結密度が上
がらず、８００以上の初透磁率を得ることができない。
したがって、粉砕後の粉体の比表面積は、６．０ｍ2／
ｇ以上であることが好ましい。
【００１３】また、仮焼後の粉体の比表面積が５．０ｍ
2／ｇ未満の場合には、粉体の粒成長が進みすぎてお
り、粉砕後の比表面積を６．０ｍ2／ｇ以上にするため
には、粉砕時間を通常より長くしたり、または、媒体
（メディア）攪拌式の粉砕機を使用する必要がある。そ
の結果、玉石などの媒体から混入する不純物量が増加
し、焼結後のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトの特性を劣化
させてしまう。したがって、仮焼後の粉体の比表面積
は、５．０ｍ2／ｇ以上であることが好ましい。
2／ｇ未満の場合には、粉体の粒成長が進みすぎてお
り、粉砕後の比表面積を６．０ｍ2／ｇ以上にするため
には、粉砕時間を通常より長くしたり、または、媒体
（メディア）攪拌式の粉砕機を使用する必要がある。そ
の結果、玉石などの媒体から混入する不純物量が増加
し、焼結後のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトの特性を劣化
させてしまう。したがって、仮焼後の粉体の比表面積
は、５．０ｍ2／ｇ以上であることが好ましい。
【００１４】また、仮焼後のスピネル合成度が８５％未
満の場合、未反応のＦｅ2Ｏ3が多く残り焼結性が低下
し、焼成時に均一なＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトが得ら
れず、８００以上の初透磁率が得られない。一方、スピ
ネル合成度が９８％を超えるまで仮焼温度を上げると、
スピネル結晶の粒成長が起こり、粉体の比表面積が減少
して反応性が低下し、９００℃以下の温度では十分焼結
しない。したがって、仮焼後のスピネル合成度は、８５
〜９８％の範囲内が好ましい。
満の場合、未反応のＦｅ2Ｏ3が多く残り焼結性が低下
し、焼成時に均一なＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトが得ら
れず、８００以上の初透磁率が得られない。一方、スピ
ネル合成度が９８％を超えるまで仮焼温度を上げると、
スピネル結晶の粒成長が起こり、粉体の比表面積が減少
して反応性が低下し、９００℃以下の温度では十分焼結
しない。したがって、仮焼後のスピネル合成度は、８５
〜９８％の範囲内が好ましい。
【００１５】また、化合物混合後の粉体の比表面積が
８．０ｍ2／ｇ未満の場合、粉体の反応性が低いため、
仮焼時に８５〜９８％のスピネル合成度を得ようとする
と、比表面積が８．０ｍ2／ｇ以上のものと比べて高い
温度で仮焼することとなり、結果的に粉体の粒成長が進
んでしまい、仮焼後の比表面積が５．０ｍ2／ｇ未満と
なってしまう。したがって、化合物混合後の粉体の比表
面積は８．０ｍ2／ｇ以上であることが好ましい。
８．０ｍ2／ｇ未満の場合、粉体の反応性が低いため、
仮焼時に８５〜９８％のスピネル合成度を得ようとする
と、比表面積が８．０ｍ2／ｇ以上のものと比べて高い
温度で仮焼することとなり、結果的に粉体の粒成長が進
んでしまい、仮焼後の比表面積が５．０ｍ2／ｇ未満と
なってしまう。したがって、化合物混合後の粉体の比表
面積は８．０ｍ2／ｇ以上であることが好ましい。
【００１６】また、鉄化合物の粉体の比表面積が８．５
ｍ2／ｇ未満の場合でも、ニッケル化合物、亜鉛化合
物、銅化合物の粉体の比表面積を大きくすることで、化
合物混合後の粉体の比表面積を８．０ｍ2／ｇ以上にす
ることが可能である。しかしながら、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
フェライト材料の仮焼工程においては、温度上昇にとも
ない、まず、低温領域でＺｎフェライトが生成し、その
後、ＣｕおよびＮｉが固溶し、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェラ
イトが生成する。したがって、鉄化合物の比表面積が
８．５ｍ2／ｇ未満の場合には、最初のＺｎフェライト
が生成する温度が高くなり、最終的に８５〜９８％のス
ピネル合成度を得ようとすると、鉄化合物の比表面積が
８．５ｍ2／ｇ以上の場合と比べて高い温度で仮焼する
必要が生じる。その結果、粉体の粒成長が進んでしま
い、仮焼後の粉体の比表面積が５．０ｍ2／ｇ未満とな
ってしまう。したがって、鉄化合物の粉体の比表面積
は、８．５ｍ2／ｇ以上が好ましい。
ｍ2／ｇ未満の場合でも、ニッケル化合物、亜鉛化合
物、銅化合物の粉体の比表面積を大きくすることで、化
合物混合後の粉体の比表面積を８．０ｍ2／ｇ以上にす
ることが可能である。しかしながら、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
フェライト材料の仮焼工程においては、温度上昇にとも
ない、まず、低温領域でＺｎフェライトが生成し、その
後、ＣｕおよびＮｉが固溶し、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェラ
イトが生成する。したがって、鉄化合物の比表面積が
８．５ｍ2／ｇ未満の場合には、最初のＺｎフェライト
が生成する温度が高くなり、最終的に８５〜９８％のス
ピネル合成度を得ようとすると、鉄化合物の比表面積が
８．５ｍ2／ｇ以上の場合と比べて高い温度で仮焼する
必要が生じる。その結果、粉体の粒成長が進んでしま
い、仮焼後の粉体の比表面積が５．０ｍ2／ｇ未満とな
ってしまう。したがって、鉄化合物の粉体の比表面積
は、８．５ｍ2／ｇ以上が好ましい。
【００１７】さらに、Ｎｉ―Ｃｕ―Ｚｎフェライト材料
の組成に関して、Ｆｅ2Ｏ3量が４８．０モル％未満で
は、フェライトの飽和磁化が小さくなるため、初透磁率
が８００を下回ってしまう。一方、Ｆｅ2Ｏ3量が４９．
８モル％を超えると極端に焼結性が低下し９００℃以下
では焼結できなくなってしまう。また、ＣｕＯ量が６．
０モル％未満では、９００℃以下の焼成温度では焼結密
度が高くならない。一方、ＣｕＯ量が２０．０モル％を
超えると、キュリー温度が８０℃以下となる。また、Ｚ
ｎＯ量が２０．０モル％未満では、フェリ磁性による飽
和磁化が不十分となり、初透磁率が８００を下回ってし
まう。逆に、ＺｎＯ量が３４．０モル％を超えるとキュ
リー温度が８０℃以下となる。したがって、Ｎｉ―Ｃｕ
―Ｚｎフェライト材料は、Ｆｅ2Ｏ3が４８．０〜４９．
８モル％、ＺｎＯが２０．０〜３４．０モル％、ＣｕＯ
が６．０〜２０．０モル％、ＮｉＯが残部、であること
が好ましい。
の組成に関して、Ｆｅ2Ｏ3量が４８．０モル％未満で
は、フェライトの飽和磁化が小さくなるため、初透磁率
が８００を下回ってしまう。一方、Ｆｅ2Ｏ3量が４９．
８モル％を超えると極端に焼結性が低下し９００℃以下
では焼結できなくなってしまう。また、ＣｕＯ量が６．
０モル％未満では、９００℃以下の焼成温度では焼結密
度が高くならない。一方、ＣｕＯ量が２０．０モル％を
超えると、キュリー温度が８０℃以下となる。また、Ｚ
ｎＯ量が２０．０モル％未満では、フェリ磁性による飽
和磁化が不十分となり、初透磁率が８００を下回ってし
まう。逆に、ＺｎＯ量が３４．０モル％を超えるとキュ
リー温度が８０℃以下となる。したがって、Ｎｉ―Ｃｕ
―Ｚｎフェライト材料は、Ｆｅ2Ｏ3が４８．０〜４９．
８モル％、ＺｎＯが２０．０〜３４．０モル％、ＣｕＯ
が６．０〜２０．０モル％、ＮｉＯが残部、であること
が好ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
フェライト材料の製造方法の実施の形態を、実施例に基
づいて説明する。
フェライト材料の製造方法の実施の形態を、実施例に基
づいて説明する。
【００１９】（実施例）まず鉄化合物として、表１に示
す種々の比表面積を有する、湿式合成法により得られた
α−Ｆｅ2Ｏ3粉体を用意した。また、ニッケル化合物と
してＮｉＯ粉体を、銅化合物としてＣｕＯ粉体を、亜鉛
化合物としてＺｎＯ粉体をそれぞれ用意した。その後、
これら化合物をＦｅ2Ｏ3が４８．７モル％、ＺｎＯが２
６．９モル％、ＣｕＯが１０．５モル％、残りがＮｉＯ
となるように秤量し、ボールミルで湿式混合し、乾燥さ
せた。
す種々の比表面積を有する、湿式合成法により得られた
α−Ｆｅ2Ｏ3粉体を用意した。また、ニッケル化合物と
してＮｉＯ粉体を、銅化合物としてＣｕＯ粉体を、亜鉛
化合物としてＺｎＯ粉体をそれぞれ用意した。その後、
これら化合物をＦｅ2Ｏ3が４８．７モル％、ＺｎＯが２
６．９モル％、ＣｕＯが１０．５モル％、残りがＮｉＯ
となるように秤量し、ボールミルで湿式混合し、乾燥さ
せた。
【００２０】次に、この混合後の粉体を表１に示す温度
で仮焼した。その後、仮焼後の粉体をボールミルで湿式
粉砕した。得られた粉砕後の粉体にバインダを加えて、
乾燥、造粒し、プレス成形で直径２０ｍｍ、内径１０ｍ
ｍ、高さ２ｍｍのトロイダルリングに成形した。これを
８７０℃で２時間焼成して、フェライトセラミックを得
た。
で仮焼した。その後、仮焼後の粉体をボールミルで湿式
粉砕した。得られた粉砕後の粉体にバインダを加えて、
乾燥、造粒し、プレス成形で直径２０ｍｍ、内径１０ｍ
ｍ、高さ２ｍｍのトロイダルリングに成形した。これを
８７０℃で２時間焼成して、フェライトセラミックを得
た。
【００２１】上記工程中、混合後の粉体、仮焼後の粉
体、粉砕後の粉体それぞれについて、ＢＥＴ法により比
表面積を測定した。また、仮焼後の粉体についてＸ線回
折分析を行ない、下式により、スピネル合成度を求め
た。なお、下式において、IFe104はＦｅ2Ｏ3の（１０
４）面のピーク強度であり、Isp311はスピネル結晶の
（３１１）面のピーク強度である。以上の結果を表１に
示す。 スピネル合成度=Isp311/(IFe104+Isp311)×100 （％）。
体、粉砕後の粉体それぞれについて、ＢＥＴ法により比
表面積を測定した。また、仮焼後の粉体についてＸ線回
折分析を行ない、下式により、スピネル合成度を求め
た。なお、下式において、IFe104はＦｅ2Ｏ3の（１０
４）面のピーク強度であり、Isp311はスピネル結晶の
（３１１）面のピーク強度である。以上の結果を表１に
示す。 スピネル合成度=Isp311/(IFe104+Isp311)×100 （％）。
【００２２】次に、得られたフェライトセラミックにつ
いて、アルキメデス法で密度を求め、理論密度に対する
相対密度（％表示）を算出した。また、インピーダンス
アナライザにより初透磁率を測定した。以上の結果を表
１に示す。なお、表１において、試料番号に＊印を付し
たものは本発明の範囲外のものであり、その他はすべて
本発明の範囲内のものである。
いて、アルキメデス法で密度を求め、理論密度に対する
相対密度（％表示）を算出した。また、インピーダンス
アナライザにより初透磁率を測定した。以上の結果を表
１に示す。なお、表１において、試料番号に＊印を付し
たものは本発明の範囲外のものであり、その他はすべて
本発明の範囲内のものである。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１の試料番号３〜８、１４〜１６から明
らかなように、鉄化合物として比表面積が８．５ｍ2／
ｇ以上のα―Ｆｅ2Ｏ3粉体を用い、混合後の粉体の比表
面積を８．０ｍ2／ｇ以上とし、仮焼後の粉体の比表面
積を５．０ｍ2／ｇ以上とし、粉砕後の粉体の比表面積
を６．０ｍ2／ｇ以上とするとともに、仮焼後のスピネ
ル合成度を８５〜９８％とした、本発明の製造方法によ
るＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料は、８７０℃で焼成
したときの相対焼結密度は９５％以上の高い値を示す。
そして、フェライトセラミックの初透磁率としては、チ
ップインダクタのクロスポイント周波数を１０ＭＨｚ以
下に抑えるために必要な８００以上が得られる。
らかなように、鉄化合物として比表面積が８．５ｍ2／
ｇ以上のα―Ｆｅ2Ｏ3粉体を用い、混合後の粉体の比表
面積を８．０ｍ2／ｇ以上とし、仮焼後の粉体の比表面
積を５．０ｍ2／ｇ以上とし、粉砕後の粉体の比表面積
を６．０ｍ2／ｇ以上とするとともに、仮焼後のスピネ
ル合成度を８５〜９８％とした、本発明の製造方法によ
るＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料は、８７０℃で焼成
したときの相対焼結密度は９５％以上の高い値を示す。
そして、フェライトセラミックの初透磁率としては、チ
ップインダクタのクロスポイント周波数を１０ＭＨｚ以
下に抑えるために必要な８００以上が得られる。
【００２５】これに対して、試料番号１、２のように、
鉄化合物としてのα―Ｆｅ2Ｏ3粉体の比表面積が８．５
ｍ2／ｇ未満の場合には、初透磁率が８００を下回り好
ましくない。
鉄化合物としてのα―Ｆｅ2Ｏ3粉体の比表面積が８．５
ｍ2／ｇ未満の場合には、初透磁率が８００を下回り好
ましくない。
【００２６】このように、α―Ｆｅ2Ｏ3粉体の比表面積
が８．５ｍ2／ｇ未満の場合、試料番号９のように、仮
焼温度を５００℃と低くし、仮焼後における粉体の比表
面積を５．０ｍ2／ｇ以上にしても、仮焼後のスピネル
合成度が７０％と低く、仮焼が不十分であるため、相対
焼結密度、初透磁率ともに低くなり好ましくない。一
方、試料番号１０〜１３のように仮焼温度を７００℃以
上にすると、仮焼後のスピネル合成度は高くなって８５
〜９８％内に入るが、仮焼後の粉体の比表面積が５．０
ｍ2／ｇ未満、粉砕後の粉体の比表面積が６．０ｍ2／ｇ
未満と小さく、相対焼結密度、初透磁率ともに低くなり
好ましくない。
が８．５ｍ2／ｇ未満の場合、試料番号９のように、仮
焼温度を５００℃と低くし、仮焼後における粉体の比表
面積を５．０ｍ2／ｇ以上にしても、仮焼後のスピネル
合成度が７０％と低く、仮焼が不十分であるため、相対
焼結密度、初透磁率ともに低くなり好ましくない。一
方、試料番号１０〜１３のように仮焼温度を７００℃以
上にすると、仮焼後のスピネル合成度は高くなって８５
〜９８％内に入るが、仮焼後の粉体の比表面積が５．０
ｍ2／ｇ未満、粉砕後の粉体の比表面積が６．０ｍ2／ｇ
未満と小さく、相対焼結密度、初透磁率ともに低くなり
好ましくない。
【００２７】また、試料番号１７のように、仮焼後の粉
体の比表面積が５．０ｍ2／ｇ以上、粉砕後の粉体の比
表面積が６．０ｍ2／ｇ以上と大きい場合でも、仮焼後
のスピネル合成度が８５〜９８％外であって低い場合
は、相対焼結密度、初透磁率ともに低くなり好ましくな
い。一方、試料番号１８、１９のように、仮焼後のスピ
ネル合成度が高い場合でも、仮焼後の粉体の比表面積が
５．０ｍ2／ｇ未満、粉砕後の粉体の比表面積が６．０
ｍ2／ｇ未満と小さい場合は、相対焼結密度、初透磁率
ともに低くなり好ましくない。
体の比表面積が５．０ｍ2／ｇ以上、粉砕後の粉体の比
表面積が６．０ｍ2／ｇ以上と大きい場合でも、仮焼後
のスピネル合成度が８５〜９８％外であって低い場合
は、相対焼結密度、初透磁率ともに低くなり好ましくな
い。一方、試料番号１８、１９のように、仮焼後のスピ
ネル合成度が高い場合でも、仮焼後の粉体の比表面積が
５．０ｍ2／ｇ未満、粉砕後の粉体の比表面積が６．０
ｍ2／ｇ未満と小さい場合は、相対焼結密度、初透磁率
ともに低くなり好ましくない。
【００２８】なお、上記実施例では、鉄化合物として、
湿式合成法により得られたα−Ｆｅ2Ｏ3粉体を用いた
が、本発明はこれに限定されるものではない。即ち、鉄
化合物としては、湿式合成法以外で得られたα−Ｆｅ2
Ｏ3や、さらにはＦｅ3Ｏ4、ＦｅＯＯＨなどの鉄化合物
を適宜用いることができる。
湿式合成法により得られたα−Ｆｅ2Ｏ3粉体を用いた
が、本発明はこれに限定されるものではない。即ち、鉄
化合物としては、湿式合成法以外で得られたα−Ｆｅ2
Ｏ3や、さらにはＦｅ3Ｏ4、ＦｅＯＯＨなどの鉄化合物
を適宜用いることができる。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、９００℃以下の低温で緻密に焼結でき、初透磁
率が８００以上のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料を得
ることができる。
よれば、９００℃以下の低温で緻密に焼結でき、初透磁
率が８００以上のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料を得
ることができる。
【００３０】従って、本発明によって得られるＮｉ−Ｃ
ｕ−Ｚｎフェライト材料は、クロスポイント周波数を１
０ＭＨｚ以下に抑えたチップインダクタ用として最適で
ある。
ｕ−Ｚｎフェライト材料は、クロスポイント周波数を１
０ＭＨｚ以下に抑えたチップインダクタ用として最適で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伴野 国三郎 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 4G018 AA01 AA23 AA24 AA25 AB02 AC01 AC12 4G048 AA03 AB05 AC02 AC03 AD04 AD06 AE05 5E041 AB01 AB19 BD01 CA10 HB01 NN02 NN06 NN17
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも鉄化合物、ニッケル化合物、
銅化合物および亜鉛化合物を混合した後、仮焼し、その
後粉砕する工程を備えたＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材
料の製造方法において、前記鉄化合物として比表面積が
８．５ｍ2／ｇ以上の粉体を用い、混合後の粉体の比表
面積を８．０ｍ2／ｇ以上とし、仮焼後の粉体の比表面
積を５．０ｍ2／ｇ以上とし、粉砕後の粉体の比表面積
を６．０ｍ2／ｇ以上とするとともに、仮焼後のスピネ
ル合成度を８５〜９８％とすることを特徴とする、Ｎｉ
−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方法。 - 【請求項２】 前記鉄化合物は、α−Ｆｅ2Ｏ3であるこ
とを特徴とする、請求項１に記載のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフ
ェライト材料の製造方法。 - 【請求項３】 前記鉄化合物は、湿式法で合成されたα
−Ｆｅ2Ｏ3であることを特徴とする、請求項１に記載の
Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方法。 - 【請求項４】 前記Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料
は、Ｆｅ2Ｏ3が４８．０〜４９．８モル％、ＺｎＯが２
０．０〜３４．０モル％、ＣｕＯが６．０〜２０．０モ
ル％、ＮｉＯが残部、からなることを特徴とする、請求
項１から３のいずれかに記載のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェラ
イト材料の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28015498A JP3580144B2 (ja) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方法 |
| US09/408,053 US6187218B1 (en) | 1908-10-19 | 1999-09-29 | Method of producing Ni-Cu-Zn ferrite material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28015498A JP3580144B2 (ja) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000109324A true JP2000109324A (ja) | 2000-04-18 |
| JP3580144B2 JP3580144B2 (ja) | 2004-10-20 |
Family
ID=17621079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28015498A Expired - Lifetime JP3580144B2 (ja) | 1908-10-19 | 1998-10-01 | Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3580144B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010132539A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-06-17 | Ngk Insulators Ltd | フェライト粉末及びその製造方法 |
| WO2019176968A1 (ja) * | 2018-03-16 | 2019-09-19 | 戸田工業株式会社 | Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライト粉末、焼結体、フェライトシート |
-
1998
- 1998-10-01 JP JP28015498A patent/JP3580144B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010132539A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-06-17 | Ngk Insulators Ltd | フェライト粉末及びその製造方法 |
| WO2019176968A1 (ja) * | 2018-03-16 | 2019-09-19 | 戸田工業株式会社 | Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライト粉末、焼結体、フェライトシート |
| CN111788156A (zh) * | 2018-03-16 | 2020-10-16 | 户田工业株式会社 | Ni－Zn－Cu系铁氧体粉末、烧结体、铁氧体片 |
| KR20200130811A (ko) * | 2018-03-16 | 2020-11-20 | 도다 고교 가부시끼가이샤 | Ni-Zn-Cu계 페라이트 분말, 소결체, 페라이트 시트 |
| JPWO2019176968A1 (ja) * | 2018-03-16 | 2021-03-25 | 戸田工業株式会社 | Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末、焼結体、フェライトシート |
| CN111788156B (zh) * | 2018-03-16 | 2023-04-28 | 户田工业株式会社 | Ni－Zn－Cu系铁氧体粉末、烧结体、铁氧体片 |
| TWI820093B (zh) * | 2018-03-16 | 2023-11-01 | 日商戶田工業股份有限公司 | Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系肥粒鐵粉末、燒結體、肥粒鐵薄片 |
| JP7406183B2 (ja) | 2018-03-16 | 2023-12-27 | 戸田工業株式会社 | Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライト粉末、焼結体、フェライトシート |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3580144B2 (ja) | 2004-10-20 |
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