JP2000105478A - 電子写真感光体、プロセスカ―トリッジ及び電子写真装置 - Google Patents
電子写真感光体、プロセスカ―トリッジ及び電子写真装置Info
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- JP2000105478A JP2000105478A JP11217487A JP21748799A JP2000105478A JP 2000105478 A JP2000105478 A JP 2000105478A JP 11217487 A JP11217487 A JP 11217487A JP 21748799 A JP21748799 A JP 21748799A JP 2000105478 A JP2000105478 A JP 2000105478A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ３８０〜５００ｎｍの波長域でも高い感度特
性を有し、かつフォトメモリーが小さく繰り返し使用時
の電位変動の小さい電子写真感光体を提供し、実用的で
安定した高画質な出力画像が得られるプロセスカートリ
ッジ及び電子写真装置を提供する。 【解決手段】 ３８０〜５００ｎｍの波長を有する半導
体レーザー光を照射され、支持体上に感光層を有し、感
光層が式（１）で示されるアゾ顔料を含有する電子写真
感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置。 【化１】 （式中、Ａｒは直接あるいは結合基を介して結合しても
よい、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基または
複素環基を表し、Ｃｐはフェノール性水酸基を有するカ
プラー残基を表し、ｎは１〜３の整数を表す。−Ｎ＝Ｎ
−Ｃｐが同一ベンゼン環に複数個結合することはない）
性を有し、かつフォトメモリーが小さく繰り返し使用時
の電位変動の小さい電子写真感光体を提供し、実用的で
安定した高画質な出力画像が得られるプロセスカートリ
ッジ及び電子写真装置を提供する。 【解決手段】 ３８０〜５００ｎｍの波長を有する半導
体レーザー光を照射され、支持体上に感光層を有し、感
光層が式（１）で示されるアゾ顔料を含有する電子写真
感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置。 【化１】 （式中、Ａｒは直接あるいは結合基を介して結合しても
よい、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基または
複素環基を表し、Ｃｐはフェノール性水酸基を有するカ
プラー残基を表し、ｎは１〜３の整数を表す。−Ｎ＝Ｎ
−Ｃｐが同一ベンゼン環に複数個結合することはない）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体、
プロセスカートリッジ及び電子写真装置に関し、詳しく
は画像の高解像度化が可能な短波長の半導体レーザーに
適した電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子
写真装置に関する。
プロセスカートリッジ及び電子写真装置に関し、詳しく
は画像の高解像度化が可能な短波長の半導体レーザーに
適した電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子
写真装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、レーザープリンターなどに代表さ
れるレーザーを光源として使用している電子写真装置に
おいて使用されているレーザーは、８００ｎｍ付近ある
いは６８０ｎｍ付近に発振波長を有する半導体レーザー
が主流である。近年、出力画像の高画質化のニーズの高
まりから、高解像度化に向けた様々なアプローチがなさ
れている。レーザーの波長もこの高解像度化に深く関わ
っており、特開平９−２４００５１号公報にも記載され
ているように、レーザーの発振波長が短くなるほど、レ
ーザーのスポット径を小さくすることが可能となり、高
解像度の潜像形成が可能となる。
れるレーザーを光源として使用している電子写真装置に
おいて使用されているレーザーは、８００ｎｍ付近ある
いは６８０ｎｍ付近に発振波長を有する半導体レーザー
が主流である。近年、出力画像の高画質化のニーズの高
まりから、高解像度化に向けた様々なアプローチがなさ
れている。レーザーの波長もこの高解像度化に深く関わ
っており、特開平９−２４００５１号公報にも記載され
ているように、レーザーの発振波長が短くなるほど、レ
ーザーのスポット径を小さくすることが可能となり、高
解像度の潜像形成が可能となる。
【０００３】レーザー発振波長の短波長化には、いくつ
かの手法が挙げられる。一つは、非線形光学材料を利用
し、第２高調波発生（ＳＨＧ）を用いてレーザー光の波
長を２分の１にするものである（特開平９−２７５２４
２号公報、特開平９−１８９９３０号公報、特開平５−
３１３０３３号公報など）。この系は、一次光源とし
て、既に技術が確立し高出力可能なＧａＡｓ系半導体レ
ーザーやＹＡＧレーザーを使用することができるため、
長寿命化や大出力化が可能である。
かの手法が挙げられる。一つは、非線形光学材料を利用
し、第２高調波発生（ＳＨＧ）を用いてレーザー光の波
長を２分の１にするものである（特開平９−２７５２４
２号公報、特開平９−１８９９３０号公報、特開平５−
３１３０３３号公報など）。この系は、一次光源とし
て、既に技術が確立し高出力可能なＧａＡｓ系半導体レ
ーザーやＹＡＧレーザーを使用することができるため、
長寿命化や大出力化が可能である。
【０００４】もう一つは、ワイドギャップ半導体を用い
るもので、ＳＨＧ利用のデバイスと比べ、装置の小型化
が可能である。ＺｎＳｅ系半導体レーザー（特開平７−
３２１４０９号公報、特開平６−３３４２７２号公報な
ど）や、ＧａＮ系半導体レーザー（特開平８−８８４４
１号公報、特開平７−３３５９７５号公報など）が、そ
の発光効率の高さから、以前から多くの研究の対象とな
っている。
るもので、ＳＨＧ利用のデバイスと比べ、装置の小型化
が可能である。ＺｎＳｅ系半導体レーザー（特開平７−
３２１４０９号公報、特開平６−３３４２７２号公報な
ど）や、ＧａＮ系半導体レーザー（特開平８−８８４４
１号公報、特開平７−３３５９７５号公報など）が、そ
の発光効率の高さから、以前から多くの研究の対象とな
っている。
【０００５】これらの半導体レーザーは素子構造、結晶
成長条件及び電極などの最適化が難しく、結晶中の欠陥
などにより、実用化に必須である室温での長時間発振が
困難であった。
成長条件及び電極などの最適化が難しく、結晶中の欠陥
などにより、実用化に必須である室温での長時間発振が
困難であった。
【０００６】しかし、基盤などの技術革新が進み、１９
９７年１０月には日亜化学工業から、ＧａＮ系半導体レ
ーザーで１１５０時間連続発振（５０℃条件）が報告さ
れるなど、実用化が目前に迫っている状態である。
９７年１０月には日亜化学工業から、ＧａＮ系半導体レ
ーザーで１１５０時間連続発振（５０℃条件）が報告さ
れるなど、実用化が目前に迫っている状態である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】特開平９−２４００５
１号公報には、４００〜５００ｎｍのレーザーに適した
感光体として、α型チタニルフタロシアニンを用いた単
層ないしは電荷発生層を最表面層とした積層感光体が開
示されているが、本発明者らの検討によれば、この材料
を用いた場合、感度が悪い上に、特に４００ｎｍ付近の
光に対するメモリーが非常に大きいため、繰り返し使用
した際の感光体の電位変動が大きいという問題があるこ
とが分かった。
１号公報には、４００〜５００ｎｍのレーザーに適した
感光体として、α型チタニルフタロシアニンを用いた単
層ないしは電荷発生層を最表面層とした積層感光体が開
示されているが、本発明者らの検討によれば、この材料
を用いた場合、感度が悪い上に、特に４００ｎｍ付近の
光に対するメモリーが非常に大きいため、繰り返し使用
した際の感光体の電位変動が大きいという問題があるこ
とが分かった。
【０００８】本発明の目的は、３８０〜５００ｎｍの波
長域でも高い感度特性を有し、かつ光メモリーが小さく
繰り返し使用時の電位変動の小さい電子写真感光体及び
これを有するプロセスカートリッジを提供し、またこの
感光体と短波長レーザーを使用することによって、実用
的で安定して高画質な出力画像が得られる電子写真装置
を提供することにある。
長域でも高い感度特性を有し、かつ光メモリーが小さく
繰り返し使用時の電位変動の小さい電子写真感光体及び
これを有するプロセスカートリッジを提供し、またこの
感光体と短波長レーザーを使用することによって、実用
的で安定して高画質な出力画像が得られる電子写真装置
を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に従って、支持体
上に感光層を有する電子写真感光体において、該電子写
真感光体が３８０〜５００ｎｍの波長を有する半導体レ
ーザー光を照射され、かつ、該感光層が下記式（１）で
示されるアゾ顔料を含有する電子写真感光体が提供され
る。
上に感光層を有する電子写真感光体において、該電子写
真感光体が３８０〜５００ｎｍの波長を有する半導体レ
ーザー光を照射され、かつ、該感光層が下記式（１）で
示されるアゾ顔料を含有する電子写真感光体が提供され
る。
【００１０】
【化４３】 （式中、Ａｒは直接あるいは結合基を介して結合してい
てもよい、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基ま
たは複素環基を表し、Ｃｐは下記式（２）、（３）、
（４）または（５）で示されるカプラー残基を表し、ｎ
は１〜３の整数を表す。ただし、−Ｎ＝Ｎ−Ｃｐが同一
ベンゼン環に複数個結合することはない。）
てもよい、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基ま
たは複素環基を表し、Ｃｐは下記式（２）、（３）、
（４）または（５）で示されるカプラー残基を表し、ｎ
は１〜３の整数を表す。ただし、−Ｎ＝Ｎ−Ｃｐが同一
ベンゼン環に複数個結合することはない。）
【００１１】
【化４４】 （式中、Ｘはベンゼン環と縮合して多環芳香環または複
素環を形成するのに必要な残基を表し、Ｒ1及びＲ2は水
素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしく
は無置換のアリール基または置換もしくは無置換の複素
環基を表す。また、Ｒ1とＲ2は式中の窒素原子を介して
環状アミノ基を形成してもよい。Ｚ1は酸素原子または
硫黄原子を表し、ｍ1は０または１を表す。）
素環を形成するのに必要な残基を表し、Ｒ1及びＲ2は水
素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしく
は無置換のアリール基または置換もしくは無置換の複素
環基を表す。また、Ｒ1とＲ2は式中の窒素原子を介して
環状アミノ基を形成してもよい。Ｚ1は酸素原子または
硫黄原子を表し、ｍ1は０または１を表す。）
【００１２】
【化４５】 （式中、Ｙは置換もしくは無置換の２価の芳香族炭化水
素環基または置換もしくは無置換の２価の含窒素複素環
基を表す。）
素環基または置換もしくは無置換の２価の含窒素複素環
基を表す。）
【００１３】
【化４６】 （式中、Ｒ3は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、カ
ルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル
基またはニトロ基を表し、Ｒ4は置換もしくは無置換の
アルキル基または置換もしくは無置換のアリール基を表
し、Ｒ5はハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキ
ル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、シアノ基ま
たはニトロ基を表し、ｌは０〜２の整数を表し、ｌ＝２
の時、Ｒ5は相異なる基であってもよい。）
ルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル
基またはニトロ基を表し、Ｒ4は置換もしくは無置換の
アルキル基または置換もしくは無置換のアリール基を表
し、Ｒ5はハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキ
ル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、シアノ基ま
たはニトロ基を表し、ｌは０〜２の整数を表し、ｌ＝２
の時、Ｒ5は相異なる基であってもよい。）
【００１４】
【化４７】 （式中、Ｒ6及びＲ7は水素原子、置換もしくは無置換の
アルキル基、置換もしくは無置換のアリール基または置
換もしくは無置換の複素環基を表す。また、Ｒ6とＲ7は
式中の窒素原子を介して環状アミノ基を形成してもよ
い。Ｚ2は酸素原子または硫黄原子を表し、ｍ2は０また
は１を表す。）
アルキル基、置換もしくは無置換のアリール基または置
換もしくは無置換の複素環基を表す。また、Ｒ6とＲ7は
式中の窒素原子を介して環状アミノ基を形成してもよ
い。Ｚ2は酸素原子または硫黄原子を表し、ｍ2は０また
は１を表す。）
【００１５】また、本発明は、上記電子写真感光体を有
するプロセスカートリッジである。
するプロセスカートリッジである。
【００１６】また、本発明は、上記電子写真感光体と露
光光源として短波長半導体レーザーを有する電子写真装
置である。
光光源として短波長半導体レーザーを有する電子写真装
置である。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１８】式（１）中、Ａｒとしてはベンゼン、ナフ
タレン、フルオレン、フェナンスレン、アントラセン及
びピレンなどの芳香族炭化水素環、フラン、チオフェ
ン、ピリジン、インドール、ベンゾチアゾール、カルバ
ゾール、アクリドン、ジベンゾチオフェン、ベンゾオキ
サゾール、オキサジアゾール及びチアゾールなどの複素
環、更に上記芳香族炭化水素環または複素環を直接ある
いは芳香族性基または非芳香族性基で結合したもの、例
えば、ビフェニル、ビナフチル、ジフェニルアミン、ト
リフェニルアミン、Ｎ−メチルジフェニルアミン、フル
オレノン、フェナンスレンキノン、アントラキノン、ベ
ンズアンスロン、ターフェニル、ジフェニルオキサジア
ゾール、スチルベン、ジスチリルベンゼン、アゾベンゼ
ン、アゾキシベンゼン、フェニルベンズオキサゾール、
ジフェニルメタン、ジフェニルスルホン、ジフェニルエ
ーテル、ベンゾフェノン、テトラフェニル−ｐ−フェニ
レンジアミン、テトラフェニルベンジジン、Ｎ−フェニ
ル−２−ピリジルアミン及びＮ，Ｎ−ジフェニル−２−
ピリジルアミンなどの基が挙げられる。
タレン、フルオレン、フェナンスレン、アントラセン及
びピレンなどの芳香族炭化水素環、フラン、チオフェ
ン、ピリジン、インドール、ベンゾチアゾール、カルバ
ゾール、アクリドン、ジベンゾチオフェン、ベンゾオキ
サゾール、オキサジアゾール及びチアゾールなどの複素
環、更に上記芳香族炭化水素環または複素環を直接ある
いは芳香族性基または非芳香族性基で結合したもの、例
えば、ビフェニル、ビナフチル、ジフェニルアミン、ト
リフェニルアミン、Ｎ−メチルジフェニルアミン、フル
オレノン、フェナンスレンキノン、アントラキノン、ベ
ンズアンスロン、ターフェニル、ジフェニルオキサジア
ゾール、スチルベン、ジスチリルベンゼン、アゾベンゼ
ン、アゾキシベンゼン、フェニルベンズオキサゾール、
ジフェニルメタン、ジフェニルスルホン、ジフェニルエ
ーテル、ベンゾフェノン、テトラフェニル−ｐ−フェニ
レンジアミン、テトラフェニルベンジジン、Ｎ−フェニ
ル−２−ピリジルアミン及びＮ，Ｎ−ジフェニル−２−
ピリジルアミンなどの基が挙げられる。
【００１９】これらの基が有してもよい置換基として
は、メチル、エチル、プロピル及びブチルなどのアルキ
ル基、メトキシ、エトキシ及びプロポキシなどのアルコ
キシ基、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子などのハロ
ゲン原子、ジメチルアミノ及びジエチルアミノなどのジ
アルキルアミノ基、水酸基、ニトロ基、シアノ基及びハ
ロメチル基などが挙げられる。
は、メチル、エチル、プロピル及びブチルなどのアルキ
ル基、メトキシ、エトキシ及びプロポキシなどのアルコ
キシ基、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子などのハロ
ゲン原子、ジメチルアミノ及びジエチルアミノなどのジ
アルキルアミノ基、水酸基、ニトロ基、シアノ基及びハ
ロメチル基などが挙げられる。
【００２０】式（２）中のＲ1及びＲ2のアルキル基とし
ては、メチル、エチル及びプロピルなどの基、アリール
基としてはフェニル、ナフチル及びアンスリルなどの
基、複素環基としてはピリジル、チエニル、カルバゾリ
ル、ベンゾイミダゾリル及びベンゾチアゾリルなどの
基、窒素原子を環内に含む環状アミノ基としてはピロー
ル、ピロリン、ピロリジン、ピロリドン、インドール、
インドリン、カルバゾール、イミダゾール、ピラゾー
ル、ピリゾリン、オキサジン及びフェノキサジンなどが
挙げられる。
ては、メチル、エチル及びプロピルなどの基、アリール
基としてはフェニル、ナフチル及びアンスリルなどの
基、複素環基としてはピリジル、チエニル、カルバゾリ
ル、ベンゾイミダゾリル及びベンゾチアゾリルなどの
基、窒素原子を環内に含む環状アミノ基としてはピロー
ル、ピロリン、ピロリジン、ピロリドン、インドール、
インドリン、カルバゾール、イミダゾール、ピラゾー
ル、ピリゾリン、オキサジン及びフェノキサジンなどが
挙げられる。
【００２１】これらの基が有してもよい置換基として
は、メチル、エチル、プロピル及びブチルなどのアルキ
ル基、メトキシ、エトキシ及びプロポキシなどのアルコ
キシ基、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子などのハロ
ゲン原子、ジメチルアミノ及びジエチルアミノなどのジ
アルキルアミノ基、フェニルカルバモイル基、ニトロ
基、シアノ基及びトリフルオロメチルなどのハロメチル
基などが挙げられる。
は、メチル、エチル、プロピル及びブチルなどのアルキ
ル基、メトキシ、エトキシ及びプロポキシなどのアルコ
キシ基、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子などのハロ
ゲン原子、ジメチルアミノ及びジエチルアミノなどのジ
アルキルアミノ基、フェニルカルバモイル基、ニトロ
基、シアノ基及びトリフルオロメチルなどのハロメチル
基などが挙げられる。
【００２２】中でも、Ｒ1及びＲ2のどちらか一方が水素
原子であり、他方が置換基を有してもよいフェニル基の
場合が感度上好ましく、更にフェニル基の置換基は、ア
ルキル基、ハロゲン原子及びフェニルカルバモイル基が
好ましい。なお、このフェニルカルバモイル基のフェニ
ル基は前述のような置換基を更に有していてもよい。
原子であり、他方が置換基を有してもよいフェニル基の
場合が感度上好ましく、更にフェニル基の置換基は、ア
ルキル基、ハロゲン原子及びフェニルカルバモイル基が
好ましい。なお、このフェニルカルバモイル基のフェニ
ル基は前述のような置換基を更に有していてもよい。
【００２３】式（３）中のＹの２価の芳香族炭化水素環
基及び含窒素複素環基としては、ｏ−フェニレン、ｏ−
ナフチレン、ペリナフチレン、１，２−アンスリル、
３，４−ピラゾールジイル、２，３−ピリジンジイル、
４，５−ピリジンジイル、６，７−イミダゾールジイル
及び６，７−キノリンジイルなどの２価の基が挙げられ
る。
基及び含窒素複素環基としては、ｏ−フェニレン、ｏ−
ナフチレン、ペリナフチレン、１，２−アンスリル、
３，４−ピラゾールジイル、２，３−ピリジンジイル、
４，５−ピリジンジイル、６，７−イミダゾールジイル
及び６，７−キノリンジイルなどの２価の基が挙げられ
る。
【００２４】Ｙが有してもよい置換基としては、メチ
ル、エチル、プロピル及びブチルなどのアルキル基、メ
トキシ、エトキシ及びプロポキシなどのアルコキシ基、
フッ素原子、塩素原子及び臭素原子などのハロゲン原
子、ジメチルアミノ及びジエチルアミノなどのジアルキ
ルアミノ基、水酸基、ニトロ基、シアノ基及びハロメチ
ル基などが挙げられる。
ル、エチル、プロピル及びブチルなどのアルキル基、メ
トキシ、エトキシ及びプロポキシなどのアルコキシ基、
フッ素原子、塩素原子及び臭素原子などのハロゲン原
子、ジメチルアミノ及びジエチルアミノなどのジアルキ
ルアミノ基、水酸基、ニトロ基、シアノ基及びハロメチ
ル基などが挙げられる。
【００２５】式（４）中のＲ3、Ｒ4及びＲ5のハロゲン
原子としては、塩素及び臭素など、アルコキシカルボニ
ル基としては、メトキシカルボニル基及びエトキシカル
ボニル基など、カルバモイル基としては、カルバモイル
基及びフェニルカルバモイル基など、アルキル基として
は、メチル基、エチル基及びプロピル基など、アルコキ
シ基としては、メトキシ基及びエトキシ基など、アリー
ル基としては、フェニル基、ナフチル基及びアンスリル
基などが挙げられる。
原子としては、塩素及び臭素など、アルコキシカルボニ
ル基としては、メトキシカルボニル基及びエトキシカル
ボニル基など、カルバモイル基としては、カルバモイル
基及びフェニルカルバモイル基など、アルキル基として
は、メチル基、エチル基及びプロピル基など、アルコキ
シ基としては、メトキシ基及びエトキシ基など、アリー
ル基としては、フェニル基、ナフチル基及びアンスリル
基などが挙げられる。
【００２６】これらの基が有してもよい置換基として
は、メチル、エチル、プロピル及びブチルなどのアルキ
ル基、メトキシ、エトキシ及びプロポキシなどのアルコ
キシ基、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子などのハロ
ゲン原子、ジメチルアミノ及びジエチルアミノなどのジ
アルキルアミノ基、水酸基、ニトロ基、シアノ基及びハ
ロメチル基などが挙げられる。
は、メチル、エチル、プロピル及びブチルなどのアルキ
ル基、メトキシ、エトキシ及びプロポキシなどのアルコ
キシ基、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子などのハロ
ゲン原子、ジメチルアミノ及びジエチルアミノなどのジ
アルキルアミノ基、水酸基、ニトロ基、シアノ基及びハ
ロメチル基などが挙げられる。
【００２７】式（５）中のＲ6及びＲ7のアルキル基とし
ては、メチル、エチル及びプロピルなどの基、アリール
基としてはフェニル、ナフチル及びアンスリルなどの
基、複素環基としてはピリジル、チエニル、カルバゾリ
ル、ベンゾイミダゾリル及びベンゾチアゾリルなどの
基、窒素原子を環内に含む環状アミノ基としてはピロー
ル、ピロリン、ピロリジン、ピロリドン、インドール、
インドリン、カルバゾール、イミダゾール、ピラゾー
ル、ピリゾリン、オキサジン及びフェノキサジンなどが
挙げられる。
ては、メチル、エチル及びプロピルなどの基、アリール
基としてはフェニル、ナフチル及びアンスリルなどの
基、複素環基としてはピリジル、チエニル、カルバゾリ
ル、ベンゾイミダゾリル及びベンゾチアゾリルなどの
基、窒素原子を環内に含む環状アミノ基としてはピロー
ル、ピロリン、ピロリジン、ピロリドン、インドール、
インドリン、カルバゾール、イミダゾール、ピラゾー
ル、ピリゾリン、オキサジン及びフェノキサジンなどが
挙げられる。
【００２８】これらの基が有してもよい置換基として
は、メチル、エチル、プロピル及びブチルなどのアルキ
ル基、メトキシ、エトキシ及びプロポキシなどのアルコ
キシ基、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子などのハロ
ゲン原子、ジメチルアミノ及びジエチルアミノなどのジ
アルキルアミノ基、水酸基、ニトロ基、シアノ基及びハ
ロメチル基などが挙げられる。
は、メチル、エチル、プロピル及びブチルなどのアルキ
ル基、メトキシ、エトキシ及びプロポキシなどのアルコ
キシ基、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子などのハロ
ゲン原子、ジメチルアミノ及びジエチルアミノなどのジ
アルキルアミノ基、水酸基、ニトロ基、シアノ基及びハ
ロメチル基などが挙げられる。
【００２９】中でも、Ｒ6及びＲ7のどちらか一方が水素
原子であり、他方が置換基を有してもよいフェニル基の
場合が感度上好ましく、更にフェニル基の置換基は、ア
ルキル基、ハロゲン原子及びフェニルカルバモイル基が
好ましい。なお、このフェニルカルバモイル基のフェニ
ル基は前述のような置換基を更に有していてもよい。
原子であり、他方が置換基を有してもよいフェニル基の
場合が感度上好ましく、更にフェニル基の置換基は、ア
ルキル基、ハロゲン原子及びフェニルカルバモイル基が
好ましい。なお、このフェニルカルバモイル基のフェニ
ル基は前述のような置換基を更に有していてもよい。
【００３０】以下に、本発明に用いられる、アゾ顔料の
好ましい化合物例を列挙する。構造式は、式（１）のＡ
ｒ、Ｃｐに相当する部分のみを記載した。なお、ｎが２
または３の場合でＣｐが相異なる場合はＣｐ１、Ｃｐ２
及びＣｐ３としてその構造を示した。
好ましい化合物例を列挙する。構造式は、式（１）のＡ
ｒ、Ｃｐに相当する部分のみを記載した。なお、ｎが２
または３の場合でＣｐが相異なる場合はＣｐ１、Ｃｐ２
及びＣｐ３としてその構造を示した。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】
【表３】
【００３４】
【表４】
【００３５】
【表５】
【００３６】
【表６】
【００３７】
【表７】
【００３８】
【表８】
【００３９】
【表９】
【００４０】
【表１０】
【００４１】
【表１１】
【００４２】
【表１２】
【００４３】
【表１３】
【００４４】
【表１４】
【００４５】
【表１５】
【００４６】
【表１６】
【００４７】
【表１７】
【００４８】
【表１８】
【００４９】
【表１９】
【００５０】
【表２０】
【００５１】
【表２１】
【００５２】
【表２２】
【００５３】
【表２３】
【００５４】
【表２４】
【００５５】
【表２５】
【００５６】
【表２６】
【００５７】
【表２７】
【００５８】
【表２８】
【００５９】
【表２９】
【００６０】
【表３０】
【００６１】これらの中では、例示化合物２−５、２−
１３、２−１５、２−１６、２−２５、２−２８、３−
１６、３−１７及び４−４が好ましく、特には、２−１
３、３−１６及び３−１７が好ましく、更には感度の安
定性の点で３−１６及び３−１７が好ましい。
１３、２−１５、２−１６、２−２５、２−２８、３−
１６、３−１７及び４−４が好ましく、特には、２−１
３、３−１６及び３−１７が好ましく、更には感度の安
定性の点で３−１６及び３−１７が好ましい。
【００６２】次に、本発明の電子写真感光体について詳
しく説明する。
しく説明する。
【００６３】電子写真感光体の構成は、図１、図２及び
図３に示されるような公知のいかなる構成であってもさ
しつかえないが、図１の構成であることが好ましい。図
中、ａは支持体、ｂは感光層、ｃは電荷発生層、ｄは電
荷輸送層、ｅは電荷発生材料（式（１）で示されるアゾ
顔料）を示す。特開平９−２４００５１号公報には、図
１のような支持体上に電荷発生層と電荷輸送層をこの順
に積層した感光体では、４００〜５００ｎｍの光は電荷
輸送材料に吸収され、電荷発生層まで光が届かないた
め、原理上感度を示さないとあるが、必ずしもそのよう
なことはなく、電荷輸送層に使用される電荷輸送材料と
してレーザーの発振波長に透過性のある電荷輸送材料を
用いれば、上記構成の電子写真感光体でも十分な感度が
得られ使用可能である。
図３に示されるような公知のいかなる構成であってもさ
しつかえないが、図１の構成であることが好ましい。図
中、ａは支持体、ｂは感光層、ｃは電荷発生層、ｄは電
荷輸送層、ｅは電荷発生材料（式（１）で示されるアゾ
顔料）を示す。特開平９−２４００５１号公報には、図
１のような支持体上に電荷発生層と電荷輸送層をこの順
に積層した感光体では、４００〜５００ｎｍの光は電荷
輸送材料に吸収され、電荷発生層まで光が届かないた
め、原理上感度を示さないとあるが、必ずしもそのよう
なことはなく、電荷輸送層に使用される電荷輸送材料と
してレーザーの発振波長に透過性のある電荷輸送材料を
用いれば、上記構成の電子写真感光体でも十分な感度が
得られ使用可能である。
【００６４】以下に支持体上に電荷発生層と電荷輸送層
とを積層した機能分離型感光体について、その作成方法
を述べる。
とを積層した機能分離型感光体について、その作成方法
を述べる。
【００６５】電荷発生層は、電荷発生材料としての式
（１）で示されるアゾ顔料を適当な溶剤中でバインダー
樹脂と共に分散した液を支持体上に公知の方法によって
塗布し乾燥することによって形成される。その膜厚は、
５μｍ以下であることが好ましく、特には０．１〜１μ
ｍであることが好ましい。
（１）で示されるアゾ顔料を適当な溶剤中でバインダー
樹脂と共に分散した液を支持体上に公知の方法によって
塗布し乾燥することによって形成される。その膜厚は、
５μｍ以下であることが好ましく、特には０．１〜１μ
ｍであることが好ましい。
【００６６】用いられるバインダー樹脂としては、広範
な絶縁性樹脂あるいは有機光導電性ポリマーから選択さ
れるが、ポリビニルブチラール、ポリビニルベンザー
ル、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリエステ
ル、フェノキシ樹脂、セルロース系樹脂、アクリル樹脂
及びポリウレタンなどが好ましく、これらの樹脂は置換
基を有してもよく、置換基としてはハロゲン原子、アル
キル基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及びトリフ
ルオロメチル基などが好ましい。また、バインダー樹脂
の使用量は、電荷発生層全重量に対し、好ましくは８０
重量％以下、より好ましくは４０重量％以下である。
な絶縁性樹脂あるいは有機光導電性ポリマーから選択さ
れるが、ポリビニルブチラール、ポリビニルベンザー
ル、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリエステ
ル、フェノキシ樹脂、セルロース系樹脂、アクリル樹脂
及びポリウレタンなどが好ましく、これらの樹脂は置換
基を有してもよく、置換基としてはハロゲン原子、アル
キル基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及びトリフ
ルオロメチル基などが好ましい。また、バインダー樹脂
の使用量は、電荷発生層全重量に対し、好ましくは８０
重量％以下、より好ましくは４０重量％以下である。
【００６７】また、使用する溶剤はバインダー樹脂を溶
解し、後述の電荷輸送層や下引き層を溶解しないものか
ら選択することが好ましい。具体的には、テトラヒドロ
フラン及び１，４−ジオキサンなどのエーテル類、シク
ロヘキサノン及びメチルエチルケトンなどのケトン類、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミン類、酢酸メ
チル及び酢酸エチルなどのエステル類、トルエン、キシ
レン及びクロロベンゼンなどの芳香族類、メタノール、
エタノール及び２−プロパノールなどのアルコール類、
クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエチレン、四塩
化炭素及びトリクロロエチレンなどの脂肪族ハロゲン化
炭化水素類などが挙げられる。
解し、後述の電荷輸送層や下引き層を溶解しないものか
ら選択することが好ましい。具体的には、テトラヒドロ
フラン及び１，４−ジオキサンなどのエーテル類、シク
ロヘキサノン及びメチルエチルケトンなどのケトン類、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミン類、酢酸メ
チル及び酢酸エチルなどのエステル類、トルエン、キシ
レン及びクロロベンゼンなどの芳香族類、メタノール、
エタノール及び２−プロパノールなどのアルコール類、
クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエチレン、四塩
化炭素及びトリクロロエチレンなどの脂肪族ハロゲン化
炭化水素類などが挙げられる。
【００６８】電荷輸送層は、電荷発生層の上または下に
積層され、電界の存在下にて電荷発生層から電荷キャリ
アを受け取り、これを輸送する機能を有している。電荷
輸送層は、電荷輸送材料を必要に応じて適当なバインダ
ー樹脂と共に溶剤中に溶解した塗布液を塗布することに
よって形成される。その膜厚は、５〜４０μｍであるこ
とが好ましく、特には１５〜３０μｍであること好まし
い。
積層され、電界の存在下にて電荷発生層から電荷キャリ
アを受け取り、これを輸送する機能を有している。電荷
輸送層は、電荷輸送材料を必要に応じて適当なバインダ
ー樹脂と共に溶剤中に溶解した塗布液を塗布することに
よって形成される。その膜厚は、５〜４０μｍであるこ
とが好ましく、特には１５〜３０μｍであること好まし
い。
【００６９】電荷輸送材料には電子輸送性材料と正孔輸
送性材料があり、電子輸送性材料としては、例えば、
２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７
−テトラニトロフルオレノン、クロラニル及びテトラシ
アノキノジメタンなどの電子吸引性材料やこれらの電子
吸引性材料を高分子化したものなどが挙げられる。
送性材料があり、電子輸送性材料としては、例えば、
２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７
−テトラニトロフルオレノン、クロラニル及びテトラシ
アノキノジメタンなどの電子吸引性材料やこれらの電子
吸引性材料を高分子化したものなどが挙げられる。
【００７０】正孔輸送材料としては、例えば、ピレン及
びアントラセンなどの多環芳香族化合物、カルバゾール
系、インドール系、オキサゾール系、チアゾール系、オ
キサジアゾール系、ピラゾール系、ピラゾリン系、チア
ジアゾール系及びトリアゾール系化合物などの複素環化
合物、ヒドラゾン系化合物、スチリル系化合物、ベンジ
ジン系化合物、トリアリールメタン系化合物及びトリフ
ェニルアミン系化合物、あるいはこれらの化合物からな
る基を主鎖又は側鎖に有するポリマー（例えば、ポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾール及びポリビニルアントラセンな
ど）が挙げられる。
びアントラセンなどの多環芳香族化合物、カルバゾール
系、インドール系、オキサゾール系、チアゾール系、オ
キサジアゾール系、ピラゾール系、ピラゾリン系、チア
ジアゾール系及びトリアゾール系化合物などの複素環化
合物、ヒドラゾン系化合物、スチリル系化合物、ベンジ
ジン系化合物、トリアリールメタン系化合物及びトリフ
ェニルアミン系化合物、あるいはこれらの化合物からな
る基を主鎖又は側鎖に有するポリマー（例えば、ポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾール及びポリビニルアントラセンな
ど）が挙げられる。
【００７１】また、これらの電荷輸送材料は１種または
２種以上組み合わせて用いることができる。電荷輸送材
料が成膜性を有していない時には、適当なバインダー樹
脂を用いることができる。具体的には、アクリル樹脂、
ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポ
リスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマー、
ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶
縁性樹脂あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール及びポ
リビニルアントラセンなどの有機光導電性ポリマーなど
が挙げられる。
２種以上組み合わせて用いることができる。電荷輸送材
料が成膜性を有していない時には、適当なバインダー樹
脂を用いることができる。具体的には、アクリル樹脂、
ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポ
リスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマー、
ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶
縁性樹脂あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール及びポ
リビニルアントラセンなどの有機光導電性ポリマーなど
が挙げられる。
【００７２】ただし、図１の構成の電子写真感光体に使
用する場合は、前述の通り使用する半導体レーザーの発
振波長に対して透過性のある電荷輸送材料やバインダー
樹脂を選択する必要がある。
用する場合は、前述の通り使用する半導体レーザーの発
振波長に対して透過性のある電荷輸送材料やバインダー
樹脂を選択する必要がある。
【００７３】支持体は、導電性を有するものであり、例
えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ス
テンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、
ニッケル、インジウム、金や白金などが挙げられる。ま
た、これらの金属または合金を真空蒸着法によって被膜
形成したプラスチック（例えば、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレー
ト及びアクリル樹脂など）や導電性粒子（例えば、カー
ボンブラック及び銀粒子など）を適当なバインダー樹脂
と共に上記のようなプラスチック、金属または合金上に
被覆した支持体あるいは導電性粒子をプラスチックや紙
に含浸させた支持体などを用いることができる。形状と
しては、ドラム状、シート状及びベルト状などが挙げら
れる。
えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ス
テンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、
ニッケル、インジウム、金や白金などが挙げられる。ま
た、これらの金属または合金を真空蒸着法によって被膜
形成したプラスチック（例えば、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレー
ト及びアクリル樹脂など）や導電性粒子（例えば、カー
ボンブラック及び銀粒子など）を適当なバインダー樹脂
と共に上記のようなプラスチック、金属または合金上に
被覆した支持体あるいは導電性粒子をプラスチックや紙
に含浸させた支持体などを用いることができる。形状と
しては、ドラム状、シート状及びベルト状などが挙げら
れる。
【００７４】本発明においては、支持体と感光層の中間
にバリヤー機能と接着機能を有する下引き層を設けるこ
ともできる。
にバリヤー機能と接着機能を有する下引き層を設けるこ
ともできる。
【００７５】また、感光層を外部からの機械的及び化学
的悪影響から保護することなどを目的として、保護層を
設けることもできる。
的悪影響から保護することなどを目的として、保護層を
設けることもできる。
【００７６】なお、感光層には必要に応じて酸化防止剤
や紫外線吸収剤などの添加剤を使用してもさしつかえな
い。
や紫外線吸収剤などの添加剤を使用してもさしつかえな
い。
【００７７】本発明における露光手段は、露光光源とし
て３８０〜５００ｎｍの発振波長を有する半導体レーザ
ーを有していればよく、他の構成は特に制限されるもの
ではない。また、半導体レーザーも発振波長が上記の範
囲内であれば、他の構成は特に限定されるものではな
い。なお、本発明においては、半導体レーザーの発振波
長が４００〜４５０ｎｍであることが、電子写真特性の
点で好ましい。
て３８０〜５００ｎｍの発振波長を有する半導体レーザ
ーを有していればよく、他の構成は特に制限されるもの
ではない。また、半導体レーザーも発振波長が上記の範
囲内であれば、他の構成は特に限定されるものではな
い。なお、本発明においては、半導体レーザーの発振波
長が４００〜４５０ｎｍであることが、電子写真特性の
点で好ましい。
【００７８】また、本発明における帯電手段、現像手
段、転写手段及びクリーニング手段も特に限定されるも
のではない。
段、転写手段及びクリーニング手段も特に限定されるも
のではない。
【００７９】図４に本発明の電子写真感光体を有するプ
ロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を
示す。
ロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を
示す。
【００８０】図において、１はドラム状の本発明の電子
写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速
度で回転駆動される。感光体１は、回転過程において、
一次帯電手段３によりその周面に正または負の所定電位
の均一帯電を受け、次いで、３８０〜５００ｎｍに発振
波長を有する半導体レーザーを用いた露光手段（不図
示）からの露光光４を受ける。こうして感光体１の周面
に静電潜像が順次形成されていく。
写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速
度で回転駆動される。感光体１は、回転過程において、
一次帯電手段３によりその周面に正または負の所定電位
の均一帯電を受け、次いで、３８０〜５００ｎｍに発振
波長を有する半導体レーザーを用いた露光手段（不図
示）からの露光光４を受ける。こうして感光体１の周面
に静電潜像が順次形成されていく。
【００８１】形成された静電潜像は、次いで現像手段５
によりトナー現像され、現像されたトナー現像像は、不
図示の給紙部から感光体１と転写手段６との間に感光体
１の回転と同期して取り出されて給紙された転写材７
に、転写手段６により順次転写されていく。
によりトナー現像され、現像されたトナー現像像は、不
図示の給紙部から感光体１と転写手段６との間に感光体
１の回転と同期して取り出されて給紙された転写材７
に、転写手段６により順次転写されていく。
【００８２】像転写を受けた転写材７は、感光体面から
分離されて像定着手段８へ導入されて像定着を受けるこ
とにより複写物（コピー）として装置外へプリントアウ
トされる。
分離されて像定着手段８へ導入されて像定着を受けるこ
とにより複写物（コピー）として装置外へプリントアウ
トされる。
【００８３】像転写後の感光体１の表面は、クリーニン
グ手段９によって転写残りトナーの除去を受けて清浄面
化され、更に前露光手段（不図示）からの前露光光１０
により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用され
る。なお、図においては、一次帯電手段３が帯電ローラ
ーを用いた接触帯電手段であるので、前露光は必ずしも
必要ではない。
グ手段９によって転写残りトナーの除去を受けて清浄面
化され、更に前露光手段（不図示）からの前露光光１０
により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用され
る。なお、図においては、一次帯電手段３が帯電ローラ
ーを用いた接触帯電手段であるので、前露光は必ずしも
必要ではない。
【００８４】本発明においては、上述の電子写真感光体
１、一次帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段
９などの構成要素のうち、複数のものをプロセスカート
リッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカー
トリッジを複写機やレーザービームプリンターなどの電
子写真装置本体に対して着脱自在の構成してもよい。例
えば、一次帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手
段９の少なくとも一つを感光体１と共に一体に支持して
カートリッジ化して、装置本体のレール１２などの案内
手段を用いて装置本体に着脱可能なプロセスカートリッ
ジ１１とすることができる。
１、一次帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段
９などの構成要素のうち、複数のものをプロセスカート
リッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカー
トリッジを複写機やレーザービームプリンターなどの電
子写真装置本体に対して着脱自在の構成してもよい。例
えば、一次帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手
段９の少なくとも一つを感光体１と共に一体に支持して
カートリッジ化して、装置本体のレール１２などの案内
手段を用いて装置本体に着脱可能なプロセスカートリッ
ジ１１とすることができる。
【００８５】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説
明する。なお実施例中の「部」は重量部を示す。
明する。なお実施例中の「部」は重量部を示す。
【００８６】（実施例１−１〜１−１０及び比較例１−
１）アルミニウム支持体上にメトキシメチル化ナイロン
（重量平均分子量３２０００）５ｇとアルコール可溶性
共重合ナイロン（重量平均分子量２９０００）１０ｇを
メタノール９５ｇに溶解した液をマイヤーバーで塗布
し、乾燥することによって、膜厚が１μｍの下引き層を
形成した。
１）アルミニウム支持体上にメトキシメチル化ナイロン
（重量平均分子量３２０００）５ｇとアルコール可溶性
共重合ナイロン（重量平均分子量２９０００）１０ｇを
メタノール９５ｇに溶解した液をマイヤーバーで塗布
し、乾燥することによって、膜厚が１μｍの下引き層を
形成した。
【００８７】次に、表１−１に記載した電荷発生材料５
ｇをシクロヘキサノン９５ｇにブチラール樹脂（ブチラ
ール化度６３モル％、重量平均分子量３５０００）２ｇ
を溶かした溶液に加え、サンドミルを用いて２０時間分
散した。この分散液を下引き層上にマイヤーバーで塗布
し、乾燥することによって、膜厚が０．２μｍの電荷発
生層を形成した。
ｇをシクロヘキサノン９５ｇにブチラール樹脂（ブチラ
ール化度６３モル％、重量平均分子量３５０００）２ｇ
を溶かした溶液に加え、サンドミルを用いて２０時間分
散した。この分散液を下引き層上にマイヤーバーで塗布
し、乾燥することによって、膜厚が０．２μｍの電荷発
生層を形成した。
【００８８】次いで、下記構造式で示される電荷輸送材
料５ｇ
料５ｇ
【００８９】
【化４８】 とポリカーボネートＺ樹脂（数平均分子量２００００）
５ｇをモノクロロベンゼン４０ｇに溶解した溶液を電荷
発生層上にマイヤーバーで塗布し、乾燥することによっ
て、膜厚が２５μｍの電荷輸送層を形成した。
５ｇをモノクロロベンゼン４０ｇに溶解した溶液を電荷
発生層上にマイヤーバーで塗布し、乾燥することによっ
て、膜厚が２５μｍの電荷輸送層を形成した。
【００９０】このようにして作成した電子写真感光体
を、静電複写紙試験装置（川口電機製：ＥＰＡ−８１０
０）を用いて、以下のように評価した。
を、静電複写紙試験装置（川口電機製：ＥＰＡ−８１０
０）を用いて、以下のように評価した。
【００９１】（感度）電子写真感光体の表面電位を−７
００Ｖになるようにコロナ帯電器で帯電し、次いでモノ
クロメータで分離した４００ｎｍの単色光で露光し、表
面電位が−３５０Ｖまで減衰するのに必要な光量を測定
し、感度（Ｅ1/2）を求めた。同様にして、４５０ｎ
ｍ、５００ｎｍの単色光における感度を測定した。
００Ｖになるようにコロナ帯電器で帯電し、次いでモノ
クロメータで分離した４００ｎｍの単色光で露光し、表
面電位が−３５０Ｖまで減衰するのに必要な光量を測定
し、感度（Ｅ1/2）を求めた。同様にして、４５０ｎ
ｍ、５００ｎｍの単色光における感度を測定した。
【００９２】（繰り返し特性）次に、初期暗部電位（Ｖ
ｄ）及び初期明部電位（Ｖｌ）をそれぞれ−７００Ｖ、
−２００Ｖ付近に設定し、４００ｎｍの単色光を用いて
帯電、露光を３０００回繰り返し、Ｖｄ、Ｖｌの変動量
（ΔＶｄ、ΔＶｌ）を測定した。
ｄ）及び初期明部電位（Ｖｌ）をそれぞれ−７００Ｖ、
−２００Ｖ付近に設定し、４００ｎｍの単色光を用いて
帯電、露光を３０００回繰り返し、Ｖｄ、Ｖｌの変動量
（ΔＶｄ、ΔＶｌ）を測定した。
【００９３】（フォトメモリー）電子写真感光体の初期
Ｖｄ、４００ｎｍの単色光での初期Ｖｌをそれぞれ−７
００Ｖ、−２００Ｖ付近に設定した。次に、電子写真感
光体の一部に光強度２０μＷ／ｃｍ2の４００ｎｍの単
色光を１５分間照射した後、再度電子写真感光体のＶ
ｄ、Ｖｌを測定し、フォトメモリーとして非照射部と照
射部のＶｄの差（ΔＶｄPM）及び非照射部と照射部のＶ
ｌの差（ΔＶｌPM）を測定した。
Ｖｄ、４００ｎｍの単色光での初期Ｖｌをそれぞれ−７
００Ｖ、−２００Ｖ付近に設定した。次に、電子写真感
光体の一部に光強度２０μＷ／ｃｍ2の４００ｎｍの単
色光を１５分間照射した後、再度電子写真感光体のＶ
ｄ、Ｖｌを測定し、フォトメモリーとして非照射部と照
射部のＶｄの差（ΔＶｄPM）及び非照射部と照射部のＶ
ｌの差（ΔＶｌPM）を測定した。
【００９４】比較のために、電荷発生材料をα型のチタ
ニルフタロシアニンに代えた以外は、実施例１−１と同
様にして電子写真感光体を作成し、評価した。
ニルフタロシアニンに代えた以外は、実施例１−１と同
様にして電子写真感光体を作成し、評価した。
【００９５】以上の結果を表１−１に示す。
【００９６】なお、以下表中の繰り返し特性及びフォト
メモリーにおけるマイナス記号は電位の絶対値の低下を
表し、プラス記号は電位の絶対値の上昇を表す。
メモリーにおけるマイナス記号は電位の絶対値の低下を
表し、プラス記号は電位の絶対値の上昇を表す。
【００９７】
【表３１】
【００９８】（実施例１−１１〜１−２０及び比較例１
−２）電荷輸送材料を下記化合物に代えた以外は、実施
例１−１〜１−１０及び比較例１−１と同様にして電子
写真感光体を作成し、評価を行った。これらの結果を表
１−２に示す。
−２）電荷輸送材料を下記化合物に代えた以外は、実施
例１−１〜１−１０及び比較例１−１と同様にして電子
写真感光体を作成し、評価を行った。これらの結果を表
１−２に示す。
【００９９】
【化４９】
【０１００】
【表３２】
【０１０１】（実施例１−２１〜１−３０及び比較例１
−３）電荷発生層と電荷輸送層の上下関係を逆にした以
外は、実施例１−１〜１−１０及び比較例１−１と同様
にして電子写真感光体を作成し、実施例１−１と同様に
して初期の感度を測定した。ただし電荷輸送材料は下記
構造式の化合物に代え、帯電極性はプラスとした。これ
らの結果を表１−３に示す。
−３）電荷発生層と電荷輸送層の上下関係を逆にした以
外は、実施例１−１〜１−１０及び比較例１−１と同様
にして電子写真感光体を作成し、実施例１−１と同様に
して初期の感度を測定した。ただし電荷輸送材料は下記
構造式の化合物に代え、帯電極性はプラスとした。これ
らの結果を表１−３に示す。
【０１０２】
【化５０】
【０１０３】
【表３３】
【０１０４】以上の結果から本発明に用いる電子写真感
光体は、比較例の感光体に比べ短波長レーザーの発振波
長領域での感度が非常に優れている上、短波長光に対す
るフォトメモリーが小さく、繰り返し使用時の電位や感
度の安定性に優れていることがわかる。
光体は、比較例の感光体に比べ短波長レーザーの発振波
長領域での感度が非常に優れている上、短波長光に対す
るフォトメモリーが小さく、繰り返し使用時の電位や感
度の安定性に優れていることがわかる。
【０１０５】（実施例１−３１〜１−３６）１０％酸化
アンチモンを含有する酸化スズで被覆した酸化チタン粉
体５０部、レゾール型フェノール樹脂２５部、メチルセ
ロソルブ２０部、メタノール５部及びシリコーンオイル
（ポリジメチルシロキサンポリオキシアルキレン共重合
体、平均分子量３０００）０．００２部をφ１ｍｍガラ
スビーズを用いたサンドミル装置で２時間分散して導電
層用塗料を調製した。この塗料をアルミニウムシリンダ
ー上に浸漬塗布し、１４０℃で３０分間乾燥することに
よって、膜厚が２０μｍの導電層を形成した。
アンチモンを含有する酸化スズで被覆した酸化チタン粉
体５０部、レゾール型フェノール樹脂２５部、メチルセ
ロソルブ２０部、メタノール５部及びシリコーンオイル
（ポリジメチルシロキサンポリオキシアルキレン共重合
体、平均分子量３０００）０．００２部をφ１ｍｍガラ
スビーズを用いたサンドミル装置で２時間分散して導電
層用塗料を調製した。この塗料をアルミニウムシリンダ
ー上に浸漬塗布し、１４０℃で３０分間乾燥することに
よって、膜厚が２０μｍの導電層を形成した。
【０１０６】６−６６−６１０−１２四元系ポリアミド
共重合体樹脂５部をメタノール７０部／ブタノール２５
部の混合溶媒に溶解した。この溶液を導電層上に浸漬塗
布し、乾燥することによって、膜厚が０．８μｍの下引
き層を設けた。
共重合体樹脂５部をメタノール７０部／ブタノール２５
部の混合溶媒に溶解した。この溶液を導電層上に浸漬塗
布し、乾燥することによって、膜厚が０．８μｍの下引
き層を設けた。
【０１０７】次に、表１−４の電荷発生材料１０部をポ
リビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−
Ｓ、積水化学社製）５部をシクロヘキサノン１００部に
溶解した液に添加し、φ１ｍｍのガラスビーズを用いた
サンドミル装置で２０時間分散し、更に１００部のメチ
ルエチルケトンを加えて、希釈した。この液を下引き層
上に浸漬塗布し、１００℃で１０分間乾燥することによ
って、膜厚が０．２μｍの電荷発生層を形成した。
リビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−
Ｓ、積水化学社製）５部をシクロヘキサノン１００部に
溶解した液に添加し、φ１ｍｍのガラスビーズを用いた
サンドミル装置で２０時間分散し、更に１００部のメチ
ルエチルケトンを加えて、希釈した。この液を下引き層
上に浸漬塗布し、１００℃で１０分間乾燥することによ
って、膜厚が０．２μｍの電荷発生層を形成した。
【０１０８】次に、下記構造式で示される電荷輸送材料
９部とビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（数平
均分子量２００００）１０部をモノクロルベンゼン６０
部に溶解した。この溶液を電荷発生層上に浸漬塗布し、
１１０℃の温度で１時間乾燥することによって、膜厚が
２０μｍの電荷輸送層を形成し、実施例１−３１〜１−
３６の電子写真感光体を作成した。
９部とビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（数平
均分子量２００００）１０部をモノクロルベンゼン６０
部に溶解した。この溶液を電荷発生層上に浸漬塗布し、
１１０℃の温度で１時間乾燥することによって、膜厚が
２０μｍの電荷輸送層を形成し、実施例１−３１〜１−
３６の電子写真感光体を作成した。
【０１０９】
【化５１】
【０１１０】このようにして作成した電子写真感光体
を、パルス変調装置を搭載しているキヤノン製プリンタ
ーＬＢＰ−２０００改造機（光源として日立金属株式会
社製全固体青色ＳＨＧレーザーＩＣＤ−４３０／発振波
長４３０ｎｍを搭載。また、反転現像系で６００ｄｐｉ
相当の画像入力に対応できる帯電−露光−現像−転写−
クリーニングからなるカールソン方式の電子写真システ
ムに改造）に装着した。暗部電位Ｖｄ＝−６５０Ｖ、明
部電位Ｖｌ＝−２００Ｖに設定し、１ドット１スペース
の画像と文字（５ポイント）画像の出力を行い、得られ
た画像を目視により評価した。結果を表１−４に示す。
を、パルス変調装置を搭載しているキヤノン製プリンタ
ーＬＢＰ−２０００改造機（光源として日立金属株式会
社製全固体青色ＳＨＧレーザーＩＣＤ−４３０／発振波
長４３０ｎｍを搭載。また、反転現像系で６００ｄｐｉ
相当の画像入力に対応できる帯電−露光−現像−転写−
クリーニングからなるカールソン方式の電子写真システ
ムに改造）に装着した。暗部電位Ｖｄ＝−６５０Ｖ、明
部電位Ｖｌ＝−２００Ｖに設定し、１ドット１スペース
の画像と文字（５ポイント）画像の出力を行い、得られ
た画像を目視により評価した。結果を表１−４に示す。
【０１１１】（比較例１−４）電荷発生材料としてα型
チタニルフタロシアニンを用いた以外は、実施例１−３
１と同様にして電子写真感光体を作成した。得られた電
子写真感光体について、評価機の光源を発振波長７８０
ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザーに代えた以外は、実施
例１−３１と同様にして画像評価を行った。結果を表１
−４に示す。
チタニルフタロシアニンを用いた以外は、実施例１−３
１と同様にして電子写真感光体を作成した。得られた電
子写真感光体について、評価機の光源を発振波長７８０
ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザーに代えた以外は、実施
例１−３１と同様にして画像評価を行った。結果を表１
−４に示す。
【０１１２】
【表３４】
【０１１３】これらの結果から、本発明の電子写真装置
は、ドットの再現性や文字の再現性に優れ、高解像度の
出力画像が得られることがわかる。
は、ドットの再現性や文字の再現性に優れ、高解像度の
出力画像が得られることがわかる。
【０１１４】（実施例２−１〜２−７）電荷発生材料を
表２−１に記載した電荷発生材料に代えた以外は、実施
例１−１と同様にして電子写真感光体を作成し、評価し
た。これらの結果を表２−１に示す。
表２−１に記載した電荷発生材料に代えた以外は、実施
例１−１と同様にして電子写真感光体を作成し、評価し
た。これらの結果を表２−１に示す。
【０１１５】
【表３５】
【０１１６】（実施例２−８〜２−１４）電荷輸送材料
を実施例１−１１で用いたものに代えた以外は、実施例
２−１〜２−７と同様にして電子写真感光体を作成し、
評価した。これらの結果を表２−２に示す。
を実施例１−１１で用いたものに代えた以外は、実施例
２−１〜２−７と同様にして電子写真感光体を作成し、
評価した。これらの結果を表２−２に示す。
【０１１７】
【表３６】
【０１１８】（実施例２−１５〜２−２１）電荷発生層
と電荷輸送層の上下関係を逆にした以外は、実施例２−
１〜２−７と同様にして電子写真感光体を作成し、実施
例２−１と同様にして初期の感度を測定した。ただし電
荷輸送材料は実施例１−２１で用いたものに代え、帯電
極性はプラスとした。これらの結果を表２−３に示す。
と電荷輸送層の上下関係を逆にした以外は、実施例２−
１〜２−７と同様にして電子写真感光体を作成し、実施
例２−１と同様にして初期の感度を測定した。ただし電
荷輸送材料は実施例１−２１で用いたものに代え、帯電
極性はプラスとした。これらの結果を表２−３に示す。
【０１１９】
【表３７】
【０１２０】以上の結果から本発明に用いる電子写真感
光体は、比較例の感光体に比べ短波長レーザーの発振波
長領域での感度が非常に優れている上、短波長光に対す
るフォトメモリーが小さく、繰り返し使用時の電位や感
度の安定性に優れていることがわかる。
光体は、比較例の感光体に比べ短波長レーザーの発振波
長領域での感度が非常に優れている上、短波長光に対す
るフォトメモリーが小さく、繰り返し使用時の電位や感
度の安定性に優れていることがわかる。
【０１２１】（実施例２−２２〜２−２３）電荷発生材
料を表２−４に記載した電荷発生材料に代えた以外は、
実施例１−３１と同様にして電子写真感光体を作成し、
評価した。これらの結果を表２−４に示す。
料を表２−４に記載した電荷発生材料に代えた以外は、
実施例１−３１と同様にして電子写真感光体を作成し、
評価した。これらの結果を表２−４に示す。
【０１２２】
【表３８】
【０１２３】これらの結果から、本発明の電子写真装置
は、ドットの再現性や文字の再現性に優れ、高解像度の
出力画像が得られることがわかる。
は、ドットの再現性や文字の再現性に優れ、高解像度の
出力画像が得られることがわかる。
【０１２４】（実施例３−１〜３−４及び比較例３−
１）電荷発生材料を表３−１に記載した電荷発生材料に
代え、電荷発生層の膜厚を０．２５μｍにした以外は、
実施例１−１と同様にして電子写真感光体を作成し、評
価した。結果を表３−１に示す。
１）電荷発生材料を表３−１に記載した電荷発生材料に
代え、電荷発生層の膜厚を０．２５μｍにした以外は、
実施例１−１と同様にして電子写真感光体を作成し、評
価した。結果を表３−１に示す。
【０１２５】
【表３９】
【０１２６】（実施例４−１〜４−５）電荷発生材料を
表４−１に記載した電荷発生材料に代えた以外は、実施
例３−１と同様にして電子写真感光体を作成し、評価し
た。結果を表４−１に示す。
表４−１に記載した電荷発生材料に代えた以外は、実施
例３−１と同様にして電子写真感光体を作成し、評価し
た。結果を表４−１に示す。
【０１２７】
【表４０】
【０１２８】（実施例３−５〜３−８及び比較例３−
２）電荷輸送材料を実施例１−１１で用いたものに代え
た以外は、実施例３−１〜３−４及び比較例３−１と同
様にして電子写真感光体を作成し、評価した。これらの
結果を表３−２に示す。
２）電荷輸送材料を実施例１−１１で用いたものに代え
た以外は、実施例３−１〜３−４及び比較例３−１と同
様にして電子写真感光体を作成し、評価した。これらの
結果を表３−２に示す。
【０１２９】
【表４１】
【０１３０】（実施例３−９〜３−１２及び比較例３−
３）電荷発生層と電荷輸送層の上下関係を逆にした以外
は、実施例３−１〜３−４及び比較例３−１と同様にし
て電子写真感光体を作成し、実施例３−１と同様にして
初期の感度を測定した。ただし電荷輸送材料は実施例１
−２１で用いたものに代え、帯電極性はプラスとした。
これらの結果を表３−３に示す。
３）電荷発生層と電荷輸送層の上下関係を逆にした以外
は、実施例３−１〜３−４及び比較例３−１と同様にし
て電子写真感光体を作成し、実施例３−１と同様にして
初期の感度を測定した。ただし電荷輸送材料は実施例１
−２１で用いたものに代え、帯電極性はプラスとした。
これらの結果を表３−３に示す。
【０１３１】
【表４２】
【０１３２】（実施例４−６〜４−１０）電荷発生層と
電荷輸送層の上下関係を逆にした以外は、実施例４−１
〜４−５と同様にして電子写真感光体を作成し、実施例
４−１と同様にして初期の感度を測定した。ただし電荷
輸送材料は実施例１−２１で用いたものに代え、帯電極
性はプラスとした。これらの結果を表４−２に示す。
電荷輸送層の上下関係を逆にした以外は、実施例４−１
〜４−５と同様にして電子写真感光体を作成し、実施例
４−１と同様にして初期の感度を測定した。ただし電荷
輸送材料は実施例１−２１で用いたものに代え、帯電極
性はプラスとした。これらの結果を表４−２に示す。
【０１３３】
【表４３】
【０１３４】以上の結果から本発明に用いる電子写真感
光体は、比較例の感光体に比べ短波長レーザーの発振波
長領域での感度が非常に優れている上、短波長光に対す
るフォトメモリーが小さく、繰り返し使用時の電位や感
度の安定性に優れていることがわかる。
光体は、比較例の感光体に比べ短波長レーザーの発振波
長領域での感度が非常に優れている上、短波長光に対す
るフォトメモリーが小さく、繰り返し使用時の電位や感
度の安定性に優れていることがわかる。
【０１３５】（実施例３−１３）電荷発生材料を例示化
合物４−４のアゾ顔料に代えた以外は、実施例１−３１
と同様にして電子写真感光体を作成し、評価した。結果
を表３−４に示す。
合物４−４のアゾ顔料に代えた以外は、実施例１−３１
と同様にして電子写真感光体を作成し、評価した。結果
を表３−４に示す。
【０１３６】（比較例３−４）電荷発生材料としてα型
チタニルフタロシアニンを用いた以外は、実施例３−１
３と同様にして電子写真感光体を作成した。得られた電
子写真感光体について、評価機の光源を発振波長７８０
ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザーに代えた以外は、実施
例３−１３と同様にして画像評価を行った。結果を表３
−４に示す。
チタニルフタロシアニンを用いた以外は、実施例３−１
３と同様にして電子写真感光体を作成した。得られた電
子写真感光体について、評価機の光源を発振波長７８０
ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザーに代えた以外は、実施
例３−１３と同様にして画像評価を行った。結果を表３
−４に示す。
【０１３７】
【表４４】
【０１３８】（実施例４−１１〜４−１３）電荷発生材
料を表４−３に記載のものに代えた以外は、実施例１−
３１と同様にして電子写真感光体を作成し、評価した。
その結果を表４−３に示す。
料を表４−３に記載のものに代えた以外は、実施例１−
３１と同様にして電子写真感光体を作成し、評価した。
その結果を表４−３に示す。
【０１３９】
【表４５】
【０１４０】これらの結果から、本発明の電子写真装置
は、ドットの再現性や文字の再現性に優れ、高解像度の
出力画像が得られることがわかる。
は、ドットの再現性や文字の再現性に優れ、高解像度の
出力画像が得られることがわかる。
【０１４１】
【発明の効果】本発明は、特定の構造を有する電荷発生
材料を用いることにより、３８０〜５００ｎｍ付近の短
波長の半導体レーザーの発振波長領域において、優れた
感度特性と、フォトメモリーが小さく繰り返し特性の良
好な電子写真感光体が提供され、またこの電子写真感光
体と上記半導体レーザーの組み合わせることにより、高
解像度の画像形成が可能で繰り返し使用にも安定して使
用しうるプロセスカートリッジ及び電子写真装置が提供
される。
材料を用いることにより、３８０〜５００ｎｍ付近の短
波長の半導体レーザーの発振波長領域において、優れた
感度特性と、フォトメモリーが小さく繰り返し特性の良
好な電子写真感光体が提供され、またこの電子写真感光
体と上記半導体レーザーの組み合わせることにより、高
解像度の画像形成が可能で繰り返し使用にも安定して使
用しうるプロセスカートリッジ及び電子写真装置が提供
される。
【図１】本発明の電子写真感光体の層構成（電荷発生層
上に電荷輸送層）の例を示す断面図である。
上に電荷輸送層）の例を示す断面図である。
【図２】本発明の電子写真感光体の層構成（電荷輸送層
上に電荷発生層）の例を示す断面図である。
上に電荷発生層）の例を示す断面図である。
【図３】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカー
トリッジを有する電子写真装置の概略構成の例を示す図
である。
トリッジを有する電子写真装置の概略構成の例を示す図
である。
ａ 支持体 ｂ 感光層 ｃ 電荷発生層 ｄ 電荷輸送層 ｅ 電荷発生材料 １ 感光体 ２ 軸 ３ 帯電手段 ４ 露光光 ５ 現像手段 ６ 転写手段 ７ 転写材 ８ 定着手段 ９ クリーニング手段 １０ 前露光光 １１ プロセスカートリッジ １２ レール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｇ 5/06 ３６７ Ｇ０３Ｇ 5/06 ３６７
Claims (45)
- 【請求項１】 支持体上に感光層を有する電子写真感光
体において、該電子写真感光体が３８０〜５００ｎｍの
波長を有する半導体レーザー光を照射され、かつ該感光
層が下記式（１）で示されるアゾ顔料を含有することを
特徴とする電子写真感光体。 【化１】 （式中、Ａｒは直接あるいは結合基を介して結合してい
てもよい、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基ま
たは複素環基を表し、Ｃｐは下記式（２）、（３）、
（４）または（５）で示されるカプラー残基を表し、ｎ
は１〜３の整数を表す。ただし、−Ｎ＝Ｎ−Ｃｐが同一
ベンゼン環に複数個結合することはない。） 【化２】 （式中、Ｘはベンゼン環と縮合して多環芳香環または複
素環を形成するのに必要な残基を表し、Ｒ1及びＲ2は水
素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしく
は無置換のアリール基または置換もしくは無置換の複素
環基を表す。また、Ｒ1とＲ2は式中の窒素原子を介して
環状アミノ基を形成してもよい。Ｚ1は酸素原子または
硫黄原子を表し、ｍ1は０または１を表す。） 【化３】 （式中、Ｙは置換もしくは無置換の２価の芳香族炭化水
素環基または置換もしくは無置換の２価の含窒素複素環
基を表す。） 【化４】 （式中、Ｒ3は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、カ
ルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル
基またはニトロ基を表し、Ｒ4は置換もしくは無置換の
アルキル基または置換もしくは無置換のアリール基を表
し、Ｒ5はハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキ
ル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、シアノ基ま
たはニトロ基を表し、ｌは０〜２の整数を表し、ｌ＝２
の時、Ｒ5は相異なる基であってもよい。） 【化５】 （式中、Ｒ6及びＲ7は水素原子、置換もしくは無置換の
アルキル基、置換もしくは無置換のアリール基または置
換もしくは無置換の複素環基を表す。また、Ｒ6とＲ7は
式中の窒素原子を介して環状アミノ基を形成してもよ
い。Ｚ2は酸素原子または硫黄原子を表し、ｍ2は０また
は１を表す。） - 【請求項２】 Ｃｐが式（２）で示されるカプラー残基
である請求項１に記載の電子写真感光体。 - 【請求項３】 Ｃｐが式（３）で示されるカプラー残基
である請求項１に記載の電子写真感光体。 - 【請求項４】 Ｃｐが式（４）で示されるカプラー残基
である請求項１に記載の電子写真感光体。 - 【請求項５】 Ｃｐが式（５）で示されるカプラー残基
である請求項１に記載の電子写真感光体。 - 【請求項６】 アゾ顔料が下記式で示される請求項１ま
たは２に記載の電子写真感光体。 【化６】 - 【請求項７】 アゾ顔料が下記式で示される請求項１ま
たは２に記載の電子写真感光体。 【化７】 - 【請求項８】 アゾ顔料が下記式で示される請求項１ま
たは２に記載の電子写真感光体。 【化８】 - 【請求項９】 アゾ顔料が下記式で示される請求項１ま
たは２に記載の電子写真感光体。 【化９】 - 【請求項１０】 アゾ顔料が下記式で示される請求項１
または２に記載の電子写真感光体。 【化１０】 - 【請求項１１】 アゾ顔料が下記式で示される請求項１
または２に記載の電子写真感光体。 【化１１】 - 【請求項１２】 アゾ顔料が下記式で示される請求項１
または３に記載の電子写真感光体。 【化１２】 - 【請求項１３】 アゾ顔料が下記式で示される請求項１
または３に記載の電子写真感光体。 【化１３】 - 【請求項１４】 アゾ顔料が下記式で示される請求項１
または４に記載の電子写真感光体。 【化１４】 - 【請求項１５】 半導体レーザー光が有する波長が４０
０〜４５０ｎｍである請求項１〜１４のいずれかに記載
の電子写真感光体。 - 【請求項１６】 電子写真感光体、及び帯電手段、現像
手段及びクリーニング手段から選択される少なくとも一
つの手段を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在
であるプロセスカートリッジにおいて、該電子写真感光
体は支持体上に感光層を有し、３８０〜５００ｎｍの波
長を有する半導体レーザー光を照射され、該感光層が下
記式（１）で示されるアゾ顔料を含有することを特徴と
するプロセスカートリッジ。 【化１５】 （式中、Ａｒは直接あるいは結合基を介して結合してい
てもよい、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基ま
たは複素環基を表し、Ｃｐは下記式（２）、（３）、
（４）または（５）で示されるカプラー残基を表し、ｎ
は１〜３の整数を表す。ただし、−Ｎ＝Ｎ−Ｃｐが同一
ベンゼン環に複数個結合することはない。） 【化１６】 （式中、Ｘはベンゼン環と縮合して多環芳香環または複
素環を形成するのに必要な残基を表し、Ｒ1及びＲ2は水
素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしく
は無置換のアリール基または置換もしくは無置換の複素
環基を表す。また、Ｒ1とＲ2は式中の窒素原子を介して
環状アミノ基を形成してもよい。Ｚ1は酸素原子または
硫黄原子を表し、ｍ1は０または１を表す。） 【化１７】 （式中、Ｙは置換もしくは無置換の２価の芳香族炭化水
素環基または置換もしくは無置換の２価の含窒素複素環
基を表す。） 【化１８】 （式中、Ｒ3は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、カ
ルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル
基またはニトロ基を表し、Ｒ4は置換もしくは無置換の
アルキル基または置換もしくは無置換のアリール基を表
し、Ｒ5はハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキ
ル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、シアノ基ま
たはニトロ基を表し、ｌは０〜２の整数を表し、ｌ＝２
の時、Ｒ5は相異なる基であってもよい。） 【化１９】 （式中、Ｒ6及びＲ7は水素原子、置換もしくは無置換の
アルキル基、置換もしくは無置換のアリール基または置
換もしくは無置換の複素環基を表す。また、Ｒ6とＲ7は
式中の窒素原子を介して環状アミノ基を形成してもよ
い。Ｚ2は酸素原子または硫黄原子を表し、ｍ2は０また
は１を表す。） - 【請求項１７】 Ｃｐが式（２）で示されるカプラー残
基である請求項１６に記載のプロセスカートリッジ。 - 【請求項１８】 Ｃｐが式（３）で示されるカプラー残
基である請求項１６に記載のプロセスカートリッジ。 - 【請求項１９】 Ｃｐが式（４）で示されるカプラー残
基である請求項１６に記載のプロセスカートリッジ。 - 【請求項２０】 Ｃｐが式（５）で示されるカプラー残
基である請求項１６に記載のプロセスカートリッジ。 - 【請求項２１】 アゾ顔料が下記式で示される請求項１
６または１７に記載のプロセスカートリッジ。 【化２０】 - 【請求項２２】 アゾ顔料が下記式で示される請求項１
６または１７に記載のプロセスカートリッジ。 【化２１】 - 【請求項２３】 アゾ顔料が下記式で示される請求項１
６または１７に記載のプロセスカートリッジ。 【化２２】 - 【請求項２４】 アゾ顔料が下記式で示される請求項１
６または１７に記載のプロセスカートリッジ。 【化２３】 - 【請求項２５】 アゾ顔料が下記式で示される請求項１
６または１７に記載のプロセスカートリッジ。 【化２４】 - 【請求項２６】 アゾ顔料が下記式で示される請求項１
６または１７に記載のプロセスカートリッジ。 【化２５】 - 【請求項２７】 アゾ顔料が下記式で示される請求項１
６または１８に記載のプロセスカートリッジ。 【化２６】 - 【請求項２８】 アゾ顔料が下記式で示される請求項１
６または１８に記載のプロセスカートリッジ。 【化２７】 - 【請求項２９】 アゾ顔料が下記式で示される請求項１
６または１９に記載のプロセスカートリッジ。 【化２８】 - 【請求項３０】 半導体レーザー光が有する波長が４０
０〜４５０ｎｍである請求項１６〜２９のいずれかに記
載のプロセスカートリッジ。 - 【請求項３１】 電子写真感光体、帯電手段、露光手
段、現像手段及び転写手段を有する電子写真装置におい
て、該露光手段が露光光源として３８０〜５００ｎｍの
発振波長を有する半導体レーザーを有し、該電子写真感
光体が支持体上に感光層を有し、該感光層が下記式
（１）で示されるアゾ顔料を含有することを特徴とする
電子写真装置。 【化２９】 （式中、Ａｒは直接あるいは結合基を介して結合してい
てもよい、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基ま
たは複素環基を表し、Ｃｐは下記式（２）、（３）、
（４）または（５）で示されるカプラー残基を表し、ｎ
は１〜３の整数を表す。ただし、−Ｎ＝Ｎ−Ｃｐが同一
ベンゼン環に複数個結合することはない。） 【化３０】 （式中、Ｘはベンゼン環と縮合して多環芳香環または複
素環を形成するのに必要な残基を表し、Ｒ1及びＲ2は水
素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしく
は無置換のアリール基または置換もしくは無置換の複素
環基を表す。また、Ｒ1とＲ2は式中の窒素原子を介して
環状アミノ基を形成してもよい。Ｚ1は酸素原子または
硫黄原子を表し、ｍ1は０または１を表す。） 【化３１】 （式中、Ｙは置換もしくは無置換の２価の芳香族炭化水
素環基または置換もしくは無置換の２価の含窒素複素環
基を表す。） 【化３２】 （式中、Ｒ3は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、カ
ルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル
基またはニトロ基を表し、Ｒ4は置換もしくは無置換の
アルキル基または置換もしくは無置換のアリール基を表
し、Ｒ5はハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキ
ル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、シアノ基ま
たはニトロ基を表し、ｌは０〜２の整数を表し、ｌ＝２
の時、Ｒ5は相異なる基であってもよい。） 【化３３】 （式中、Ｒ6及びＲ7は水素原子、置換もしくは無置換の
アルキル基、置換もしくは無置換のアリール基または置
換もしくは無置換の複素環基を表す。また、Ｒ6とＲ7は
式中の窒素原子を介して環状アミノ基を形成してもよ
い。Ｚ2は酸素原子または硫黄原子を表し、ｍ2は０また
は１を表す。） - 【請求項３２】 Ｃｐが式（２）で示されるカプラー残
基である請求項３１に記載の電子写真装置。 - 【請求項３３】 Ｃｐが式（３）で示されるカプラー残
基である請求項３１に記載の電子写真装置。 - 【請求項３４】 Ｃｐが式（４）で示されるカプラー残
基である請求項３１に記載の電子写真装置。 - 【請求項３５】 Ｃｐが式（５）で示されるカプラー残
基である請求項３１に記載の電子写真装置。 - 【請求項３６】 アゾ顔料が下記式で示される請求項３
１または３２に記載の電子写真装置。 【化３４】 - 【請求項３７】 アゾ顔料が下記式で示される請求項３
１または３２に記載の電子写真装置。 【化３５】 - 【請求項３８】 アゾ顔料が下記式で示される請求項３
１または３２に記載の電子写真装置。 【化３６】 - 【請求項３９】 アゾ顔料が下記式で示される請求項３
１または３２に記載の電子写真装置。 【化３７】 - 【請求項４０】 アゾ顔料が下記式で示される請求項３
１または３２に記載の電子写真装置。 【化３８】 - 【請求項４１】 アゾ顔料が下記式で示される請求項３
１または３２に記載の電子写真装置。 【化３９】 - 【請求項４２】 アゾ顔料が下記式で示される請求項３
１または３３に記載の電子写真装置。 【化４０】 - 【請求項４３】 アゾ顔料が下記式で示される請求項３
１または３３に記載の電子写真装置。 【化４１】 - 【請求項４４】 アゾ顔料が下記式で示される請求項３
１または３４に記載の電子写真装置。 【化４２】 - 【請求項４５】 半導体レーザーの発振波長が４００〜
４５０ｎｍである請求項３１〜４４のいずれかに記載の
電子写真装置。
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