JP2000105478A5 - - Google Patents

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Figure 2000105478
 （式中、Ａｒは直接あるいは結合基を介して結合していてもよい、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基または複素環基を表し、Ｃｐは下記式（２）、（３）、（４）または（５）で示されるカプラー残基を表し、ｎは１〜３の整数を表す。ただし、−Ｎ＝Ｎ−Ｃｐが同一ベンゼン環に複数個結合することはない。）
Figure 2000105478
 （式中、Ｘはベンゼン環と縮合して多環芳香環または複素環を形成するのに必要な残基を表し、Ｒ1及びＲ2は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基または置換もしくは無置換の複素環基を表す。また、Ｒ1とＲ2は式中の窒素原子を介して環状アミノ基を形成してもよい。Ｚ1は酸素原子または硫黄原子を表し、ｍ1は０または１を表す。）
Figure 2000105478
 （式中、Ｙは置換もしくは無置換の２価の芳香族炭化水素環基または置換もしくは無置換の２価の含窒素複素環基を表す。）
Figure 2000105478
 （式中、Ｒ3は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基またはニトロ基を表し、Ｒ4は置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｒ5はハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｌは０〜２の整数を表し、ｌ＝２の時、Ｒ5は相異なる基であってもよい。）
Figure 2000105478
 （式中、Ｒ6及びＲ7は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基または置換もしくは無置換の複素環基を表す。また、Ｒ6とＲ7は式中の窒素原子を介して環状アミノ基を形成してもよい。Ｚ2は酸素原子または硫黄原子を表し、ｍ2は０または１を表す。）
Figure 2000105478
 とポリカーボネートＺ樹脂（数平均分子量２００００）５ｇをモノクロロベンゼン４０ｇに溶解した溶液を電荷発生層上にマイヤーバーで塗布し、乾燥することによって、膜厚が２５μｍの電荷輸送層を形成した。
Figure 2000105478
Figure 2000105478
Figure 2000105478

Claims (17)

  1. 支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該電子写真感光体が３８０〜５００ｎｍの波長を有する半導体レーザー光を照射され、かつ該感光層が下記式（１）で示されるアゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体。
    Figure 2000105478
    （式中、Ａｒは直接あるいは結合基を介して結合していてもよい、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環基または複素環基を表し、Ｃｐは下記式（２）、（３）、（４）または（５）で示されるカプラー残基を表し、ｎは１〜３の整数を表す。ただし、−Ｎ＝Ｎ−Ｃｐが同一ベンゼン環に複数個結合することはない。）
    Figure 2000105478
    （式中、Ｘはベンゼン環と縮合して多環芳香環または複素環を形成するのに必要な残基を表し、Ｒ1及びＲ2は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基または置換もしくは無置換の複素環基を表す。また、Ｒ1とＲ2は式中の窒素原子を介して環状アミノ基を形成してもよい。Ｚ1は酸素原子または硫黄原子を表し、ｍ1は０または１を表す。）
    Figure 2000105478
    （式中、Ｙは置換もしくは無置換の２価の芳香族炭化水素環基または置換もしくは無置換の２価の含窒素複素環基を表す。）
    Figure 2000105478
    （式中、Ｒ3は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基またはニトロ基を表し、Ｒ4は置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｒ5はハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、シアノ基またはニトロ基を表し、ｌは０〜２の整数を表し、ｌ＝２の時、Ｒ5は相異なる基であってもよい。）
    Figure 2000105478
    （式中、Ｒ6及びＲ7は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基または置換もしくは無置換の複素環基を表す。また、Ｒ6とＲ7は式中の窒素原子を介して環状アミノ基を形成してもよい。Ｚ2は酸素原子または硫黄原子を表し、ｍ2は０または１を表す。）
  2. Ｃｐが式（２）で示されるカプラー残基である請求項１に記載の電子写真感光体。
  3. Ｃｐが式（３）で示されるカプラー残基である請求項１に記載の電子写真感光体。
  4. Ｃｐが式（４）で示されるカプラー残基である請求項１に記載の電子写真感光体。
  5. Ｃｐが式（５）で示されるカプラー残基である請求項１に記載の電子写真感光体。
  6. アゾ顔料が下記式で示される請求項１または２に記載の電子写真感光体。
    Figure 2000105478
  7. アゾ顔料が下記式で示される請求項１または２に記載の電子写真感光体。
    Figure 2000105478
  8. アゾ顔料が下記式で示される請求項１または２に記載の電子写真感光体。
    Figure 2000105478
  9. アゾ顔料が下記式で示される請求項１または２に記載の電子写真感光体。
    Figure 2000105478
  10. アゾ顔料が下記式で示される請求項１または２に記載の電子写真感光体。
    Figure 2000105478
  11. アゾ顔料が下記式で示される請求項１または２に記載の電子写真感光体。
    Figure 2000105478
  12. アゾ顔料が下記式で示される請求項１または３に記載の電子写真感光体。
    Figure 2000105478
  13. アゾ顔料が下記式で示される請求項１または３に記載の電子写真感光体。
    Figure 2000105478
  14. アゾ顔料が下記式で示される請求項１または４に記載の電子写真感光体。
    Figure 2000105478
  15. 電子写真感光体、及び帯電手段、現像手段及びクリーニング手段から選択される少なくとも一つの手段を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジにおいて、該電子写真感光体が、請求項１〜１４の何れかに記載の電子写真感光体であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
  16. 電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有する電子写真装置において、該露光手段が露光光源として３８０〜５００ｎｍの発振波長を有する半導体レーザーを有し、該電子写真感光体が、請求項１〜１４の何れかに記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置。
  17. 該半導体レーザーの発振波長が４００〜４５０ｎｍである請求項１６に記載の電子写真装置。
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