JP2000100006A - 光磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents

光磁気記録媒体とその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 再生時に磁壁の移動を利用し、メモリ層の磁
区保存安定性が向上した磁壁移動型の超高密度な優れた
光磁気記録媒体とその製造方法の提供。 【解決手段】 少なくとも第１、第２および第３の磁性
層が順次積層形成されてなる光磁気記録媒体であって、
前記第１の磁性層は、周囲温度近傍の温度において第３
の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動
度の大きな磁性層からなり、第２の磁性層は、第１の磁
性層および第３の磁性層よりキュリー温度の低い磁性層
からなる光磁気記録媒体において、前記第１の磁性層の
表面粗さRa(d)が第３の磁性層の表面粗さRa(m)より小さ
く(Ra(d)＜Ra(m))されてなることを特徴とする光磁気記
録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、再生時に磁壁の移
動を利用した超高密度な光磁気記録媒体とその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】書き換え可能な高密度記録媒体として、
光磁気ディスクが近年注目されているが、さらに光磁気
ディスクの記録密度を高めて大容量の記録媒体とする要
求が高まっている。光ディスクの線記録密度は、再生光
学系のレーザー波長λおよび対物レンズの開口数ＮＡに
大きく依存し、信号再生時の空間周波数は、ＮＡ/λ程
度が検出可能な限界である。したがって、従来の光ディ
スクで高密度化を実現するためには、再生光学系のレー
ザー波長λを短くし、対物レンズの開口数ＮＡを大きく
する必要がある。しかしながら、レーザー波長や対物レ
ンズの開口数の改善にも限界がある。このため、記録媒
体の構成や読み取り方法を工夫して記録密度を改善する
技術がいくつか提案されている。
【０００３】例えば、本出願人は、特開平６-２９０４
９６号において、再生信号振幅を低下させることなく光
の回折限界以下の周期の信号を高速で再生可能とした光
磁気記録媒体およびその再生方式およびその再生装置を
提案している。すなわち、光磁気記録媒体の再生層に光
ビーム等の加熱手段によって温度分布を形成すると、磁
壁エネルギー密度に分布が生じるために、磁壁エネルギ
ーの低い方に磁壁を移動させることができる。この結
果、再生信号振幅は記録されている磁壁の間隔(すなわ
ち記録ビット長)によらず、常に一定且つ最大の振幅と
なる。すなわち、線記録密度向上に伴う再生出力の必然
的な低下が大幅に改善され、さらなる高密度化が可能と
なる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記の特開平６-２９
０４９６号に開示される媒体構成により、再生層の磁壁
をより移動し易くする手法として、本発明者らは特願平
９-２８９７７１９号により磁性層(すなわち基板表面)
の表面粗さを小さく制御することを提案した。該提案に
よると、基板表面の表面粗さが直接、移動層の表面粗さ
となり、その表面粗さが小さいほど磁壁が移動し易くな
る。このことは、磁壁が移動するとき、その「表面の粗
さ」が移動の障害となって働くことに起因している。
【０００５】ところが、前記提案では、移動層の磁壁の
移動度を上げる効果があるが、メモリ層の表面粗さも同
時に小さくなることから、メモリ層の保磁力が低下し、
メモリ層の本来の役割である「磁区の保存安定性」を低下
させてしまうという問題が生じた。特に微小磁区を記録
する際、この磁区の保存安定性の低下は大きな問題とな
る。
【０００６】本発明者らは、前記課題について鋭意検討
した結果、移動層の表面粗さを小さくした上で、同時に
メモリ層の表面粗さを大きくするという媒体構成および
媒体製法により前記課題を克服し、本発明に至った。す
なわち本発明は、メモリ層の磁区保存安定性が向上した
磁壁移動型の光磁気記録媒体を提供することをその目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題・目的は以下
に示す本発明によって解決・達成される。すなわち本発
明は、少なくとも第１、第２および第３の磁性層が順次
積層形成されてなる光磁気記録媒体であって、前記第１
の磁性層は、周囲温度近傍の温度において第３の磁性層
に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大き
な磁性層からなり、第２の磁性層は、第１の磁性層およ
び第３の磁性層よりキュリー温度の低い磁性層からなる
光磁気記録媒体において、前記第１の磁性層の表面粗さ
Ra(d)が第３の磁性層の表面粗さRa(m)より小さく(Ra(d)
＜Ra(m))されてなることを特徴とする光磁気記録媒体を
開示するものである。
【０００８】そして本発明の光磁気記録媒体は、前記第
３の磁性層の表面粗さRa(m)が、１.２nm以上であること
を特徴としており、もしくは前記第１の磁性層の表面粗
さRa(d)が、１.２nm以下であり、且つ第３の磁性層の表
面粗さRa(m)が、１.２nm以上であることを特徴とする光
磁気記録媒体である。
【０００９】また本発明は、少なくとも第１、第２およ
び第３の磁性層を順次積層形成して光磁気記録媒体を製
造する方法において、該光磁気記録媒体が請求項１、２
または３記載の光磁気記録媒体であり、且つ前記第３の
磁性層を形成する前に基板表面粗さを粗らす工程を含む
ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法を開示する
ものである。
【００１０】本発明の光磁気記録媒体は、少なくとも、
第１、第２および第３の磁性層が順次積層されている光
磁気記録媒体であって、第１の磁性層は、周囲温度近傍
において第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小
さく磁壁移動度の大きな磁性層(移動層且つ再生層)であ
り、第２の磁性層は第１の磁性層および第３の磁性層よ
りもキュリー温度の低い磁性層(スイッチング層)からな
り、第３の磁性層は磁区の保存安定性に優れる通常の磁
気記録層(メモリ層:特開平６-２９０４９６号に開示さ
れる膜構成と同一)であり、且つ第１の磁性層の表面粗
さRa(d)が第３の磁性層の表面粗さRa(m)より小さく(Ra
(d)＜Ra(m))されてなるものである。
【００１１】また、本発明の第２の発明は、第３の磁性
層の表面粗さRa(m)を１.２nm以上とするものであり、さ
らに本発明の第３の発明は、第１の磁性層の表面粗さRa
(d)を１.２nm以下とし、且つ第３の磁性層の表面粗さRa
(m)を１.２nm以上とするものである。
【００１２】ここで第１と第３の磁性層の表面粗さを異
なるようにする１手法として、予め表面粗さの小さい(R
a＜１.２nm)基板を準備し、先ず第１の磁性層(移動層)
はそのままスパッタ形成(すなわち磁壁の移動が良好な
膜を形成)し、第３の磁性層(メモリ層)を以下のいずれ
かの手法を用いて形成する。
【００１３】すなわち、(１)メモリ層形成前に逆スパッ
タを用いてその下地層(ここでは第２の磁性層)の表面を
粗らす、(２)メモリ層形成前にイオンビームミーリング
を用いてその下地層(ここでは第２の磁性層)の表面を粗
らす、(３)メモリ層形成の初期に、高ガス圧でスパッタ
して島状突起を形成する、(４)メモリ層自身を高ガス圧
でスパッタ形成する、(５)Ａrガス以外にＫr,Ｘe,Ｎeあ
るいはその混合ガスを用いてメモリ層をスパッタ形成す
る、(６)メモリ層形成前に逆スパッタするときの導入ガ
スとしてＡrの他にＫr,Ｘe,Ｎeあるいはその混合ガスを
用いる、等の方法である。
【００１４】また、他の手法として、通常の表面粗さの
大きな(Ra＞１.２nm)基板を用い、媒体の膜構成を逆(基
板/メモリ層/スイッチング層/再生層)にして形成し、移
動層を形成する前に逆スパッタあるいはイオンビームミ
ーリング等でその表面を平滑にする。
【００１５】また、他の手法として、通常の表面粗さの
大きな(Ra＞１.２nm)基板を用い、移動層を形成する前
に逆スパッタあるいはイオンビームミーリング等でその
表面を平滑にし、さらに、メモリ層を形成する前に逆ス
パッタあるいはイオンビームミーリング等でその表面を
粗らす。
【００１６】逆スパッタやイオンビームミーリングは、
平滑な基板に対しては基板表面を粗らす効果があるが、
逆に粗れた基板に対しては条件を選ぶことによって基板
表面を平滑にする効果がある。
【００１７】(作用)以上の手法を用いて、移動層とメモ
リ層の表面粗さを異ならせることにより、それぞれをRa
(d)とRa(m)として、「Ra(d)＜Ra(m)」の関係が成り立つよ
うにするとき、移動層での磁壁の移動が良好となると同
時に、メモリ層の磁区の保存安定性も向上する。また、
「Ra(d)＜Ra(m)」となるようにすることに加えて、さらに
Ra(m)≧１.２nmであって、且つRa(d)≦１.２nmであるよ
うにすると、より好ましい結果を得ることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施態様の詳細を
実施例により図面に基づいて具体的に説明するが、本発
明はこれらによってなんら限定されるものではない。以
下、本発明を適用した実施例について図面を参照しなが
ら説明する。
【００１９】図１は、本発明の光磁気記録媒体の層構成
を示す模式断面図である。透明基板１１上に、第１の誘
電体層１２、磁性層１３、第２の誘電体層１４が順に積
層形成されている。透明基板１１としては、例えば、ガ
ラス、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、
熱可塑性ノルボルネン系樹脂等を用いることができる。
【００２０】磁性層１３は、単層であっても積層であっ
てもよく、特に限定されないが、発明者らが特開平６-
２９０４９６号に開示した３層構成以上であることが好
ましい。すなわち、第１の磁性層１３１は周囲温度近傍
において第３の磁性層１３３に比べて相対的に磁壁抗磁
力が小さく磁壁移動度の大きな磁性層(移動層且つ再生
層)であり、第２の磁性層１３２は第１の磁性層１３１
および第３の磁性層１３３よりもキュリー温度の低い磁
性層(スイッチング層)からなり、第３の磁性層１３３
は、磁区の保存安定性に優れた通常の磁気記録層(メモ
リ層)である。
【００２１】各磁性層は、スパッタリングや真空蒸着等
の物理蒸着法で連続成膜することにより、互いに交換結
合あるいは静磁結合をしている。磁性層１３１として
は、例えば、ＧdＣo系、ＧdＦe系、ＧdＦeＣo系、ＴbＣ
o系等の磁気異方性の比較的小さな希土類-鉄族非晶質合
金やガーネット等のバブルメモリ用の材料が好ましい。
【００２２】磁性層１３２としては、例えば、Ｃo系あ
るいはＦe系合金磁性層で、キュリー温度が磁性層１３
１および磁性層１３３より小さく、飽和磁化の値が磁性
層１３３より小さいものが好ましい。また、Ｃo,Ｃr,Ｔ
i等の添加量によりキュリー温度を調整することが可能
である。
【００２３】磁性層１３３としては、例えば、ＴbＦeＣ
o,ＤyＦeＣo,ＴbＤyＦeＣo等の希土類-鉄族非晶質合金
や、Ｐt/Ｃo,Ｐd/Ｃo等の白金族-鉄族周期構造膜等、飽
和磁化と磁気異方性の値が大きく、磁化状態(磁区)が安
定に保持できるものが好ましい。
【００２４】誘電体層１２,１４は特に限定されない
が、ＳiＮ,ＳiＯ2,ＺnＳ等が好ましく用いられる。前記
磁性層は、再生層の磁壁の移動を実現する目的で、基板
形状の工夫や磁性層を部分的にアニールする等の手法を
用いて、トラック間が磁気的に分断されている。
【００２５】メモリ層や移動層を形成する前の逆スパッ
タやイオンビームミーリングは、通常の成膜で行なわれ
ているものと同様の手法であり、特別な工程を加えるも
のではない。
【００２６】また、基板１１あるいは磁性層１３の表面
粗さは、走査型プローブ顕微鏡(ＳＰＭ)NanoscopeIII
(米国デジタルインスツルメンツ社製)のタッピングモー
ドＡＦＭを用いて測定した。探針は、通常のブレードチ
ップを用い、表面粗さは、Ra(平均中心粗さ)の値で比較
した。
【００２７】
【実施例】以下に具体的な実施例をもって本発明をさら
に詳しく説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００２８】[実施例１]図１は本発明の光磁気記録媒体
の層構成を示す模式的断面図である。図１において、ポ
リカーボネート基板１１は、ランド幅が０.６μｍ、グ
ルーブ幅が０.６μｍ、溝深さが８５nmのランド＆グル
ーブ基板である。該基板１１のランド部の表面粗さRaを
測定したところ、１.２５０nmであった。
【００２９】直流マグネトロンスパッタ装置に、Ｂドー
プしたＳiおよびＧd,Ｔb,Ｆe,Ｃo,Ｃrの各ターゲットを
取り付け、基板１１を基板ホルダーに固定した後、背圧
を１×１０-5Pa以下とした後、Ａrガスを０.３Pa導入し
た。先ず、基板１１の表面を、投入電力１００Ｗで５分
間逆スパッタを行なった。
【００３０】逆スパッタを行なった後の基板１１の表面
粗さを測定したところ、Raは０.８３５nmとなった。す
なわち、成膜前の基板の逆スパッタを行なうことによっ
て、基板１１の表面を平滑にすることができた。
【００３１】続いて、基板１１上に、第１の誘電体層
(干渉層)としてＳiＮ層１２を８０nm形成し、続いて第
１の磁性層(磁壁移動層)としてＧdＦeＣr層１３１を３
０nm、第２の磁性層(スイッチング層)としてＴbＦeＣr
層１３２を１０nm形成した後、磁性層１３２の表面粗さ
を測定したところ、Raが０.８３５nmであった。すなわ
ち、逆スパッタした基板１１の表面粗さがそのまま反映
されていた。
【００３２】次いで、第２の磁性層１３２の表面を、投
入電力１００Ｗで２分間逆スパッタを行なったところ、
その表面粗さRaは１.３３０nmに変化した。その上に、
第３の磁性層(メモリ層)としてＴbＦeＣoＣr層１３３を
８０nmスパッタリング形成して、その表面粗さを測定し
たところ、Raは１.２２５nmであった。すなわち、メモ
リ層のが移動層のよりも大きい表面粗さの媒体が形成さ
れた。続いて、第２の誘電体層(保護層)としてＳiＮ層
１４を６０nm形成した。
【００３３】このようにして得られた光磁気ディスクの
磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルー
ブ面にレーザーアニールを施した。このようにして得ら
れた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式
で、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連
続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層
の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平
６-２９０４９６参照)」を用いて再生したところ、波長
６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)におい
て、Ｃ/Ｎ３９.０dBが再現性よく得られた。
【００３４】以上のことより、逆スパッタ工程を用い
て、先ず、移動層を平滑な(１.２nm以下)表面粗さで形
成した後、メモリ層を表面粗さを粗くした状態(１.２nm
以上)で形成することにより、マーク長０.０５μｍのよ
うな微小なマークにおいても、その記録および再生が容
易にしかも安定に実現された。すなわち、移動層はその
表面粗さを小さく(１.２nm以下)することにより、磁壁
が移動し易くなり、且つ、メモリ層はその表面粗さを大
きく(１.２nm以上)することにより、磁性層の保磁力が
向上し、記録磁区の保存安定性が向上する効果が得られ
た。
【００３５】[比較例１]実施例１において、メモリ層形
成前に逆スパッタを行なわなかった以外は実施例１と同
様とした。このようにして得られた光磁気ディスクの磁
性層を、トラック間で磁気的に分断する目的で、実施例
１と同様にグルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００３６】このようにして得られた光磁気ディスクの
ランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.
０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した
後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を
利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９
６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ
０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎは３２.
０dB以下であり、実用レベルに達していなかった。
【００３７】また、記録した微小磁区を偏光顕微鏡で観
察したところ、ところどころ磁区が繋がり、所望のマー
クが安定に記録されていないことが判明した。このこと
は、メモリ層が形成される際、その表面粗さが小さいた
めに(平滑過ぎて)磁性層の保磁力が小さくなり、磁区の
保存安定性が低下していることが原因と考えられる。
【００３８】以上のことより、逆スパッタ工程を用い
て、移動層を平滑な(１.２nm以下)表面粗さで形成した
後、メモリ層も同様に平滑な(１.２nm以下)表面粗さで
形成した場合には、マーク長０.０５μｍのような微小
なマークの記録状態が不完全であることが判明した。
【００３９】[実施例２]ポリカーボネート基板２１は、
ランド幅が０.６μｍ、グルーブ幅が０.６μｍで、溝深
さが８５nmのランド＆グルーブ基板であり、基板の表面
粗さが予め平滑なものを用意した。該基板２１のランド
部の表面粗さRaを測定したところ、０.５２５nmであっ
た。
【００４０】該ポリカーボネート基板２１は、成膜前の
基板の逆スパッタは実施しないで、その他は実施例１と
同様の磁性層ならびに誘電体層を同条件で形成した。す
なわち、メモリ層を形成する前のみに逆スパッタで表面
を粗くした。逆スパッタ後の表面粗さは、Raで１.３０
５nmであった。このようにして得られた光磁気ディスク
の磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グル
ーブ面にレーザーアニールを施した。
【００４１】このようにして得られた光磁気ディスクの
ランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.
０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した
後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を
利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９
６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ
０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎ３９.５
dBが再現性よく得られた。
【００４２】以上のことより、逆スパッタ工程を用い
て、メモリ層を表面粗さを粗くした状態(１.２nm以上)
で形成することによって、マーク長０.０５μｍのよう
な微小なマークにおいても、その記録および再生が容易
にしかも安定に実現された。すなわち、移動層はその表
面粗さを小さく(１.２nm以下)することにより、磁壁が
移動し易くなり、且つ、メモリ層はその表面粗さを大き
く(１.２nm以上)することにより、磁性層の保磁力が向
上し、記録磁区の保存安定性が向上する効果が得られ
た。
【００４３】[比較例２]実施例２において、メモリ層形
成前に逆スパッタを施さなかった以外は、実施例２と同
様とした。このようにして得られた光磁気ディスクの磁
性層を、トラック間で磁気的に分断する目的で、実施例
１と同様にグルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００４４】このようにして得られた光磁気ディスクの
ランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.
０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した
後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を
利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９
６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ
０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎは３３.
０dBであり、実用レベルに達していなかった。また、記
録した微小磁区を偏光顕微鏡で観察したところ、ところ
どころ磁区が繋がり、所望のマークが安定に記録されて
いないことが判明した。このことは、メモリ層が形成さ
れる際、その表面粗さが小さいために(平滑過ぎて)磁性
層の保磁力が小さくなり、磁区の保存安定性が低下して
いることが原因と考えられる。以上のことより、メモリ
層を移動層と同様に平滑(１.２nm以下)な表面粗さで形
成した場合には、マーク長０.０５μｍのような微小な
マークの記録状態が不完全であることが判明した。
【００４５】[実施例３]実施例２と同様の基板を用い
て、メモリ層以外はＡr圧を０.３Pa、メモリ層のみＡr
圧を０.８Paとして成膜を行なった。逆スパッタは用い
ていない。このようにして得られた光磁気ディスクの磁
性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルーブ
面にレーザーアニールを施した。
【００４６】このようにして得られた光磁気ディスクの
ランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.
０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した
後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を
利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９
６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ
０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎ３８.５
dBが再現性く得られた。
【００４７】以上のことより、メモリ層形成時のＡr圧
のみを他の磁性層形成時より大きくするという簡便な方
法を用いることによって、メモリ層の保磁力を向上さ
せ、メモリ層の記録磁区保存安定性を向上させることが
できた。
【００４８】[実施例４]実施例２と同様の基板を用い
て、メモリ層以外はＡr圧を０.３Pa、メモリ層形成時の
初期(膜厚ｌ/３相当まで)のＡr圧を２Pa、その後(膜厚
２/３相当まで)のＡr圧を０.５Paとして成膜を行なっ
た。このように成膜初期に高ガス圧にすることによっ
て、島状の堆積物が形成され、表面を粗らす効果が得ら
れる。また、実施例２と同様、逆スバッタは用いていな
い。
【００４９】このようにして得られた光磁気ディスクの
磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルー
ブ面にレーザーアニールを施した。
【００５０】このようにして得られた光磁気ディスクの
ランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.
０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した
後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を
利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９
６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ
０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎ３８.８
dBが再現性よく得られた。
【００５１】以上のことより、メモリ層形成時のＡr圧
のみを他の磁性層形成時より大きくすることに加えて、
メモリ層形成初期のＡr圧を特に大きくさせることによ
って、島状突起が形成され、表面を粗らす効果が容易に
得られた。
【００５２】[実施例５]実施例２において、逆スパッタ
時の導入ガスをＡrの代わりにＫrとした以外は実施例２
と同様とした。逆スパッタ後の表面粗さは、Raで１.５
１５nmであった。このようにして得られた光磁気ディス
クの磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グ
ルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００５３】このようにして得られた光磁気ディスクの
ランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.
０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した
後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を
利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９
６参照)」を用い再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ
０.６の光学系(相対速度２m/s)においてＣ/Ｎ３９.０dB
が再現性よく得られた。
【００５４】以上のことより、逆スパッタ時の導入ガス
をＫrとすることによって、Ａrよりも基板を粗らす効果
が大きく、メモリ層の記録磁区保存安定性を向上させる
ことができた。
【００５５】[実施例６]実施例２において、逆スパッタ
時の導入ガスをＡrの代わりにＸeとした以外は実施例５
と同様とした。逆スバッタ後の表面粗さは、Raで１.５
２０nmであった。このようにして得られた光磁気ディス
クの磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グ
ルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００５６】このようにして得られた光磁気ディスクの
ランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.
０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した
後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を
利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９
６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ
０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎ３９.０
dBが再現性よく得られた。
【００５７】以上のことより、逆スパッタ時の導入ガス
をＸeとすることによって、Ａrよりも基板を粗らす効果
が大きく、メモリ層の記録磁区保存安定性を向上させる
ことができた。
【００５８】[実施例７]実施例２において、逆スパッタ
代わりにイオンビームミーリングによってメモリ層形成
前の表面を粗くした。他の条件は実施例１と同様とし
た。イオンビームミーリング時のビームの電流密度は
０.５ｍＡ/ｃｍ2、投入電圧は５００Ｖとした。イオン
ビームミーリング後の表面粗さは、Raで１.４５５nmで
あった。このようにして得られた光磁気ディスクの磁性
層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルーブ面
にレーザーアニールを施した。
【００５９】このようにして得られた光磁気ディスクの
ランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.
０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した
後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を
利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９
６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ
０.６の光学系(相対速度２m/s)においてＣ/Ｎ３９.５dB
が再現性よく得られた。
【００６０】以上のことより、メモリ層形成前にイオン
ビームミーリングで基板表面を粗らすことによって、メ
モリ層の保磁力が向上し、メモリ層の記録磁区保存安定
性を向上させる効果が得られた。
【００６１】[実施例８]実施例１の基板を用いて、磁性
層(３層)を形成する順番を逆にした。図２にその媒体構
成の模式断面図を示す。図２において、ポリカーボネー
ト基板２１は、実施例１と同様、ランド幅が０.６μ
ｍ、グルーブ幅が０.６μｍ、溝深さが８５nmのランド
＆グルーブ基板である。該基板２１のランド部の表面粗
さRaを測定したところ、１.２５０nmであった。
【００６２】該基板２１上に、第１の誘電体層(干渉層)
として、ＳiＮ層２２を８０nm形成し、続いて第３の磁
性層(メモリ層)としてＴbＦeＣoＣr層２３３を８０nm、
第２の磁性層(スイッチング層)としてＴbＦeＣr層２３
２を１０nmスパッタリング形成した後、第２の磁性層の
表面を、投入電力１００Ｗで２分間逆スパッタを行なっ
たところ、その表面粗さRaは０.８５５nmに変化した。
【００６３】続いて第１の磁性層(磁壁移動層)としてＧ
dＦeＣr層２３１を３０nm、第２の誘電体層(保獲層)と
してＳiＮ層２４を６０nmスパッタリング形成した。こ
のようにして、メモリ層の表面粗さが移動層の表面粗さ
より大きい媒体が形成された。本媒体は実施例１と比較
すると、磁性層(３層)の順番が基板に対して逆構成であ
る。また通常、光ヘッドは光磁気ディスクに対してを基
板側にあり、磁性層側に磁気ヘッドが配置されている
が、本実施例の場合にはその逆の方が好ましい。
【００６４】すなわち、光ヘッドを磁性層側に配置した
方が、再生信号が再生層のみから検出される(通常の配
置では、再生時にメモリ層の信号も同時に読み出してし
まう)ので、再生信号の品質を考慮すると好都合であ
る。このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層を
トラック間で磁気的に分断する目的で、グルーブ面にレ
ーザーアニールを施した。
【００６５】このようにして得られた光磁気ディスクの
ランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.
０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した
後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を
利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９
６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ
０.６の光学系(相対速度２m/s)においてＣ/Ｎ３９.０dB
が再現性よく得られた。
【００６６】以上のことより、表面が粗れている基板
(１.２nm以上)の上に先ずメモリ層を形成し、さらに、
移動層を形成する前に逆スパッタで表面を平滑(１.２nm
以下)にすることによって、マーク長０.０５μｍのよう
な微小なマークにおいても、その記録および再生が容易
にしかも安定に実現された。
【００６７】すなわち、移動層はその表面粗さを小さく
(１.２nm以下)することにより、磁壁が移動し易くな
り、且つ、メモリ層はその表面粗さを大きく(１.２nm以
上)することにより、磁性層の保磁力が向上し、記録磁
区の保存安定性が向上する効果が得られた。
【００６８】
【発明の効果】上記のように、本発明により、特開平６
-２９０４９６に開示される光磁気記録媒体(磁性層の温
度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方式により、記録
密度ならびに転送速度を大幅に向上させる)の作成にお
いて、移動層をRa(d)≦１.２nmの平滑な表面に形成した
上で、メモリ層をRa(m)≧１.２nmの粗れた表面に形成す
ることによって、メモリ層の保磁力を向上させ、すなわ
ち、メモリ層の記録性能を向上させ、より高密度な記録
磁区とその保存安定性を向上させた優れた磁壁移動型光
磁気記録媒体が提供される。また、メモリ層表面粗さを
制御する方法としては、逆スパッタやイオンビームミー
リング等が有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明(実施例１〜７)の光磁気記録媒体の層
構成を示す模式断面図。
【図２】 本発明(実施例８)の光磁気記録媒体の層構成
を示す模式断面図。
【符号の説明】
１１,２１ ポリカーボネート基板 １２,１４,２２,２４ 誘電体層 １３,２３ 磁性層 １３１,２３１ 第１の磁性層(再生層且つ移動層) １３２,２３２ 第２の磁性層(スイッチング層) １３３,２３３ 第３の磁性層(メモリ層)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも第１、第２および第３の磁性
    層が順次積層形成されてなる光磁気記録媒体であって、
    前記第１の磁性層は、周囲温度近傍の温度において第３
    の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動
    度の大きな磁性層からなり、第２の磁性層は、第１の磁
    性層および第３の磁性層よりキュリー温度の低い磁性層
    からなる光磁気記録媒体において、前記第１の磁性層の
    表面粗さRa(d)が第３の磁性層の表面粗さRa(m)より小さ
    く(Ra(d)＜Ra(m))されてなることを特徴とする光磁気記
    録媒体。
  2. 【請求項２】 前記第３の磁性層の表面粗さRa(m)が、
    １.２nm以上であることを特徴とする、請求項１記載の
    光磁気記録媒体。
  3. 【請求項３】 前記第１の磁性層の表面粗さRa(d)が、
    １.２nm以下であり、且つ第３の磁性層の表面粗さRa(m)
    が、１.２nm以上であることを特徴とする、請求項１記
    載の光磁気記録媒体。
  4. 【請求項４】 少なくとも第１、第２および第３の磁性
    層を順次積層形成して光磁気記録媒体を製造する方法に
    おいて、該光磁気記録媒体が請求項１、２または３記載
    の光磁気記録媒体であり、且つ前記第３の磁性層を形成
    する前に基板表面粗さを粗らくする工程を含むことを特
    徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
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