JPH11191245A

JPH11191245A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH11191245A
Application number: JP29194098A
Authority: JP
Inventors: Morimi Hashimoto; 母理美橋本
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-10-22
Filing date: 1998-10-14
Publication date: 1999-07-13

Abstract

(57)【要約】【課題】良好な安定性をもって磁壁の移動が再現され
る、磁壁移動を利用した超高密度光磁気記録媒体を提供
する。【解決手段】透明基板１１上に、第１の誘電体層１
２、第１の磁性層１３１、第２の磁性層１３２、第３の
磁性層１３３及び第２の誘電体層１４が順次積層されて
いる。第１の磁性層１３１は周囲温度近傍の温度におい
て第３の磁性層１３３に比べて相対的に磁壁抗磁力が小
さく磁壁移動度の大きな磁性層からなる。第２の磁性層
１３２は第１の磁性層１３１及び第３の磁性層１３３よ
りキュリー温度の低い磁性層からなる。第１の磁性層１
３１は再生に関与する磁壁移動層として機能し、第２の
磁性層１３２はスイッチング層として機能し、第３の磁
性層１３３はメモリ層として機能する。第１の磁性層１
３１の表面粗さＲａは１．２ｎｍ以下、好ましくは０．
６ｎｍ以下である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気情報記録再
生の技術に属するものであり、特に、温度分布を形成す
ることにより磁壁を移動させた上で情報を再生する超高
密度な光磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】書き換え可能な高密度記録媒体として光
磁気ディスクが近年注目されているが、さらに光磁気デ
ィスクの記録密度を高めて大容量の記録媒体とする要求
が高まっている。光ディスクの線記録密度は、再生光学
系のレーザー波長λ及び対物レンズの開口数ＮＡに大き
く依存し、信号再生時の空間周波数は、ＮＡ／λ程度が
検出可能な限界である。従って、従来の光ディスクで高
密度化を実現するためには、再生光学系のレーザー波長
λを短くし、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要
がある。しかしながら、レーザー波長や対物レンズの開
口数の改善にも限界がある。このため、記録媒体の構成
や読み取り方法を工夫して記録密度を改善する技術がい
くつか提案されている。

【０００３】例えば、特開平６−２９０４９６号公報に
は、再生信号振幅を低下させることなく光の回折限界以
下の周期の信号を高速で再生可能とした光磁気記録媒体
及びその再生方式及びその再生装置が提案されている。
すなわち、光磁気記録媒体の再生磁性層に光ビーム等の
加熱手段によって温度分布を形成すると、磁壁エネルギ
ー密度に分布が生じるために、磁壁エネルギーの低い方
に磁壁を移動させることができる。この結果、再生信号
振幅は記録されている磁壁の間隔（すなわち、記録ピッ
ト長）によらず、常に一定かつ最大の振幅となる。すな
わち、記録密度向上に伴う再生出力の必然的な低下が大
幅に改善され、さらなる高密度化が実現される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような磁壁移動を利用した従来の光磁気記録媒体におい
ては、磁壁移動現象が良好な安定性をもって再現されな
いという問題があった。

【０００５】そこで、本発明は、良好な安定性をもって
磁壁の移動が再現される、磁壁移動を利用した超高密度
光磁気記録媒体を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、磁壁移動
を利用した超高密度光磁気記録媒体の磁壁移動について
鋭意検討した結果、該光磁気記録媒体の再生に関与する
磁性層の表面性（表面粗さ）が磁壁の移動し易さと関係
していることを見出し、本発明に到達した。

【０００７】即ち、本発明によれば、以上の如き目的を
達成するものとして、再生磁性層の磁壁を移動させるこ
とによって見かけ上磁区を拡大させて該磁区の記録情報
を再生する光磁気記録媒体において、前記再生磁性層の
表面粗さＲａが１．２ｎｍ以下であることを特徴とする
光磁気記録媒体、が提供される。

【０００８】本発明の一態様においては、前記再生磁性
層の表面粗さＲａが０．６ｎｍ以下である。

【０００９】本発明の一態様においては、前記再生磁性
層が各情報トラック間で互いに磁気的に分離されてい
る。

【００１０】特に、本発明によれば、以上の如き目的を
達成するものとして、少なくとも第１の磁性層、第２の
磁性層及び第３の磁性層が順次積層されている光磁気記
録媒体であって、前記第１の磁性層は周囲温度近傍の温
度において前記第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁
力が小さく磁壁移動度の大きな磁性層からなり、前記第
２の磁性層は前記第１の磁性層及び前記第３の磁性層よ
りキュリー温度の低い磁性層からなり、前記第１の磁性
層の表面粗さＲａが１．２ｎｍ以下であることを特徴と
する光磁気記録媒体、が提供される。ここで、第１の磁
性層は移動層かつ再生層であり、第２の磁性層はスイッ
チング層であり、第３の磁性層はメモリ層である。

【００１１】本発明の一態様においては、前記第１の磁
性層の表面粗さＲａが０．６ｎｍ以下である。

【００１２】本発明の一態様においては、前記第１の磁
性層が各情報トラック間で互いに磁気的に分離されてい
る。

【００１３】表面粗さＲａは中心線平均粗さであり、走
査型プローブ顕微鏡等を用いて測定することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の光磁気記録媒体の
実施の形態について図面を参照しながら説明する。

【００１５】図１は、本発明の光磁気記録媒体の第１の
実施形態を示す断面構成図である。透明基板１１上に、
第１の誘電体層１２、記録層（磁性層）１３及び第２の
誘電体層１４が順に積層形成されている。

【００１６】透明基板１１としては、例えば、ガラス、
ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、熱可塑
性ノルボルネン系樹脂等を用いることができる。

【００１７】記録層１３は、単層であっても積層であっ
ても良く、特に限定されないが、再生時に磁壁を移動さ
せて、見かけ上、磁区を拡大して再生するタイプの光磁
気情報記録層であり、例えば、特開平６−２９０４９６
号公報で開示されているような、第１の磁性層１３１、
第２の磁性層１３２及び第３の磁性層１３３の３層構成
のものである。ここで、第１の磁性層１３１は周囲温度
近傍において第３の磁性層１３３に比べて相対的に磁壁
抗磁力が小さく磁壁移動度の大きな磁性層（移動層かつ
再生層）であり、第２の磁性層１３２は第１の磁性層１
３１及び第３の磁性層１３３よりキュリー温度の低い磁
性層（スイッチング層）であり、第３の磁性層１３３は
磁区の保存安定性に優れた通常の磁気記録層（メモリ
層）である。この場合、各磁性層はスパッタリングや真
空蒸着等の物理蒸着法で連続成膜することにより、互い
に交換結合あるいは静磁結合をしている。

【００１８】第１の磁性層１３１としては、例えば、Ｇ
ｄＣｏ系、ＧｄＦｅ系、ＧｄＦｅＣｏ系、ＴｂＣｏ系な
どの磁気異方性の比較的小さな希土類−鉄族非晶質合金
やガーネット等のバブルメモリ用の材料が好ましい。

【００１９】第２の磁性層１３２としては、例えば、Ｃ
ｏ系あるいはＦｅ系合金磁性層で、キュリー温度が第１
の磁性層１３１及び第３の磁性層１３３より小さく、飽
和磁化の値が第３の磁性層１３３より小さいものが好ま
しい。また、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉ等の添加量でキュリー温
度が調整可能である。

【００２０】第３の磁性層１３３としては、例えば、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏなどの希
土類−鉄族非晶質合金やＰｔ／Ｃｏ、Ｐｄ／Ｃｏなどの
白金族−鉄族周期構造膜等、飽和磁化と磁気異方性の値
が大きく、磁化状態（磁区）が安定に保持できるものが
好ましい。

【００２１】第１及び第２の誘電体層１２，１４は、特
に限定されないが、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂ 、ＺｎＳ
等が好ましい。

【００２２】また、必要に応じてＡｌ合金等の放熱層を
形成しても良い。

【００２３】再生に関与する第１の磁性層１３１の表面
粗さは、ほぼ基板１１の表面粗さが直接反映される。従
って、磁性層の表面粗さを制御する手法としては、基板
１１の磁性層が形成される面の表面粗さを制御するのが
直接的かつ簡便である。

【００２４】ここで、基板１１の表面粗さは、射出成形
による基板の場合、スタンパの表面粗さが反映される。
スタンパの製造手順は、まず、ガラス原盤を研磨し、そ
の上にレジストを塗布し、所望の仕様に露光してカッテ
ィングした後、現像を行なう。次にＮｉをスパッタ成膜
した後Ｎｉ電鋳を行ない、剥離して洗浄したものがスタ
ンパである。従って、通常は、レジスト面の表面粗さが
スタンパの表面粗さに反映される。しかし、ランド＆グ
ルーブ記録用基板で、カッティングをガラス原盤まで抜
いた場合、グルーブ面の表面粗さはガラス原盤の表面粗
さとなる。この時、ランド面の表面粗さはレジスト面の
表面粗さである。また、このグルーブ面をランド面とし
て使いたい時には、作成したスタンパをマザーにして逆
性のスタンパを作成すれば良い。いずれにしても、スタ
ンパの表面粗さは、レジスト面あるいはガラス原盤の表
面粗さによって制御することが可能である。

【００２５】この様に、プラスチック基板の射出成形に
おいては、基板成形に使用するスタンパの表面粗さを制
御することが効果的であり、スタンパの表面粗さを制御
する手法としては、スタンパの作製に用いるガラス原盤
の表面粗さを研磨等の手法で制御する方法やレジスト面
の表面粗さをレジストの材料や工程等の条件出しで制御
することが可能である。

【００２６】再生に関与する第１の磁性層１３１の表面
粗さ及びその他の表面の表面粗さは、走査型プローブ顕
微鏡により測定されるＲａ（平均中心線粗さ）をもって
示す。基板１１の表面粗さＲａを１．２ｎｍ以下、好ま
しくは０．６ｎｍ以下に制御することによって、第１の
磁性層１３１及びその他の磁性層さらには磁性層１３の
Ｒａも１．２ｎｍ以下、好ましくは０．６ｎｍ以下にす
ることが可能となる。

【００２７】このような表面粗さを具備した光磁気記録
媒体を用いることによって、特開平６−２９０４９６号
公報で開示されている磁壁の移動現象を良好な安定性を
もって再現することが可能となった。このことは、光磁
気記録媒体の表面粗さ（表面凹凸）が大きいと磁壁の移
動が妨げられることを示すものと考えられる。

【００２８】図２は、本発明の光磁気記録媒体の第２の
実施形態を示す断面構成図である。本実施形態の光磁気
記録媒体は、例えばＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，
Ｖｏｌ．６９，Ｎｏ．２７（１９９６）に示されている
ような、再生磁性層に転写された磁区を外部磁界を印加
することによって拡大／縮小するタイプのものである。

【００２９】透明基板６１上に、第１の誘電体層６２、
第１の磁性層６３１、第２の誘電体層６４、反射層６
５、第２の磁性層６３２及び第３の誘電体層６６が順に
積層形成されている。

【００３０】基板６１は上記基板１１と同様な材質から
なり、第１、第２及び第３の誘電体層６２，６４，６６
は上記第１及び第２の誘電体層１２，１４と同様な材質
からなり、第１の磁性層６３１は上記第１の磁性層１３
１と同様な材質からなり、第２の磁性層６３２は上記第
３の磁性層１３３と同様な材質からなる。第１、第２及
び第３の誘電体層６２，６４，６６は、それぞれ第１の
干渉層、第２の干渉層及び保護層として機能する。ま
た、第１の磁性層６３１は磁区拡大層として機能し再生
に関与する。第２の磁性層６３２は記録層として機能す
る。

【００３１】反射層６５としては、例えばＡｌＴｉ層を
用いることができる。この放熱層６５は、再生感度を向
上させるために再生パワーを上げる際に、光磁気記録媒
体の昇温によるダメージを防止するための放熱調整層と
して機能する。

【００３２】再生に関与する第１の磁性層６３１の表面
粗さＲａを１．２ｎｍ以下とすることによって、磁壁の
移動による孤立磁区の拡大を良好な安定性をもって再現
することが可能となった。このことは、光磁気記録媒体
の表面粗さ（表面凹凸）が大きすぎると磁壁の移動が妨
げられることを示すものと考えられる。また、第１の磁
性層６３１の表面粗さＲａを１．２ｎｍ以下とすること
によって、外部磁界の印加なしで、磁壁の移動による孤
立磁区の拡大を良好な安定性をもって再現することが可
能となった。

【００３３】以下に具体的な実施例をもって本発明を更
に詳しく説明するが、本発明は以下の実施例に限定され
るものではない。尚、これらの実施例において、表面粗
さＲａは、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）ＮａｎｏＳ
ｃｏｐｅIII （米国デジタルインスツルメンツ社製）の
タッピングモードＡＦＭを用い、探針には通常のブレー
ドチップを用いて、測定した。

【００３４】（実施例１）図１に示される光磁気記録媒
体（光磁気ディスク）を製造した。

【００３５】基板１１としてはポリカーボネートを用い
た。該ポリカーボネート基板１１はトラックピッチ０．
５μｍ間隔のランド＆グルーブ記録用の基板である。

【００３６】本ポリカーボネート基板１１を作成するガ
ラス原盤を研磨して、その表面粗さＲａを約０．５ｎｍ
にした。このガラス原盤を用いて作成したスタンパの凸
部（基板に対してはグルーブ部として転写される）の表
面粗さＲａは約０．５ｎｍであった。このスタンパを用
いて射出成形したポリカーボネート基板１１のグルーブ
面の表面粗さの測定結果を図３に示す（Ｒａ０．５３ｎ
ｍ）。

【００３７】該ポリカーボネート基板１１上に干渉層で
あるＳｉＮ層１２を厚さ８０ｎｍ形成し、次に第１の磁
性層（磁壁移動層）としてＧｄＦｅＣｏ層１３１を厚さ
３０ｎｍ、第２の磁性層（スイッチング層）としてＤｙ
Ｆｅ層１３２を厚さ１０ｎｍ、第３の磁性層（メモリ
層）としてＴｂＦｅＣｏ層１３３を厚さ４０ｎｍ、順次
スパッタリングにより形成した。最後に、保護層として
ＳｉＮ層１４を厚さ８０ｎｍ形成した。

【００３８】次に、磁性層１３を情報トラック間で磁気
的に互いに分離させることを目的に、ランド面全面をレ
ーザー照射によりアニールした。

【００３９】この様にして得られた光磁気記録媒体のグ
ルーブ面の表面（実際には保護層１４の上面）の表面粗
さを測定したところ、基板１１のグルーブ面の表面粗さ
とほぼ同等であった。従って、磁壁移動層（再生層）１
３１の表面粗さもほぼ同等であるといえる。

【００４０】このようにして得られた光磁気ディスク
に、磁界変調方式でトラック方向にピット長０．１０μ
ｍの連続磁区を記録し、発明者らが既に提案している
『温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法（特開平
６−２９０４９６号公報参照）』を用いて再生したとこ
ろ、波長６３５ｎｍ、ＮＡ０．６の光学系（相対速度２
ｍ／ｓ）においてＣ／Ｎ３９．５ｄＢが安定して再現性
良く得られた。

【００４１】（比較例１）ポリカーボネート基板として
通常の光磁気ディスク（３．５インチ、２３０ＭＢ）の
基板を用いた他は、実施例１と同じようにした。ポリカ
ーボネート基板の表面粗さは、Ｒａで１．５１３ｎｍで
あった。その結果を図４に示した。尚、磁性層は、実施
例１と同様に情報トラック間で磁気的に互いに分離させ
ることを目的に、グルーブにあたる部分をレーザー照射
によりアニールした。

【００４２】このようにして得られた光磁気ディスク
に、磁界変調方式でトラック方向にピット長０．１０μ
ｍの連続磁区を記録し、発明者らが既に提案している
『温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法（特開平
６−２９０４９６号公報参照）』を用いて再生したとこ
ろ、波長６３５ｎｍ、ＮＡ０．６の光学系（相対速度２
ｍ／ｓ）では再生信号が得られなかった。すなわち、本
比較例の基板（Ｒａ１．５１３ｎｍ）では、磁壁の移動
による微小ピット（０．１０μｍ）の再生は不可能であ
った。

【００４３】（実施例２）ポリカーボネート基板１１の
グルーブ面の表面粗さＲａを０．８２５ｎｍとした他
は、実施例１と同じようにした。表面粗さの測定結果を
図５に示した。

【００４４】このようにして得られた光磁気ディスク
に、磁界変調方式でトラック方向にピット長０．１０μ
ｍの連続磁区を記録し、発明者らが既に提案している
『温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法（特開平
６−２９０４９６号公報参照）』を用いて再生したとこ
ろ、波長６３５ｎｍ、ＮＡ０．６の光学系（相対速度２
ｍ／ｓ）においてＣ／Ｎ３８．０ｄＢが得られた。ただ
し、実施例１と比較すると、ごく稀に磁壁の移動現象が
生じない（再生信号が得られない）ことがあり、また、
実施例１と比較するとＣ／Ｎも１．５ｄＢ低下してい
る。しかし、実用には支障がない。

【００４５】（実施例３）ポリカーボネート基板１１の
グルーブ面の表面粗さをＲａで０．４２８ｎｍとした他
は、実施例１と同じようにした。表面粗さの測定結果を
図６に示した。

【００４６】このようにして得られた光磁気ディスク
に、磁界変調方式でトラック方向にピット長０．１０μ
ｍの連続磁区を記録し、発明者らが既に提案している
『温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法（特開平
６−２９０４９６号公報参照）』を用いて再生したとこ
ろ、波長６３５ｎｍ、ＮＡ０．６の光学系（相対速度２
ｍ／ｓ）においてＣ／Ｎ４０．０ｄＢが安定して再現良
く得られた。また、実施例１と比較すると、Ｃ／Ｎが
０．５ｄＢ向上している。

【００４７】（実施例４）ポリカーボネート基板１１の
ランド面の表面粗さをＲａで１．１０４ｎｍとして、グ
ルーブ面全面をレーザー照射によりアニールした他は、
実施例１と同じようにした。表面粗さの測定結果を図７
に示した。

【００４８】このようにして得られた光磁気ディスク
に、磁界変調方式でトラック方向にピット長０．１０μ
ｍの連続磁区を記録し、発明者らが既に提案している
『温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法（特開平
６−２９０４９６号公報参照）』を用いて再生したとこ
ろ、波長６３５ｎｍ、ＮＡ０．６の光学系（相対速度２
ｍ／ｓ）においてＣ／Ｎ３６．５ｄＢが得られた。ただ
し、実施例１と比較すると、ときどき磁壁の移動現象が
生じない（再生信号が得られない）ことがあり、また、
実施例１と比較すると、Ｃ／Ｎも３．０ｄＢ低下してい
る。しかし、実用には支障がない。

【００４９】（実施例５）図２に示される光磁気記録媒
体（光磁気ディスク）を製造した。

【００５０】基板６１としてはポリカーボネートを用い
た。該ポリカーボネート基板６１はトラックピッチ０．
５μｍ間隔のランド＆グルーブ記録用の基板である。

【００５１】ポリカーボネート基板６１の表面粗さをＲ
ａで０．７６７ｎｍとした基板の上に、第１の干渉層で
あるＳｉＮ層６２を厚さ７０ｎｍ形成し、次に第１の磁
性層（磁気増幅層）としてＧｄＦｅＣｏ層６３１を厚さ
２０ｎｍ、第２の干渉層としてＳｉＮ層６４を厚さ１５
ｎｍ、次に反射層としてＡｌＴｉ層６５を厚さ１０ｎ
ｍ、次に第２の磁性層（記録層）としてＴｂＦｅＣｏ層
６３２を厚さ２００ｎｍ、最後に、保護層としてＳｉＮ
層６６を厚さ７０ｎｍ、順次スパッタリングにより形成
した。ここで、トラック間分断を目的としたトラックの
アニール処理は行なっていない。表面粗さの測定結果は
図８に示した。

【００５２】このようにして得られた光磁気ディスク
に、磁界変調方式で０．３０μｍの孤立磁区を２．０μ
ｍ間隔で記録し、約５０エルステッドの外部補助磁界を
かけて転写／拡大し再生したところ、波長６８０ｎｍ、
ＮＡ０．５５の光学系において実用レベルの再生信号が
得られた。

【００５３】（比較例２）ポリカーボネート基板として
比較例１と同様の通常の光磁気ディスク（３．５イン
チ、２３０ＭＢ）の基板を用いた他は、実施例５と同じ
ようにした。ポリカーボネート基板の表面粗さは、Ｒａ
で１．５１３ｎｍであった。

【００５４】このようにして得られた光磁気ディスク
に、磁界変調方式で０．３０μｍの孤立磁区を２．０μ
ｍ間隔で記録し、約３００エルステッドの外部補助磁界
をかけて転写／拡大し再生したところ、波長６８０ｎ
ｍ、ＮＡ０．５５の光学系において実用レベルの再生信
号が得られた。しかし、約５０エルステッドの外部補助
磁界をかけた場合には、実用レベルの再生信号は得られ
なかった。すなわち、本比較例の基板（Ｒａ１．５１３
ｎｍ）では、強い外部補助磁界が必須である。

【００５５】（実施例６）ポリカーボネート基板として
実施例３と同様な表面粗さＲａ０．４２８ｎｍのものを
使用した他は、実施例５と同じようにした。

【００５６】このようにして得られた光磁気ディスク
に、磁界変調方式で０．３０μｍの孤立磁区を２．０μ
ｍ間隔で記録し、外部補助磁界を印加せずに転写／拡大
し再生したところ、波長６８０ｎｍ、ＮＡ０．５５の光
学系において実用レベルの再生信号が得られた。即ち、
本実施例のＲａ０．４２８ｎｍの表面粗さの基板の場合
には、外部補助磁界の印加なしで良好な磁区拡大／再生
を行うことができる。

【００５７】（比較例３）ポリカーボネート基板のラン
ド面の表面粗さをＲａで１．３１５ｎｍとして、グルー
ブ面全面をレーザー照射によりアニールした他は、実施
例１と同じようにした。

【００５８】このようにして得られた光磁気ディスク
に、磁界変調方式でピット長０．１０μｍの連続磁区を
記録し、発明者らが既に提案している『温度勾配を利用
した磁壁移動型拡大再生方法（特開平６−２９０４９６
号公報参照）』を用いて再生したところ、波長６３５ｎ
ｍ、ＮＡ０．６の光学系（相対速度２ｍ／ｓ）において
Ｃ／Ｎ３５．０ｄＢであった。ただし、再生信号は極め
て小さく、しばしば磁壁の移動現象が生じない（再生信
号が得られない）ことがあり、実施例１と比較すると安
定性に欠けていた。

【００５９】以上のように、ポリカーボネート基板の表
面粗さＲａが１．３１５ｎｍの場合、磁壁移動に基づく
実用的なレベルの再生信号は得られなかった。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光磁気記
録媒体によれば、温度勾配を利用した磁壁移動型磁区拡
大再生方式による光磁気記録媒体を良好な安定性をもっ
て再現することが可能となると同時に再生信号（Ｃ／
Ｎ）を向上させることができる。

【００６１】また、本発明の光磁気記録媒体によれば、
磁区を拡大させて再生する光磁気記録媒体において、再
生時に大きな外部補助磁界が不要となるか或は外部補助
磁界が全く不要となる。

【００６２】また、従来使用されているものと同種の光
磁気記録媒体の基板を用いて、その表面粗さを制御する
のみといった簡便な方法で「磁壁の移動し易さ」をコン
トロールすることが可能なため、磁壁移動型（磁壁移動
により孤立磁区面積を拡大させるものを含む）の高密度
な光磁気記録媒体をローコストで提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体の第１の実施形態の層
構成を示す模式的断面図。

【図２】本発明の光磁気記録媒体の第２の実施形態の層
構成を示す模式的断面図。

【図３】本発明の光磁気記録媒体（実施例１）の基板の
表面粗さの測定結果。

【図４】比較例１，２の光磁気記録媒体の基板の表面粗
さの測定結果。

【図５】本発明の光磁気記録媒体（実施例２）の基板の
表面粗さの測定結果。

【図６】本発明の光磁気記録媒体（実施例３）の基板の
表面粗さの測定結果。

【図７】本発明の光磁気記録媒体（実施例４）の基板の
表面粗さの測定結果。

【図８】本発明の光磁気記録媒体（実施例５）の基板の
表面粗さの測定結果。

【符号の説明】

１１ポリカーボネート基板１２，１４誘電体層１３磁性層１３１第１の磁性層１３２第２の磁性層１３３第３の磁性層６１ポリカーボネート基板６２，６４，６６誘電体層６３１第１の磁性層６３２第２の磁性層６５反射層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】再生磁性層の磁壁を移動させることによ
って見かけ上磁区を拡大させて該磁区の記録情報を再生
する光磁気記録媒体において、前記再生磁性層の表面粗
さＲａが１．２ｎｍ以下であることを特徴とする光磁気
記録媒体。
【請求項２】前記再生磁性層の表面粗さＲａが０．６
ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の光
磁気記録媒体。
【請求項３】前記再生磁性層が各情報トラック間で互
いに磁気的に分離されていることを特徴とする、請求項
１〜２のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】少なくとも第１の磁性層、第２の磁性層
及び第３の磁性層が順次積層されている光磁気記録媒体
であって、前記第１の磁性層は周囲温度近傍の温度にお
いて前記第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小
さく磁壁移動度の大きな磁性層からなり、前記第２の磁
性層は前記第１の磁性層及び前記第３の磁性層よりキュ
リー温度の低い磁性層からなり、前記第１の磁性層の表
面粗さＲａが１．２ｎｍ以下であることを特徴とする光
磁気記録媒体。
【請求項５】前記第１の磁性層の表面粗さＲａが０．
６ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項４に記載の
光磁気記録媒体。
【請求項６】前記第１の磁性層が各情報トラック間で
互いに磁気的に分離されていることを特徴とする、請求
項４〜５のいずれかに記載の光磁気記録媒体。