JP2000091606A - 太陽電池用基板の製造方法 - Google Patents
太陽電池用基板の製造方法Info
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光電変換効率が高く、かつ、絶縁性に優れた
太陽電池用基板を提供する。 【解決手段】 帯状金属基板を移動させながらポリイミ
ド系樹脂層（Ａ）、次いで、絶縁性微粒子が配合された
ポリイミド系樹脂層（Ｂ）を塗布し、更に、加熱処理を
行い流動状態の樹脂層をロールで加圧して絶縁性微粒子
を分散することを特徴とする太陽電池基板の製造方法。
太陽電池用基板を提供する。 【解決手段】 帯状金属基板を移動させながらポリイミ
ド系樹脂層（Ａ）、次いで、絶縁性微粒子が配合された
ポリイミド系樹脂層（Ｂ）を塗布し、更に、加熱処理を
行い流動状態の樹脂層をロールで加圧して絶縁性微粒子
を分散することを特徴とする太陽電池基板の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池基板の製
造方法に関する。特に薄膜太陽電池を形成するための表
面に均一な凹凸形状を形成し、かつ絶縁性に優れた太陽
電池基板の製造方法に関する。
造方法に関する。特に薄膜太陽電池を形成するための表
面に均一な凹凸形状を形成し、かつ絶縁性に優れた太陽
電池基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】非晶質シリコン等を用いた太陽電池の基
板として、一般的にガラス基板や金属基板が用いられ
る。この太陽電池の変換効率を向上させるため、太陽光
の吸収量を増加させる方法として基板表面に凹凸を形成
する方法が従来から行われている。これにより、光電変
換層に入射する光の光路長を増加させ、変換効率が向上
させることができる。
板として、一般的にガラス基板や金属基板が用いられ
る。この太陽電池の変換効率を向上させるため、太陽光
の吸収量を増加させる方法として基板表面に凹凸を形成
する方法が従来から行われている。これにより、光電変
換層に入射する光の光路長を増加させ、変換効率が向上
させることができる。
【０００３】以上の基板表面に凹凸を形成する方法とし
ては、ガラス基板では、その表面にＳｎＯ2薄膜をＣＶ
Ｄで形成する方法が一般的に行われているが、この方法
はコスト高であるという問題がある。また、金属基板で
は、絶縁膜として絶縁性微粒子を配合したポリイミド系
樹脂被膜を形成し、絶縁性微粒子により凹凸する方法が
提案されているが、この方法は、凹凸を形成するための
微粒子を大量に配合する必要があり、このために膜がポ
ーラスとなり絶縁性の信頼性が低下するという問題があ
る。
ては、ガラス基板では、その表面にＳｎＯ2薄膜をＣＶ
Ｄで形成する方法が一般的に行われているが、この方法
はコスト高であるという問題がある。また、金属基板で
は、絶縁膜として絶縁性微粒子を配合したポリイミド系
樹脂被膜を形成し、絶縁性微粒子により凹凸する方法が
提案されているが、この方法は、凹凸を形成するための
微粒子を大量に配合する必要があり、このために膜がポ
ーラスとなり絶縁性の信頼性が低下するという問題があ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、かかる
状況にあって、上記従来技術の諸欠点を一挙に解決した
太陽電池用基板を提供すべく、鋭意検討の結果本発明を
完成したものである。本発明の目的は次の通りである。 １．絶縁基板の表面に微細な凹凸を形成するのにコスト
高にならない太陽電池用基板を提供すること。 ２．絶縁性の信頼性の高い太陽電池用基板を提供するこ
と。 ３．太陽光の電気への変換効率の高い太陽電池用基板を
提供すること。
状況にあって、上記従来技術の諸欠点を一挙に解決した
太陽電池用基板を提供すべく、鋭意検討の結果本発明を
完成したものである。本発明の目的は次の通りである。 １．絶縁基板の表面に微細な凹凸を形成するのにコスト
高にならない太陽電池用基板を提供すること。 ２．絶縁性の信頼性の高い太陽電池用基板を提供するこ
と。 ３．太陽光の電気への変換効率の高い太陽電池用基板を
提供すること。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、帯状金属基板を移動させながらポリイ
ミド系樹脂層（Ａ）、次いで、絶縁性微粒子が配合され
たポリイミド系樹脂層（Ｂ）を塗布し、更に、加熱処理
を行い流動状態の樹脂層をロールで加圧して絶縁性微粒
子を分散することを特徴とする太陽電池基板の製造方法
を提供するものである。
め、本発明では、帯状金属基板を移動させながらポリイ
ミド系樹脂層（Ａ）、次いで、絶縁性微粒子が配合され
たポリイミド系樹脂層（Ｂ）を塗布し、更に、加熱処理
を行い流動状態の樹脂層をロールで加圧して絶縁性微粒
子を分散することを特徴とする太陽電池基板の製造方法
を提供するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明に係わる太陽電池用基板は、その基体金属は、耐
食性の優れたステンレス板、アルミ板、アルミメッキ鋼
板等より構成される。ステンレス板とは、通常の炭素に
比較して耐食性の優れた特殊鋼を言う。具体例として
は、１３クロムステンレス鋼と称されるＳＵＳ３０１，
３０４，３０５，３１０（いずれもＪＩＳ記号。以下同
じ）及び１８クロムステンレス鋼と称されるＳＵＳ４３
０，４３４などが挙げられる。アルミ板としては、高温
での機械強度の低下の比較的小さい合金の圧延板が好適
に用いられる。具体例としては、アルミ−マグネシウム
合金のＡ５０５２，５０８３，５１８２（いずれもＪＩ
Ｓ表示）などが挙げられる。アルミメッキ鋼板として
は、鋼板の耐食性を改良するためにＳｉを含有したアル
ミ合金を表面にメッキしたものなどが挙げられるが、こ
れを得る方法としては、鋼板のコイルを上記のアルミ合
金を溶融浴を通過させることにより、表面に２０〜５０
μのメッキ層を形成させればよい。これらの金属板の巾
は、通常１０〜１００ｃｍ、厚さは、通常０．０５〜５
ｍｍ、好ましくは０．１〜１ｍｍである。
本発明に係わる太陽電池用基板は、その基体金属は、耐
食性の優れたステンレス板、アルミ板、アルミメッキ鋼
板等より構成される。ステンレス板とは、通常の炭素に
比較して耐食性の優れた特殊鋼を言う。具体例として
は、１３クロムステンレス鋼と称されるＳＵＳ３０１，
３０４，３０５，３１０（いずれもＪＩＳ記号。以下同
じ）及び１８クロムステンレス鋼と称されるＳＵＳ４３
０，４３４などが挙げられる。アルミ板としては、高温
での機械強度の低下の比較的小さい合金の圧延板が好適
に用いられる。具体例としては、アルミ−マグネシウム
合金のＡ５０５２，５０８３，５１８２（いずれもＪＩ
Ｓ表示）などが挙げられる。アルミメッキ鋼板として
は、鋼板の耐食性を改良するためにＳｉを含有したアル
ミ合金を表面にメッキしたものなどが挙げられるが、こ
れを得る方法としては、鋼板のコイルを上記のアルミ合
金を溶融浴を通過させることにより、表面に２０〜５０
μのメッキ層を形成させればよい。これらの金属板の巾
は、通常１０〜１００ｃｍ、厚さは、通常０．０５〜５
ｍｍ、好ましくは０．１〜１ｍｍである。
【０００７】本発明の太陽電池用基板で用いるポリイミ
ド系樹脂の種類は特に限定されるものではないが、ポリ
イミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルアミドおよび
これらの混合物であって、熱可塑性であって溶媒可溶型
のものが好適に用いられる。また、かかるポリイミド系
樹脂は、第二成分として、例えばポリサルホン、ポリエ
ーテルポリサルホンなどの溶媒可溶性の樹脂を混合した
ものも含まれる。
ド系樹脂の種類は特に限定されるものではないが、ポリ
イミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルアミドおよび
これらの混合物であって、熱可塑性であって溶媒可溶型
のものが好適に用いられる。また、かかるポリイミド系
樹脂は、第二成分として、例えばポリサルホン、ポリエ
ーテルポリサルホンなどの溶媒可溶性の樹脂を混合した
ものも含まれる。
【０００８】ポリイミド系樹脂の具体例としては、ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）と、
二種の芳香族ジイソシアネート、すなわち、４，４´−
ジフェニルメタンジイソシアネートおよび２，４−トリ
レンジイソシアネートを共重合させたもの、例えば、次
の構造式［Ｉ］で表される構造のものである。
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）と、
二種の芳香族ジイソシアネート、すなわち、４，４´−
ジフェニルメタンジイソシアネートおよび２，４−トリ
レンジイソシアネートを共重合させたもの、例えば、次
の構造式［Ｉ］で表される構造のものである。
【０００９】
【化１】
【００１０】
【化２】
【００１１】
【化３】
【００１２】他の具体例としては、ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）と、芳香族ジアミンから
ポリアミド酸を経由して合成される、以下の構造式［I
I］および構造式[III]で表わされる構造のものが挙げら
れる。
ルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）と、芳香族ジアミンから
ポリアミド酸を経由して合成される、以下の構造式［I
I］および構造式[III]で表わされる構造のものが挙げら
れる。
【００１３】
【化４】
【００１４】
【化５】
【００１５】さらに他の具体例としては、以下の構造式
［IV］の繰返し単位を約８０モル％、および以下の構造
式［Ｖ］の繰返し単位を約２０モル％有する構造の共重
合（コ）ポリイミドが挙げられる。
［IV］の繰返し単位を約８０モル％、および以下の構造
式［Ｖ］の繰返し単位を約２０モル％有する構造の共重
合（コ）ポリイミドが挙げられる。
【００１６】
【化６】
【００１７】
【化７】
【００１８】上記ポリイミド系樹脂であって、市販され
ているものとしては、米国アモコ社のＴｏｒｌｏｎ（そ
の構造式は、以下の[VI]の通りである。）、米国ゼネラ
ルエレクトリック社のＵｌｔｅｍ（ポリエーテルイミ
ド）（その構造式は、以下の[VII]の通りである。）な
どが挙げられる。
ているものとしては、米国アモコ社のＴｏｒｌｏｎ（そ
の構造式は、以下の[VI]の通りである。）、米国ゼネラ
ルエレクトリック社のＵｌｔｅｍ（ポリエーテルイミ
ド）（その構造式は、以下の[VII]の通りである。）な
どが挙げられる。
【００１９】
【化８】
【００２０】
【化９】
【００２１】上記の共重合（コ）ポリイミド、共重合
（コ）ポリアミドイミドは、その相対粘度（ηinh)が
０．１〜１０ｄｌ／ｇ（Ｎ−メチルピロリドン中、濃度
０．５重量％、３０℃で測定）の範囲のものが好まし
い。前記金属基板に、上記のポリイミド系樹脂の被膜を
形成するには、溶媒に溶解した溶液として塗布する。使
用可能な溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ
´−ジメチルホルムアミド、ｏ−メチルフェノール、ｍ
−メチルフェノール、ｐ−メチルフェノール、ｏ−クロ
ロフェノール、ｐ−クロロフェノール、２，４−ジクロ
ロフェノール、ジエチレングリコールジメチルエーテル
などが挙げられる。中でも、Ｎ−メチルピロリドン、
Ｎ，Ｎ´−ジメチルホルムアミドが好適である。塗布液
の樹脂の濃度は、塗布作業が円滑に遂行できる程度の粘
度が得られるように１〜２５重量％の範囲で選ぶのが好
ましい。
（コ）ポリアミドイミドは、その相対粘度（ηinh)が
０．１〜１０ｄｌ／ｇ（Ｎ−メチルピロリドン中、濃度
０．５重量％、３０℃で測定）の範囲のものが好まし
い。前記金属基板に、上記のポリイミド系樹脂の被膜を
形成するには、溶媒に溶解した溶液として塗布する。使
用可能な溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ
´−ジメチルホルムアミド、ｏ−メチルフェノール、ｍ
−メチルフェノール、ｐ−メチルフェノール、ｏ−クロ
ロフェノール、ｐ−クロロフェノール、２，４−ジクロ
ロフェノール、ジエチレングリコールジメチルエーテル
などが挙げられる。中でも、Ｎ−メチルピロリドン、
Ｎ，Ｎ´−ジメチルホルムアミドが好適である。塗布液
の樹脂の濃度は、塗布作業が円滑に遂行できる程度の粘
度が得られるように１〜２５重量％の範囲で選ぶのが好
ましい。
【００２２】また、本発明の太陽電池用基板では、金属
板の表面に、ポリイミド系樹脂層、次いで、絶縁性微粒
子を配合したポリイミド系樹脂層を積層するが、絶縁性
微粒子を含有するポリイミド系樹脂層を積層するために
使用する絶縁性微粒子配合ポリイミド系樹脂溶液として
は、粘度が低く固形分濃度が高いものが好ましい。この
ためのポリイミド系樹脂溶液としては、前記で例示した
ようなポリイミド系樹脂の溶液でもよいが、芳香族ジア
ミンと芳香族テトラカルボン酸及び／又はその誘導体を
溶質として溶媒中に溶解しているポリイミド前駆体溶液
を使用するのが特に好ましい。かかるポリイミド前駆体
溶液では、前記芳香族ジアミンと、芳香族テトラカルボ
ン酸及び／又はその誘導体が反応して一般式［VIII］で
表される熱可塑性ポリイミド系樹脂を形成する。
板の表面に、ポリイミド系樹脂層、次いで、絶縁性微粒
子を配合したポリイミド系樹脂層を積層するが、絶縁性
微粒子を含有するポリイミド系樹脂層を積層するために
使用する絶縁性微粒子配合ポリイミド系樹脂溶液として
は、粘度が低く固形分濃度が高いものが好ましい。この
ためのポリイミド系樹脂溶液としては、前記で例示した
ようなポリイミド系樹脂の溶液でもよいが、芳香族ジア
ミンと芳香族テトラカルボン酸及び／又はその誘導体を
溶質として溶媒中に溶解しているポリイミド前駆体溶液
を使用するのが特に好ましい。かかるポリイミド前駆体
溶液では、前記芳香族ジアミンと、芳香族テトラカルボ
ン酸及び／又はその誘導体が反応して一般式［VIII］で
表される熱可塑性ポリイミド系樹脂を形成する。
【００２３】
【化１０】
【００２４】前記溶質としては、４，４’−オキシジア
ニリン、および／または、３，４’−オキシジアニリン
と、次の一般式［IX］で表される４，４’−オキシジフ
タル酸、および／または、その誘導体との組み合わせ、
あるいは、４，４’−オキシジアニリン、または、３，
４’−オキシジアニリン、および、パラフェニレンジア
ミンと、次の一般式［IX］で表される４，４’−オキシ
ジフタル酸、または、その誘導体との組合せが好ましい
ものとして挙げられる。以上のポリイミド前駆体溶液は
高濃度でも比較的粘度が低いので、絶縁性微粒子を含有
した状態でも、高い生産性で、良好な物性のポリイミド
系樹脂塗膜の製造することができる。
ニリン、および／または、３，４’−オキシジアニリン
と、次の一般式［IX］で表される４，４’−オキシジフ
タル酸、および／または、その誘導体との組み合わせ、
あるいは、４，４’−オキシジアニリン、または、３，
４’−オキシジアニリン、および、パラフェニレンジア
ミンと、次の一般式［IX］で表される４，４’−オキシ
ジフタル酸、または、その誘導体との組合せが好ましい
ものとして挙げられる。以上のポリイミド前駆体溶液は
高濃度でも比較的粘度が低いので、絶縁性微粒子を含有
した状態でも、高い生産性で、良好な物性のポリイミド
系樹脂塗膜の製造することができる。
【００２５】
【化１１】
【００２６】前記金属板に、上記のポリイミド系樹脂の
被膜を形成するには、溶媒に溶解した溶液として金属板
の表面に塗布する方法による。この際使用可能な溶媒と
しては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメ
チルスルホキシド等が挙げられ、これらの中で、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミドが特に好ましい。塗布液の前駆
体の濃度は、通常３０重量％以上で、好ましくは４０重
量％以上とするのが好ましい。３０重量％未満では、粘
度が低すぎ、均一な塗膜が得られにくい。
被膜を形成するには、溶媒に溶解した溶液として金属板
の表面に塗布する方法による。この際使用可能な溶媒と
しては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメ
チルスルホキシド等が挙げられ、これらの中で、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミドが特に好ましい。塗布液の前駆
体の濃度は、通常３０重量％以上で、好ましくは４０重
量％以上とするのが好ましい。３０重量％未満では、粘
度が低すぎ、均一な塗膜が得られにくい。
【００２７】次に、かかるポリイミド系樹脂に配合する
絶縁性微粒子絶縁性微粒子としては、シリカ、炭酸カル
シウム、酸化アルミニウム、酸化チタンなどが挙げられ
るが、中でもシリカが好適である。絶縁性微粒子のポリ
イミド系樹脂への配合量は、その種類、平均粒径、被膜
の厚さなどにより最適範囲が変動しうるが、ポリイミド
系樹脂に対して通常１００〜５００重量％の範囲で選ぶ
ものとする。配合量が１００重量％未満であると、被膜
の表面に微細な凹凸を形成するのが難しく、配合量が５
００重量％を越えると被膜がもろくなり、いずれも好ま
しくない。
絶縁性微粒子絶縁性微粒子としては、シリカ、炭酸カル
シウム、酸化アルミニウム、酸化チタンなどが挙げられ
るが、中でもシリカが好適である。絶縁性微粒子のポリ
イミド系樹脂への配合量は、その種類、平均粒径、被膜
の厚さなどにより最適範囲が変動しうるが、ポリイミド
系樹脂に対して通常１００〜５００重量％の範囲で選ぶ
ものとする。配合量が１００重量％未満であると、被膜
の表面に微細な凹凸を形成するのが難しく、配合量が５
００重量％を越えると被膜がもろくなり、いずれも好ま
しくない。
【００２８】絶縁性微粒子の形状は球状であり、平均粒
径が０．１〜１．０μｍ、かつ、粒度分布の標準偏差が
１．２以下であるものが好ましい。以上の要件は微細な
凹凸を均一に形成するために特に重要であり、例えば、
標準偏差値が１．２を超えると絶縁微粒子の分散が不均
一になり、光を封じ込めるという機能が十分に発揮され
なくなる恐れがある。なお、本発明において絶縁性微粒
子の平均粒径、標準偏差値は、それぞれ次の式で定義さ
れるものである。
径が０．１〜１．０μｍ、かつ、粒度分布の標準偏差が
１．２以下であるものが好ましい。以上の要件は微細な
凹凸を均一に形成するために特に重要であり、例えば、
標準偏差値が１．２を超えると絶縁微粒子の分散が不均
一になり、光を封じ込めるという機能が十分に発揮され
なくなる恐れがある。なお、本発明において絶縁性微粒
子の平均粒径、標準偏差値は、それぞれ次の式で定義さ
れるものである。
【００２９】
【数１】
【００３０】
【数２】
【００３１】以上のようなポリイミド系樹脂層の塗布方
法としては、ダイコート法、ロールコート法、フローコ
ート法、ドクターブレー 等の方法があるＦＧＡ、度コ
ートドコート法などが挙げられる。中でもダイコート
法、ロールコート法が好適であり、金属帯状基板を移動
させながら連続的に塗布していく。塗布液の樹脂の濃
度、塗布液の粘度などを調節して、湿った状態の塗布膜
の厚さを１０〜３００μｍ程度とし、塗布乾燥後の被膜
の厚さが好ましくは５〜１５μｍとなるように調節す
る。膜厚が５μｍ未満では絶縁の信頼性が充分でなく、
１５μｍを超えると膜の柔軟性が減少するに加え、経済
的でない。ポリイミド系樹脂溶液を塗布の後は、通常、
直ちに乾燥を行う。乾燥条件は、溶媒を除去するために
溶媒の沸点以上の温度で加熱する。
法としては、ダイコート法、ロールコート法、フローコ
ート法、ドクターブレー 等の方法があるＦＧＡ、度コ
ートドコート法などが挙げられる。中でもダイコート
法、ロールコート法が好適であり、金属帯状基板を移動
させながら連続的に塗布していく。塗布液の樹脂の濃
度、塗布液の粘度などを調節して、湿った状態の塗布膜
の厚さを１０〜３００μｍ程度とし、塗布乾燥後の被膜
の厚さが好ましくは５〜１５μｍとなるように調節す
る。膜厚が５μｍ未満では絶縁の信頼性が充分でなく、
１５μｍを超えると膜の柔軟性が減少するに加え、経済
的でない。ポリイミド系樹脂溶液を塗布の後は、通常、
直ちに乾燥を行う。乾燥条件は、溶媒を除去するために
溶媒の沸点以上の温度で加熱する。
【００３２】本発明の太陽電池用基板では、金属板の表
面にポリイミド系樹脂層を形成させ、次いで、絶縁性微
粒子を配合したポリイミド系樹脂層を積層することにな
るが、上記の方法で形成させたポリイミド系樹脂層の上
に、絶縁性微粒子を配合していない前記のポリイミド系
樹脂層と同様な方法で、絶縁性微粒子を配合したポリイ
ミド系樹脂溶液を塗布する。塗布後、樹脂層を完全に硬
化させるため、例えば、３００℃まで１５〜３０分徐昇
温して加熱した後、３００℃で５〜１５分加熱する方法
が採用され、その後、適当なサイズに切断し太陽電池基
板として使用される。
面にポリイミド系樹脂層を形成させ、次いで、絶縁性微
粒子を配合したポリイミド系樹脂層を積層することにな
るが、上記の方法で形成させたポリイミド系樹脂層の上
に、絶縁性微粒子を配合していない前記のポリイミド系
樹脂層と同様な方法で、絶縁性微粒子を配合したポリイ
ミド系樹脂溶液を塗布する。塗布後、樹脂層を完全に硬
化させるため、例えば、３００℃まで１５〜３０分徐昇
温して加熱した後、３００℃で５〜１５分加熱する方法
が採用され、その後、適当なサイズに切断し太陽電池基
板として使用される。
【００３３】本発明における太陽電池用基板の絶縁性の
信頼性は、１層目のポリイミド系樹脂層で保持されてお
り、２層目の絶縁性微粒子を配合したポリイミド系樹脂
層を形成させる目的は、絶縁膜の表面に微細な凹凸を形
成することにある。従って、塗布乾燥後の層の厚さを５
〜３０μｍの範囲に調節することが好ましい。膜厚は薄
い程経済的に有利であるが、厚さが５μｍ未満では均一
な凹凸が形成しがたく、厚さが３０μｍを超えると膜が
脆くなるため、いずれも好ましくない。
信頼性は、１層目のポリイミド系樹脂層で保持されてお
り、２層目の絶縁性微粒子を配合したポリイミド系樹脂
層を形成させる目的は、絶縁膜の表面に微細な凹凸を形
成することにある。従って、塗布乾燥後の層の厚さを５
〜３０μｍの範囲に調節することが好ましい。膜厚は薄
い程経済的に有利であるが、厚さが５μｍ未満では均一
な凹凸が形成しがたく、厚さが３０μｍを超えると膜が
脆くなるため、いずれも好ましくない。
【００３４】なお、塗布方法がダイコート法であれば、
ポリイミド系樹脂溶液及び絶縁性微粒子を配合したポリ
イミド樹脂溶液を同時に塗布することも可能である。２
種類の塗布溶液を同時にダイから押し出す方法は、塗布
装置及び乾燥設備を１台にすることができ、本発明の実
施において経済的に極めて有効な塗布法である（特開平
４−１００５７０、特開平４−０１１９６９等参照）。
ポリイミド系樹脂溶液及び絶縁性微粒子を配合したポリ
イミド樹脂溶液を同時に塗布することも可能である。２
種類の塗布溶液を同時にダイから押し出す方法は、塗布
装置及び乾燥設備を１台にすることができ、本発明の実
施において経済的に極めて有効な塗布法である（特開平
４−１００５７０、特開平４−０１１９６９等参照）。
【００３５】塗布後、樹脂層を完全に硬化させるため、
３００℃まで１５〜３０分徐昇温して加熱した後、３０
０℃で５〜１５分加熱する。以上のように製造された、
太陽電池基板の被膜の表面には微細な凹凸が形成されて
いる。しかしながら、絶縁微粒子の配合されたポリイミ
ド系樹脂層には、ミクロボイドが存在しており、また塗
布乾燥工程で絶縁性微粒子の分散状態が大面積では不均
一の部分が発 生する。この不均一部分を解消するため
に、加熱状態でロールで加圧する。そこで、一般的には
カレンダーロールと呼ばれる設備で、基板の温度をポリ
イミド系樹脂のＴｇ（ガラス転移温度）以上Ｔｍ（融解
温度）以下に加熱した状態で、１００〜１０００Ｋｇ／
ｃｍ好ましくは３００〜６００Ｋｇ／ｃｍの圧力で加圧
する。圧力が１００Ｋｇ／ｃｍ未満では、ミクロボイド
の解消及び絶縁性微粒子を均一に配置移動させるために
圧力が不足であり、また、１０００Ｋｇ／ｃｍを超える
圧力は不要である。この工程で、基板の被膜の表面には
絶縁性微粒子による微細な凹凸が均一に形成される。そ
の後所定のサイズに切断され、太陽電池基板として使用
される。以上の製造のフローを第１図に示す。
３００℃まで１５〜３０分徐昇温して加熱した後、３０
０℃で５〜１５分加熱する。以上のように製造された、
太陽電池基板の被膜の表面には微細な凹凸が形成されて
いる。しかしながら、絶縁微粒子の配合されたポリイミ
ド系樹脂層には、ミクロボイドが存在しており、また塗
布乾燥工程で絶縁性微粒子の分散状態が大面積では不均
一の部分が発 生する。この不均一部分を解消するため
に、加熱状態でロールで加圧する。そこで、一般的には
カレンダーロールと呼ばれる設備で、基板の温度をポリ
イミド系樹脂のＴｇ（ガラス転移温度）以上Ｔｍ（融解
温度）以下に加熱した状態で、１００〜１０００Ｋｇ／
ｃｍ好ましくは３００〜６００Ｋｇ／ｃｍの圧力で加圧
する。圧力が１００Ｋｇ／ｃｍ未満では、ミクロボイド
の解消及び絶縁性微粒子を均一に配置移動させるために
圧力が不足であり、また、１０００Ｋｇ／ｃｍを超える
圧力は不要である。この工程で、基板の被膜の表面には
絶縁性微粒子による微細な凹凸が均一に形成される。そ
の後所定のサイズに切断され、太陽電池基板として使用
される。以上の製造のフローを第１図に示す。
【００３６】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
するが、本発明はその趣旨を超えない限り以下の記載例
に限定されるものではない。 ［実施例１］ポリイミド系樹脂として、ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）と二種の芳香族
イソシアネート、即ち、４，４′−ジフェニルメタンジ
イソシアネート及び２，４−トリレンジイソシアネート
を共重合させたもの（前記構造式［１］）をＤＭＦに溶
解させ、固形分濃度１５重量％の溶液とし、孔径１μｍ
のフィルターで濾過して被膜形成用の溶液とした。他
方、巾３００ｍｍ厚さが０．３ｍｍのＳＵＳ３０４のコ
イルを基材とし、この片面に上記被膜形成用の溶液をダ
イコーターで湿り膜厚２００μを塗布し、８０℃の乾燥
炉で１０分間乾燥した。
するが、本発明はその趣旨を超えない限り以下の記載例
に限定されるものではない。 ［実施例１］ポリイミド系樹脂として、ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）と二種の芳香族
イソシアネート、即ち、４，４′−ジフェニルメタンジ
イソシアネート及び２，４−トリレンジイソシアネート
を共重合させたもの（前記構造式［１］）をＤＭＦに溶
解させ、固形分濃度１５重量％の溶液とし、孔径１μｍ
のフィルターで濾過して被膜形成用の溶液とした。他
方、巾３００ｍｍ厚さが０．３ｍｍのＳＵＳ３０４のコ
イルを基材とし、この片面に上記被膜形成用の溶液をダ
イコーターで湿り膜厚２００μを塗布し、８０℃の乾燥
炉で１０分間乾燥した。
【００３７】次に、絶縁性微粒子を配合したポリイミド
系樹脂として、３，４’−オキシジアニリンをＤＭＦに
溶解した溶液に４．４’−オキシジフタル酸を当量比で
１当量加えて撹拌した溶液とした。この溶液に粒径０．
３μｍの球状シリカ 粒度分布の標準偏差１．１のもの
を、ポリイミド溶液の固形分濃度に対して３００重量％
を加えてサンドミルで撹拌混合した後、孔径１μｍのフ
ィルターで濾過して被膜形成用の溶液とした。上記の塗
布乾燥した被膜上に該被膜形成用の溶液をダイコーター
で湿り膜厚３０μｍを塗布し、８０〜３００℃迄１５分
間で徐昇温した後３００℃で１０分間加熱し塗膜を完全
に硬化させた。
系樹脂として、３，４’−オキシジアニリンをＤＭＦに
溶解した溶液に４．４’−オキシジフタル酸を当量比で
１当量加えて撹拌した溶液とした。この溶液に粒径０．
３μｍの球状シリカ 粒度分布の標準偏差１．１のもの
を、ポリイミド溶液の固形分濃度に対して３００重量％
を加えてサンドミルで撹拌混合した後、孔径１μｍのフ
ィルターで濾過して被膜形成用の溶液とした。上記の塗
布乾燥した被膜上に該被膜形成用の溶液をダイコーター
で湿り膜厚３０μｍを塗布し、８０〜３００℃迄１５分
間で徐昇温した後３００℃で１０分間加熱し塗膜を完全
に硬化させた。
【００３８】上記ポリイミド系樹脂及び球状シリカ微粒
子が配合されたポリイミド系樹脂が塗布されたＳＵＳコ
イルをカレンダーロール装置で、基板温度２５０℃、圧
力５００Ｋｇ／ｃｍ、コイル走行速度５ｍ／分の条件で
樹脂層を圧下した。この基板には、１０μｍのポリイミ
ド樹脂層及び１５μｍの球状シリカ添加ポリイミド樹脂
層で構成されており、表面を３次元粗度計（小坂研究所
製）で測定したところ、不規則な凹凸は観察されず球状
シリカの均一な分散による凹凸が形成されていることを
示した。またこの表面に銀ペーストを塗布し、ＳＵＳ板
との間の絶縁破壊電圧を測定したところ２ＫＶＡＣであ
った。
子が配合されたポリイミド系樹脂が塗布されたＳＵＳコ
イルをカレンダーロール装置で、基板温度２５０℃、圧
力５００Ｋｇ／ｃｍ、コイル走行速度５ｍ／分の条件で
樹脂層を圧下した。この基板には、１０μｍのポリイミ
ド樹脂層及び１５μｍの球状シリカ添加ポリイミド樹脂
層で構成されており、表面を３次元粗度計（小坂研究所
製）で測定したところ、不規則な凹凸は観察されず球状
シリカの均一な分散による凹凸が形成されていることを
示した。またこの表面に銀ペーストを塗布し、ＳＵＳ板
との間の絶縁破壊電圧を測定したところ２ＫＶＡＣであ
った。
【００３９】［実施例２］実施例１に記載の例におい
て、０．５μｍの球状シリカ粒度分布の標準偏差１．１
のものを使用し、かつ湿り膜厚を５０μｍとした以外
は、同例におけると同様の手順で基板を作成した。この
基板には、１０μｍのポリイミド樹脂層及び２５μｍの
球状シリカ添加ポリイミド樹脂層で構成されており、表
面には球状シリカの分散による０．５μｍの均一な凹凸
が形成されていた。また、同様に絶縁破壊電圧を測定し
たところ２．５ＫＶＡＣであった。
て、０．５μｍの球状シリカ粒度分布の標準偏差１．１
のものを使用し、かつ湿り膜厚を５０μｍとした以外
は、同例におけると同様の手順で基板を作成した。この
基板には、１０μｍのポリイミド樹脂層及び２５μｍの
球状シリカ添加ポリイミド樹脂層で構成されており、表
面には球状シリカの分散による０．５μｍの均一な凹凸
が形成されていた。また、同様に絶縁破壊電圧を測定し
たところ２．５ＫＶＡＣであった。
【００４０】［比較例１］実施例１に記載の例におい
て、カレンダーロールを用いてポリイミド樹脂層を圧下
しなかった以外は、同例と同様の手順で基板を作成し
た。この基板の表面を３次元粗度計で測定したところ、
球状シリカの膜断面の不規則な重なりを示すチャートが
得られた。
て、カレンダーロールを用いてポリイミド樹脂層を圧下
しなかった以外は、同例と同様の手順で基板を作成し
た。この基板の表面を３次元粗度計で測定したところ、
球状シリカの膜断面の不規則な重なりを示すチャートが
得られた。
【００４１】［比較例２］実施例１に記載の例におい
て、球状シリカを添加したポリイミド樹脂層を塗布せず
及びカレンダーロールを用いてポリイミド樹脂層を圧下
しなかった以外は、同例と同様の手順で基板を作成し
た。
て、球状シリカを添加したポリイミド樹脂層を塗布せず
及びカレンダーロールを用いてポリイミド樹脂層を圧下
しなかった以外は、同例と同様の手順で基板を作成し
た。
【００４２】［応用例］実施例１、２及び比較例１、２
に記載の方法で得られた太陽電池基板の被膜の表面に、
まずスパッタリング法で５００ｎｍ厚さのＡｇ電極層を
下部電極として形成した。さらに、このＡｇ電極の上に
ｐｉｎ接合をもつ厚さ５００ｎｍのアモルファスシリコ
ン膜（光電変換層）をＣＶＤ法によって形成した。最後
に、透明電極として６０ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリン
グ法で形成して太陽電池を得た。得られた太陽電池の光
電変換効率を測定した結果、実施例１、２の太陽電池基
板を使用したものは、比較例２の基板を使用したものに
比較して、３５〜７０％高い値を示した。また同様に比
較例１の基板を使用したものの変換効率のバラツキが面
内で±２５％であるのに対し、実施例１、２の基板を使
用したものは、±５％以内の値を示しバラツキが顕著に
改良されていた。
に記載の方法で得られた太陽電池基板の被膜の表面に、
まずスパッタリング法で５００ｎｍ厚さのＡｇ電極層を
下部電極として形成した。さらに、このＡｇ電極の上に
ｐｉｎ接合をもつ厚さ５００ｎｍのアモルファスシリコ
ン膜（光電変換層）をＣＶＤ法によって形成した。最後
に、透明電極として６０ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリン
グ法で形成して太陽電池を得た。得られた太陽電池の光
電変換効率を測定した結果、実施例１、２の太陽電池基
板を使用したものは、比較例２の基板を使用したものに
比較して、３５〜７０％高い値を示した。また同様に比
較例１の基板を使用したものの変換効率のバラツキが面
内で±２５％であるのに対し、実施例１、２の基板を使
用したものは、±５％以内の値を示しバラツキが顕著に
改良されていた。
【００４３】
【発明の効果】本発明は、以上詳細に説明した通りであ
り、次のような特別に有利な効果を奏し、その産業上の
利用価値は極めて大である １．本発明に係わる太陽電池基板は、絶縁基板の表面に
微細な凹凸が大面積にわたって均一に形成されており、
電力用太陽電池として好適に使用できる。
り、次のような特別に有利な効果を奏し、その産業上の
利用価値は極めて大である １．本発明に係わる太陽電池基板は、絶縁基板の表面に
微細な凹凸が大面積にわたって均一に形成されており、
電力用太陽電池として好適に使用できる。
【００４４】２．本発明に係わる太陽電池基板は、金属
板に被覆されたポリイミド系樹脂に微細な凹凸を連続的
にかつ安価に形成できる製造方法である。 ３．本発明の太陽電池基板は、入射した太陽光線を好ま
しく乱反射させて封じ込めることができるので、光電変
換効率を向上させることができる。
板に被覆されたポリイミド系樹脂に微細な凹凸を連続的
にかつ安価に形成できる製造方法である。 ３．本発明の太陽電池基板は、入射した太陽光線を好ま
しく乱反射させて封じ込めることができるので、光電変
換効率を向上させることができる。
【図１】 図１は本発明の製造フローを示す。
【図２】 図２は実施例１の三次元粗度計チャートであ
る。
る。
【図３】 図３は比較例１の三次元粗度計チャートであ
る。
る。
Claims (3)
- 【請求項１】 帯状金属基板を移動させながらポリイミ
ド系樹脂層（Ａ）、次いで、絶縁性微粒子が配合された
ポリイミド系樹脂層（Ｂ）を塗布し、更に、加熱処理を
行い流動状態の樹脂層をロールで加圧して絶縁性微粒子
を分散することを特徴とする太陽電池基板の製造方法。 - 【請求項２】 太陽電池基板が、金属板の表面にポリイ
ミド系樹脂層（Ａ）、次いで、絶縁性微粒子が１００〜
５００重量％配合されたポリイミド系樹脂層（Ｂ）を積
層したものであることを特徴とする請求項１の製造方
法。 - 【請求項３】 絶縁性微粒子が球状であり、平均粒径が
０．１〜１．０μｍ、かつ、粒度分布の標準偏差が１．
２以下であることを特徴とする請求項１又は２の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10257892A JP2000091606A (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 太陽電池用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10257892A JP2000091606A (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 太陽電池用基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091606A true JP2000091606A (ja) | 2000-03-31 |
Family
ID=17312646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10257892A Pending JP2000091606A (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 太陽電池用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000091606A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007080997A1 (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 銀導電膜およびその製造法 |
| WO2012039384A1 (ja) * | 2010-09-21 | 2012-03-29 | 株式会社ピーアイ技術研究所 | 太陽電池内の絶縁膜形成用ポリイミド樹脂組成物及びそれを用いた太陽電池内の絶縁膜形成方法 |
| KR101215110B1 (ko) | 2011-11-03 | 2012-12-24 | 성균관대학교산학협력단 | 태양전지용 유연 기판의 제조 방법 |
| JP2013028670A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Kuraray Co Ltd | メタクリル系熱可塑性樹脂組成物 |
| US9276139B2 (en) | 2011-03-25 | 2016-03-01 | Ube Industries, Ltd. | Polyimide film production method, polyimide film production apparatus, and polyimide film |
| CN105870262A (zh) * | 2016-06-14 | 2016-08-17 | 天津时代智能设备有限公司 | 一种太阳能电池双玻组件全自动预封装设备 |
| JP2016195162A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 株式会社神戸製鋼所 | 金属基板 |
| CN111378198A (zh) * | 2018-12-25 | 2020-07-07 | 东京应化工业株式会社 | 多孔质膜的制造方法、多孔质膜制造用组合物的制造方法及多孔质膜 |
-
1998
- 1998-09-11 JP JP10257892A patent/JP2000091606A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007080997A1 (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 銀導電膜およびその製造法 |
| WO2012039384A1 (ja) * | 2010-09-21 | 2012-03-29 | 株式会社ピーアイ技術研究所 | 太陽電池内の絶縁膜形成用ポリイミド樹脂組成物及びそれを用いた太陽電池内の絶縁膜形成方法 |
| US9276139B2 (en) | 2011-03-25 | 2016-03-01 | Ube Industries, Ltd. | Polyimide film production method, polyimide film production apparatus, and polyimide film |
| JP2013028670A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Kuraray Co Ltd | メタクリル系熱可塑性樹脂組成物 |
| KR101215110B1 (ko) | 2011-11-03 | 2012-12-24 | 성균관대학교산학협력단 | 태양전지용 유연 기판의 제조 방법 |
| JP2016195162A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 株式会社神戸製鋼所 | 金属基板 |
| CN105870262A (zh) * | 2016-06-14 | 2016-08-17 | 天津时代智能设备有限公司 | 一种太阳能电池双玻组件全自动预封装设备 |
| CN111378198A (zh) * | 2018-12-25 | 2020-07-07 | 东京应化工业株式会社 | 多孔质膜的制造方法、多孔质膜制造用组合物的制造方法及多孔质膜 |
| CN111378198B (zh) * | 2018-12-25 | 2024-01-12 | 东京应化工业株式会社 | 多孔质膜的制造方法、多孔质膜制造用组合物的制造方法及多孔质膜 |
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