JP2000067588A - データ記憶装置及びデータ記憶装置の制御方法 - Google Patents
データ記憶装置及びデータ記憶装置の制御方法Info
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- JP2000067588A JP2000067588A JP23282798A JP23282798A JP2000067588A JP 2000067588 A JP2000067588 A JP 2000067588A JP 23282798 A JP23282798 A JP 23282798A JP 23282798 A JP23282798 A JP 23282798A JP 2000067588 A JP2000067588 A JP 2000067588A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 EEPROMのデータ書込時の信頼性を向上
することができるとともに、データ異常時に容易に正常
なデータに復帰させる。 【解決手段】 外部より入力された書込データに対し、
変換書込データが1対1対応の関係を有するように予め
定めた所定の変換処理を書込データに施し変換書込デー
タを生成し、書き込み手段は、書込データ及び変換書込
データをデータ記憶領域に書き込むので、書込データ及
び変換書込データに基づいて書込が正常に行われたか否
かを容易に判別することができる。
することができるとともに、データ異常時に容易に正常
なデータに復帰させる。 【解決手段】 外部より入力された書込データに対し、
変換書込データが1対1対応の関係を有するように予め
定めた所定の変換処理を書込データに施し変換書込デー
タを生成し、書き込み手段は、書込データ及び変換書込
データをデータ記憶領域に書き込むので、書込データ及
び変換書込データに基づいて書込が正常に行われたか否
かを容易に判別することができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、データ記憶装置及
びデータ記憶装置の制御方法に係り、特にEEPROM
にデータを記憶させる際の書込処理技術に関する。
びデータ記憶装置の制御方法に係り、特にEEPROM
にデータを記憶させる際の書込処理技術に関する。
【0002】
【従来の技術】従来よりメモリ集積回路の一形態とし
て、EEPROM(Electrical Erasable and Programm
able Read Only Memory)が知られている。
て、EEPROM(Electrical Erasable and Programm
able Read Only Memory)が知られている。
【0003】このEEPROMは、電気的に記憶データ
の消去、再書き込みが可能な不揮発性半導体メモリであ
る。セルの書き込み、消去に必要な電力が小さくてすむ
ため、各素子にセルの書き込み、消去に用いる高電圧を
発生させる昇圧回路を内蔵させ、単一電源(例えば、5
[V]電源)で動作するものが多い。
の消去、再書き込みが可能な不揮発性半導体メモリであ
る。セルの書き込み、消去に必要な電力が小さくてすむ
ため、各素子にセルの書き込み、消去に用いる高電圧を
発生させる昇圧回路を内蔵させ、単一電源(例えば、5
[V]電源)で動作するものが多い。
【0004】EEPROMは、セルに蓄えられた電荷に
よりデータを記憶しているが、データの消去、再書き込
みには、高電界によるトンネル現象を利用している。
よりデータを記憶しているが、データの消去、再書き込
みには、高電界によるトンネル現象を利用している。
【0005】より具体的には、セルへのデータの書き込
みは、データに応じた電圧を各セルの各ノードに印加
し、絶縁膜に印加される高電圧(書き込み電圧)を用い
て電荷を移動させることにより行っている。
みは、データに応じた電圧を各セルの各ノードに印加
し、絶縁膜に印加される高電圧(書き込み電圧)を用い
て電荷を移動させることにより行っている。
【0006】セルのデータの消去は、書き込みの場合と
は、電界の方向を逆にすることによりセルに蓄積された
電荷を放出することにより行っている。また、データの
読出しは、セルに蓄えられた電荷によるセルトランジス
タのしきい値の変化を利用している。
は、電界の方向を逆にすることによりセルに蓄積された
電荷を放出することにより行っている。また、データの
読出しは、セルに蓄えられた電荷によるセルトランジス
タのしきい値の変化を利用している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、EEPRO
Mは、パーソナルコンピュータ等においてデータ保持用
に組み込まれることが多い。
Mは、パーソナルコンピュータ等においてデータ保持用
に組み込まれることが多い。
【0008】このようなEEPROMにおいて、プログ
ラムのバージョンアップなどの場合などには、データを
再書き込みすることとなるが、上記従来のEEPROM
のデータ書き込みは、データを書き込んでいただけであ
り、書き込みデータをチェックする方法がなく信頼性に
問題があった。
ラムのバージョンアップなどの場合などには、データを
再書き込みすることとなるが、上記従来のEEPROM
のデータ書き込みは、データを書き込んでいただけであ
り、書き込みデータをチェックする方法がなく信頼性に
問題があった。
【0009】また、EEPROMのデータが異常となっ
た場合には、前回の書込時における書込データを用意し
なければ、回復はできないという問題点があった。
た場合には、前回の書込時における書込データを用意し
なければ、回復はできないという問題点があった。
【0010】そこで、本発明の目的は、EEPROMの
データ書込時の信頼性を向上することができるととも
に、データ異常時に容易に正常なデータに復帰させるこ
とが可能なデータ記憶装置及びデータ記憶装置の制御方
法を提供することにある。
データ書込時の信頼性を向上することができるととも
に、データ異常時に容易に正常なデータに復帰させるこ
とが可能なデータ記憶装置及びデータ記憶装置の制御方
法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1記載の発明は、外部より入力された書込デ
ータに対し、変換書込データが1対1対応の関係を有す
るように予め定めた所定の変換処理を前記書込データに
施し前記変換書込データを生成する変換手段と、前記書
込データ及び前記変換書込データをデータ記憶領域に書
き込む書き込み手段と、を備えたことを特徴としてい
る。
め、請求項1記載の発明は、外部より入力された書込デ
ータに対し、変換書込データが1対1対応の関係を有す
るように予め定めた所定の変換処理を前記書込データに
施し前記変換書込データを生成する変換手段と、前記書
込データ及び前記変換書込データをデータ記憶領域に書
き込む書き込み手段と、を備えたことを特徴としてい
る。
【0012】請求項1記載の発明によれば、変換手段
は、外部より入力された書込データに対し、変換書込デ
ータが1対1対応の関係を有するように予め定めた所定
の変換処理を書込データに施し変換書込データを生成す
る。書き込み手段は、書込データ及び変換書込データを
データ記憶領域に書き込む。
は、外部より入力された書込データに対し、変換書込デ
ータが1対1対応の関係を有するように予め定めた所定
の変換処理を書込データに施し変換書込データを生成す
る。書き込み手段は、書込データ及び変換書込データを
データ記憶領域に書き込む。
【0013】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明において、前記データ記憶領域から読み出された前記
書込データと、前記変換書込データを逆変換することに
より得られる逆変換書込データと、を比較するデータ比
較手段と、前記比較の結果に基づいて、書込が正常に行
われたか否かを判別する書込状態判別手段と、を備えた
ことを特徴としている。
明において、前記データ記憶領域から読み出された前記
書込データと、前記変換書込データを逆変換することに
より得られる逆変換書込データと、を比較するデータ比
較手段と、前記比較の結果に基づいて、書込が正常に行
われたか否かを判別する書込状態判別手段と、を備えた
ことを特徴としている。
【0014】請求項2記載の発明によれば、請求項1記
載の発明の作用に加えて、データ比較手段は、データ記
憶領域から読み出された書込データと、変換書込データ
を逆変換することにより得られる逆変換書込データと、
を比較する。書込状態判別手段は、比較の結果に基づい
て、書込が正常に行われたか否かを判別する。
載の発明の作用に加えて、データ比較手段は、データ記
憶領域から読み出された書込データと、変換書込データ
を逆変換することにより得られる逆変換書込データと、
を比較する。書込状態判別手段は、比較の結果に基づい
て、書込が正常に行われたか否かを判別する。
【0015】請求項3記載の発明は、請求項1または請
求項2記載の発明において、前記書込データ及び前記変
換書込データをサブ書込データ及びサブ変換書込データ
として前記データ記憶領域とは異なる副データ記憶領域
に書き込む副書込手段を備えたことを特徴としている。
求項2記載の発明において、前記書込データ及び前記変
換書込データをサブ書込データ及びサブ変換書込データ
として前記データ記憶領域とは異なる副データ記憶領域
に書き込む副書込手段を備えたことを特徴としている。
【0016】請求項3記載の発明によれば、請求項1ま
たは請求項2記載の発明の作用に加えて、副書込手段
は、書込データ及び変換書込データをサブ書込データ及
びサブ変換書込データとしてデータ記憶領域とは異なる
副データ記憶領域に書き込む。
たは請求項2記載の発明の作用に加えて、副書込手段
は、書込データ及び変換書込データをサブ書込データ及
びサブ変換書込データとしてデータ記憶領域とは異なる
副データ記憶領域に書き込む。
【0017】請求項4記載の発明は、請求項3記載の発
明において、前記副データ記憶領域から読み出された前
記サブ書込データと、前記サブ変換書込データを逆変換
することにより得られるサブ逆変換書込データと、を比
較するサブデータ比較手段と、前記比較の結果に基づい
て、書込が正常に行われたか否かを判別するサブ書込状
態判別手段と、を備えたことを特徴としている。
明において、前記副データ記憶領域から読み出された前
記サブ書込データと、前記サブ変換書込データを逆変換
することにより得られるサブ逆変換書込データと、を比
較するサブデータ比較手段と、前記比較の結果に基づい
て、書込が正常に行われたか否かを判別するサブ書込状
態判別手段と、を備えたことを特徴としている。
【0018】請求項4記載の発明によれば、請求項3記
載の発明の作用に加えて、サブデータ比較手段は、副デ
ータ記憶領域から読み出されたサブ書込データと、サブ
変換書込データを逆変換することにより得られるサブ逆
変換書込データと、を比較する。サブ書込状態判別手段
は、比較の結果に基づいて、書込が正常に行われたか否
かを判別する。
載の発明の作用に加えて、サブデータ比較手段は、副デ
ータ記憶領域から読み出されたサブ書込データと、サブ
変換書込データを逆変換することにより得られるサブ逆
変換書込データと、を比較する。サブ書込状態判別手段
は、比較の結果に基づいて、書込が正常に行われたか否
かを判別する。
【0019】請求項5記載の発明は、請求項1ないし請
求項4のいずれかに記載の発明において、前記変換手段
は、前記書込データに対し、補数演算を行い、前記変換
書込データを生成する補数演算手段を備えたことを特徴
としている。
求項4のいずれかに記載の発明において、前記変換手段
は、前記書込データに対し、補数演算を行い、前記変換
書込データを生成する補数演算手段を備えたことを特徴
としている。
【0020】請求項5記載の発明によれば、請求項1な
いし請求項4のいずれかに記載の発明の作用に加えて、
変換手段の補数演算手段は、書込データに対し、補数演
算を行い、変換書込データを生成する。
いし請求項4のいずれかに記載の発明の作用に加えて、
変換手段の補数演算手段は、書込データに対し、補数演
算を行い、変換書込データを生成する。
【0021】請求項6記載の発明は、各種データを更新
可能に記憶する不揮発性記憶装置に記憶するデータ記憶
装置の制御方法において、外部より入力された書込デー
タに対し、変換書込データが1対1対応の関係を有する
ように予め定めた所定の変換処理を前記書込データに施
し前記変換書込データを生成する変換工程と、前記書込
データ及び前記変換書込データを前記不揮発性記憶装置
のデータ記憶領域に書き込む書き込み工程と、を備えた
ことを特徴としている。
可能に記憶する不揮発性記憶装置に記憶するデータ記憶
装置の制御方法において、外部より入力された書込デー
タに対し、変換書込データが1対1対応の関係を有する
ように予め定めた所定の変換処理を前記書込データに施
し前記変換書込データを生成する変換工程と、前記書込
データ及び前記変換書込データを前記不揮発性記憶装置
のデータ記憶領域に書き込む書き込み工程と、を備えた
ことを特徴としている。
【0022】請求項6記載の発明によれば、変換工程
は、外部より入力された書込データに対し、変換書込デ
ータが1対1対応の関係を有するように予め定めた所定
の変換処理を書込データに施し変換書込データを生成す
る。書き込み工程書込データ及び変換書込データを不揮
発性記憶装置のデータ記憶領域に書き込む。
は、外部より入力された書込データに対し、変換書込デ
ータが1対1対応の関係を有するように予め定めた所定
の変換処理を書込データに施し変換書込データを生成す
る。書き込み工程書込データ及び変換書込データを不揮
発性記憶装置のデータ記憶領域に書き込む。
【0023】請求項7記載の発明は、請求項6記載の発
明において、前記データ記憶領域から読み出された前記
書込データと、前記変換書込データを逆変換することに
より得られる逆変換書込データと、を比較するデータ比
較工程と、前記比較の結果に基づいて、書込が正常に行
われたか否かを判別する書込状態判別工程と、を備えた
ことを特徴としている。
明において、前記データ記憶領域から読み出された前記
書込データと、前記変換書込データを逆変換することに
より得られる逆変換書込データと、を比較するデータ比
較工程と、前記比較の結果に基づいて、書込が正常に行
われたか否かを判別する書込状態判別工程と、を備えた
ことを特徴としている。
【0024】請求項7記載の発明によれば、請求項6記
載の発明の作用に加えて、データ比較工程は、データ記
憶領域から読み出された書込データと、変換書込データ
を逆変換することにより得られる逆変換書込データと、
を比較する。書込状態判別工程は、比較の結果に基づい
て、書込が正常に行われたか否かを判別する。
載の発明の作用に加えて、データ比較工程は、データ記
憶領域から読み出された書込データと、変換書込データ
を逆変換することにより得られる逆変換書込データと、
を比較する。書込状態判別工程は、比較の結果に基づい
て、書込が正常に行われたか否かを判別する。
【0025】請求項8記載の発明は、請求項6または請
求項7記載の発明において、前記書込データ及び前記変
換書込データをサブ書込データ及びサブ変換書込データ
として、前記不揮発性記憶装置の前記データ記憶領域と
は異なる副データ記憶領域に書き込む副書込手段を備え
たことを特徴としている。
求項7記載の発明において、前記書込データ及び前記変
換書込データをサブ書込データ及びサブ変換書込データ
として、前記不揮発性記憶装置の前記データ記憶領域と
は異なる副データ記憶領域に書き込む副書込手段を備え
たことを特徴としている。
【0026】請求項8記載の発明によれば、請求項6ま
たは請求項7記載の発明の作用に加えて、副書込手段は
書込データ及び変換書込データをサブ書込データ及びサ
ブ変換書込データとして、不揮発性記憶装置のデータ記
憶領域とは異なる副データ記憶領域に書き込む。
たは請求項7記載の発明の作用に加えて、副書込手段は
書込データ及び変換書込データをサブ書込データ及びサ
ブ変換書込データとして、不揮発性記憶装置のデータ記
憶領域とは異なる副データ記憶領域に書き込む。
【0027】請求項9記載の発明は、請求項8記載の発
明において、前記副データ記憶領域から読み出された前
記サブ書込データと、前記サブ変換書込データを逆変換
することにより得られるサブ逆変換書込データと、を比
較するサブデータ比較工程と、前記比較の結果に基づい
て、書込が正常に行われたか否かを判別するサブ書込状
態判別手段と、を備えたことを特徴としている。
明において、前記副データ記憶領域から読み出された前
記サブ書込データと、前記サブ変換書込データを逆変換
することにより得られるサブ逆変換書込データと、を比
較するサブデータ比較工程と、前記比較の結果に基づい
て、書込が正常に行われたか否かを判別するサブ書込状
態判別手段と、を備えたことを特徴としている。
【0028】請求項9記載の発明によれば、請求項8記
載の発明の作用に加えて、サブデータ比較工程は、副デ
ータ記憶領域から読み出されたサブ書込データと、サブ
変換書込データを逆変換することにより得られるサブ逆
変換書込データと、を比較する。サブ書込状態判別手段
は、比較の結果に基づいて、書込が正常に行われたか否
かを判別する。
載の発明の作用に加えて、サブデータ比較工程は、副デ
ータ記憶領域から読み出されたサブ書込データと、サブ
変換書込データを逆変換することにより得られるサブ逆
変換書込データと、を比較する。サブ書込状態判別手段
は、比較の結果に基づいて、書込が正常に行われたか否
かを判別する。
【0029】請求項10記載の発明は、請求項6ないし
請求項9のいずれかに記載の発明において、前記変換工
程は、前記書込データに対し、補数演算を行い、前記変
換書込データを生成する補数演算工程を備えたことを特
徴としている。
請求項9のいずれかに記載の発明において、前記変換工
程は、前記書込データに対し、補数演算を行い、前記変
換書込データを生成する補数演算工程を備えたことを特
徴としている。
【0030】請求項10記載の発明によれば、請求項6
ないし請求項9のいずれかに記載の発明の作用に加え
て、変換工程の補数演算工程は、書込データに対し、補
数演算を行い、変換書込データを生成する。
ないし請求項9のいずれかに記載の発明の作用に加え
て、変換工程の補数演算工程は、書込データに対し、補
数演算を行い、変換書込データを生成する。
【0031】
【発明の実施の形態】次に図面を参照して本発明の好適
な実施形態を説明する。
な実施形態を説明する。
【0032】[1] 実施形態の全体構成 図1にEEPROMを用いたマイクロコンピュータの概
要構成ブロック図を示す。
要構成ブロック図を示す。
【0033】マイクロコンピュータ10は、マイクロコ
ンピュータ10全体を制御するためにマイクロプロセッ
サ11と、各種データを入力するためのキーボード等の
入力部12と、各種データの表示を行うCRTなどの表
示部13と、各種データを記憶するハードディスクなど
の外部記憶部14と、制御用プログラムや制御用データ
を記憶したROM(Read Only Memory)15と、更新の
可能性のある各種制御用プログラムや制御用データを記
憶するEEPROM16と、各種データなどを一時的に
記憶するRAM(Random Access Memory)17と、各種
データのプリントアウトを行うプリンタ部18と、マイ
クロプロセッサ11と他の各部を接続するためのバス1
9と、を備えて構成されている。
ンピュータ10全体を制御するためにマイクロプロセッ
サ11と、各種データを入力するためのキーボード等の
入力部12と、各種データの表示を行うCRTなどの表
示部13と、各種データを記憶するハードディスクなど
の外部記憶部14と、制御用プログラムや制御用データ
を記憶したROM(Read Only Memory)15と、更新の
可能性のある各種制御用プログラムや制御用データを記
憶するEEPROM16と、各種データなどを一時的に
記憶するRAM(Random Access Memory)17と、各種
データのプリントアウトを行うプリンタ部18と、マイ
クロプロセッサ11と他の各部を接続するためのバス1
9と、を備えて構成されている。
【0034】[2] EEPROMの構成 図2にEEPROM16の概要構成ブロック図を示す。
図2において、ROMセルは、128×16×8(行ビ
ット数×列ビット数×データビット数)ビットのデータ
を記憶可能なROMセルを用いるものとする。
図2において、ROMセルは、128×16×8(行ビ
ット数×列ビット数×データビット数)ビットのデータ
を記憶可能なROMセルを用いるものとする。
【0035】EEPROM16は、アドレスデータA0
〜A10の上位7ビットA4 〜A10に基づいてアクセスす
べき行を特定するための行デコーダ21と、128×1
6×8ビットのデータを記憶可能なROMセル22と、
アドレスデータA0 〜A10の下位4ビットA0 〜A3 に
基づいてアクセスすべき列を特定するための列デコーダ
23と、行デコーダ21の出力である行アドレスデータ
(=128ビット)に基づいて出力されたデータ群か
ら、列デコーダ23の出力である列アドレスデータ(=
16ビット)に基づく列に対応するデータを選択的に出
力し、あるいは、列デコーダ23の出力である列アドレ
スデータ(=16ビット)に基づく列に対応するメモリ
セルに入力データを出力するセレクタ24と、セレクタ
24により出力されたデータ(D0 〜D7 :8ビット)
を一時的に格納し、あるいは、バス19を構成する図示
しないデータバスを介して入力されたデータを一時的に
格納するバッファ25と、書込イネーブル信号/WE、
出力イネーブル信号/OE及びチップイネーブル信号/
CEが入力され、EEPROM16の書込制御及び読出
制御を行うコントロール部26と、を備えて構成されて
いる。
〜A10の上位7ビットA4 〜A10に基づいてアクセスす
べき行を特定するための行デコーダ21と、128×1
6×8ビットのデータを記憶可能なROMセル22と、
アドレスデータA0 〜A10の下位4ビットA0 〜A3 に
基づいてアクセスすべき列を特定するための列デコーダ
23と、行デコーダ21の出力である行アドレスデータ
(=128ビット)に基づいて出力されたデータ群か
ら、列デコーダ23の出力である列アドレスデータ(=
16ビット)に基づく列に対応するデータを選択的に出
力し、あるいは、列デコーダ23の出力である列アドレ
スデータ(=16ビット)に基づく列に対応するメモリ
セルに入力データを出力するセレクタ24と、セレクタ
24により出力されたデータ(D0 〜D7 :8ビット)
を一時的に格納し、あるいは、バス19を構成する図示
しないデータバスを介して入力されたデータを一時的に
格納するバッファ25と、書込イネーブル信号/WE、
出力イネーブル信号/OE及びチップイネーブル信号/
CEが入力され、EEPROM16の書込制御及び読出
制御を行うコントロール部26と、を備えて構成されて
いる。
【0036】[3] 実施形態の動作 次に実施形態の動作を図3の処理フローチャート、図4
の格納状態説明図及び図5のタイミングチャートを参照
して説明する。
の格納状態説明図及び図5のタイミングチャートを参照
して説明する。
【0037】以下の説明においては、データA(=二進
数で1011)及びデータB(=二進数で0011)を
EEPROM16に書き込む場合の処理について説明す
る。
数で1011)及びデータB(=二進数で0011)を
EEPROM16に書き込む場合の処理について説明す
る。
【0038】[3.1] 書込処理 まず、マイクロプロセッサ11は、データAをバッファ
25に転送し、格納する(ステップS1)。
25に転送し、格納する(ステップS1)。
【0039】次にマイクロプロセッサ11は、データA
(=二進数で1011)をアドレスXに格納する(ステ
ップS2)。より具体的には、マイクロプロセッサ11
は、図5の時刻t1に示すように、チップイネーブル信
号/CE=“L”とし、出力イネーブル信号/OE=
“H”とし、データAをバッファ25に出力する。
(=二進数で1011)をアドレスXに格納する(ステ
ップS2)。より具体的には、マイクロプロセッサ11
は、図5の時刻t1に示すように、チップイネーブル信
号/CE=“L”とし、出力イネーブル信号/OE=
“H”とし、データAをバッファ25に出力する。
【0040】次にマイクロプロセッサ11は、データA
を格納すべきアドレスXに対応するアドレスデータA0
〜A10をバス19を介してEEPROM16に出力し、
アドレスデータA0 〜A10の上位7ビットA4 〜A10を
行デコーダ21にセットし、アドレスデータA0 〜A10
の下位4ビットA0 〜A3 を列デコーダ23にセットす
る。
を格納すべきアドレスXに対応するアドレスデータA0
〜A10をバス19を介してEEPROM16に出力し、
アドレスデータA0 〜A10の上位7ビットA4 〜A10を
行デコーダ21にセットし、アドレスデータA0 〜A10
の下位4ビットA0 〜A3 を列デコーダ23にセットす
る。
【0041】続いてマイクロプロセッサ11は、図5の
時刻t2に示すように、書込イネーブル信号/WE=
“L”とする。これにより、データAは、コントロール
部26の制御下でROMセル側に転送され、アドレスX
に格納されることとなる(図4参照)。
時刻t2に示すように、書込イネーブル信号/WE=
“L”とする。これにより、データAは、コントロール
部26の制御下でROMセル側に転送され、アドレスX
に格納されることとなる(図4参照)。
【0042】次にマイクロプロセッサ11は、データA
(=二進数で1011)の補数である補数データ/A
(=二進数で0100)を算出し、補数データ/Aをバ
ッファ25に転送し、格納する(ステップS3)。
(=二進数で1011)の補数である補数データ/A
(=二進数で0100)を算出し、補数データ/Aをバ
ッファ25に転送し、格納する(ステップS3)。
【0043】次にマイクロプロセッサ11は、補数デー
タ/A(=二進数で0100)をアドレスXにつづけて
格納する(ステップS4;図4参照)。
タ/A(=二進数で0100)をアドレスXにつづけて
格納する(ステップS4;図4参照)。
【0044】次に同様にして、マイクロプロセッサ11
は、データB(=二進数で0011)をバッファ25に
転送、格納し(ステップS5;図4参照)、データB
(=二進数で0011)をアドレスXに続けて格納する
(ステップS6;図4参照)。
は、データB(=二進数で0011)をバッファ25に
転送、格納し(ステップS5;図4参照)、データB
(=二進数で0011)をアドレスXに続けて格納する
(ステップS6;図4参照)。
【0045】さらにマイクロプロセッサ11は、データ
B(=二進数で0011)の補数である補数データ/B
(=二進数で1100)を算出し、補数データ/Bをバ
ッファ25に転送、格納し(ステップS7)、補数デー
タ/B(=二進数で1100)をアドレスXにつづけて
格納する(ステップS8)。
B(=二進数で0011)の補数である補数データ/B
(=二進数で1100)を算出し、補数データ/Bをバ
ッファ25に転送、格納し(ステップS7)、補数デー
タ/B(=二進数で1100)をアドレスXにつづけて
格納する(ステップS8)。
【0046】続いて、マイクロプロセッサ11は、各デ
ータの転送、格納対象アドレスをアドレスXからアドレ
ス(X+1)に変更して、上記ステップS1〜ステップ
S8と同様の処理を行うことによって、データA、補数
データ/A、データB及び補数データBをアドレス(X
+1)に、サブデータA、サブ補数データ/A、サブデ
ータB及びサブ補数データBとして各々格納する(ステ
ップS9)。
ータの転送、格納対象アドレスをアドレスXからアドレ
ス(X+1)に変更して、上記ステップS1〜ステップ
S8と同様の処理を行うことによって、データA、補数
データ/A、データB及び補数データBをアドレス(X
+1)に、サブデータA、サブ補数データ/A、サブデ
ータB及びサブ補数データBとして各々格納する(ステ
ップS9)。
【0047】[3.2] 書込チェック処理 次に書き込んだデータのチェックを行う書込チェック処
理について、図6の処理フローチャート及び図7のタイ
ミングチャートを参照して説明する。
理について、図6の処理フローチャート及び図7のタイ
ミングチャートを参照して説明する。
【0048】まず、マイクロプロセッサ11は、アドレ
スXからデータA、補数データA、データB及び補数デ
ータ/Bを順次バッファ25に転送し、読み出す(ステ
ップS11)。
スXからデータA、補数データA、データB及び補数デ
ータ/Bを順次バッファ25に転送し、読み出す(ステ
ップS11)。
【0049】より具体的には、マイクロプロセッサ11
は、図7の時刻t1に示すように、アドレスXに対応す
るアドレスデータA0 〜A10をバス19を介してEEP
ROM16に出力し、アドレスデータA0 〜A10の上位
7ビットA4 〜A10を行デコーダ21にセットし、アド
レスデータA0 〜A10の下位4ビットA0 〜A3 を列デ
コーダ23にセットする。
は、図7の時刻t1に示すように、アドレスXに対応す
るアドレスデータA0 〜A10をバス19を介してEEP
ROM16に出力し、アドレスデータA0 〜A10の上位
7ビットA4 〜A10を行デコーダ21にセットし、アド
レスデータA0 〜A10の下位4ビットA0 〜A3 を列デ
コーダ23にセットする。
【0050】次に図7の時刻t2に示すように、チップ
イネーブル信号/CE=“L”とし、時刻t3に示すよ
うに出力イネーブル信号/OE=“L”とし、時刻t4
に示すように、データA、補数データ/A、データB及
び補数データ/Bを順次バッファ25に出力する。
イネーブル信号/CE=“L”とし、時刻t3に示すよ
うに出力イネーブル信号/OE=“L”とし、時刻t4
に示すように、データA、補数データ/A、データB及
び補数データ/Bを順次バッファ25に出力する。
【0051】これによりマイクロプロセッサ11は、デ
ータA、補数データ/A、データB及び補数データ/B
を順次バッファ25から読み出し、RAM17の所定の
転送エリアに格納する(ステップS12)。そして、デ
ータAの補数を求め、補数データ/Aと比較する(ステ
ップS13)。
ータA、補数データ/A、データB及び補数データ/B
を順次バッファ25から読み出し、RAM17の所定の
転送エリアに格納する(ステップS12)。そして、デ
ータAの補数を求め、補数データ/Aと比較する(ステ
ップS13)。
【0052】続いて、データAの補数が補数データ/A
と一致するか否かを判別する(ステップS14)。ステ
ップS14の判別において、データAの補数が補数デー
タ/Aと一致しない場合には(ステップS14;N
o)、処理をステップS19に移行する。ステップS1
4の判別において、データAの補数が補数データ/Aと
一致する場合には(ステップS14;Yes)、データ
Bの補数を求め、補数データ/Bと比較する(ステップ
S15)。
と一致するか否かを判別する(ステップS14)。ステ
ップS14の判別において、データAの補数が補数デー
タ/Aと一致しない場合には(ステップS14;N
o)、処理をステップS19に移行する。ステップS1
4の判別において、データAの補数が補数データ/Aと
一致する場合には(ステップS14;Yes)、データ
Bの補数を求め、補数データ/Bと比較する(ステップ
S15)。
【0053】続いて、データBの補数が補数データ/B
と一致するか否かを判別する(ステップS16)。
と一致するか否かを判別する(ステップS16)。
【0054】ステップS16の判別において、データB
の補数が補数データ/Bと一致しない場合には(ステッ
プS16;No)、処理をステップS19に移行する。
ステップS16の判別において、データAの補数が補数
データ/Aと一致する場合には(ステップS16;Ye
s)、EEPROM16から読み出したデータA及びデ
ータBが書込データとを比較する(ステップS17)。
の補数が補数データ/Bと一致しない場合には(ステッ
プS16;No)、処理をステップS19に移行する。
ステップS16の判別において、データAの補数が補数
データ/Aと一致する場合には(ステップS16;Ye
s)、EEPROM16から読み出したデータA及びデ
ータBが書込データとを比較する(ステップS17)。
【0055】次に、EEPROM16から読み出したデ
ータA及びデータBが書込データと一致していたか否か
を判別し(ステップS18)、一致していた場合には
(ステップS18;Yes)、書込チェック処理を終了
する。
ータA及びデータBが書込データと一致していたか否か
を判別し(ステップS18)、一致していた場合には
(ステップS18;Yes)、書込チェック処理を終了
する。
【0056】一方、ステップS14の判別において、デ
ータAの補数が補数データ/Aと一致しない場合(ステ
ップS14;No)、ステップS16の判別において、
データBの補数が補数データ/Bと一致しない場合(ス
テップS16;No)及びEEPROM16から読み出
したデータA及びデータBが書込データと一致していな
い場合(ステップS18;No)には、アドレス(X+
1)からサブデータA、サブ補数データ/A、サブデー
タB及びサブ補数データBを順次バッファ25に転送
し、読み出し、ステップS11〜ステップS18と同様
の処理を行う(ステップS19)。
ータAの補数が補数データ/Aと一致しない場合(ステ
ップS14;No)、ステップS16の判別において、
データBの補数が補数データ/Bと一致しない場合(ス
テップS16;No)及びEEPROM16から読み出
したデータA及びデータBが書込データと一致していな
い場合(ステップS18;No)には、アドレス(X+
1)からサブデータA、サブ補数データ/A、サブデー
タB及びサブ補数データBを順次バッファ25に転送
し、読み出し、ステップS11〜ステップS18と同様
の処理を行う(ステップS19)。
【0057】そして、EEPROM16から読み出した
サブデータA及びサブデータBが書込データと一致して
いたか否かを判別し(ステップS20)、一致していた
場合には(ステップS20;Yes)、書込チェック処
理を終了する。
サブデータA及びサブデータBが書込データと一致して
いたか否かを判別し(ステップS20)、一致していた
場合には(ステップS20;Yes)、書込チェック処
理を終了する。
【0058】ステップS20の判別において、EEPR
OM16から読み出したサブデータA及びサブデータB
が書込データと一致していない場合に(ステップS2
0;No)、データの不一致が1回目であるか否かを判
別する(ステップS21)。
OM16から読み出したサブデータA及びサブデータB
が書込データと一致していない場合に(ステップS2
0;No)、データの不一致が1回目であるか否かを判
別する(ステップS21)。
【0059】ステップS21の判別において、データの
不一致が1回目である場合には(ステップS21;Ye
s)、再び処理をステップS1に移行し、書込処理から
やり直す(ステップS22)。ステップS21の判別に
おいて、データの不一致が1回目ではない場合には(ス
テップS21;No)、EEPROM16の転送エラー
であるとして処理を終了する(ステップS23)。
不一致が1回目である場合には(ステップS21;Ye
s)、再び処理をステップS1に移行し、書込処理から
やり直す(ステップS22)。ステップS21の判別に
おいて、データの不一致が1回目ではない場合には(ス
テップS21;No)、EEPROM16の転送エラー
であるとして処理を終了する(ステップS23)。
【0060】[4] 実施形態の効果 以上の説明のように、本実施形態によれば、データ書込
時には、書込対象のデータ及びその補数データを書き込
むように構成しているので、書込終了後に直ちにデータ
チェックを行うことができ、書込データの信頼性を向上
させることができる。
時には、書込対象のデータ及びその補数データを書き込
むように構成しているので、書込終了後に直ちにデータ
チェックを行うことができ、書込データの信頼性を向上
させることができる。
【0061】また、同一のデータを異なるアドレスにエ
ラー発生時のためのサブデータとして記憶させるので、
データ異常時においてもデータ復帰が容易となる。さら
に書込処理中に電源異常等により書き込み処理が中断し
た場合であっても、いずれか一方のデータは残っている
可能性が高くなるため、データ異常による処理異常を引
き起こすことを低減することができる。
ラー発生時のためのサブデータとして記憶させるので、
データ異常時においてもデータ復帰が容易となる。さら
に書込処理中に電源異常等により書き込み処理が中断し
た場合であっても、いずれか一方のデータは残っている
可能性が高くなるため、データ異常による処理異常を引
き起こすことを低減することができる。
【0062】[5] 実施形態の変形例 [5.1] 第1変形例 以上の説明においては、データ(例えば、データA)を
変換して補数データ(例えば、補数データ/A)を得る
構成としていたが、変換処理としては、補数演算に限ら
ず、1対1対応の関係を有する変換処理であれば、いか
なる変換処理を用いることも可能である。
変換して補数データ(例えば、補数データ/A)を得る
構成としていたが、変換処理としては、補数演算に限ら
ず、1対1対応の関係を有する変換処理であれば、いか
なる変換処理を用いることも可能である。
【0063】[5.2] 第2変形例 以上の説明においては、複数のデータで構成されるデー
タ群(上述の例の場合、データA、補数データ/A、デ
ータB及び補数データ/B)を二つの異なるアドレスに
格納するように構成していたが、より信頼性を向上させ
るべく、3以上の異なるアドレスに格納するように構成
することも可能である。
タ群(上述の例の場合、データA、補数データ/A、デ
ータB及び補数データ/B)を二つの異なるアドレスに
格納するように構成していたが、より信頼性を向上させ
るべく、3以上の異なるアドレスに格納するように構成
することも可能である。
【0064】
【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、変換手段
は、外部より入力された書込データに対し、変換書込デ
ータが1対1対応の関係を有するように予め定めた所定
の変換処理を書込データに施し変換書込データを生成
し、書き込み手段は、書込データ及び変換書込データを
データ記憶領域に書き込むので、書込データ及び変換書
込データに基づいて書込が正常に行われたか否かを容易
に判別することができる。
は、外部より入力された書込データに対し、変換書込デ
ータが1対1対応の関係を有するように予め定めた所定
の変換処理を書込データに施し変換書込データを生成
し、書き込み手段は、書込データ及び変換書込データを
データ記憶領域に書き込むので、書込データ及び変換書
込データに基づいて書込が正常に行われたか否かを容易
に判別することができる。
【0065】請求項2記載の発明によれば、請求項1記
載の発明の効果に加えて、データ比較手段は、データ記
憶領域から読み出された書込データと、変換書込データ
を逆変換することにより得られる逆変換書込データと、
を比較し、書込状態判別手段は、比較の結果に基づい
て、書込が正常に行われたか否かを判別するので、確実
に書き込みが正常に行われたか否かを判別することがで
き、書き込まれたデータの信頼性を向上することができ
る。
載の発明の効果に加えて、データ比較手段は、データ記
憶領域から読み出された書込データと、変換書込データ
を逆変換することにより得られる逆変換書込データと、
を比較し、書込状態判別手段は、比較の結果に基づい
て、書込が正常に行われたか否かを判別するので、確実
に書き込みが正常に行われたか否かを判別することがで
き、書き込まれたデータの信頼性を向上することができ
る。
【0066】請求項3記載の発明によれば、請求項1ま
たは請求項2記載の発明の効果に加えて、副書込手段
は、書込データ及び変換書込データをサブ書込データ及
びサブ変換書込データとしてデータ記憶領域とは異なる
副データ記憶領域に書き込むので、データ記憶領域ある
いは副データ記憶領域のいずれかのデータが破壊された
ような場合であっても、容易に正常な状態に復帰させる
ことができる。
たは請求項2記載の発明の効果に加えて、副書込手段
は、書込データ及び変換書込データをサブ書込データ及
びサブ変換書込データとしてデータ記憶領域とは異なる
副データ記憶領域に書き込むので、データ記憶領域ある
いは副データ記憶領域のいずれかのデータが破壊された
ような場合であっても、容易に正常な状態に復帰させる
ことができる。
【0067】請求項4記載の発明によれば、請求項3記
載の発明の効果に加えて、サブデータ比較手段は、副デ
ータ記憶領域から読み出されたサブ書込データと、サブ
変換書込データを逆変換することにより得られるサブ逆
変換書込データと、を比較し、サブ書込状態判別手段
は、比較の結果に基づいて、書込が正常に行われたか否
かを判別するので、バックアップ用に用いられるサブデ
ータの書き込みが正常に行われたか否かを判別すること
ができ、書き込まれたデータの信頼性を向上することが
できる。
載の発明の効果に加えて、サブデータ比較手段は、副デ
ータ記憶領域から読み出されたサブ書込データと、サブ
変換書込データを逆変換することにより得られるサブ逆
変換書込データと、を比較し、サブ書込状態判別手段
は、比較の結果に基づいて、書込が正常に行われたか否
かを判別するので、バックアップ用に用いられるサブデ
ータの書き込みが正常に行われたか否かを判別すること
ができ、書き込まれたデータの信頼性を向上することが
できる。
【0068】請求項5記載の発明によれば、請求項1な
いし請求項4のいずれかに記載の発明の効果に加えて、
変換手段の補数演算手段は、書込データに対し、補数演
算を行い、変換書込データを生成するので、簡単な処理
で、容易に変換書込データを生成することができる。
いし請求項4のいずれかに記載の発明の効果に加えて、
変換手段の補数演算手段は、書込データに対し、補数演
算を行い、変換書込データを生成するので、簡単な処理
で、容易に変換書込データを生成することができる。
【0069】請求項6記載の発明によれば、変換工程
は、外部より入力された書込データに対し、変換書込デ
ータが1対1対応の関係を有するように予め定めた所定
の変換処理を書込データに施し変換書込データを生成
し、書き込み工程書込データ及び変換書込データを不揮
発性記憶装置のデータ記憶領域に書き込むので、書込デ
ータ及び変換書込データに基づいて書込が正常に行われ
たか否かを容易に判別することができる。
は、外部より入力された書込データに対し、変換書込デ
ータが1対1対応の関係を有するように予め定めた所定
の変換処理を書込データに施し変換書込データを生成
し、書き込み工程書込データ及び変換書込データを不揮
発性記憶装置のデータ記憶領域に書き込むので、書込デ
ータ及び変換書込データに基づいて書込が正常に行われ
たか否かを容易に判別することができる。
【0070】請求項7記載の発明によれば、請求項6記
載の発明の効果に加えて、データ比較工程は、データ記
憶領域から読み出された書込データと、変換書込データ
を逆変換することにより得られる逆変換書込データと、
を比較し、書込状態判別工程は、比較の結果に基づい
て、書込が正常に行われたか否かを判別するので、確実
に書き込みが正常に行われたか否かを判別することがで
き、書き込まれたデータの信頼性を向上することができ
る。
載の発明の効果に加えて、データ比較工程は、データ記
憶領域から読み出された書込データと、変換書込データ
を逆変換することにより得られる逆変換書込データと、
を比較し、書込状態判別工程は、比較の結果に基づい
て、書込が正常に行われたか否かを判別するので、確実
に書き込みが正常に行われたか否かを判別することがで
き、書き込まれたデータの信頼性を向上することができ
る。
【0071】請求項8記載の発明によれば、請求項6ま
たは請求項7記載の発明の効果に加えて、副書込手段は
書込データ及び変換書込データをサブ書込データ及びサ
ブ変換書込データとして、不揮発性記憶装置のデータ記
憶領域とは異なる副データ記憶領域に書き込むので、デ
ータ記憶領域あるいは副データ記憶領域のいずれかのデ
ータが破壊されたような場合であっても、容易に正常な
状態に復帰させることができる。
たは請求項7記載の発明の効果に加えて、副書込手段は
書込データ及び変換書込データをサブ書込データ及びサ
ブ変換書込データとして、不揮発性記憶装置のデータ記
憶領域とは異なる副データ記憶領域に書き込むので、デ
ータ記憶領域あるいは副データ記憶領域のいずれかのデ
ータが破壊されたような場合であっても、容易に正常な
状態に復帰させることができる。
【0072】請求項9記載の発明によれば、請求項8記
載の発明の効果に加えて、サブデータ比較工程は、副デ
ータ記憶領域から読み出されたサブ書込データと、サブ
変換書込データを逆変換することにより得られるサブ逆
変換書込データと、を比較し、サブ書込状態判別手段
は、比較の結果に基づいて、書込が正常に行われたか否
かを判別するので、バックアップ用に用いられるサブデ
ータの書き込みが正常に行われたか否かを判別すること
ができ、書き込まれたデータの信頼性を向上することが
できる。
載の発明の効果に加えて、サブデータ比較工程は、副デ
ータ記憶領域から読み出されたサブ書込データと、サブ
変換書込データを逆変換することにより得られるサブ逆
変換書込データと、を比較し、サブ書込状態判別手段
は、比較の結果に基づいて、書込が正常に行われたか否
かを判別するので、バックアップ用に用いられるサブデ
ータの書き込みが正常に行われたか否かを判別すること
ができ、書き込まれたデータの信頼性を向上することが
できる。
【0073】請求項10記載の発明によれば、請求項6
ないし請求項9のいずれかに記載の発明の効果に加え
て、変換工程の補数演算工程は、書込データに対し、補
数演算を行い、変換書込データを生成するので、簡単な
処理で、容易に変換書込データを生成することができ
る。
ないし請求項9のいずれかに記載の発明の効果に加え
て、変換工程の補数演算工程は、書込データに対し、補
数演算を行い、変換書込データを生成するので、簡単な
処理で、容易に変換書込データを生成することができ
る。
【図1】実施形態の概要構成ブロック図である。
【図2】EEPROMの概要構成ブロック図である。
【図3】書込処理フローチャートである。
【図4】データ格納状態の説明図である。
【図5】データ書込のタイミングチャートである。
【図6】書込チェック処理フローチャートである。
【図7】データ読出のタイミングチャートである。
10 マイクロコンピュータ 11 マイクロプロセッサ 12 入力部 13 表示部 14 外部記憶部 15 ROM 16 EEPROM 17 RAM 18 プリンタ部 19 バス 21 行デコーダ 22 ROMセル 23 列デコーダ 24 セレクタ 25 バッファ 26 コントロール部
Claims (10)
- 【請求項1】 外部より入力された書込データに対し、
変換書込データが1対1対応の関係を有するように予め
定めた所定の変換処理を前記書込データに施し前記変換
書込データを生成する変換手段と、 前記書込データ及び前記変換書込データをデータ記憶領
域に書き込む書き込み手段と、 を備えたことを特徴とするデータ記憶装置。 - 【請求項2】 請求項1記載のデータ記憶装置におい
て、 前記データ記憶領域から読み出された前記書込データ
と、前記変換書込データを逆変換することにより得られ
る逆変換書込データと、を比較するデータ比較手段と、 前記比較の結果に基づいて、書込が正常に行われたか否
かを判別する書込状態判別手段と、 を備えたことを特徴とするデータ記憶装置。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2記載のデータ記
憶装置において、 前記書込データ及び前記変換書込データをサブ書込デー
タ及びサブ変換書込データとして前記データ記憶領域と
は異なる副データ記憶領域に書き込む副書込手段を備え
たことを特徴とするデータ記憶装置。 - 【請求項4】 請求項3記載のデータ記憶装置におい
て、 前記副データ記憶領域から読み出された前記サブ書込デ
ータと、前記サブ変換書込データを逆変換することによ
り得られるサブ逆変換書込データと、を比較するサブデ
ータ比較手段と、 前記比較の結果に基づいて、書込が正常に行われたか否
かを判別するサブ書込状態判別手段と、 を備えたことを特徴とするデータ記憶装置。 - 【請求項5】 請求項1ないし請求項4のいずれかに記
載のデータ記憶装置において、 前記変換手段は、前記書込データに対し、補数演算を行
い、前記変換書込データを生成する補数演算手段を備え
たことを特徴とするデータ記憶装置。 - 【請求項6】 各種データを更新可能に記憶する不揮発
性記憶装置に記憶するデータ記憶装置の制御方法におい
て、 外部より入力された書込データに対し、変換書込データ
が1対1対応の関係を有するように予め定めた所定の変
換処理を前記書込データに施し前記変換書込データを生
成する変換工程と、 前記書込データ及び前記変換書込データを前記不揮発性
記憶装置のデータ記憶領域に書き込む書き込み工程と、 を備えたことを特徴とするデータ記憶装置の制御方法。 - 【請求項7】 請求項6記載のデータ記憶装置の制御方
法において、 前記データ記憶領域から読み出された前記書込データ
と、前記変換書込データを逆変換することにより得られ
る逆変換書込データと、を比較するデータ比較工程と、 前記比較の結果に基づいて、書込が正常に行われたか否
かを判別する書込状態判別工程と、 を備えたことを特徴とするデータ記憶装置の制御方法。 - 【請求項8】 請求項6または請求項7記載のデータ記
憶装置の制御方法において、 前記書込データ及び前記変換書込データをサブ書込デー
タ及びサブ変換書込データとして、前記不揮発性記憶装
置の前記データ記憶領域とは異なる副データ記憶領域に
書き込む副書込手段を備えたことを特徴とするデータ記
憶装置の制御方法。 - 【請求項9】 請求項8記載のデータ記憶装置の制御方
法において、 前記副データ記憶領域から読み出された前記サブ書込デ
ータと、前記サブ変換書込データを逆変換することによ
り得られるサブ逆変換書込データと、を比較するサブデ
ータ比較工程と、 前記比較の結果に基づいて、書込が正常に行われたか否
かを判別するサブ書込状態判別手段と、 を備えたことを特徴とするデータ記憶装置の制御方法。 - 【請求項10】 請求項6ないし請求項9のいずれかに
記載のデータ記憶装置の制御方法において、 前記変換工程は、前記書込データに対し、補数演算を行
い、前記変換書込データを生成する補数演算工程を備え
たことを特徴とするデータ記憶装置の制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23282798A JP2000067588A (ja) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | データ記憶装置及びデータ記憶装置の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23282798A JP2000067588A (ja) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | データ記憶装置及びデータ記憶装置の制御方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000067588A true JP2000067588A (ja) | 2000-03-03 |
Family
ID=16945414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23282798A Pending JP2000067588A (ja) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | データ記憶装置及びデータ記憶装置の制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000067588A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006163811A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Denso Corp | 不揮発性メモリのデータ制御方法 |
US7519764B2 (en) | 2004-10-18 | 2009-04-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for detecting data validity in flash memory |
US7613982B2 (en) | 2004-11-16 | 2009-11-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Data processing apparatus and method for flash memory |
US8583855B2 (en) | 2009-06-24 | 2013-11-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flash memory preprocessing system and method |
-
1998
- 1998-08-19 JP JP23282798A patent/JP2000067588A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7519764B2 (en) | 2004-10-18 | 2009-04-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for detecting data validity in flash memory |
US7613982B2 (en) | 2004-11-16 | 2009-11-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Data processing apparatus and method for flash memory |
JP2006163811A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Denso Corp | 不揮発性メモリのデータ制御方法 |
JP4543317B2 (ja) * | 2004-12-07 | 2010-09-15 | 株式会社デンソー | 不揮発性メモリのデータ制御方法 |
US8583855B2 (en) | 2009-06-24 | 2013-11-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flash memory preprocessing system and method |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040401 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061128 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070320 |