JP2000054832A - 内燃機関の排気浄化装置 - Google Patents
内燃機関の排気浄化装置Info
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- Y02T10/10—Internal combustion engine [ICE] based vehicles
- Y02T10/12—Improving ICE efficiencies
Abstract
媒が活性化するタイミングをできるだけ近づけ、HCが
外部に放出されるのを極力低減する。 【解決手段】機関排気通路13に複数の触媒7、9を介
装し、これら触媒のうち、少なくとも下流側に位置する
触媒を、触媒担体23に対して深層部にHC吸着層24
b、表層部に触媒層24aを被覆した多層触媒7とす
る。そして下流側の多層触媒7の(触媒熱容量/触媒表
面積)の比率を上流側触媒9の同じく比率よりも大きく
設定する。これにより上流側触媒9の温度上昇を早め、
また下流側触媒7での温度勾配を大きくしてHC吸着層
24bの温度上昇を遅らせ、HC脱離時期と触媒層24
aの活性化時期を近づける。
Description
装置、とくにHC吸着層をもつ触媒により排気中の有害
成分を浄化する装置に関する。
される排気中のHC、COを酸化し、NOxを還元処理
することにより、排気の浄化を図る装置が多く提案、実
用化されているが、このうち、とくに排気温度の低い機
関始動直後などのように、触媒が十分に活性化していな
い状態では、相対的に排気浄化性能が低下することは否
めない。
するHC吸着剤により排気中のHCを吸着し、外部への
放出を防ぐ試みがなされている。ただし、このHC吸着
剤は温度がある程度上昇すると、吸着したHCが脱離す
るため、排気温度の低温時にのみ有効に作用する。そし
て、この脱離開始温度は一般的には触媒の活性化温度よ
りも低く、このため温度が脱離開始温度から触媒活性温
度までの間は、HCを処理することできない。
カム型の触媒担体に、HCの吸着剤からなる下側層と、
触媒からなる上側層とを担持し、これにより低温時には
触媒層を透過してHCを下層側のHC吸着剤で吸着し、
温度が上昇して吸着したHCが脱離するときは、上層側
の触媒層を透過させるときに、触媒の働きで酸化させる
提案がなされている。
HC吸着剤は触媒が活性化する温度よりも低い温度、例
えば150〜200℃程度でそれまでに吸着したHCを
脱離してしまい、このとき触媒が活性化されていなけれ
ば、脱離されたHCが触媒で酸化されずにそのまま外部
に放出されるのは避けられない。
提案されたもので、機関の低温時など、HC吸着剤のH
C脱離開始と触媒が活性化するタイミングをできるだけ
近づけ、HCが外部に放出されるのを極力低減すること
を目的とする。
通路に複数の触媒を介装し、これら触媒のうち、少なく
とも下流側に位置する触媒を、触媒担体に対して深層部
にHC吸着層、表層部に触媒層を被覆した多層触媒とし
た内燃機関の排気浄化装置において、下流側の多層触媒
の(触媒熱容量/触媒表面積)の比率を上流側触媒の同
じく比率よりも大きく設定したことを特徴とする。
を介装し、これら触媒のうち、少なくとも下流側に位置
する触媒を、触媒担体に対して深層部にHC吸着層、表
層部に触媒層を被覆した多層触媒とした内燃機関の排気
浄化装置において、下流側の多層触媒の触媒層の被覆厚
さを上流側の触媒の触媒層の被膜厚さよりも大きくした
ことを特徴とする。
下流側の触媒層が上流側の触媒層の3倍以上となるよう
にした。
を介装し、これら触媒のうち、少なくとも下流側に位置
する触媒を、触媒担体に対して深層部にHC吸着層、表
層部に触媒層を被覆した多層触媒として構成した内燃機
関の排気浄化装置において、下流側の多層触媒の触媒担
体の流路表面積を上流側の触媒の触媒担体の流路表面積
よりも小さくしたことを特徴とする。内燃機関の排気浄
化装置。
下流側の多層触媒の触媒担体のセル密度を前記上流側の
触媒の触媒担体のセル密度よりも小さくした。
下流側の多層触媒の触媒担体のセル密度を前記上流側の
触媒の触媒担体のセル密度の1/2以下とした。
いて、前記上流側の触媒の触媒担体のセル密度を1平方
インチ当たり500個以上とした。
いて、前記下流側の多層触媒の触媒担体のセル密度を1
平方インチ当たり250個以下とした。
を介装し、これら触媒のうち、少なくとも下流側に位置
する触媒を、触媒担体に対して深層部にHC吸着層、表
層部に触媒層を被覆した多層触媒として構成した内燃機
関の排気浄化装置において、下流側の多層触媒の触媒担
体の板厚を上流側の触媒の触媒担体の板厚よりも厚くし
たことを特徴とする。
記上流側の触媒の触媒担体を板厚が90μm以下のセラ
ミックハニカム担体とした。
記下流側の多層触媒の触媒担体を板厚が150μm以上
のセラミックハニカム担体とした。
媒を介装し、これら触媒のうち、少なくとも下流側に位
置する触媒を、触媒担体に対して深層部にHC吸着層、
表層部に触媒層を被覆した多層触媒として構成した内燃
機関の排気浄化装置において、下流側の多層触媒の触媒
担体をメタルハニカム担体とし、上流側の触媒の触媒担
体をセラミックハニカム担体としたことを特徴とする。
前記上流側のセラミックハニカム担体の板厚を90μm
以下とした。
前記下流側の多層触媒のメタルハニカム担体の板厚を4
0μm以上とした。
いて、上流側の触媒がHC吸着層をもたない三元触媒で
ある。
いて、上流側の触媒がHC吸着層をもつ多層触媒であ
る。
媒に比較して上流側の触媒の方が、単位熱容量に対する
受熱表面積が大きく、このため触媒が温度上昇しやく、
機関始動後などに早期に活性化する。これによりこの反
応熱をうけて下流側の触媒温度も相対的に高められ、そ
れだけ早期に触媒浄化性能が高められる。
達するまでの間は、排気中のHCを触媒層を透過してH
C吸着層で吸着し、外部への放出を抑えている。
C吸着層の温度上昇が遅いが、下流側の多層触媒では、
単位受熱表面積に対しては触媒熱容量が大きいことか
ら、表面の触媒層に比較して深層のHC吸着層の温度は
上がりにくく、即ち温度勾配が大きく、このため排気系
の温度が上昇する過程で、HC吸着層がHCの脱離開始
温度に達するときには、表面の触媒層がこれよりも温度
の高い活性化温度域に到達しやすく、つまりHCの脱離
開始時期を触媒活性時期に近づけられ、したがって脱離
されたHCの多くを外部に排出することなく、そのまま
触媒層で酸化することが可能となる。
発明でも、同じようにして、上流側触媒を早期に活性化
でき、これにより触媒システム全体の温度上昇を促進
し、また下流側触媒から脱離されたHCの酸化について
も、第2の発明では触媒層の被膜厚さを大きくしてHC
吸着層との温度勾配を大きくすることで、また第4、第
5、第6の発明では流路表面積を小さくしてHC吸着層
への伝熱量を小さくすることで、さらに第9の発明では
触媒担体の板厚を厚くしてHC吸着層の温度上昇を遅ら
せることで、第12の発明では触媒担体を単位体積当た
りの熱容量の大きいメタル製としてHC吸着層の温度上
昇を遅らせることで、それぞれ触媒活性化時期をHC脱
離開始時期に近づけ、外部へのHCの排出量を減らすこ
とができる。
上流側に比較して3倍以上と大きくすることにより、H
C吸着層の脱離温度への上昇に比較し、より確実に触媒
層の活性化を早められる。
14の発明では、第5、第6、第9、第12の発明と同
じように触媒活性化時期をHC脱離開始時期により一層
近づけ、HCの外部への排出をより確実に減らすことが
できる。
熱により排気温度を高め、機関始動後早期のうちに触媒
システム全体の温度上昇を図ることができる。
も行うことができ、低温時のHCの外部排出量を低減で
きる。
添付図面に基づいて説明する。
11の吸気通路12にはスロットルバルブ2の下流に位
置して、エンジン11に供給する燃料を噴射する燃料噴
射弁3が設けられる。排気通路13の上流には三元触媒
9が設けられ、排気中のHC、COを酸化すると共にN
Oxを還元する。さらにその下流にはHC吸着機能をも
った三元触媒である多層触媒7が設置され、これは後述
するように、排気低温時など排気中のHCを吸着保持す
る一方、温度上昇後には脱離されたHCの酸化を含む、
排気の酸化、還元を行う。
燃比、すなわち理論空燃比に制御するために、コントロ
ーラ8に、吸気通路12に設置した吸入空気量センサ1
からの吸入空気量信号、スロットルバルブ2のスロット
ル開度信号、排気通路13に設置した空燃比(酸素濃
度)センサ5からの排気空燃比信号、さらにはエンジン
回転数信号などが入力し、これらに基づいてエンジン回
転に同期して燃料噴射弁3から噴射される燃料量が理論
空燃比の混合気を生成するように、燃料噴射弁3に燃料
噴射信号が出力される。ただし、混合気の空燃比は原則
的に理論空燃比となるようにフィードバック制御される
が、運転状態によって、例えば低温始動時などは、理論
空燃比よりもリッチな空燃比に設定され、オープン制御
される。
転状態に応じて最適な点火信号が出力される。
三元触媒9は排気流路断面が格子状に配列されたハニカ
ム構造体からなる触媒担体21をもち、その表面は触媒
からなる触媒層22で被覆され、各格子内を上流から下
流へと排気が通過し、このとき排気が触媒層22と接触
しながらHC、COが酸化され、NOxが還元される。
列された触媒担体23の表面が触媒・HC吸着剤層24
で被覆される。この場合、表層部分は所定の厚さをもつ
触媒層24aが、その深層(内層)部分にHC吸着剤か
らなるHC吸着層24bが形成される。
形成され、触媒温度の低いときなどHC吸着層24bに
は触媒層24aを透過して排気中のHCが吸着される。
側の三元触媒9の触媒担体21に比較して下流側の多層
触媒7の触媒担体23は、その格子密度(セル数)が粗
に形成され、かつ板厚も厚く設定され、排気流路となる
担体表面積が小さくなっている。
体21をセル密度900個/平方インチで、板厚65μ
mのセラミックハニカム担体とする一方、下流側の多層
触媒7の触媒担体23をセル密度200個/平方インチ
で板厚270μmのセラミックハニカム担体としてい
る。セラミックよりも単位体積当たりの熱容量が約2.
6倍程度であるメタルハニカム担体を下流側の多層触媒
7の触媒担体として用いる場合、セル密度200個/平
方インチで板厚50μmの担体を使用することもでき
る。
多層触媒7の触媒層24aの層厚が厚く形成される。好
ましくは触媒層24aの層厚が触媒層22の3倍以上と
なるようにする。
表面積GSAとの比率、すなわち触媒熱容量/GSA
が、上流側の三元触媒9よりも下流側の多層触媒7の方
が大きくなるようにしている。
後の排気温度が低い運転状態にあっては、排気は上流の
三元触媒9を通過した後、下流側の多層触媒7に流れる
のであるが、上流側は下流側に比較してもともと排気温
度が高く、それだけ早く温度が上昇する傾向にある。こ
れに加えて上流側の三元触媒9の触媒熱容量/GSAの
比率が小さく、つまり単位熱容量に対しての受熱表面積
が大きく、触媒が温度上昇しやすい条件にあるため、上
流側の三元触媒9は始動後に早期に活性温度まで温度が
上昇する。
熱容量/GSAの比率が上流側よりも大きく、単位触媒
熱容量に対して排気と接触する触媒表面積が相対的に小
さいため、触媒温度が上昇しにくく、また下流側では排
気温度も相対的に低くなることから、上流側に比較して
多層触媒7の温度上昇は遅くなる傾向がある。
ときには、排気中のHCが上流の三元触媒9でも酸化さ
れないまま下流の多層触媒7に到達し、これらは表層の
触媒層24aを透過して、その内層のHC吸着層24b
によって吸着される。
上昇していき、上流側の三元触媒9が活性化温度に近づ
いたとしても、多層触媒7では相対的に温度が低いた
め、HC吸着層24bの温度が、吸着したHCの脱離を
始める温度、例えば150〜200℃に達するまでの間
は、HCを確実に吸着できる。
熱表面積の比率が大きく、具体的には、例えば表層側の
触媒層24aの厚さが、上流側触媒に比較して、大きい
ことから、内側にあるHC吸着層24bとの間の温度勾
配が大きい。このため触媒層24aの表面温度に比較し
てHC吸着層24bの温度は比較的低く、その温度差が
大きい。HC吸着層24bがHCの脱離を開始する温度
域は、触媒層24aが活性化する温度域よりも低いが、
この温度勾配のために、内側のHC吸着層24bがHC
の脱離を始める温度に達するよりも先に、ないしはほぼ
同時期に、触媒層24aを活性化温度まで上昇させるこ
とが可能となる。
温度上昇により、多層触媒7の触媒層24aが活性化温
度に近づいていくとき、HC吸着層24bの温度も上昇
するが、温度勾配が大きいために、HCの脱離開始時期
と触媒活性化時期とが近づくことになり、吸着されてい
たHCが脱離されても、触媒層24aを透過する間に酸
化が行われ、HCの外部への排出が阻止される。
(触媒熱容量/表面積)比率が小さく、したがって温度
上昇しやすいために早期に活性化でき、反応熱による排
気温度の上昇により下流側の多層触媒7の温度上昇も早
くなり、したがって触媒システム全体の温度が早期に上
昇するため、機関始動後にそれだけ短時間のうちに、十
分な排気浄化性能を発揮することが可能となる。
着されていたHCが温度上昇により脱離しても、ほぼ同
時期に活性化する触媒層24aの働きでこのHCを酸化
処理することができる。このため排気温度が上昇する過
程で脱離されていたHCの排出量を極力低減することが
可能となる。
の比率を、上流側の三元触媒9よりも下流側の多層触媒
7で大きくなるようにしているが、これについては上流
側の三元触媒9に比較して下流側の多層触媒7を、触
媒層の厚さを厚くして相対的に触媒熱容量を大きくす
る、触媒担体の格子のセル数を少なくして相対的に流
路表面積を小さくする、触媒担体の板厚を厚くして相
対的に熱容量を大きくかつ表面積を小さくする、触媒
担体をメタル製として相対的に熱容量を大きくする、こ
となどを、それぞれ単独で、あるいは互いに組み合わせ
て用いることで実現できる。
としたが、下流側と同じようにHC吸着剤からなるHC
吸着層をもつ構成としてもよい。
容に限定されるわけではなく、発明の技術的思想の範囲
内での種々の変更が可能であることは明白である。
Claims (16)
- 【請求項1】機関排気通路に複数の触媒を介装し、これ
ら触媒のうち、少なくとも下流側に位置する触媒を、触
媒担体に対して深層部にHC吸着層、表層部に触媒層を
被覆した多層触媒として構成した内燃機関の排気浄化装
置において、下流側の多層触媒の(触媒熱容量/触媒表
面積)の比率を上流側触媒の同じく比率よりも大きく設
定したことを特徴とする内燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項2】機関排気通路に複数の触媒を介装し、これ
ら触媒のうち、少なくとも下流側に位置する触媒を、触
媒担体に対して深層部にHC吸着層、表層部に触媒層を
被覆した多層触媒として構成した内燃機関の排気浄化装
置において、下流側の多層触媒の触媒層の被覆厚さを上
流側の触媒の触媒層の被膜厚さよりも大きくしたことを
特徴とする内燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項3】前記下流側の触媒層が上流側の触媒層の3
倍以上となるようにした請求項2に記載の内燃機関の排
気浄化装置。 - 【請求項4】機関排気通路に複数の触媒を介装し、これ
ら触媒のうち、少なくとも下流側に位置する触媒を、触
媒担体に対して深層部にHC吸着層、表層部に触媒層を
被覆した多層触媒として構成した内燃機関の排気浄化装
置において、下流側の多層触媒の触媒担体の流路表面積
を上流側の触媒の触媒担体の流路表面積よりも小さくし
たことを特徴とする内燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項5】前記下流側の多層触媒の触媒担体のセル密
度を前記上流側の触媒の触媒担体のセル密度よりも小さ
くした請求項4に記載の内燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項6】前記下流側の多層触媒の触媒担体のセル密
度を前記上流側の触媒の触媒担体のセル密度の1/2以
下とした請求項5に記載の内燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項7】前記上流側の触媒の触媒担体のセル密度を
1平方インチ当たり500個以上とした請求項5または
6に記載の内燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項8】前記下流側の多層触媒の触媒担体のセル密
度を1平方インチ当たり250個以下とした請求項5ま
たは6に記載の内燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項9】機関排気通路に複数の触媒を介装し、これ
ら触媒のうち、少なくとも下流側に位置する触媒を、触
媒担体に対して深層部にHC吸着層、表層部に触媒層を
被覆した多層触媒として構成した内燃機関の排気浄化装
置において、下流側の多層触媒の触媒担体の板厚を上流
側の触媒の触媒担体の板厚よりも厚くしたことを特徴と
する内燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項10】前記上流側の触媒の触媒担体を板厚が9
0μm以下のセラミックハニカム担体とした請求項9に
記載の内燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項11】前記下流側の多層触媒の触媒担体を板厚
が150μm以上のセラミックハニカム担体とした請求
項9に記載の内燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項12】機関排気通路に複数の触媒を介装し、こ
れら触媒のうち、少なくとも下流側に位置する触媒を、
触媒担体に対して深層部にHC吸着層、表層部に触媒層
を被覆した多層触媒として構成した内燃機関の排気浄化
装置において、下流側の多層触媒の触媒担体をメタルハ
ニカム担体とし、上流側の触媒の触媒担体をセラミック
ハニカム担体としたことを特徴とする内燃機関の排気浄
化装置。 - 【請求項13】前記上流側のセラミックハニカム担体の
板厚を90μm以下とした請求項12に記載の内燃機関
の排気浄化装置。 - 【請求項14】前記下流側の多層触媒のメタルハニカム
担体の板厚を40μm以上とした請求項12に記載の内
燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項15】上流側の触媒がHC吸着層をもたない三
元触媒である請求項1〜14のいずれか一つに記載の内
燃機関の排気浄化装置。 - 【請求項16】上流側の触媒がHC吸着層をもつ多層触
媒である請求項1〜14のいずれか一つに記載の内燃機
関の排気浄化装置。
Priority Applications (4)
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