JP2000050372A - データメモリ装置及びデータメモリ制御方法 - Google Patents

データメモリ装置及びデータメモリ制御方法

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JP2000050372A
JP2000050372A JP10228561A JP22856198A JP2000050372A JP 2000050372 A JP2000050372 A JP 2000050372A JP 10228561 A JP10228561 A JP 10228561A JP 22856198 A JP22856198 A JP 22856198A JP 2000050372 A JP2000050372 A JP 2000050372A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】SPRAMを使用して、大容量の主信号データ
バッファを安価に構成する。 【解決手段】 2並列分離回路18は、データ群に含ま
れる奇数個のデータに少なくともひとつの空きビット又
は他のデータを加えて、2並列データに分離する。アド
レス制御部12により、書込み時は、書込み側ゲート1
3はオン状態にされ、2並列データが、ポインタ検出回
路17により検出されたデータ群の先頭位置に従い、シ
ングルポートメモリ11に書込まれる。ここで、2並列
展開前後の位相差に応じて、入力されたSOHの一部が
読み捨てられる。一方、読出し時は、読出し側ゲート1
4はオン状態にされ、並列データが、シングルポートメ
モリ11から読出される。2多重回路19は、空きビッ
ト又はパリティーをスキップして、並列データをシリア
ルデータに多重する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、データメモリ装置
及びデータメモリ制御方法に係り、特に、シングルポー
トメモリを用いて安価に構成したデータメモリ装置及び
データメモリ制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、交換機及び伝送装置において
は、大容量の主信号バッファが必要な機能部があり、こ
のような機能部を安価に構成することが要求されてい
る。たとえば、無瞬断切替機能において、例えば600
kmの伝送路長差を吸収する場合、最低でも26フレー
ム分の主信号バッファが必要である。ここで、バーチャ
ルコンテナ−3(Virtual Container −3、VC−3)
信号の場合、1フレームは783バイト(87バイト×
9行)で構成される。従来は、このような大容量バッフ
ァは、デュアルポートRAM( Dual Port Random Acce
ss Memory、DPRAM)で構成するのが一般的であっ
た。
【0003】図19に、従来のDPRAMを使用した主
信号バッファの構成図を示す。
【0004】従来の主信号バッファは、DPRAM10
1、書込み側フレームカウンタ102、書込み側アドレ
ス制御部103、読出し側フレームカウンタ104、読
出し側アドレス制御部105を備える。主信号バッファ
に入力されたデータは、書込み側フレームカウンタ10
2によるカウンタ値に基づき、書込み側アドレス制御部
103により指定されたアドレスで、DPRAM101
に書込まれる。一方、DPRAM101に記憶されたデ
ータは、読出し側フレームカウンタ105によるカウン
タ値に基づき、読出し側アドレス制御部104により指
定されたアドレスで、DPRAM101から読出され
る。
【0005】以上のように、従来においては、大容量の
主信号バッファはDPRAMを用いて構成されており、
これは、主に以下のような理由によるものであった。す
なわち、・書込み側アドレス制御部103及び読出し側
アドレス制御部105により、DPRAM101への書
込みアドレスと読出しアドレスを独立に制御可能なの
で、アドレス制御のための回路構成が容易であること、
また、・データのスループットが同じであれば、書込み
側のクロック周波数と読出し側のクロック周波数が異な
っていても問題は無いこと、である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来
は、大容量の主信号バッファは、DPRAMで構成する
のが一般的であったため、非常に高価なものであった。
本発明では、以上の点に鑑み、安価なシングルポートR
AM( Single Port RAM、SPRAM)を使用して、大
容量の主信号データバッファを安価に構成することを目
的とする。
【0007】また、本発明は、入力されたデータ群を並
列分離した前後において、それらの位相差が過度になら
ないように分離後のデータを出力することを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明では、SPRAM
を使用することにより、安価な大容量の主信号バッファ
部を構成する。SPRAMは、データの書込みと読出し
を同一ポートで行うために、書込みと読出しを同時に行
うことはできない。そこで、本発明では、書込みと読出
しを交互に行うことでSPRAMによる主信号バッファ
を実現した。
【0009】本発明の第1の解決手段によると、入力さ
れたデータ群を並列データに分離する並列分離回路と、
前記データ群の先頭位置を示すポインタを検出するポイ
ンタ検出回路と、前記並列データを各々等しいアドレス
に並列に記憶するシングルポートメモリと、前記並列デ
ータを、前記シングルポートメモリに入力するための書
込み側ゲートと、前記シングルポートメモリに記憶され
た前記並列データを読出すための読出し側ゲートと、前
記読出し側ゲートから出力された前記並列データをシリ
アルデータに多重する多重回路と、前記並列分離回路、
前記シングルポートメモリ、前記書込み側ゲート、前記
読出し側ゲート及び前記多重回路を制御するアドレス制
御部を備え、前記アドレス制御部は、前記並列分離回路
により、前記データ群に含まれる奇数個のデータに少な
くともひとつの空きビット又は他のデータを加えて、偶
数個のデータとして前記並列データに分離する制御と、
前記書込み側ゲートをオン状態にするとともに、前記並
列データを、前記ポインタ検出回路により検出されたポ
インタに従い、前記データ群の先頭位置から前記シング
ルポートメモリに並列に書込む制御と、前記読出し側ゲ
ートをオン状態にするとともに、前記並列データを、前
記シングルポートメモリから読出す制御と、前記多重回
路により、前記シングルポートメモリから読出された前
記並列データを多重して出力するように制御を行うデー
タメモリ装置を提供する。
【0010】本発明の第2の解決手段によると、入力さ
れたデータ群をシングルポートメモリにより入出力する
ためのデータメモリ制御方法であって、前記データ群に
含まれる奇数個のデータに少なくともひとつの空きビッ
ト又は他のデータを加えて、並列データに分離する機能
と、前記データ群の先頭位置を示すポインタを検出する
機能と、前記書込み側ゲートをオン状態にするととも
に、前記並列データを、前記ポインタ検出回路により検
出されたポインタに従い、前記データ群の先頭位置から
前記並列データを各々等しいアドレスで前記シングルポ
ートメモリに並列に記憶する書込む機能と、前記読出し
側ゲートをオン状態にするとともに、前記並列データ
を、前記シングルポートメモリから読出す機能と、前記
シングルポートから読出された前記並列データをシリア
ルデータに多重して出力する機能を備えたデータメモリ
制御方法を提供する。
【0011】
【発明の実施の形態】図1に、本発明に係るデータメモ
リ装置の概略構成図を示す。また、図2に、本発明に係
るデータメモリ装置のタイムチャートを示す。図示のデ
ータメモリ装置は、一例として主信号バッファを示す。
【0012】本発明に係る主信号バッファは、SPRA
M1、アドレス制御部2、書込み側ゲート3、読出し側
ゲート4を備える。データ入力の際は、アドレス制御部
2は、書込み側ゲート3をデータ入力イネーブル(/D
iEN)によりオン状態にする(ここで、「/」は、反
転を表す。以下同様。)と共に、SPRAM1をライト
イネーブル(/WE)により書込み可能とし、アドレス
指定(A)によりアドレスを指示する。そして、主信号
バッファに入力されたデータは、書込み側ゲート3を経
て、SPRAM1のデータ入出力(D)に入力される。
一方、データ読出しの際は、アドレス制御部2は、読出
し側ゲート4をデータ出力イネーブル(/DoEN)に
よりオン状態にすると共に、SPRAM1をアウトプッ
トイネーブル(/OE)により読出し可能とし、A端子
によりアドレスを指示する。そして、SPRAM1に記
憶されたデータは、D端子から読出し側ゲート4を経て
出力される。なお、出力端子には、出力回路5を適宜設
けて、出力タイミングを調整することができる。
【0013】図2には、一例として、入力データ(DA
TA in)が、Di(1)〜Di(4)として入力さ
れた場合の、出力データ(DATA out)が、Do
(1)〜Do(4)として出力される場合のタイミング
チャートが示される。入出力データの書込み・読出し速
度の2倍の速度で、SPRAM1の制御、即ち、/Di
EN、/DoEN、A、/WE、/OE及びD等の各端
子による制御が実行されている。
【0014】本発明ではデータの書込みと読出しを交互
に行うため、DPRAM方式と比較して単純に2倍のア
クセス速度が要求される。従って、本発明の実現のため
には、例えば、以下のような方式を用いることができ
る。すなわち、(a)DPRAM方式の2倍の速度で、
SPRAMをアクセスする方式、又は、(b)SPRA
Mへの書込みデータを2並列展開することにより、SP
RAMへのアクセス速度をDPRAM方式と同等にする
方式、である。
【0015】メモリ制御回路を実現するデバイスの速度
が十分であれば、(a)方式を採用することができる。
ただし、一般には、SPRAMの制御信号は、アクセス
周期の1/4周期程度の分解能が必要である。従って、
(a)方式では、アクセス速度の4倍のクロックスピー
ドで動作するデバイスが要求されることになる。
【0016】しかしながら、デバイス能力的に(a)方
式が困難な場合には、(b)方式で構成することができ
る。図3に、本発明に係るデータメモリ装置の構成図を
示す。図3には、一例として、(b)方式の主信号バッ
ファ構成、即ち、SPRAMへの書込みデータを2並列
展開した主信号バッファの構成図を示す。
【0017】本発明に係る主信号バッファは、SPRA
M11、アドレス制御部12、書込み側ゲート13、読
出し側ゲート14、書込み側フレームカウンタ15、読
出し側フレームカウンタ16、ポインタ検出回路17、
2並列分離回路18及び2多重回路19を備える。
【0018】アドレス制御部12は、データ入力の際に
は、書込み側フレームカウンタ15のカウント値に基づ
き、書込み側ゲート3をデータ入力イネーブル(/Di
EN)によりオン状態にすると共に、SPRAM11を
ライトイネーブル(/WE)により書込み可能とし、ア
ドレス指定(A)によりアドレスを指示する。そして、
主信号バッファに入力されたデータは、書込み側ゲート
13を経て、SPRAM11のデータ入出力(D)に入
力される。一方、アドレス制御部12は、データ読出し
の際には、読出し側フレームカウンタ16のカウント値
に基づき、読出し側ゲート14をデータ出力イネーブル
(/DoEN)によりオン状態にすると共に、SPRA
M11をアウトプットイネーブル(/OE)により読出
し可能とし、アドレス指定(A)によりアドレスを指示
する。そして、SPRAM11に記憶されたデータは、
データ入出力(D)から読出し側ゲート4を経て出力さ
れる。
【0019】ポインタ検出回路17は、書込み側フレー
ムカウンタ15の値から、入力されたデータ群の先頭位
置を示すポインタを検出し、アドレス制御部12に通知
する。2並列分離回路18は、アドレス制御部12の制
御により、例えば8パラレルの入力を16パラレルの出
力に変換し、入力データを2並列データに分離する。ま
た、2並列分離回路18は、パリティライン演算回路を
備えることもでき、その場合、SPRAM11の空きビ
ット位置にパリティーを挿入することができる。2多重
回路19は、アドレス制御部12の制御により、読出し
側ゲート14から出力された並列データをシリアルデー
タに多重するとともに、出力するタイミングを調整す
る。2多重回路19は、バッファメモリを備え、例え
ば、位相変動に対応して位相をそろえるバッファとして
の機能と、アドレス制御部12からの制御により空きビ
ット又はパリティーをスキップして出力する機能を有す
る。
【0020】さらに、アドレス制御部12は、2並列分
離回路18により、データ群に含まれる奇数個のデータ
に少なくともひとつの空きビット又は他のデータを加え
て、2並列データに分離する制御をする。また、書込み
側ゲート13をオン状態にするとともに、並列データ
を、ポインタ検出回路17により検出されたデータ群の
先頭位置から、シングルポートメモリ11に書込む制御
をする。一方、読出し側ゲート14をオン状態にすると
ともに、並列データを、シングルポートメモリ11から
読出す制御をする。
【0021】つぎに、このような(b)方式を、シンク
ロナス・ディジタル・ハイアラーキ(Synchronous Digi
tal Hierarchy,SDH)フォーマットにおけるVC−3
/4信号バッファに適用した例を説明する。まず、図4
に、SDHフォーマットの説明図を示す。この図は、一
例として、155.52Mbit/secインターフェ
ースの、シンクロナス・トランスポート・モジュール−
1(Synchronous Transport Module Level -1、STM
−1)にVC−3が3多重されているフレーム構造を示
している。
【0022】STM−1において、ポインタが含まれる
セクションオーバーヘッド(Section Over Head,SO
H)は、9バイト×9行の構成となり、また、ペイロー
ドは、261バイト×9行の構成となる。VC−3にお
いては、パスオーバーヘッド(Path Over Head, PO
H)は1バイト×9行、また、ペイロードは、86バイ
ト×9行の構成となる。従って、1フレームのVC−3
には、#J1、#2〜#783のデータが含まれる。
【0023】この実施の形態では、主信号バッファは、
一例として、VC−3信号のみを通過させるものなの
で、SPRAMに書込む範囲はVC−3のみである。し
かし、VC−3は783バイトと奇数なので、2並列展
開時においてフレーム毎にタイミングずれを生じること
になるため、上述の(b)方式のような2並列展開方式
にはそのままでは適合しにくい。そこで、本発明では、
空きビット又は他のデータ(パリティ等)を挿入するこ
とにより、偶数個のデータとした。
【0024】以下、STM−1フレーム中のあるひとつ
のVC−3に着目して実施の形態を説明する。
【0025】図5に、SPRAMの記憶領域の説明図を
示す。
【0026】SPRAM11は、並列データを各々等し
いアドレスに並列して記憶する。図示のように、この例
では、8ビットの入力データ#J1及び#2が、16ビ
ットのアドレス0の位置に記憶される。以下同様に、順
次記憶され、1フレームの最終データ#783が記憶さ
れるアドレスでは、前の8ビットが#783のデータ、
後ろの8ビットは、空きビットとするか又はパリティビ
ットが挿入される。このパリティビットとしては、例え
ばBIP−8(Bit Interleaved Parity 8)等があ
る。
【0027】また、SOHを入出力するタイミング(S
OHタイミング)は、メモリへの書込み読出しはしない
ので、本発明では、このSOHタイミングを利用してペ
イロードのタイミングずれを吸収することができるよう
にした。さらに、SDHフレームにおいては、ジャステ
ィフィケーションによりSTM−0ペイロードのデータ
数が782または784バイトになる場合がある。よっ
て、本発明では、このデータ数の吸収も、SOHタイミ
ングを利用して行うことができるようにした。
【0028】図6に、ジャスティフィケーション時の書
込み及び読出し範囲の説明図を示す。図6(a)には、
ポジティブ・ジャスティフィケーション(Positive Jus
tification, PJ)のときの書込み範囲を示す。この場
合、ポインタが図示のように、ペイロードへ割り込みよ
うになる。一方、図6(b)には、ネガティブ・ジャス
ティフィケーション(Negative Justification, NJ)
のときの書込み範囲を示す。この場合、ポインタが、逆
にペイロードから割り込まれるようになる。
【0029】つぎに、本発明のおける2並列展開部のタ
イムチャートについて説明する。本発明においては、主
にアドレス制御部12により、あるフレームと次のフレ
ームとの境界で、即ちSOHタイミングをまたぐ際に、
2並列展開前のデータ位相と展開後のデータ位相を監視
して、位相が接近したら離れ、位相が離れたら接近させ
るように制御することで、2並列展開前と展開後のデー
タ位相をある一定範囲におさめるようにしている。
【0030】まず、図7〜図9に、VC−3の境界にお
ける2並列展開部のタイムチャートを示す。
【0031】図7には、2並列展開前後の位相差が3バ
イトの場合を示す。図中「2並列展開前入力データ」
は、主信号バッファに入力されるデータを示す。ここで
は、VC−3のフレーム境界に関して、前のフレームの
入力データ#783までと、次のフレームの入力データ
#J1からの各データが入力されたことが示される。図
中「2並列データ」は、図3中のアドレス制御部12に
従い、2並列分離回路18により2並列に分離されたデ
ータを示し、同時に、SPRAM11の書込み及び読出
しデータを示す。ここでは、入力データ#779及び#
780が2並列となっており、同様に、#781及び#
782、#783及びBIP−8が2並列となる。BI
P−8は、空きバイトでも良い。BIP−8又は空きバ
イトにより、次のフレームの先頭データ#J1及び#2
が2並列にそろえられる。このとき、入力データ#77
9は、3バイトの位相差でSPRAM11に書込まれ、
その位置に入力データ#780も書込まれる。また、次
のフレームの入力データ#J1は、BIP−8又は空き
バイトが挿入された分だけ遅れて、6バイトの位相差で
SPRAM11に書込まれ、また、その位置に入力デー
タ#2も書込まれる。アドレス制御部12に従い、図中
「2並列データ」に示されたような同様のタイミング及
び位相差で読出しも行われる。この際、書込み及び読出
しのタイミングは、図2のタイムチャートに示されたよ
うに実行することができる。
【0032】つぎに、図中「2分離後出力データ」は、
SPRAM11から出力されたデータを、アドレス制御
部12に従い2多重回路19により多重した後のデータ
を示す。この例では、SPRAM11から読出されたデ
ータ#779は、2多重回路19により、12バイトの
位相差で出力される。また、先程挿入されたBIP−8
又は空きバイトは、2多重回路19により除かれる。デ
ータ#J1は、9バイトの位相差で出力される。
【0033】図8には、2並列展開前後の位相差が6バ
イトの場合を示す。このとき、「2並列データ」として
は、入力データ#781が、6バイトの位相差でSPR
AM11に書込まれ、その位置に入力データ#782も
書込まれる。また、次のフレームの入力データ#J1
は、3バイト遅れて9バイトの位相差でSPRAM11
に書込まれ、その位置に入力データ#2も書込まれる。
なお、同様のタイミング及び位相差で読出しも行われ
る。つぎに、「2分離後出力データ」としては、SPR
AM11から読出されたデータ#781は、2多重回路
19により、9バイトの位相差で出力される。また、デ
ータ#J1は、6バイトの位相差で出力される。
【0034】図9には、2並列展開前後の位相差が9バ
イトの場合を示す。このとき、「2並列データ」として
は、入力データ#779が、9バイトの位相差でSPR
AM11に書込まれ、その位置に入力データ#782も
書込まれる。また、次のフレームの入力データ#J1
は、12バイトの位相差でSPRAM11に書込まれ、
その位置に入力データ#2書込まれる。同様のタイミン
グ及び位相差で読出しも行われる。つぎに、「2分離後
出力データ」としては、SPRAM11から読出された
データ#779は、2多重回路19により、6バイトの
位相差で出力される。また、データ#J1は、3バイト
の位相差で出力される。
【0035】このような方式においては、BIP−8又
は空きバイトにより、2並列分離の前後での位相差が増
加する場合がある。すなわち、上述の例では、前のフレ
ームでは、3、6、9バイトの位相差であったものが、
次のフレームでは、それぞれ3バイト加算され、6、
9、12バイトの位相差となった。この例では、この遅
延量は、さらに以後のフレームで累積されていくことが
ある。そこで、SOHタイミングを利用して、所定以上
に遅延量が加算されず、累積されないようにした他の実
施の形態を、以下に説明する。
【0036】図10〜図12に、SOHタイミングにお
ける2並列展開のタイムチャートを示す。
【0037】図10には、2並列展開前後の位相差が6
バイトの場合を示す。図中「2並列展開前入力データ」
は、主信号バッファに入力されるデータを示す。ここで
は、フレーム#6と#7の間にSOHが入力される場合
を示す(斜線部分参照)。また、SOHに関しては、こ
こでは一例として、入力主信号データは自装置中の装置
内位相にポインタ変換した後に処理されることとし、2
並列分離回路18の前後で入出力データのタイミング位
置が固定されるものとする。
【0038】「2並列データ」については、ここでは、
入力データ#J1及び#3は、3バイトの位相差でSP
RAM11に書込まれ、それぞれの位置に入力データ#
2及び#4も書込まれる。SOHが入力されると、アド
レス制御部12は、書込みフレームカウンタ15により
それを認識する。アドレス制御部12は、2並列分離回
路18の前後の位相差を監視し、9バイトより少ないの
で、SOHを3バイト分そのまま出力する。ここで、S
OHは3バイトなので、書込みを1バイト休むこと又は
1バイトの他のデータを挿入すること等により、4バイ
ト分をSPRAM11に書込む。なお、アドレス制御部
12は、この差が9バイト以上の場合は、後述のよう
に、SOHを削除する処理を行う。また、ここでは、S
OHタイミングが固定されるので、入力データ#3及び
#4の後に、SOHが書込まれ、その後入力データ#5
及び#6以降が、順次書込まれることになる。SOH入
力後の入力データ#7は、9バイトの位相差でSPRA
M11に書込まれ、その位置に入力データ#8も書込ま
れる。アドレス制御部12に従い、同様のタイミング及
び位相差で読出しも行われる。
【0039】つぎに、「2分離後出力データ」として
は、SPRAM11から読出されたデータ#J1は、2
多重回路19から9バイトの位相差で出力される。つぎ
に、SOHは、挿入された空きバイト又はBIP−8が
破棄され、固定されたSOHタイミングで元の3バイト
分が出力される。データ#2以降は、SOHの位置が固
定されているため、その後に順次出力される。SOHの
後に書込み/読出された入力データ#5は、6バイトの
位相差で出力される。
【0040】つぎに、図11には、2並列展開前後の位
相差が9バイトの場合を示す。
【0041】このとき、「2並列データ」としては、入
力データ#3が、9バイトの位相差でSPRAM11に
書込まれる。また、SOHは、固定位置に書込まれる
が、アドレス制御部12は、2並列分離回路18によ
り、2並列データが9バイトの位相差でSPRAM11
に書込まれたことを認識し、位相差が過大になるのを防
止するため、SOHを1バイト分読み捨てる処理を行
う。ここで、VC−3のフレーム境界で偶数にするため
の空きバイト又はBIP−8等の付加が行われ、既に位
相差が9バイトある場合はさらに3バイト遅延する可能
性がある。そのため、一例として位相差が12バイト以
下になるようにするためには、2並列分離前後の位相差
が既に9バイトある場合には、このようなSOHの読み
捨て処理を行う。次に、入力データ#5以降を順次書込
む。入力データ#9は、SOH読み捨て処理のためあま
り遅延されずに済み、6バイトの位相差で書込が行われ
る。同様のタイミング及び位相差で読出しも行われる。
【0042】つぎに、「2分離後出力データ」として
は、SPRAM11から読出されたデータ#J1は、2
多重回路19により、6バイトの位相差で出力される。
また、SOHは、1バイト分適当なデータ(空きビット
等)が挿入され、固定されたSOHタイミングで3バイ
ト分が出力される。SOHより後に書込み/読出しされ
た入力データ#7は、9バイトの位相差で出力される。
【0043】つぎに、図12には、2並列展開前後の位
相差が12バイトの場合を示す。
【0044】このとき、「2並列データ」としては、入
力データ#J1が、12バイトの位相差でSPRAM1
1に書込まれ、その位置に入力データ#2も書込まれ
る。また、次にSOHが書込まれるわけであるが、位相
差が大きいので、上述のようにSOHの読み捨てが行わ
れる。その後入力データ#3以降が書込まれる。SOH
以後に入力された入力データ#7は、9バイトの位相差
でSPRAM11に書込まれる。同様のタイミング及び
位相差で読出しも行われる。
【0045】つぎに、「2分離後出力データ」として
は、SPRAM11から読出されたデータ#J1は、2
多重回路19により、3バイトの位相差で出力される。
また、上述のように、SOHが出力される。SOHタイ
ミング後のデータ#7は、6バイトの位相差で出力され
る。
【0046】以上のようにして、SOHタイミングを利
用して、2並列展開前後の位相差が過度にならないよう
に制御することができる。
【0047】つぎに、図6に示されたようなポインタジ
ャスティフィケーション指示がある場合の2並列展開に
ついて説明する。図13〜図15に、NJ時における2
並列展開のタイムチャートを示す。
【0048】図13には、2並列展開前後の位相差が6
バイトの場合を示す。「2並列展開前入力データ」は、
主信号バッファに入力されるデータを示す。ここでは、
フレーム#6と#7の間にSOHが入力される場合を示
す。
【0049】「2並列データ」については、ここでは、
入力データ#J1及び#3は、3バイトの位相差でSP
RAM11に書込まれ、それぞれの位置に入力データ#
2及び#4も書込まれる。SOHが入力されると、アド
レス制御部12は、書込みフレームカウンタ15により
それを認識するとともに、ポインタ検出回路17により
NJ時であることを認識する。NJ時には、SOHは2
バイトの偶数であるため、そのまま2並列分離されてS
PRAM11に書込まれる。SOHに関しては、ここで
は一例として、前述のように、2並列分離回路18の前
後で入出力データのタイミング位置が固定される場合を
示している。したがって、入力データ#3及び#4の後
に、SOHデータが書込まれ、その後入力データ#5及
び#6以降が、順次書込まれることになる。SOH入力
後の入力データ#7は、6バイトの位相差でSPRAM
11に書込まれ、その位置に入力データ#8も書込まれ
る。また、アドレス制御部12に従い、同様のタイミン
グ及び位相差で読出しも行われる。
【0050】つぎに、「2分離後出力データ」は、SP
RAM11から出力されたSOHを2バイト分そのまま
出力する。この例では、SPRAM11から読出された
データ#J1は、2多重回路19により、9バイトの位
相差で出力される。また、SOHは、2バイト分SOH
タイミングで出力される。データ#5以降は、SOHの
位置が固定されているため、その後に順次出力される。
SOHデータの後に書込み/読出された入力データ#5
は、9バイトの位相差で出力される。
【0051】つぎに、図14には、2並列展開前後の位
相差が9バイトの場合を示す。
【0052】このとき、「2並列データ」としては、入
力データ#J1が、9バイトの位相差でSPRAM11
に書込まれる。また、SOHは、同様に、固定位置に書
込まれるが、アドレス制御部12は、NJ時であってS
OHが2バイト分であることを認識する。次に、入力デ
ータ#5以降を順次書込む。入力データ#9は、9バイ
トの位相差で書込まれる。また、同様のタイミング及び
位相差で読出しも行われる。
【0053】つぎに、「2分離後出力データ」として
は、SPRAM11から読出されたデータ#J1は、6
バイトの位相差で出力される。固定された位置でSOH
の出力がされた後に、SOHの前に入力された入力デー
タ#3及び#4が、出力される。また、SOHより後に
書込み/読出しされた入力データ#7は、6バイトの位
相差で出力される。
【0054】つぎに、図15には、2並列展開前後の位
相差が12バイトの場合を示す。
【0055】このとき、同様に、「2並列データ」とし
ては、入力データ#J1が、12バイトの位相差でSP
RAM11に書込まれ、その位置に入力データ#2も書
込まれる。また、次にSOHが固定位置に書込まれ、そ
の後入力データ#3以降が書込まれる。SOH以後に入
力された入力データ#7は、12バイトの位相差でSP
RAM11に書込まれる。また、同様のタイミング及び
位相差で読出しも行われる。
【0056】つぎに、「2分離後出力データ」として
は、SPRAM11から読出されたデータ#J1は、3
バイトの位相差で出力される。また、データ#5は、3
バイトの位相差で出力される。
【0057】つぎに、図16〜図18に、PJ時におけ
る2並列展開のタイムチャートを示す。
【0058】図16には、2並列展開前後の位相差が6
バイトの場合を示す。「2並列展開前入力データ」は、
主信号バッファに入力されるデータを示す。ここでは、
フレーム#6と#7の間にSOHが入力される場合を示
す。
【0059】「2並列データ」については、ここでは、
入力データ#J1及び#3は、6バイトの位相差でSP
RAM11に書込まれ、それぞれの位置に入力データ#
2及び#4も書込まれる。SOHが入力されると、アド
レス制御部12は、書込みフレームカウンタ15により
それを認識するとともに、ポインタ検出回路17により
PJ時であることを認識する。PJ時には、SOHは4
バイトの偶数であるため、そのまま2並列分離されSP
RAM11に書込まれる。SOHに関しては、ここでは
一例として、2並列分離回路18の前後で入出力データ
のタイミング位置が固定される。したがって、入力デー
タ#3及び#4の後に、SOHデータが書込まれ、その
後入力データ#5及び#6以降が、順次書込まれること
になる。SOH入力後の入力データ#7は、6バイトの
位相差でSPRAM11に書込まれ、その位置に入力デ
ータ#8も書込まれる。また、アドレス制御部12に従
い、同様のタイミング及び位相差で読出しも行われる。
【0060】つぎに、「2分離後出力データ」は、SP
RAM11から出力されたSOHを4バイト分そのまま
出力する。この例では、SPRAM11から読出された
データ#J1は、2多重回路19により、9バイトの位
相差で出力される。また、SOHは、4バイト分SOH
タイミングで出力される。データ#5以降は、SOHの
位置が固定されているため、その後に順次出力される。
ここで、SOHデータの後に書込み/読出された入力デ
ータ#5は、9バイトの位相差で出力される。
【0061】つぎに、図17には、2並列展開前後の位
相差が9バイトの場合を示す。
【0062】このとき、「2並列データ」としては、入
力データ#J1が、9バイトの位相差でSPRAM11
に書込まれる。また、SOHは、同様に、固定位置に書
込まれるが、アドレス制御部12は、PJ時であってS
OHが4バイト分であることを認識する。次に、入力デ
ータ#5以降を順次書込む。入力データ#9は、9バイ
トの位相差で書込まれる。また、同様のタイミング及び
位相差で読出しも行われる。
【0063】つぎに、「2分離後出力データ」として
は、SPRAM11から読出されたデータ#J1は、6
バイトの位相差で出力される。固定された位置でSOH
の出力がされた後に、SOHの前に入力された入力デー
タ#3及び#4が、出力される。また、SOHより後に
書込み/読出しされた入力データ#5は、6バイトの位
相差で出力される。
【0064】つぎに、図18には、2並列展開前後の位
相差が12バイトの場合を示す。
【0065】このとき、同様に、「2並列データ」とし
ては、入力データ#J1が、12バイトの位相差でSP
RAM11に書込まれ、その位置に入力データ#2も書
込まれる。また、次にSOHが固定位置に4バイト分書
込まれ、その後入力データ#3以降が書込まれる。SO
H以後に入力された入力データ#7は、12バイトの位
相差でSPRAM11に書込まれる。また、同様のタイ
ミング及び位相差で読出しも行われる。
【0066】つぎに、「2分離後出力データ」として
は、SPRAM11から読出されたデータ#J1は、3
バイトの位相差で出力される。また、SOH後のデータ
#5は、3バイトの位相差で出力される。
【0067】以上、実施の形態を説明したが、本発明
は、これに限定されず、様々な改良及び変更を含むもの
である。たとえば、本発明は、主信号バッファに限ら
ず、あらゆるデータメモリ装置に適用することができ
る。また、入力データやSPRAMの記憶領域は、それ
ぞれ8ビットや16ビットに限らず適宜のビット数を用
いることができる。並列分離については、2並列展開に
限らず、複数の偶数の並列データに展開することもでき
る。また、VC−3、STM−0等のフレームフォーマ
ット以外にも、様々なデータ群に応用することができ
る。さらに、SOHの読み捨て・削除等を行う基準とし
て、2並列展開前後で9バイト以上の位相差としたが、
これに限らず適宜所定の位相差とすることができる。
【0068】
【発明の効果】以上のように、本発明によると、安価な
SPRAMを使用して、大容量の主信号データバッファ
を安価に構成することができる。
【0069】また、本発明によると、入力されたデータ
群を並列分離した前後において、それらの位相差が過度
にならないように分離後のデータを出力することができ
る。
【0070】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るデータメモリ装置の概略構成図。
【図2】本発明に係るデータメモリ装置のタイムチャー
ト。
【図3】本発明に係るデータメモリ装置の構成図。
【図4】SDHフォーマットの説明図。
【図5】SPRAMの記憶領域の説明図。
【図6】ジャスティフィケーション時の書込み及び読出
し範囲の説明図。
【図7】VC−3の境界における2並列展開部のタイム
チャート(位相差3バイト)。
【図8】VC−3の境界における2並列展開部のタイム
チャート(位相差6バイト)。
【図9】VC−3の境界における2並列展開部のタイム
チャート(位相差9バイト)。
【図10】SOHタイミングにおける2並列展開のタイ
ムチャート(位相差6バイト)。
【図11】SOHタイミングにおける2並列展開のタイ
ムチャート(位相差9バイト)。
【図12】SOHタイミングにおける2並列展開のタイ
ムチャート(位相差12バイト)。
【図13】NJ時における2並列展開のタイムチャート
(位相差6バイト)。
【図14】NJ時における2並列展開のタイムチャート
(位相差9バイト)。
【図15】NJ時における2並列展開のタイムチャート
(位相差12バイト)。
【図16】PJ時における2並列展開のタイムチャート
(位相差6バイト)。
【図17】PJ時における2並列展開のタイムチャート
(位相差9バイト)。
【図18】PJ時における2並列展開のタイムチャート
(位相差12バイト)。
【図19】従来のDPRAMを使用した主信号バッファ
の構成図。
【符号の説明】
11 SPRAM 12 アドレス制御部 13 書込み側ゲート 14 読出し側ゲート 15 書込み側フレームカウンタ 16 読出し側フレームカウンタ 17 ポインタ検出回路 18 2並列分離回路 19 2多重回路19
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 浩二 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者 高橋 政俊 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者 稲葉 直樹 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 Fターム(参考) 5K021 AA08 BB06 CC19 GG03 5K069 BA02 CB08 DB12 DB18 DB22 DB27 EA19 EA20 FA15 FA26 FD17

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】入力されたデータ群を並列データに分離す
    る並列分離回路と、 前記データ群の先頭位置を示すポインタを検出するポイ
    ンタ検出回路と、 前記並列データを各々等しいアドレスに並列に記憶する
    シングルポートメモリと、 前記並列データを、前記シングルポートメモリに入力す
    るための書込み側ゲートと、 前記シングルポートメモリに記憶された前記並列データ
    を読出すための読出し側ゲートと、 前記読出し側ゲートから出力された前記並列データをシ
    リアルデータに多重する多重回路と、 前記並列分離回路、前記シングルポートメモリ、前記書
    込み側ゲート、前記読出し側ゲート及び前記多重回路を
    制御するアドレス制御部を備え、 前記アドレス制御部は、 前記並列分離回路により、前記データ群に含まれる奇数
    個のデータに少なくともひとつの空きビット又は他のデ
    ータを加えて、偶数個のデータとして前記並列データに
    分離する制御と、 前記書込み側ゲートをオン状態にするとともに、前記並
    列データを、前記ポインタ検出回路により検出されたポ
    インタに従い、前記データ群の先頭位置から前記シング
    ルポートメモリに並列に書込む制御と、 前記読出し側ゲートをオン状態にするとともに、前記並
    列データを、前記シングルポートメモリから読出す制御
    と、 前記多重回路により、前記シングルポートメモリから読
    出された前記並列データを多重して出力するように制御
    を行うデータメモリ装置。
  2. 【請求項2】前記並列分離回路は、パリティ演算回路を
    備え、 前記他のデータとして、前記パリティ演算回路により演
    算されたパリティを挿入することを特徴とする請求項1
    に記載のデータメモリ装置。
  3. 【請求項3】前記多重回路は、 位相変動に対応して位相をそろえる機能と、 前記アドレス制御部からの制御により、前記並列分離回
    路により加えられた前記空きビット又は他のデータをス
    キップして出力する機能を備えたことを特徴とする請求
    項1又は2に記載のデータメモリ装置。
  4. 【請求項4】前記アドレス制御部は、 書込み側フレームカウンタのカウント値により、入力さ
    れたデータがオーバーヘッドであることを認識するとと
    もに、 前記並列分離回路により、奇数個のデータを含むオーバ
    ーヘッドについて、1データ分書込みを休むこと又は他
    のデータを挿入することにより、偶数個のデータとして
    該オーバーヘッドを並列に前記シングルポートメモリに
    書込むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記
    載のデータメモリ装置。
  5. 【請求項5】前記オーバーヘッドの入力及び出力タイミ
    ングは固定されており、 オーバーヘッドのタイミング以外のタイミングで、デー
    タ群に含まれるデータについて、前記シングルポートメ
    モリによる書込み及び読出し、及び、前記多重回路から
    の出力がなされることを特徴とする請求項1乃至4のい
    ずれかに記載のデータメモリ装置。
  6. 【請求項6】前記アドレス制御部は、 書込み側フレームカウンタのカウント値により、入力さ
    れたデータがオーバーヘッドであることを認識するとと
    もに、 前記並列分離回路の前後の位相差を監視して、該位相差
    が所定バイトより少ない場合は、オーバーヘッドを並列
    データとして分離して、1データ分書込みを休むこと又
    は他のデータを挿入することにより、偶数個のデータと
    して前記並列分離回路から並列データを出力し、一方、
    該位相差が所定バイト以上の場合は、オーバーヘッドに
    含まれるデータを少なくともひとつ削除して偶数個のデ
    ータとして前記並列分離回路から並列データを出力する
    ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のデ
    ータメモリ装置。
  7. 【請求項7】前記アドレス制御部は、 書込み側フレームカウンタのカウント値により、入力さ
    れたデータがオーバーヘッドであることを認識するとと
    もに、 前記ポインタ検出回路で検出されたポインタにより、前
    記データ群がネガティブ・ジャスティフィケーション又
    はポジティブ・ジャスティフィケーションであることを
    認識した場合、前記並列分離回路により、オーバーヘッ
    ドが偶数個のデータとして並列データに分離され、前記
    シングルポートメモリに書込まれることを特徴とする請
    求項1乃至6のいずれかに記載のデータメモリ装置。
  8. 【請求項8】入力されたデータ群をシングルポートメモ
    リにより入出力するためのデータメモリ制御方法であっ
    て、 前記データ群に含まれる奇数個のデータに少なくともひ
    とつの空きビット又は他のデータを加えて、並列データ
    に分離する機能と、 前記データ群の先頭位置を示すポインタを検出する機能
    と、 前記書込み側ゲートをオン状態にするとともに、前記並
    列データを、前記ポインタ検出回路により検出されたポ
    インタに従い、前記データ群の先頭位置から前記並列デ
    ータを各々等しいアドレスで前記シングルポートメモリ
    に並列に記憶する書込む機能と、 前記読出し側ゲートをオン状態にするとともに、前記並
    列データを、前記シングルポートメモリから読出す機能
    と、 前記シングルポートから読出された前記並列データをシ
    リアルデータに多重して出力する機能を備えたデータメ
    モリ制御方法。
  9. 【請求項9】書込み側フレームカウンタのカウント値に
    より、入力されたデータがオーバーヘッドであることを
    認識するとともに、 奇数個のデータを含むオーバーヘッドに、1データ分書
    込みを休むこと又は他のデータを挿入することにより、
    偶数個のデータとして前記オーバーヘッドを並列に前記
    シングルポートメモリに書込むことを特徴とする請求項
    1乃至8のいずれかに記載のデータメモリ制御方法。
  10. 【請求項10】書込み側フレームカウンタのカウント値
    により、入力されたデータがオーバーヘッドであること
    を認識するとともに、 並列分離の前後の位相差を監視して、該位相差が所定バ
    イトより少ない場合は、オーバーヘッドを並列データと
    して分離して、1データ分書込みを休むこと又は他のデ
    ータを挿入することにより、偶数個のデータとして並列
    データを出力し、一方、該位相差が所定バイト以上の場
    合は、オーバーヘッドに含まれるデータを少なくともひ
    とつ削除して偶数個のデータとして並列データを出力す
    ることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の
    データメモリ制御方法。
  11. 【請求項11】書込み側フレームカウンタのカウント値
    により、入力されたデータがオーバーヘッドであること
    を認識するとともに、 検出されたポインタにより、前記データ群がネガティブ
    ・ジャスティフィケーション又はポジティブ・ジャステ
    ィフィケーションであることを認識した場合には、オー
    バーヘッドが偶数個のデータとして並列データに分離さ
    れ、前記シングルポートメモリに書込まれることを特徴
    とする請求項1乃至10のいずれかに記載のデータメモ
    リ制御方法。
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US9336565B2 (en) 2014-05-30 2016-05-10 Seiko Epson Corporation Image processing device, display apparatus, and image processing method

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KR100594043B1 (ko) 2004-11-08 2006-06-30 삼성전자주식회사 고속 터보 디코더에서 병행방식의 디 래이트 매칭을수행하는 입력 버퍼 장치
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