JP3429307B2 - 同期デジタル遠隔通信システムにおけるエラスティックバッファ方法及び装置 - Google Patents

同期デジタル遠隔通信システムにおけるエラスティックバッファ方法及び装置

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Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は、請求項1の序文に記載した同期デジタル遠
隔通信フィルムにおけるエラスティック(弾性)バッフ
ァ方法、及び請求項3の序文に記載したその装置に係
る。
先行技術 現在のデジタル送信ネットワークは、近同期式であ
り、即ち、例えば各2Mビット/秒の基本的なマルチプレ
クスシステムは、他のシステムとは独立した専用クロッ
クを有している。それ故、単一の2Mビット/秒の信号を
上位システムのビット流に配置することは不可能であ
り、高いレベルの信号は、各中間レベルを経て2Mビット
/秒レベルまでデマルチプレクスして、2Mビット/秒の
信号を抽出しなければならない。このため、特に、多数
のマルチプレクサ及びデマルチプレクサを必要とする分
岐接続の構造は、高価なものとなっている。近同期送信
ネットワークの別の欠点は、2つの異なる製造者からの
装置が通常は適合しないことである。
他のものの中でもとりわけ上記の欠点から、例えば、
CCITT規格G.707、G708及びG.709に規定された新たな同
期デジタルハイアラーキSDHが導入されるに至った。同
期デジタルハイアラーキは、多数のハイアラーキレベル
N(N=1、4、16・・・)に配置されたSTM−N転送
フレーム(同期搬送モジュール)をベースとするもので
ある。2、8及び32Mビット/秒システムのような既存
のPCMシステムは、SDHの最低レベル(N=1)の同期的
155.520Mビット/秒フレームへとマルチプレクスされ
る。これにより、このフレームは、STM−1フレームと
称する。ハイアラーキのより高いレベルでは、ビットレ
ートが最低レベルのビットレートの倍数である。
図1はSTM−Nフレームの構造を示しており、そして
図2は単一のSTM−1フレームを示している。STM−Nフ
レームは、9行及びNx270列のマトリクスより成り、各
行と列との間の接合点に1バイトが存在する。最初のNx
9列の行1−3及び行5−9は、セクションオーバーヘ
ッドSOHを含み、そして行4は、AUポインタを含む。こ
のフレーム構造の残り部分は、長さがNx261列のセクシ
ョンで構成され、STM−Nフレームのペイロードセクシ
ョンを含む。
図2は、上記したように長さが270バイトの単一のSTM
−1フレームを示している。ペイロードセクションは、
1つ以上の管理ユニットAUを含む。図示された特定の場
合には、ペイロードセクションは、管理ユニットAU−4
より成り、これに仮想コンテナVC−4が挿入される。
(或いは又、STM−1転送フレームが多数の低レベル管
理ユニット(AU−3)を含んでいて、その各々がそれに
対応する低レベル仮想コンテナ(VC−3)を含んでもよ
い。)次いで、VC−4は、各行の始めに配置された長さ
1バイト(全部で9バイト)の経路オーバーヘッドPOH
と、マップされるべき情報信号のレートがその公称値か
らある程度ずれたときにインターフェイスの調整をマッ
プに関して行えるようにするバイトを含む低レベルフレ
ームが存在するペイロードセクションとで構成される。
情報信号をSTM−1フレームにマップすることは、例え
ば、特許出願AU−B−34689/89及びFI−914746に開示さ
れている。
AU−4ユニットの各バイトは、それ自身の位置番号を
有している。上記AUポインタは、AU−4ユニットにおけ
るVC−4コンテナの第1バイトの位置を含んでいる。こ
れらポインタは、SDHネットワークの種々の点において
正又は負のポインタ調整を行えるようにする。あるクロ
ック周波数を有する仮想コンテナが、該仮想コンテナの
クロック周波数より低いクロック周波数で動作するネッ
トワークノードに付与された場合には、データバッファ
がいっぱいになる。これは、負の調整を必要とし、即ち
受け取られた仮想コンテナからオーバーヘッドセクショ
ン1バイトが転送される一方、ポインタ値が1だけ減少
される。受け取られた仮想コンテナのレートがノードの
クロックレートより低い場合には、データバッファが空
になる傾向となり、これは正の調整を必要とする。即
ち、受け取られる仮想コンテナにスタフバイトが追加さ
れ、そしてポインタ値が1だけ増加される。
図3は、STM−Nフレームを既存の非同期ビット流で
いかに形成できるかを示している。これらビット流(図
の右側に示された1.5、2、6、8、34、45又は140Mビ
ット/秒)は、第1の段において、CCITTで規定された
コンテナCにパックされる。第2の段では、制御データ
を含むオーバーヘッドバイトがコンテナに挿入され、従
って、上記の仮想コンテナVC−11、VC−12、VC−2、VC
−3又はVC−4が得られる(省略形における第1のサフ
ィックスはハイアラーキのレベルを表し、そして第2の
サフィックスはビットレートを表す)。この仮想コンテ
ナは、同期ネットワークを経てその供給点まで送られる
間、そのままの状態に保たれる。ハイアラーキのレベル
に基づいて、仮想コンテナは、更に、従属ユニットTUへ
と形成されるか、又はポインタを設けることにより上記
のAUユニット(AU−3及びAU−4)へと形成される。AU
ユニットは、STM−1フレームへと直接マップすること
ができるが、TUユニットは、従属ユニットグループTUG
並びにVC−3及びVC−4ユニットを介してAUユニットを
形成するよう組み立て、これをSTM−1フレームへとマ
ップしなければならない。図3において、マッピングは
連続する細い線で示されており、整列は破線で示されて
おり、そしてマルチプレクスは連続する太い線で示され
ている。
図3から明らかなように、STM−1フレームは多数の
別々の方法で組み立てることができ、そして例えば、最
大レベルの仮想コンテナVC−4の内容は、組み立てをス
タートしたレベル及び組み立てを行う方法に基づいて変
化する。従って、STM−1信号は、例えば、3個のTU−
3ユニット、21個のTU−2ユニット又は63個のTU−12ユ
ニットを含んでいる。高レベルユニットが多数の低レベ
ルユニットを含み、例えば、VC−4ユニットがTU−12ユ
ニットを含む(63個のこのようなユニットが単一のVC−
4ユニットにある;図3を参照)ときには、低レベルユ
ニットがインターリーブにより高レベルフレームへとマ
ップされ、従って、第1のバイトが最初に低レベルユニ
ットの各々から連続的に取り出され、次いで、第2のバ
イトが、等々となる。従って、VC−4信号が例えば上記
の63個のTU−12信号を含むときには、これら信号が図2
に示すようにVC−4フレームに配置され、即ち最初のTU
−12信号の第1バイトが最初に配置され、次いで、第2
のTU−12信号の第1バイトが、等々となる。最後の信
号、即ち63番目のTU−12信号の第1バイトの後に、最初
のTU−12信号の第2バイトが続き、等々となる。従っ
て、各TU−12信号の4つのバイトがSTM−1フレームの
各行に配置され、全STM−1フレームは4x9=36バイトで
構成される。基本的な場合には、長さ500μsの1つの
完全なTU−12フレームが4つの連続するSTM−1フレー
ムに分割される。TU−12フレームは4つのポインタバイ
トV1−V4を含み、TU−12フレームの第1の1/4はポイン
タバイトV1を含み、第2の1/4はポインタバイトV2を含
み、等々となる。最初の2バイトV1及びV2は、実際のTU
ポインタ値を形成し、バイトV3は調整に使用され、そし
てバイトV4は他の目的に指定される。バイトV1及びV2よ
り成るTU−12ポインタは、VC−12ユニットの第1バイト
を指す。この第1バイトは、一般にレファレンスV5によ
って指示される。TU−12フレームの構造は、図8及び13
に明確に示されており、これを参照して以下に詳細に述
べる。
上記のSDHフレーム構造及びこのような構造の組立
は、詳細な説明で参照する参照文献〔1〕及び〔2〕に
述べられている(これら参照文献は、本明細書の末尾に
リストする)。
例えば、上記のTU−1、TU−2又はTU−3レベル信号
が、例えば図4に示すSDH交差接続装置41において切り
換えられるときには、その切り換えられるべきハイアラ
ーキの同じレベルの全ての信号が互いに完全に同期しな
ければならず、即ち同じクロック信号の縁によってクロ
ックされねばならない。更に、切り換えられるべき信号
のフレームは、位相が同じでなければならない。
上記の同期は、各到来するラインの同期ユニット42に
おいて得られ、交差接続装置41へ到来する信号のペイロ
ードは、その到来信号から抽出されるクロック信号と同
期してエラスティックバッファに記憶され、そして交差
接続装置のクロック信号と同期してエラスティックバッ
ファから読み取られる。エラスティックバッファへ書き
込まれるべきペイロード及びそのペイロードの位相を決
定するために、高レベルフレームに含まれた制御デー
タ、例えば、ポインタを分解しなければならない。これ
に対応して、高レベルのSDHフレーム構造及びそれに関
連した制御データを、エラスティックバッファから読み
取られるべきペイロードに加えることができねばならな
い。
従って、ハイアラーキのあるレベルのペイロードは、
交差接続の同期信号との同期が首尾よくいくためにはエ
ラスティックバッファに通さなければならない。ハイア
ラーキの同じレベルに多数のチャンネルが存在する場合
には、その各々が専用の独立したエラスティックバッフ
ァを有していなければならない。例えば、単一のSTM−
1フレームに含まれた63個のVC−12信号を上記のように
同期するには、互いに独立した63個のエラスティックバ
ッファが必要である。
従って、公知の装置においては、所望のハイアラーキ
レベルで単一のエラスティックバッファを構成すること
によりバッファ作用が実施されている。このバッファ
は、所要の数で再現される。この構成を示す概略ブロッ
ク図が図5に示されており、上記と同様の例として同期
ユニット42の63個のVC−12チャンネルのバッファが使用
されている。STM−1フレーム構造をもつ信号は、最初
に共通の解読ユニット51へ送られ、該ユニットは、VC−
4コンテナの経路オーバーヘッド(OPH)におけるAUポ
インタデータ及びH4バイトを解読して、そのフレーム構
造に含まれたTU−12フレームを位置決めする。次いで、
解読ユニット51は、各TU12チャンネルのバイトを専用の
解読ユニット52へ送り、従って、この特定の場合にはそ
れが全部で63個になる。解読ユニットは、各TU−12チャ
ンネルのポインタを解読し、そこに含まれたVC−12信号
の位相を決定する。フレーム構造においてTU−12ユニッ
トがインターリーブされるために、各解読ユニットは、
使用可能な時間の約1/63しか動作しない。各VC−12信号
は、他のバッファ53と独立して専用のエラスティックバ
ッファ53に記憶される。それに対応して、最高レベルの
フレーム構造が再組み立てされるときには、各新たなTU
−12ユニットのポインタデータが専用のジェネレータユ
ニット54において発生され、その後、エラスティックバ
ッファメモリからのペイロードを新たなポインタ及び新
たな制御データと組み合わせることにより共通のジェネ
レータユニット55において最終フレーム構造が組み立て
られる。各エラスティックバッファ53の充填レートは、
専用のモニタユニット56によって監視される。
AU及びTUポインタ並びにそれらの発生及び解読は、参
照文献〔1〕に述べられており、詳細についてはこれを
参照されたい。
しかしながら、上記の公知バッファ方法に伴う問題
は、ハードウェアが著しく要求されることである。従っ
て、例えば、63個のTU−12チャンネルの場合には、63個
のエラスティックバッファに加えて、他のロジック手段
をマイクロ回路に配置することは実際上不可能である
(現在の設計方法及びマイクロ回路技術では制約が課せ
られるために)。公知の構成では、ハードウェアを最も
必要とするのはメモリ手段である(例えば、D型フリッ
プ−フロップ、ラッチ等)。近代的なマイクロ回路技術
は、小さなスペースに集積されたRAMメモリを使用でき
るようにするが、シリコン領域の節減が達せられるの
は、100ビット以上のサイズをもつメモリ手段の構造に
おいてだけである。RAMメモリの使用は公知構成におい
てはほとんど利点を与えない。というのは、個々のエラ
スティックバッファのサイズが必ずしも100ビット以上
ないからである。
発明の要旨 本発明の目的は、上記問題を解消し、エラスティック
バッファのハードウェアを従来より少なくできると共
に、RAMメモリブロックを従来より効果的に使用できる
ようにする方法及び装置を提供することである。これ
は、請求項1の特徴部分に開示された本発明の方法によ
って達成される。本発明による装置は、請求項3の特徴
部分に開示されたことを特徴とする。
本発明の基本的な考え方は、時分割アーキテクチャを
バッファに用いて、同じハイアラーキレベルの少なくと
も2つの信号のエラスティックバッファ作用を、これら
信号に共通のバッファメモリにおいて時分割ベースで行
うことである。
本発明による時分割バッファを用いるときには、小さ
なスペースに集積されたRAMメモリブロックを使用する
ことができる。というのは、所要メモリブロックのサイ
ズが明らかに100ビット以上だからである。従って、必
要なシリコン領域も相当に減少される。シリコン領域の
減少は、部品のサイズを減少し、ひいては、装置全体の
サイズも減少し、他方、装置のサイズを不変に保ちなが
らその容量を増加することができる。
以下、添付図面の図6ないし10を参照し、本発明を一
例として詳細に説明する。
図面の簡単な説明 図1は、単一のSTM−Nフレームの基本的な構造を示
す図である。
図2は、単一のSTM−1フレームの構造を示す図であ
る。
図3は、既存のPCMシステムからSTM−Nフレームを組
み立てるところを示す図である。
図4は、本発明によるバッファ方法を用いた同期ユニ
ットを有するSDH交差接続装置を示すブロック図であ
る。
図5は、公知構成におけるバッファの原理を示すブロ
ック図である。
図6は、本発明の方法を用いた同期ユニットにおいて
バッファの原理を示すブロック図である。
図7は、図6に示した同期ユニットのフレーム分解ユ
ニットを示す詳細な図である。
図8は、単一のTU−12信号の単一フレームに対する図
7の分解ユニットの動作を示す図である。
図9は、本発明による方法を用いた同期ユニットのエ
ラスティックバッファを詳細に示す図である。
図10は、エラスティックバッファの充填率の監視を示
す図である。
図11は、エラスティックバッファの充填率を監視する
のに用いる差の値の変化の範囲を示す図である。
図12は、図6に示す同期ユニットの組立ユニットを詳
細に示す図で、この組立ユニットにおいてフレーム構造
体が再組み立てされるところを示す図である。
図13は、単一のTU−12信号の単一フレームに対する図
12の分解ユニットの動作を示す図である。
好ましい実施例の詳細な説明 図6は、本発明によるバッファ原理を用いた単一の時
分割同期ユニットを示す図である。この時分割の原理
は、同期ユニット42において行われるフレームの分解及
び組立と、バッファメモリの充填率の監視にも適用さ
れ、これらは、別の並列な特許出願の要旨である。同期
ユニット42は、TU−12チャンネルに対して順次に構成さ
れた分解及び組立ユニット61及び62を備えている。全て
のTU−12チャンネルに共通のエラスティックバッファメ
モリ63がこれら分解ユニットと組立ユニットとの間に設
けられ、そしてバッファメモリの充填率が共通のモニタ
ユニット64によって監視される。同期ユニット42は、到
来するAU−4信号を別のAU−4レベルクロックと同期さ
せる。STM−1信号は先ず共通のAU解読ユニット51に送
られ、該ユニットは、AU−4ポインタデータを既知のや
り方(参照文献〔1〕のCCITT使用に合致する)で解読
し、AU−4フレームからTU−12信号を抽出し、そしてそ
のTU−12信号を分解ユニット61へ送って更に処理する。
分解ユニット61は、TU−12ポインタを解読し、そしてTU
−12フレーム構造体からVC−12データを抽出する。これ
らポインタは、時分割ベースで1つ以上の処理段におい
て処理され、即ち同じハイアラーキレベルにおける少な
くとも2つの信号の処理が、例えば、銅線導体の如き1
本の同じ物理ラインを経て実行される。従って、分解ユ
ニット61は、少なくとも1つのサブプロセッサ65及び一
時メモリ66で形成されたサブ処理ユニット67を備えてい
る。このサブ処理ユニットは、同じハイアラーキレベル
にある少なくとも2つの信号のフレーム構造のポインタ
を時分割ベースにて処理する。ここに述べる例では、63
個のTU−12チャンネル全部が同じバッファにバッファさ
れるが、これは必要ではない。というのは、多数のバッ
ファを並列に又は順次に配置できるからである。但し、
少なくとも2つのTU−12信号のエラスティックバッファ
作用は、上記チャンネルに共通のバッファメモリにおい
て時分割ベースで実行されるものとする。
TU分解ユニット61に共通のVC−12ペイロードは、該ユ
ニットを経て不変のまま伝播され、そして全てのTU−12
チャンネルに共通のバッファメモリ63に記憶される。バ
ッファメモリ63の充填率は、共通のモニタユニット64に
よって監視される。TU−12ポインタ及びフレームの再組
立は、組立ユニット62の1つ以上の処理段において時分
割ベースで行われ、即ち少なくとも2つのチャンネルの
信号が、例えば、銅線導体の如き1本の同じ物理ライン
を経て処理される。同様に、TU組立ユニット62は、少な
くとも1つのサブプロセッサ65及び一時メモリ66より成
るサブ処理ユニット67を備えている。該サブ処理ユニッ
ト67は、同じハイアラーキレベルにある少なくとも2つ
の信号のフレーム構造のポインタを時分割ベースにて処
理する。ここに示す例では、全部で63個のチャンネルが
同じ組立ユニットにおいて処理されるが、これは必要で
はない。というのは、多数の組立ユニットを並列又は順
次に配置することが等しく可能であるからである。
図7は、単一の分解ユニット61を詳細に示しており、
該ユニットは、V1メモリ71と、TU−12状態メモリ73及び
ポインタ読み取りユニット72で形成されたサブ処理ユニ
ットと、V5位置メモリ74とを備えている。以下の説明に
おいて、分解ユニットの動作は、図8を参照しながら単
一のTU−12信号の単一フレームについて述べる。図8に
は、単一のTU−12フレームが左側の欄に示されており、
それ自体良く知られたように、TU−12フレームは、140
個のデータバイト(フレームの横に番号付けされてい
る)と、4つのポインタバイトV1−V4とを備えている。
1つのTU−12フレームの長さは500μsであり、従っ
て、基本的な場合に、4つのSTM−1フレームにおいて
送信される。図8の他の欄は、V1メモリ71、TU−12状態
メモリ73及びV5位置メモリ74に関連した読み取り及び書
き込み事象を示している。この手順は、他のいずれのTU
−12信号についても同様であり、2つの連続する信号を
処理する際には、信号間の時間ドメインにおいて1クロ
ック周期のシフトがあるだけである。
TU分解ユニットに送られるTU−12フレームの第1バイ
ト、即ちV1バイトは、最初にV1メモリ71に記憶される。
V1バイトの後に到来するデータバイトは、他の全てのデ
ータバイトと同様に、バッファメモリ63に記憶される。
図8において、VC−12データがバッファメモリに記憶さ
れる周期が矢印Aで示されている。TU−12のフレームの
第2の1/4がV2バイトから始まるときには、V1バイトが
メモリから読み取られ、そしてV1及びV2バイトの結合に
よって新たなポインタワードがポインタ読み取りユニッ
ト72に対して発生される。新たなポインタワードが発生
される僅かに前に、ポインタの古い状態が状態メモリ73
から読み取りユニットへ読み取られる。古い状態は、手
前の(有効)ポインタの値に基づくデータより成る。ポ
インタ読み取りユニット72は、これが受け取ったデータ
を処理し、その結果、新たな状態データが発生されて状
態メモリ73に記憶される。更に、その新たな状態によっ
て決定されたアドレスに対し、V5フラグ(1ビット)が
V5位置メモリ74に同時に書き込まれる。位置メモリ74
は、長さが1ビットの63x140メモリ位置を備え、即ち各
チャンネルは、TU−12フレームの各データバイトごとに
メモリ位置を有する。新たなポインタが指すデータバイ
トに対応するアドレスにはV5フラグ、即ち論理1が書き
込まれる。他の139個のメモリ位置は、論理0を含む。V
5位置メモリは、TU−12フレームのデータバイト中に読
み取られ、ある点においてゼロからずれる値が得られる
(V5バイトの位置を示す)。V5バイトの位置に関する情
報(V5 loc.信号、図7)がバッファメモリに記憶され
る。
到来するV1及びV2バイトは、上記のポインタ調整が必
要かどうかも指示する。負の調整では、V3バイトの内容
がバッファメモリに書き込まれ、正の調整では、V3バイ
トに続くデータバイトがバッファメモリに書き込まれな
い。
図9は、例えば、VC−12データが記憶される本発明に
よるエラスティックバッファ63を詳細に示している。こ
のバッファは、バッファメモリ101それ自体と、該バッ
ファメモリを制御するカウンタユニットとを備えてい
る。これらカウンタユニットは、その入力側において、
第1チャンネルカウンタ102及び第1アドレスカウンタ
ユニット103を備え、そしてその出力側では、第2チャ
ンネルカウンタ104及び第2アドレスカウンタユニット1
05を備えている。入力側のユニットは、メモリへのデー
タの書き込みを制御し、一方、出力側のユニットは、メ
モリからの読み取りを制御する。入力側では、書き込み
がクロックclock1及び同期信号sync1により同期され、
そして出力側では、入力側の対応信号と独立したクロッ
クclock2及び同期信号sync2により同期される。バッフ
ァメモリ101は、63個のメモリユニット106を備え(各チ
ャンネルに1つづつ)、その各々は(この特定の場合に
は)、8ビットの巾(即ち、1バイトの巾)の10個の連
続するメモリ位置106aを含む。(この特定の場合には、
メモリ位置10個のメモリスペースが各メモリユニットに
指定されて、とりわけ、SDHフレーム構造のギャップ及
び種々の遅延を考慮しているが、メモリ位置の数は、10
ではなくて、例えば16でもよい。)アドレスカウンタユ
ニット103は、63個のアドレスカウンタを備え、その各
々は1から10までをカウントし、1つのメモリユニット
の対応するメモリ位置をアドレスする。バッファの各チ
ャンネルの充填率が変化するので、各アドレスカウンタ
の位相は異なる。第1チャンネルカウンタ102は、1か
ら63まで連続的にカウントし、同期信号sync1によって
同期がとられる。チャンネルカウンタ102は、時分割ベ
ースで第1アドレスカウンタの1つを選択し、それに対
応するバイトが、各メモリユニットの選択されたアドレ
スカウンタによってアドレスされたメモリ位置1ないし
10に書き込まれる。
出力側では、読み取られるべきバイトのアドレスが、
第2チャンネルカウンタ104及び第2アドレスカウンタ
ユニット105によって対応的に発生され、チャンネルカ
ウンタ104は、時分割ベースで第2のアドレスカウンタ
の1つを選択し、そしてその選択されたアドレスカウン
タによりアドレスされたメモリ位置からバッファメモリ
の出力107へバイトが読み取られる。
図10及び11は、本発明により共通のモニタユニット64
によって実行されるエラスティックバッファの充填率の
監視を示す詳細な図である。各メモリユニット106(即
ち、各TU−12チャンネルの)充填率は、各チャンネルご
とに別々にモニタユニット64の入力に第1及び第2のア
ドレスカウンタ(読み取り及び書き込みカウンタ)の値
を与えることによって監視される。モニタユニットは、
読み取りカウンタの値から書き込みカウンタの値を減算
し、そしてそれにより生じた差の値Eを、図11の場合は
例えば2及び8である所定の限界値と比較する。理想的
な状態においては、差の値Eは、約5(中間値)であ
る。
充填率の監視は、出力側(読み取り側)と同期して行
われる。モニタユニット64が同じチャンネルの値を互い
に比較できるようにするためには、書き込みカウンタ10
3から得たアドレスデータが、読み取りカウンタ105から
のアドレスデータと同相でなければならず、即ちカウン
タは同じチャンネルに対応しなければならない(書き込
み側において選択されるべきチャンネルは、データが書
き込まれているチャンネルではない)。
差の値に基づいて、充填率モニタユニットは、2ビッ
トで示される3つの異なる状態(いっぱい/空/適度)
を用いることにより各チャンネルの充填率に関するデー
タを出力し、データはTU組立ユニットへ送られる。
図12及び13は、図7及び8に示された分解ユニットの
動作と同様に、同期ユニット42のTU組立ユニット62の構
造及び動作を示している。組立ユニット62は、上記のV
バイトを発生し、調整が必要かどうかを判断する。フレ
ーム構造体の組立側における唯一の相違は、TU−12ポイ
ンタである。フレームが組み立てられるときには、上記
のV5バイトがTU−12フレームのいずれかの位置にあり、
この位置を、V1及びV2バイトによって指示しなければな
らない(バッファメモリから得たV5フラグの時間をポイ
ンタ数に変換しなければならない)。組立側(図9)に
対するクロックclock2及び同期信号sync2は、分解ユニ
ットの各信号とは独立しているが、バッファの読み取り
側で使用されるものに等しい。
レファレンスカウンタ92及びこれに接続されたバッフ
ァ状態メモリ91が組立ユニットの入力に設けられてい
る。バッファ状態メモリ91は、次いで、TU−12ポインタ
ジェネレータ93に接続され、該ジェネレータは、出力の
状態メモリ94と共にそれ自身のサブ処理ユニット67を構
成する。状態メモリの出力は、マルチプレクサ95に接続
され、その別の入力には、バッファメモリ63からのデー
タバイトが直接接続される。
レファレンスカウンタ92は、VC−12フレームのバイト
0−139をカウントする(図13の左側の欄)。V5位置デ
ータ信号(V5 loc.)は組立ユニットの入力に送られ
る。この信号は、分解ユニットで発生された信号に対応
する。V5フラグを受け取ったときには、レファレンスカ
ウンタの現在値がバッファの状態メモリ91に記憶され
る。ポインタバイトを送信する前の所定の時間に(V4バ
イトにおいて)、TU−12ポインタジェネレータ93が処理
を実行する。処理のために、バッファの状態メモリ91か
らのレファレンスカウンタの値と、出力の状態メモリ94
からのTU−12ポインタの古い状態データがポインタジェ
ネレータに読み込まれる。この処理により、例えば、V1
及びV2バイトの値を含む新たなポインタ状態データが発
生される。この新たな状態データは出力の状態メモリに
古いデータに代わって記憶される。ポインタの状態デー
タとバッファメモリからのデータは、マルチプレクサ95
において結合され、再組み立てされたTU−12チャンネル
が出力される。
ポインタ調整は、バッファの充填率に関するデータを
モニタ64からTU−12ポインタジェネレータ93へ送ること
により組立ユニットにおいて行われる。3つの考えられ
る状態(上記したようにいっぱい、空、適当)の1つを
指示するデータが2つのビットで表される。ポインタジ
ェネレータ93は、充填率を解読し、調整が必要かどうか
判断する。
TU組立ユニットの出力に得られた信号は、上記AUジェ
ネレータユニット55(図5及び6)へ送られ、そこで最
終的なAU−4信号が良く知られた方法で発生される。
添付図面に示された幾つかの例を参照して本発明を説
明したが、本発明は、もちろん、これらに限定されるも
のではなく、上記及び請求の範囲に開示した本発明の考
え方において種々のやり方で変更できる。SDHに特定の
用語を一例として上記で使用したが、本発明は、それに
対応するアメリカンSONETシステムにも等しく適用でき
るし、又はフレーム構造体が固定長さの所定数のバイト
と、フレーム構造体内のペイロードの位相を指示するポ
インタとを備えた他の同様のシステムにも等しく適用で
きる。同様に、本発明は、上記システムの異なるハイア
ラーキレベルでのバッファ作用にも適用できる。上記の
VC−12フレームに加えて、VC−11、VC−21、VC−22、VC
−31、VC−32、VC−3及びVC−4のようなフレームをSD
Hシステムにバッファすることができると共に、VC−1.
5、VC−2、VC−3、VC−4又はVC−6のようなフレー
ムをSONETシステムにバッファすることができる。フレ
ームの分解及び組立と、バッファメモリの充填率の監視
は、必ずしも上記したように時分割でなくてもよいが、
上記したように行うのが効果的である。本発明によるチ
ャンネルのバッファ作用を実行する共通のユニットは、
バッファされるべきデータを大きなユニットの入力にい
かに与えるか、或いはバッファされたデータを大きなユ
ニットの出力にいかに与えるかに係わりなく、大きなバ
ッファユニットの一部分を形成してもよい。
参照文献 〔1〕CCITTブルーブック、推奨規格G.709:「同期マル
チプレクス構造(Synchronous Multiplexing Structur
e)」、1990年5月 〔2〕SDH−Ny digital hierark、TELE2/90
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−211535(JP,A) 独国特許出願公開4018536(DE,A 1) 独国特許発明4018687(DE,C2) 国際公開91/18457(WO,A1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H04J 3/00 - 3/26 H04L 5/22 - 5/26

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】SDH又はSONETシステムのような同期デジタ
    ル遠隔通信システムにおけるエラスティックバッファ方
    法であって、上記システムのフレーム構造は、固定長さ
    の所定数のバイトを備え、あるバイトは、フレーム構造
    内の対応するペイロード信号の位相を指示するポインタ
    を形成し、ポインタデータは、上記フレーム構造に含ま
    れたペイロード信号から分離され、そしてペイロード信
    号が少なくとも1つのエラスティックバッファメモリに
    記憶されるような方法において、上記分離の後に、同じ
    ハイアラーキレベルの少なくとも2つの信号のペイロー
    ドのエラスティックバッファ作用を、上記ペイロード信
    号の各々が別々の時間セグメントにおいて同じ1本の物
    理ラインを経てバッファ作用を受けるように、上記ペイ
    ロード信号に共通で且つ上記フレーム構造により定めら
    れた逐次の順序で上記ペイロード信号が付与されるデー
    タ入力を有したバッファメモリ(101)において時分割
    ベースで実行することを特徴とする方法。
  2. 【請求項2】同じハイアラーキレベルの全ての信号のペ
    イロードのエラスティックバッファ作用を、共通のバッ
    ファメモリ(101)において時分割ベースで実行する請
    求項1に記載の方法。
  3. 【請求項3】同期デジタル遠隔通信システムにおけるエ
    ラスティックバッファ作用を行う請求項1に記載の方法
    を実施する装置であって、そのフレーム構造が、固定長
    さの所定数のバイトを備え、あるバイトは、フレーム構
    造内の対応するペイロード信号の位相を指示するポイン
    タを形成し、更に、上記フレーム構造に含まれたペイロ
    ード信号からポインタデータを分離するための手段(7
    1、72)と、上記フレーム構造に含まれたペイロード信
    号を記憶するためのメモリ手段(101)とを備えた装置
    において、 上記メモリ手段(101)は、入力ライン及び出力ライン
    を有しており、同じハイアラーキレベルの少なくとも2
    つのペイロード信号に共通のものであり、 上記装置は、更に、上記メモリ手段(101)に接続され
    た選択手段(102、104)を備え、該選択手段は、上記入
    力ラインに付与されるペイロード信号が書き込まれるべ
    き上記メモリ手段のメモリ位置のアドレスを時分割ベー
    スにて選択的に発生することにより、上記ペイロード信
    号の各々が、上記メモリ手段の上記発生されたアドレス
    のメモリ位置へと、上記同じ入力ラインを経て別々の時
    間セグメントにおいて書き込まれるようにすると共に、
    上記出力ラインに読み出されるべきペイロード信号が記
    憶されている上記メモリ手段のメモリ位置のアドレスを
    時分割ベースにて選択的に発生することにより、上記ペ
    イロード信号の各々が、上記メモリ手段の上記発生され
    たアドレスのメモリ位置から、上記同じ出力ラインを経
    て別々の時間セグメントにおいて読み出されるようにす
    ることを特徴とする装置。
  4. 【請求項4】上記選択手段は、同じハイアラーキレベル
    の全てのペイロード信号を含むカウントサイクルをもつ
    チャンネルカウンタ(102、104)を備えている請求項3
    に記載の装置。
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