JP2000043419A - 光カード用色素 - Google Patents
光カード用色素Info
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- JP2000043419A JP2000043419A JP10217913A JP21791398A JP2000043419A JP 2000043419 A JP2000043419 A JP 2000043419A JP 10217913 A JP10217913 A JP 10217913A JP 21791398 A JP21791398 A JP 21791398A JP 2000043419 A JP2000043419 A JP 2000043419A
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- JP
- Japan
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- reflectance
- optical card
- dye
- phthalocyanine compound
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 前述のような従来の光カード用色素の欠点を
改良することを目的とするものであり、溶媒溶解性、吸
収波長、反射率、耐光性、耐熱性に優れた光カード用色
素を提供する。 【解決手段】 反射率の極大値が２０％以上であり、キ
セノン耐光性試験機にて１００時間照射後の反射率の残
存率が３０％以上であり、２００℃、１時間加熱後の反
射率の残存率が３０％以上であることを特徴とする光カ
ード用色素であり、好ましくは、反射率の最大値を示す
波長が７００〜９００ｎｍの範囲にあり、熱分解開始温
度が２５０℃以上であり、かつ溶媒に可溶であるフタロ
シアニン化合物を含んでなることを特徴とする光カード
用色素である。
改良することを目的とするものであり、溶媒溶解性、吸
収波長、反射率、耐光性、耐熱性に優れた光カード用色
素を提供する。 【解決手段】 反射率の極大値が２０％以上であり、キ
セノン耐光性試験機にて１００時間照射後の反射率の残
存率が３０％以上であり、２００℃、１時間加熱後の反
射率の残存率が３０％以上であることを特徴とする光カ
ード用色素であり、好ましくは、反射率の最大値を示す
波長が７００〜９００ｎｍの範囲にあり、熱分解開始温
度が２５０℃以上であり、かつ溶媒に可溶であるフタロ
シアニン化合物を含んでなることを特徴とする光カード
用色素である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報の記録保存に
用いる光カード用色素に関するものである。さらに詳し
くは、溶媒溶解性が高く、耐光性に優れた特定構造のフ
タロシアニン化合物を含んでなる光カード用色素に関す
るものである。
用いる光カード用色素に関するものである。さらに詳し
くは、溶媒溶解性が高く、耐光性に優れた特定構造のフ
タロシアニン化合物を含んでなる光カード用色素に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】クレジットカード、テレホンカードなど
現在使用されているカードは、磁気カードが主である。
磁気カードには（１）記録容量が小さい、（２）カード
の不正使用・偽造が容易、などの問題がある。
現在使用されているカードは、磁気カードが主である。
磁気カードには（１）記録容量が小さい、（２）カード
の不正使用・偽造が容易、などの問題がある。
【０００３】このような従来のカードの問題点を改良し
た次世代のカード状記録媒体として光カードが開発され
ている。光カードは、光ディスクなどと同じように半導
体レーザーを用いて情報の記録再生が行われる。記録媒
体としては、読み取り専用のＲＯＭ型、追記可能なＷＯ
ＲＭ型が検討されたが、現状はＷＯＲＭ型が主流であ
る。ＷＯＲＭ型の光カードは、追記媒体に光学的に情報
を記録するために記録した情報を改ざんする事が不可能
であり、静電気、磁気、Ｘ線などの影響を全く受けな
い。また、記録容量が他のカードよりも大きいという特
徴をもっている。
た次世代のカード状記録媒体として光カードが開発され
ている。光カードは、光ディスクなどと同じように半導
体レーザーを用いて情報の記録再生が行われる。記録媒
体としては、読み取り専用のＲＯＭ型、追記可能なＷＯ
ＲＭ型が検討されたが、現状はＷＯＲＭ型が主流であ
る。ＷＯＲＭ型の光カードは、追記媒体に光学的に情報
を記録するために記録した情報を改ざんする事が不可能
であり、静電気、磁気、Ｘ線などの影響を全く受けな
い。また、記録容量が他のカードよりも大きいという特
徴をもっている。
【０００４】光カードには情報の記録のための記録層が
あり、記録層の材料としては、銀塩−ゼラチンタイプ、
テルル系薄膜、色素薄膜が用いられている。
あり、記録層の材料としては、銀塩−ゼラチンタイプ、
テルル系薄膜、色素薄膜が用いられている。
【０００５】従来、光カードの記録層にフタロシアニン
化合物を用いた例としては、特開平２−１３８３８２号
公報、特開平４−２２６３８７号公報がある。しかしな
がら、これらに開示されているフタロシアニン化合物
は、フタロシアニン骨格のα位に置換基を持つものであ
る。α位に置換基を有するフタロシアニン化合物は、原
料からの生産性が悪いという問題点を有している。ま
た、光カード用色素の要求性能である溶媒溶解性、吸収
波長、反射率、耐光性などにおいて必ずしも全ての特性
を満足すべきものではなく、よって更なる良好な特性を
持つ化合物が望まれている。
化合物を用いた例としては、特開平２−１３８３８２号
公報、特開平４−２２６３８７号公報がある。しかしな
がら、これらに開示されているフタロシアニン化合物
は、フタロシアニン骨格のα位に置換基を持つものであ
る。α位に置換基を有するフタロシアニン化合物は、原
料からの生産性が悪いという問題点を有している。ま
た、光カード用色素の要求性能である溶媒溶解性、吸収
波長、反射率、耐光性などにおいて必ずしも全ての特性
を満足すべきものではなく、よって更なる良好な特性を
持つ化合物が望まれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、前述のような従来の光カード用色素の欠点を改
良することを目的とするものであり、溶媒溶解性、吸収
波長、反射率、耐光性、耐熱性に優れた光カード用色素
を提供することにある。
目的は、前述のような従来の光カード用色素の欠点を改
良することを目的とするものであり、溶媒溶解性、吸収
波長、反射率、耐光性、耐熱性に優れた光カード用色素
を提供することにある。
【０００７】また、本発明の目的は、原料からの優れた
生産性を有し、光カード用色素、特にＷＯＲＭ型の光カ
ード用色素の要求性能である溶媒溶解性、吸収波長、反
射率、耐光性、耐熱性などの特性に優れた光カード用色
素を提供することにある。
生産性を有し、光カード用色素、特にＷＯＲＭ型の光カ
ード用色素の要求性能である溶媒溶解性、吸収波長、反
射率、耐光性、耐熱性などの特性に優れた光カード用色
素を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記諸目的は、下記
（１）〜（４）により達成される。
（１）〜（４）により達成される。
【０００９】（１） 反射率の極大値が２０％以上であ
り、キセノン耐光性試験機にて１００時間照射後の反射
率の残存率が３０％以上であり、２００℃、１時間加熱
後の反射率の残存率が３０％以上であることを特徴とす
る光カード用色素。
り、キセノン耐光性試験機にて１００時間照射後の反射
率の残存率が３０％以上であり、２００℃、１時間加熱
後の反射率の残存率が３０％以上であることを特徴とす
る光カード用色素。
【００１０】（２） 反射率の最大値を示す波長が７０
０〜９００ｎｍの範囲にあり、熱分解開始温度が２５０
℃以上であり、かつ溶媒に可溶であるフタロシアニン化
合物を含んでなることを特徴とする光カード用色素。
０〜９００ｎｍの範囲にあり、熱分解開始温度が２５０
℃以上であり、かつ溶媒に可溶であるフタロシアニン化
合物を含んでなることを特徴とする光カード用色素。
【００１１】（３） 前記フタロシアニン化合物が、２
−エトキシエタノールに対して２重量％以上溶解するこ
とを特徴とする上記（２）に記載の光カード用色素。
−エトキシエタノールに対して２重量％以上溶解するこ
とを特徴とする上記（２）に記載の光カード用色素。
【００１２】（４） 下記一般式（１）
【００１３】
【化２】
【００１４】［式中、Ｒ1 とＲ2 、Ｒ3 とＲ4 、Ｒ5 と
Ｒ6 、Ｒ7 とＲ8 の組み合わせにおいて少なくとも一方
は置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有
していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していて
もよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリ
ールチオ基、置換基を有していてもよいアルキルアミノ
基および置換基を有していてもよいアリールアミノ基の
中より選ばれる少なくとも１種の置換基を表し、残りの
置換基は塩素原子であり、Ｍは金属、酸化金属、ハロゲ
ン化金属を表す。］で表されるフタロシアニン化合物を
含んでなることを特徴とする上記（１）〜（３）のいず
れか１つに記載の光カード用色素。
Ｒ6 、Ｒ7 とＲ8 の組み合わせにおいて少なくとも一方
は置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有
していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していて
もよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリ
ールチオ基、置換基を有していてもよいアルキルアミノ
基および置換基を有していてもよいアリールアミノ基の
中より選ばれる少なくとも１種の置換基を表し、残りの
置換基は塩素原子であり、Ｍは金属、酸化金属、ハロゲ
ン化金属を表す。］で表されるフタロシアニン化合物を
含んでなることを特徴とする上記（１）〜（３）のいず
れか１つに記載の光カード用色素。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の光カード用色素は、反射
率の極大値が２０％以上（通常、必要な信号レベルを得
るためには少なくとも１０％の反射率が必要である。一
方、情報を記録する際には光吸収率の大きい方がレーザ
照射光を効率よく熱に変換できるので都合がよいことが
知られている）であり、キセノン耐光性試験機にて１０
０時間照射後の反射率の残存率が３０％以上、好ましく
は８０％以上であり、２００℃、１時間加熱後の反射率
の残存率が３０％以上、好ましくは８０％以上であるこ
とを特徴とするものである。これにより、従来の光カー
ド用色素の欠点を改良することができるものである。す
なわち、光カード用色素に課せられた極めて高い要求性
能であったと言える溶媒溶解性、吸収波長、反射率およ
び耐光性の全てを満足する良好な特性を具備し得てなる
光カード用色素を提供することができるものである。
率の極大値が２０％以上（通常、必要な信号レベルを得
るためには少なくとも１０％の反射率が必要である。一
方、情報を記録する際には光吸収率の大きい方がレーザ
照射光を効率よく熱に変換できるので都合がよいことが
知られている）であり、キセノン耐光性試験機にて１０
０時間照射後の反射率の残存率が３０％以上、好ましく
は８０％以上であり、２００℃、１時間加熱後の反射率
の残存率が３０％以上、好ましくは８０％以上であるこ
とを特徴とするものである。これにより、従来の光カー
ド用色素の欠点を改良することができるものである。す
なわち、光カード用色素に課せられた極めて高い要求性
能であったと言える溶媒溶解性、吸収波長、反射率およ
び耐光性の全てを満足する良好な特性を具備し得てなる
光カード用色素を提供することができるものである。
【００１６】本発明の光カード用色素はまた、反射率の
最大値を示す波長（例えば、薄膜の形態に加工した際の
反射率の最大値を示す波長）が７００〜９００ｎｍ、好
ましくは７５０〜８５０ｎｍの範囲にあり、熱分解開始
温度が２５０℃以上、好ましくは３００℃以上であり、
かつ溶媒に可溶、好ましくは２−エトキシエタノールに
対して２重量％以上溶解するフタロシアニン化合物を含
んでなるものである。すなわち、８００ｎｍ前後（波長
７８０ｎｍ、８３０ｎｍ帯の半導体レーザが使われてい
る）が中心である現在の半導体レーザの発振光波長域に
おいて優れた光吸収反射能を有し、薄膜などの形態に加
工して光カードの記録層を均一な厚さに素早く形成する
ことができるように溶媒に溶解して簡単にスピンコート
等により塗布し得る高い溶媒溶解性を有し、また、ＷＯ
ＲＭ型の記録膜（層）として用いられる光吸収反射膜
（層）への記録時に、強いパワーでのレーザ照射による
ヒートモード記録する際に、記録膜に穴があいたり、変
形が生じたり、結晶構造が変化したりして反射率が変化
するのを抑える事ができる耐熱性に優れてなるフタロシ
アニン化合物を含んでなる光カード用色素を提供するこ
とができるものである。さらに、記録感度は、光学特
性、熱特性と深い関係があり、薄くて光吸収率が大き
く、低い温度で変化するフタロシアニン化合物を記録膜
に用い、さらに熱伝導率の小さいフタロシアニン化合物
を記録膜とすることで高感度の光カードを得ることがで
きる。
最大値を示す波長（例えば、薄膜の形態に加工した際の
反射率の最大値を示す波長）が７００〜９００ｎｍ、好
ましくは７５０〜８５０ｎｍの範囲にあり、熱分解開始
温度が２５０℃以上、好ましくは３００℃以上であり、
かつ溶媒に可溶、好ましくは２−エトキシエタノールに
対して２重量％以上溶解するフタロシアニン化合物を含
んでなるものである。すなわち、８００ｎｍ前後（波長
７８０ｎｍ、８３０ｎｍ帯の半導体レーザが使われてい
る）が中心である現在の半導体レーザの発振光波長域に
おいて優れた光吸収反射能を有し、薄膜などの形態に加
工して光カードの記録層を均一な厚さに素早く形成する
ことができるように溶媒に溶解して簡単にスピンコート
等により塗布し得る高い溶媒溶解性を有し、また、ＷＯ
ＲＭ型の記録膜（層）として用いられる光吸収反射膜
（層）への記録時に、強いパワーでのレーザ照射による
ヒートモード記録する際に、記録膜に穴があいたり、変
形が生じたり、結晶構造が変化したりして反射率が変化
するのを抑える事ができる耐熱性に優れてなるフタロシ
アニン化合物を含んでなる光カード用色素を提供するこ
とができるものである。さらに、記録感度は、光学特
性、熱特性と深い関係があり、薄くて光吸収率が大き
く、低い温度で変化するフタロシアニン化合物を記録膜
に用い、さらに熱伝導率の小さいフタロシアニン化合物
を記録膜とすることで高感度の光カードを得ることがで
きる。
【００１７】なお、ここでいう熱分解開始温度は、示差
熱−熱重量同時測定装置（ＤＡＴ−ＴＧＡ）で測定し、
昇温１℃あたりの熱重量の減少度が０．３重量％／℃以
上になったところの温度として定義した。
熱−熱重量同時測定装置（ＤＡＴ−ＴＧＡ）で測定し、
昇温１℃あたりの熱重量の減少度が０．３重量％／℃以
上になったところの温度として定義した。
【００１８】また、本発明の光カード用色素では、下記
一般式（１）
一般式（１）
【００１９】
【化３】
【００２０】［式中、Ｒ1 とＲ2 、Ｒ3 とＲ4 、Ｒ5 と
Ｒ6 、Ｒ7 とＲ8 の組み合わせにおいて少なくとも一方
は置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有
していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していて
もよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリ
ールチオ基、置換基を有していてもよいアルキルアミノ
基および置換基を有していてもよいアリールアミノ基の
中より選ばれる少なくとも１種の置換基（すなわち、Ｒ
1 〜Ｒ8 のうち塩素原子以外の置換基が複数個（２〜８
個）ある場合には、これらの置換基は、同種のものであ
っても、異種のものであってもよいことを意味するので
あって、１つの置換位置に複数の置換基を有することを
意味するものではない。）を表し、残りの置換基は塩素
原子であり、Ｍは金属、酸化金属、ハロゲン化金属を表
す。］で表されるフタロシアニン化合物を含んでなるも
のが望ましい。すなわち、上述したような溶媒溶解性、
吸収波長、反射率、耐光性、耐熱性の全てに優れたフタ
ロシアニン化合物が、上記一般式（１）に示す特定構造
を有する場合には、上記特性に加えて、フタロシアニン
骨格のα位に塩素原子を持ち、β位により大きな置換基
を持つものであるために、原料からの生産性が従来のα
位に置換基を持つものに比して極めて良好であるとする
利点を有するものである。
Ｒ6 、Ｒ7 とＲ8 の組み合わせにおいて少なくとも一方
は置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有
していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していて
もよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリ
ールチオ基、置換基を有していてもよいアルキルアミノ
基および置換基を有していてもよいアリールアミノ基の
中より選ばれる少なくとも１種の置換基（すなわち、Ｒ
1 〜Ｒ8 のうち塩素原子以外の置換基が複数個（２〜８
個）ある場合には、これらの置換基は、同種のものであ
っても、異種のものであってもよいことを意味するので
あって、１つの置換位置に複数の置換基を有することを
意味するものではない。）を表し、残りの置換基は塩素
原子であり、Ｍは金属、酸化金属、ハロゲン化金属を表
す。］で表されるフタロシアニン化合物を含んでなるも
のが望ましい。すなわち、上述したような溶媒溶解性、
吸収波長、反射率、耐光性、耐熱性の全てに優れたフタ
ロシアニン化合物が、上記一般式（１）に示す特定構造
を有する場合には、上記特性に加えて、フタロシアニン
骨格のα位に塩素原子を持ち、β位により大きな置換基
を持つものであるために、原料からの生産性が従来のα
位に置換基を持つものに比して極めて良好であるとする
利点を有するものである。
【００２１】ここで、上記一般式（１）におけるＲ1 〜
Ｒ8の定義におけるアルコキシ基としては、特に制限さ
れるものではないが、好ましくは炭素原子数１〜２０個
の直鎖、分岐鎖または環状のアルコキシ基であり、好ま
しくは炭素原子数１〜８個のアルコキシ基、特に好まし
くは炭素原子数１〜４個のアルコキシ基である。具体的
には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イ
ソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ
ｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチ
ルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキ
シ基、１，２−ジメチル−プロポキシ基、ｎ−ヘキシル
オキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１，３−ジメチル
ブトキシ基、１−イソプロピルプロポキシ基、１，２−
ジメチルブトキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、１，４−
ジメチルペンチルオキシ基、２−メチル−１−イソプロ
ピルプロポキシ基、１−エチル−３−メチルブトキシ
基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ
基、３−メチル−１−イソプロピルブトキシ基、２−メ
チル−１−イソプロポキシ基、１−ｔｅｒｔ−ブチル−
２−メチルプロポキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デ
シルオキシ基などのほか、メトキシメトキシ基、メトキ
シエトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキ
シ基、ブチキシエトキシ基、３−メトキシプロピルオキ
シ基、３−エトキシプロピルオキシ基、ジメトキシメト
キシ基、ジエトキシメトキシ基、ジメトキシエトキシ
基、ジエトキシエトキシ基などのアルコキシアルコキシ
基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエ
トキシ基、ブチルオキシエトキシエトキシ基などのアル
コキシアルコキシアルコキシ基、アルコキシアルコキシ
アルコキシアルコキシ基、クロロメトキシ基、２，２，
２−トリクロロロエトキシ基、トリフルオロメトキシ
基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プ
ロピルオキシ基、ジメチルアミノエトキシ基、ジエチル
アミノエトキシ基などのアルキルアミノアルコキシ基、
ジアルキルアミノアルコキシ基、ヒドロキシアルコキシ
基などが挙げられる。
Ｒ8の定義におけるアルコキシ基としては、特に制限さ
れるものではないが、好ましくは炭素原子数１〜２０個
の直鎖、分岐鎖または環状のアルコキシ基であり、好ま
しくは炭素原子数１〜８個のアルコキシ基、特に好まし
くは炭素原子数１〜４個のアルコキシ基である。具体的
には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イ
ソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ
ｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチ
ルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキ
シ基、１，２−ジメチル−プロポキシ基、ｎ−ヘキシル
オキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１，３−ジメチル
ブトキシ基、１−イソプロピルプロポキシ基、１，２−
ジメチルブトキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、１，４−
ジメチルペンチルオキシ基、２−メチル−１−イソプロ
ピルプロポキシ基、１−エチル−３−メチルブトキシ
基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ
基、３−メチル−１−イソプロピルブトキシ基、２−メ
チル−１−イソプロポキシ基、１−ｔｅｒｔ−ブチル−
２−メチルプロポキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デ
シルオキシ基などのほか、メトキシメトキシ基、メトキ
シエトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキ
シ基、ブチキシエトキシ基、３−メトキシプロピルオキ
シ基、３−エトキシプロピルオキシ基、ジメトキシメト
キシ基、ジエトキシメトキシ基、ジメトキシエトキシ
基、ジエトキシエトキシ基などのアルコキシアルコキシ
基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエ
トキシ基、ブチルオキシエトキシエトキシ基などのアル
コキシアルコキシアルコキシ基、アルコキシアルコキシ
アルコキシアルコキシ基、クロロメトキシ基、２，２，
２−トリクロロロエトキシ基、トリフルオロメトキシ
基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プ
ロピルオキシ基、ジメチルアミノエトキシ基、ジエチル
アミノエトキシ基などのアルキルアミノアルコキシ基、
ジアルキルアミノアルコキシ基、ヒドロキシアルコキシ
基などが挙げられる。
【００２２】上記一般式（１）におけるＲ1 〜Ｒ8の定
義における置換または無置換のアリールオキシ基として
は、特に制限されるものではないが、具体的には、フェ
ノキシ基、ｐ−メチルフェノキシ基（ｐ−トリルオキシ
基）などのアルキルフェノキシ基、ｐ−クロロフェノキ
シ基などハロゲン化フェノキシ基、ナフチルオキシ基、
キシリルオキシ基などが挙げられる。
義における置換または無置換のアリールオキシ基として
は、特に制限されるものではないが、具体的には、フェ
ノキシ基、ｐ−メチルフェノキシ基（ｐ−トリルオキシ
基）などのアルキルフェノキシ基、ｐ−クロロフェノキ
シ基などハロゲン化フェノキシ基、ナフチルオキシ基、
キシリルオキシ基などが挙げられる。
【００２３】上記一般式（１）におけるＲ1 〜Ｒ8の定
義における無置換のアルキルチオ基としては、特に制限
されるものではないが、好ましくは炭素原子数１〜２０
個の直鎖、分岐鎖または環状のアルキルチオ基であり、
より好ましくは炭素原子数１〜８個のアルキルチオ基、
特に好ましくは炭素原子数１〜４個のアルキルチオ基で
ある。置換または無置換のアルキルチオ基としては、具
体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピル
チオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソ
ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチ
ルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、イソペンチルチオ基、
ネオペンチルチオ基、１，２−ジメチルプロピルチオ
基、ｎ−ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、１，
３−ジメチルブチルチオ基、１−イソプロピルプロピル
チオ基、１，２−ジメチルブチルチオ基、ｎ−ヘプチル
チオ基、１，４−ジメチルペンチルチオ基、２−メチル
−１−イソプロピルプロピルチオ基、１−エチル−３−
メチルブチルチオ基、ｎ−オクチルチオ基、２−エチル
ヘキシルチオ基、３−メチル−１−イソプロピルブチル
チオ基、２−メチル−１−イソプロピルチオ基、１−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−２−メチルプロピルチオ基、ｎ−ノニ
ルチオ基、３，５，５−トリメチルヘキシルチオ基、ｎ
−デシルチオ基、ドデシルチオ基、ウンデシルチオ基、
トリデシルチオ基、テトラデシルチオ基、ペンタデシル
チオ基、ヘキサデシルチオ基、ヘプタデシルチオ基、オ
クタデシルチオ基、ノニデシルチオ基のほか、メトキシ
メチルチオ基、メトキシエチルチオ基、エトキシエチル
チオ基、ポロポキシエチルチオ基、ブトキシエチルチオ
基、３−メトキシプロピルチオ基、３−エトキシプロピ
ルチオ基、メトキシエトキシエチルチオ基、エトキシエ
トキシエチルチオ基、ジメトキシメチルチオ基、ジエト
キシメチルチオ基、ジメトキシエチルチオ基、ジエトキ
シエチルチオ基などのアルコキシアルキルチオ基、アル
コキシアルコキシアルキルチオ基、アルコキシアルコキ
シアルコキシアルキルチオ基、アルキルアミノアルキル
チオ基、ジアルキルアミノアルキルチオ基、アルコキシ
カルボニルアルキルチオ基、アルキルアミノカルボニル
アルキルチオ基、アルコキシスルホニルアルキルチオ
基、クロロメチルチオ基、２，２，２−トリクロロエチ
ルチオ基、トリフルオロメチルチオ基、１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピルチオ基、ジ
メチルアミノエチルチオ基、ジエチルアミノエチルチオ
基などのアルキルアミノアルキルチオ基、ジアルキルア
ミノアルキルチオ基、３−メチル−２−ブチルチオ基、
２，３−ジメチル−２−ブチルチオ基、３，３−ジメチ
ル−２−ブチルチオ基、２−メチル−３−ペンチルチオ
基、３−メチル−２−ペンチルチオ基、４−メチル−２
−ペンチルチオ基、２，２−ジメチル−３−ペンチルチ
オ基、２，３−ジメチル−３−ペンチルチオ基、２，４
−ジメチル−３−ペンチルチオ基、４，４−ジメチル−
２−ペンチルチオ基、２−メチル−３−ヘキシルチオ
基、５−メチル−２−ヘキシルチオ基、２，３，３−ト
リメチル−２−ブチルチオ基、３，４−ジメチル−２−
ペンチルチオ基、２，３−ジメチル−２−ペンチルチオ
基、３，３−ジメチル−２−ペンチルチオ基、３−エチ
ル−２−ペンチルチオ基、４−メチル−３−ヘキシルチ
オ基、３−メチル−２−ヘキシルチオ基、２，２−ジメ
チル−３−ヘキシルチオ基、２，３−ジメチル−２−ヘ
キシルチオ基、２，５−ジメチル−２−ヘキシルチオ
基、２，５−ジメチル−３−ヘキシルチオ基、３，４−
ジメチル−３−ヘキシルチオ基、３，５−ジメチル−３
−ヘキシルチオ基、３−エチル−２−メチル−３−ペン
チルチオ基、４−メチル−３−ヘプチルチオ基、５−メ
チル−２−ヘプチルチオ基、５−メチル−３−ヘプチル
チオ基、６−メチル−２−ヘプチルチオ基、６−メチル
−３−ヘプチルチオ基、２，３，４−トリメチル−２−
ペンチルチオ基、２，３，４−トリメチル−３−ペンチ
ルチオ基、２−メチル−３−エチル−２−ペンチルチオ
基、３−エチル−３−メチル−２−ペンチルチオ基、３
−エチル−４−メチル−２−ペンチルチオ基、２−エチ
ル−３−メチル−２−ペンチルチオ基、２，３−ジメチ
ル−３−ヘキシルチオ基、２，４−ジメチル−３−ヘキ
シルチオ基、４，５−ジメチル−３−ヘキシルチオ基、
４−エチル−３−ヘキシルチオ基、３−エチル−２−ヘ
キシルチオ基、３，４−ジメチル−２−ヘキシルチオ
基、３，５−ジメチル−２−ヘキシルチオ基、２−メチ
ル−３−ヘプチルチオ基、３−メチル−２−ヘプチルチ
オ基、３−メチル−４−ヘプチルチオ基、２，６−ジメ
チル−４−ヘプチルチオ基、３−エチル−２，２−ジメ
チル−３−ペンチルチオ基、２−メチル−３−オクチル
チオ基、３，５−ジメチル−４−ヘプチルチオ基、２，
４−ジメチル−３−エチル−３−ペンチルチオ基、２，
３−ジメチル−４−ヘプチルチオ基、４−エチル−２−
メチル−３−ヘキシルチオ基、２，４，５−トリメチル
−３−ヘキシルチオ基、３，４，５−トリメチル−２−
ヘキシルチオ基、３−エチル−４−メチル−２−ヘキシ
ルチオ基、４−エチル−３−メチル−２−ヘキシルチオ
基、２，３−ジメチル−４−ヘプチルチオ基、３，７−
ジメチル−３−オクチルチオ基、３，７−ジメチル−４
−オクチルチオ基、２，６−ジメチル−３−オクチルチ
オ基、２−メチル−３−ウンデシルチオ基、７−エチル
−２−メチル−４−ウンデシルチオ基、２−メチル−３
−トリデシルチオ基、２−メチル−４−トリデシルチオ
基などが挙げられる。
義における無置換のアルキルチオ基としては、特に制限
されるものではないが、好ましくは炭素原子数１〜２０
個の直鎖、分岐鎖または環状のアルキルチオ基であり、
より好ましくは炭素原子数１〜８個のアルキルチオ基、
特に好ましくは炭素原子数１〜４個のアルキルチオ基で
ある。置換または無置換のアルキルチオ基としては、具
体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピル
チオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソ
ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチ
ルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、イソペンチルチオ基、
ネオペンチルチオ基、１，２−ジメチルプロピルチオ
基、ｎ−ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、１，
３−ジメチルブチルチオ基、１−イソプロピルプロピル
チオ基、１，２−ジメチルブチルチオ基、ｎ−ヘプチル
チオ基、１，４−ジメチルペンチルチオ基、２−メチル
−１−イソプロピルプロピルチオ基、１−エチル−３−
メチルブチルチオ基、ｎ−オクチルチオ基、２−エチル
ヘキシルチオ基、３−メチル−１−イソプロピルブチル
チオ基、２−メチル−１−イソプロピルチオ基、１−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−２−メチルプロピルチオ基、ｎ−ノニ
ルチオ基、３，５，５−トリメチルヘキシルチオ基、ｎ
−デシルチオ基、ドデシルチオ基、ウンデシルチオ基、
トリデシルチオ基、テトラデシルチオ基、ペンタデシル
チオ基、ヘキサデシルチオ基、ヘプタデシルチオ基、オ
クタデシルチオ基、ノニデシルチオ基のほか、メトキシ
メチルチオ基、メトキシエチルチオ基、エトキシエチル
チオ基、ポロポキシエチルチオ基、ブトキシエチルチオ
基、３−メトキシプロピルチオ基、３−エトキシプロピ
ルチオ基、メトキシエトキシエチルチオ基、エトキシエ
トキシエチルチオ基、ジメトキシメチルチオ基、ジエト
キシメチルチオ基、ジメトキシエチルチオ基、ジエトキ
シエチルチオ基などのアルコキシアルキルチオ基、アル
コキシアルコキシアルキルチオ基、アルコキシアルコキ
シアルコキシアルキルチオ基、アルキルアミノアルキル
チオ基、ジアルキルアミノアルキルチオ基、アルコキシ
カルボニルアルキルチオ基、アルキルアミノカルボニル
アルキルチオ基、アルコキシスルホニルアルキルチオ
基、クロロメチルチオ基、２，２，２−トリクロロエチ
ルチオ基、トリフルオロメチルチオ基、１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピルチオ基、ジ
メチルアミノエチルチオ基、ジエチルアミノエチルチオ
基などのアルキルアミノアルキルチオ基、ジアルキルア
ミノアルキルチオ基、３−メチル−２−ブチルチオ基、
２，３−ジメチル−２−ブチルチオ基、３，３−ジメチ
ル−２−ブチルチオ基、２−メチル−３−ペンチルチオ
基、３−メチル−２−ペンチルチオ基、４−メチル−２
−ペンチルチオ基、２，２−ジメチル−３−ペンチルチ
オ基、２，３−ジメチル−３−ペンチルチオ基、２，４
−ジメチル−３−ペンチルチオ基、４，４−ジメチル−
２−ペンチルチオ基、２−メチル−３−ヘキシルチオ
基、５−メチル−２−ヘキシルチオ基、２，３，３−ト
リメチル−２−ブチルチオ基、３，４−ジメチル−２−
ペンチルチオ基、２，３−ジメチル−２−ペンチルチオ
基、３，３−ジメチル−２−ペンチルチオ基、３−エチ
ル−２−ペンチルチオ基、４−メチル−３−ヘキシルチ
オ基、３−メチル−２−ヘキシルチオ基、２，２−ジメ
チル−３−ヘキシルチオ基、２，３−ジメチル−２−ヘ
キシルチオ基、２，５−ジメチル−２−ヘキシルチオ
基、２，５−ジメチル−３−ヘキシルチオ基、３，４−
ジメチル−３−ヘキシルチオ基、３，５−ジメチル−３
−ヘキシルチオ基、３−エチル−２−メチル−３−ペン
チルチオ基、４−メチル−３−ヘプチルチオ基、５−メ
チル−２−ヘプチルチオ基、５−メチル−３−ヘプチル
チオ基、６−メチル−２−ヘプチルチオ基、６−メチル
−３−ヘプチルチオ基、２，３，４−トリメチル−２−
ペンチルチオ基、２，３，４−トリメチル−３−ペンチ
ルチオ基、２−メチル−３−エチル−２−ペンチルチオ
基、３−エチル−３−メチル−２−ペンチルチオ基、３
−エチル−４−メチル−２−ペンチルチオ基、２−エチ
ル−３−メチル−２−ペンチルチオ基、２，３−ジメチ
ル−３−ヘキシルチオ基、２，４−ジメチル−３−ヘキ
シルチオ基、４，５−ジメチル−３−ヘキシルチオ基、
４−エチル−３−ヘキシルチオ基、３−エチル−２−ヘ
キシルチオ基、３，４−ジメチル−２−ヘキシルチオ
基、３，５−ジメチル−２−ヘキシルチオ基、２−メチ
ル−３−ヘプチルチオ基、３−メチル−２−ヘプチルチ
オ基、３−メチル−４−ヘプチルチオ基、２，６−ジメ
チル−４−ヘプチルチオ基、３−エチル−２，２−ジメ
チル−３−ペンチルチオ基、２−メチル−３−オクチル
チオ基、３，５−ジメチル−４−ヘプチルチオ基、２，
４−ジメチル−３−エチル−３−ペンチルチオ基、２，
３−ジメチル−４−ヘプチルチオ基、４−エチル−２−
メチル−３−ヘキシルチオ基、２，４，５−トリメチル
−３−ヘキシルチオ基、３，４，５−トリメチル−２−
ヘキシルチオ基、３−エチル−４−メチル−２−ヘキシ
ルチオ基、４−エチル−３−メチル−２−ヘキシルチオ
基、２，３−ジメチル−４−ヘプチルチオ基、３，７−
ジメチル−３−オクチルチオ基、３，７−ジメチル−４
−オクチルチオ基、２，６−ジメチル−３−オクチルチ
オ基、２−メチル−３−ウンデシルチオ基、７−エチル
−２−メチル−４−ウンデシルチオ基、２−メチル−３
−トリデシルチオ基、２−メチル−４−トリデシルチオ
基などが挙げられる。
【００２４】上記一般式（１）におけるＲ1 〜Ｒ8の定
義における置換または無置換のアリールチオ基として
は、特に制限されるものではなく、具体的には、フェニ
ルチオ基、ｐ−メチルチオフェニル基などのアルキルフ
ェニルチオ基、ナフチルチオ基などが挙げられる。
義における置換または無置換のアリールチオ基として
は、特に制限されるものではなく、具体的には、フェニ
ルチオ基、ｐ−メチルチオフェニル基などのアルキルフ
ェニルチオ基、ナフチルチオ基などが挙げられる。
【００２５】上記一般式（１）におけるＲ1 〜Ｒ8の定
義における無置換のアルキルアミノ基としては、特に制
限されるものではなく、好ましくは炭素原子数１〜２０
個のアルキル部位を有するアルキルアミノ基、より好ま
しくは炭素原子数１〜８個のアルキル部位を有するアル
キルアミノ基、特に好ましくは炭素原子数１〜４個のア
ルキル部位を有するアルキルアミノ基である。置換また
は無置換のアルキルアミノ基としては、具体的には、メ
チルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ
基、イソプロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、イソ
ブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−
ブチルアミノ基、ｎ−ペンチルアミノ基、ｎ−ヘキシル
アミノ基、ｎ−ペプチルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ
基、ｎ−デシルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチル
アミノ基、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ジ−ｎ−ペン
チルアミノ基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ基、ジ−ｎ−ヘ
プチルアミノ基、ジ−ｎ−オクチルアミノ基、２−エチ
ルヘキシルアミノ基、ベンジルアミノ基、フェネチルア
ミノ基、α−メチルベンジルアミノ基が挙げられる。
義における無置換のアルキルアミノ基としては、特に制
限されるものではなく、好ましくは炭素原子数１〜２０
個のアルキル部位を有するアルキルアミノ基、より好ま
しくは炭素原子数１〜８個のアルキル部位を有するアル
キルアミノ基、特に好ましくは炭素原子数１〜４個のア
ルキル部位を有するアルキルアミノ基である。置換また
は無置換のアルキルアミノ基としては、具体的には、メ
チルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ
基、イソプロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、イソ
ブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−
ブチルアミノ基、ｎ−ペンチルアミノ基、ｎ−ヘキシル
アミノ基、ｎ−ペプチルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ
基、ｎ−デシルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチル
アミノ基、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ジ−ｎ−ペン
チルアミノ基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ基、ジ−ｎ−ヘ
プチルアミノ基、ジ−ｎ−オクチルアミノ基、２−エチ
ルヘキシルアミノ基、ベンジルアミノ基、フェネチルア
ミノ基、α−メチルベンジルアミノ基が挙げられる。
【００２６】上記一般式（１）におけるＲ1 〜Ｒ8の定
義における置換または無置換のアリールアミノ基として
は、アニリノ基（フェニルアミノ基）、ｏ−トルイジノ
基、ｐ−トルイジノ基（ｐ−メチルフェニルアミノ
基、）、ｍ−トルイジノ基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジ−ｐ−メチルフ
ェニルアミノ基、ジ−ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルア
ミノ基、２，４−キシリジノ基、２，６−キシリジノ基
などが挙げられる。
義における置換または無置換のアリールアミノ基として
は、アニリノ基（フェニルアミノ基）、ｏ−トルイジノ
基、ｐ−トルイジノ基（ｐ−メチルフェニルアミノ
基、）、ｍ−トルイジノ基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジ−ｐ−メチルフ
ェニルアミノ基、ジ−ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルア
ミノ基、２，４−キシリジノ基、２，６−キシリジノ基
などが挙げられる。
【００２７】上記アルコキシ基、アリールオキシ基、ア
ルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルアミノ基ない
しアリールアミノ基に存在していてもよい置換基として
は、上述した例示化合物にみられる各種の置換基を含
め、例えば、アルキル基、アルコシキ基、ハロゲン原
子、アシル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アル
コキシ基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、ア
ルキルカルボニルアミノ基、アリール基、アリールアミ
ノ基、アリールカルボニルアミノ基、アリールオキシカ
ルボニル基、アリールチオ基、カルボニル基、アルコシ
キカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、アルコ
キシスルホニル基、アルキルチオ基、カルバモイル基、
アルキルアミノアルキルオキシカルボニル基、ジアルキ
ルアミノアルキルオキシカルボニル基、アルコキシカル
ボニルアルキルオキシカルボニル基、アルキルアミノカ
ルボニルアルキルオキシカルボニル基、アルコキシスル
ホニルアルキルオキシカルボニル基、アルキルスルホニ
ルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、
オキシアルキルエーテル基などが例示できるが、これら
に限定されるものではない。その中でも好ましいのは、
アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールチオ
基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミ
ノ基、アルコキシアミノ基、アルコキシカルボニル基な
どである。これらの上記アルコキシ基、アリールオキシ
基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルアミノ
基ないしアリールアミノ基に存在していてもよい置換基
の種類は、複数個置換する場合には同種若しくは異種の
いずれであってもよい。
ルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルアミノ基ない
しアリールアミノ基に存在していてもよい置換基として
は、上述した例示化合物にみられる各種の置換基を含
め、例えば、アルキル基、アルコシキ基、ハロゲン原
子、アシル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アル
コキシ基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、ア
ルキルカルボニルアミノ基、アリール基、アリールアミ
ノ基、アリールカルボニルアミノ基、アリールオキシカ
ルボニル基、アリールチオ基、カルボニル基、アルコシ
キカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、アルコ
キシスルホニル基、アルキルチオ基、カルバモイル基、
アルキルアミノアルキルオキシカルボニル基、ジアルキ
ルアミノアルキルオキシカルボニル基、アルコキシカル
ボニルアルキルオキシカルボニル基、アルキルアミノカ
ルボニルアルキルオキシカルボニル基、アルコキシスル
ホニルアルキルオキシカルボニル基、アルキルスルホニ
ルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、
オキシアルキルエーテル基などが例示できるが、これら
に限定されるものではない。その中でも好ましいのは、
アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールチオ
基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミ
ノ基、アルコキシアミノ基、アルコキシカルボニル基な
どである。これらの上記アルコキシ基、アリールオキシ
基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルアミノ
基ないしアリールアミノ基に存在していてもよい置換基
の種類は、複数個置換する場合には同種若しくは異種の
いずれであってもよい。
【００２８】一般式（１）において、Ｍは、金属、酸化
金属あるいはハロゲン化金属である。具体的には、塩化
鉄、鉄、マグネシウム、ニッケル、コバルト、銅、パラ
ジウム、亜鉛、塩化アルミニウム、塩化インジウム、塩
化ゲルマニウム、塩化錫、塩化珪素、チタニル、バナジ
ルなどが挙げられる。このうち、好ましくはコバルト、
銅、亜鉛、塩化錫、バナジル、チタニルである。
金属あるいはハロゲン化金属である。具体的には、塩化
鉄、鉄、マグネシウム、ニッケル、コバルト、銅、パラ
ジウム、亜鉛、塩化アルミニウム、塩化インジウム、塩
化ゲルマニウム、塩化錫、塩化珪素、チタニル、バナジ
ルなどが挙げられる。このうち、好ましくはコバルト、
銅、亜鉛、塩化錫、バナジル、チタニルである。
【００２９】本発明に用いるフタロシアニン化合物は、
具体的には、例えば、次の表１に示されるフタロシアニ
ン化合物（１）〜（６）が挙げられる。
具体的には、例えば、次の表１に示されるフタロシアニ
ン化合物（１）〜（６）が挙げられる。
【００３０】
【表１】
【００３１】上記表１に示すフタロシアニン化合物の製
造は、例えば、フタロシアニン化合物（１）のフェノキ
シ置換フタロシアニン化合物を例にとると下記のスキー
ムに示した方法に従って合成できる。
造は、例えば、フタロシアニン化合物（１）のフェノキ
シ置換フタロシアニン化合物を例にとると下記のスキー
ムに示した方法に従って合成できる。
【００３２】
【化４】
【００３３】上記合成方法に示したように、まずテトラ
クロロオルソフタロニトリルに対してフェノールを求核
置換反応させてフェノキシ置換フタロニトリルを得る。
次いでフェノキシ置換フタロニトリルと金属源を適当な
溶媒中で反応させて目的のフタロシアニン化合物（１）
を得る。
クロロオルソフタロニトリルに対してフェノールを求核
置換反応させてフェノキシ置換フタロニトリルを得る。
次いでフェノキシ置換フタロニトリルと金属源を適当な
溶媒中で反応させて目的のフタロシアニン化合物（１）
を得る。
【００３４】同様にして、アルコキシ置換フタロシアニ
ン、アルキルチオ置換フタロシアニン、アリールチオ置
換フタロシアニン、アルキルアミノ置換フタロシアニ
ン、アリールアミノ置換フタロシアニンの製造も、まず
テトラクロロオルソフタロニトリルに対して所望の置換
基を有する求核性のある化合物として、例えば、アルコ
ール、アルキルチオール、アルキルアミンなどを反応さ
せて、置換フタロニトリル化合物を得た後、金属源と反
応させて目的のフタロシアニン化合物を得るという方法
で行うことができる。
ン、アルキルチオ置換フタロシアニン、アリールチオ置
換フタロシアニン、アルキルアミノ置換フタロシアニ
ン、アリールアミノ置換フタロシアニンの製造も、まず
テトラクロロオルソフタロニトリルに対して所望の置換
基を有する求核性のある化合物として、例えば、アルコ
ール、アルキルチオール、アルキルアミンなどを反応さ
せて、置換フタロニトリル化合物を得た後、金属源と反
応させて目的のフタロシアニン化合物を得るという方法
で行うことができる。
【００３５】本発明の光カード用色素では、上述したフ
タロシアニン化合物を含んでなるものであるが、こうし
たフタロシアニン化合物以外の色素、例えば、シアニン
色素、アントラキノン色素、ポリオレフィン色素、チア
ピリリウム色素等の中から選ばれる１種以上の色素を混
合して使用することができる。
タロシアニン化合物を含んでなるものであるが、こうし
たフタロシアニン化合物以外の色素、例えば、シアニン
色素、アントラキノン色素、ポリオレフィン色素、チア
ピリリウム色素等の中から選ばれる１種以上の色素を混
合して使用することができる。
【００３６】
【実施例】以下に、実施例により本発明を詳細に説明す
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３７】実施例１ 上記フタロシアニン化合物（１）１ｇを２−エトキシエ
タノール５０ｇに溶解し、ガラス基板上にスピンコータ
ーにてスピンコートした。次に、６０℃、３０分間熱風
乾燥機で乾燥し、フタロシアニン化合物（１）の色素薄
膜を得た。
タノール５０ｇに溶解し、ガラス基板上にスピンコータ
ーにてスピンコートした。次に、６０℃、３０分間熱風
乾燥機で乾燥し、フタロシアニン化合物（１）の色素薄
膜を得た。
【００３８】この色素薄膜の反射率、耐光性、耐熱性を
評価した。評価結果を表２にまとめた。
評価した。評価結果を表２にまとめた。
【００３９】実施例２ 上記フタロシアニン化合物（４）１ｇを２−エトキシエ
タノール５０ｇに溶解し、ガラス基板上にスピンコータ
ーにてスピンコートした。次に、６０℃、３０分間熱風
乾燥機で乾燥し、フタロシアニン化合物（４）の色素薄
膜を得た。
タノール５０ｇに溶解し、ガラス基板上にスピンコータ
ーにてスピンコートした。次に、６０℃、３０分間熱風
乾燥機で乾燥し、フタロシアニン化合物（４）の色素薄
膜を得た。
【００４０】この色素薄膜の反射率、耐光性、耐熱性を
評価した。評価結果を表２にまとめた。
評価した。評価結果を表２にまとめた。
【００４１】なお、反射率の評価は以下の方法により行
った。作製した色素薄膜の反射スペクトルを測定し、７
５０〜８５０ｎｍの反射率の極大値によって次の２段階
の評価を行った。 ○：反射率の極大値 ２５％以上 ×：反射率の極大値 ２５％未満 また耐光性は、色素薄膜をキセノン耐光性試験機（照射
光量１０万ルクス）にセッ卜し、経時での反射率の極大
値の残存率により次の３段階の評価を行った。 ○：１００時間経過後の反射率の極大値の残存率８０％
以上 △：１００時間経過後の反射率の極大値の残存率３０％
以上〜８０％未満 ×：１００時間経過後の反射率の極大値の残存率３０％
未満 また耐熱性は、色素薄膜を熱風乾燥機で２００℃、１時
間加熱後の反射率の極大値の残存率により次の３段階の
評価を行った。 ○：200℃、１時間加熱後の反射率の極大値の残存率８
０％以上 △：200℃、１時間加熱後の反射率の極大値の残存率３
０％以上〜８０％未満 ×：200℃、１時間加熱後の反射率の極大値の残存率３
０％未満
った。作製した色素薄膜の反射スペクトルを測定し、７
５０〜８５０ｎｍの反射率の極大値によって次の２段階
の評価を行った。 ○：反射率の極大値 ２５％以上 ×：反射率の極大値 ２５％未満 また耐光性は、色素薄膜をキセノン耐光性試験機（照射
光量１０万ルクス）にセッ卜し、経時での反射率の極大
値の残存率により次の３段階の評価を行った。 ○：１００時間経過後の反射率の極大値の残存率８０％
以上 △：１００時間経過後の反射率の極大値の残存率３０％
以上〜８０％未満 ×：１００時間経過後の反射率の極大値の残存率３０％
未満 また耐熱性は、色素薄膜を熱風乾燥機で２００℃、１時
間加熱後の反射率の極大値の残存率により次の３段階の
評価を行った。 ○：200℃、１時間加熱後の反射率の極大値の残存率８
０％以上 △：200℃、１時間加熱後の反射率の極大値の残存率３
０％以上〜８０％未満 ×：200℃、１時間加熱後の反射率の極大値の残存率３
０％未満
【００４２】
【表２】
【００４３】
【発明の効果】本発明の光カード用色素では、反射率の
極大値が２０％以上であり、キセノン耐光性試験機にて
１００時間照射後の反射率の残存率が３０％以上、好ま
しくは８０％以上であり、２００℃、１時間加熱後の反
射率の残存率が３０％以上、好ましくは８０％以上であ
るため、極めて優れた反射率、耐光性および耐熱性を有
する光カード用色素を提供することができるものであ
る。
極大値が２０％以上であり、キセノン耐光性試験機にて
１００時間照射後の反射率の残存率が３０％以上、好ま
しくは８０％以上であり、２００℃、１時間加熱後の反
射率の残存率が３０％以上、好ましくは８０％以上であ
るため、極めて優れた反射率、耐光性および耐熱性を有
する光カード用色素を提供することができるものであ
る。
【００４４】本発明の光カード用色素では、例えば、薄
膜の形態に加工したような場合での、反射率の最大値を
示す波長が７００〜９００ｎｍの範囲にあり、熱分解開
始温度が２５０℃以上であり、かつ溶媒に可溶、好まし
くは２−エトキシエタノールに対する溶解度が２重量％
以上であフタロシアニン化合物を含んでなるため、７０
０〜９００ｎｍに優れた光吸収反射を有し、溶媒溶解
性、耐熱性に優れてなるフタロシアニン化合物を含んで
なるため、樹脂等に対する十分な分散性が得られ、光カ
ード用色素としても優れた溶媒溶解性、吸収波長性能お
よび反射率特性（光吸収反射率特性）、耐光性、耐熱性
を有するものを提供することができるものである。
膜の形態に加工したような場合での、反射率の最大値を
示す波長が７００〜９００ｎｍの範囲にあり、熱分解開
始温度が２５０℃以上であり、かつ溶媒に可溶、好まし
くは２−エトキシエタノールに対する溶解度が２重量％
以上であフタロシアニン化合物を含んでなるため、７０
０〜９００ｎｍに優れた光吸収反射を有し、溶媒溶解
性、耐熱性に優れてなるフタロシアニン化合物を含んで
なるため、樹脂等に対する十分な分散性が得られ、光カ
ード用色素としても優れた溶媒溶解性、吸収波長性能お
よび反射率特性（光吸収反射率特性）、耐光性、耐熱性
を有するものを提供することができるものである。
【００４５】本発明の光カード用色素では、前記フタロ
シアニン化合物が、２−エトキシエタノールに対して２
重量％以上溶解するものであり、上記光カード用色素の
発明により得られる作用効果の度合い（ピーク効果を含
む）がより顕著であり、とりわけ、光カードの記録層に
用いる際に、薄膜等の形態に加工しやすいという利点を
有するものである。
シアニン化合物が、２−エトキシエタノールに対して２
重量％以上溶解するものであり、上記光カード用色素の
発明により得られる作用効果の度合い（ピーク効果を含
む）がより顕著であり、とりわけ、光カードの記録層に
用いる際に、薄膜等の形態に加工しやすいという利点を
有するものである。
【００４６】本発明の光カード用色素では、上記一般式
（１）で表されるフタロシアニン化合物を含んでなるこ
とを特徴とするので、かかる化学構造式を持つフタロシ
アニン化合物においては、その固有の化学構造によっ
て、フタロシアニン骨格のα位には塩素原子を持ち、β
位に嵩高の置換記を有するため、原料からの生産性に優
れ、また光カード用色素の要求性能である、７００〜９
００ｎｍに光吸収反射を有し、反射率、溶媒溶解性、反
射性、耐光性、耐熱性などの全ての特性を満足する良好
な特性を持つものであり、とりわけＷＯＲＭ型の光カー
ド用色素として非常に優れた効果を発揮するものであ
る。
（１）で表されるフタロシアニン化合物を含んでなるこ
とを特徴とするので、かかる化学構造式を持つフタロシ
アニン化合物においては、その固有の化学構造によっ
て、フタロシアニン骨格のα位には塩素原子を持ち、β
位に嵩高の置換記を有するため、原料からの生産性に優
れ、また光カード用色素の要求性能である、７００〜９
００ｎｍに光吸収反射を有し、反射率、溶媒溶解性、反
射性、耐光性、耐熱性などの全ての特性を満足する良好
な特性を持つものであり、とりわけＷＯＲＭ型の光カー
ド用色素として非常に優れた効果を発揮するものであ
る。
Claims (4)
- 【請求項１】 反射率の極大値が２０％以上であり、キ
セノン耐光性試験機にて１００時間照射後の反射率の残
存率が３０％以上であり、２００℃、１時間加熱後の反
射率の残存率が３０％以上であることを特徴とする光カ
ード用色素。 - 【請求項２】 反射率の最大値を示す波長が７００〜９
００ｎｍの範囲にあり、熱分解開始温度が２５０℃以上
であり、かつ溶媒に可溶であるフタロシアニン化合物を
含んでなることを特徴とする光カード用色素。 - 【請求項３】 前記フタロシアニン化合物が、２−エト
キシエタノールに対して２重量％以上溶解することを特
徴とする請求項２に記載の光カード用色素。 - 【請求項４】 下記一般式（１） 【化１】 ［式中、Ｒ1 とＲ2 、Ｒ3 とＲ4 、Ｒ5 とＲ6 、Ｒ7 と
Ｒ8 の組み合わせにおいて少なくとも一方は置換基を有
していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよ
いアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアルキ
ルチオ基、置換基を有していてもよいアリールチオ基、
置換基を有していてもよいアルキルアミノ基および置換
基を有していてもよいアリールアミノ基の中より選ばれ
る少なくとも１種の置換基を表し、残りの置換基は塩素
原子であり、Ｍは金属、酸化金属、ハロゲン化金属を表
す。］で表されるフタロシアニン化合物を含んでなるこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光
カード用色素。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10217913A JP2000043419A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 光カード用色素 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10217913A JP2000043419A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 光カード用色素 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000043419A true JP2000043419A (ja) | 2000-02-15 |
Family
ID=16711717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10217913A Pending JP2000043419A (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 光カード用色素 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000043419A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008274282A (ja) * | 2007-04-30 | 2008-11-13 | Cms Technology Inc | ガンマ線に感応するポリ架橋型フタロシアニン化合物及びこれを含むインク組成物 |
| JP2014031421A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Nippon Shokubai Co Ltd | フタロシアニン化合物およびこれを含む赤外線カットフィルター |
-
1998
- 1998-07-31 JP JP10217913A patent/JP2000043419A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008274282A (ja) * | 2007-04-30 | 2008-11-13 | Cms Technology Inc | ガンマ線に感応するポリ架橋型フタロシアニン化合物及びこれを含むインク組成物 |
| JP2014031421A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Nippon Shokubai Co Ltd | フタロシアニン化合物およびこれを含む赤外線カットフィルター |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040701 |