JP2000031092A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 金属シリサイド層の採用により、拡散層抵抗
等を低減した高集積度半導体装置における、金属シリサ
イド層の凝集によるシート抵抗値の上昇を防止する。 【解決手段】 金属シリサイド層７形成後、水素活性種
（Ｈ^* ）を照射して、金属シリサイド層７表面および内
部の酸素および炭素を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、さらに詳しくは、金属シリサイド層により拡
散層抵抗や配線抵抗を低減した高集積度半導体装置の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高集積度半導体装置の動作速度の
向上が求められており、この目的のために、ゲート電極
上や不純物拡散層上に金属シリサイド層を自己整合的に
形成して、配線抵抗や拡散層抵抗を低減するＳＡＬＩＣ
ＩＤＥ (Self Aligned Silicide)技術が広く適用されて
いる。金属シリサイド材料としては、ＴｉＳｉ₂ 、Ｔａ
Ｓｉ₂ 等の高融点金属シリサイド、ＣｏＳｉ₂ 、ＮｉＳ
ｉ₂ 等の遷移金属シリサイドが用いられる。

【０００３】一方、ロジック部とＤＲＡＭ (Dynamic Ra
ndom Accsess Memory)部とを１チップ上に混載したＵＬ
ＳＩ (Ultra Large Scale Integrated Circuites) デバ
イスの開発も強く要求されている。このようなデバイス
を製造する工程においては、ソース／ドレインの不純物
拡散層領域に金属シリサイド層を形成した後、この上に
ＤＲＡＭのキャパシタを形成する。ＤＲＡＭキャパシタ
の形成工程においては、その構造によっては８５０℃以
上の熱処理を必要とする場合がある。このような高温熱
処理を金属シリサイド層に加えると、金属シリサイド層
が凝集して不連続な膜となる。不連続膜となった金属シ
リサイド層は、シート抵抗が著しく上昇し、このため高
集積度半導体装置の高速化を達成することができない。

【０００４】高温熱処理時における金属シリサイド層の
凝集の原因のひとつとして、金属シリサイド層中の残留
酸素が挙げられる。金属シリサイド層中の酸素は、その
結晶粒界に偏析しており、粒界において金属−Ｏ結合、
Ｓｉ−Ｏ結合あるいは金属−Ｓｉ−Ｏ結合等からなる酸
素リッチ層を形成している。これら金属酸化物やシリコ
ン酸化物は、金属シリサイドに比較すると安定な物質で
ある。したがって、金属シリサイドの再結晶化温度以上
の熱処理を加えた場合には、金属シリサイドと酸化物系
物質の粒界は、たやすく層分離して凝集し、この状態で
安定化するものと考えられている。Ｔｉシリサイドの場
合には、この再結晶化温度は８００〜８５０℃程度であ
るため、８５０℃以上の熱処理を加えるとＴｉシリサイ
ドが凝集し、シート抵抗が急激に上昇する。他の金属シ
リサイドも同様の傾向を示す。

【０００５】金属シリサイド層中に酸素が取り込まれる
原因は次のように考えられる。その一つは、酸化シリコ
ン等の酸化膜を介してシリコン基板に不純物をイオン注
入した場合に、酸化膜中の酸素原子がシリコン基板にノ
ックオンされることが挙げられる。この後、このシリコ
ン基板と高融点金属との反応により金属シリサイド層を
形成する際に、シリコン基板中にノックオンされた酸素
原子が金属シリサイド層中に取り込まれる。そこで酸素
のノックオンを防止するため、酸化膜に換えて窒化膜を
介してイオン注入する技術が提案されている (Technica
l Digests of IEDM, pp457-460, (1995)) 。しかし窒化
膜の残留応力がシリコン基板に与える影響等は未解決で
ある。

【０００６】二つ目として、シリコン基板表面の自然酸
化膜も、金属シリサイド層への酸素取り込みの原因に挙
げられる。そこで、シリコン基板表面の自然酸化膜を除
去するための新たな洗浄法として、ＣＦ₄ ／Ｏ₂ 混合ガ
スのプラズマでドライ前処理した後、希フッ酸等による
ウェット洗浄をおこなう方法が提案されている (Extend
ed Abstracts of the 1994 International Conference
of SSDM, pp622-624)。しかしながら、ウェット洗浄後
にシリコン基板は大気に曝されるため、再度自然酸化膜
が形成されることは防止できない。このように、金属シ
リサイド層中の酸素濃度を低減することが金属シリサイ
ド層の耐熱性を向上する上で重要であることが認識され
ている。

【０００７】さらに、金属シリサイド層上の層間絶縁膜
に接続孔を開口する場合に、異方性エッチングを達成す
るための炭素ポリマ系側壁保護膜やレジストマスクに起
因する炭素汚染も、金属シリサイド層のシート抵抗を上
昇する原因の一つである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いずれ
の方法でも金属シリサイド層への酸素原子等の取り込み
を完全に防止することは未解決のままである。本発明は
このような技術的背景のもとに提案するものであり、金
属シリサイド層中および表面の酸素濃度や炭素濃度を低
減することにより、金属シリサイド層の凝集を防止して
その耐熱性を向上し、低い拡散層抵抗および配線抵抗を
備えた、高動作速度の高集積度半導体装置を提供するこ
とを課題とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の半導体装
置の製造方法は、シリコン系材料表面に、自己整合的に
高融点金属シリサイド層を形成する工程、水素の放電解
離によりプラズマ中に生成した水素活性種を、この金属
シリサイド層に照射する工程、以上の工程を具備するこ
とを特徴とする。

【００１０】本発明の第２の半導体装置の製造方法は、
シリコン系材料表面に、自己整合的に高融点金属シリサ
イド層を形成する工程、水素の放電解離によりプラズマ
中に生成した水素活性種を、この金属シリサイド層に照
射する工程、続けてこの金属シリサイド層を大気に曝す
ことなく、連続的に層間絶縁膜を形成する工程、この層
間絶縁膜に接続孔を開口し、下層の金属シリサイド層表
面を選択的に露出する工程、水素の放電解離によりプラ
ズマ中に生成した水素活性種を、露出したこの金属シリ
サイド層表面に照射する工程、露出した金属シリサイド
層表面を大気に曝すことなく、連続的に配線材料層を形
成して接続孔を埋め込む工程、以上の工程を具備するこ
とを特徴とする。

【００１１】いずれの半導体装置の製造方法において
も、シリコン系材料としては、半導体装置の不純物拡散
層あるいはゲート電極である場合に好ましく適用するこ
とができる。ゲート電極は、ＭＯＳトランジスタのチャ
ネル部分の他に、このゲート電極から延在する配線部分
をも含むものとする。シリコン系材料の材料としては、
単結晶シリコン、多結晶シリコンおよび非晶質シリコン
のいずれでもよい。

【００１２】またいずれの半導体装置の製造方法におい
ても、水素を放電解離するプラズマ処理装置は１０¹⁰／
ｃｍ³ 以上の電子密度が得られる高密度プラズマ処理装
置を用いることが、水素活性種処理のスループットやデ
バイスダメージ、あるいは均一性の点で好ましい。この
ようなプラズマ処理装置としては、ＥＣＲプラズマ処理
装置、ＩＣＰ処理装置あるいはヘリコン波プラズマ処理
装置等が例示される。

【００１３】本発明においては、水素の放電解離により
水素分子はプラズマ中の電子と衝突して水素原子に解離
され、励起状態となる（Ｈ₂ ＋ｅ→２Ｈ＋ｅ）。プラズ
マ中に生成した水素活性種を、金属シリサイド層に照射
すると、金属シリサイド層表面の酸素や炭素等は還元反
応により除去される。また水素活性種はその原子半径が
小さいので、金属シリサイド層中に容易に侵入し、金属
シリサイド層中の酸素と反応してこれを除去する（２Ｈ
＋Ｏ→Ｈ₂ Ｏ）。

【００１４】したがって、金属シリサイド層表面あるい
は内部の金属−Ｏ結合、Ｓｉ−Ｏ結合あるいは金属−Ｓ
ｉ−Ｏ結合等は金属−Ｓｉ結合に還元され、耐熱性に優
れた金属シリサイド層に変換される。金属シリサイドの
構成元素であるＴｉあるいはＣｏ等の金属は、水素化さ
れたとしても蒸気圧が低い物質であるため、水素活性種
の照射によりエッチング除去される虞はない。

【００１５】このようにして、残留酸素が低減された金
属シリサイド層上に層間絶縁膜を形成し、金属シリサイ
ド層に臨んで接続孔を開口する場合には、接続孔底部に
露出した金属シリサイド層表面が再度汚染される可能性
が高い。すなわち、接続孔開口工程におけるエッチング
ガス、あるいはレジストマスクのアッシング工程におけ
るアッシングガスにより、接続孔底部に露出した金属シ
リサイド層表面が酸化あるいは炭素系汚染物が残留する
問題がある。このような場合にも、水素の放電解離によ
りプラズマ中に生成した水素活性種を金属シリサイド層
に再度照射することにより、酸素や炭素等を除去するこ
とができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施形態例
につき図面を参照して説明する。以下の実施形態例は、
いずれもＭＯＳ型トランジスタの不純物拡散層およびゲ
ート電極に形成した金属シリサイド層に本発明を適用し
た例である。

【００１７】〔実施形態例１〕本実施形態例はＣｏシリ
サイドの耐熱性向上のために本発明を適用した例であ
り、この工程を図１〜図２を参照して説明する。

【００１８】まず図１（ａ）に示すように、シリコン基
板１に素子分離領域２、ゲート電極３、不純物拡散層
４、金属層５およびＴｉＮ層６を常法により順次形成す
る。このうち、ゲート電極３は多結晶シリコンや非晶質
シリコン等からなり、ＬＤＤサイドウォールスペーサを
有していてもよい。図示の例はＬＤＤサイドウォールス
ペーサを形成した例である。

【００１９】不純物拡散層４は不図示の酸化膜を介して
不純物をイオン注入し、活性化熱処理を施して形成した
ものである。したがって微量の酸素原子がノックオンさ
れている。金属層５は本実施形態例ではＣｏ金属からな
る。この金属層を形成する前に不純物拡散層４やゲート
電極３表面を希フッ酸により洗浄し、この後乾燥のため
に被処理基板を大気に曝したため、再度薄い自然酸化膜
（不図示）が不純物拡散層４やゲート電極３表面に形成
されている。金属層５およびＴｉＮ層６の厚さは、それ
ぞれ１０ｎｍおよび５ｎｍ程度でよい。

【００２０】つぎにシリサイド化反応のための熱処理を
施す。熱処理条件は、赤外線ランプ等を熱源としたＲＴ
Ａ (Rapid Thermal Annealing)装置により、５５０℃３
０秒程度でよい。この工程により、図１（ｂ）に示すよ
うに不純物拡散層４およびゲート電極３上には自己整合
的に金属シリサイド層７が形成される。この金属シリサ
イド層７中には、不純物拡散層４からの酸素原子が取り
込まれている。なおゲート電極３上にオフセット絶縁膜
（不図示）が形成されている場合には、ゲート電極３上
には金属シリサイド層は形成されない。

【００２１】この後図１（ｃ）に示すように、アンモニ
ア過水（ＮＨ₄ ＯＨ／Ｈ₂ Ｏ₂ ／Ｈ₂ Ｏ水溶液）により
ＴｉＮ層６を除去する。ウェットエッチング条件は６５
℃３分間でよい。このＴｉＮ層６は、シリサイド化熱処
理の際の金属層５および形成された金属シリサイド層７
の酸化防止のために形成したものであり、Ａｒ等の不活
性ガス中で熱処理する場合には省略してもよい。続け
て、素子分離領域２上やゲート電極３のＬＤＤサイドウ
ォールスペーサ上に残った未反応の金属層５を除去す
る。Ｃｏからなる金属層５の除去は、Ｈ₂ ＳＯ₄ ／Ｈ₂
Ｏ₂ を主成分とする薬液に、６５℃３分間程度浸漬する
ウェットエッチング条件でよい。

【００２２】第２のＲＴＡを７００℃３０秒間の条件で
施し、金属シリサイド層７をＣｏＳｉ₂ の安定相とする
（図１（ｃ））。これらのＲＴＡ処理工程で、雰囲気中
に巻き込まれた酸素により、金属シリサイド層７表面は
若干酸化される。

【００２３】つぎに被処理基板をＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置に搬入し、水素活性種を照射する。水素の放電解離
条件は次の条件による。 Ｈ₂ １００〜２００ ｓｃｃｍ Ａｒ ５０〜２００ ｓｃｃｍ μ波電力 ２．０〜２．８ ｋＷ 基板温度 ４００〜６００ ℃ 照射時間 １８０〜３００ ｓｅｃ

【００２４】生成した励起状態の水素活性種は、図１
（ｄ）に示すように金属シリサイド層７表面の酸素およ
び炭素を還元除去する。また金属シリサイド層７内部に
侵入し、内部に取り込まれた酸素を除去する。 Ｈ＋ＣｏＳｉＯ_x →Ｈ₂ Ｏ＋ＣｏＳｉ₂ Ｈ＋ＣｏＳｉＣ_x →ＣＨ₄ ＋ＣｏＳｉ₂

【００２５】次に図２（ｅ）に示すように層間絶縁膜８
を堆積し、レジストマスク（不図示）形成およびドライ
エッチングにより不純物拡散層４およびゲート電極３に
臨む接続孔９を開口し、不要となったレジストマスクを
アッシング除去する。この状態では接続孔９底部に露出
する金属シリサイド層７表面は酸化層が形成されてお
り、また炭素系の汚染物（いずれも不図示）が残留して
いる。そこで、被処理基板を再びＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置に搬入し、水素活性種を照射する。水素の放電解離
条件は先に示した条件と同じでよい。この水素活性種の
照射により、接続孔９底部に露出する金属シリサイド層
７表面は還元され、清浄なＣｏＳｉ₂ 表面となる。

【００２６】この後、同じＥＣＲプラズマＣＶＤ装置内
で真空を破ることなく、直ちにＴｉによるコンタクトメ
タル層、ＴｉＮによるバリアメタル層を堆積する。Ｔｉ
のプラズマＣＶＤ条件 ＴｉＣｌ₄ ２〜 ７ ｓｃｃｍ Ｈ₂ ８０〜１４０ ｓｃｃｍ Ａｒ １７０〜３００ ｓｃｃｍ マイクロ波電力 ２．８ ｋＷ 基板温度 ３００〜４６０ ℃ ＴｉＮのプラズマＣＶＤ条件 ＴｉＣｌ₄ ５〜 ７ ｓｃｃｍ Ｈ₂ ２０〜 ７０ ｓｃｃｍ Ｎ₂ ８０〜１４０ ｓｃｃｍ Ａｒ １５０〜１７０ ｓｃｃｍ マイクロ波電力 ２．８ ｋＷ 基板温度 ３００〜４６０ ℃

【００２７】さらに、ブランケットＣＶＤによりＷを全
面に形成し、ＣＭＰ (Chemical mechanical polishing)
により層間絶縁膜８上のＴｉ層、ＴｉＮ層およびＷ層を
除去し、接続孔９内にコンタクトプラグ１０を埋め込
む。つぎにＡｌ系金属をスパッタリング法により全面に
形成し、これをパターニングして上層配線１１とする。
この状態を図２（ｆ）に示す。

【００２８】本実施形態例におけるＣｏＳｉ₂ 層への水
素活性種の照射効果を確認するため、ＣｏＳｉ₂ 層中の
酸素および炭素をＳＩＭＳにより分析した結果を図３お
よび図４に示す。このうち図３は酸素の分析結果であ
る。すなわち、不純物拡散層上にシリサイド化反応によ
り形成された３０ｎｍのＣｏＳｉ₂ 層に水素活性種を照
射し、直ちに酸化防止のためのキャップ層として同じく
３０ｎｍのＴｉＮ層を形成した試料の、深さ方向の酸素
濃度プロファイルである。グラフの横軸はＡｒによるス
パッタリング時間であり、左側が表面（ＴｉＮ層）側、
右側がシリコン基板側である。また縦軸は検出された２
次イオンのカウント数である。図３は水素活性種の照射
時間をパラメータとして示している。

【００２９】図３のグラフによると、水素活性種を照射
しない従来法によるＣｏＳｉ₂ 層は、その表面から中層
にかけて多量の酸素が検出される。一方、３０ｓｅｃの
水素活性種の照射によりＣｏＳｉ₂ 層中の酸素濃度は激
減し、６０ｓｅｃ以上の照射によりほぼ一定値に収斂す
る。また熱処理によるＣｏＳｉ₂ 層の凝集を防止する上
で重要な、シリコン基板との界面近傍のＣｏＳｉ₂層中
の酸素濃度は、水素活性種の照射時間が長くなる程減少
する。実験結果によれば、１８０ｓｅｃ以上の水素活性
種照射により、熱処理後のＣｏＳｉ₂ 層の凝集はほぼ完
全に防止された。

【００３０】一方、図４は炭素のＳＩＭＳ分析結果であ
る。試料および分析方法等は図３と同様であるが、グラ
フの縦軸は図３より２〜３桁小さい微量濃度領域の分析
結果である。図４のグラフから、水素活性種の照射によ
りＣｏＳｉ₂ 層中の炭素濃度が減少することが明らかで
ある。

【００３１】さて、水素活性種の照射により、水素原子
あるいは水素活性種がＣｏＳｉ₂ 層中を拡散してシリコ
ン（ｐ⁺ - Ｓｉ）基板に侵入し、キャリアを不活性化す
る可能性が懸念される。そこで、図５に水素のＳＩＭＳ
分析結果を示す。図５は、ＣｏＳｉ₂ 層に水素活性種の
照射を３００ｓｅｃ施した試料、および未照射の試料の
深さ方向の水素濃度分析結果である。試料および分析方
法等は図３と同様である。図５のグラフから明らかなよ
うに、シリコン基板中の水素濃度はいずれも極く微量で
分析装置のバックグラウンドノイズレベルである。すな
わち、水素活性種の照射によりシリコン基板中に水素原
子あるいは水素活性種が侵入する現象は観測されなかっ
た。また、水素活性種を照射した試料により半導体装置
を製造した際に、トランジスタ特性が劣化する現象もみ
られなかった。

【００３２】本実施形態例によれば、ＣｏＳｉ₂ 層をエ
ッチングすることなく、その表面および内部の酸素およ
び炭素濃度を低減することが可能となる。したがって、
ＣｏＳｉ₂ 層の耐熱性が向上し、その凝集によりシート
抵抗が上昇することがない。

【００３３】〔実施形態例２〕本実施形態例は、金属シ
リサイドとしてＴｉシリサイドを採用して水素活性種の
照射を施し、その耐熱性を向上した例である。この工程
を同じく図１〜図２を参照して説明するが、本実施形態
例特有の説明に留め、前実施形態例１との重複部分の説
明は省略する。

【００３４】図１（ａ）； シリコン基板１に素子分離
領域２、ゲート電極３、不純物拡散層４、金属層５を常
法により順次形成する。このうち、金属層５はＴｉ金属
からなり、不純物拡散層４やゲート電極３表面を希フッ
酸で洗浄後、スパッタリング法により３０ｎｍの厚さに
形成する。なお本実施形態例ではＴｉＮ層の形成は省略
する。

【００３５】図１（ｂ）； つぎにシリサイド化反応の
ための熱処理を施す。熱処理条件は、ＲＴＡ装置によ
り、６５０℃３０秒程度でよい。

【００３６】図１（ｃ）； この後アンモニア過水によ
り素子分離領域２上やゲート電極３のＬＤＤサイドウォ
ールスペーサ上に残った未反応の金属層５を除去する。
第２のＲＴＡを８００℃３０秒間の条件で施し、金属シ
リサイド層７をＴｉＳｉ₂ の安定相とする。本実施形態
例においても、金属層５形成前の希フッ酸洗浄後に、被
処理基板は一旦大気に触れるため、不純物拡散層４やゲ
ート電極３表面には若干自然酸化膜が形成される。また
ＲＴＡ熱処理時に雰囲気中に巻き込まれた酸素により、
金属シリサイド層７表面は若干酸化される。

【００３７】図１（ｄ）； つぎに被処理基板をＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置に搬入し、水素活性種を照射する。
水素の放電解離条件は次の条件による。 Ｈ₂ １００〜２００ ｓｃｃｍ Ａｒ ５０〜２００ ｓｃｃｍ μ波電力 ２．０〜２．８ ｋＷ 基板温度 ４００〜６００ ℃ 照射時間 １２０〜３００ ｓｅｃ

【００３８】生成した励起状態の水素活性種は、図に示
すように金属シリサイド層７表面の酸素および炭素を還
元除去する。また金属シリサイド層７内部に侵入し、内
部に取り込まれた酸素を除去する。 Ｈ＋ＴｉＳｉＯ_x →Ｈ₂ Ｏ＋ＴｉＳｉ₂ Ｈ＋ＴｉＳｉＣ_x →ＣＨ₄ ＋ＴｉＳｉ₂

【００３９】以下、層間絶縁膜の形成工程以降は前実施
形態例１と同様でよい。本実施形態例によっても、金属
シリサイド層７表面および内部の酸素および炭素は除去
され、引き続く熱処理で凝集が発生することはなかっ
た。

【００４０】本実施形態例によっても、ＴｉＳｉ₂ 層を
エッチングすることなく、その表面および内部の酸素お
よび炭素濃度を低減することが可能となる。

【００４１】以上本発明の半導体装置の製造方法を詳し
く説明したが、本発明はこれら実施形態例に示した具体
的方法以外に各種形態をとることができる。例えば、金
属シリサイド層としてＣｏＳｉ₂ やＴｉＳｉ₂ 以外にＮ
ｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ等各種遷移金属や高融点金属
のシリサイドに適用することができる。

【００４２】また水素活性種の照射工程においては、Ｅ
ＣＲプラズマ処理装置以外にヘリコン波プラズマ処理装
置等、各種プラズマ処理装置を利用することができる。
特に高密度プラズマ処理装置の採用により、均一でスル
ープットの高い処理を施すことができる。

【００４３】本発明は、ロジック部とＤＲＡＭ部が１チ
ップ上に混載された高集積度半導体装置に特に好適に採
用することができるが、これに限らず、拡散層抵抗や配
線抵抗の低減が必要とされる各種高集積度半導体装置に
適用して好結果を収めることが可能である。

【００４４】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば金属シリサイド層表面および内部の酸素および
炭素濃度を低減することが可能となる。したがって、後
工程において熱処理を加えても金属シリサイド層が凝集
することなく、金属シリサイド層本来の低抵抗なシート
抵抗を得ることができる。本発明の水素活性種照射によ
り、金属シリサイド層がエッチングされたり、シリコン
基板のキャリアを不活性化する等の虞はない。本発明の
採用により、高集積度半導体装置の動作速度の向上を、
信頼性高く実現することが可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の製造方法を、その工程順
に説明する概略断面図である。

【図２】本発明の半導体装置の製造方法を、その工程順
に説明する概略断面図であり、図１に続く工程を示す。

【図３】金属シリサイド層中の酸素濃度プロファイルを
示す図である。

【図４】金属シリサイド層中の炭素濃度プロファイルを
示す図である。

【図５】金属シリサイド層およびシリコン基板中の水素
濃度プロファイルを示す図である。

【符号の説明】

１…シリコン基板、２…素子分離領域、３…ゲート電
極、４…不純物拡散層、５…金属層、６…ＴｉＮ層、７
…金属シリサイド層、８…層間絶縁膜、９…接続孔、１
０…コンタクトプラグ、１１…上層配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M104 AA01 BB20 BB25 CC01 CC05 DD06 DD43 DD45 DD64 DD79 DD80 DD84 DD86 FF14 FF18 FF22 GG09 GG10 HH16 5F033 AA02 AA04 AA16 AA72 BA15 BA24 BA25 BA38 BA46 DA02 DA07 DA15 DA16 DA35 EA03 5F040 EC07 EC13 EH01 EJ07 FB04 FC19

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シリコン系材料表面に、自己整合的に高
   融点金属シリサイド層を形成する工程、 水素の放電解離によりプラズマ中に生成した水素活性種
   を、前記金属シリサイド層に照射する工程、 以上の工程を具備することを特徴とする半導体装置の製
   造方法。
2. 【請求項２】 シリコン系材料表面に、自己整合的に高
   融点金属シリサイド層を形成する工程、 水素の放電解離によりプラズマ中に生成した水素活性種
   を、前記金属シリサイド層に照射する工程、 前記金属シリサイド層を大気に曝すことなく、連続的に
   層間絶縁膜を形成する工程、 前記層間絶縁膜に接続孔を開口し、前記金属シリサイド
   層表面を選択的に露出する工程、 水素の放電解離によりプラズマ中に生成した水素活性種
   を、露出した前記金属シリサイド層表面に照射する工
   程、 露出した前記金属シリサイド層表面を大気に曝すことな
   く、連続的に配線材料層を形成して前記接続孔を埋め込
   む工程、 以上の工程を具備することを特徴とする半導体装置の製
   造方法。
3. 【請求項３】 前記シリコン系材料は、半導体装置の不
   純物拡散層であることを特徴とする請求項１または２記
   載の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記シリコン系材料は、半導体装置のゲ
   ート電極であることを特徴とする請求項１または２記載
   の半導体装置の製造方法。