JP2000022338A - 多層配線基板およびその製造方法 - Google Patents
多層配線基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2000022338A JP2000022338A JP10182065A JP18206598A JP2000022338A JP 2000022338 A JP2000022338 A JP 2000022338A JP 10182065 A JP10182065 A JP 10182065A JP 18206598 A JP18206598 A JP 18206598A JP 2000022338 A JP2000022338 A JP 2000022338A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- wiring layer
- insulating substrate
- wiring board
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
成し、銅の拡散による配線層間の絶縁劣化を防止し、高
密度の配線層が形成可能であり、且つ研磨工程等を必要
としない安価な多層配線基板の製造方法を提供する。 【解決手段】Al2 O3 等の酸化物セラミックスからな
る複数の絶縁層1a,1b、1cを積層してなる絶縁基
板1と、絶縁基板1内部に、少なくとも銅単体、あるい
は銅とタングステンおよび/またはモリブデンを含み、
Cu/(Cu+W+Mo)の体積比率が0.3以上の複
合材料を主成分とする導体からなる内部配線層2aが配
設され、水素を含む露点が−20℃以下の非酸化性雰囲
気中で同時焼成することにより、内部配線層2aの周囲
のセラミックスへの銅の拡散距離を20μm以下とする
とともに、平均表面粗さ(Ra)が1μm以下の平滑性
に優れた基板を得る。
Description
スを絶縁基板とする多層配線基板に関し、詳細には14
00℃〜1500℃の温度での焼結が可能で良好な熱伝
導率を有し、かつマイグレーションの少ない低抵抗の配
線層を具備した多層配線基板とその製造方法に関する。
体装置から発生する熱も増加している。半導体装置の誤
動作をなくすためには、このような熱を装置外に放出可
能な配線基板が必要である。
高速化により、信号の遅延が問題となり、導体損失の小
さい、つまり低抵抗の導体を用いることが要求されてき
た。従来から多用されているタングステンを主体とした
導体では高々8mΩ/□程度までしか低くできなかっ
た。そこで低抵抗導体である銅や銀と同時焼成可能な、
いわゆるガラスセラミックスを用いた多層配線基板が提
案されている。
は高々数W/m・Kしかなく、前記熱的問題を解決する
ことが難しくなってきている。そこで、この熱的問題点
と、電気的問題点を同時に解決する方法として、酸化ア
ルミニウムに、銅、または銅とタングステンまたはモリ
ブデンを組み合わせた導体層を同時焼成により形成する
方法が特開平7−15101号、特開平8−8502
号、特許第2666744号に提案されている。
8−8502号は、そもそも酸化アルミニウムを緻密化
させるために、1600℃以上の高い温度で焼成するこ
とを前提とするものであり、その結果、配線層中の銅成
分が、焼成中に絶縁基板のセラミックス中に拡散し、配
線層間の絶縁性が劣化するという問題があった。
の低温での焼結性を改善して焼成温度を低くするも有効
的と考えられるが、焼成温度を低くしても焼成炉及び焼
成治具等から発生する酸素またはこの酸素と雰囲気中の
水素との反応で生成する水蒸気により銅が酸化してしま
い、銅が拡散しやすい酸化銅となるために、結果として
焼成中の拡散または揮散を防止することができず、配線
層間の絶縁性が劣化を防止できないという問題があっ
た。
ば、すべての配線層を絶縁基板内部に配設して同時焼成
した後、研磨等により表面の絶縁層を除去して導体を表
面に露出させて表面配線層を形成することが開示されて
いるが、本方法では当然ながら、研磨等の工程が付加さ
れるためコストアップにつながるものであった。
均粒径が5〜50nmの微細なアルミナ粉末を用い12
00℃以下の低温で金、銀、銅、等と同時焼成する方法
が開示されているが、このような微粉末を用いることは
工程上、大きな困難を伴うことになり、コストアップに
つながるものであった。
らなる内部配線層を同時焼成により形成し、銅の拡散に
よる配線層間の絶縁劣化を防止し、高密度の配線層が形
成可能であり、且つ研磨工程等を必要としない安価な多
層配線基板と、その製造方法を提供することを目的とす
る。
に対して検討を重ねた結果、酸化物セラミックスを絶縁
基板とする多層配線基板において、配線層中の銅のセラ
ミックス中への拡散距離が20μm以下であると実質的
に配線層間の絶縁性が劣化しないこと、また、焼成温度
及び雰囲気の最適化を図ることにより、配線層中の銅の
拡散または揮散を抑制し、銅の拡散距離を小さくでき、
しかも焼き肌面の表面粗さを小さくできることを見出し
本発明に至った。
の平均結晶粒径が1.5〜5.0μmの酸化物セラミッ
クスからなる複数の絶縁層を積層してなる絶縁基板と、
該絶縁基板内部に、銅とタングステンおよび/またはモ
リブデンを含み、Cu/(Cu+W+Mo)の体積比率
が0.3以上の複合材料を主成分とする導体からなる内
部配線層が配設され、前記内部配線層の周囲のセラミッ
クスへの銅の拡散距離が20μm以下であり、且つ焼き
肌面の表面粗さ(Ra)が1μm以下であることを特徴
とするものである。
率が15W/m・K以上の酸化アルミニウム質セラミッ
クスからなることが望ましい。
て、平均粒径が0.5〜2.5μmの酸化物セラミック
粉末を主成分とする混合粉末からなり、その表面に少な
くとも銅、あるいは銅とタングステンおよび/またはモ
リブデンとの複合材料を主成分とする導体ペーストを配
線パターン状に印刷塗布してなる複数のシート状成形体
を積層した後、該積層体を水素を含む露点−20℃以下
の非酸化性雰囲気中で1400〜1500℃の温度で焼
成することを特徴とするものである。
一実施態様を示す概略断面図を基に説明する。図1の多
層配線基板は、酸化物セラミックスからなる複数の絶縁
層1a,1b、1cが積層された絶縁基板1と、その絶
縁層1a,1b,1c間に、内部配線層2a、さらには
最表面の絶縁層1aの表面に表面配線層2bが設けられ
ている。そして、上記の配線層のうち、内部配線層2a
を少なくとも銅、あるいは銅とタングステンおよび/ま
たはモリブデンとの複合材料を主成分とする導体によっ
て形成したものであり、この内部配線層2aは、絶縁基
板1と同時焼成によって形成されたものである。
るように形成されたビアホール導体3によって電気的に
接続される。このビアホール導体3も内部配線層2aと
同様な導体によって同時焼成によって形成されることが
望ましい。
少なくとも銅を含む内部配線層2aの周囲の絶縁基板1
のセラミックスへの銅の拡散距離xが20μm以下、特
に10μm以下であることが重要である。即ち、銅のセ
ラミックス中への拡散距離が20μmを超えると、配線
層間の絶縁性が低下し、配線基板としての信頼性が保証
できなくなるためである。なお、拡散距離xは、EPM
A(X線マイクロアナライザー)分析において、配線層
2aの端部から同一平面内において、銅元素が検出され
る領域の最外部までの距離xを10箇所測定した平均値
である。
ミックスとしては、酸化アルミニウム、ムライト、フォ
ルステライト等が知られているが、本発明における絶縁
基板1は、酸化アルミニウムを主成分とするセラミック
スであることが望ましい。これは、ムライトやフォルス
テライトセラミックスは、一般に熱伝導率が低く、前記
熱的問題の解決には有効でないためである。また、絶縁
基板1の熱伝導率は15W/m・K以上、特に20W/
m・K以上であることが望ましい。
ら構成される場合、セラミックス中には、内部配線層2
aとの同時焼結性を達成する上で、焼結助剤として、S
iO2 およびMgO、CaO、SrO等のアルカリ土類
元素酸化物、さらに着色剤としてタングステン、モリブ
デン等の遷移金属を含んでもよい。
0.3〜10重量%の割合で含有することが望ましい。
これらの焼結助剤の量が0.3重量%よりも少ないと、
銅含有導体からなる内部配線層2aとの同時焼結性が低
下し、10重量%よりも多いと、絶縁基板1の熱伝導性
が低下するために、絶縁基板1のガラスセラミックスに
対する長所が発揮されないためである。特に、銅含有導
体との同時焼結性を高める上では、SiO2 およびMg
O、CaOを酸化物換算で0.4〜8重量%の割合で含
有せしめることが望ましい。
の主結晶相を構成する酸化アルミニウム結晶は、粒状ま
たは柱状の結晶として存在するが、これら主結晶層の平
均結晶粒径は、1.5〜5.0μmであることが必要で
ある。なお、主結晶相が柱状結晶からなる場合、上記平
均結晶粒径は、短軸径に基づくものである。
よりも小さいと、高熱伝導化が難しく、平均粒径が5.
0μmよりも大きいと、銅がセラミックス中へ拡散する
ときのパスである粒界の長さが短くなるとともに拡散速
度も速くなるために拡散距離が30μmを超えてしまう
とともに、基板材料として用いる場合に要求される十分
な強度が得られないためである。また、上記焼結助剤成
分は、上記主結晶相の粒界に非晶質相あるいは結晶相と
して存在するが、銅の拡散を抑制し、熱伝導性を高める
上で粒界中に結晶相が形成されていることが望ましい。
て、内部配線層2a、さらにはビアホール導体3は、い
ずれも絶縁基板1と同時焼成によって形成されるもので
あるが、絶縁基板1を形成するセラミックスの焼成温度
に応じて、配線層を形成する導体も変えることが望まし
い。
℃以下の場合には、銅単味で可能であるが、1400℃
以上の場合には、銅に対して、タングステンあるいはモ
リブデンを添加することにより、導体の焼成温度を徐々
に高めることができ、酸化物系セラミックスとの焼成温
度を整合させることができる。但し、タングステンやモ
リブデンの配合量が多くなると、導体の抵抗が大きくな
り、銅導体を用いることの長所が生かせなくなる。
とと、導体抵抗の抵抗を8mΩ/□以下とする上で、銅
とタングステンおよび/またはモリブデンの体積比は、
Cu/(Cu+W+Mo)は、0.3以上、特に0.4
以上が望ましいが、酸化物セラミックスとの同時焼結を
可能にし、配線のにじみ防止および熱膨張差を小さくす
る上で0.9以下が望ましい。
面配線層2bは、内部配線層2aと同様に、上記銅含有
導体によって絶縁基板1と同時焼成によって形成するこ
ともできるが、概して、銅含有導体の最適焼成温度より
も高い温度で焼成すると、導体が溶融して表面張力によ
って凝集してしまう傾向にある。従って、表面配線層2
bは、Wおよび/またはMoからなる導体成分に、酸化
アルミニウム、または絶縁基板と同じ成分の粉末を2〜
10重量%程度添加含有した組成のメタライズ層によっ
て形成されることが望ましい。
層2a中の銅の拡散距離を20μm以下とすることによ
り、前記配線層のうち、同一平面内に形成された配線層
間の最小線間距離を100μm以下、特に90μm以下
の高密度配線化を図ることができる。また、同様に図1
に示すように、1つの絶縁層内に複数のビアホール導体
3が形成される場合、そのビアホール導体3間の最小離
間距離も上記と同様な理由から100μm以下、特に9
0μm以下に制御することが可能である。
ように焼成温度及び雰囲気を制御して焼成することによ
って、絶縁基板1の表面の平均表面粗さRaを1μm以
下、特に0.7μm以下の平滑性に優れた表面を形成で
きるものであり、その結果、絶縁基板1の表面に表面配
線層2bを形成する場合、絶縁基板1表面を研磨加工等
を施す必要がないことも大きな特徴である。
ついて具体的に説明する。まず、絶縁基板を形成するた
めに、酸化物セラミック粉末として、平均粒径が0.5
〜2.5μm、特に0.5〜2.0μmの粉末を用い
る。これは、平均粒径は0.5μmよりも小さいと、粉
末の取扱いが難しく、また粉末のコストが高くなり、
2.5μmよりも高いと、1500℃以下の温度で焼成
することが難しくなるためである。
結助剤を添加することができる。例えば、酸化アルミニ
ウム原料粉末に対しては、焼結助剤成分として、SiO
2 およびMgO、CaO粉末等を0.4〜8重量%の割
合で添加混合する。そして、この混合粉末を用いて絶縁
層を形成するためのシート状成形体を作製する。
て作製することができる。例えば、上記混合粉末に有機
バインダーや溶媒を添加してスラリーを調製した後、ド
クターブレード法によって形成したり、混合粉末に有機
バインダーを加え、プレス成形、圧延成形等により所定
の厚みのシート状成形体を作製できる。
対して、銅粉末、あるいは銅粉末とタングステン粉末お
よび/またはモリブデン粉末とを、Cu/(Cu+W+
Mo)の体積比率が0.3以上、特に0.4以上、さら
には0.9以下の割合からなる混合粉末を主成分とする
導体ペーストを調製し、このペーストを各シート状絶縁
層にスクリーン印刷、グラビア印刷等の手法によって印
刷塗布する。また、表面配線層として、上記銅含有導体
用ペーストに代えて、固形成分として、タングステンお
よび/またはモリブデンを導体成分とする導体ペースト
を所定のシート状成形体表面に印刷塗布してもよい。
は、シート状成形体に対して、マイクロドリル、レーザ
ー等により直径が50〜250μmのビアホールを形成
した後、このビアホール内に上記銅含有導体ペースト、
あるいは上記銅無添加導体ペーストを充填する。
密着性を高めるために、絶縁層を形成する酸化物セラミ
ックスの主成分と同一の酸化アルミニウム粉末や、絶縁
層の形成組成と同一の組成物を2〜10重量%の割合で
添加することが望ましい。
ト状成形体を位置合わせして積層圧着する。この時、銅
含有導体ペーストを印刷したシート状成形体は、内部配
線層を形成するように、導体ペースト塗布面に他のシー
ト状成形体が積層される。
及び窒素を含み露点−20℃以下、特に−30℃以下の
非酸化性雰囲気中、1400〜1500℃の温度で行う
ことが必要である。この焼成条件において、水素は銅含
有導体の焼成前までの製造工程中で不可避的に生成され
た酸化膜を還元して除去する上で必要である。また、所
望により、アルゴンガス等の不活性ガスを混入してもよ
い。
と、焼成中に酸化物セラミックスと雰囲気中の水分とが
反応し酸化膜を形成し、この酸化膜と銅含有導体の銅が
反応してしまい、導体の低抵抗化の妨げとなるのみでな
く、銅の拡散を助長してしまうためである。
酸化物セラミックスの主結晶相の粒径が大きくなり異常
粒成長が発生するようになり、銅がセラミックス中へ拡
散するときのパスである粒界の長さが短くなるとともに
拡散速度も速くなる結果、拡散距離を30μm以下に抑
制することが困難となるためである。好適には、143
0〜1480℃の範囲がよい。
化アルミニウム粉末(平均粒径0.65μm)を主成分
として表1に示すような各種焼結助剤と、成形用有機樹
脂(バインダー)としてアクリル系バインダーと、トル
エンを溶媒として混合した後、ドクターブレード法にて
厚さ250μmのシート状に成形した。 そして、所定箇
所にホール径120μmのビアホールをレーザーにより
形成した。
(平均粒径1.2μm)あるいはMo粉末(平均粒径1
μm)とを表1および3に示す比率で混合しアクリル系
バインダーとをアセトンを溶媒として内部配線層用導体
ペーストを作製した。また、W粉末(平均粒径:1.2
μm)とアクリル系バインダーとをアセトンを溶媒とし
て混合し表面配線層用およびビアホール導体用の導体ペ
ーストを調製した。
導体ペーストを印刷塗布、乾燥を繰り返した。また、最
表面絶縁層用のシート状成形体の表面には、表面配線層
用導体ペーストを印刷塗布し乾燥した。なお、各シート
状成形体のビアホール導体には、上記表面配線層用導体
ペーストを充填した。
体を位置合わせして積層圧着して成形体積層体を作製し
た。その後、この成形体積層体を実質的に水分を含まな
い酸素含有雰囲気中(N2 +O2 または大気中)で脱脂
を行った後、表1に示した温度、雰囲気にて焼成した。
さ、幅、厚みを測定した後、厚さ15μmの導体に換算
したシート抵抗(mΩ/□)を算出した。同時に導体間
抵抗は線間距離100μmの導体間の抵抗値を測定して
求めた。また同試料について、銅の拡散距離をEPMA
(X線マイクロアナライザー)を用いて測定した。
ラッシュ法により測定し、その結果を表1に示した。ま
た、走査電子顕微鏡(SEM)写真に対してインタセプ
ト法に基づき絶縁基板における主結晶粒子の平均結晶粒
径を求めた。さらに、絶縁基板の最表面における平均表
面粗さRaを触針式表面粗さ計により測定した。
20℃よりも高い試料No.1では、導体抵抗の上昇、銅
の拡散距離が20μmを超え且つ表面荒さも低下した。
また、雰囲気中に水素を含まない試料No.19、20で
は、メタライズの酸化が起こり、導体抵抗が上昇した。
(Cu+W+Mo)の体積比が0.3よりも小さい試料
No.9、13では、導体抵抗が8mΩ/□よりも大きく
なった。また、同時焼成の温度が1500℃よりも高い
試料No.17では、銅拡散距離が20μmよりも大きく
なることにより絶縁基板の絶縁性が劣化した。
線基板によれば、シート抵抗が8mΩ/□以下、銅の拡
散距離20μm以下であり、これにより配線層間の抵抗
を109 Ω以上に高めることができた。しかも、いずれ
も表面粗さRaが1μm以下であり、表面平滑性に優れ
るものであった。
からなる内部配線層を形成する場合、水素を含む露点が
−20℃以下の非酸化性雰囲気中で同時焼成することに
より、銅の絶縁基板中への拡散を20μm以下に抑制で
き、これにより配線層間の絶縁劣化を防止し、高信頼性
の高密度の配線層を形成することができる。しかも、焼
成後の基板表面の平滑性に優れ、研磨工程等を必要とし
ない安価な多層配線基板を提供できる。
断面図である。
銅の拡散状態を説明するための図である。
Claims (3)
- 【請求項1】主結晶相の平均結晶粒径が1.5〜5.0
μmの酸化物セラミックスからなる複数の絶縁層を積層
してなる絶縁基板と、該絶縁基板内部に、銅とタングス
テンおよび/またはモリブデンを含み、Cu/(Cu+
W+Mo)の体積比率が0.3以上の複合材料を主成分
とする導体からなる内部配線層が配設されてなり、前記
内部配線層の周囲のセラミックスへの銅の拡散距離が2
0μm以下であり、且つ前記絶縁基板の焼き肌面の表面
粗さ(Ra)が1μm以下であることを特徴とする多層
配線基板。 - 【請求項2】前記酸化物セラミックスが、熱伝導率が1
5W/m・K以上の酸化アルミニウム質セラミックスで
ある請求項1記載の多層配線基板。 - 【請求項3】平均粒径が0.5〜2.5μmの酸化物セ
ラミック粉末を主成分とする混合粉末からなり、その表
面に少なくとも銅、あるいは銅とタングステンおよび/
またはモリブデンとの複合材料を主成分とする導体ペー
ストを配線パターン状に印刷塗布してなる複数のシート
状成形体を積層した後、該積層体を水素および窒素を含
む露点−20℃以下の雰囲気中で1400〜1500℃
の温度で焼成することを特徴とする多層配線基板の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18206598A JP3827447B2 (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | 多層配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18206598A JP3827447B2 (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | 多層配線基板およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000022338A true JP2000022338A (ja) | 2000-01-21 |
JP3827447B2 JP3827447B2 (ja) | 2006-09-27 |
Family
ID=16111744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18206598A Expired - Lifetime JP3827447B2 (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | 多層配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3827447B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014106925A1 (ja) | 2013-01-07 | 2014-07-10 | 株式会社アライドマテリアル | セラミック配線基板、半導体装置、およびセラミック配線基板の製造方法 |
CN108346638A (zh) * | 2017-01-25 | 2018-07-31 | 京瓷株式会社 | 陶瓷布线基板以及电子装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02263782A (ja) * | 1989-02-22 | 1990-10-26 | L'air Liquide | セラミック―金属多層構成体の製造方法 |
JPH04280657A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Ngk Insulators Ltd | セラミックス基板およびその製造方法 |
JPH06112650A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Sumitomo Metal Ind Ltd | セラミックス多層配線基板 |
JPH0715101A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 酸化物セラミック回路基板及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-06-29 JP JP18206598A patent/JP3827447B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02263782A (ja) * | 1989-02-22 | 1990-10-26 | L'air Liquide | セラミック―金属多層構成体の製造方法 |
JPH04280657A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Ngk Insulators Ltd | セラミックス基板およびその製造方法 |
JPH06112650A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Sumitomo Metal Ind Ltd | セラミックス多層配線基板 |
JPH0715101A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 酸化物セラミック回路基板及びその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014106925A1 (ja) | 2013-01-07 | 2014-07-10 | 株式会社アライドマテリアル | セラミック配線基板、半導体装置、およびセラミック配線基板の製造方法 |
CN108346638A (zh) * | 2017-01-25 | 2018-07-31 | 京瓷株式会社 | 陶瓷布线基板以及电子装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3827447B2 (ja) | 2006-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0772092B2 (ja) | 低温焼成基板 | |
JP2000164992A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP3924406B2 (ja) | アルミナ質焼結体及びその製造方法、並びに配線基板及びその製造方法 | |
JP3566569B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP3517062B2 (ja) | 銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板 | |
JP2001015869A (ja) | 配線基板 | |
JP3538549B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP3493310B2 (ja) | 多層配線基板 | |
JP3537698B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP3827447B2 (ja) | 多層配線基板およびその製造方法 | |
JP2989975B2 (ja) | 窒化アルミニウム質基板の製造方法 | |
JP2004006624A (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
JPH11274725A (ja) | 多層配線基板およびその製造方法 | |
JP4753469B2 (ja) | 配線基板並びにその製造方法 | |
JPH11330705A (ja) | コンデンサ内蔵基板およびその製造方法 | |
JP4575614B2 (ja) | 複合セラミック基板 | |
JP2002232142A (ja) | 多層配線基板およびその製造方法 | |
JP3898400B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP3709062B2 (ja) | 窒化アルミニウム質配線基板およびその製造方法 | |
JP2002171044A (ja) | 配線基板 | |
JP2003277170A (ja) | 配線導体用組成物 | |
JP4530525B2 (ja) | 配線基板 | |
JP4646469B2 (ja) | セラミック配線基板 | |
JP4454183B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2763516B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板のメタライズ方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060704 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090714 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100714 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100714 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110714 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120714 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120714 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130714 Year of fee payment: 7 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |