FR2996955A1 - Structure de boitier empilee tridimensionnelle et procede de fabrication de celle-ci - Google Patents

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Abstract

Une structure de boîtier empilée tridimensionnelle comprend une première unité, une unité de moulage, une unité conductrice et une deuxième unité. La première unité comprend un premier substrat (10) et au moins un premier composant électronique, et le premier substrat (10) comporte au moins un canal et au moins une première pastille conductrice. L'unité de moulage comprend une partie supérieure, un cadre, et au moins une connexion connectée entre la partie supérieure et le cadre (20B). L'unité conductrice comprend au moins un conducteur passant à travers le cadre et connecté électriquement à la première pastille conductrice.

Description

STRUCTURE DE BOITIER EMPILEE TRIDIMENSIONNELLE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELLE-CI CONTEXTE DE L'INVENTION Domaine de l'invention La présente invention concerne une structure de boîtier et un procédé de fabrication de celle-ci, et plus particulièrement une structure de boîtier empilée tridimensionnelle (3D) et un procédé de fabrication de celle-ci. Description de l'art connexe Avec le développement rapide des technologies de traitement de circuit intégré (IC), la densité d'intégration d'un circuit interne de puce (« chip ») augmente et une aire pour les lignes conductrices diminue. Avec la réduction de l'aire des pastilles (« pad ») et des fils métalliques, des améliorations continues de la technologie de puces empilées sont nécessaires pour s'adapter à une puce plus miniaturisée. La technologie de boîtiers empilés (également appelée technologie de boîtiers tridimensionnels) est utilisée pour empiler une pluralité de puces ou une pluralité de substrats comportant une pluralité de puces et de composants électroniques, et pour connecter électriquement ensuite les puces ou les substrats, ce qui peut augmenter plus de deux fois la densité sur une même puce et devient la technique principale pour obtenir une mémoire à haute densité actuellement. RESUME DE L'INVENTION Un des modes de réalisation de la présente invention propose une structure de boîtier empilée tridimensionnelle, comprenant : une première unité, une unité de moulage, une unité conductrice et une deuxième unité. La première unité comprend un premier substrat et au moins un premier composant électronique, dans laquelle le premier substrat comporte au moins un canal et au moins une première pastille conductrice. L'unité de moulage comprend une partie supérieure, un cadre, et au moins une connexion connectée entre la partie supérieure et le cadre. L'unité conductrice comprend au moins un conducteur passant à travers le cadre et connecté électriquement à la première pastille conductrice. Ainsi, du fait de la conception de l'unité de moulage et de l'unité conductrice, la première unité peut être empilée sur la deuxième unité par l'intermédiaire du cadre de l'unité de moulage, et la première unité peut être connectée électriquement à la deuxième unité par le conducteur de l'unité conductrice.
Un autre des modes de réalisation de la présente invention propose un procédé de fabrication d'une structure de boîtier empilée tridimensionnelle, comprenant : le placement d'au moins une première unité à l'intérieur d'une structure de moule, dans lequel la première unité comprend un premier substrat et au moins un premier composant électronique disposé sur le premier substrat, et le premier substrat comporte au moins une première pastille conductrice et au moins un canal ; le remplissage de la structure de moule avec un matériau de moulage pour former une unité de moulage, dans lequel l'unité de moulage comprend une partie supérieure, un cadre et au moins une connexion connectée entre la partie supérieure et le cadre ; le retrait de la structure de moule ; la formation d'au moins une ouverture passant à travers le cadre ; le remplissage de l'ouverture avec un conducteur ; et ensuite l'empilage de la première unité sur une deuxième unité par l'intermédiaire du cadre, dans lequel la première unité est connectée électriquement à la deuxième unité par le conducteur. Ainsi, du fait de la conception de formation de l'unité de moulage et de formation d'au moins un conducteur, la première unité peut être empilée sur la deuxième unité par l'intermédiaire du cadre de l'unité de moulage, et la première unité peut être connectée électriquement à la deuxième unité par le conducteur de l'unité conductrice. De plus, le cadre pour connecter la première unité à la deuxième unité peut être formé de manière commode pendant l'étape de recouvrement du premier composant électronique par la partie supérieure, ainsi le processus de fabrication de la présente invention peut être simplifié et le coût de fabrication de la présente invention peut être réduit. Dans un mode de réalisation, la structure de boîtier empilée tridimensionnelle, comprend : une première unité comprenant un premier substrat et au moins un premier composant électronique disposé sur le premier substrat et connecté électriquement à celui-ci, dans laquelle le premier substrat comporte au moins un canal formé sur la périphérie de celui-ci et passant à travers le premier substrat, et le premier substrat comporte au moins une première pastille conductrice disposée sur la surface inférieure du premier substrat et adjacente à la périphérie du premier substrat ; une unité de moulage comprenant une partie supérieure disposée sur le premier substrat pour recouvrir le premier composant électronique, un cadre disposé sur la surface inférieure du premier substrat et adjacent à la périphérie du premier substrat, et au moins une connexion disposée à l'intérieur du canal et connectée entre la partie supérieure et le cadre ; une unité conductrice comprenant au moins un conducteur passant à travers le cadre et connecté électriquement à la première pastille conductrice ; et une deuxième unité, dans laquelle la première 20 unité est empilée sur la deuxième unité, et la première unité est connectée électriquement à la deuxième unité par le conducteur. Avantageusement la partie supérieure, le cadre et la connexion sont intégrés les uns avec les autres pour 25 former une pièce unique. Avantageusement la deuxième unité comprend un deuxième substrat et au moins un deuxième composant électronique disposé sur le deuxième substrat et connecté électriquement à celui-ci, le deuxième 30 substrat comporte au moins une deuxième pastille conductrice disposée sur la surface supérieure du deuxième substrat et adjacente à la périphérie du deuxième substrat, et la deuxième pastille conductrice est connectée électriquement au conducteur. Avantageusement la première unité comprend en 5 outre au moins un troisième composant électronique disposé sur le premier substrat et connecté électriquement à celui-ci, et le premier composant électronique et le troisième composant électronique sont respectivement disposés sur la surface supérieure 10 et la surface inférieure du premier substrat. Avantageusement le conducteur est connecté électriquement à la deuxième pastille conductrice par au moins une soudure. Dans un autre mode de réalisation, la structure de 15 boîtier empilée tridimensionnelle, comprend : une première unité comprenant un premier substrat, au moins un premier composant électronique disposé sur le premier substrat et connecté électriquement à celui-ci, et au moins un troisième composant électronique 20 disposé sur le premier substrat et connecté électriquement à celui-ci, dans laquelle le premier substrat comporte au moins un canal formé sur la périphérie de celui-ci et passant à travers le premier substrat, et le premier substrat comporte au moins une 25 première pastille conductrice disposée sur la surface inférieure du premier substrat et adjacente à la périphérie du premier substrat ; une unité de moulage comprenant une partie supérieure disposée sur le premier substrat pour 30 recouvrir le premier composant électronique, un cadre disposé sur la surface inférieure du premier substrat et adjacent à la périphérie du premier substrat, au moins une connexion disposée à l'intérieur du canal et connectée entre la partie supérieure et le cadre, et un matériau d'étanchéité inférieur formé sur la surface 5 inférieure du premier substrat pour recouvrir ledit au moins un troisième composant électronique ; une unité conductrice comprenant au moins un conducteur passant à travers le cadre et connecté électriquement à la première pastille conductrice ; et 10 une deuxième unité, dans laquelle la première unité est empilée sur la deuxième unité, et la première unité est connectée électriquement à la deuxième unité par le conducteur. Avantageusement la partie supérieure, le cadre, la 15 connexion et le matériau d'étanchéité inférieur sont intégrés les uns avec les autres pour former une pièce unique. Avantageusement la deuxième unité comprend un deuxième substrat et au moins un deuxième composant 20 électronique disposé sur le deuxième substrat et connecté électriquement à celui-ci, le deuxième substrat comporte au moins une deuxième pastille conductrice disposée sur la surface supérieure du deuxième substrat et adjacente à la périphérie du 25 deuxième substrat, et la deuxième pastille conductrice est connectée électriquement au conducteur. Avantageusement le matériau d'étanchéité inférieur est connecté au cadre et entouré par le cadre. Avantageusement le conducteur est connecté 30 électriquement à la deuxième pastille conductrice par au moins une soudure.
Avantageusement la fabrication d'une structure de boîtier empilée tridimensionnelle, comprenant : le placement d'au moins une première unité à l'intérieur d'une structure de moule, dans lequel la 5 première unité comprend un premier substrat et au moins un premier composant électronique disposé sur le premier substrat, et le premier substrat comporte au moins une première pastille conductrice et au moins un canal ; 10 le remplissage de la structure de moule avec un matériau de moulage pour former une unité de moulage, dans lequel l'unité de moulage comprend une partie supérieure recouvrant le premier composant électronique, un cadre disposé sur la surface 15 inférieure du premier substrat, et au moins une connexion disposée à l'intérieur du canal et connectée entre la partie supérieure et le cadre ; le retrait de la structure de moule ; la formation d'au moins une ouverture passant à 20 travers le cadre, dans lequel la première pastille conductrice est exposée à travers l'ouverture ; le remplissage de l'ouverture avec un conducteur, dans lequel le conducteur est connecté électriquement à la première pastille conductrice ; et 25 l'empilage de la première unité sur une deuxième unité par l'intermédiaire du cadre, dans lequel la première unité est connectée électriquement à la deuxième unité par le conducteur. Avantageusement la deuxième unité comprend un 30 deuxième substrat et au moins un deuxième composant électronique disposé sur le deuxième substrat, et le deuxième composant électronique est entouré par le cadre. Avantageusement l'étape d'empilage de la première unité sur la deuxième unité comprend en outre : la connexion électrique du conducteur à au moins une deuxième pastille conductrice de la deuxième unité par au moins une soudure. Avantageusement l'étape de remplissage de la structure de moule avec le matériau de moulage comprend en outre : le déversement du matériau de moulage dans la structure de moule à travers un orifice de la structure de moule, dans lequel les bulles générées par l'étape de remplissage sont déchargées à partir d'une pluralité de canaux de sortie de la structure de moule.
Avantageusement l'ouverture est formée par perçage au laser. Avantageusement la première unité comprend en outre au moins un troisième composant électronique disposé sur le premier substrat et connecté 20 électriquement à celui-ci. Avantageusement le premier composant électronique et le troisième composant électronique sont respectivement disposés sur la surface supérieure et la surface inférieure du premier substrat. 25 Avantageusement l'unité de moulage comprend un matériau d'étanchéité inférieur formé sur la surface inférieure du premier substrat pour recouvrir ledit au moins un troisième composant électronique. Avantageusement le matériau d'étanchéité inférieur 30 est relié au cadre et entouré par le cadre.
Avantageusement la partie supérieure, le cadre, la connexion et le matériau d'étanchéité inférieur sont intégrés les uns avec les autres pour former une pièce unique.
Pour mieux comprendre les techniques, les moyens et les effets de la présente invention appliqués pour atteindre les objectifs prescrits, il est fait référence dans le présent document aux descriptions détaillées qui suivent et aux dessins joints de sorte que, par ceux-ci, les objets, les caractéristiques et les aspects de la présente invention puissent être appréciés complètement et concrètement. Cependant, les dessins joints sont fournis uniquement en tant que référence et illustration, sans aucune intention de limiter la présente invention. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 montre une vue schématique de dessus du module de substrat de circuit selon la présente 20 invention ; la figure 2 montre une vue schématique latérale du module de substrat de circuit disposé à l'intérieur de la structure de moule et rempli du matériau de moulage selon la présente invention ; 25 la figure 3A montre une vue schématique latérale des ouvertures conducteurs selon la figure 3B des ouvertures 30 conducteurs selon respectivement remplies par les la présente invention ; montre une vue schématique de dessous respectivement remplies par les la présente invention ; la figure 4 montre une vue schématique latérale de la structure de boîtier empilée tridimensionnelle selon le premier mode de réalisation de la présente invention ; la figure 5 montre une vue schématique latérale de la structure de boîtier empilée tridimensionnelle selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention ; la figure 6A montre une vue schématique latérale 10 du module de substrat de circuit disposé à l'intérieur d'une autre structure de moule et rempli du matériau de moulage selon la présente invention ; la figure 6B montre une vue schématique latérale de la structure de boîtier empilée tridimensionnelle 15 selon le troisième mode de réalisation de la présente invention ; et la figure 7 montre un organigramme du procédé de fabrication de la structure de boîtier empilée tridimensionnelle selon la présente invention. 20 DESCRIPTION DETAILLEE DES MODES DE REALISATION PREFERES Avec référence aux figures 1 à 4, la présente invention propose un procédé de fabrication d'une 25 structure de boîtier empilée tridimensionnelle, comprenant sensiblement les étapes suivantes : D'abord, avec référence à la figure 1, un module de substrat de circuit 1' comprenant une pluralité de premières unités 1 connectées séquentiellement les unes 30 aux autres est fourni, dans lequel les premières unités 1 sont respectivement distinguées les unes des autres par les lignes imaginaires (en pointillés), comme montré sur la figure 1. De plus, chaque première unité 1 comprend un premier substrat 10 et au moins un premier composant électronique 11 disposé sur le premier substrat 10 et connecté électriquement à celui-ci. La présente invention utilise une pluralité de premiers composants électroniques 11 en tant qu'exemple. De plus, le premier substrat 10 comporte au moins un canal 101 formé sur la périphérie 100 de celui-ci et passant à travers le premier substrat 10, et le premier substrat 10 comporte au moins une première pastille conductrice 102 disposée sur la surface inférieure du premier substrat 10 et adjacente à la périphérie 100 du premier substrat 10. La présente invention utilise une pluralité de canaux 101 et une pluralité de premières pastilles conductrices 102 en tant qu'exemple. Plus précisément, le premier substrat 10 a deux premiers côtés latéraux 100A l'un en face de l'autre et deux deuxièmes côtés latéraux 100B l'un en face de l'autre. De plus, chaque canal 101 est formé sur une jonction entre le premier côté latéral 100A et le deuxième côté latéral 100B adjacents l'un à l'autre, et les premières pastilles conductrices 102 peuvent être agencées en une forme périphérique le long des deux premiers côtés latéraux 100A et des deux deuxièmes côtés latéraux 100B. En outre, la présente invention peut ajouter une pluralité de nouveaux canaux 101 formés à la périphérie 100 sur chaque premier substrat 10 correspondant, et chaque nouveau canal 101 est formé sur deux premières pastilles conductrices 102 adjacentes, chaque premier substrat 10 comporte quatre canaux 101 plus grands formés sur les quatre coins de celui-ci et les deux canaux 101 plus grands adjacents des deux premiers substrats 10 adjacents peuvent communiquer l'un avec l'autre.
Ensuite, avec référence à la figure 2, le module de substrat de circuit 1' est placé entre un moule supérieur M1 et un moule inférieur M2, et un matériau de moulage est introduit entre le moule supérieur M1 et le moule inférieur M2 pour former une pluralité d'unités de moulage 2 reliées séquentiellement les unes aux autres et correspondant respectivement aux premières unités 1, dans lequel les unités de moulage 2 sont respectivement distinguées les unes des autres par les lignes de coupe X-X comme montré sur la figure 2, et le moule supérieur M1 et le moule inférieur M2 sont assemblés en tant que structure de moule M. Le moule supérieur M1 comprend un boîtier supérieur M10, au moins un orifice Mil passant à travers le boîtier supérieur M10, et un espace de réception M12 formé dans le boîtier supérieur M10, et le matériau de moulage 2' peut être déversé dans la structure de moule M (c'est-à-dire, entre le moule supérieur M1 et le moule inférieur M2) à travers l'orifice M11. Le moule inférieur M2 comprend un boîtier inférieur M20, une pluralité de canaux de sortie M21 passant à travers le boîtier inférieur M20, et une pluralité de canaux périphériques M23 disposés en une position correspondant sensiblement à la périphérie 100 du premier substrat 10, dans lequel les canaux périphériques M23 peuvent communiquer les uns avec les autres et chaque canal 101 peut communiquer avec l'espace de réception M12 et le canal périphérique M23. Lors du déversement du matériau de moulage 2' dans la structure de moule M (c'est-à-dire, entre le moule supérieur M1 et le moule inférieur M2) à travers l'orifice M11, les bulles générées par l'étape de déversement peuvent être déchargées à partir des canaux de sortie M21 du moule inférieur M2, de manière à remplir de manière compacte la structure de moule M avec le matériau de moulage 2'. Il est utile de mentionner que le moule inférieur M2 comprend en outre une pluralité de blocs M22 disposés entre le boîtier inférieur M20 et le module de substrat de circuit 1' et respectivement en contact avec les premiers substrats 10, et chaque bloc M22 est entouré par chaque canal périphérique M23 correspondant. Ainsi, lorsque le premier substrat 10 est empilé sur un deuxième substrat, chaque bloc M22 peut être utilisé pour former un espace de réception prédéterminé sur la surface supérieure du deuxième substrat pour recevoir davantage de composants électroniques. Cependant, la présente invention peut également utiliser un traçage au laser pour retirer la partie inférieure du matériau de moulage 2' pour former l'espace de réception prédéterminé sur la surface supérieure du deuxième substrat sans utiliser la conception des blocs M22. Ensuite, avec référence aux figures 2, 3A et 3B, la figure 3B est un schéma de dessous de la figure 3A. Après avoir retiré le moule supérieur M1 et le moule inférieur M2, le module de substrat de circuit 1' et le matériau de moulage 2' peuvent être découpés le long de la ligne de coupe X-X de la figure 2 pour former une pluralité de premières unités 1 séparées les unes des autres et pour former une pluralité d'unités de moulage 2 séparées les unes des autres, dans lequel chaque unité de moulage 2 comprend une partie supérieure 20A recouvrant les premiers composants électroniques 11, un cadre 20B disposé sur la surface inférieure du premier substrat 10 et correspondant sensiblement à la périphérie 100 du premier substrat 10, et une pluralité de connexions 20C disposées à l'intérieur des canaux 101 et connectées simultanément entre la partie supérieure 20A et le cadre 20B. Plus précisément, la partie supérieure 20A, le cadre 20B et la connexion 20C peuvent être intégrés les uns avec les autres pour former une pièce unique. De plus, le cadre 20B peut être formé de manière commode pendant l'étape de recouvrement des premiers composants électroniques 11 par la partie supérieure 20A, ainsi le processus de fabrication de la présente invention peut être simplifié et le coût de fabrication de la présente invention peut être réduit. Par la suite, le cadre 20B est traité pour former une pluralité d'ouvertures 200B correspondant aux premières pastilles conductrices 102. Par exemple, les ouvertures 200B peuvent être formées par un perçage au laser. Ensuite, les ouvertures 200B peuvent respectivement remplies avec une pluralité conducteurs 30, où les conducteurs 30 peuvent connectés électriquement aux premières pastilles conductrices 102 de la première unité 1, respectivement. être de être Enfin, avec référence à la figure 4, la première unité 1 est empilée sur une deuxième unité 4, où la première unité 1 est connectée électriquement à la deuxième unité 4 par l'intermédiaire de la première pastille conductrice 102 et du conducteur 30. Plus précisément, la deuxième unité 4 comprend un deuxième substrat 40, une pluralité de deuxièmes pastilles électroniques 402 disposées sur le deuxième substrat 40 et adjacentes à la périphérie 400 du deuxième substrat 40, et au moins un deuxième composant électronique 41, et le deuxième composant électronique 41 est entouré par le cadre 20B. Ainsi, chaque deuxième pastille conductrice 402 peut être connectée électriquement à la première pastille conductrice 102 correspondante par le conducteur 30 correspondant. De plus, le procédé de connexion de la première unité 1 et de la deuxième unité 2, comprend par exemple l'impression respectivement d'une pluralité de soudures S sur les surfaces supérieures des deuxièmes pastilles conductrices 402, l'empilage de la première unité 1 sur la surface supérieure de la deuxième unité 4 par l'intermédiaire du cadre 20B, et ensuite la refusion des soudures S, où les conducteurs 30 peuvent être respectivement en contact avec les soudures S. Ainsi, chaque conducteur 30 peut être connecté électriquement à chaque deuxième pastille conductrice 402 correspondante par l'intermédiaire de chaque soudure S correspondante. Les premières pastilles conductrices 102 peuvent être connectées électriquement aux premiers composants électroniques 11 par l'intermédiaire des premiers circuits (non montrés) disposés sur le premier substrat 10, et les deuxièmes pastilles conductrices 402 peuvent être connectées électriquement aux deuxièmes composants électroniques 41 par l'intermédiaire des deuxièmes circuits (non montrés) disposés sur le deuxième substrat 40, ainsi le premier composant électronique 11 peut être connecté électriquement au deuxième composant électronique 41 correspondant par le conducteur 30 correspondant. Avec référence à la figure 4, le premier mode de 10 réalisation de la présente invention peut fournir une structure de boîtier empilée tridimensionnelle Z par l'intermédiaire du processus de fabrication mentionné ci-dessus. La structure de boîtier empilée tridimensionnelle Z comprend une première unité 1, une 15 unité de moulage 2, une unité conductrice 3 et une deuxième unité 4. D'abord, la première unité 1 comprend un premier substrat 10 et une pluralité de premiers composants électroniques 11 disposés sur la surface supérieure du 20 premier substrat 10 et connectés électriquement au premier substrat 10, où le premier substrat 10 comporte une pluralité de canaux 101 formés sur la périphérie 100 de celui-ci et passant à travers le premier substrat 10, et le premier substrat 10 comporte une 25 pluralité de premières pastilles conductrices 102 disposées sur la surface inférieure du premier substrat 10 et adjacentes à la périphérie 100 du premier substrat 10. Par exemple, chaque premier composant électronique 11 peut être une résistance, une 30 capacitance, une inductance, une puce fonctionnelle ayant une fonction prédéterminée ou une puce semiconductrice ayant une fonction prédéterminée, etc. De plus, l'unité de moulage 2 comprend une partie supérieure 20A disposée sur la surface supérieure du premier substrat 10 pour recouvrir les premiers composants électroniques 11, un cadre 20B disposé sur la surface inférieure du premier substrat 10 et adjacent à la périphérie 100 du premier substrat 10, et une pluralité de connexions 20C respectivement disposées à l'intérieur des canaux 101 et connectées simultanément entre la partie supérieure 20A et le cadre 20B. Plus précisément, la partie supérieure 20A, le cadre 20B et les connexions 20C peuvent être intégrés les uns avec les autres pour former une pièce unique. En outre, l'unité conductrice 3 comprend une pluralité de conducteurs 30 passant à travers le cadre 20B et respectivement connectés électriquement aux premières pastilles conductrices 102. La première unité 1 peut être empilée sur la deuxième unité 4 par l'intermédiaire du cadre 20B de l'unité de moulage 2, et la première unité 1 peut être connectée électriquement à la deuxième unité 4 par les conducteurs 30 de l'unité conductrice 3. La deuxième unité 4 comprend un deuxième substrat 40 et une pluralité de deuxièmes composants électroniques 41 disposés sur la surface supérieure du deuxième substrat 40 et connectés électriquement au deuxième substrat 40. De plus, le deuxième substrat 40 comporte une pluralité de deuxièmes pastilles conductrices 402 disposées sur la surface supérieure du deuxième substrat 40 et adjacentes à la périphérie 400 du deuxième substrat 40, chaque deuxième pastille conductrice 402 peut être connectée électriquement à chaque conducteur 30 correspondant par chaque soudure S correspondante, et les deuxièmes composants électroniques 41 peuvent être entourés par le cadre 20B. Avec référence à la figure 5, le deuxième mode de réalisation de la présente invention peut également fournir une structure de boîtier empilée tridimensionnelle Z, comprenant une première unité 1, une unité de moulage 2, une unité conductrice 3 et une deuxième unité 4. En comparant la figure 5 à la figure 4, la différence entre le deuxième mode de réalisation et le premier mode de réalisation consiste en ce que : dans le deuxième mode de réalisation, la première unité 1 comprend en outre au moins un troisième composant électronique 12 disposé sur la surface inférieure du premier substrat 10 et connecté électriquement au premier substrat 10, et le troisième composant électronique 12 peut être entouré par le cadre 20B. Autrement dit, parce que le premier composant électronique 11 et le troisième composant électronique 12 sont respectivement disposés sur la surface supérieure et la surface inférieure du premier substrat 10, la capacité de support de composants du premier substrat 10 peut être augmentée. Avec référence à la figure &A et à la figure 6B, le troisième mode de réalisation de la présente invention peut également fournir une structure de boîtier empilée tridimensionnelle Z, comprenant une première unité 1, une unité de moulage 2, une unité conductrice 3 et une deuxième unité 4. En comparant la figure &A à la figure 2 et la figure 6B à la figure 4, la différence entre le troisième mode de réalisation et le premier mode de réalisation consiste en ce que : dans le troisième mode de réalisation, la première unité 1 comprend en outre au moins un troisième composant électronique 12 disposé sur la surface inférieure du premier substrat 10 et connecté électriquement au premier substrat 10. Le moule inférieur M2 comprend une pluralité de canaux d'écoulement M24 et une pluralité de canaux périphériques M23 disposés entre le boîtier inférieur M20 et le module de substrat de circuit 1', chaque canal d'écoulement M24 est formé entre le bloc M22 correspondant et le premier substrat 10 correspondant, et les canaux d'écoulement M24 et les canaux périphériques M23 communiquent les uns avec les autres. Par conséquent, du fait de la conception des canaux d'écoulement M24 du troisième mode de réalisation, l'unité de moulage 2 comporte un matériau d'étanchéité inférieur 20D formé sur la surface inférieure du premier substrat 10 pour recouvrir le troisième composant électronique 12, et le matériau d'étanchéité inférieur 20D peut être relié au cadre 20B et être entouré par le cadre 20B. Plus précisément, la partie supérieure 20A, le cadre 20B, la connexion 20C et le matériau d'étanchéité inférieur 20D peuvent être intégrés les uns avec les autres pour former une pièce unique.
Avec référence à la figure 7, la présente invention fournit un procédé de fabrication d'une structure de boîtier empilée tridimensionnelle utilisant au moins une première unité en tant qu'exemple, comprenant les étapes suivantes : L'étape S100 est une étape de placement d'au moins 5 une première unité 1 à l'intérieur d'une structure de moule M, dans lequel la première unité 1 comprend un premier substrat 10 et au moins un premier composant électronique 11 disposé sur la surface supérieure du premier substrat 10, et le premier substrat 10 comporte 10 au moins une première pastille conductrice 102 et au moins un canal 101. L'étape S102 est une étape de remplissage de la structure de moule M avec un matériau de moulage 2' pour former une unité de moulage 2, dans lequel l'unité 15 de moulage 2 comprend une partie supérieure 20A recouvrant le premier composant électronique 11, un cadre 20B disposé sur la surface inférieure du premier substrat 10, et au moins une connexion 20C disposée à l'intérieur du canal 101 et connectée entre la partie 20 supérieure 20A et le cadre 20B. L'étape S104 est une étape de retrait de la structure de moule M. L'étape S106 est une étape de formation d'au moins une ouverture 200B passant à travers le cadre 20B, dans 25 lequel la première pastille conductrice 102 est exposée à travers l'ouverture 200B. L'étape S108 est une étape de remplissage de l'ouverture 200B avec un conducteur 30, dans lequel le conducteur 30 est connecté électriquement à la première 30 pastille conductrice 102.
L'étape S110 est une étape d'empilage de la première unité 1 sur une deuxième unité 4 par l'intermédiaire du cadre 20B, dans lequel la première unité 1 est connectée électriquement à la deuxième 5 unité 4 par le conducteur 30. Plus précisément, l'étape d'empilage de la première unité 1 sur la deuxième unité 4 comprend en outre la connexion électrique du conducteur 30 à au moins une deuxième pastille conductrice 402 de la deuxième unité 4 par au moins une 10 soudure S. En conclusion, le cadre 20B pour connecter la première unité 1 à la deuxième unité 4 peut être formé de manière commode pendant l'étape de recouvrement du premier composant électronique 11 (ou du deuxième 15 composant électronique 11 et du deuxième composant électronique 12) par la partie supérieure 20A, ainsi le processus de fabrication de la présente invention peut être simplifié et le coût de fabrication de la présente invention peut être réduit.
20 Les descriptions mentionnées ci-dessus représentent simplement les modes de réalisation préférés de la présente invention sans aucune intention ou capacité de limiter l'étendue de la présente invention qui est entièrement décrite uniquement dans 25 les revendications qui suivent. Les divers changements, altérations ou modifications équivalents basés sur les revendications de la présente invention sont tous considérés, par conséquent, comme étant dans l'étendue de la présente invention. 30

Claims (20)

  1. REVENDICATIONS1. Structure de boîtier empilée tridimensionnelle (Z), comprenant : une première unité (1) comprenant un premier substrat (10) et au moins un premier composant électronique (11) disposé sur le premier substrat (10) et connecté électriquement à celui-ci, dans laquelle le premier substrat (10) comporte au moins un canal (101) formé sur la périphérie (100) de celui-ci et passant à travers le premier substrat (10), et le premier substrat (10) comporte au moins une première pastille conductrice (102) disposée sur la surface inférieure du premier substrat (10) et adjacente à la périphérie (100) du premier substrat (10) ; une unité de moulage (2) comprenant une partie supérieure (20A) disposée sur le premier substrat (10) pour recouvrir le premier composant électronique (11), un cadre (20B) disposé sur la surface inférieure du premier substrat (10) et adjacent à la périphérie (100) du premier substrat (10), et au moins une connexion (20C) disposée à l'intérieur du canal (101) et connectée entre la partie supérieure (20A) et le cadre (20B) ; une unité conductrice (3) comprenant au moins un conducteur (30) passant à travers le cadre (20B) et connecté électriquement à la première pastille conductrice (102) ; et une deuxième unité (4), dans laquelle la première 30 unité (1) est empilée sur la deuxième unité (4), et lapremière unité (1) est connectée électriquement à la deuxième unité (4) par le conducteur (30).
  2. 2. Structure de boîtier empilée tridimensionnelle (Z) selon la revendication 1, dans laquelle la partie supérieure (20A), le cadre (20B) et la connexion (20C) sont intégrés les uns avec les autres pour former une pièce unique.
  3. 3. Structure de boîtier empilée tridimensionnelle (Z) selon la revendication 1, dans laquelle la deuxième unité (4) comprend un deuxième substrat (40) et au moins un deuxième composant électronique (41) disposé sur le deuxième substrat (40) et connecté électriquement à celui-ci, le deuxième substrat (40) comporte au moins une deuxième pastille conductrice (402) disposée sur la surface supérieure du deuxième substrat (40) et adjacente à la périphérie (400) du deuxième substrat (40), et la deuxième pastille conductrice (402) est connectée électriquement au conducteur (30).
  4. 4. Structure de boîtier empilée tridimensionnelle (Z) selon la revendication 1, dans laquelle la première unité (1) comprend en outre au moins un troisième composant électronique (12) disposé sur le premier substrat (10) et connecté électriquement à celui-ci, et le premier composant électronique (11) et le troisième composant électronique (12) sont respectivement disposés sur la surface supérieure et la surface inférieure du premier substrat (10).
  5. 5. Structure de boîtier empilée tridimensionnelle (Z) selon la revendication 1, dans laquelle le conducteur (30) est connecté électriquement à la deuxième pastille conductrice (402) par au moins une soudure (S).
  6. 6. Structure de boîtier empilée tridimensionnelle (Z), comprenant : une première unité (1) comprenant un premier substrat (10), au moins un premier composant électronique (11) disposé sur le premier substrat (10) et connecté électriquement à celui-ci, et au moins un troisième composant électronique (12) disposé sur le premier substrat (10) et connecté électriquement à celui-ci, dans laquelle le premier substrat (10) comporte au moins un canal (101) formé sur la périphérie (100) de celui-ci et passant à travers le premier substrat (10), et le premier substrat (10) comporte au moins une première pastille conductrice (102) disposée sur la surface inférieure du premier substrat (10) et adjacente à la périphérie (100) du premier substrat (10) ; une unité de moulage (2) comprenant une partie supérieure (20A) disposée sur le premier substrat (10) pour recouvrir le premier composant électronique (11), un cadre (20B) disposé sur la surface inférieure du premier substrat (10) et adjacent à la périphérie (100) du premier substrat (10), au moins une connexion (20C) disposée à l'intérieur du canal (101) et connectée entre la partie supérieure (20A) et le cadre (20B), et un matériau d'étanchéité inférieur (20D) formé sur lasurface inférieure du premier substrat (10) pour recouvrir ledit au moins un troisième composant électronique (12) une unité conductrice (3) comprenant au moins un 5 conducteur (30) passant à travers le cadre (20B) et connecté électriquement à la première pastille conductrice (102) ; et une deuxième unité (4), dans laquelle la première unité (1) est empilée sur la deuxième unité (4), et la 10 première unité (1) est connectée électriquement à la deuxième unité (4) par le conducteur (30).
  7. 7. Structure de boîtier empilée tridimensionnelle (Z) selon la revendication 6, dans laquelle la partie 15 supérieure (20A), le cadre (20B), la connexion (20C) et le matériau d'étanchéité inférieur (20D) sont intégrés les uns avec les autres pour former une pièce unique.
  8. 8. Structure de boîtier empilée tridimensionnelle 20 (Z) selon la revendication 6, dans laquelle la deuxième unité (4) comprend un deuxième substrat (40) et au moins un deuxième composant électronique (41) disposé sur le deuxième substrat (40) et connecté électriquement à celui-ci, le deuxième substrat (40) 25 comporte au moins une deuxième pastille conductrice (402) disposée sur la surface supérieure du deuxième substrat (40) et adjacente à la périphérie (400) du deuxième substrat (40), et la deuxième pastille conductrice (402) est connectée électriquement au 30 conducteur (30).
  9. 9. Structure de boîtier empilée tridimensionnelle (Z) selon la revendication 6, dans laquelle le matériau d'étanchéité inférieur (20D) est connecté au cadre (20B) et entouré par le cadre (20B).
  10. 10. Structure de boîtier empilée tridimensionnelle (Z) selon la revendication 6, dans laquelle le conducteur (30) est connecté électriquement à la deuxième pastille conductrice (402) par au moins une soudure (S).
  11. 11. Procédé de fabrication d'une structure de boîtier empilée tridimensionnelle (Z), comprenant : le placement d'au moins une première unité (1) à l'intérieur d'une structure de moule (M), dans lequel la première unité (1) comprend un premier substrat (10) et au moins un premier composant électronique (11) disposé sur le premier substrat (10), et le premier substrat (10) comporte au moins une première pastille conductrice (102) et au moins un canal (101) ; le remplissage de la structure de moule (M) avec un matériau de moulage (2') pour former une unité de moulage (2), dans lequel l'unité de moulage (2) comprend une partie supérieure (20A) recouvrant le premier composant électronique (11), un cadre (20B) disposé sur la surface inférieure du premier substrat (10), et au moins une connexion (20C) disposée à l'intérieur du canal (101) et connectée entre la partie supérieure (20A) et le cadre (20B) ; le retrait de la structure de moule (M) ;la formation d'au moins une ouverture (200B) passant à travers le cadre (20B), dans lequel la première pastille conductrice (102) est exposée à travers l'ouverture (200B) ; le remplissage de l'ouverture (200B) avec un conducteur (30), dans lequel le conducteur (30) est connecté électriquement à la première pastille conductrice (102) ; et l'empilage de la première unité (1) sur une deuxième unité (4) par l'intermédiaire du cadre (20B), dans lequel la première unité (1) est connectée électriquement à la deuxième unité (4) par le conducteur (30).
  12. 12. Procédé selon la revendication 11, dans lequel la deuxième unité (4) comprend un deuxième substrat (40) et au moins un deuxième composant électronique (41) disposé sur le deuxième substrat (40), et le deuxième composant électronique (41) est entouré par le 20 cadre (20B).
  13. 13. Procédé selon la revendication 11, dans lequel l'étape d'empilage de la première unité (1) sur la deuxième unité (4) comprend en outre : la connexion 25 électrique du conducteur (30) à au moins une deuxième pastille conductrice (402) de la deuxième unité (4) par au moins une soudure (S).
  14. 14. Procédé selon la revendication 11, dans lequel 30 l'étape de remplissage de la structure de moule (M) avec le matériau de moulage (2') comprend en outre : ledéversement du matériau de moulage (2') dans la structure de moule (M) à travers un orifice (M11) de la structure de moule (M), dans lequel les bulles générées par l'étape de remplissage sont déchargées à partir d'une pluralité de canaux de sortie (M21) de la structure de moule (M).
  15. 15. Procédé selon la revendication 11, dans lequel l'ouverture (200B) est formée par perçage au laser. 10
  16. 16. Procédé selon la revendication 11, dans lequel la première unité (1) comprend en outre au moins un troisième composant électronique (12) disposé sur le premier substrat (10) et connecté électriquement à 15 celui-ci.
  17. 17. Procédé selon la revendication 16, dans lequel le premier composant électronique (11) et le troisième composant électronique (12) sont respectivement 20 disposés sur la surface supérieure et la surface inférieure du premier substrat (10).
  18. 18. Procédé selon la revendication 16, dans lequel l'unité de moulage (2) comprend un matériau 25 d'étanchéité inférieur (20D) formé sur la surface inférieure du premier substrat (10) pour recouvrir ledit au moins un troisième composant électronique (12).
  19. 19. Procédé selon la revendication 18, dans lequel le matériau d'étanchéité inférieur (20D) est relié au cadre (20B) et entouré par le cadre (20B).
  20. 20. Procédé selon la revendication 18, dans lequel la partie supérieure (20A), le cadre (20B), la connexion (20C) et le matériau d'étanchéité inférieur (20D) sont intégrés les uns avec les autres pour former une pièce unique.10
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9865310B2 (en) * 2011-02-24 2018-01-09 Interconnect Systems, Inc. High density memory modules
JP6119845B2 (ja) * 2013-04-16 2017-04-26 株式会社村田製作所 高周波部品およびこれを備える高周波モジュール
WO2016166811A1 (fr) * 2015-04-14 2016-10-20 オリンパス株式会社 Structure de connexion et dispositif d'imagerie
DE102015212092A1 (de) * 2015-06-29 2016-12-29 Conti Temic Microelectronic Gmbh Elektronische Komponente und Verfahren zu deren Herstellung
US10129979B2 (en) * 2016-09-23 2018-11-13 Apple Inc. PCB assembly with molded matrix core
US10455707B1 (en) 2018-08-10 2019-10-22 Apple Inc. Connection pad for embedded components in PCB packaging
US11721639B2 (en) * 2020-06-29 2023-08-08 Qualcomm Incorporated Multi-component modules (MCMs) including configurable electro-magnetic isolation (EMI) shield structures, and related methods
CN113410193B (zh) * 2021-05-27 2024-05-03 元成科技(苏州)有限公司 一种8+1堆叠式芯片封装装置
US20230420351A1 (en) * 2022-06-28 2023-12-28 Applied Materials, Inc. Substrate frame design for three-dimensional stacked electronic assemblies

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030211660A1 (en) * 2001-12-12 2003-11-13 Micron Technology, Inc. BOC BGA package for die with I-shaped bond pad layout
US20040173894A1 (en) * 2001-09-27 2004-09-09 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit package including interconnection posts for multiple electrical connections
US20070029674A1 (en) * 2005-08-08 2007-02-08 Dong-Kil Shin Board-on-chip package and stack package using the same
US20120013007A1 (en) * 2010-07-15 2012-01-19 Hyun-Ik Hwang Package-on-package semiconductor package having spacers disposed between two package substrates
WO2012096354A1 (fr) * 2011-01-14 2012-07-19 ミツミ電機株式会社 Module haute fréquence

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6404043B1 (en) * 2000-06-21 2002-06-11 Dense-Pac Microsystems, Inc. Panel stacking of BGA devices to form three-dimensional modules
US7053476B2 (en) * 2002-09-17 2006-05-30 Chippac, Inc. Semiconductor multi-package module having package stacked over die-down flip chip ball grid array package and having wire bond interconnect between stacked packages
JP2006502596A (ja) * 2002-10-08 2006-01-19 チップパック,インク. 裏返しにされた第二のパッケージを有する積み重ねられた半導体マルチパッケージモジュール
TWI228784B (en) 2003-12-18 2005-03-01 Advanced Semiconductor Eng Mold for semiconductor packages
JP5598787B2 (ja) * 2006-04-17 2014-10-01 マイクロンメモリジャパン株式会社 積層型半導体装置の製造方法
TWI312569B (en) 2006-10-12 2009-07-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package on which a semiconductor device is stacked and production method thereof
US7635914B2 (en) * 2007-05-17 2009-12-22 Texas Instruments Incorporated Multi layer low cost cavity substrate fabrication for pop packages
KR20100033012A (ko) * 2008-09-19 2010-03-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체 패키지 및 이를 갖는 적층 반도체 패키지
FR2939963B1 (fr) * 2008-12-11 2011-08-05 St Microelectronics Grenoble Procede de fabrication d'un support de composant semi-conducteur, support et dispositif semi-conducteur
TW201227922A (en) 2010-12-30 2012-07-01 Chipsip Technology Co Ltd Stacked package structure with covers
US8531021B2 (en) 2011-01-27 2013-09-10 Unimicron Technology Corporation Package stack device and fabrication method thereof
TWI433618B (zh) * 2012-02-08 2014-04-01 Universal Scient Ind Shanghai 堆疊式基板結構

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040173894A1 (en) * 2001-09-27 2004-09-09 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit package including interconnection posts for multiple electrical connections
US20030211660A1 (en) * 2001-12-12 2003-11-13 Micron Technology, Inc. BOC BGA package for die with I-shaped bond pad layout
US20070029674A1 (en) * 2005-08-08 2007-02-08 Dong-Kil Shin Board-on-chip package and stack package using the same
US20120013007A1 (en) * 2010-07-15 2012-01-19 Hyun-Ik Hwang Package-on-package semiconductor package having spacers disposed between two package substrates
WO2012096354A1 (fr) * 2011-01-14 2012-07-19 ミツミ電機株式会社 Module haute fréquence
EP2651041A1 (fr) * 2011-01-14 2013-10-16 Mitsumi Electric Co., Ltd. Module haute fréquence

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