FR2893764A1 - Boitier semi-conducteur empilable et procede pour sa fabrication - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000007779 soft material Substances 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
- H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
- H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
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- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2224/93—Batch processes
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- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1017—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
- H01L2225/1023—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the support being an insulating substrate
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- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1047—Details of electrical connections between containers
- H01L2225/1058—Bump or bump-like electrical connections, e.g. balls, pillars, posts
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- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
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- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
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- H01L2924/1533—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate
- H01L2924/15331—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate being a ball array, e.g. BGA
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Abstract
Boîtier semi-conducteur empilable et procédé pour sa fabrication, dans lesquels une plaque (2) présente des moyens de connexion électrique (3), une puce de circuits intégrés (4) est fixée sur une face avant de ladite plaque, des moyens de connexion électrique (7) relient ladite puce auxdits moyens de connexion électrique de ladite plaque et présentent, sur la face avant de cette plaque, des plots frontaux de contact électrique (8) disposés au-delà d'au moins un bord de ladite puce ; et dans lesquels un bloc d'encapsulation (10) en une matière d'enrobage est formé sur la face avant de ladite plaque et encapsule ladite puce, lesdits moyens de connexion de cette dernière et lesdits plots frontaux, ledit bloc présentant au moins une ouverture (11) découvrant lesdits plots frontaux (8) au moins partiellement en vue de recevoir des billes de connexion électrique d'un second boîtier empilé.
Description
Boîtier semi-conducteur empilable et procédé pour sa fabrication La
présente invention concerne le domaine des boîtiers semi-conducteurs et plus particulier celui des boîtiers semi-conducteurs empilables. Selon une première exécution, on connaît un boîtier empilable comprenant une plaque portant sur sa face avant une puce de circuits intégrés fixée par l'intermédiaire de billes de connexion électrique noyées dans un matériau d'enrobage entre la plaque et la puce. Autour et à distance de la périphérie de la puce, la plaque porte, sur sa face avant, des plots frontaux de contact électrique. Selon une seconde exécution, on connaît un boîtier empilable comprenant une plaque portant sur sa face avant une puce de circuits intégrés fixée par collage, des fils de connexion électrique de la puce à la plaque et un bloc d'encapsulation enrobant la puce et ces fils. La plaque porte sur sa face avant des plots frontaux de contact électrique qui sont disposés au-delà de la périphérie de ce bloc d'encapsulation de la puce. Sur chacun des boîtiers semi-conducteurs ci-dessus, il est connu d'empiler un second boîtier semi-conducteur, la liaison électrique entre ce second boîtier et le premier boîtier semi-conducteur étant réalisée par des billes de connexion électrique interposées entre des plots de la face arrière du second boîtier et les plots frontaux du premier boîtier. La présente invention a pour but de proposer un boîtier semi-conducteur d'une autre conception, pouvant avantageusement être empilé.
La présente invention a tout d'abord pour objet un boîtier semi-conducteur qui comprend une plaque présentant des moyens de connexion électrique, une puce de circuits intégrés fixée sur une face avant de ladite plaque, des moyens de connexion électrique de ladite puce auxdits moyens de connexion électrique de ladite plaque, lesdits moyens de connexion électrique de ladite plaque comprenant, sur la face avant de cette plaque, des plots frontaux de contact électrique disposés au-delà d'au moins un bord de ladite puce. Selon l'invention, le boîtier comprend un bloc d'encapsulation en une matière d'enrobage formé sur la face avant de ladite plaque et encapsulant ladite puce, lesdits moyens de connexion de cette dernière et lesdits plots frontaux, ledit bloc présentant au moins une ouverture découvrant lesdits plots frontaux au moins partiellement. Selon l'invention, au moins certains desdits plots frontaux sont de préférence alignés selon au moins une rangée, ladite ouverture étant constituée par une rainure rectiligne découvrant cette rangée de plots frontaux. Selon l'invention, les extrémités de ladite rainure de préférence débouchent sur deux côtés opposés dudit bloc d'encapsulation.
Selon l'invention, le boîtier comprend de préférence quatre rangées de plots frontaux encerclant ladite puce et quatre rainures rectilignes découvrant les plots frontaux de ces rangées de plots frontaux, ces rainures se croisant deux à deux. Selon l'invention, lesdits plots frontaux sont de préférence respectivement recouverts d'une couche en un matériau tendre conducteur de l'électricité. Selon l'invention, ledit matériau tendre est de préférence une pâte à souder. La présente invention a également pour objet un procédé de fabrication d'au moins un boîtier semi-conducteur, qui consiste à fixer une puce de circuits intégrés sur une face avant d'une plaque présentant des moyens de connexion électrique et à relier des moyens de connexion électrique de ladite puce auxdits moyens de connexion électrique de ladite plaque, lesdits moyens de connexion électrique de ladite plaque comprenant, sur la face avant de cette plaque, des plots frontaux de contact électrique disposés au-delà des bords de ladite puce. Selon l'invention, le procédé consiste à encapsuler ladite puce, lesdits moyens de connexion de cette dernière et lesdits plots dans un bloc d'encapsulation en une matière d'enrobage formé sur la face avant de ladite plaque, et à réaliser dans ledit bloc au moins une ouverture découvrant lesdits plots au moins partiellement. Selon le procédé de l'invention, au moins certains desdits plots sont de préférence alignés selon au moins une rangée et ladite ouverture est de préférence constituée par une rainure rectiligne découvrant cette rangée de plots frontaux. Selon l'invention, ladite rainure est obtenue de préférence à l'aide d'un outil tel qu'une scie déplacée au-delà des bords du bloc d'encapsulation. Selon l'invention, le procédé consiste, avant de réaliser ledit bloc d'encapsulation, à de préférence recouvrir respectivement lesdits plots d'une couche en un matériau tendre. Selon l'invention, ladite ouverture est obtenue de préférence à l'aide d'un outil atteignant ladite couche pâteuse conductrice de l'électricité. Le procédé selon l'invention peut avantageusement consister à fixer et connecter électriquement plusieurs puces sur une plaque unique en des emplacements alignés, de telle sorte qu'au moins certains des plots frontaux associés à ces puces soient alignés selon au moins une rangée, et consister à réaliser un bloc d'encapsulation commun audites puces, à réaliser au moins une rainure découvrant au moins partiellement les plots frontaux de ladite rangée, et à découper ladite plaque et ledit bloc d'encapsulation entre lesdits emplacements de façon à singulariser plusieurs boîtiers semi-conducteurs. La présente invention a également pour objet un empilage d'au moins deux boîtiers semi-conducteurs, dans lequel un premier boîtier semi-conducteur est constitué par le boîtier semi-conducteur selon l'invention et un second boîtier semi-conducteur est disposé au-dessus du bloc d'encapsulation dudit premier boîtier, la connexion électrique entre lesdits boîtiers étant réalisée par des billes de connexion électrique disposées dans ladite au moins une ouverture et en contact électrique avec lesdits plots frontaux.
La présente invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un empilage d'au moins deux boîtiers semi-conducteurs. Ce procédé consiste à réaliser un premier boîtier selon la présente invention ; à réaliser un second boîtier semi- conducteur portant des billes de connexion électrique, disposées en correspondance avec lesdits plots frontaux du premier boîtier ; et à installer le second boîtier sur le premier boîtier en engageant lesdites billes dans ladite au moins une ouverture et en connectant ces billes aux plots frontaux du premier boîtier.
La présente invention sera mieux comprise à l'étude d'un boîtier semi-conducteur empilable et de son mode de fabrication, décrits à titre d'exemples non limitatifs et illustrés par les figures sur lesquelles : -La figure 1 représente une coupe transversale d'un boîtier semi-conducteur selon l'invention ; - La figure 2 représente une vue de dessus du boîtier semi-conducteur de la figure 1 - La figure 3 représente une coupe transversale d'un ensemble de boîtiers semi-conducteurs en cours de fabrication ; - La figure 4 représente une coupe transversale de l'ensemble de boîtiers semi-conducteurs de la figure 3 dans une étape ultérieure de fabrication ; - La figure 5 représente une coupe transversale agrandie de l'ensemble de la figure 4 - La figure 6 représente une vue de dessus réduite de l'ensemble de la figure 4 - La figure 7 représente une coupe transversale de deux boîtiers semi-conducteurs avant leur empilage ; - Et la figure 8 représente une coupe transversale des deux boîtiers semi-conducteurs empilés l'un sur l'autre. En se reportant notamment aux figures 1 et 2, on peut voir qu'on a représenté un boîtier semi-conducteur 1 qui comprend, de façon connue en soi, une plaque carrée 2 munie de moyens de connexion électrique sélective 3, une puce carrée 4 de circuits intégrés dont la face arrière est fixée sur la face avant 5 de la plaque 2 par l'intermédiaire d'une couche de colle 6 et des fils de connexion électrique 7 qui reliées des plots avant de la puce 4 à des plots avant des moyens de connexion électrique 3 de la plaque 2, ces plots avant étant situés à l'extérieur et à distance de la périphérie de la puce 4. La puce 4 est plus petite que la plaque 2 et est placée au milieu de cette dernière, leurs côtés étant parallèles. Sur la face avant 5 de la plaque 2 sont prévus des plots frontaux de contact électrique 8, en saillie, reliés sélectivement à ses moyens de connexion électrique 3. Ces plots frontaux 8 sont disposés selon quatre rangées 9 parallèles aux côtés de la puce 4, à l'extérieur et à distance des plots avant précités de connexion des fils 7 sur la plaque 2. La puce 4 et les fils de connexion électrique 7 sont encapsulés dans un bloc d'encapsulation 10 en une matière d'enrobage qui couvre la face avant 6 de la plaque 2 et qui est de forme parallélépipédique. Dans le bloc d'encapsulation 10 sont ménagées quatre rainures rectilignes 11 constituant des ouvertures, qui s'étendent parallèlement aux côtés de la puce 4, ou aux côtés de ce bloc, et débouchent sur les côtés de ce dernier et qui sont réalisées à une profondeur telle que les faces frontales des plots frontaux 8 sont partiellement découvertes, ces rainures se croisant deux à deux à proximité des coins du bloc 10. Comme le montre la figure 5, les faces frontales de plots frontaux 8 sont avantageusement recouvertes d'une couche 12 d'une matière pâteuse conductrice de l'électricité, les rainures 11 atteignant cette couche 12. Sur la face arrière 13 de la plaque 2 sont soudées des billes de connexion électrique extérieure 14 reliées sélectivement aux moyens de connexion 3, en vue par exemple d'un montage du boîtier 1 sur une plaque de circuits imprimés. Pour fabriquer le boîtier semi-conducteur 1, on peut procéder de la manière suivante. Comme le montre la figure 3, disposant d'une grande plaque 2a présentant, en des emplacements adjacents alignés 15, des moyens de connexion électrique 3 et des plots frontaux 8, on fixe des puces 4 sur ces emplacements 15, on installe les fils de connexion électrique 7 associés à chaque puce 4, on réalise un grand bloc d'encapsulation l0a de forme parallélépipédique dans lequel sont noyés les puces 4 et les fils de connexion électrique 7 et on dépose et soude les billes arrière 14. Les rangées 9 de plots frontaux 8 associés aux différentes puces 8 sont respectivement alignées selon des lignes longitudinales et transversales. Ensuite, comme le montrent les figures 4 et 5, on réalise les rainures rectilignes 11 en utilisant une scie 16 que l'on déplace rectilignement, longitudinalement et transversalement. Comme les rangées 9 de plots 8 sont respectivement alignées, les rainures correspondantes peuvent être réalisées en une seule opération. La scie 16 est réglée de façon que la profondeur des rainures 11 soit telle que la scie 16 traverse les couches 12 de matière pâteuse, sans atteindre la face frontale des plots frontaux 8. Après quoi, comme le montrent les figures 4 et 6, on procède à un sciage rectiligne, longitudinalement et transversalement, de la grande plaque 2a et du grand bloc 10a, entre les emplacements 13, selon les directions 17. On obtient alors autant de boîtiers 1 qu'étaient prévus d'emplacements 15. Comme le montrent les figures 7 et 8, un boîtier semi-conducteur 18 peut être empilé sur le boîtier semi-conducteur 1. Ce boîtier 18 comprend une plaque 19 qui est munie de moyens de connexion électrique 20 et qui porte sur sa face avant 21 une puce de circuits intégrés 22 reliée par des fils de connexion électrique 23 à ces moyens 17, cette puce 22 et ces fils 23 étant noyés dans un bloc d'encapsulation 24. La plaque 19 porte, sur sa face arrière 25, des billes de connexion électrique 26 reliées aux moyens de connexion électrique 20 et disposées conformément à la disposition des plots frontaux 8 du boîtier 2. Pour réaliser l'empilage précité, on rapproche le boîtier 2 et le boîtier 18 l'un vers l'autre en engageant les billes de connexion électrique 26 du boîtier 18 dans les rainures 11 du bloc d'encapsulation 10 du boîtier 2 et on procède au soudage des billes de connexion électrique 26 respectivement sur les faces frontales des plots frontaux 8, les couches 12 facilitant l'opération de soudage. Les boîtiers 2 et 18 sont alors fixés l'un sur l'autre et sélectivement reliés électriquement. Les dimensionnements étant tels que la face avant du bloc d'encapsulation 10 du boîtier 2 vienne sur ou à proximité de la face arrière du boîtier 18, on pourrait en outre, dans une variante, interposer une couche de colle entre ces face avant et arrière.
Dans une variante, le boîtier 18 pourrait présenter la structure du boîtier 1. Ainsi, on pourrait empiler sur un tel boîtier un troisième boîtier comme décrit ci-dessus, et ainsi de suite. La présente invention ne se limite pas aux exemples ci-dessus décrits. D'autres variantes de réalisation sont possibles sans sortir du cadre des revendications annexées.
Claims (14)
1. Boîtier semi-conducteur comprenant une plaque (2) présentant des moyens de connexion électrique (3), une puce de circuits intégrés (4) fixée sur une face avant de ladite plaque, des moyens de connexion électrique (7) de ladite puce auxdits moyens de connexion électrique de ladite plaque, lesdits moyens de connexion électrique de ladite plaque comprenant, sur la face avant de cette plaque, des plots frontaux de contact électrique (8) disposés au-delà d'au moins un bord de ladite puce ; caractérisé par le fait qu'il comprend un bloc d'encapsulation (10) en une matière d'enrobage formé sur la face avant de ladite plaque et encapsulant ladite puce, lesdits moyens de connexion de cette dernière et lesdits plots frontaux, ledit bloc présentant au moins une ouverture (11) découvrant lesdits plots frontaux (8) au moins partiellement.
2. Boîtier selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu'au moins certains desdits plots frontaux (8) sont alignés selon au moins une rangée (9), ladite ouverture étant constituée par une rainure rectiligne (11) découvrant cette rangée de plots frontaux.
3. Boîtier selon la revendication 2, caractérisé par le fait que les extrémités de ladite rainure (11) débouchent sur deux côtés opposés dudit bloc d'encapsulation.
4. Boîtier selon l'une des revendications 2 et 3, caractérisé par le fait qu'il comprend quatre rangées de plots frontaux (8) encerclant ladite puce et quatre rainures rectilignes (11) découvrant les plots frontaux de ces rangées de plots frontaux, ces rainures se croisant deux à deux.
5. Boîtier selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que lesdits plots frontaux (8) sont respectivement recouverts d'une couche (12) en un matériau tendre conducteur de l'électricité.
6. Boîtier selon la revendication 5, caractérisé par le fait que ledit matériau tendre est une pâte à souder.
7. Procédé de fabrication d'au moins un boîtier semi-conducteur, consistant : à fixer une puce de circuits intégrés sur uneface avant d'une plaque présentant des moyens de connexion électrique et à relier des moyens de connexion électrique de ladite puce auxdits moyens de connexion électrique de ladite plaque, lesdits moyens de connexion électrique de ladite plaque comprenant, sur la face avant de cette plaque, des plots frontaux de contact électrique disposés au-delà des bords de ladite puce, caractérisé par le fait qu'il consiste : à encapsuler ladite puce (4), lesdits moyens (7) de connexion de cette dernière et lesdits plots dans un bloc d'encapsulation (10) en une matière d'enrobage formé sur la face avant de ladite plaque (2) ; et à réaliser dans ledit bloc (10) au moins une ouverture (11) découvrant lesdits plots frontaux (8) au moins partiellement.
8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé par le fait qu'au moins certains desdits plots frontaux (8) sont alignés selon au moins une rangée (9) et que ladite ouverture est constituée par une rainure rectiligne (11) découvrant cette rangée de plots frontaux.
9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé par le fait que ladite rainure (11) est obtenue à l'aide d'un outil tel qu'une scie déplacée au-delà des bords du bloc d'encapsulation.
10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, caractérisé par le fait que caractérisé par le fait qu'il consiste, avant de réaliser ledit bloc d'encapsulation, à recouvrir respectivement lesdits plots d'une couche (12) en un matériau tendre.
11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé par le fait que ladite ouverture (11) est obtenue à l'aide d'un outil atteignant ladite couche pâteuse conductrice de l'électricité.
12 . Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, caractérisé par le fait que caractérisé par le fait qu'il consiste à fixer et connecter électriquement plusieurs puces (4) sur une plaque unique (2a) en des emplacements alignés (15), de telle sorte qu'au moins certains des plots frontaux (8) associés à ces puces soient alignés selon au moins une rangée (9), et qu'il consiste : à réaliser un bloc d'encapsulation (l0a) commun audites puces ; à réaliser au moins une rainure (11) découvrant au moins partiellement les plots frontaux deladite rangée ; et à découper ladite plaque unique (2a) et ledit bloc d'encapsulation commun (l0a) entre lesdits emplacements de façon à singulariser plusieurs boîtiers semi-conducteurs (1).
13. Empilage d'au moins deux boîtiers semi-conducteurs, caractérisé par le fait qu'il comprend un premier boîtier semi-conducteur (1) constitué par le boîtier selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 et un second boîtier semi-conducteur (18) disposé au-dessus du bloc d'encapsulation dudit premier boîtier, la connexion électrique entre lesdits boîtiers étant réalisée par des billes de connexion électrique (26) disposées dans ladite au moins une ouverture (11) et en contact électrique avec lesdits plots frontaux (8).
14. Procédé de fabrication d'un empilage d'au moins deux boîtiers semi-conducteurs, caractérisé par le fait qu'il consiste ; à réaliser un premier boîtier (1) selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 ; à réaliser un second boîtier (18) portant des billes de connexion électrique (26), disposées en correspondance avec lesdits plots frontaux (8) du premier boîtier (1) ; et à installer le second boîtier sur le premier boîtier en engageant lesdites billes (26) du second boîtier (18) dans ladite au moins une ouverture (11) et en connectant ces billes aux plots frontaux (8) du premier boîtier (1).
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0511766A FR2893764B1 (fr) | 2005-11-21 | 2005-11-21 | Boitier semi-conducteur empilable et procede pour sa fabrication |
US11/601,569 US7737565B2 (en) | 2005-11-21 | 2006-11-17 | Stackable semiconductor package and method for its fabrication |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0511766A FR2893764B1 (fr) | 2005-11-21 | 2005-11-21 | Boitier semi-conducteur empilable et procede pour sa fabrication |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2893764A1 true FR2893764A1 (fr) | 2007-05-25 |
FR2893764B1 FR2893764B1 (fr) | 2008-06-13 |
Family
ID=36693065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR0511766A Expired - Fee Related FR2893764B1 (fr) | 2005-11-21 | 2005-11-21 | Boitier semi-conducteur empilable et procede pour sa fabrication |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7737565B2 (fr) |
FR (1) | FR2893764B1 (fr) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TWI335070B (en) | 2007-03-23 | 2010-12-21 | Advanced Semiconductor Eng | Semiconductor package and the method of making the same |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2893764B1 (fr) | 2008-06-13 |
US20070114654A1 (en) | 2007-05-24 |
US7737565B2 (en) | 2010-06-15 |
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