FR2888401A1 - Retrait du bord de la rondelle de centrage par gravure par immersion - Google Patents

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Abstract

Un procédé permettant d'exécuter une gravure par immersion d'une plaquette de semi-conducteur est proposé. Le procédé comporte la fourniture d'une couche de résist sur une surface de la plaquette de semi-conducteur. Ensuite, un procédé de retrait du bord de la rondelle de centrage fait tourner par centrifugation la plaquette à une vitesse supérieure à 1 000 tours par minute et distribue du solvant par le biais d'une buse tandis que la plaquette tourne par centrifugation. Ensuite, la couche de résist est exposée au cours d'un système d'exposition de gravure par immersion.

Description

RETRAIT DU BORD DE LA RONDELLE DE CENTRAGE
PAR GRAVURE PAR IMMERSION
La présente description concerne généralement la fabrication de dispositifs semi-conducteurs et plus particulièrement un procédé et un système permettant le retrait de résidu de photorésist d'un substrat semiconducteur.
La gravure est un mécanisme grâce auquel un motif placé sur un masque est projeté sur un substrat comme une plaquette de semi-conducteur. Dans des domaines comme la photogravure de semi-conducteurs, il est devenu nécessaire de créer des images sur la plaquette de semi-conducteur qui incorporent des tailles caractéristiques minimales avec une limite de résolution ou une dimension critique (CD). Actuellement, les CD atteignent 65 nanomètres voir moins.
La gravure par immersion constitue un nouveau progrès de la photogravure, dans lequel la procédure d'exposition est effectuée avec un liquide qui remplit l'espace situé entre la surface de la plaquette et la lentille. En utilisant la photogravure par immersion, un plus grand nombre d'ouvertures ne peut être assuré que lorsqu'on utilise des lentilles dans l'air, ce qui génère une amélioration de la résolution. En outre, l'immersion permet d'obtenir une profondeur de foyer (DOF) améliorée pour imprimer des caractéristiques encore plus petites.
L'étape d'exposition par immersion peut utiliser de l'eau déminéralisée ou un autre fluide d'exposition par immersion approprié dans l'espace situé entre la plaquette et la lentille. Bien que le temps d'exposition soit court, la combinaison du fluide et de la couche photosensible (comme le photorésist ou simplement le résist ) peut provoquer 2888401 2 des problèmes jusqu'à présent inconnus. Par exemple, le résidu de résist entre en contact avec le fluide d'exposition par immersion et/ou la lentille, ce qui contamine le fluide et/ou la lentille et génère des défauts sur la plaquette.
Il est souhaitable de proposer un procédé de gravure par immersion permettant d'obtenir une contamination réduite de la lentille et du fluide d'exposition par immersion et des défauts réduits sur la plaquette.
Dans un mode de réalisation, un procédé permettant d'exécuter une gravure par immersion sur une plaquette de semi-conducteur est proposé. Le procédé comporte la fourniture d'une couche de résist sur une surface de la plaquette de semi-conducteur. Ensuite, un procédé de retrait du bord de la rondelle de centrage fait tourner la plaquette par centrifugation à une vitesse supérieure à 1 000 tours par minute (par exemple, environ 1 500 tr/min) et distribue du solvant par le biais d'une buse tandis que la plaquette tourne par centrifugation. Ensuite, la couche de résist est exposée à l'aide d'un système d'exposition de gravure par immersion.
Dans certains modes de réalisation, l'étape de retrait du bord de la rondelle de centrage comporte un premier procédé de mise en rotation par centrifugation qui fait tourner la plaquette par centrifugation à une première vitesse supérieure à 1 000 tr/min et distribue du solvant en direction d'un bord de la plaquette tandis qu'elle tourne, un deuxième procédé de mise en rotation par centrifugation qui fait tourner la plaquette par centrifugation à une deuxième vitesse inférieure ou égale à la première vitesse et distribue du solvant en direction du bord de la plaquette pendant qu'elle tourne par centrifugation, et un troisième procédé de mise en rotation par centrifugation qui fait 2888401 3 tourner la plaquette par centrifugation à une troisième vitesse inférieure ou égale à la deuxième vitesse et distribue du solvant en direction du bord de la plaquette tandis qu'elle tourne par centrifugation.
Dans un autre mode de réalisation, un procédé permettant d'exécuter une gravure par immersion sur un substrat de semi-conducteur comporte la fourniture d'une couche de résist sur une surface du substrat semiconducteur, la couche de résist s'étendant à proximité d'un bord du substrat. Une couche de revêtement non réfléchissant supérieure (TARO) est formée au-dessus du résist, la couche TARO s'étendant plus près du bord du substrat que la couche de résist, ce qui permet d'encapsuler la couche de résist. Le procédé de retrait du bord de la rondelle de centrage (EBR) est ensuite exécuté. Le procédé EBR comprend la mise en rotation par centrifugation de la plaquette à une vitesse supérieure à 1 000 tours par minute (tr/min) et la distribution de solvant à travers une buse tandis que la plaquette tourne par centrifugation. Ensuite, la couche de résist est exposée à l'aide d'un système d'exposition de gravure par immersion.
Dans un autre mode de réalisation, un système de retrait du bord de la rondelle de centrage pouvant être utilisé avec un procédé de gravure par immersion est proposé. Le système comporte un moteur à plusieurs vitesses permettant de faire tourner par centrifugation un support de tranche. Le moteur est configuré de manière à maintenir de façon séquentielle une première vitesse du support de tranche supérieure à 1 000 tr/min, une deuxième vitesse du support de tranche à environ 1 000 tr/min, et une troisième vitesse du support de tranche inférieure à 1 000 tr/min. Le système comporte également une première buse placée sur le support de tranche à proximité de l'endroit où se trouve un bord de la 2888401 4 plaquette de semi-conducteur sur le support de tranche, la première buse servant à distribuer un solvant.
Dans certains modes de réalisation, la première buse est configurée de manière à être placée en différents emplacements correspondant à au moins deux vitesses différentes du support de tranche.
Dans certains modes de réalisation, le moteur à plusieurs vitesses est en outre configuré de telle sorte que la première vitesse soit d'environ 2 500 tr/min, la deuxième vitesse soit d'environ 1 000 tr/min, et la troisième vitesse soit d'environ 500 tr/min.
Dans certains modes de réalisation, le système comporte également une deuxième buse placée sur le support de tranche à proximité de l'endroit où un bord d'une plaquette de semi- conducteur serait placé sur le support de tranche. La deuxième buse distribue un solvant sur un côté de la plaquette de semi-conducteur opposé au côté où la première buse distribue du solvant. La première buse est configurable pour distribuer du solvant à environ 2,5 millimètres (mm) du bord de la plaquette lorsque le moteur tourne à la première vitesse. Les première et deuxième buses sont configurables de manière à distribuer du solvant à une distance comprise entre 1,0 mm et 1,5 mm du bord de la plaquette lorsque le moteur tourne à la deuxième vitesse. Les première et deuxième buses sont également configurables de manière à distribuer du solvant à environ 1,0 mm du bord de la plaquette lorsque le moteur tourne à la troisième vitesse.
Une description détaillée est donnée dans les modes de réalisation suivants en référence aux dessins joints.
2888401 5 La présente invention peut être mieux comprise à la lecture de la description détaillée suivante et des exemples faisant référence aux dessins joints, parmi lesquels: - La figure 1 est un organigramme d'un procédé permettant d'effectuer une gravure par immersion, comprenant la mise en oeuvre d'un procédé de retrait du bord de la rondelle de centrage (EBR).
- Les figures 2, 7, 8 et 9 sont des vues en coupe latérale de la partie située le plus à droite (sur la figure) d'une plaquette de semiconducteur.
- La figure 3 est une vue latérale d'un système de gravure par immersion.
- La figure 4 est une vue de la plaquette de semi-conducteur des figures 1, 4 et/ou 5 qui présente un ou plusieurs défauts.
- Les figures 5 et 6 sont des vues de différents procédés de séchage utilisés dans le procédé EBR de la figure 6 selon un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention.
La description suivante concerne le meilleur mode de réalisation de l'invention. Cette description est donnée à titre d'illustration des principes généraux de l'invention et ne doit pas être considérée comme restrictive. La portée de l'invention sera mieux déterminée en faisant référence
aux revendications jointes.
La présente description concerne généralement la fabrication de dispositifs semi-conducteurs et plus particulièrement un procédé et un système permettant de retirer un résidu de photorésist d'un substrat semiconducteur. L'on comprendra, toutefois, que des modes de réalisation spécifiques sont 2888401 6 fournis en tant qu'exemples pour enseigner le concept de l'invention plus large et un spécialiste de la technique pourra facilement appliquer les enseignements de la présente description à d'autres procédés et systèmes. De plus, l'on comprendra que les procédés et systèmes traités dans la présente description comprennent certaines structures et/ou étapes classiques. Puisque ces structures et étapes sont biens connues dans la technique, elles ne seront traitées qu'à un niveau général. En outre, les numéros de référence sont repris sur les schémas pour faciliter leur compréhension et les rendre plus clairs et cette répétition ne sous-entend pas une combinaison nécessaire de caractéristiques ou d'étapes sur les dessins.
En référence à la figure 1, un organigramme simplifié d'un mode de réalisation d'un procédé de gravure par immersion générant un nombre réduit de défauts est désigné par le numéro de référence 100. A l'étape 102, une couche photosensible (PSL) est formée sur la surface d'un substrat de plaquette. Le substrat de plaquette peut comprendre une plaquette de silicium vierge, un empilement de films minces, du polysilicium, du nitrure de silicium, de l'oxyde de silicium, un diélectrique faible-k, et des matériaux conducteurs (par exemple, du métal).
Dans un mode de réalisation, la PSL est une couche de photorésist polymère (résist) qui est d'environ 2 500 A pour une gravure de 65 nm et inférieure à 1 800 A pour une gravure de 55 nm. Celle-ci est utilisée, dans le présent mode de réalisation, pour conserver un rapport souhaité entre la hauteur et la largeur pour la géométrie des circuits associée à la résolution de la gravure correspondante. Une épaisseur réduite de la PSL peut aider à réduire ou à empêcher la destruction du motif au cours des 2888401 7 étapes de traitement ultérieures (par exemple le développement, le séchage par centrifugation).
Le résist peut être une couche de revêtement antiréfléchissant inférieur (BARC), un polymère de sous-couche, un polymère contenant du silicium, un polymère contenant du carbure de silicium, un résist négatif ou positif, une couche de revêtement anti-réfléchissant supérieur (TARC), et peut être composé d'un matériau connu aujourd'hui ou développé par l'avenir pour cela. Par exemple, le résist peut être un système de résist à un, deux composants ou plus. L'application du résist peut être effectuée par dépôt par centrifugation ou par une autre procédure appropriée. Avant l'application du résist, la plaquette peut d'abord être traitée pour la préparer au procédé de photogravure.
Par exemple, la plaquette peut être nettoyée, séchée et/ou revêtue d'un matériau favorisant l'adhésion avant l'application du résist.
Dans le présent mode de réalisation, une couche BARC est placée sur la plaquette avant l'application du résist, et une couche de revêtement supérieur (par exemple TARO) est placée sur la plaquette après l'application du résist. La couche de BARC présente une hauteur supérieure à environ 50 A, afin de faciliter l'uniformité de l'épaisseur du revêtement et une réflexivité souhaitée. La couche TARO présente également une hauteur supérieure à environ 50 A afin de faciliter l'uniformité de l'épaisseur du revêtement.
A l'étape 104, le rinçage du solvant est effectué pour retirer le résist au niveau du bord de la plaquette (désigné par bord de la rondelle de centrage ). Ce procédé permet d'empêcher que le résist soit contaminé au cours du procédé d'exposition. Un procédé de retrait du bord de la rondelle de centrage (EBR) classique comprend les paramètres suivants 2888401 8 représentés dans le tableau 1 ci-dessous. Il s'agit d'un procédé à deux étapes dans lequel la première étape fait tourner la plaquette par centrifugation à 1 000 tours par minute pendant 5 secondes. Au cours de cette étape, deux buses permettant de distribuer du solvant sont placées à 1,5 millimètre du bord de la plaquette, l'une pour la surface avant de la plaquette et l'autre pour la surface arrière. Il faut comprendre que les termes avant et arrière désignent respectivement le côté de la plaquette muni du résist et le côté opposé à celui-ci.
Tableau 1
Etape Tr/min Temps Position de Distribution de fluide (s) la buse (mm) 1 1 000 5 1,5 Avant et arrière 2 1 000 5 - Aucune (séchage par centrifugation) A l'étape 106, un procédé de gravure par immersion est effectué. La plaquette et le résist (et toute autre couche) sont immergés dans un liquide d'exposition d'immersion comme de l'eau déminéralisée exposée à une source de rayonnement. La source de rayonnement peut être une source de lumière ultraviolette, par exemple du fluorure de krypton (KrF, 248 nm), du fluorure d'argon (ArF, 193 nm), ou un laser à excimère F2 (157 nm). La plaquette est exposée au rayonnement pendant une période de temps prédéterminée, qui dépend du type de résist utilisé, de l'intensité de la source de lumière ultraviolette et/ou d'autres facteurs. Le temps d'exposition peut être compris entre environ 0,2 seconde et environ 30 secondes, par exemple. Après l'exposition, un étuvage post- exposition (PEB) est exécuté pour le clivage polymère et un procédé de développement est utilisé pour achever le modelage des contours de la couche de résist.
2888401 9 En référence à la figure 2, une plaquette de semi-conducteur 10 constitue un exemple d'une plaquette pouvant être exécutée grâce au procédé de gravure par immersion 100 auquel il a été fait référence précédemment. La plaquette 100 comporte un substrat 12 et une couche photosensible 14. Le substrat 12 peut inclure une ou plusieurs couches, y compris poly, de métal et/ou diélectrique, souhaitables pour le modelage des contours. La couche photosensible 14 peut être une couche de photorésist (résist) qui réagit à un procédé d'exposition pour créer des motifs.
Bien que cela ne soit pas nécessaire, la plaquette 10 comporte une couche de revêtement anti-réfléchissant inférieur (BARC) 16 et une couche de revêtement anti-réfléchissant supérieur (TARC) 18. La figure 2 montre uniquement le côté droit 19 de la plaquette 10. Le bord gauche de la plaquette 10 peut être considéré comme ayant un profil similaire à celui du bord droit 19. Sur la figure 2 également, trois couches sont représentées empilées, la couche BARC 16 s'étendant davantage (plus près) vers le bord de plaquette 19 que la couche photosensible 14, qui s'étend davantage vers le bord de la plaquette que la couche TARC 18.
En référence à la figure 3, après le procédé EBR, la plaquette 10 est dotée d'un système de gravure par immersion 20. Le système de gravure par immersion comporte un système de lentilles 22, une tête d'immersion 24 permettant de contenir un fluide 26 comme de l'eau déminéralisée, plusieurs ouvertures 28 à travers lesquelles du fluide peut être ajouté ou retiré et un étage 30 permettant de fixer et déplacer la plaquette 10 par rapport au système de lentilles 22. L'étage 30 comprend en outre une structure 32 pouvant contenir le fluide 26. Sur la figure 3, le système de lentilles 22 et la tête d'immersion 24 sont placés à proximité du bord droit 19 de la plaquette 10. Il faut 2888401 10 comprendre que la lentille 22 et la plaquette 10 subissent un mouvement relatif de telle sorte que la lentille peut exposer la couche de résist 14 sur toute la plaquette.
En référence aux figures 2 et 3, bien que celles-ci ne soient pas censées être restrictives, un mécanisme de défaut permettant de provoquer des défauts au cours d'un procédé de gravure par immersion classique se met en oeuvre lorsqu'un profil de découpe de résist peu satisfaisant est créé et le matériau soluble issu du résist 14 forme des particules 40, qui poseront des problèmes ultérieurement au cours du procédé. Sur la figure 2, deux particules 40 sont représentées à proximité du bord 19. Les particules 40 peuvent comprendre un matériau soluble issu de la couche de résist 14, de la couche BARC 16, de la couche TARO 18 ou d'une combinaison de celles-ci. Sur la figure 3, de nombreuses particules 40 sont représentées, pas seulement à proximité du bord de la plaquette 19 mais aussi immergées dans le fluide 26.
L'on considère que le défaut se situe dans le procédé EBR. La force centrifuge d'une plaquette tournant par centrifugation à 1 000 tr/min (tableau 1) n'est pas suffisamment puissante pour retirer le solvant EBR du bord du résist 14. Le résist 14 qui se trouve au bord de la plaquette est toujours imprégné de solvant, ce qui donne un état spongieux. Dans certains cas, cela rend mou le bord du résist, ce qui signifie qu'il pourra être facilement repoussé au cours de l'étape de séchage par centrifugation de la plaquette (étape 2). Le résist riche en solvant repoussé par centrifugation va en outre se décoller au cours d'un procédé de post-exposition. Bien que cela n'ait pas causé de problème dans la gravure à sec, le fluide 26 et/ou la lentille 22 du système de gravure par immersion 20 (figure 3) peut être contaminé par les particules 40 et un 2888401 11 nombre accru de défauts apparaît sur la plaquette (où se trouvent les puces).
En référence maintenant à la figure 4, la plaquette 10 est représentée après avoir subi un procédé de gravure par immersion en utilisant un procédé EBR classique. La plaquette 10 présente des défauts 50 qui ont été provoqués au cours du procédé. Les défauts sont provoqués par les particules 40 illustrées sur les figures 2 et 3, et peuvent montrer l'existence des particules et/ou la déformation de motif vide de type trous (motifs manquants) dans le résist. D'autres types de défauts peuvent également exister.
En référence à la figure 5, afin de réduire et/ou d'empêcher la formation des particules 40 dans le fluide d'immersion 26 et sur la lentille 22 (tel que représenté sur la figure 3), et de réduire le nombre de défauts 50 dans la plaquette traitée (tel que représenté sur la figure 4), un nouveau procédé EBR est proposé. Le nouveau procédé EBR utilise un support de tranche 52 et est entraîné par un moteur 54, ainsi qu'une ou plusieurs buses 60, 62. Le moteur 54 peut faire tourner le support de tranche par centrifugation 52 à des vitesses relativement élevées, tel que traité ci-dessous, et dans certains modes de réalisation, la ou les buses 60-62 peu(ven)t assurer un mouvement unique coordonné avec les vitesses du moteur.
Le tableau 2 ci-dessous décrit un procédé EBR à deux étapes amélioré (par rapport au tableau 1 ci-dessus), dans lequel au cours de la première étape, le moteur 54 fait tourner par centrifugation le support de tranche 52 (et par conséquent la plaquette 10) à une vitesse supérieure à 1 000 tr/min (par exemple, 1 500 tr/min) pendant environ 5 secondes. Les deux buses 60, 62 permettant de distribuer du solvant sont placées à environ 1, 5 millimètres du bord de la plaquette, 2888401 12 une pour la surface avant de la plaquette 10 et l'autre pour la surface arrière. Parmi les exemples de solvant, on peut citer, le monométhyléther de propylèneglycol (PGME), l'acétate de monométhyléther de propylèneglycol (PGMEA), le cyclohexanol, la solution d'eau, la solution d'agent de surface ou des combinaisons de ceux-ci. Il faut comprendre que de nombreux types de résist sont solubles dans un ou plusieurs des solvants énumérés ci-dessus. Le présent mode de réalisation augmente la force centrifuge sur le bord des rondelles de centrage et réduit l'état spongieux du résist à proximité du bord de la plaquette. Une fois les étapes du tableau 2 exécutées, un procédé d'étuvage pré-exposition peut être utilisé pour densifier le polymère de résist et faire évaporer le solvant.
Tableau 2
Etape Tr/min Temps Position de la Distribution de (s) buse (mm) fluide 1 > 1 000 5 1,5 Avant et arrière 2 1 000 5 - Aucune (séchage par centrifugation) Dans un autre mode de réalisation, on réduit ou on empêche en outre la formation des particules 40 dans le fluide d'immersion 26 grâce à un deuxième procédé EBR. Le tableau 3 ci-dessous décrit un procédé à quatre étapes amélioré. La première étape fait tourner par centrifugation la plaquette à une vitesse supérieure à 1 000 tr/min (par exemple 2 500 tr/min) pendant environ 5 secondes. Le solvant est distribué par le biais de la buse 60 sur l'avant de la plaquette 10 en une position qui est à environ 2,5 millimètres du bord de la plaquette. La deuxième étape fait tourner par centrifugation la plaquette à une vitesse plus rapide (par exemple 1 000 tr/min) pendant environ 2888401 13 secondes. Le solvant est distribué par le biais des deux buses 60, 62 sur les côtés avant et arrière de la plaquette 10 en une position qui se trouve à environ 1,5 millimètres du bord de la plaquette. La troisième étape fait tourner la plaquette par centrifugation à une vitesse encore plus lente (par exemple 500 tr/min) pendant environ 5 secondes. Le solvant est distribué par le biais des deux buses 60, 62 sur les côtés avant et arrière de la plaquette 10 en une position qui se trouve à environ 1,0 millimètre du bord de la plaquette.
Tableau 3
Etape Tr/min Temps Position de la Distribution (s) buse (mm) de fluide 1 2 500 5 2,5 Avant 2 1 000 5 1,5 Avant et arrière 3 500 5 1,0 Avant et arrière 4 1 000 5 - Aucune (séchage par centrifugation) La variation de la vitesse et de la position empêche et réduit tout rebond en arrière pouvant se produire du fait que le résist chassé rebondit sur toutes les parois de la chambre et retourne sur la surface de la plaquette. De plus, les vitesses lentes servent à nettoyer le bord de la plaquette une fois que les premières étapes à plus grande vitesse ont retiré le bord de la rondelle de centrage.
En référence à la figure 6, dans certains modes de réalisation, les buses 60, 62 peuvent être configurées selon un angle pour faciliter le retrait du bord de la rondelle de centrage du résist et/ou réduire le rebond en arrière.
2888401 14 En référence aux figures 7 à 9, dans d'autres modes de réalisation (par rapport au mode de réalisation de la figure 2), la couche TARC peut s'étendre au-dessus de la couche de résist 14 pour aider à réduire les risques de formation de particules de résist. Sur la figure 7, la couche TARO est identifiée par le numéro de référence 18a et recouvre à la fois le résist 14 et la couche BARC 16. La couche TARO 18a s'étend sur une distance qui est sensiblement inférieure à 5 mm à partir du bord 19 du substrat de la plaquette 12. Sur la figure 8, la couche TARO est identifiée par le numéro de référence 18b et recouvre la couche de résist 14 mais pas la couche BARC 16. La couche BARC 16 s'étend sur une distance amenant plus près du bord 19 du substrat de plaquette 12. Sur la figure 9, la couche TARO est identifiée par le numéro de référence 18c et recouvre la couche de résist 14. La couche de résist 14 s'étend sur une distance amenant plus près du bord 19 du substrat de plaquette 12. Une partie des matériaux TARO présente une meilleure adhésion à la couche de résist que le substrat de plaquette. L'empilement de films du bord de la plaquette représenté sur la figure 9 aide à empêcher le décollement de la couche TARO du bord de la plaquette au cours du procédé d'exposition par immersion.
Le tableau 4 ci-dessous décrit un procédé EBR à quatre étapes amélioré qui fonctionne bien avec plusieurs combinaisons de couches, y compris celles contenant les couches TARO 18a et 18b traitées ci-dessus. La première étape fait tourner par centrifugation la plaquette à une vitesse supérieure à 1 000 tr/min (par exemple 2 500 tr/min) pendant environ 5 secondes. Du solvant est distribué par le biais de la buse 60 à l'avant de la plaquette 10 en une position qui se trouve à environ 1,5 millimètres du bord de la plaquette. Parmi les exemples de solvant, on peut citer le PGME, PGMEA, le cyclohexanol, la solution d'eau, la 2888401 15 solution d'agent de surface ou des combinaisons de ceux-ci. La deuxième étape fait tourner par centrifugation la plaquette à une vitesse plus lente (par exemple 1 000 tr/min) pendant environ 5 secondes. Le solvant est distribué par le biais des deux buses 60, 62 sur les côtés avant et arrière de la plaquette 10 en une position qui se trouve à environ 1,0 millimètre du bord de la plaquette. La troisième étape fait tourner par centrifugation la plaquette à une vitesse encore plus lente (par exemple 500 tr/min) pendant environ 5 secondes. Le solvant est distribué par le biais des deux buses 60, 62 sur les côtés avant et arrière de la plaquette 10 en une position qui se trouve à environ 1,0 millimètre du bord de la plaquette.
Tableau 4
Etape Tr/min Temps Position de Distribution de (s) la buse (mm) fluide 1 2 500 5 1,5 Avant 2 1 000 5 1,0 Avant et arrière 3 500 5 1,0 Avant et arrière 4 1 000 5 - Aucune (séchage par centrifugation) Bien que seuls quelques modes de réalisation servant d'exemple de la présente invention aient été décrits en détail ci-dessus, les spécialistes de la technique comprendront facilement que de nombreuses modifications peuvent être apportées aux modes de réalisation donnés comme exemple sans s'éloigner matériellement des enseignements et avantages nouveaux de la présente invention. L'on comprendra que plusieurs combinaisons différentes des étapes de traitement énumérées ci-dessus peuvent être utilisées dans plusieurs séquences ou en parallèle, et qu'il n'y a pas d'étape particulière qui soit cruciale ou exigée. De plus, les caractéristiques illustrées et traitées ci-dessus par rapport à certains modes de réalisation peuvent être 2888401 16 combinées à des caractéristiques illustrées et traitées ci-dessus par rapport à d'autres modes de réalisation. Par conséquent, toutes ces modifications sont censées être incluses dans la portée de la présente invention.
Bien que l'invention ait été décrite à titre d'exemple et en référence aux modes de réalisation préférés, il faut comprendre que l'invention ne se limite pas aux modes de réalisation décrits. En revanche, elle est censée recouvrir plusieurs modifications et agencements similaires (comme le comprendront les spécialistes de la technique). Par conséquent, la portée des revendications jointes doit être interprétée de la manière la plus large possible pour englober toutes ces modifications et agencements similaires.

Claims (1)

17 REVENDICATIONS
1. Procédé de traitement d'une plaquette de semi-conducteur, comprenant: les étapes consistant à : - former une couche photosensible pour une gravure par immersion sur la plaquette de semi-conducteur; -exécuter un procédé de retrait du bord de la rondelle de centrage, incluant la distribution d'un premier liquide à un bord latéral avant de la plaquette de semi-conducteur à une première distance tout en faisant tourner par centrifugation la plaquette de semi-conducteur à une première vitesse supérieure à environ 1 500 tr/min; - sécher par centrifugation la plaquette de semi- conducteur; - après le séchage par centrifugation de la plaquette de semi-conducteur, étuver la plaquette de semi-conducteur; après l'étuvage de la plaquette de semi-conducteur, exposer la couche photosensible; - appliquer une étape d'étuvage post-expostion à la couche photosensible; et - après l'étape d'étuvage post-exposition de la couche photosensible, développer la couche photosensible.
2. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre à son tour, après la distribution du premier liquide au bord latéral avant de la plaquette de semi-conducteur et avant le séchage par centrifugation de la couche de semi-conducteur, 2888401 18 la distribution d'un deuxième liquide au bord latéral avant du bord de la plaquette de semi-conducteur sur une deuxième distance tout en faisant tourner par centrifugation la plaquette de semi-conducteur à une deuxième vitesse; et la distribution d'un troisième liquide au bord du côté avant du bord de la plaquette de semi-conducteur sur une troisième distance tout en faisant tourner la plaquette de semi-conducteur par centrifugation à une troisième vitesse.
3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la deuxième vitesse est inférieure ou égale à la première vitesse; et la troisième vitesse est inférieure ou égale à la deuxième vitesse.
4. Procédé selon la revendication 2, dans lequel chacun des premier, deuxième et troisième liquides comprend indépendamment un matériau provenant du groupe composé de PGME, PGMEA, cyclohexanol, solution d'eau, solution de surfactant et des combinaisons de ceux-ci.
5. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la deuxième distance est inférieure à la première distance; et la troisième distance est inférieure à la deuxième distance.
6. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche photosensible s'étend sur 5 mm d'un bord externe de la plaquette de semi-conducteur.
7. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre la formation d'une couche de revêtement anti-réfléchissant inférieur (BARC) sur le substrat avant la formation de la couche photosensible, dans lequel la couche BARC s'étend sur une distance inférieure à 5 mm d'un bord externe de la plaquette de semi-conducteur.
8. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre la formation d'une couche de revêtement supérieur sur le 2888401 19 substrat après la formation de la couche photosensible, dans lequel la couche de revêtement supérieur s'étend à 5 mm d'un bord externe de la plaquette de semiconducteur.
9. Plaquette de semi-conducteur produite grâce au procédé de la revendication 1.
10. Procédé permettant d'effectuer une gravure par immersion d'une plaquette de semi-conducteur, comprenant les étapes consistant à : fournir une couche de résist sur une surface de la plaquette de semiconducteur; - exécuter un procédé de retrait du bord des rondelles de centrage, incluant la mise en rotation par centrifugation de la plaquette à une première vitesse supérieure à 1 000 tr/min, la mise en rotation par centrifugation de la plaquette à une deuxième vitesse inférieure ou égale à la première vitesse et la distribution de solvant vers le bord de la plaquette tandis qu'elle tourne par centrifugation; et - exposer la couche de résist en utilisant un système d'exposition de gravure par immersion.
11. Système de retrait du bord des rondelles de centrage pouvant être utilisé avec un procédé de gravure par immersion, comprenant: - un moteur à plusieurs vitesses permettant de faire tourner par centrifugation un support de tranche, le moteur étant configuré pour conserver de manière séquentielle une première vitesse du support de tranche à une valeur supérieure à 1 500 tr/min, une deuxième vitesse du support de tranche à une valeur 2888401 20 comprise entre 1 000 tr/min 1 500 tr/min et une troisième vitesse du support de tranche à une valeur inférieure à 1 000 tr/min; et - une première buse placée sur le support de tranche à proximité de l'endroit où un bord d'une plaquette de semi-conducteur se placerait sur le support de tranche, la première buse permettant de distribuer un solvant.
12. Système de retrait du bord des rondelles de centrage selon la revendication 11, dans lequel la première buse est configurée de manière à être placée en différents emplacements correspondant à au moins deux vitesses différentes du support de tranche.
13. Système de retrait du bord des rondelles de centrage selon la revendication 11, comprenant en outre: - une deuxième buse placée sur le support de tranche à proximité de l'endroit où un bord de la plaquette de semi-conducteur se trouverait sur le support de tranche, la deuxième buse permettant de distribuer un solvant sur un côté de la plaquette de semiconducteur opposé au côté où la première buse distribue du solvant.
14. Système de retrait du bord des rondelles de centrage selon la revendication 11, dans lequel la première buse est configurée de manière à distribuer du solvant à environ 2,5 mm du bord de la plaquette lorsque le moteur se trouve à la première vitesse, les première et deuxième buses sont configurées de manière à distribuer du solvant sur une distance comprise entre 1,0 mm et 1,5 mm du bord de la plaquette lorsque le moteur se trouve à la deuxième vitesse et les première et deuxième buses sont également configurées 2888401 21 de manière à distribuer du solvant à environ 1,0 mm du bord de la plaquette lorsque le moteur se trouve à la troisième vitesse.
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