FR2827682A1 - Regulation de pression par transfert d'un volume de gaz calibre - Google Patents

Regulation de pression par transfert d'un volume de gaz calibre Download PDF

Info

Publication number
FR2827682A1
FR2827682A1 FR0109756A FR0109756A FR2827682A1 FR 2827682 A1 FR2827682 A1 FR 2827682A1 FR 0109756 A FR0109756 A FR 0109756A FR 0109756 A FR0109756 A FR 0109756A FR 2827682 A1 FR2827682 A1 FR 2827682A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
pressure
reserve
gas
setpoint
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR0109756A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2827682B1 (fr
Inventor
Jean Michel Fouet
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gemplus SA
Original Assignee
Gemplus Card International SA
Gemplus SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to FR0109756A priority Critical patent/FR2827682B1/fr
Application filed by Gemplus Card International SA, Gemplus SA filed Critical Gemplus Card International SA
Priority to US10/484,310 priority patent/US7264327B2/en
Priority to CN02818418.1A priority patent/CN100511066C/zh
Priority to EP02790202A priority patent/EP1425643A2/fr
Priority to PCT/FR2002/002580 priority patent/WO2003010615A2/fr
Priority to JP2003515926A priority patent/JP4830167B2/ja
Publication of FR2827682A1 publication Critical patent/FR2827682A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2827682B1 publication Critical patent/FR2827682B1/fr
Priority to JP2009111906A priority patent/JP2009196369A/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01Ink jet
    • B41J2/17Ink jet characterised by ink handling
    • B41J2/175Ink supply systems ; Circuit parts therefor
    • B41J2/17503Ink cartridges
    • B41J2/17556Means for regulating the pressure in the cartridge
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D16/00Control of fluid pressure
    • G05D16/20Control of fluid pressure characterised by the use of electric means
    • G05D16/2006Control of fluid pressure characterised by the use of electric means with direct action of electric energy on controlling means
    • G05D16/2013Control of fluid pressure characterised by the use of electric means with direct action of electric energy on controlling means using throttling means as controlling means
    • G05D16/2026Control of fluid pressure characterised by the use of electric means with direct action of electric energy on controlling means using throttling means as controlling means with a plurality of throttling means
    • G05D16/2033Control of fluid pressure characterised by the use of electric means with direct action of electric energy on controlling means using throttling means as controlling means with a plurality of throttling means the plurality of throttling means being arranged in series
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D16/00Control of fluid pressure
    • G05D16/20Control of fluid pressure characterised by the use of electric means
    • G05D16/2006Control of fluid pressure characterised by the use of electric means with direct action of electric energy on controlling means
    • G05D16/208Control of fluid pressure characterised by the use of electric means with direct action of electric energy on controlling means using a combination of controlling means as defined in G05D16/2013 and G05D16/2066
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/2931Diverse fluid containing pressure systems
    • Y10T137/3115Gas pressure storage over or displacement of liquid
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/2931Diverse fluid containing pressure systems
    • Y10T137/3115Gas pressure storage over or displacement of liquid
    • Y10T137/3127With gas maintenance or application

Abstract

Une régulation de la pression dans une réserve de liquide tel que de l'encre d'une tête d'impression de type jet d'encre, est obtenue par le transfert d'un volume de gaz calibré par une réserve annexe (12), cette régulation s'appliquant à des installations de fabrication d'objets portables intelligents et plus particulièrement à des postes de personnalisation graphique.

Description

<Desc/Clms Page number 1>
L'invention concerne des procédés et dispositifs de régulation destinés particulièrement à des dispositifs de dépression appliqués au maintien d'un liquide dans une réserve ouverte, l'ouverture se situant au-dessous du niveau du liquide, de façon à contrecarrer l'écoulement du liquide provoqué par la gravité.
L'invention s'applique particulièrement aux têtes de systèmes d'impression de type jet d'encre .
Ces têtes d'impression sont constituées d'un réservoir d'encre muni d'une ouverture située sous le niveau de remplissage de l'encre et de moyens, notamment piezo-électriques, pour projeter une fine goutte d'encre à travers l'ouverture, en direction du support à imprimer. C'est en projetant une multitude de ces fines gouttes aux emplacements adéquats que l'on parvient à réaliser l'impression désirée.
En dehors des phases de projection, l'encre doit être maintenue dans sa réserve en dépit de la gravité qui l'incite à couler par l'ouverture.
Une solution efficace consiste à maintenir le gaz présent dans la réserve au dessus de l'encre à une pression inférieure à la pression atmosphérique, avec le recours à un dispositif de dépression.
Le maintien correct de l'encre à l'intérieur d'une tête d'impression à jet d'encre nécessite une régulation très précise de la dépression pour éviter l'écoulement de l'encre par l'ouverture si la dépression est trop faible, ou bien la prise d'air par cette même ouverture si la dépression est trop forte.
<Desc/Clms Page number 2>
De tels procédés et dispositifs de régulation de la dépression sont connus de l'art antérieur.
Par exemple le brevet US 5 189 438 décrit un dispositif dans lequel une pompe à vide est reliée à la réserve d'encre, au dessus du niveau d'encre, et est activée en permanence. Le tarage de la dépression est obtenu grâce à un orifice de fuite calibré, situé également au-dessus du niveau d'encre.
Ces dispositifs basés sur des principes de calibrage mécanique d'une mise à l'échappement du vide présentent néanmoins un certain nombre d'inconvénients.
En effet, la valeur de la dépression ainsi obtenue est tributaire d'éléments mécaniques et ne présente donc pas une précision suffisante pour garantir un maintien optimal de l'encre.
Pour ces mêmes raisons, la sûreté de fonctionnement de ces dispositifs de régulation n'est pas satisfaisante puisqu'elle dépend de la propreté des conduits de gaz et de l'orifice d'échappement et présente une trop forte dépendance à l'environnement extérieur.
De plus, les dispositifs connus ne disposent pas de réglage de la consigne de dépression à maintenir dans la réserve d'encre. Changer la consigne revient à changer physiquement l'orifice d'échappement par un orifice d'un autre calibre, ce qui ne peut être réalisé dynamiquement pendant le fonctionnement de la tête d'impression.
<Desc/Clms Page number 3>
Le but de l'invention est de pallier ces inconvénients de l'art antérieur.
A cet effet, l'invention a tout d'abord pour objet un procédé de régulation de moyens de mise à pression négative ou positive d'une une réserve de liquide, par exemple de l'encre, contenant en outre un gaz, par exemple destiné à une tête d'impression de type jet d'encre, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes prévoyant de : a) définir une consigne de pression autour de laquelle le gaz présent dans la réserve doit être maintenu ; b) mesurer la pression instantanée du gaz présent dans la réserve ; c) comparer la mesure de la pression instantanée du gaz présent dans la réserve avec la consigne de pression ; d) dans le cas où la mesure de la pression instantanée du gaz présent dans la réserve est supérieure à la consigne de pression, créer un volume calibré de gaz en dépression puis le mettre en communication avec la réserve ; e) dans le cas où la mesure de la pression instantanée du gaz présent dans la réserve est inférieure à la consigne de pression, créer un volume calibré de gaz sous pression puis le mettre en communication avec la réserve d'encre.
On entend par gaz sous pression, un gaz dont la pression est supérieure à la consigne de pression. De même, on entend par gaz en dépression, un gaz dont la pression est inférieure à la consigne de pression.
Le procédé décrit s'applique donc soit à la régulation d'une dépression, si la consigne de pression est inférieure à la
<Desc/Clms Page number 4>
pression atmosphérique, soit à la régulation d'une surpression, si la consigne de pression est supérieure à la pression atmosphérique.
Dans le cas de l'application du procédé à l'obtention d'un vide partiel, la régulation de la dépression s'établit donc en injectant dans la réserve de liquide un gaz à forte pression (supérieure à la consigne de pression) lorsque la dépression est trop forte ou bien en évacuant de la réserve de liquide un gaz à forte pression (supérieure à consigne de pression) lorsque la dépression est trop faible.
La résolution de la régulation dépend surtout du volume calibré de gaz injecté dans ou évacué de la réserve de liquide. Il est donc aisé d'obtenir une résolution inférieure à 10 Pa (0,1 millibar) selon le calibrage de ce volume de gaz créé, et indépendamment du système de pilotage employé pour mettre en oeuvre le procédé selon l'invention, qu'il s'agisse par exemple d'un micro-ordinateur, d'un automate ou d'un dispositif à portes logiques câblées.
L'efficacité du procédé est indépendante du niveau de pression à réguler ; il se justifie d'autant plus pour les dépressions de faible valeur (très proches de la pression atmosphérique, tout en restant inférieure) qui sont les plus difficiles à maintenir.
Afin de créer une boucle de régulation, les étapes de mesure (b), de comparaison (c) et celles de création de volume puis de mise en communication (d ou e) peuvent être répétées successivement à intervalles réguliers.
<Desc/Clms Page number 5>
Il est également possible de définir en cours de procédé une nouvelle consigne de pression, les étapes de mesure (b), de comparaison (c) et celles de création de volume puis de mise en communication (d ou e) étant effectuées successivement en tenant compte de la nouvelle consigne de pression en cas de redéfinition de cette consigne.
Le procédé selon l'invention constitue alors une boucle d'asservissement garantissant qu'à chaque changement de la consigne de pression, la pression interne de la réserve de liquide sera régulée en conséquence.
Selon un autre mode de réalisation, le procédé selon l'invention comprend avant l'étape de mesure (b), une étape prévoyant de : a1) définir une valeur de pression seuil minimum de régulation rapide et une valeur de pression seuil maximum de régulation rapide, ces deux valeurs encadrant la consigne de pression ; et, avant l'étape de comparaison (c), les étapes prévoyant de : b1) comparer la mesure de la pression instantanée du gaz présent dans la réserve avec les valeur de pression seuil minimum et maximum de régulation rapide ; b2) dans le cas où la pression instantanée du gaz présent dans la réserve est supérieure à la pression seuil maximum de régulation rapide, relier la réserve à une source continue de gaz en dépression jusqu'à atteindre dans la réserve une pression proche de la consigne de pression ; b3) dans le cas où la pression instantanée du gaz présent dans la réserve est inférieure à la pression seuil minimum de régulation rapide, relier la réserve à une source continue
<Desc/Clms Page number 6>
de gaz sous pression jusqu'à atteindre dans la réserve une pression proche de la consigne de pression.
Suivant ce mode de réalisation, la régulation s'effectue en deux phases successives : - une première phase de régulation rapide et grossière permettant d'atteindre très vite une pression interne de la réserve de liquide proche de la consigne par le branchement direct d'une source de gaz sous pression ou en dépression sur la réserve de liquide ; - une seconde phase de régulation très fine permettant à la pression interne de la réserve de liquide de s'approcher au plus près de la consigne par le transfert de volumes de gaz calibrés.
Dans un mode de réalisation particulier, la consigne de pression comprend une valeur de pression seuil minimum de consigne et une valeur de pression seuil maximum de consigne.
L'invention a également pour objet un dispositif de régulation destiné à un dispositif de mise en pression négative ou positive lui-même destiné à une tête d'impression dans lequel une réserve de liquide contient en outre un gaz, ce dispositif étant destiné à la mise en couvre du procédé décrit précédemment et comprenant : - une réserve annexe ; - des moyens de chargement de la réserve annexe en gaz sous pression ou en dépression ; - des moyens de transfert de volumes de gaz entre la réserve annexe et la réserve de liquide ; - des moyens de mesure de la pression instantanée dans la réserve de liquide ;
<Desc/Clms Page number 7>
- des moyens de commande en liaison avec les moyens de mesure et actionnant les moyens de chargement et les moyens de transfert ; de manière qu'une pression absolue soit maintenue autour d'une consigne de pression définie.
L'utilisation d'une réserve annexe de gaz rend le dispositif fiable et insensible au système de pilotage puisqu'il ne fait pas appel aux vitesses de commutation ou de commande des éventuels actionneurs utilisés, tels que des électrovannes.
Ce dispositif de régulation peut en outre comprendre des moyens de sélection de la consigne de pression à maintenir dans la réserve de liquide, lesdits moyens permettant également de modifier la consigne au cours du fonctionnement du dispositif de régulation.
De manière à permettre une régulation en deux phases successives, le dispositif peut comprendre en outre des moyens de mise en relation directe des moyens de chargement avec la réserve de liquide.
Selon un mode de réalisation, les moyens de transfert comprennent une première électrovanne mettant en relation la réserve annexe avec, soit les moyens de chargement, soit la réserve de liquide.
Selon un autre mode de réalisation, les moyens de mise en relation directe des moyens de chargement avec la réserve de liquide comprennent une deuxième électrovanne mettant en relation les moyens de chargement avec, soit la réserve annexe, soit directement la réserve de liquide.
<Desc/Clms Page number 8>
L'invention a également pour objet un dispositif de mise en pression négative ou positive destiné à une tête d'impression, par exemple de type jet d'encre, dans lequel une réserve de liquide à imprimer contient en outre un gaz, ce dispositif comprenant une alimentation en gaz sous pression, une alimentation en gaz en dépression ainsi qu'un dispositif de régulation tel que décrit précédemment.
Selon un mode de réalisation, les moyens de chargement comprennent une troisième électrovanne recevant en entrée l'alimentation en gaz sous pression et l'alimentation en gaz en dépression et délivrant en sortie l'une ou l'autre de ces alimentations.
L'invention a également pour objet une machine d'impression sur support plastique comprenant une tête d'impression munie d'une réserve pourvue d'une ouverture et destinée à contenir le liquide à imprimer ainsi qu'un un gaz, et comprenant en outre un dispositif tel que décrit précédemment.
L'invention a enfin pour objet une installation de fabrication d'objets portables intelligents, tels que cartes à puce, CD ou CD-ROM, comprenant au moins un poste de personnalisation graphique constitué d'une machine d'impression telle que décrite ci-dessus.
D'autres particularités et avantages de l'invention apparaîtront encore dans la description ci-après relative aux dessins annexés, donnés à titre d'exemple : - la figure 1 représente une réserve d'encre d'une tête d'impression de type jet d'encre, vue de côté en coupe ;
<Desc/Clms Page number 9>
- la figure 2 est un schéma fonctionnel d'un dispositif de dépression selon l'invention ; - la figure 3 représente schématiquement une installation selon l'invention de fabrication d'objets portables intelligents ; - la figure 4 est un schéma illustrant un exemple de fonctionnement de l'invention.
Une réserve 1 à liquide (figure 1) est utilisée ici dans les têtes d'impression de type jet d'encre. Son volume est de l'ordre de 105 mm3 (100 cm3) et elle contient une encre 3, un gaz 4 et est munie d'une ouverture 2 par laquelle s'éjectent les gouttes d'encre qui s'impriment sur le support.
Pour d'autres applications, un autre liquide que l'encre peut être employé pour remplir la réserve (1) de liquide, tel qu'un liquide ayant des propriétés adhésives ou de conduction électrique.
Le volume du gaz 4 est par exemple compris entre 104 mm3
Figure img00090001

(10 cm3) et 9. 104 mm3 (90 cm3). Ici, le gaz est de l'air mais d'autres gaz peuvent être employés pour d'autres applications.
De manière à éviter, en dehors des phases d'impression, l'écoulement de l'encre 3 au repos par l'ouverture 2, le gaz 4 est maintenu à une pression inférieure à la pression atmosphérique grâce à un dispositif de dépression branché sur un orifice 5 en contact avec le gaz 4. Il s'agit d'un dispositif d'asservissement à une pression de travail souhaitée.
<Desc/Clms Page number 10>
Sur la figure 2, un tel dispositif de dépression constitué d'une alimentation 6 en gaz sous pression, d'une alimentation 7 en gaz en dépression ainsi qu'un dispositif de régulation faisant l'interface entre ces alimentations et la réserve 1, le conduit 8 de sortie du dispositif de régulation venant se brancher sur l'orifice 5 de la réserve 1.
Le dispositif de régulation est formé par trois électrovannes 9, 10, 11 ici identiques et de type monostable à trois voies et deux positions, une réserve annexe 12, un automate programmable industriel 14, une interface de saisie 15, ainsi qu'un vaccuostat 13 permettant une mesure de la dépression.
Dans les exemples, la pression à maintenir dans la réserve 1 présente une valeur négative. Mais l'invention s'applique aussi à des régulations de pression positive, par exemple pour purger la réserve 1 du liquide qu'elle contient.
La réserve annexe se présente comme une enceinte étanche de 5 mm3 de laquelle part un conduit.
L'automate 14 reçoit en entrée la mesure de pression issue du vaccuostat 13 et commande en sortie chacune des trois électrovannes 9, 10,11.
L'interface de saisie 15 est également branchée en entrée de l'automate 14 et permet d'entrer dans la mémoire interne de ce dernier des valeurs de pression seuil nécessaires au fonctionnement du dispositif.
Ces valeurs pourront être modifiées à tout moment pendant le fonctionnement du dispositif, l'automate 14 prenant en compte les nouvelles valeurs de manière dynamique.
<Desc/Clms Page number 11>
La première électrovanne 9 relie, à l'état de repos, la réserve annexe 12 à une entrée de la deuxième électrovanne 10 et, à l'état actionnée, la réserve annexe 12 au conduit 8 raccordé à la réserve d'encre 1.
La deuxième électrovanne 10 relie, à l'état de repos, une entrée de la troisième électrovanne 11 au conduit issu de la première électrovanne 9 et, à l'état actionnée, la même entrée de la troisième électrovanne 11 au conduit 8 raccordé à la réserve d'encre 1.
La troisième électrovanne 11 relie, à l'état de repos, le conduit issu de la deuxième électrovanne 10 à l'alimentation en gaz en dépression 7 et, à l'état actionnée, le conduit issu de la deuxième électrovanne 10 à l'alimentation en gaz sous pression 6.
Ainsi, lorsque les trois électrovannes 9,10, 11 sont à l'état de repos, la configuration est la suivante : - l'alimentation en gaz en dépression 7 est raccordée à la réserve annexe 12, par l'intermédiaire des deuxième 10 et troisième 11 électrovannes ; - le conduit 8 raccordé à la réserve d'encre 1 est lui-même raccordé au vaccuostat.
L'automate 14 dispose dans une mémoire de quatre seuils de pression qui lui ont été communiqués au moyen de l'interface de saisie 15 : - un seuil minimum de régulation rapide - un seuil minimum de consigne - un seuil maximum de consigne - un seuil maximum de régulation rapide
<Desc/Clms Page number 12>
Les valeurs de pression des seuils minimum et maximum de consigne entourent de très près la valeur de la pression que l'on souhaite maintenir à l'intérieur de la réserve 1 de liquide et définissent ainsi les limites basse et haute entre lesquelles la régulation de la pression va se faire par le transfert de volumes de gaz entre la réserve annexe 12 et la réserve 1 de liquide.
D'autre part, les valeurs de pression des seuils minimum et maximum de régulation rapide encadrent les seuils de consigne et définissent les limites basse et haute au delà desquelles aura lieu le déclenchement d'un branchement direct de la réserve d'encre 1 à l'une des alimentations en gaz sous pression 6 ou sous vide 7.
L'automate 14 gère ces quatre seuils en lisant régulièrement, grâce au vaccuostat 13, la valeur de la pression dans la réserve d'encre 1 et en actionnant les électrovannes 9,10, 11 selon le principe suivant : - la première électrovanne 9 permet soit de charger la réserve annexe 12 en gaz sous pression ou en dépression, soit de mettre en communication la réserve 12 avec la réserve d'encre 1, la deuxième électrovanne 10 étant maintenue à l'état de repos ; - la deuxième électrovanne 10 permet de raccorder les alimentations en gaz sous pression 6 ou en dépression 7 soit à la réserve annexe 12 pour son chargement, soit directement à la réserve d'encre 1 pour la régulation rapide ; - la troisième électrovanne 11 permet la sélection entre l'alimentation en gaz sous pression 6 et l'alimentation en gaz en dépression 7.
<Desc/Clms Page number 13>
Conformément à l'invention, le dispositif dont la structure vient d'être décrite fonctionne de la manière indiquée ciaprès.
L'utilisateur entre tout d'abord les quatre valeurs de seuil dans la mémoire de l'automate 14 et le met en service.
L'automate 14 créé alors une boucle d'asservissement en contrôlant la pression du gaz présent dans la réserve d'encre 1 et en agissant sur les trois électrovannes 9, 10, 11 pour maintenir cette pression entre les deux seuils de consigne.
Une première phase éventuelle de régulation rapide intervient dans le cas où la valeur de la pression dans la réserve d'encre 1 se situe en dehors de l'intervalle formé par les deux seuils de régulation rapide.
Lorsque la valeur de la pression dans la réserve d'encre 1 est inférieure à la valeur de pression seuil minimum de régulation rapide, la réserve d'encre 1 est raccordée directement à l'alimentation en gaz sous pression 6 de manière que sa pression interne atteigne rapidement le seuil maximum de régulation rapide.
Pour ce faire, la première électrovanne 9 est laissée en position de repos, la deuxième électrovanne 10 est activée et la troisième électrovanne 11 est activée.
De même, lorsque la valeur de la pression dans la réserve d'encre 1 est supérieure à la valeur de pression seuil maximum de régulation rapide, la réserve d'encre 1 est raccordée directement à l'alimentation en gaz en dépression 7
<Desc/Clms Page number 14>
de manière que sa pression interne atteigne rapidement le seuil minimum de régulation rapide.
Pour ce faire, la première électrovanne 9 est laissée en position de repos, la deuxième électrovanne 10 est activée et la troisième électrovanne 11 est laissée en position de repos.
Suite à cette première phase, la valeur de la pression dans la réserve d'encre 1 se situe entre les deux seuils de régulation rapide, mais hors de l'intervalle formé par les deux seuils de consigne.
Intervent alors une seconde phase de régulation fine par transfert de volumes de gaz calibrés par la réserve annexe 12.
Lorsque la valeur de la pression dans la réserve d'encre 1 est inférieure à la valeur de pression seuil minimum de consigne, la réserve annexe 12 est chargée en gaz sous pression et ce volume est transféré immédiatement dans la réserve d'encre, ces opérations étant répétées autant de fois que nécessaire pour que la valeur de la pression dans la réserve d'encre 1 devienne supérieure à la valeur de pression seuil minimum de consigne.
Pour ce faire, la deuxième électrovanne 10 est laissée en position de repos, la troisième électrovanne 11 est activée, tandis que la première électrovanne 9 se met à crépiter, c'est- à-dire qu'elle s'active et se désactive séquentiellement, tant que le seuil minimum de consigne n'est pas atteint. Ce crépitement s'arrête dès que le seuil minimum de consigne est dépassé, et reprend dès que la pression dans la réserve d'encre 1 passe en dessous de ce même seuil.
<Desc/Clms Page number 15>
De même, lorsque la valeur de la pression dans la réserve d'encre 1 est supérieure à la valeur de pression seuil maximum de consigne, le crépitement de la première électrovanne 9 permet de ramener et de maintenir la pression dans la réserve d'encre 1 en dessous du seuil maximum de consigne, en laissant cette fois-ci la troisième électrovanne 11 en position de repos de manière à charger la réserve annexe 12 en gaz en dépression.
Le dispositif est ici appliqué à la régulation d'une dépression dans la réserve 1 de manière à maintenir le liquide 3 à l'intérieur de celle-ci.
Dans un autre exemple, une pression positive est régulée de manière similaire pour permettre de purger la réserve 1 du liquide qu'elle contient. Par exemple, en sélectionnant une valeur de pression seuil minimum de consigne de 25 000 Pa (0,25 Bar) et une valeur de pression seuil maximum de consigne de 35 000 Pa (0,35 Bar).
La figure 3 montre une application du dispositif de dépression à la fabrication d'objets portables intelligents tels que cartes à puce, CD, CD-ROM.
L'installation de fabrication 17 comprend un convoyeur 19 déplaçant les objets portables intelligents 18 d'un poste de fabrication à l'autre, le long de la ligne de production.
Cette installation comprend des postes de personnalisation électronique et graphique, intervenant après l'assemblage des objets fabriqués. Le poste 16 est une machine d'impression de type jet d'encre assurant ici la personnalisation graphique des objets 18, cette machine étant munie d'au moins une tête
<Desc/Clms Page number 16>
d'impression 20 dans laquelle l'encre est maintenue par une dépression régulée grâce à un dispositif et un procédé selon l'invention.

Claims (16)

  1. REVENDICATIONS 1. Procédé de régulation de moyens de mise à pression négative ou positive d'une une réserve (1) de liquide (3), par exemple de l'encre, contenant en outre un gaz (4), par exemple destiné à une tête d'impression de type jet d'encre, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes prévoyant de : a) définir une consigne de pression autour de laquelle le gaz présent dans la réserve (1) doit être maintenu ; b) mesurer la pression instantanée du gaz présent dans la réserve (1) ; c) comparer la mesure de la pression instantanée du gaz présent dans la réserve (1) avec la consigne de pression ; d) dans le cas où la mesure de la pression instantanée du gaz présent dans la réserve (1) est supérieure à la consigne de pression, créer un volume calibré de gaz en dépression puis le mettre en communication avec la réserve (1) ; e) dans le cas où la mesure de la pression instantanée du gaz présent dans la réserve (1) est inférieure à la consigne de pression, créer un volume calibré de gaz sous pression puis le mettre en communication avec la réserve d'encre.
  2. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les étapes de mesure (b), de comparaison (c) et celles de création de volume puis de mise en communication (d ou e) sont répétées successivement à intervalles réguliers.
  3. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'on définit en cours de procédé une nouvelle consigne de
    <Desc/Clms Page number 18>
    pression, les étapes de mesure (b), de comparaison (c) et celles de création de volume puis de mise en communication (d ou e) étant effectuées successivement en tenant compte de la nouvelle consigne de pression en cas de redéfinition de cette consigne.
  4. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comprend avant l'étape de mesure (b), une étape prévoyant de : a1) définir une valeur de pression seuil minimum de régulation rapide et une valeur de pression seuil maximum de régulation rapide, ces deux valeurs encadrant la consigne de pression ; et, avant l'étape de comparaison (c), les étapes prévoyant de : b1) comparer la mesure de la pression instantanée du gaz présent dans la réserve (1) avec les valeur de pression seuil minimum et maximum de régulation rapide ; b2) dans le cas où la pression instantanée du gaz présent dans la réserve (1) est supérieure à la pression seuil maximum de régulation rapide, relier la réserve (1) à une source continue de gaz en dépression jusqu'à atteindre dans la réserve (1) une pression proche de la consigne de pression ; b3) dans le cas où la pression instantanée du gaz présent dans la réserve (1) est inférieure à la pression seuil minimum de régulation rapide, relier la réserve (1) à une source continue de gaz sous pression jusqu'à atteindre dans la réserve (1) une pression proche de la consigne de pression.
    <Desc/Clms Page number 19>
  5. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4 caractérisé en ce que la consigne de pression comprend une valeur de pression seuil minimum de consigne et une valeur de pression seuil maximum de consigne.
  6. 6. Dispositif de régulation destiné à un dispositif de mise en pression négative ou positive lui-même destiné à une tête d'impression dans lequel une réserve (1) de liquide (3) contient en outre un gaz (4), ce dispositif étant destiné à la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 et comprenant : - une réserve annexe (12) ; - des moyens de chargement de la réserve annexe en gaz sous pression ou en dépression ; - des moyens de transfert de volumes de gaz entre la réserve annexe (12) et la réserve (1) de liquide (3) ; - des moyens de mesure (13) de la pression instantanée dans la réserve (1) de liquide (3) ; - des moyens de commande (14) en liaison avec les moyens de mesure (13) et actionnant les moyens de chargement et les moyens de transfert ; de manière qu'une pression absolue soit maintenue autour d'une consigne de pression définie.
  7. 7. Dispositif de régulation selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des moyens de sélection (15) de la consigne de pression à maintenir dans la réserve (1) de liquide (3), lesdits moyens permettant également de modifier la consigne au cours du fonctionnement du dispositif de régulation.
  8. 8. Dispositif de régulation selon la revendication 6 ou 7, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des moyens de
    <Desc/Clms Page number 20>
    mise en relation directe des moyens de chargement avec la réserve (1) de liquide (3).
  9. 9. Dispositif de régulation selon l'une des revendications 6 à
    8, caractérisé en ce que les moyens de transfert comprennent une première électrovanne (9) mettant en relation la réserve annexe (12) avec, soit les moyens de chargement, soit la réserve (1) de liquide (3)..
  10. 10. Dispositif de régulation selon la revendication 8, caractérisé en ce que les moyens de mise en relation directe des moyens de chargement avec la réserve (1) de liquide comprennent une deuxième électrovanne (10) mettant en relation les moyens de chargement avec, soit la réserve annexe (12), soit directement la réserve (1) de liquide.
  11. 11. Dispositif de régulation selon l'une des revendications 6 à 10, caractérisé en ce que la consigne de pression a une valeur inférieure à la pression atmosphérique de manière qu'une dépression soit maintenue dans la réserve (1).
  12. 12. Dispositif de régulation selon l'une des revendications 6 à 10, caractérisé en ce que la consigne de pression a une valeur supérieure à la pression atmosphérique de manière qu'une surpression soit maintenue dans la réserve (1).
  13. 13. Dispositif de mise en pression négative ou positive destiné à une tête d'impression, par exemple de type jet d'encre, dans lequel une réserve (1) de liquide (3) à imprimer contient en outre un gaz (4), ce dispositif comprenant : - une alimentation en gaz sous pression (6) ;
    <Desc/Clms Page number 21>
    - une alimentation en gaz en dépression (7) ; caractérisé en ce qu'il comprend en outre un dispositif de régulation selon l'une des revendications 6 à 12.
  14. 14. Dispositif de dépression selon la revendication 13 caractérisé en ce que les moyens de chargement comprennent une troisième électrovanne (11) recevant en entrée l'alimentations en gaz sous pression (6) et l'alimentation en gaz en dépression (7) et délivrant en sortie l'une ou l'autre de ces alimentations.
  15. 15. Machine d'impression (16) sur support plastique comprenant une tête d'impression munie d'une réserve (1) pourvue d'une ouverture (2) et destinée à contenir le liquide (3) à imprimer ainsi qu'un un gaz (4) caractérisée en ce qu'elle comprend en outre un dispositif selon l'une quelconque des revendication 6 à 14.
  16. 16. Installation (17) de fabrication d'objets portables intelligents (18) caractérisée par le fait qu'elle comprend au moins un poste de personnalisation graphique constitué d'une machine (16) selon la revendication 15.
FR0109756A 2001-07-20 2001-07-20 Regulation de pression par transfert d'un volume de gaz calibre Expired - Fee Related FR2827682B1 (fr)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0109756A FR2827682B1 (fr) 2001-07-20 2001-07-20 Regulation de pression par transfert d'un volume de gaz calibre
CN02818418.1A CN100511066C (zh) 2001-07-20 2002-07-19 通过转移校准的气体体积调节压力
EP02790202A EP1425643A2 (fr) 2001-07-20 2002-07-19 Regulation de pression par transfert d'un volume de gaz calibre
PCT/FR2002/002580 WO2003010615A2 (fr) 2001-07-20 2002-07-19 Regulation de pression par transfert d'un volume de gaz calibre
US10/484,310 US7264327B2 (en) 2001-07-20 2002-07-19 Pressure regulation by transfer of a calibrated gas volume
JP2003515926A JP4830167B2 (ja) 2001-07-20 2002-07-19 圧力の調節方法及び調節装置
JP2009111906A JP2009196369A (ja) 2001-07-20 2009-05-01 圧力の調節方法及び調節装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0109756A FR2827682B1 (fr) 2001-07-20 2001-07-20 Regulation de pression par transfert d'un volume de gaz calibre

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2827682A1 true FR2827682A1 (fr) 2003-01-24
FR2827682B1 FR2827682B1 (fr) 2004-04-02

Family

ID=8865773

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR0109756A Expired - Fee Related FR2827682B1 (fr) 2001-07-20 2001-07-20 Regulation de pression par transfert d'un volume de gaz calibre

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7264327B2 (fr)
EP (1) EP1425643A2 (fr)
JP (2) JP4830167B2 (fr)
CN (1) CN100511066C (fr)
FR (1) FR2827682B1 (fr)
WO (1) WO2003010615A2 (fr)

Families Citing this family (180)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2441726B (en) * 2005-06-24 2010-08-11 Metaram Inc An integrated memory core and memory interface circuit
US8899171B2 (en) 2008-06-13 2014-12-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
US10442226B2 (en) 2008-06-13 2019-10-15 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US8383202B2 (en) 2008-06-13 2013-02-26 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
US9048344B2 (en) 2008-06-13 2015-06-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US9604245B2 (en) 2008-06-13 2017-03-28 Kateeva, Inc. Gas enclosure systems and methods utilizing an auxiliary enclosure
US11975546B2 (en) 2008-06-13 2024-05-07 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
KR102016871B1 (ko) 2011-08-09 2019-08-30 카티바, 인크. 하향 인쇄 장치 및 방법
US9120344B2 (en) 2011-08-09 2015-09-01 Kateeva, Inc. Apparatus and method for control of print gap
CN102555501B (zh) * 2011-12-21 2015-09-30 深圳市润天智数字设备股份有限公司 一种负压自动调节系统及方法
EP3340278A1 (fr) * 2012-11-30 2018-06-27 Kateeva, Inc. Ensemble enceinte à gaz et système associé
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP6378327B2 (ja) * 2013-06-10 2018-08-22 カティーバ, インコーポレイテッド 低粒子ガスエンクロージャシステムおよび方法
KR101970449B1 (ko) 2013-12-26 2019-04-18 카티바, 인크. 전자 장치의 열 처리를 위한 장치 및 기술
US9343678B2 (en) 2014-01-21 2016-05-17 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for electronic device encapsulation
CN105637669B (zh) 2014-01-21 2017-11-03 科迪华公司 用于电子装置封装的设备和技术
KR102315014B1 (ko) 2014-04-30 2021-10-20 카티바, 인크. 가스 쿠션 장비 및 기판 코팅 기술
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP6570147B2 (ja) 2014-11-26 2019-09-04 カティーバ, インコーポレイテッド 環境的に制御されたコーティングシステム
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) * 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (fr) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. Procédé de dépôt d'un film contenant du ruthénium sur un substrat par un processus de dépôt cyclique
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
WO2020003000A1 (fr) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Procédés de dépôt cyclique pour former un matériau contenant du métal et films et structures comprenant le matériau contenant du métal
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
CN110001204B (zh) * 2019-04-04 2020-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 喷墨打印系统
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN114681726B (zh) * 2022-03-23 2024-02-09 杭州时光机智能电子科技有限公司 一种美容仪用稳压气液质量比的控制方法及系统及设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4241750A (en) * 1978-11-27 1980-12-30 Kabushiki Kaisha Cosmo Keiki Pressure setting device
US4571599A (en) * 1984-12-03 1986-02-18 Xerox Corporation Ink cartridge for an ink jet printer
US5189438A (en) * 1989-03-06 1993-02-23 Spectra, Inc. Dual reservoir and valve system for an ink jet head
US5357996A (en) * 1990-08-18 1994-10-25 Oxford Glycosystems Limited Pressure regulating system
US5583544A (en) * 1994-10-06 1996-12-10 Videojet Systems International, Inc. Liquid level sensor for ink jet printers

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59130110A (ja) * 1983-01-10 1984-07-26 井関農機株式会社 バインダにおける結束通路への穀稈掻込装置
JPS61293862A (ja) * 1985-06-21 1986-12-24 Fuji Xerox Co Ltd インク供給装置
JPH02280206A (ja) * 1989-04-21 1990-11-16 Eishin Giken:Kk 圧力設定器
GB9018182D0 (en) * 1990-08-18 1990-10-03 Oxford Glycosystems Ltd Pressure regulating system
JPH05119846A (ja) * 1991-10-28 1993-05-18 Aida Eng Ltd 空圧容器内圧力の自動調整装置
FR2695704B1 (fr) * 1992-09-15 1994-10-14 Imaje Régulateur de pression pneumatique à commande électronique et procédé de régulation de pression d'un fluide utilisant un tel régulateur.
US6250747B1 (en) * 1999-01-28 2001-06-26 Hewlett-Packard Company Print cartridge with improved back-pressure regulation
EP1120259B1 (fr) * 2000-01-21 2006-11-08 Seiko Epson Corporation Appareil d'enregistrement à jet d'encre

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4241750A (en) * 1978-11-27 1980-12-30 Kabushiki Kaisha Cosmo Keiki Pressure setting device
US4571599A (en) * 1984-12-03 1986-02-18 Xerox Corporation Ink cartridge for an ink jet printer
US5189438A (en) * 1989-03-06 1993-02-23 Spectra, Inc. Dual reservoir and valve system for an ink jet head
US5357996A (en) * 1990-08-18 1994-10-25 Oxford Glycosystems Limited Pressure regulating system
US5583544A (en) * 1994-10-06 1996-12-10 Videojet Systems International, Inc. Liquid level sensor for ink jet printers

Also Published As

Publication number Publication date
CN100511066C (zh) 2009-07-08
EP1425643A2 (fr) 2004-06-09
CN1556942A (zh) 2004-12-22
JP4830167B2 (ja) 2011-12-07
FR2827682B1 (fr) 2004-04-02
US7264327B2 (en) 2007-09-04
JP2009196369A (ja) 2009-09-03
JP2004535956A (ja) 2004-12-02
WO2003010615A3 (fr) 2003-11-27
US20050062773A1 (en) 2005-03-24
WO2003010615A2 (fr) 2003-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2827682A1 (fr) Regulation de pression par transfert d&#39;un volume de gaz calibre
CA2332471C (fr) Dispositif et procede de regulation de pression et debit de carburant d&#39;alimentation d&#39;une unite de servovannes
JP3416614B2 (ja) インクジェット記録装置
EP2825463B1 (fr) Dispositif d&#39;inertage, réservoir et aéronef munis d&#39;un tel dispositif et procédé correspondant
FR2702999A1 (fr) Appareil d&#39;enregistrement par jet d&#39;encre et son dispositif d&#39;alimentation en encre.
FR2519905A1 (fr) Systeme d&#39;alimentation en encre pour imprimante a jet d&#39;encre
EP0588698A1 (fr) Régulateur de pression pneumatique à commande électronique et procédé de régulation de pression d&#39;un fluide utilisant un tel régulateur
FR3003799A1 (fr) Procede et dispositif de regulation d&#39;une pompe d&#39;un circuit d&#39;encre
FR2656381A1 (fr) Dispositif d&#39;alimentation en ergol liquide pour vehicule spatial, adapte a la prediction de sa fin de vie.
FR2496627A1 (fr) Reglage de la hauteur de remplissage de bouteilles dans des machines de remplissage a hauteur de remplissage controlee, et dispositif de mise en oeuvre de ce procede
EP1409257B1 (fr) Dispositif d&#39;impression numerique par jet d&#39;encre et reservoir d&#39;encre
CA2633430A1 (fr) Pressiometre de precision automatise
FR2816005A1 (fr) Circuit economiseur de debit de carburant
EP0265829A1 (fr) Dispositif d&#39;ouverture et de fermeture d&#39;un réservoir et procédé automatique de remplissage de celui-ci
EP3340353B1 (fr) Systeme electrochimique a pile a combustible comportant un dispositif de regulation de pression a detendeur
CN108816678B (zh) 涂布液供给装置及操作方法、涂布机、隔垫物的制作方法
CH677340A5 (fr)
WO2017021651A1 (fr) Procédé de contrôle de la pression et d&#39;un rapport de mélange d&#39;un moteur de fusée, et dispositif correspondant
EP3340354B1 (fr) Système électrochimique à pile à combustible comportant un dispositif de régulation de pression à déverseur
CA2648827A1 (fr) Dispositif de taquage automatique d&#39;articles de courrier
FR3136388A1 (fr) Installation d’application de produit de revêtement et procédé de commande d’une telle installation
FR2824283A1 (fr) Procede de regulation du debit de poudre transportee par un flux d&#39;air, et dispositif pour sa mise en oeuvre
EP1488931B1 (fr) Machine d&#39;affranchissement à dispositif d&#39;alimentation en encre intégré
EP1503861B1 (fr) Procede de regulation du debit de poudre transportee par un flux d&#39;air, et dispositif pour sa mise en oeuvre
EP0253692A1 (fr) Dispositif régulateur de coulée, notamment en basse pression

Legal Events

Date Code Title Description
CL Concession to grant licences
CD Change of name or company name
TP Transmission of property
ST Notification of lapse

Effective date: 20150331