FI74934C - Foerfarande foer framstaellning av silan. - Google Patents
Foerfarande foer framstaellning av silan. Download PDFInfo
- Publication number
- FI74934C FI74934C FI850980A FI850980A FI74934C FI 74934 C FI74934 C FI 74934C FI 850980 A FI850980 A FI 850980A FI 850980 A FI850980 A FI 850980A FI 74934 C FI74934 C FI 74934C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- melt
- hydride
- silane
- hydrogen
- sif
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
- C01B33/043—Monosilane
Landscapes
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Steroid Compounds (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
- Curing Cements, Concrete, And Artificial Stone (AREA)
- Pyrane Compounds (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Bidet-Like Cleaning Device And Other Flush Toilet Accessories (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
- Chair Legs, Seat Parts, And Backrests (AREA)
Description
1 74934
Menetelmä silaanin valmistamiseksi
Keksintö koskee menetelmää, jonka avulla voidaan valmistaa silaa-nia, SiH^, antamalla piitetrafluoridin SiF^ reagoida magnesium-hydridin, MgH2 kanssa
SiF4 + 2 MgH2 -> SiH4 + 2 MgF2
Silaanilla on suuri tekninen merkitys ennen kaikkea valmistettaessa nykyaikaisia integroituja kytkinpiirejä ja elektrolyyttivalo-kennoja amorfisesta piistä.
Silaanin valmistamiseksi tunnetaan menetelmiä, jotka perustuvat metallurgisen piin tai halogeenisilaanien käyttämiseen raaka-aineina .
Halogeenisilaaneista on SiF^ :llä erikoisen'suuri tekninen merkitys johtuen sen helposta saatavuudesta ja sen halvasta hinnasta. Sitä kertyy raakafosfaattien kostean uuttamisen yhteydessä suurin määrin poistokaasuihin ja sitä voidaan saada sieltä talteen erilaisten, osittain teollisuudessa koeteltujen menetelmien avulla hyvin puhtaassa muodossa; menetelmiä on selostettu esimerkiksi Proc.-Fert.Soc.(PFRSAZ) V 163, 23 pp, 1977. Kaasumaisena yhdisteenä voidaan SiF4, mikäli halutaan, helposti lisäpuhdistaa. SiF4:ssä on piin osuus 27 paino-%, mikä on suurin piipitoisuus kaikissa piiperhalogenideissa, jopa suurempi piipitoisuus kuin trikloorisilaanissa. Se on sen vuoksi hyvin taloudellinen lähtöaine muiden piiyhdisteiden valmistuksessa käytettäväksi.
DE-PS 1 034 159 tunnetaan piihalogenidien reaktio kompleksisten alkalihydridi-booritrialkyyli- tai aikaiihydridi-alumiinialkoho-laatti-yhdisteiden kanssa johonkin orgaaniseen liuottimeen liuotettuna, jolloin tuloksena on piihydridejä. Haittana on tässä reaktiossa se, että syntyvä piihydridi on liuotinhöyryjen samoin 2 74934 kuin boori- tai alumiiniyhdisteiden saastuttamaa, ja että menetelmä voidaan suorittaa ainoastaan ei-jatkuvana.
Samoin on tunnettua antaa SiF^:n reagoida kalsiumhydridin kanssa lämpötilavälillä 250 - 300°C silaaniksi (Paul Hagenmiiller, Robert de Pape, Comp. rend. 251, 2032-4 (1960); Robert de Pape, Ann.Chim., t.8, 1963, sivut 185-195). Tässä tapauksessa on haittana se, että reaktio pysähtyy pian ja pii saostuu. Siten esimerkiksi 24 h re-aktioajan jälkeen 290°C:ssa todettiin ainoastaan 12 %:n konversio.
US-PS 2 933 374:stä on tunnettua antaa SiF^rn reagoida vedyn kanssa sähkövalokaaressa fluorisilaaneiksi, jotka muutetaan dispro-portioreaktiossa lämpötilavälillä 125 - 300°C silaaniksi natrium-fluoridin kautta. Tässä tapauksessa on epäedullista, että SiF^:n muuttaminen fluorisilaaneiksi tuottaa vain vähäisen saaliin huolimatta korkeista energiakuluista ja disproportioreaktiossa nat- riumfluoridin kanssa SiF.rää menee hukkaan natriumheksafluorosili- 4 kaatin muodostumisen vuoksi.
DE-PS 1 080 077:stä tunnetaan menetelmä ja laite, jonka avulla voidaan alkuaineiden boorin, piin tai germaniumin halogeenisubs-tituoituja yhdisteitä pelkistää antamalla niiden reagoida alkali-tai maa-alkalihydridien kanssa alkali-, ammonium- tai maa-alkali-halogenidin tai -halogeenidiseoksen sulatteessa. Tämä menetelmä edellyttää kuitenkin sellaisten metallihydridien käyttöä, jotka ovat suhteellisen korkeissa työskentelylämpötiloissa kestäviä sulatteessa, kuten esimerkiksi litiumhydridi. Menetelmän ja laitteen selostuksessa ei kuitenkaan ole ilmoitettu sulatteen työs-kentelylämpötilan ja metallihydridien termisen hajoamisen välistä suhdetta. Päinvastoin edellytetään, että metallihydridit ovat sulatteessa suhteellisen korkeissa työskentelylämpötiloissa kestäviä.
Mutta jos otetaan huomioon, että esimerkiksi natrium- ja kalium-hydridi alkavat jo noin 300°C:ssa hajota ja että magnesiumhydridi 3 74934 on jo noin 280°C:ssa täysin hajonnut (S. Ullman, 4. painos, osa 13, sivu 114 ja 116 tai E. Wiberg ja E. Amberger, "Hydrides of the Elements of Main Groups I-IV", Elsevier 1971, sivu 29 ja 35), on juuri näiden teknisesti helposti saatavien metallihydridien käyttö poissuljettua. Magnesiumhydridi, maa-alkalihydridi, joka voidaan valmistaa magnesiumista, ainoasta suurteknisessä mittakaavassa saatavissa olevasta, kustannuksiltaan halvasta maa-alkalista, on termisen hajoamisen vuoksi sopimatonta käytettäväksi julkaisun selostamassa menetelmässä. Käyttökelpoisten metallihydridien korkeiden hankintahintojen alentamiseksi ehdotetaan vielä, että reaktori suunniteltaisiin siten, että silaanisynteesin ohella sitä voitaisiin käyttää samanaikaisesti myös alkali- tai maa-alkalimetallien elektrolyyttiseen valmistukseen ja sitä seuraavaan, vastaavan metallihydridin synteesiin. Reaktorit, jotka soveltuvat kaikkiin näihin reaktioihin, ovat luonnollisesti vastaavasti käyttökustannuksiltaan kalliita ja herkkiä häiriöille.
Keksinnön tehtävävä on saada aikaan menetelmä, jonka avulla voidaan valmistaa puhdasta silaania teollisuusmittakaavassa saatavissa olevista raaka-aineista piitetrafluoridista ja magnesium-hydridistä.
Keksittiin, että SiF^:n muuttaminen SiH^:ksi MgH2:n avulla voidaan toteuttaa niin, että tuotos on hyvä ja reaktioaika lyhyt, jos MgH2:n annetaan reagoida SiF^ :n kanssa alkali- tai maa-alka-lihalogenidien sulatteessa vedyn osapaineessa, joka on suurempi kuin MgH2:n dissosioitumispaine sulatteen työskentelylämpötilassa.
Sopivilla sulatteilla tulee olla mahdollisimman alhainen sulamispiste, jotta vedyn paine voidaan pitää reaktion aikana alhaisena, voidaan kohdella varoen reaktorin materiaalia ja pitää energian tarve kurissa, samoin kuin estää muodostuneen silaanin terminen hajoaminen. Sulatteet eivät saa reagoida SiF^in eikä SiH^m kanssa. Niiden tulee olla vapaita vedestä, hydroksidista ja oksidista reaktorin korroosion ja haitallisten sivureaktioiden välttämiseksi.
4 74934
Eri alkali- tai maa-alkalihalogenidien seoksia pidetään parhaana. Alhaisiin sulamispisteisiin pääsemistä varten on erikoisen edullista käyttää eutektisiä seoksia. Esimerkkejä sopivista alhaisen sulamispisteen omaavista eutektisistä suolaseoksista ovat:
Koostumus (mooli-%) Eutektisen seoksen s.p.(°C) 41,0 RbCl/56,6 LiCl/2,4 NaCl 318 40 KBr/60 LiBr 348 24 KC1/43 LiCl/33 NaCl 357 41,5 KCl/58,5 LiCl 361 47 CaCl2/38,5 NaCl/14,5 BaCl2 450
Keksinnön mukaisen hydrauksen suorituksessa on MgH2 liuotettava sulatteeseen sulatteen työskentelylämpötilasta riippuen sellaisissa vedyn osapaineissa, jotka eivät alita alla ilmoitettuja arvoja.
Vedyn osapaine Työskentelylämpötila baareja sulatteessa (°C) 2 300 6 350 16 400 39 450
SiF^rn ja H2:n seosta johdetaan tähän MgH2:n liuokseen sulatteessa, joka on vastaavassa vedyn paineessa. SiF^:n osapaineen suhde H2:n osapaineeseen voi tällöin olla: PSiF .Ph _ 1 : 0,5 - noin 1:20 Tällöin on huolehdittava siitä, että vedyn osapaine on suurempi kuin MgH2:n dissosioitumispaine sulatteen työskentelylämpötilassa, s.o. esimerkiksi edellä olevan taulukon arvoja noudattava.
5
Kun työskentelylämpötila on esimerkiksi 400°C, on p„ _< 16 baaria.
h2 74934 Tästä seuraa: pSiF4 : PH2 32 : 16 0,8 :16 PSiF4 + PH2 = p Näillä ra ja sekoitussuhteilla on tuloksena sen vuoksi ainakin 48 tai 16,8 baarin suuruinen SiF4/H2 -seoksen kokonaispaine P. Tässä tapauksessa nostetaan vedyn paine nyt 48 tai 16,8 baariin MgH2-liu-oksen yläpuolella sulatteessa, joka oli valmistettu vedyn paineessa > 16 baaria, minkä jälkeen voidaan aloittaa SiF4/H2~seoksen lisääminen.
Hydridi-ionikonsentraatio sulatteessa ei saisi laskea alle noin 0,3 paino-%. Tämä vastaa noin 4 paino-%:n magnesiumhydridikon-sentraatiota sulatteessa. Silaanin stabilisoimista varten voidaan pitää yllä reaktorin yläosassa vedyn ylimäärää, edullisesti H2 —— 1 3·
SiH.
4
SiH4:n synteesin suorittamisessa SiF4:stä voidaan käyttää kuumennettavaa, riittävän painekestävää reaktoria, joka on varustettu voimakkaalla sekoitusyksiköllä, lämpömittarilla, kaasun tulojohdol-la, josta SiF4/H2 -seos voidaan johtaa sulatteeseen, kaasun poisto johdolla reaktorin yläosassa, aukolla, josta sulate tuodaan sisään, aukolla, josta sulate poistetaan, ja laitteella jonka avulla MgH2 voidaan lisätä tarvittavassa vedyn paineessa annoksina.
Keksinnön mukaisen menetelmän avulla voidaan päästä jopa 90 %:n tuotoksiin laskettuna käytetystä SiF4:stä. Erikoinen etu on siinä, että muodostunut silaani on olennaisesti vain reagoimattoman SiF4:n, samoin kuin hyvin pienten fluorisilaanimäärien ja kantajakaasuna 6 74934 käytetyn vedyn saastuttamaa, mutta ei sitävastoin hiilivetyjen.
SiF^ ja fluorisilaani voidaan erottaa helposti molekyyliseuloil-la tai heikosti emäksisillä anioninvaihtajilla. SiH^ - erotus tapahtuu helposti voimakkaasti poikkeavan kiehumapisteen tai jäähtymäpisteen perusteella kondensoimalla tai jäähdyttämällä SiF^, tai voimakkaasti erilaisen adsorptiokäyttäytymisen perusteella esimerkiksi adsorboimalla SiF.-osa aktiivihiileen.
4
Menetelmän toisena etuna - mikä on tärkeätä ennen kaikkea valmistettaessa silaanilaatuja sähköteollisuutta varten - on diboraanin puuttuminen muodostuneesta silaanista jopa silloin kun käytetään esimerkiksi sellaista SiF^rää jossa on epäpuhtautena booritrifluo-ridia, koska diboraani reagoi sulatteessa olevien hydridi-ionien kanssa ei-haihtuvaksi boranaatiksi.
Edullista on lopuksi vielä se, että sulatteen kokoomus ei reaktion aikana käytännöllisesti katsoen muutu; siihen keräytyy tosin vaikeasti liukenevaa kiteistä MgF2:ta, joka voidaan helposti erottaa sedimentoimalla.
Uusi menetelmä voidaan sen vuoksi suorittaa myös puolijatkuvana tuomalla sulatteeseen SiF2/H2~seoksen lisäksi myös jatkuvana Mgl^ia. Jonkin ajan kuluttua, joka määräytyy sulatteen volyymin suuruuden perusteella, sekoitusyksikkö pysäytetään, MgF2 sedimen-toidaan ja vedetään pois. Saatua MgF2:a voidaan käyttää sen korkean fluoripitoisuuden vuoksi edullisesti fluorivedyn valmistukseen. Keksinnön mukainen menetelmä on sen vuoksi erikoisen taloudellinen, koska se pystyy muuttamaan sekä pii- että myös fluori-osan SiF^rssä, joka on itsessään arvoton ja jota tähän asti on katsottu etupäässä haitalliseksi aineeksi, teknisesti hyödyllisiksi tuotteiksi.
Eräässä keksinnön mukaisen menetelmän edullisessa toteutusmuodossa lisätään sulatteeseen MgH2:n ohella 0,5 - 20 paino-%, erikoisesti 5-15 paino-% kalium-, rubidium- tai cesiumfluoridia. On huomattu, että SiF^/I^ - seoksen virtaamisnopeus tällaisen sulat- 74934 7 teen läpi lisääntyi huomattavasti ilman että silaanin konversio laskettuna käytetystä SiF4:stä olisi pienentynyt. Ilman että pidettäisiin kiinni juuri tästä teoriasta, tämän seikan voitaisiin laskea johtuvan hydridikonsentraation kohoamisesta liuoksessa yhtälön mukaan 2 MeF + MgH2 -> 2 MeH + MgF2
Me = K, Rb tai Cs niin että sulate on kyllästetty paitsi MgH2:lla myös MeH:11a ja reagoi sen vuoksi nopeammin SiF^:n kanssa, tai SiF^:n väliaikaisesta kemisorptiosta liuenneeseen fluoridiin, jolloin muodostuu väliaikaisesti heksafluorosilikaattia, mikä lopuksi johtaa SiF^in viipymisajan pitenemiseen sulatteessa ja konversion tuotos on sen vuoksi suurempi.
Erään toisen menetelmän edullisen toteutusmuodon mukaan valmistetaan tarvittava MgH2 magnesiumista ja H2:sta suoraan reaktorissa. Tätä varten tuodaan reaktoriin, johon on jo panostettu sulatetta, magnesiumjauhetta, jota on voitu tunnetulla tavalla esi-käsitellä katalysaattorien kuten jodin, magnesiumjodidin, elohopea- tai titaanikloridin kanssa ja tämän magnesium jauheen annetaan konvertoitua MgH2:ksi 318-450°C: ssa ja vedyn paineessa 100-200 baaria. Keksintöä valaistaan seuraavassa lähemmin esimerkkien avulla.
Esimerkki 1
Reaktio suoritettiin kuumennettavassa 1,5 1 vetoisessa ruostumatonta terästä olevassa reaktorissa, joka soveltuu työskentelypai-neisiin 25 bariin asti ja joka on varustettu kaksoissiipisekoit-tajalla, lämpömittarilla, kaasun tulojohdolla, jonka kautta voidaan johtaa sisään SiF^/H2 - seos sulatteeseen, silaanin poisto-johdolla reaktorin yläosassa, aukolla sulatteen tuomista varten sisään, samoin kuin laitteella MgH2*.n lisäämistä varten.
8 74934
Reaktoriin panostettiin 0,9 1 eutektista sulatetta, jonka kokoomus Oli KC1 /LiCl /NaCl Lähtöaineet: 15 g MgH2 (0,57 mol) 24 g SiF4 (0,23 mol).
Mgt^ liuotettiin vedyn paineessa 20 baaria sulatteeseen 380°C:ssa.
SiF^ sekoitettiin H2:n kanssa, niin että osapaineiden suhde ρ_.„ : Pu = 1 : 4 ja kokonaispaine P = 20 baaria.
SlF4 H2 Tämä SiF4/H2 -seos johdettiin sulatteen läpi. Ulostulevasta kaa-suvirrasta erotettiin silaani jäähdyttämällä. 69 min kuluttua lakkautettiin SiF4:n syöttö.
Tuotos: 6,9 g silaania (0,21 mol). Tämä vastaa 93 % teoreettisesta laskettuna käytetystä SiF4:stä.
Esimerkki 2
Työskenneltiin samassa reaktorissa kuin esimerkki l:ssä. Reaktoriin panostettiin kuitenkin 0,9 1 eutektista sulatetta KCl/LiCl/ NaCl, joka sisälsi 10 % kaliumfluoridia, KF.
Lähtöaineet: 22 g MgH2 (0,84 mol) 24 g SiF4 (0,23 mol)
Työskentelyolosuhteet olivat samat kuin esimerkissä 1. 34 min kuluttua lopetettiin SiF4:n syöttö.
Tuotos: 6,7 g silaania (0,21 mol). Se vastaa 90 % teoreettisesta laskettuna käytetystä SiF4:stä.
Claims (6)
1. Menetelmä, jonka avulla voidaan valmistaa silaania, tunnettu siitä, että piitetrafluoridin annetaan reagoida mag-nesiumhydridin kanssa alkali- tai maa-alkalihalogenidien sulatteessa vedyn osapaineessa, joka on suurempi kuin magnesiumhydridin dissosioitumispaine sulatteen lämpötilassa.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että magnesiumhydridi muodostetaan in situ sulatteessa magnesiumista ja vedystä.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että käytetään sulatetta, joka muodostuu kahdesta tai useammasta suolasta, jotka muodostavat eutektikumin.
4. Patenttivaatimusten 1-3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että sulate sisältää 0,5-20 paino-% kalium-, rubidium- ja/ tai cesiumfluoridia.
5. Patenttivaatimusten 1-4 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että hydridi-ionien konsentraatio sulatteessa ei ole pienempi kuin 0,3 paino-%.
6. Patenttivaatimusten 1-5 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että reaktorin ylimmässä osassa pidetään yllä vedyn ylimäärää.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3409172 | 1984-03-13 | ||
DE19843409172 DE3409172A1 (de) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | Verfahren zur herstellung von silan |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI850980A0 FI850980A0 (fi) | 1985-03-12 |
FI850980L FI850980L (fi) | 1985-09-14 |
FI74934B FI74934B (fi) | 1987-12-31 |
FI74934C true FI74934C (fi) | 1988-04-11 |
Family
ID=6230356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI850980A FI74934C (fi) | 1984-03-13 | 1985-03-12 | Foerfarande foer framstaellning av silan. |
Country Status (15)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4623531A (fi) |
EP (1) | EP0154826B1 (fi) |
JP (1) | JPS60210515A (fi) |
KR (2) | KR920006800B1 (fi) |
CN (1) | CN1004267B (fi) |
AT (1) | ATE67987T1 (fi) |
CA (1) | CA1229218A (fi) |
DD (1) | DD235061A5 (fi) |
DE (2) | DE3409172A1 (fi) |
DK (1) | DK167347B1 (fi) |
ES (1) | ES8602536A1 (fi) |
FI (1) | FI74934C (fi) |
IE (1) | IE58087B1 (fi) |
IN (1) | IN162518B (fi) |
NO (1) | NO163446C (fi) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3926595A1 (de) * | 1989-08-11 | 1991-02-14 | Degussa | Verfahren zur hydrierung halogensubstituierter verbindungen |
DE4313130C1 (de) * | 1993-04-22 | 1994-05-26 | Goldschmidt Ag Th | Verfahren zur Herstellung von Silanen bzw. Organosiliciumhydriden durch Reduktion der entsprechenden Siliciumhalogenide bzw. Organosiliciumhalogenide |
DE19812587C1 (de) * | 1998-03-23 | 1999-09-23 | Wolfgang Sundermeyer | Verfahren zur Hydrierung halogensubstituierter Siliziumverbindungen |
RU2155158C1 (ru) * | 1999-10-07 | 2000-08-27 | Институт химии высокочистых веществ РАН | Способ получения моноизотопного кремния si28 |
WO2005038891A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Jsr Corporation | シリコン・コバルト膜形成用組成物、シリコン・コバルト膜およびその形成方法 |
KR100642941B1 (ko) * | 2005-03-10 | 2006-11-10 | 나은기술 주식회사 | 냉온 마사지 기능을 구비한 비데 및 그 동작 방법 |
NO326254B1 (no) * | 2005-12-22 | 2008-10-27 | Sinvent As | Fremgangsmate for fremstilling av silan |
IT1391068B1 (it) * | 2008-10-20 | 2011-11-18 | Sunlit S R L | Metodo per la produzione di silicio policristallino |
CN102205969A (zh) * | 2010-03-31 | 2011-10-05 | 天津市泰亨气体有限公司 | 采用氢化铝锂与四氯化硅在乙醚介质中反应制备硅烷的技术 |
CN102344145B (zh) * | 2010-07-29 | 2013-05-08 | 比亚迪股份有限公司 | 一种三氯氢硅制备硅烷的方法 |
WO2013003148A2 (en) * | 2011-06-28 | 2013-01-03 | Memc Electronic Materials, Inc. | Processes for producing silane in a bubble column |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2933374A (en) * | 1955-03-29 | 1960-04-19 | Gen Electric | Process of treating fluorosilanes to form monosilane |
DE1034159B (de) * | 1956-11-03 | 1958-07-17 | Kali Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von Siliciumhydriden |
US3078218A (en) * | 1958-08-04 | 1963-02-19 | Union Carbide Corp | Hydrogenation of halogen compounds of elements of groups iii and iv of the periodic system |
NL277704A (fi) * | 1961-04-27 | |||
ES462575A1 (es) * | 1976-09-24 | 1978-07-16 | Union Carbide Corp | Un procedimiento para la obtencion de silano. |
US4374111A (en) * | 1980-11-21 | 1983-02-15 | Allied Corporation | Production of silane |
FR2504109A1 (fr) * | 1981-04-17 | 1982-10-22 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede de preparation de silane en milieu sels fondus |
DE3247362A1 (de) * | 1982-12-22 | 1984-06-28 | Studiengesellschaft Kohle mbH, 4330 Mülheim | Verfahren zur herstellung von silicium-wasserstoff-verbindungen, insbesondere des silans |
-
1984
- 1984-03-13 DE DE19843409172 patent/DE3409172A1/de active Granted
-
1985
- 1985-02-13 EP EP85101578A patent/EP0154826B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-02-13 DE DE8585101578T patent/DE3584262D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-02-13 AT AT85101578T patent/ATE67987T1/de active
- 1985-02-15 IE IE38785A patent/IE58087B1/en not_active IP Right Cessation
- 1985-02-20 DK DK078085A patent/DK167347B1/da not_active IP Right Cessation
- 1985-03-01 US US06/707,039 patent/US4623531A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-03-07 ES ES541041A patent/ES8602536A1/es not_active Expired
- 1985-03-08 IN IN175/CAL/85A patent/IN162518B/en unknown
- 1985-03-11 DD DD85274006A patent/DD235061A5/de not_active IP Right Cessation
- 1985-03-11 CA CA000476244A patent/CA1229218A/en not_active Expired
- 1985-03-12 JP JP60049181A patent/JPS60210515A/ja active Granted
- 1985-03-12 NO NO850983A patent/NO163446C/no unknown
- 1985-03-12 KR KR1019850001572A patent/KR920006800B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-03-12 FI FI850980A patent/FI74934C/fi not_active IP Right Cessation
- 1985-04-01 CN CN85101821.1A patent/CN1004267B/zh not_active Expired
-
1990
- 1990-03-12 KR KR2019900002957U patent/KR920006800Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0154826A3 (en) | 1989-04-26 |
EP0154826A2 (de) | 1985-09-18 |
KR850006539A (ko) | 1985-10-14 |
DK78085A (da) | 1985-09-14 |
ATE67987T1 (de) | 1991-10-15 |
CA1229218A (en) | 1987-11-17 |
FI74934B (fi) | 1987-12-31 |
NO163446B (no) | 1990-02-19 |
ES541041A0 (es) | 1985-12-01 |
DK167347B1 (da) | 1993-10-18 |
DE3409172C2 (fi) | 1987-11-05 |
ES8602536A1 (es) | 1985-12-01 |
KR920006800Y1 (ko) | 1992-09-26 |
US4623531A (en) | 1986-11-18 |
CN85101821A (zh) | 1987-01-10 |
FI850980L (fi) | 1985-09-14 |
EP0154826B1 (de) | 1991-10-02 |
DE3584262D1 (de) | 1991-11-07 |
DE3409172A1 (de) | 1985-09-26 |
DD235061A5 (de) | 1986-04-23 |
DK78085D0 (da) | 1985-02-20 |
JPS60210515A (ja) | 1985-10-23 |
NO163446C (no) | 1990-05-30 |
IN162518B (fi) | 1988-06-04 |
IE850387L (en) | 1985-09-13 |
IE58087B1 (en) | 1993-06-30 |
KR920006800B1 (ko) | 1992-08-20 |
NO850983L (no) | 1985-09-16 |
CN1004267B (zh) | 1989-05-24 |
JPS6366770B2 (fi) | 1988-12-22 |
KR910016910U (ko) | 1991-10-28 |
FI850980A0 (fi) | 1985-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FI74934C (fi) | Foerfarande foer framstaellning av silan. | |
US4632816A (en) | Process for production of silane | |
EP2033937A2 (en) | Method for producing trichlorosilane and method for producing polycrystalline silicon | |
JPS6259051B2 (fi) | ||
KR20090093842A (ko) | 트리클로로실란의 제조 방법 및 제조 장치 | |
JP5040717B2 (ja) | 高純度シリコンの製造方法 | |
JP2009062209A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
CN103998375B (zh) | 高纯度氯代聚硅烷的制造方法 | |
DK161696B (da) | Fremgangsmaade til fremstilling af siliciumhydrogenforbindelser, isaer silan | |
US3285947A (en) | Process for the conversion of complex aluminum-organic and boron-organic compounds of sodium into those of potassium | |
US3843774A (en) | Preparation of non-solvated aluminum hydride | |
CN111116625A (zh) | 一种合成三甲基铝的洁净工艺方法 | |
US7030260B2 (en) | Preparation of mixed-halogen halo-silanes | |
RU2077483C1 (ru) | Способ получения моносилана | |
CN115403011B (zh) | 一种高纯乙硼烷的制备纯化方法 | |
JPH03218917A (ja) | 三塩化ホウ素の製造方法 | |
US3324159A (en) | Process for the production of aluminum trialkyls and alkoxy aluminum dialkyls | |
JPH01313318A (ja) | トリクロロシランの製造方法 | |
JP2016113365A (ja) | ジメチルアルミニウムハイドライドの製造方法 | |
US20090304568A1 (en) | Process for Producing Silane | |
CN105668573A (zh) | 用于制备硅烷的方法和系统 | |
JPS63210012A (ja) | シランガスの製造法 | |
JPS59156907A (ja) | シランの製造方法 | |
MUKASHEV et al. | A NOVEL LOW COST PROCESS COST PROCESS FOR THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR POLYCRYSTALLINE SILICON FROM RECYCLED INDUSTRIAL WASTE | |
JPS60141616A (ja) | 水素化ケイ素の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM | Patent lapsed | ||
MM | Patent lapsed |
Owner name: D. SWAROVSKI & CO |