RU2077483C1 - Способ получения моносилана - Google Patents

Способ получения моносилана Download PDF

Info

Publication number
RU2077483C1
RU2077483C1 RU95106886/25A RU95106886A RU2077483C1 RU 2077483 C1 RU2077483 C1 RU 2077483C1 RU 95106886/25 A RU95106886/25 A RU 95106886/25A RU 95106886 A RU95106886 A RU 95106886A RU 2077483 C1 RU2077483 C1 RU 2077483C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
monosilane
silicon
lithium
purity
melt
Prior art date
Application number
RU95106886/25A
Other languages
English (en)
Other versions
RU95106886A (ru
Inventor
Л.Л. Фадеев
Ю.К. Кварацхели
М.С. Жирков
А.М. Ивашин
вцев В.В. Кудр
В.В. Кудрявцев
А.В. Гришин
В.Т. Филинов
Original Assignee
Всероссийский научно-исследовательский институт химической технологии
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Всероссийский научно-исследовательский институт химической технологии filed Critical Всероссийский научно-исследовательский институт химической технологии
Priority to RU95106886/25A priority Critical patent/RU2077483C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2077483C1 publication Critical patent/RU2077483C1/ru
Publication of RU95106886A publication Critical patent/RU95106886A/ru

Links

Images

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Использование: производство высокочистого поликристаллического кремния, полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии. Сущность изобретения: способ заключается во взаимодействии гидрида кальция с газообразным тетрафторидом кремния в солевом расплаве хлоридов лития и калия. Тетрафторид кремния используют в концентрации 50 - 100 об.%. Тетрафторид кремния разбавляют очищенным от кислорода азотом. Вводят его в избытке до 2 мас.% по отношению к стехиометрическому. Полученный моносилан подвергают дополнительной очистке адсорбцией. В качестве сорбента используют гранулированный фторид натрия. Очистку ведут в две стадии: при 130 - 140oС и при 250 - 280oС. Положительный эффект: чистота получаемого моносилана 99,998 - 99,999%. 2 з.п. ф-лы, 2 табл.

Description

Изобретение относится к области химической технологии получения моносилана и может быть использовано в производстве высокочистого поликристаллического кремния, а также полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии.
В настоящее время известны десятки способов и вариантов получения моносилана. Выбор метода получения моносилана в большой степени диктуется классом чистоты получающихся соединений, сырьевой базой, возможностью утилизации побочных продуктов, техническим опытом реализации производства высокочистых и небезопасных в обращении веществ.
Наиболее распространенным методом конверсии галоидных соединений кремния (тетрахлорид кремния, трихлоpсилан, тетрафторид кремния) является их взаимодействие с гидридами металлов I, II, III групп элементов в диспергирующей среде.
Известен способ получения моносилана в эвтектическом расплаве солей. Суть способа заключается в следующем: в смеси расплавленных солей хлоридов лития и калия, близкой к эвтектическому составу, растворяют в 18 20 мол. гидрида лития в сборнике с обогревающей рубашкой. Смесь перекачивают в первый реактор, работающий при температуре 390oС. В этот реактор подают газовую смесь, состоящую из 90 мол. трихлорсилана и 10 мол. тетрахлорида кремния. Реакция протекает по уравнениям:
Figure 00000001

В реактор подают смесь хлорсиланов на 20% меньше количества, необходимого по стехиометрии для взаимодействия с гидридом лития, что позволяет получать моносилан, практически не содержащий хлорсиланов. Расплавленные соли перекачивают во второй реактор, работающий при температуре 400oС. В него барботируют газовую смесь хлорсиланов вышеуказанного состава в количестве, по крайней мере, на 2% превышающем по отношению к стехиометрическому количеству, требующемуся для завершения реакции с гидридом лития. Гидрид лития полностью превращают в хлорид и получают в результате реакций газовую смесь, состоящую из моносилана и хлорсиланов. Температура расплава в первом и втором реакторах может колебаться в пределах 350 410oС. Расплав солей из последнего реактора (LiCl, KCl) возвращают в сборник для приготовления расплава, где добавлением отдельных компонентов готовят расплавленную солевую смесь заданного состава. Из потока расплава удаляют избыток гидрида лития, который получают гидрированием (водород) металлического лития. Последний регенерируют из хлорида лития в расплаве путем электролиза. Моносилан, полученный во втором реакторе, передают с помощью компрессора в ректификационную колонну и отделяют хлорсиланы, которые в виде кубовой фракции направляют в первый реактор. Солевой расплав, отводимый из реактора 2-й ступени, фильтруют для отделения мелких частиц кремния, диспергированных в расплаве. Моносилан из верхней части колонны частично испаряют и объединяют с моносиланом из первого реактора, и фильтруют для удаления пылевидных частиц. Далее моносилан очищают от борсодержащих примесей в абсорбере, орошаемом жидкими аминами. Очистка от бора происходит также в процессе синтеза моносилана в расплаве хлоридов лития и калия. После абсорбера моносилан очищают от микропримесей в адсорбере, заполненном молекулярным ситами на основе активированного угля.
В этом патенте описан также вариант процесса синтеза моносилана в отдельном реакторе (прототип), которые осуществляют путем взаимодействия хлорсиланов со смесью гидридов лития и кальция, растворенных в эвтектической смеси хлоридов лития и калия. Однако данные по растворимости гидрида кальция не приводятся. В конце технологической цепочки моносиланом заполняют баллоны с помощью компрессора. Выход моносилана по отношению к исходным хлорсиланам превышает 90% для процесса синтеза моносилана в эвтектическом расплаве хлоридов лития и калия. (Sundermeyer. W. Glemser. O.//Angewendte Chemie, 70 Jahrgang, Nr. 20, 21 Oktober, 1958, Verlag. Chemie, GmbH, Weinheim/Bergstr, s. 625 627).
Этот способ, принятый в качестве прототипа, имеет преимущество по чистоте моносилана по отношению к технологии "Ethyl Corp.", так как диспергирующая среда в реакторах не содержит углеродсодержащих материалов. Вместе с тем представляет интерес использование в процессе бисинтеза моносилана гидрида кальция. Этот гидрид является наиболее безопасным в обращении по сравнению с гидридами лития, натрия и соответствующими алюмогидридами. Можно полагать, что основнойпричиной, по которой гидрид кальция не нашел широкого использования в синтезе моносилана на основе хлорсиланов, является трудность отделения хлорида кальция от компонентов расплава. Процесс описывается реакциями:
Figure 00000002

Соли хлоридов кальция, лития, калия обладают хорошей растворимостью и поэтому регенерация компонентов исходного расплава представляет сложную задачу.
Предложен способ получения моносилана, включающий взаимодействие гидрида кальция с кремнийсодержащим соединением в эвтектическом солевом расплаве хлоридов лития и калия при температуре 360 390oС, очистку моносилана. В качестве кремнийсодержащего соединения используют газообразный тетрафторид кремния концентрации 50 100 об. в инертном разбавителе азоте, предварительно очищенном от кислорода. Тетрафторид кремния вводят в избытке до 20 мас. по отношению к стехиометрическому, а основную очистку моносилана от избытка ТФК и микропримесей ведут путем адсорбции на гранулированном фториде натрия при температурах 130 140oС и 250 280oС.
Процесс протекает по уравнению:
SiF4+2CaH2__→ SiH4+2CaF2
Использование ТФК при данной концентрации и избытке позволяет при пропускании полученного газообразного продукта через гранулированный фторид натрия (температура 130 140oС) удалить избыток тетрафторида кремния и вновь вернуть его в технологический процесс, очистить полученный моносилан от летучих фторидов бора, фосфора, мышьяка путем их адсорбции на гранулах фторида натрия при температуре 250 280oС. При этом следует отметить, что образующийся в расплаве CaF2 способствует очистке от примесей, например BF3, образуя стойкий комплекс Ca(BF4)2.
Другое отличие состоит в том, что моносилан получают путем взаимодействия смеси газообразного азота, очищенного от кислорода до 10-5 - 10-6 об. и тетрафторида кремния с гидридом кальция, растворенным в эвтектическом расплаве, хлоридов лития и калия с концентрацией 3 5 мас. при температуре 360 390oС. При этом поддерживается избыточное давление барботируемой газовой смеси, определяющееся гидравлическим сопротивлением технологической цепочки.
Пример. В реактор синтеза моносилана было загружено 700 г эвтектической смеси солей хлоридов лития и калия марки ЧДА в массовом соотношении 1:1,18 соответственно (59,8 мол. LiCl и 40,2 мол. KCl). В эвтектике при температуре 360oС растворено 5 мас. гидрида кальция (35 г). В расплав барботировали газообразный тетрафторид кремния в количестве 44,2 г в смеси с очищенным от кислорода азотом. Соотношение NAR и N2 1:1 по объему. Температура расплава поддерживалась в интервале 360 390oС. Длительность барботажа 40 мин. газовую смесь очищали на сорбентах (фторид натрия, ТУ 002.63,83), фильтровали на никелевых фильтрах тонкой очистки с размером пор 0,01 0,03 мкм. Моносилан выделяли из газовой смеси в промежуточном конденсаторе-испарителе вымораживанием при температуре жидкого азота, а сбросные газы направляли в горелку барботажного типа для сжигания паров моносилана. По окончании процесса конденсации моносилана газообразный азот откачивался из конденсатора-испарителя моносилана (КИМ) до давления 0,01 - 0,03 мм рт.ст. Адсорбированный моносиланом азот удаляли 3-5-кратной промывкой чистым водородом и откачивали последний из КИМа до давления 0,01-0,03 мм рт.ст. После указанных операций моносилан испаряли из КИМа и конденсировали в баллоне объемом 1 л, предварительно промытым гелием, откаченным до давления 0,01 мм рт.ст. и охлажденным жидким азотом. Все откачиваемые вакуум-насосом газы сбрасывались через барботажную горелку, что гарантировало сжигание пожароопасных газов (моносилан, водород). Всего было получено 12,8 г моносилана, что соответствовало выходу 96% относительно стехиометрии. Производительность лабораторной установки составила
Figure 00000003
.
После отсоединения баллона (1 л) от установки последнюю заполняли очищенным от кислорода азотом. В процессе вымораживания и испарения моносилана для обеспечения пожаро-, взрывобезопасности аппаратуру защищали от попадания окружающего воздуха во внутренние полости с помощью боксов, в которые подают очищенный от кислорода азот.
В процессе синтеза моносилана как побочный продукт получили фторид кальция и небольшое количество порошкообразного кремния (≈2 мас. по отношению к моносилану). Расплав хлоридов фильтровали при температуре 390 - 400oС, получено 63 г фторида кальция, выход которого относительно стехиометрии составил 97% Твердый осадок после фильтрации промывали дистиллированной водой, так как CaF2 не растворим в воде, высушивали. Такой продукт годен для производства безводного фтористого водорода. Раствор упаривали, осадок сушили и смесь солей хлоридов лития и калия возвращали в расплав. Предлагаемый способ синтеза моносилана по существу является безотходным. ТФК, выделяемый на гранулах фторида натрия, образует с последним кремнефторид натрия (Na2SiF6), который возвращается в голову процесса на терморазложение и получение тетрафторида кремния.
Как показали эксперименты, тетрафторид кремния не реагирует с компонентами расплава солей, не отмечено также образования кремнефторида кальция (CaSiF6).
Чистота полученного моносилана в основном определяется высоким качеством тетрафторида кремния, получаемого путем терморазложения Na2SiF6 (КНФ). Последний получают на предприятиях МРФАЭ из отходов производства безводного фтористого водорода. Состав КФН приведен в табл.1.
Фториды металлов при температуре разложения КФН являются нелетучими соединениями, фосфор также связан в устойчивые соединения, в целом чистота SiF4 по металлам и бору оценивается 10-6 10-7 мас.
Синтезированный моносилан был проанализирован хроматографическими методами на содержание газообразных примесей (табл.2).
Как видно из табл.2, моносилан получается достаточно высокого качества. Содержание лимитируемых элементов обеспечивается в значительной степени качеством исходного сырья кремнефторидом натрия.

Claims (1)

1 1. Способ получения моносилина, включающий взаимодействие гидрида кальция с кремнийсодержащим соединением в эвтектическом солевом расплаве хлоридов лития и калия при 360 390<198>С, очистку моносилана, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащего соединения используют газообразный тетрафторид кремния в концентрации 50 90 об. в предварительно очищенном от кислорода азоте.2 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что тетрафторид кремния вводят в избытке до 2 мас. по отношению к стехиометрическому количеству.2 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что очистку моносилана проводят адсорбцией на твердом сорбенте гранулированном фториде натрия в две стадии при 130 140 и при 250 280<198>С соответственно.
RU95106886/25A 1995-04-28 1995-04-28 Способ получения моносилана RU2077483C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU95106886/25A RU2077483C1 (ru) 1995-04-28 1995-04-28 Способ получения моносилана

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU95106886/25A RU2077483C1 (ru) 1995-04-28 1995-04-28 Способ получения моносилана

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2077483C1 true RU2077483C1 (ru) 1997-04-20
RU95106886A RU95106886A (ru) 1997-04-27

Family

ID=20167268

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU95106886/25A RU2077483C1 (ru) 1995-04-28 1995-04-28 Способ получения моносилана

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2077483C1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001025148A1 (fr) * 1999-10-07 2001-04-12 Institut Khimii Vysokochistykh Veschestv Rossiiskoi Akademii Nauk Procede de fabrication de silicium si-28 a isotope unique
ITBO20080646A1 (it) * 2008-10-20 2010-04-21 Sunlit S R L Metodo per la produzione di silicio policristallino
RU2466089C1 (ru) * 2011-04-20 2012-11-10 Владимир Александрович Ольшанский Способ получения моносилана

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент США N 4499063, кл. C 01 B 33/04, 1985. *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001025148A1 (fr) * 1999-10-07 2001-04-12 Institut Khimii Vysokochistykh Veschestv Rossiiskoi Akademii Nauk Procede de fabrication de silicium si-28 a isotope unique
DE10083318B4 (de) * 1999-10-07 2006-10-26 Institut Khimii Vysokochistykh Veschestv Rossiiskoi Akademii Nauk Verfahren zum Erhalten von Monoisotopensilizium Si28
ITBO20080646A1 (it) * 2008-10-20 2010-04-21 Sunlit S R L Metodo per la produzione di silicio policristallino
WO2010046751A3 (en) * 2008-10-20 2010-06-17 Sunlit S.R.L. Method for the production of polycrystalline silicon
RU2466089C1 (ru) * 2011-04-20 2012-11-10 Владимир Александрович Ольшанский Способ получения моносилана

Also Published As

Publication number Publication date
RU95106886A (ru) 1997-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2368568C2 (ru) Способ получения кремния
EP3590888B1 (en) Apparatus and method for the condensed phase production of trisilylamine
KR101362903B1 (ko) 아미노실란 및 이를 제조하는 방법
KR101928159B1 (ko) 삼염화붕소 존재 하에서 사염화규소의 환원
RU2077483C1 (ru) Способ получения моносилана
FI74934B (fi) Foerfarande foer framstaellning av silan.
US8404205B2 (en) Apparatus and method for producing polycrystalline silicon having a reduced amount of boron compounds by forming phosphorus-boron compounds
US4259309A (en) Method for obtaining gaseous hydrogen chloride from dilute aqueous hydrochloric acid
US6103942A (en) Method of high purity silane preparation
JPH0218286B2 (ru)
RU2390494C1 (ru) Способ получения моносилана
TWI773121B (zh) 獲得六氯二矽烷的方法
KR20140120507A (ko) 폴리실란 제조방법
JP3750761B2 (ja) モノアルキルアルシンの製造方法
RU2122971C1 (ru) Способ получения поликристаллического кремния по замкнутому технологическому циклу
JP4437733B2 (ja) トリメチルシランの精製方法
EP0839817A2 (en) Method for purifying mono-alkyl-arsines or mono-alkyl-phosphines
RU2173297C2 (ru) Способ получения моносилана из тетрахлорида кремния
JP2536027B2 (ja) ジシランの製造方法
JP3512285B2 (ja) 精ヨウ化水素の製造方法
RU2129984C1 (ru) Способ получения моносилана высокой чистоты
CN117966264A (zh) 一种化学气相沉积制备高纯碳化硅的方法
JPH0328367B2 (ru)
JPH11209103A (ja) モノゲルマンの精製方法
JP2001131187A (ja) モノシランの精製方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20060429

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20070620

PD4A Correction of name of patent owner