ES2584983T3 - Aditivo para preparar ante sobre chip de silicio monocristalino y método de uso del mismo - Google Patents
Aditivo para preparar ante sobre chip de silicio monocristalino y método de uso del mismo Download PDFInfo
- Publication number
- ES2584983T3 ES2584983T3 ES13892896.5T ES13892896T ES2584983T3 ES 2584983 T3 ES2584983 T3 ES 2584983T3 ES 13892896 T ES13892896 T ES 13892896T ES 2584983 T3 ES2584983 T3 ES 2584983T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- suede
- preparation
- monocrystalline
- additive
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000654 additive Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 73
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 32
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 11
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- WXMKPNITSTVMEF-UHFFFAOYSA-M sodium benzoate Chemical compound [Na+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 WXMKPNITSTVMEF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 11
- 239000004299 sodium benzoate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 235000010234 sodium benzoate Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 24
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 9
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 8
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 8
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 1
- 229920000141 poly(maleic anhydride) Polymers 0.000 abstract 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920000604 Polyethylene Glycol 200 Polymers 0.000 description 1
- 229920002565 Polyethylene Glycol 400 Polymers 0.000 description 1
- 229920002582 Polyethylene Glycol 600 Polymers 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- 231100000344 non-irritating Toxicity 0.000 description 1
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229940113115 polyethylene glycol 200 Drugs 0.000 description 1
- 229940068918 polyethylene glycol 400 Drugs 0.000 description 1
- 229940057847 polyethylene glycol 600 Drugs 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/12—Liquid-phase epitaxial-layer growth characterised by the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/54—Organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/08—Etching
- C30B33/10—Etching in solutions or melts
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Un aditivo de preparación de ante sobre un chip de sílice monocristalino, que comprende: polietilenglicol, benzoato de sodio, ácido cítrico, anhídrido polimaleico hidrolítico, acetato sódico y agua, en el que el porcentaje en masa de cada componente es del siguiente modo: polietilenglicol: 1-20 %, benzoato de sodio: 1,0-2,0 %, ácido cítrico: 1,0-5,0 %, anhídrido polimaleico hidrolítico: 1,0-5,0 %, acetato sódico: 0,1-1,0 %, y agua: el porcentaje restante.
Description
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
DESCRIPCION
Aditivo para preparar ante sobre chip de silicio monocristalino y metodo de uso del mismo CAMPO DE LA INVENClON
La invencion se refiere a un aditivo para preparar ante sobre un chip de sflice monocristalino y metodo de uso del mismo.
ANTECEDENTES DE LA INVENClON
Para mejorar el rendimiento y la eficiencia de una rebanada de celda solar se necesita formar ante sobre la superficie de un chip de sflice durante el proceso de preparacion de una rebanada de celda solar ya que la estructura de ante eficaz permite que la luz del sol incidente sea reflejada y refractada sobre la superficie del chip de sflice durante muchas veces para cambiar la direccion de avance de la luz incidente en el silicio. Por una parte, se extiende una trayectoria optica para aumentar la velocidad de absorcion de la luz infrarroja del chip de sflice, por otra parte, mas fotones son absorbidos en un area cercana a una union pn para generar portadores generados por fotones que pueden recogerse mas facilmente, asf aumenta la eficiencia de recogida de portadores generados por fotones.
Actualmente, las tecnologfas normales de preparacion de ante generalmente preparan el ante anadiendo una cantidad adecuada de la disolucion de mezcla de alcohol isopropflico y silicato de sodio en hidroxido sodico o hidroxido potasico. Estas tecnologfas de preparacion de ante tienen las siguientes desventajas: necesitan mucho tiempo para preparar ante mientras que las piramides de ante preparadas son grandes y no uniformes, el requisito al estado de la superficie original de un chip de sflice y el consumo qmmico son ambos altos, la vida util de la disolucion usada es corta, la repetibilidad de la preparacion del ante es mala, se volatiliza una gran cantidad de alcohol isopropflico, y la operacion es diffcil ya que la disolucion necesita agitarse continuamente, que hace que una alta proporcion del ante preparado tenga un mal aspecto y la velocidad de conversion de la rebanada de la celda sea baja.
El documento US 2011/092074 desvela un agente ftquido para el tratamiento superficial de obleas monocristalinas, que contiene un agente de decapado alcalino y tambien al menos un compuesto organico de baja volatilidad. Los sistemas de este tipo pueden usarse tanto para la limpieza, decapado de danos y texturizacion de superficies de obleas en una unica etapa de decapado como exclusivamente para la texturizacion de obleas de silicio con diferente calidad superficial, tanto si es ahora obleas serradas con alambre con alto dano superficial como superficies qmmicamente pulidas con minima densidad de danos.
El artfculo de XI Z et al. “Investigation of texturization for monocrystalline silicon solar cells with different kinds of alkaline”, RENEWABLE ENERGY, PERGAMON PRESS, OXFORD, GB, vol. 29, no. 13, desvela un silicio monocristalino que se texturizo con diferentes tipos de decapantes para celdas solares.
El documento WO 2009/120631 desvela metodos para la texturizacion superficial de un sustrato de silicio cristalino. En una realizacion, el metodo incluye proporcionar un sustrato de silicio cristalino, humedecer el sustrato con una disolucion alcalina que comprende un agente humectante, y formar una superficie texturizada con una estructura que tiene una profundidad de aproximadamente 1 pm a aproximadamente 10 pm sobre el sustrato. En otra realizacion, un metodo de realizar un proceso de textura de un sustrato incluye proporcionar sustrato de silicio cristalino, limpiar previamente el sustrato en una disolucion acuosa de HF, humedecer el sustrato con una disolucion acuosa de KOH que comprende compuesto de polietilenglicol (PEG), y formar una superficie texturizada con una estructura que tiene una profundidad de aproximadamente 3 pm a aproximadamente 8 pm sobre el sustrato.
Para tratar el problema tecnico existente en las tecnologfas normales de preparacion de ante se necesita un catalizador para ayudar en la preparacion del ante con el que pueda llevarse a cabo una reaccion qmmica uniformemente y pueda controlarse mejor la concentracion de una disolucion y una velocidad de reaccion.
SUMARIO DE LA INVENCION
El objetivo de la invencion es proporcionar un aditivo para preparar ante sobre un chip de sflice monocristalino, el aditivo, cuando se usa para preparar ante sobre un chip de sftice monocristalino, puede formar piramides de ante uniformes, minusculas y densas sin usar mucho alcohol isopropflico o etanol, reduciendo asf enormemente la demanda qmmica de oxfgeno de un ftquido de preparacion de ante, y consecuencialmente, la invencion reduce el coste de preparacion del ante y la polucion medioambiental y mejora la estabilidad tecnica de la celda solar de silicio cristalina y, por tanto, tiene buen valor practico.
Para lograr el fin anterior, la invencion proporciona un aditivo para preparar ante sobre un chip de sftice monocristalino, que comprende: polietilenglicol, benzoato de sodio, acido cftrico, anfftdrido polimaleico hidrofttico, acetato sodico y agua, en el que el porcentaje en masa de cada componente del aditivo para preparar el ante es del siguiente modo: polietilenglicol: 1-20 %, benzoato de sodio: 0,1-2,0 %, acido cftrico: 1,0-5,0 %, anfftdrido polimaleico hidrolftico: 1,0-5,0 %, acetato sodico: 0,1-1,0 %, y agua: el porcentaje restante.
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Preferentemente, el agua es agua desionizada.
La invencion tambien proporciona un Ifquido de preparacion de ante para preparar ante sobre un chip de sflice monocristalino, que contiene el aditivo mencionado anteriormente para preparar ante sobre un chip de sflice monocristalino y un alcali acuoso en una relacion masica de 0,2-5:100, en el que el alcali acuoso es la disolucion acuosa de un alcali inorganico u organico.
Preferentemente, el alcali acuoso es 0,5-3 % en peso de hidroxido sodico acuoso o disolucion de hidroxido potasico.
La invencion tambien proporciona un metodo de preparacion de ante sobre un chip de sflice monocristalino, mediante cuyo uso puede formarse ante sobre la superficie de un chip de sflice monocristalino con el anterior lfquido de preparacion de ante, en el que el ante se prepara sobre la superficie del chip de sflice monocristalino a una temperatura de preparacion del ante de 75-90 grados centfgrados durante un tiempo de preparacion del ante de 500-1500 s.
El metodo de preparacion de ante sobre un chip de sflice monocristalino incluye espedficamente las siguientes etapas:
1) preparar un aditivo de preparacion de ante: anadir 1-20 % en masa de polietilenglicol, 0,1-2,0 % en masa de benzoato de sodio, 1,0-5,0 % en masa de acido dtrico, 1,0-5,0 % en masa de anddrido polimaleico hidrolftico y 0,1-1,0% en masa de acetato sodico en el porcentaje restante en masa de agua, mezclar los componentes uniformemente en el aditivo de preparacion de ante, en el que el agua es preferentemente agua desionizada;
2) preparar un lfquido de preparacion de ante: anadir el aditivo de preparacion de ante preparado en la etapa 1) en un alcali acuoso, mezclar uniformemente el aditivo de preparacion de ante y el alcali acuoso en el lfquido de preparacion de ante, en el que la relacion masica del lfquido de preparacion de ante con respecto al alcali acuoso es 0,2-5:100, y el alcali acuoso es la disolucion acuosa de un alcali inorganico u organico y es preferentemente 0,5-3 % en peso de hidroxido sodico acuoso o disolucion de hidroxido potasico;
3) sumergir un chip de sflice monocristalino en el lfquido de preparacion de ante preparado en la etapa 2) para preparar ante sobre la superficie del chip de sflice monocristalino a 75-90 grados centfgrados durante 500-1500 s.
Despues de formarse el ante sobre la superficie de un chip de sflice con el aditivo de preparacion de ante usando el metodo de preparacion de ante, la superficie entera del chip de sflice tiene un lustre uniforme y esta uniformemente cubierta por piramides que tienen un tamano de aproximadamente 1-6 um.
La invencion tiene las siguientes ventajas y efectos beneficiosos: se proporciona un aditivo de preparacion de ante sobre un chip de sflice monocristalino y el metodo de uso del mismo, el aditivo, cuando se usa para preparar ante sobre un chip de sflice monocristalino, puede formar piramides de ante uniformes, minusculas y densas sin usar mucho alcohol isopropflico o etanol, reduciendose asf enormemente la demanda qrnmica de oxfgeno del lfquido de preparacion de ante, y consecuencialmente, la invencion reduce el coste de preparacion de ante y la contaminacion medioambiental y mejora la estabilidad tecnica de la celda solar de silicio cristalino y, por tanto, tiene buen valor practico.
Despues de prepararse el ante con el aditivo de preparacion de ante desvelado en el presente documento usando el metodo desvelado en el presente documento, las piramides sobre el ante son minusculas y estan uniformemente distribuidas, mejorando asf la tasa de los productos de rebanadas de celdas acabados, aumentando el factor de relleno de las rebanadas de celdas solares y mejorando la eficiencia de conversion fotoelectrica de las rebanadas de celdas solares. Ademas, el aditivo de preparacion de ante desvelado en el presente documento que no contiene alcohol isopropflico o etanol es no toxico, no corrosivo, no irritante, sin llama y no explosivo, y no produce contaminacion al medioambiente, ademas, el aditivo de preparacion de ante es facil de preparar y usar con dispositivos baratos y es de repetibilidad excelente.
BREVE DESCRIPCION DE LOS DIBUJOS
La Fig. 1 es una vista mas plana que ilustra el ante sobre la superficie de un chip de sflice obtenido en la realizacion 3 de la invencion y observado bajo un microscopio electronico de barrido.
DESCRIPCION DETALLADA DE LAS REALIZACIONES PREFERIDAS
El modo de implementacion espedfico de la invencion se describe a continuacion en detalle con referencia a los dibujos adjuntos cuando se leen conjuntamente con las realizaciones. Las realizaciones son simplemente ilustrativas de la solucion tecnica de la invencion mas facil, pero no deben interpretarse como limitantes del alcance de proteccion de la invencion.
La solucion tecnica espedfica de la invencion es del siguiente modo:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
Realizacion 1
Un metodo de preparacion de ante sobre un chip de sftice monocristalino incluye espedficamente las siguientes etapas:
1) Preparar un aditivo de preparacion de ante: anadir 1 g de polietilenglicol-600, 0,1 g de benzoato de sodio, 1 g de acido dtrico, 1 g de anhftdrido polimaleico hidrolftico, 0,1 g de acetato sodico en agua desionizada para obtener 100 g de disolucion de aditivo de preparacion de ante;
2) preparar un ftquido de preparacion de ante: disolver 250 g de NaOH en agua desionizada para obtener 50 kg de alcali acuoso, y disolver los 100 g de aditivo de preparacion de ante preparado en la etapa 1) en el alcali acuoso para obtener el ftquido de preparacion de ante;
3) preparar ante: sumergir un chip de sftice monocristalino en el ftquido de preparacion de ante preparado en la etapa 2) para preparar ante sobre la superficie del chip de sftice monocristalino a una temperature de preparacion del ante de 75 grados centfgrados durante un tiempo de preparacion del ante de 1500 s.
Realizacion 2
Un metodo de preparacion de ante sobre un chip de sftice monocristalino incluye espedficamente las siguientes etapas:
1) Preparar un aditivo de preparacion de ante: anadir 20 g de polietilenglicol-200, 2 g de benzoato de sodio, 5 g de acido dtrico, 5 g de anhftdrido polimaleico hidrolftico, 1 g de acetato sodico en agua desionizada para obtener 100 g de disolucion de aditivo de preparacion de ante;
2) preparar un ftquido de preparacion de ante: disolver 60 g de NaOH en agua desionizada para obtener 2 kg de alcali acuoso, y disolver los 100 g de aditivo de preparacion de ante preparado en la etapa 1) en el alcali acuoso para obtener el ftquido de preparacion de ante;
3) preparar ante: sumergir un chip de sftice monocristalino en el ftquido de preparacion de ante preparado en la etapa 2) para preparar ante sobre la superficie del chip de sftice monocristalino a una temperature de preparacion del ante de 90 grados cenftgrados durante un tiempo de preparacion del ante de 500 s.
Realizacion 3
Un metodo de preparacion de ante sobre un chip de sftice monocristalino incluye espedficamente las siguientes etapas:
1) Preparar un aditivo de preparacion de ante: anadir 15 g de polietilenglicol-400, 1 g de benzoato de sodio, 2,5 g de acido dtrico, 3 g de anhftdrido polimaleico hidrolftico, 0,5 g de acetato sodico en agua desionizada para obtener 100 g de disolucion de aditivo de preparacion de ante;
2) preparar un ftquido de preparacion de ante: disolver 100 g de KOH en agua desionizada para obtener 10 kg de alcali acuoso, y disolver los 100 g de aditivo de preparacion de ante preparado en la etapa 1) en el alcali acuoso para obtener el ftquido de preparacion de ante;
3) preparar ante: sumergir un chip de sftice monocristalino en el ftquido de preparacion de ante preparado en la etapa 2) para preparar ante sobre la superficie del chip de sftice monocristalino a una temperature de preparacion del ante de 80 grados cenftgrados durante un tiempo de preparacion del ante de 700 s.
La Fig. 1 muestra una imagen mas plana del ante sobre la superficie de un chip de sftice obtenida en la realizacion 3 de la invencion y observada bajo un microscopio electronico de barrido, puede observarse de la Fig. 1 que la superficie del chip de sftice esta uniformemente cubierta por piramides, en la que la mayor parte de la superficie del chip de sftice esta cubierta por las piramides que tienen un pequeno tamano de 1-4 um.
Lo mencionado anteriormente es solo realizaciones preferidas, debe apreciarse que aquellos expertos en la materia pueden idear diversas modificaciones y variaciones sin apartarse del principio tecnico de la invencion y tales modificaciones y variaciones deben entrar dentro del alcance de proteccion de la invencion.
Claims (6)
- 51015202530REIVINDICACIONES1. Un aditivo de preparacion de ante sobre un chip de sftice monocristalino, que comprende: polietilenglicol, benzoato de sodio, acido cftrico, anlddrido polimaleico hidrolftico, acetato sodico y agua, en el que el porcentaje en masa de cada componente es del siguiente modo: polietilenglicol: 1-20%, benzoato de sodio: 1,0-2,0%, acido cftrico: 1,0-5,0%, anlddrido polimaleico hidrolftico: 1,0-5,0%, acetato sodico: 0,1-1,0%, y agua: el porcentaje restante.
- 2. El aditivo de preparacion de ante sobre un chip de sftice monocristalino segun la reivindicacion 1, en el que el agua es agua desionizada.
- 3. Un ftquido de preparacion de ante para preparar ante sobre un chip de sftice monocristalino, que comprende: el aditivo de preparacion de ante sobre un chip de sftice monocristalino reivindicado en una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 2 y un alcali acuoso en una relacion masica de 0,2-5:100, en el que el alcali acuoso es la disolucion acuosa de un alcali inorganico u organico.
- 4. El ftquido de preparacion de ante para preparar ante sobre un chip de sftice monocristalino segun la reivindicacion 3, en el que el alcali acuoso es 0,5-3 % en peso de hidroxido sodico acuoso o disolucion de hidroxido potasico.
- 5. Un metodo de preparacion de ante sobre un chip de sftice monocristalino sobre la superficie de un chip de sftice monocristalino con el ftquido de preparacion de ante reivindicado en la reivindicacion 3 o 4, en el que el ante se prepara sobre la superficie de un chip de sftice monocristalino a una temperatura de preparacion del ante de 75-90 grados centfgrados durante un tiempo de preparacion del ante de 500-1500 s.
- 6. El metodo de preparacion de ante sobre un chip de sftice monocristalino segun la reivindicacion 5, que comprende las siguientes etapas espedficas:1) preparar un aditivo de preparacion de ante: anadir 1-20 % en masa de polietilenglicol, 0,1-2 % en masa de benzoato de sodio, 1,0-5,0 % en masa de acido cftrico, 1,0-5,0 % en masa de anhfdrido polimaleico hidrolftico y 0,1-1,0% en masa de acetato sodico en el porcentaje restante en masa de agua, mezclar los componentes uniformemente en el aditivo de preparacion de ante;2) preparar un ftquido de preparacion de ante: anadir el aditivo de preparacion de ante preparado en la etapa 1) en un alcali acuoso, mezclar uniformemente el aditivo de preparacion de ante y el alcali acuoso en el ftquido de preparacion de ante, en el que la relacion masica del ftquido de preparacion de ante con respecto al alcali acuoso es 0,2-5:100, y el alcali acuoso es la disolucion acuosa de un alcali inorganico u organico;3) sumergir un chip de sftice monocristalino en el ftquido de preparacion de ante preparado en la etapa 2) para preparar ante sobre la superficie del chip de sftice monocristalino a una temperatura de preparacion del ante de 75-90 grados centfgrados durante un tiempo de preparacion del ante de 500-1500 s.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310394735.2A CN103451739B (zh) | 2013-09-04 | 2013-09-04 | 单晶硅片制绒添加剂及其使用方法 |
| CN201310394735 | 2013-09-04 | ||
| PCT/CN2013/089672 WO2015032153A1 (zh) | 2013-09-04 | 2013-12-17 | 单晶硅片制绒添加剂及其使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2584983T3 true ES2584983T3 (es) | 2016-09-30 |
Family
ID=49734557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES13892896.5T Active ES2584983T3 (es) | 2013-09-04 | 2013-12-17 | Aditivo para preparar ante sobre chip de silicio monocristalino y método de uso del mismo |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9705016B2 (es) |
| EP (1) | EP2891637B1 (es) |
| JP (1) | JP2016532305A (es) |
| KR (1) | KR101613541B1 (es) |
| CN (1) | CN103451739B (es) |
| ES (1) | ES2584983T3 (es) |
| LT (1) | LT2891637T (es) |
| MY (1) | MY170623A (es) |
| SG (1) | SG11201405971YA (es) |
| TW (1) | TWI532824B (es) |
| WO (1) | WO2015032153A1 (es) |
Families Citing this family (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103710705B (zh) * | 2013-12-23 | 2016-01-20 | 北京合德丰材料科技有限公司 | 一种多晶硅片酸性制绒液的添加剂及其应用 |
| CN104576831B (zh) * | 2014-12-31 | 2016-10-12 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 一种单晶硅片无醇制绒工艺及其制绒添加剂 |
| CN104651949B (zh) * | 2015-02-11 | 2017-09-29 | 常州君合科技股份有限公司 | 一种多晶硅片制绒添加剂 |
| CN104988581A (zh) * | 2015-08-04 | 2015-10-21 | 绍兴拓邦电子科技有限公司 | 一种高沸点单晶硅片喷洒制绒添加剂 |
| CN105133026A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-09 | 合肥中南光电有限公司 | 一种低损伤单晶硅片制绒液及其制备方法 |
| CN105113009A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-02 | 合肥中南光电有限公司 | 一种环保型单晶硅片制绒液及其制备方法 |
| CN105133025A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-09 | 合肥中南光电有限公司 | 一种高效单晶硅片制绒液及其制备方法 |
| CN105113016A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-02 | 合肥中南光电有限公司 | 一种去油去蜡单晶硅片制绒液及其制备方法 |
| CN105154984A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-16 | 合肥中南光电有限公司 | 一种易清洗的单晶硅片制绒液及其制备方法 |
| CN105133027A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-09 | 合肥中南光电有限公司 | 一种小绒面单晶硅片制绒液及其制备方法 |
| CN105133023A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-09 | 合肥中南光电有限公司 | 一种低挥发性单晶硅片制绒液及其制备方法 |
| CN105040108B (zh) * | 2015-08-21 | 2017-11-17 | 浙江启鑫新能源科技股份有限公司 | 多晶硅太阳能电池的制绒方法 |
| CN105113013A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-02 | 合肥中南光电有限公司 | 一种高效环保单晶硅片制绒液及其制备方法 |
| CN105113015A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-02 | 合肥中南光电有限公司 | 一种低反射率单晶硅片制绒液及其制备方法 |
| CN105113014A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-02 | 合肥中南光电有限公司 | 一种除异味单晶硅片制绒液及其制备方法 |
| CN105133031A (zh) * | 2015-08-25 | 2015-12-09 | 合肥中南光电有限公司 | 一种竹叶提取液硅片制绒剂及其制备方法 |
| CN105133030A (zh) * | 2015-08-25 | 2015-12-09 | 合肥中南光电有限公司 | 一种长效硅片制绒剂及其制备方法 |
| CN105133028A (zh) * | 2015-08-25 | 2015-12-09 | 合肥中南光电有限公司 | 一种抗菌防霉硅片制绒剂及其制备方法 |
| CN108630786A (zh) * | 2016-06-27 | 2018-10-09 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法 |
| CN106521636A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-03-22 | 德清丽晶能源科技有限公司 | 一种单晶硅片制绒添加剂 |
| CN106835288A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-06-13 | 德清丽晶能源科技有限公司 | 一种单晶硅片的制绒方法 |
| CN106833954B (zh) * | 2017-01-23 | 2020-08-11 | 常州时创能源股份有限公司 | 单晶硅片制绒预清洗液的添加剂及其应用 |
| CN109427930B (zh) * | 2017-09-04 | 2022-02-25 | 苏州易益新能源科技有限公司 | 一种在晶体硅片表面选择性制备绒面的方法 |
| CN107805845B (zh) * | 2017-10-23 | 2020-06-09 | 常州时创能源股份有限公司 | 多晶黑硅的扩孔工艺 |
| CN107964686A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-04-27 | 德清丽晶能源科技有限公司 | 一种用于单晶硅片制绒的制绒液 |
| CN107747132A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-03-02 | 德清丽晶能源科技有限公司 | 一种太阳能电池单晶硅片的制绒方法 |
| CN107964684A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-04-27 | 德清丽晶能源科技有限公司 | 一种太阳能电池用单晶硅片的制绒方法 |
| CN107747131A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-03-02 | 德清丽晶能源科技有限公司 | 一种单晶硅片制绒添加剂 |
| CN107964685A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-04-27 | 德清丽晶能源科技有限公司 | 一种单晶硅片的制绒方法 |
| CN107955973A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-04-24 | 德清丽晶能源科技有限公司 | 一种电池用单晶硅片的制绒方法 |
| CN107747126A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-03-02 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种单晶硅无醇制绒添加剂、制绒液及其使用方法 |
| CN107955974B (zh) * | 2018-01-09 | 2020-06-09 | 常州时创能源股份有限公司 | 倒金字塔绒面单晶硅片的制绒添加剂及其应用 |
| CN108221057B (zh) * | 2018-01-18 | 2020-05-08 | 西安润威光电科技有限公司 | 利用氧化石墨烯基晶硅制绒添加剂制备硅太阳能电池绒面的方法 |
| CN108221050B (zh) * | 2018-01-19 | 2019-12-31 | 温岭汉德高分子科技有限公司 | 一种具有双峰金字塔绒面结构的单晶硅片 |
| CN108250363B (zh) * | 2018-01-19 | 2020-04-10 | 温岭汉德高分子科技有限公司 | 一种单晶硅制绒添加剂 |
| CN108219071B (zh) * | 2018-01-19 | 2020-03-10 | 温岭汉德高分子科技有限公司 | 一种单晶硅片制绒用的硫酸软骨素-聚（乙烯基吡咯烷酮-乙烯基吡啶）共聚物的制备方法 |
| CN108360071B (zh) * | 2018-02-25 | 2020-11-20 | 温岭汉德高分子科技有限公司 | 一种低反射率单晶硅片的制绒方法 |
| CN108660510A (zh) * | 2018-05-10 | 2018-10-16 | 天津赤霄科技有限公司 | 一种新型单晶硅片制绒添加剂的制造及简单制绒方法 |
| CN110042474A (zh) * | 2019-05-18 | 2019-07-23 | 上海汉遥新材料科技有限公司 | 一种单晶硅太阳能电池制绒添加剂及其应用 |
| CN110257072A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-09-20 | 常州时创能源科技有限公司 | 硅片单面制绒与边缘刻蚀用添加剂及其应用 |
| CN110528086A (zh) * | 2019-08-31 | 2019-12-03 | 绍兴拓邦电子科技有限公司 | 用于硅异质结太阳能电池的制绒添加剂及其制绒方法 |
| CN111139531A (zh) * | 2020-03-18 | 2020-05-12 | 常州时创能源股份有限公司 | 单晶硅片的制绒添加剂及其应用 |
| CN111455467A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-07-28 | 中国科学院微电子研究所 | 单晶硅制绒添加剂、制绒方法以及绒面单晶硅片制备方法 |
| CN111354840B (zh) * | 2020-04-22 | 2020-11-03 | 一道新能源科技(衢州)有限公司 | 一种选择性发射极双面perc太阳能电池的制备方法 |
| CN111593412B (zh) * | 2020-05-25 | 2021-03-30 | 常州时创能源股份有限公司 | 单晶硅片链式制绒用添加剂及其应用 |
| CN111593413A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-08-28 | 常州时创能源股份有限公司 | 单晶硅片链式机台制绒用添加剂及其应用 |
| CN112080348A (zh) * | 2020-09-29 | 2020-12-15 | 常州时创能源股份有限公司 | 硅片清洗用添加剂及其应用 |
| CN113668066A (zh) * | 2021-08-19 | 2021-11-19 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种用于快速制绒的制绒添加剂及应用 |
| CN114318549A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-04-12 | 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 | 一种用于弱粗抛工艺的单晶硅制绒添加剂及使用方法 |
| CN114318550A (zh) * | 2021-12-15 | 2022-04-12 | 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 | 一种单晶硅二次制绒的添加剂及其制绒工艺 |
| CN116333604A (zh) * | 2021-12-23 | 2023-06-27 | 武汉宜田科技发展有限公司 | 一种用于单晶硅片制绒的粗抛助剂 |
| CN115216301B (zh) * | 2022-06-23 | 2023-08-29 | 嘉兴学院 | 一种用于单晶硅的制绒液及制绒方法 |
| CN115478327B (zh) * | 2022-09-23 | 2024-02-27 | 浙江奥首材料科技有限公司 | 一种单晶硅蚀刻制绒添加剂、及包含其的单晶硅蚀刻制绒液、其制备方法及应用 |
| CN115820256B (zh) * | 2022-11-25 | 2024-05-24 | 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 | 用于提升太阳能电池绒面均匀性的添加剂及其使用工艺 |
| CN116004233A (zh) * | 2022-12-12 | 2023-04-25 | 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 | 一种提升硅片绒面均整度的刻蚀添加剂及使用方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3901565B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2007-04-04 | 富士フイルム株式会社 | 感熱性平版印刷版用原板 |
| DE102007058829A1 (de) * | 2007-12-06 | 2009-06-10 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Textur- und Reinigungsmedium zur Oberflächenbehandlung von Wafern und dessen Verwendung |
| JP2011515872A (ja) * | 2008-03-25 | 2011-05-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 結晶太陽電池の表面クリーニング及び凹凸形成プロセス |
| US8329046B2 (en) | 2009-02-05 | 2012-12-11 | Asia Union Electronic Chemical Corporation | Methods for damage etch and texturing of silicon single crystal substrates |
| US20120295447A1 (en) | 2010-11-24 | 2012-11-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions and Methods for Texturing of Silicon Wafers |
| CN102010796B (zh) * | 2010-12-25 | 2012-02-15 | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 | 太阳能多晶硅片清洗液 |
| WO2013100318A1 (ko) * | 2011-12-26 | 2013-07-04 | 동우화인켐 주식회사 | 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 |
| US8986559B2 (en) * | 2012-02-29 | 2015-03-24 | Avantor Performance Materials, Inc. | Compositions and methods for texturing polycrystalline silicon wafers |
| CN102586888A (zh) * | 2012-03-15 | 2012-07-18 | 苏州先拓光伏科技有限公司 | 一种无醇单晶硅制绒添加剂 |
| CN102978710A (zh) * | 2012-08-13 | 2013-03-20 | 杭州道乐太阳能技术有限公司 | 一种硅太阳电池表面陷光结构及制备方式 |
| CN102839427B (zh) * | 2012-08-28 | 2015-01-21 | 揭阳中诚集团有限公司 | 单晶硅片制绒无醇添加剂及其使用方法 |
| CN102888657B (zh) * | 2012-10-22 | 2015-04-15 | 江苏荣马新能源有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池片制绒剂用添加剂 |
| CN102952650B (zh) * | 2012-11-16 | 2014-07-02 | 绍兴拓邦电子科技有限公司 | 一种太阳能电池硅片清洗剂及其清洗工艺 |
| CN102912451B (zh) * | 2012-11-21 | 2016-01-20 | 贵州威顿晶磷电子材料股份有限公司 | 一种单晶硅片制绒添加剂 |
| CN103132079B (zh) * | 2013-02-07 | 2015-07-08 | 睿纳能源科技（上海）有限公司 | 一种用于金刚线切割多晶硅片酸制绒的添加剂及使用方法 |
-
2013
- 2013-09-04 CN CN201310394735.2A patent/CN103451739B/zh active Active
- 2013-12-17 EP EP13892896.5A patent/EP2891637B1/en active Active
- 2013-12-17 SG SG11201405971YA patent/SG11201405971YA/en unknown
- 2013-12-17 WO PCT/CN2013/089672 patent/WO2015032153A1/zh active Application Filing
- 2013-12-17 JP JP2016539392A patent/JP2016532305A/ja active Pending
- 2013-12-17 ES ES13892896.5T patent/ES2584983T3/es active Active
- 2013-12-17 LT LTEP13892896.5T patent/LT2891637T/lt unknown
- 2013-12-17 KR KR1020147030499A patent/KR101613541B1/ko active IP Right Grant
- 2013-12-17 MY MYPI2014702513A patent/MY170623A/en unknown
- 2013-12-17 US US14/376,499 patent/US9705016B2/en active Active
- 2013-12-24 TW TW102148005A patent/TWI532824B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| LT2891637T (lt) | 2016-10-10 |
| EP2891637A4 (en) | 2015-08-26 |
| KR101613541B1 (ko) | 2016-04-19 |
| JP2016532305A (ja) | 2016-10-13 |
| EP2891637A1 (en) | 2015-07-08 |
| EP2891637B1 (en) | 2016-06-01 |
| US20160284880A1 (en) | 2016-09-29 |
| MY170623A (en) | 2019-08-21 |
| CN103451739A (zh) | 2013-12-18 |
| CN103451739B (zh) | 2016-01-20 |
| SG11201405971YA (en) | 2015-04-29 |
| US9705016B2 (en) | 2017-07-11 |
| WO2015032153A1 (zh) | 2015-03-12 |
| TWI532824B (zh) | 2016-05-11 |
| KR20150056748A (ko) | 2015-05-27 |
| TW201416417A (zh) | 2014-05-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2584983T3 (es) | Aditivo para preparar ante sobre chip de silicio monocristalino y método de uso del mismo | |
| CN104576831B (zh) | 一种单晶硅片无醇制绒工艺及其制绒添加剂 | |
| Basu et al. | Liquid silicate additive for alkaline texturing of mono-Si wafers to improve process bath lifetime and reduce IPA consumption | |
| US20130295712A1 (en) | Methods of texturing surfaces for controlled reflection | |
| KR20090102508A (ko) | 계면 활성제를 이용한 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법 | |
| CN102181935B (zh) | 一种制作单晶硅绒面的方法及腐蚀液 | |
| CN102330091B (zh) | 一种多晶硅片酸性制绒液的添加剂及使用方法 | |
| CN102912451A (zh) | 一种低成本单晶硅片制绒添加剂 | |
| CN114086259A (zh) | 一种无醇型两亲性制绒添加剂及其制备方法 | |
| CN104562011A (zh) | 多晶硅片的制绒辅助剂及制绒工艺 | |
| Wijekoon et al. | Production ready noval texture etching process for fabrication of single crystalline silicon solar cells | |
| CN103594302B (zh) | 一种GaAs纳米线阵列光电阴极及其制备方法 | |
| CN104294369A (zh) | 一种用于多晶硅片酸制绒的添加剂及使用方法 | |
| KR101213147B1 (ko) | 태양전지용 단결정 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링제 조성물 및 이를 이용한 텍스쳐링 방법 | |
| CN106684201B (zh) | 一种氧化锌纳米棒/黑硅异质结纳米光电探测器及其制备方法 | |
| CN102888657B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池片制绒剂用添加剂 | |
| CN116053358B (zh) | 一种异质结电池的制备方法 | |
| CN103562344A (zh) | 用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物以及纹理蚀刻方法 | |
| CN108004598A (zh) | 一种晶体硅边缘刻蚀添加剂及其使用方法 | |
| Ou et al. | Effects of IPA on texturing process for mono-crystalline silicon solar cell in TMAH solution | |
| CN103643289A (zh) | 基于化学刻蚀的单晶硅表面结构及其制备及应用 | |
| Ma et al. | Texturization and rounded process of silicon wafers for heterojunction with intrinsic thin-layer solar cells | |
| Nakamura et al. | Texturization control for fabrication of high efficiency mono crystalline si solar cell | |
| CN109273559A (zh) | 抛光处理晶体硅片表面技术在太阳电池制备中的应用 | |
| Gangopadhyay et al. | Efficiency enhancement of Solar Cell by introduction of Cerium Oxide along with Silicon Nitride |