ES2555122T3 - Implantes para administrar sustancias y métodos de producción de implantes - Google Patents

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Abstract

Implante de silicio poroso bioerosionable o reabsorbible que comprende una sustancia anticancerosa.

Description

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Se observará que las formas sustancialmente de dos dimensiones, tales como un disco, no sufren tanto por los cambios de área superficial, ni tampoco lo hacen las formas de “línea” alargada (como se muestra en las figuras 4B y 4C).
Además de la porosidad que afecta a la cantidad de sustancia que puede ser contenida en silicio microporoso (mayor porosidad, mayor capacidad de contener sustancia), el tamaño del poro puede afectar a la tasa de disolución del implante. Así, pues, las regiones interiores de un implante de silicio poroso pueden estar dispuestas para corroerse más deprisa que las regiones exteriores, teniendo otra vez un efecto compensador para la pérdida de área superficial expuesta.
Aunque muchos países aún no permiten patentar métodos de tratamiento del cuerpo humano o animal mediante cirugía o terapia, hay algunos (por ejemplo EE.UU.) que lo hacen. Con el fin de que no exista ninguna duda sobre el derecho de prioridad del Convenio de París para tal invención en aquellos países que lo permitan, la invención también comprende el tratamiento, terapéutico o profiláctico, de un trastorno del cuerpo humano o animal mediante la implantación de un implante de silicio y permitiendo que el implante se corroa o se reabsorba a fin de obtener una sustancia beneficiosa que ayude a aliviar o mejorar la enfermedad, o para evitar que se produzca el trastorno. El implante se implanta típicamente por vía subcutánea.
Además, la técnica podría usarse para liberar sustancias diagnosticadas posiblemente en una región localizada del cuerpo. Sustancias diagnosticadas son “sustancias beneficiosas”.
Se comprenderá que la realización de estructuras silíceas, especialmente estructuras de silicio poroso y estructuras de silicio policristalino, capaces de ser descompuestas por el cuerpo durante un largo periodo (meses) de tiempo sin evidencia de efectos perjudiciales significativos, ha llevado a la facultad de crear implantes de sustancia beneficiosa (por ejemplo, de micronutrientes y fármaco), que se aprovechan de esto. La evidencia, que muestra que no hay efectos perjudiciales en la implantación, nos permite tener una expectativa razonable y predecible de éxito, es más que una especulación.
Por el momento, se percibe que las restricciones del tamaño físico de la carga útil de fármaco para los implantes restringirá su uso práctico para suministrar microminerales u otras sustancias, que no son requeridas en grandes niveles (por ejemplo, proteínas construidas genéticamente, péptidos, y fragmentos de gen y otros materiales de DNA). No obstante, la invención no se ha de restringir necesariamente a esas áreas, si se crea un implante de suministro de macrofármaco.
Una “sustancia beneficiosa” es algo beneficioso en conjunto: podría ser una toxina tóxica para células no deseables para interferir con un proceso fisiológico no deseable. Por ejemplo, sustancias anticancerosas serían consideradas “beneficiosas”, incluso aunque su objetivo sea destruir células cancerosas.
Se observará que los términos “erosionado”, “corroído”, “reabsorbido” se usan todos aquí. El mecanismo de corrosión no es conocido del todo, pero está probado que se produce erosión, corrosión. Bioerosión, bioreabsorción, biodegradación son otros términos posibles: actualmente, que el material de silicio / de soporte sea absorbido en células o se encuentre extracelularmente no se considera importante. No se ha pretendido, necesariamente, que la invención sea restringida a cualquier distinción biológica precisa entre los términos “corrosión” usados.
Impregnación de materiales semiconductores porosos
Se llevaron a cabo experimentos para demostrar la impregnación, de acuerdo con un aspecto de la invención, de muestras de silicio poroso con varios de metales (manganeso, plata y cromo) o compuestos (por ejemplo óxidos) de estos metales. Una sal del metal se colocó en la superficie de una muestra de silicio poroso. La temperatura de la sal se elevó hasta que la sal se fundió. La sal fundida a continuación pasó a la mayor parte del silicio poroso. La aplicación de calor dio como resultado la descomposición de la sal para producir el metal o el óxido metálico.
El material de inicio era un silicio de entre 3 y 5 ohm cm de tipo n (100). Este fue anodizado en una mezcla 50/50 en volumen de etanol y 40 % en peso de ácido fluorhídrico. La corriente de anodización era de 100 mAcm-2 y el tiempo de anodización era de 5 minutos. Esto creó una película de silicio poroso con un espesor de 30 micras y una porosidad determinada gravimétricamente de 38 %. Las muestras de silicio poroso (soportado en el silicio homogéneo no anodizado) preparado mediante este método, se escindieron para hacer piezas de aproximadamente 2 cm por 2 cm de dimensión.
Las sales de metal elegidas fueron manganeso (II) nitrato, cromo (III) nitrato y plata (I) nitrato. Se adoptó un procedimiento general, de acuerdo con un aspecto de la invención. El nitrato fue colocado en la superficie de la muestra de silicio poroso. La muestra de silicio poroso se colocó en un bloque de grafito con la cara porosa hacia arriba. En la superficie se colocó una cantidad del polvo de nitrato de metal. El bloque de grafito, con la oblea de silicio poroso sobre el mismo, se cargó en un reactor CVD. El reactor fue ensamblado y cerrado a la atmósfera. El reactor CVD se aclaró con argón (para crear una atmósfera inerte) o hidrógeno (para crear una atmósfera reductora).
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A continuación, se elevó la temperatura de la muestra hasta que se observó que el nitrato de metal se fundía.
Para algunas muestras, después de un período a esta temperatura inicial, la temperatura se elevó más y se observó que la sal se descomponía por la evolución de burbujas. Después de algún tiempo a temperatura elevada, la muestra se enfrió a temperatura ambiente y se retiró del reactor CVD. A continuación, se lavaron varias muestras producidas mediante este método en agua desionizada y se secaron. Después del lavado, se realizó el análisis del contenido de metal mediante EDX en los bordes escindidos.
Para cada procedimiento de impregnación, la muestra de silicio poroso se pesó antes de la impregnación. Después de la impregnación, las muestras se lavaron en agua desionizada y se volvieron a pesar. Para cada una de las tres sales de nitrato probadas, se observó un aumento de peso. Dado que las tres sales de nitrato son altamente solubles en agua, el aumento en el peso indica que las sales de nitrato se descompusieron, presumiblemente ya sea en el metal o en un óxido del metal, por el calor aplicado a la muestra de silicio poroso.
El procedimiento para el manganeso (II) nitrato, que es compatible con el procedimiento general mencionado anteriormente, se describirá ahora. Se colocó polvo de nitrato de manganeso, suficiente para proporcionar aproximadamente 0,5 gramos de polvo por 1 cm2 de superficie de silicio poroso, sobre la superficie de la muestra de silicio poroso. Se dejó fluir gas inerte (argón) a una velocidad de 700 cm3 / min a través del reactor CVD durante diez minutos. En este punto, la temperatura del bloque de grafito con la oblea sobre el mismo se elevó a 50 °C. Se observó que el nitrato de manganeso se fundía y la temperatura se mantuvo en este valor (50 ºC) durante una hora. A continuación, la temperatura se elevó a 150 °C y se mantuvo en este valor durante una hora más. En esta etapa, se observó desprendimiento de gas de la sal fundida. La temperatura se dejó enfriar a temperatura ambiente y se retiró la muestra. A continuación, la muestra se lavó por inmersión en agua desionizada durante aproximadamente 5 minutos. Se observó que se eliminó la mayor parte de la sal que quedaba en la superficie del silicio poroso. A continuación, se escindieron muestras de la muestra para análisis elemental.
La muestra de silicio poroso, que había sido tratada con nitrato de manganeso, se lavó con agua para eliminar cualquier exceso de la sal sin reaccionar sobre la superficie aunque se dejó una zona claramente marcada que indicaba dónde se había fundido la sal sobre el sustrato de silicio poroso. A continuación, se utilizó análisis elemental en una sección escindida (produciéndose la escisión en o cerca del límite entre el silicio poroso y homogéneo) a través de la muestra para revelar la extensión de la impregnación de manganeso. En cualquier caso, para el manganeso, el metal o más probablemente el óxido metálico había llegado a la parte inferior de la capa porosa, una distancia de 30 µm con los sustratos utilizados en estos experimentos. El manganeso se observó sólo debajo del área en la que había estado la sal fundida. La composición, incluso en la parte inferior de los poros, era suficiente para poder ser fácilmente detectada mediante EDX indicando que sobrepasaba un porcentaje atómico. Cabe señalar que la técnica de EDX sólo permite concentraciones de metal que sobrepasen un porcentaje atómico a detectar. Para el tratamiento con nitrato de manganeso, el procedimiento anterior se llevó a cabo tanto en una atmósfera de hidrógeno como en una atmósfera de argón. En ambos tipos de atmósfera, se observaron concentraciones similares de átomos de manganeso a profundidades similares.
El procedimiento para cromo (II) nitrato, que es compatible con el procedimiento general anteriormente mencionado, era idéntico al descrito para manganeso (II) nitrato explicado anteriormente excepto que el bloque de grafito se calentó a 90 ºC para provocar fusión y después de una hora, esta temperatura se elevó a 150 ºC y se mantuvo en este valor durante una hora más. El procedimiento para plata (I) de nitrato, que es compatible con el procedimiento general anteriormente mencionado, era idéntico al descrito para manganeso (II) nitrato explicado anteriormente excepto que el bloque de grafito se calentó a 250 ºC para provocar fusión y después de una hora, esta temperatura se elevó a 450 ºC y se mantuvo en este valor durante una hora más.
Se realizó análisis EDX para muestras de las muestras tratadas de nitrato de cromo y plata en un modo similar. La muestra tratada de silicio poroso se lavó en agua para eliminar cualquier exceso de la sal sin reaccionar en la superficie. A continuación, se utilizó análisis elemental en una sección escindida (produciéndose la escisión en o cerca del límite entre el silicio poroso y homogéneo) a través de la muestra para revelar la extensión de la impregnación de la sal. El óxido de cromo (para la muestra tratada de nitrato de cromo) había llegado a la parte inferior de la capa porosa una distancia de 30 µm con los sustratos utilizados en estos experimentos. La plata (para la muestra tratada con nitrato de plata) había llegado a la parte inferior de la capa porosa una distancia de 30 µm con los sustratos utilizados en estos experimentos. A diferencia de los casos de las muestras tratadas de manganeso y cromo, la plata se distribuye por toda la estructura de poros y no sólo en el área bajo la masa fundida. La composición incluso en la parte inferior de los poros era suficiente para poder ser fácilmente detectada mediante EDX indicando que sobrepasaba un porcentaje atómico.
El procedimiento de impregnación para el manganeso también se llevó a cabo en aire ambiente. Se colocó nitrato de manganeso sobre la superficie de una película de silicio poroso; colocándose la película sobre una placa calentadora de laboratorio estándar. La muestra se calentó sobre una placa calentadora a 56 ºC durante 70 minutos y a 150 ºC durante 70 minutos. Esto creó una película negra sobre la superficie de la capa de silicio poroso. El análisis EDX de esta película reveló manganeso por encima de un 1 % en toda la capa. También hubo una banda de mayor concentración (un pequeño porcentaje atómico) a una profundidad de unas pocas micras.
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Los órganos internos principales fueron examinados también con autopsia, después de 26 semanas de la implantación, sometiendo bloques representativos a examen histopatológico de rutina. De acuerdo con las observaciones hechas en el momento de la autopsia, el examen histológico de los órganos internos principales no reveló evidencia de ninguna patología que pudiera ser achacada a los implantes de silicio o de titanio o a cualquier enfermedad preexistente en la población experimental.
Los análisis de postevaluación de las puntuaciones de cada tipo de implante revelaron un nivel significativamente más elevado de inflamación / fibrosis crónica a 4 y 12 semanas para los ejemplares de silicio poroso (sin revestimiento) que para los controles de titanio (Tabla J). La naturaleza de la reacción del tejido observada es posiblemente un reflejo de la naturaleza bioactiva del tipo de implante de silicio poroso, que sugiere que este material fomenta el crecimiento de tejido y actúa recíprocamente con sistemas biológicos. No se revelaron otras diferencias estadísticas significativas para las otras características histológicas o tipos de implante en cualesquiera de los instantes de tiempo.
Los resultados de este estudio demostraron claramente que había habido poca o ninguna reacción bien del ensayo
o bien de los materiales de implante estándar. Las diferencias significativas de las características histológicas reflejan cambios que serían experimentados por cualquier proceso quirúrgico y que no están relacionados con la naturaleza de los materiales de implante.
Las diferencias significativas de las puntuaciones de inflamación crónica para el silicio poroso a 4 y 12 semanas, destacadas por los análisis multivariantes, son probablemente poco significativas biológicamente en lo que se refiere a biocompatibilidad. Esta conclusión se confirma con los resultados del estudio a 26 semanas.
Niveles de puntuación
Las tablas A a D indican los criterios de nivel de puntuación que se utilizaron para evaluar la reacción inflamatoria aguda; la degeneración del tejido, la formación de edemas, las hemorragias y la necrosis de la piel; la formación de nuevos vasos y de tejido de granulación; y la inflamación persistente (crónica) y la fibrosis de tejido durante la patología.
Las Tablas E a H muestran los niveles de puntuación de la patología para 1, 4, 12 y 26 semanas después de la implantación, respectivamente.
La Tabla I muestra un análisis estadístico del estudio de biocompatibilidad. Para la Tabla I, el rango medio de puntuaciones para cada categoría histológica en cada periodo de tiempo. En la Tabla I, una línea entre dos filas en la columna de interés indica una diferencia significativa para los dos grupos (p < 0, 05; análisis de Kruskall_Wallis).
La Tabla J muestra el análisis estadístico del estudio de biocompatibilidad. Para la Tabla J, el rango medio de puntuaciones de cada tipo de implante por categoría histológica para cada periodo de tiempo. En la Tabla J, “*” indica una diferencia significativa en el rango para cada tipo de silicio en comparación con el control de titanio (p < 0,05; análisis de Friedman), donde BSi = silicio homogéneo, PSi = silicio poroso, CoPSi = silicio poroso revestido.
Las figuras 10 a 13 muestran los parámetros fisiológicos del estudio de biocompatibilidad. La figura 10 muestra la temperatura media (+/-sem) diaria para cada uno de los cuatro grupos de cobayas. La figura 11 muestra el peso medio (+/-sem) diario para uno de los cuatro grupos de cobayas. La figura 12 muestra una comparación de temperatura media (+ sem) de la cobaya para el periodo de 7 días de control antes de la cirugía (semana -1, n=30) con los 4 periodos de tiempo antes de elegir cada grupo de animales (semana 1, n=35; semana 4, n=241; semana 12, n=141; semana 26, n=5). El doble asterisco “**” mostrado en la figura 12 indica p < 0,01 en comparación con el periodo de control. El transpondedor de temperatura de 1 animal funcionaba mal; por consiguiente, faltan los datos de este animal. La figura 13 muestra una comparación del peso medio (+ sem) de las cobayas ganado en el periodo de control de 7 días antes de la cirugía (semana -1, n=30) con los 4 periodos de tiempo antes de elegir cada grupo de animales (semana 1, n=35; semana 4, n=25; semana 12, n=15; semana 26, n=5). El doble asterisco “**” mostrado en la figura 13 indica p <0,01 en comparación con el periodo de control.
La invención también proporciona un implante de silicio que tiene una sustancia beneficiosa asociada al mismo, siendo el implante erosionando cuando se implanta en el cuerpo de un mamífero.
El implante de silicio puede comprender silicio poroso. El implante de silicio puede comprender silicio policristalino. El implante de silicio puede ser reabsorbido cuando se implanta en el cuerpo de un mamífero. El implante de silicio, si se deja en el cuerpo de un mamíferos durante un tiempo suficiente, puede ser reabsorbido sustancialmente por completo.
Dicha sustancia beneficiosa puede comprender un elemento de la tabla periódica. El elemento puede ser un micromineral. El micromineral puede ser seleccionado del grupo que comprende: selenio, manganeso, molibdeno, cromo, vanadio, yodo, flúor, cobalto (vitamina B12). El elemento puede ser un elemento traza esencial identificado
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como tal en la figura 5. El elemento puede ser un elemento terapéutico. El elemento puede ser seleccionado del grupo que comprende: litio, oro, plata, platino.
La sustancia beneficiosa puede ser distribuida a través de un volumen del material de dicho implante. La sustancia beneficiosa puede ser distribuida a través de sustancialmente todo el volumen del material del implante.
El implante de silicio puede comprender al menos una región de silicio poroso. El implante de silicio puede comprender silicio poroso sustancialmente en su totalidad. El implante de silicio puede tener una porosidad de al menos 3 %, 4 % o 5 %. El implante de silicio puede tener una porosidad de 30 % o menos. El implante de silicio puede tener una porosidad en el intervalo de 3 % a 10 %, o en el intervalo de 10 % a 60 %.
El implante de silicio puede estar provisto de un reservorio de sustancia beneficiosa y de una puerta que conduce al reservorio, estando hecha la puerta de material de silicio que se corroe en uso a fin de permitir que el fluido corporal se ponga en contacto con la sustancia beneficiosa en el reservorio. El implante de silicio puede comprender una pluralidad de reservorios. Los reservorios pueden estar adaptados para exponer o liberar, con el tiempo, su contenido a fluidos corporales de forma secuencial. El implante de silicio puede comprender una pluralidad de reservorios, teniendo cada uno una puerta asociada, y en el que hay puertas de diferentes tiempos de corrosión, de tal manera que en uso, los reservorios son abiertos en diferentes momentos. Las puertas pueden tener diferentes espesores. Las puertas pueden corroerse a un ritmo diferente.
El implante de silicona puede comprender una serie de reservorios. Los reservorios pueden comprender huecos para contener la sustancia beneficiosa. Los reservorios pueden comprender regiones de los implantes que contienen diferencialmente la sustancia beneficiosa a un nivel significativamente más alto que regiones no reservorio adyacentes del implante.
El implante de silicio puede comprender un primer componente que define en parte un límite del o de cada reservorio y un segundo componente que define en parte un límite del o de cada reservorio. Los dos componentes pueden ser sustancialmente iguales.
El implante de silicio puede comprender al menos del orden de decenas, y preferiblemente al menos del orden de un centenar de reservorios. El implante de silicio puede comprender al menos o del orden de un millar de reservorios. El implante de silicio puede haber sido micromecanizado.
De acuerdo con otro aspecto, la invención proporciona un implante que comprende un material de soporte poroso o policristalino que es corroído por los fluidos fisiológicos subcutáneos de mamíferos, y una sustancia beneficiosa asociada al material de soporte. El material de soporte puede comprender un semiconductor. El material de soporte se puede seleccionar del grupo que tiene o no aditivo: silicio, germanio, carburo de silicio, nitruro de silicio. El implante puede comprender material semiconductor poroso o policristalino. La sustancia beneficiosa puede comprender un elemento de la tabla periódica. El elemento puede ser un micromineral.
De acuerdo con otro aspecto, la invención proporciona un método para elaborar un implante de silicio para suministrar una sustancia beneficiosa a un sujeto, comprendiendo el método tomar un cuerpo de silicio, formar el silicio como un implante implantable e introducir una sustancia beneficiosa en el silicio.
El método puede comprender la etapa de aplicar una solución de micromineral al silicio y de hacer migrar el micromineral al silicio. El método puede comprender la etapa de conducir la sustancia beneficiosa al silicio usando calor. El método puede comprender la etapa de micromecanizar un hueco o receso en el silicio. El método puede comprender la etapa de introducir dicha sustancia beneficiosa en el hueco. El método puede comprender la etapa de aplicar una tapa, o puerta, sobre la región que contiene la sustancia beneficiosa para retener la sustancia beneficiosa. El método puede comprender la etapa de hacer un hueco en un primer componente de silicio, haciendo un hueco complementario en una segunda pieza de silicio, introduciendo dicha sustancia beneficiosa en uno o ambos huecos y uniendo los dos componentes entre sí con sus huecos coincidiendo para definir un reservorio cerrado que contenga dicha sustancia beneficiosa. El método puede comprender la etapa de elaborar un gran número de huecos en el implante, preferiblemente de forma simultánea. El método puede utilizar una técnica fotolitográfica para hacer los huecos. El método puede comprender la etapa de tratamiento del cuerpo de silicio para hacer que al menos parte del mismo sea poroso. El método puede comprender la etapa de elaborar un cuerpo de silicio poroso a lo largo de sustancialmente la totalidad de su volumen. El método puede comprender coger, o crear, un cuerpo de silicio policristalino de material, o una capa o región de silicio policristalino.
De acuerdo con otro aspecto, la invención proporciona un método de elaboración de un implante semiconductor para administrar una sustancia beneficiosa a un sujeto, comprendiendo el método tomar un cuerpo semiconductor, formar el semiconductor como un implante implantable e introducir una sustancia beneficiosa en el semiconductor. El semiconductor puede seleccionarse del grupo que comprende: silicio, germanio.
El método puede comprender la etapa de introducir un micromineral en el semiconductor.
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De acuerdo con otro aspecto, la invención proporciona un método de elaboración de un implante para administrar sustancia beneficiosa a un sujeto, comprendiendo el método tratar un elemento poroso de material que es erosionable in vivo, crear de un implante a partir del elemento e introducir una sustancia beneficiosa en el implante.
De acuerdo con otro aspecto, la invención proporciona un implante que tiene una pluralidad de reservorios, una pluralidad de cargas de sustancia beneficiosa previstas en dichos reservorios y una pluralidad de regiones barrera, o puertas, previstas adyacentes a dichos reservorios, teniendo las puertas una pluralidad de tiempos de erosión diferentes cuando se implantan, siendo la disposición tal que, en uso las puertas se descomponen de forma secuencial con el fin de escalonar la liberación de los contenidos de los reservorios. Las puertas pueden comprender un material semiconductor. Sustancialmente todo el implante puede comprender un material semiconductor. El implante puede comprender el mismo material semiconductor en todas partes.
El implante puede comprender al menos diez reservorios. El implante puede comprender al menos cincuenta reservorios. El implante puede comprender al menos un centenar de reservorios. El implante puede comprender al menos del orden de cientos de reservorios.
De acuerdo con otro aspecto, la invención proporciona un método para suministrar una sustancia beneficiosa a un sujeto, comprendiendo el método implantar un implante en el sujeto y disponer las diferentes regiones del implante para ser erosionadas en diferentes momentos, disponiendo dichas regiones de manera que requieran diferentes tiempos de exposición a los fluidos corrosivos experimentados en uso para ser abiertas, y usar la apertura secuencial de dichas regiones diferentes para liberar secuencialmente diferentes reservorios de sustancia beneficiosa que estaba retenida en o detrás de dichas regiones diferentes del implante.
De acuerdo con otro aspecto, la invención proporciona el uso de silicio corrosible o reabsorbible u otro material semiconductor, en la preparación de un implante para la administración de una sustancia fisiológicamente activa a un sujeto.
De acuerdo con otro aspecto, la invención proporciona el uso de la corrosión o reabsorción de silicio o de otro material semiconductor en un implante con el fin de liberar una sustancia retenida en el material del silicio o semiconductor o para abrir una puerta a un reservorio de la sustancia.
La invención proporciona un implante de silicio caracterizado por que el implante comprende un elemento y una muestra de silicio poroso que tiene una superficie de muestra, estando el elemento presente en una concentración de entre 1 y 90 de porcentaje atómico a una profundidad, desde la superficie de la muestra, de entre 0,35 μm y
1.000 μm. El elemento puede estar presente en una concentración de entre 1 y 50 de porcentaje atómico a una profundidad, desde la superficie de la muestra, de entre 0,35 μm y 100 μm. El elemento puede estar presente en una concentración de entre 1 y 10 de porcentaje atómico a una profundidad, desde la superficie de la muestra, de entre 0,35 μm y 100 μm. El elemento puede estar presente en una concentración de entre 1 y 10 de porcentaje atómico a una profundidad, desde la superficie de la muestra, de entre 20 μm y 30 μm. El elemento puede estar presente en una concentración de entre 1 y 50 de porcentaje atómico a una profundidad, desde la superficie de la muestra, de entre 10 μm y 100 μm. El elemento puede estar presente en una concentración de entre 1 y 10 de porcentaje atómico a una profundidad, desde la superficie de la muestra, de entre 10 μm y 100 μm. La invención proporciona un método de elaboración de un implante que comprende tomar un semiconductor poroso e introducir una sustancia beneficiosa en el semiconductor poroso, comprendiendo la etapa de introducir la sustancia beneficiosa las etapas de:
(a)
poner la sustancia beneficiosa en contacto con la parte porosa del semiconductor;
(b)
hacer que la sustancia beneficiosa esté en una fase fundida; y
(c)
permitir que la sustancia beneficiosa fundida pase a la parte porosa del semiconductor.
La sustancia beneficiosa puede consistir sustancialmente en una sal de metal. La sustancia beneficiosa puede consistir sustancialmente en una mezcla de dos o más sales de metal. La sustancia beneficiosa puede ser un sólido a 293 K y 760 mmHg.
El paso de la sustancia beneficiosa al silicio poroso se puede potenciar con la aplicación de calor al semiconductor poroso.
El método puede comprender además la etapa de descomponer térmicamente la sustancia beneficiosa que ha pasado al material semiconductor poroso.
El método puede comprender además la etapa de reaccionar la sustancia beneficiosa que ha pasado al material semiconductor con un oxidante. El semiconductor puede ser silicio.
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Tabla A
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Tabla B
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Claims (1)

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