ES2409947B1 - Aparato de tratamiento de calor para células solares. - Google Patents

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Abstract

Aparato de tratamiento de calor para células solares.#Un aparato de tratamiento de calor para un proceso de selenización o un proceso de sulfurización realizado al formar una capa de absorción de luz en una célula solar del tipo de calcopirita, incluye un tubo de cuarzo en el que se disponen múltiples sustratos de célula solar en paralelo a intervalos predeterminados en una dirección del grosor, un mecanismo de calentamiento para calentar gas atmosférico, que está dispuesto fuera del tubo de cuarzo, y primeras placas deflectoras dispuestas hacia arriba de los sustratos, en el que el gas atmosférico calentado, que sube a lo largo de una superficie interior del tubo de cuarzo, es guiado desde arriba al centro de los sustratos.

Description

APARATO DE TRATAMIENTO DE CALOR PARA CÉLULAS SOLARES
CAMPO TÉCNICO
La presente invención se refiere a un aparato de tratamiento de calor para células solares del tipo de calcopirita, usado en un método de producción de células solares de película fina, en particular, en un proceso de selenización durante la formación de una capa de absorción de luz.
ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN
La célula solar de película fina del tipo de calcopirita es del tipo de película fina, y tiene una capa CIGS incluyendo un compuesto de calcopirita, en el que un elemento del mismo es del grupo 1, 111 o VI, como una capa de absorción de luz de tipo p. La célula solar de película fina del tipo de calcopirita tiene una estructura multicapa en la que una capa de electrodo superficial trasera actúa como un cátodo que es una capa de metal Mo, una capa de absorción de luz CIGS, una capa intermedia de
tipo
n, y una capa frontal como un ánodo que es una capa
de
electrodo transparente están laminadas sobre un
sustrato
de vidrio.
Entonces,
cuando un receptor superficial de esta
estructura multicapa emite luz irradiada, tal como luz solar, un par de un electrón y un hueco positivo es excitado por la luz de irradiación que tiene energía en un intervalo de banda cerca de una unión p-n en la estructura multicapa. El electrón excitado y el hueco positivo llegan a la unión p-n por difusión, y el electrón y el hueco positivo son separados localmente en una región n y una región p, respectivamente, por el campo eléctrico interno de la unión. Como resultado, la región n se carga negativamente, y la región p se carga positivamente, y se genera una diferencia de potencial entre los electrodos dispuestos en cada región. Cuando estos electrodos están conectados por un alambre conductor, se obtiene una fotocorriente por fuerza electromotriz debido a esta diferencia de potencial, y éste es el principio de la célula solar.
Como un método de producción de una capa de absorción
de
luz CIGS en dicha célula solar de película fina se
pueden
mencionar un método incluyendo un proceso de
formación
de precursor en el que se forma un precursor
incluyendo Cu, In y Ga en una capa de electrodo superficial trasera formada sobre un sustrato por deposición catódica, etc, y un proceso de selenización en el que se forma una capa de absorción de luz termotratando el sustrato de precursor formado bajo una atmósfera de gas de selenización (H2 Se, gas seleniuro de hidrógeno) (véase la publicación de patente 1). En el caso en el que la selenización se lleva a cabo usando este método, se dispone una pluralidad de sustratos anteriores en el aparato y el interior del aparato es sustituido por un gas inerte tal como gas nitrógeno, y posteriormente se introduce y sella una fuente de selenio, y los sustratos se calientan en este estado a una temperatura predeterminada durante un tiempo predeterminado, y por ello se forma la capa de absorción de luz.
Sin embargo, en este método, dado que se disponen y calientan múltiples sustratos desde las superficies laterales o la circunferencia de los sustratos, existen los problemas de que (1) el calentamiento puede ser insuficiente dependiendo de la disposición del sustrato y
(2) su relación de constituyentes no es uniforme, y por lo tanto, no se forma una capa homogénea de absorción de luz CIGS (a) en cada sustrato o (b) en la superficie del sustrato, y por lo tanto, las características de las células solares no son uniformes.
Los problemas anteriores se explicarán con más detalle, y el problema (1) se describe a continuación. La circunferencia de una pluralidad de los sustratos llenos se calienta primariamente por radiación, y una superficie del sustrato, que es la exterior, tiene excelente distribución de temperatura dado que se recibe una radiación de calor uniforme de una fuente de calor. Sin embargo, la radiación de la fuente de calor es absorbida en su mayor parte por un precursor formado en el sustrato
dispuesto en el lado exterior. Como resultado, los sustratos dispuestos desde el segundo exterior al centro se calientan primariamente por conducción de calor en el sustrato y convección del gas atmosférico que fluye en la superficie del sustrato. En este caso, la conducción de calor tiene una distribución de temperatura determinada por cada propiedad física peculiar del precursor y los sustratos, y el gas atmosférico tiene su propia distribución de temperatura en el aparato, y por lo tanto,
(a) la temperatura general del centro del sustrato es inferior a la de su exterior y, además, (b) la uniformidad de la temperatura en la superficie del sustrato es inferior.
Además, el problema (2) se describe a continuación. El gas seleniuro de hidrógeno introducido en el aparato se descompone en moléculas de hidrógeno y selenio cuando se calienta a aproximadamente 160°C, y esta molécula de selenio es tomada en una capa contactando una superficie caliente del precursor. En este proceso de reacción, en el caso en que la temperatura de todos los sustratos en el aparato sea uniforme, el gas de selenización en el aparato circula uniformemente en cada superficie de sustrato, y se forma una capa homogénea de absorción de luz contactando uniformemente el gas de selenización con la superficie de sustrato. Sin embargo, la diferencia de temperatura tiene lugar en cada sustrato como se ha explicado en (1), y además, se genera un tiro ascendente entre el sustrato y el tubo de cuarzo por el gas de selenización calentado en el aparato; sin embargo, parte del gas de selenización calentado cae por los espacios libres entre cada sustrato durante la subida y otra parte permanece en una porción superior de los sustratos sin caer a través de los sustratos, después sube a la porción superior de los sustratos. Por lo tanto, la circulación del gas atmosférico en la superficie de los sustratos no es uniforme y como resultado, (b) los constituyentes en los sustratos no son uniformes.
Como una técnica para resolver dicho problema, se
puede mencionar un método en el que se hace circular gas atmosférico disponiendo un ventilador electromotor en un reactor, (véase la publicación de patente 2). Generalmente se requiere un proceso de selenización o un proceso de sulfurización a aproximadamente 650°C para producir los sustratos en la célula solar del tipo de calcopirita. Además, es necesario que el material del reactor usado en dicho proceso tenga resistencia al selenio a altas temperaturas.
Sin embargo, en el caso en el que se usa un ventilador electromotor, es necesario que el material del ventilador tenga resistencia a la corrosión por selenio, y también es necesario que tenga durabilidad de hermeticidad del eje de
giro,
en particular, durabilidad en vista de la
temperatura
de procesado, el calor de rozamiento, el gas
de
corrosión, etc.
La publicación de patente 1 es la Publicación de la Solicitud de Patente japonesa no examinada número 2006196771. La publicación de patente 2 es la Publicación de la Solicitud de Patente japonesa no examinada número 2006186114.
DESCRIPCIÓN DE LA INVENCIÓN PROBLEMAS QUE RESUELVE LA INVENCIÓN
Por lo tanto, la presente invención se completó en vista de las circunstancias antes descritas, y un obj eto de la presente invención es proporcionar un aparato de tratamiento de calor para células solares del tipo de calcopirita en el que se puede obtener una capa de absorción de luz CIGS que tiene alta calidad promoviendo la uniformidad de temperatura en el aparato y la uniformidad de la circulación atmosférica.
MEDIOS PARA RESOLVER LOS PROBLEMAS
El aparato de tratamiento de calor de la presente invención es un aparato de tratamiento de calor para un proceso de selenización o un proceso de sulfurización realizado al formar una capa de absorción de luz en una célula solar del tipo de calcopirita, e incluye un tubo de cuarzo en el que se dispone una pluralidad de sustratos de
célula solar en paralelo a intervalos predeterminados en una dirección del grosor, un mecanismo de calentamiento para calentar gas atmosférico, que está dispuesto fuera del tubo de cuarzo, y primeras placas deflectoras dispuestas hacia arriba de los sustratos, en las que el gas atmosférico calentado, que sube a lo largo de una superficie interior del tubo de cuarzo, es guiado desde arriba al centro de los sustratos.
Según la presente invención, la convección del gas atmosférico es promovida por una composición simple, y el gas calentado es guiado fiablemente uniformemente al centro de los sustratos, en el que es fácil que la temperatura del gas disminuya, y como resultado, se reduzcan las diferencias de temperatura entre los sustratos, se forma una capa de absorción de luz CIGS que tiene alta calidad, y por lo tanto, se pueden llevar a cabo la mej ora y la uniformidad del funcionamiento de la célula solar. Además, según el aparato de tratamiento de calor para células solares del tipo de calcopirita de la
presente
invención, se puede mejorar la fiabilidad a largo
plazo,
dado que se realiza una composición simple que no
tiene mecanismo
de accionamiento.
BREVE
DESCRIPCIÓN DE LOS DIBUJOS
La figura 1 es una vista en sección transversal delantera vertical que representa esquemáticamente una realización de un aparato de tratamiento de calor para células solares de la presente invención.
La figura 2 es una vista en sección transversal horizontal plana que representa esquemáticamente una realización de un aparato de tratamiento de calor para células solares de la presente invención.
La figura 3A es una vista en planta que representa primeras placas deflectoras en la presente invención, la figura 3B es una vista en sección transversal delantera vertical que representa esquemáticamente una parte superior de un aparato de tratamiento de calor para células solares de la presente invención, y la figura 3C es una vista en planta que representa una chapa de
regulación de velocidad de flujo en la presente invención. EXPLICACIÓN DE SÍMBOLOS DE REFERENCIA
1: tubo de cuarzo, 2: sustrato, 3: mecanismo de calentamiento, 4: tubo de introducción de gas, 5: aparato de calentamiento de gas, 6: primera placa deflectora, 7, 9, 11, 14: huecos, 8: calentador superior, 10: chapa de regulación de velocidad de flujo, 12: segunda placa deflectora, 13: tercera placa deflectora, 15: cuarta placa deflectora, 16: calentador elevador, 17: calentador inferior
MEJOR MODO DE LLEVAR A LA PRÁCTICA LA INVENCIÓN
A continuación se explicarán con detalle, con referencia a los dibujos, realizaciones de un aparato de calentamiento para células solares del tipo de calcopirita de la presente invención. La figura 1 es una vista en
sección
transversal delantera vertical que representa
esquemáticamente
una realización de un aparato de
tratamiento
de calor para células solares de la presente
invención,
y la figura 2 es una vista en sección
transversal
horizontal plana que representa
esquemáticamente
una realización de un aparato de
tratamiento
de calor para células solares de la presente
invención. Como se representa en las figuras 1 y 2, en el aparato de tratamiento de calor para células solares de la presente invención, múltiples sustratos de célula solar 2 están dispuestos en paralelo a intervalos predeterminados en una dirección del grosor en un soporte de recipiente en un tubo de cuarzo 1. Un mecanismo de calentamiento 3 para calentar gas atmosférico está dispuesto fuera del tubo de cuarzo 1, por ejemplo, de manera que rodee la circunferencia del tubo de cuarzo 1. Según el mecanismo de calentamiento 3 construido como se ha indicado anteriormente, la convección de gas atmosférico en el tubo de cuarzo 1 se lleva a cabo por calentamiento.
Aquí, como un gas atmosférico en el tubo de cuarzo 1, se introduce gas de selenización (H2 Se, gas seleniuro de hidrógeno), por ejemplo, desde un tubo de introducción de gas 4 insertado en una porción inferior del aparato de
tratamiento de calor. Es preferible que el gas de
selenización introducido se caliente previamente por un
aparato de calentamiento de gas 5 dispuesto en el tubo de
cuarzo 1. Dado que el gas se introduce por calentamiento
5
como se ha descrito anteriormente, se genera fácilmente un
tiro ascendente en el aparato de tratamiento de calor y se
promueve la convección. Además, el gas seleniuro de
hidrógeno suministrado es activado por calentamiento y se
suministra en un depósito de procesado en una condición de
10
separación previa como moléculas de hidrógeno y selenio, y
por lo tanto, también se puede obtener el efecto de que se
acorta el tiempo de reacción con precursor.
La figura 3A es una vista en planta que representa
primeras placas deflectoras 6 en la presente invención, la
15
figura 3B es una vista en sección transversal delantera
vertical que representa esquemáticamente la parte superior
de un aparato de tratamiento de calor para células solares
de la presente invención, y la figura 3C es una vista en
planta que representa una chapa de regulación de velocidad
2 O
de fluj o en la presente invención. Como se representa en
las figuras 1 y 3, en el aparato de tratamiento de calor
para células solares de la presente invención, las
primeras placas deflectoras 6 están dispuestas en una
porción superior del tubo de cuarzo 1, Y el gas
25
atmosférico calentado, que sube a lo largo de una
superficie interior del tubo de cuarzo 1, es guiado desde
arriba al centro de los sustratos 2 sin estancamiento. Las
primeras placas deflectoras 6 tienen, por ejemplo, bordes
que contactan con una superficie interior del tubo de
30
cuarzo 1 y una forma de sección transversal en la que se
describe un arco hacia arriba del borde hacia el centro y
la porción central se dirige hacia abajo. Según dicha
forma, el gas atmosférico que sube a lo largo de la
superficie interior del tubo de cuarzo 1 puede ser guiado
35
al centro de los sustratos 2. Aunque la circunferencia
plana de las primeras placas deflectoras 6 es circular en
esta realización, puede ser un polígono, etc, a condición
de que el gas atmosférico sea guiado al centro de los
sustratos 2.
Además, las primeras placas deflectoras 6 pueden tener huecos 7 que dejan pasar el gas atmosférico que ha subido cerca de su borde, como se representa en la figura 3A, y el gas atmosférico que ha pasado a través de los huecos 7 es calentado por calefactores superiores 8 y es guiado al centro de los sustratos 2 a través de un hueco central 9, como se representa en las figuras 1 y 3B, Y por lo tanto, se puede formar una capa de absorción de luz CIGS más preferible.
Además, es preferible disponer una chapa de regulación de velocidad de flujo 10 entre los sustratos 2 y las primeras placas deflectoras 6, en la presente invención, como se representa en las figuras 1, 3B Y 3C. Según esta chapa de regulación de velocidad de flujo 10, el gas atmosférico subido puede ser guiado uniformemente en los sustratos 2 estableciendo opcionalmente la configuración de los huecos 11.
Además, es preferible que las segundas placas deflectoras 12 estén dispuestas entre superficies laterales de los sustratos 2 y el mecanismo de calentamiento 3 de manera que estén separadas de los sustratos 2 y el mecanismo de calentamiento 3 en la presente invención. Según esta composición, se promueve la subida del gas atmosférico calentado a lo largo de la superficie interior del tubo de cuarzo 1, se evita que el gas atmosférico caiga por los espacios libres entre cada sustrato durante la subida, y además, se reducen las diferencias de temperatura entre la porción central y
cerca
de las superficies laterales en el sustrato
bloqueando
la radiación directa del mecanismo de
calentamiento
3 en las superficies laterales de los
sustratos.
Además,
es preferible disponer las terceras placas

deflectoras 13 de manera que empareden una pluralidad de los sustratos 2 desde una dirección del grosor en la presente invención. Estas terceras placas deflectoras 13 pueden bloquear la radiación directa del mecanismo de
calentamiento 3 a los sustratos exteriores en una
dirección del grosor en una pluralidad de los sustratos 2,
y se pueden reducir las diferencias de temperatura entre
los sustratos exteriores y los segundos sustratos
5
exteriores o posteriores. Sin embargo, dado que el
calentamiento debido a radiación es bloqueado cubriendo
toda la circunferencia de los sustratos 2 usando las
segundas placas deflectoras 12 y las terceras placas
deflectoras 13, hay peligro de que la capacidad del
10
calentador sea insuficiente y no se obtenga el perfil de
temperatura deseado. Por lo tanto, el control de
temperatura utilizado para la radiación directa se puede
llevar a cabo abriendo huecos 14 que tienen
configuraciones libremente seleccionadas en las terceras
15
placas deflectoras 13.
Además, es preferible disponer las cuartas placas
deflectoras 15 en una porción inferior de los sustratos 2
en la presente invención. Las cuartas placas deflectoras
15 tienen una forma en sección transversal en la que un
2 O
arco se describe hacia abaj o del centro hacia el borde y
el borde se dirige a una superficie interior del tubo de
cuarzo 1, como se representa en la figura 1. Según dicha
forma, el gas atmosférico que cae entre el sustrato 2
puede ser guiado a la superficie interior del tubo de
25
cuarzo 1, y se puede promover la convección del gas
atmosférico.
Es preferible que las placas deflectoras primeras a
cuartas anteriores sean de cuarzo opaco que no sea
penetrado por luz infrarroj a, con el fin de tener
30
resistencia al selenio a una temperatura alta y bloquear
la radiación directa por el mecanismo de calentamiento.
Además, es preferible disponer calefactores elevadores
16 en una porción inferior de una superficie interior del
tubo de cuarzo 1 en la presente invención. Según esta
35
composición, la subida del gas atmosférico a lo largo de
la superficie interior del tubo de cuarzo 1 es promovida
por el calentamiento adicional del gas atmosférico en la
porción inferior de la superficie interior del tubo de
cuarzo 1, Y se puede mej orar más la convección del gas atmosférico. Además, con el fin de promover más la convección del gas atmosférico que cae entre los sustratos 2 a la superficie interior del tubo de cuarzo 1, se dispone un hueco en una porción central de las cuartas placas deflectoras anteriores 15, y después de calentar el gas atmosférico que ha pasado a través de este hueco por un calentador inferior 17, el gas atmosférico puede ser guiado al calentador elevador 16.
La célula solar del tipo de calcopirita se puede
producir
adecuadamente usando el aparato de tratamiento de
calor
anterior de la presente invención. Como un método de
producción
de este aparato de tratamiento de calor se
pueden
mencionar un método de producción incluyendo un
proceso
de formación de precursor en el que se forma un
precursor incluyendo Cu, In y Ga en una capa de electrodo superficial trasera formada en un sustrato por deposición catódica, un proceso de selenización en el que se forma una capa de absorción de luz CIGS tratando por calor el sustrato de precursor formado bajo atmósfera de gas H2 Se, un proceso de formación de capa amortiguadora en el que se forma una capa intermedia de tipo n en la capa de absorción de luz CIGS, y un proceso de formación de electrodo transparente en el que se forma una capa de electrodo transparente en la capa amortiguadora.
El proceso de selenización de la capa de absorción de luz CIGS usando el aparato de tratamiento de calor de la presente invención se explicará con más detalle. Se hace fluir gas H2Se a una tasa de flujo predeterminada desde un tubo de introducción de gas 4 durante un período predeterminado, mientras que se mantiene una condición de descompresión en el aparato de tratamiento de calor a 50 a 95 kPa por accionamiento de un mecanismo de escape (no representado), y éste es un primer proceso de selenización. En este caso, es deseable que el gas H2 Se calentado a aproximadamente 100 a 2 O O Oc en un espacio de precalentamiento sea suministrado en el aparato, además de la operación del calentador elevador. Como resultado, se
puede generar positivamente un tiro ascendente desde una porción inferior del aparato, se promueve la circulación de la atmósfera con el efecto de las placas deflectoras, y se puede obtener un efecto en el que temperaturas de los sustratos son uniformes.
A continuación, después de la introducción del gas
se eleva la temperatura interna a 250-450°c por el mecanismo de calentamiento 3, mientras que la condición de descompresión se mantiene a 50-95 kPa. Entonces, el gas H2Se se hace fluir a una tasa de flujo predeterminada desde el tubo de introducción de gas 4 durante un período predeterminado en condiciones en las que se mantienen estas condiciones de temperatura y presión, y éste es un segundo proceso de selenización. Según este proceso, se toma un componente Se en el precursor de capa de absorción de luz que tiene una estructura en capas en la que se forma una capa de In y una capa de Cu-Ga en los sustratos 2, difundiendo al mismo tiempo cada componente de In, Cu y Ga. Es deseable que el período de este proceso sea, por ejemplo, de aproximadamente 10 a 120 minutos.
También en el segundo proceso de selenización, la circulación de la atmósfera es promovida por los efectos de las placas deflectoras y el tiro ascendente generado debido a la operación del calentador elevador y el suministro del gas precalentado, y con el fin de obtener el efecto en el que la temperatura del sustrato es uniforme, en particular durante el aumento de temperatura, se acorta un período para hacer uniforme la temperatura del sustrato. Adicionalmente, el gas previamente descompuesto en moléculas de hidrógeno y selenio es suministrado poniendo la temperatura de precalentamiento a más de 160°C, que es una temperatura de descomposición del gas H2 Se, y como resultado, se activa el componente Se en el precursor tomado, y se anticipa el efecto de acortamiento de un período de selenización. Además, el fluj o del gas atmosférico incluyendo selenio a cada superficie de sustrato se hace uniforme por el efecto de las placas deflectoras, y por lo tanto, se hace uniforme
una cantidad de Se en el precursor. A continuación, la temperatura interna se calienta a
aproximadamente
500 a 650°c por el mecanismo de
calentamiento
3, mientras que la condición de
descompresión
se mantiene a 50 a 95 kPa. Entonces, esta
condición
se mantiene durante aproximadamente 10 a 120
minutos,
y éste es el tercer proceso de selenización.
Según este proceso, el precursor de capa de absorción de luz hecho uniforme por la difusión anterior de cada componente de In, Cu y Ga y tomando el componente Se, se cristaliza y se reconfigura establemente una estructura de membrana interna. Posteriormente, después de que la temperatura de calentamiento debido al mecanismo de calentamiento 3 se reduce gradualmente y disminuye a temperatura ambiente, se sacan los sustratos 2, en los que se formó la capa de absorción de luz por el primer proceso de selenización al tercer proceso de selenización" y por lo tanto, se completa una capa de absorción de luz CIGS.
También en el tercer proceso de selenización, la circulación interna es promovida por el efecto del calentador elevador y las placas deflectoras, y como resultado, la cristalización y la reconfiguración de cada componente son uniformes, se forma la capa uniforme de absorción de luz CIGS, y por lo tanto, las características de las células solares resultan uniformes.

Claims (6)

  1. REIVINDICACIONES
    1. Un aparato de tratamiento de calor para un proceso de selenización o un proceso de sulfurización realizado al formar una capa de absorción de luz en una célula solar del tipo de calcopirita, incluyendo:
    un tubo de cuarzo en el que se disponen múltiples sustratos de célula solar en paralelo a intervalos predeterminados en una dirección del grosor,
    un mecanismo de calentamiento para calentar gas atmosférico,que está dispuesto fuera del tubo de cuarzo, y
    primeras placas deflectoras dispuestas hacia arriba de los sustratos, en las que el gas atmosférico calentado que sube a lo largo de una superficie interior del tubo de cuarzo es guiado desde arriba al centro de los sustratos.
  2. 2.
    El aparato de tratamiento de calor para células solares del tipo de calcopirita, según la reivindicación 1, incluyendo además segundas placas deflectoras dispuestas entre superficies laterales de los sustratos y el mecanismo de calentamiento de manera que estén separadas de los sustratos y el mecanismo de calentamiento, donde las segundas placas deflectoras
  3. 3.
    El aparato de tratamiento de calor para células solares del tipo de calcopirita, según la reivindicación 1, incluyendo además calefactores elevadores dispuestos en una porción inferior de una superficie interior del tubo de cuarzo, donde los calefactores elevadores promueven la subida de gas atmosférico calentado a lo largo de la superficie interior del tubo de cuarzo.
  4. 4.
    El aparato de tratamiento de calor para células solares del tipo de calcopirita, según la reivindicación 1, incluyendo además un mecanismo de calentamiento de gas para precalentar gas atmosférico introducido en el tubo de cuarzo.
    promueven
    la subida del gas atmosférico calentado a lo
    largo
    de la superficie interior del tubo de cuarzo, y
    bloquean
    la radiación directa del mecanismo de
    calentamiento
    en las superficies laterales de los
    sustratos.
    OFICINA ESPAÑOLA DE PATENTES Y MARCAS
    N.º solicitud: 201090069
    ESPAÑA
    Fecha de presentación de la solicitud: 14.04.2009
    Fecha de prioridad:
    INFORME SOBRE EL ESTADO DE LA TECNICA
    51 Int. Cl. : Ver Hoja Adicional
    DOCUMENTOS RELEVANTES
    Categoría
    56 Documentos citados Reivindicaciones afectadas
    A
    Base de datos EPODOC. Recuperado de EPOQUE; PN JP2004327653 & 1-4
    JP 2004327653 A (ISHIKAWAJIMA HARIMA HEAVY IND) 18.11.2004, resumen; figuras.
    A
    Base de datos EPODOC. Recuperado de EPOQUE; PN JP2006196771 & 1-4
    JP 2006196771 A (HONDA MOTOR CO LTD) 27.07.2006, resumen; figuras.
    A
    Base de datos EPODOC. Recuperado de EPOQUE; PN EP1833097 & 1-4
    EP 1833097A1 (SHOWA SHELL SEKIYU [JP]) 12.09.2007, resumen; figuras.
    A
    Base de datos EPODOC. Recuperado de EPOQUE; PN JP2002252176 & 1-4
    JP 2002252176 A (SHIJUSUON KK; KANSAI ELECTRIC, PORWER CO; SUMITOMO ELECTRIC
    INDUSTRIES; MITSUBISHI CORP) 06.09.2002, resumen; figuras.
    Categoría de los documentos citados X: de particular relevancia Y: de particular relevancia combinado con otro/s de la misma categoría A: refleja el estado de la técnica O: referido a divulgación no escrita P: publicado entre la fecha de prioridad y la de presentación de la solicitud E: documento anterior, pero publicado después de la fecha de presentación de la solicitud
    El presente informe ha sido realizado • para todas las reivindicaciones □ para las reivindicaciones nº:
    Fecha de realización del informe 30.05.2013
    Examinador L. J. García Aparicio Página 1/4
    INFORME DEL ESTADO DE LA TÉCNICA
    Nº de solicitud: 201090069
    CLASIFICACIÓN OBJETO DE LA SOLICITUD H01L31/032 (2006.01)
    C23C14/16 (2006.01) H01L31/18 (2006.01) Documentación mínima buscada (sistema de clasificación seguido de los símbolos de clasificación)
    H01L, C23C
    Bases de datos electrónicas consultadas durante la búsqueda (nombre de la base de datos y, si es posible, términos de búsqueda utilizados) INVENES, EPODOC
    Informe del Estado de la Técnica Página 2/4
    OPINIÓN ESCRITA
    Nº de solicitud: 201090069
    Fecha de Realización de la Opinión Escrita: 30.05.2013
    Declaración
    Novedad (Art. 6.1 LP 11/1986)
    Reivindicaciones Reivindicaciones 1-4 SI NO
    Actividad inventiva (Art. 8.1 LP11/1986)
    Reivindicaciones Reivindicaciones 1-4 SI NO
    Se considera que la solicitud cumple con el requisito de aplicación industrial. Este requisito fue evaluado durante la fase de examen formal y técnico de la solicitud (Artículo 31.2 Ley 11/1986).
    Base de la Opinión.-
    La presente opinión se ha realizado sobre la base de la solicitud de patente tal y como se publica.
    Informe del Estado de la Técnica Página 3/4
    OPINIÓN ESCRITA
    Nº de solicitud: 201090069
    1. Documentos considerados.-
    A continuación se relacionan los documentos pertenecientes al estado de la técnica tomados en consideración para la realización de esta opinión.
    Documento
    Número Publicación o Identificación Fecha Publicación
    D01
    Base de datos EPODOC. Recuperado de EPOQUE; PN JP2004327653 & JP 2004327653 A (ISHIKAWAJIMA HARIMA HEAVY IND) 18.11.2004, resumen; figuras. 18.11.2004
    D02
    Base de datos EPODOC. Recuperado de EPOQUE; PN JP2006196771 & JP 2006196771 A (HONDA MOTOR CO LTD) 27.07.2006, resumen; figuras. 27.07.2006
    D03
    Base de datos EPODOC. Recuperado de EPOQUE; PN EP1833097 & EP 1833097A1 (SHOWA SHELL SEKIYU [JP]) 12.09.2007, resumen; figuras. 12.09.2007
    D04
    Base de datos EPODOC. Recuperado de EPOQUE; PN JP2002252176 & JP2002252176 A (SHIJUSUON KK; KANSAI ELECTRIC, PORWER CO; SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES; MITSUBISHI CORP) 06.09.2002, resumen; figuras. 06.09.2002
  5. 2. Declaración motivada según los artículos 29.6 y 29.7 del Reglamento de ejecución de la Ley 11/1986, de 20 de marzo, de Patentes sobre la novedad y la actividad inventiva; citas y explicaciones en apoyo de esta declaración
    Es objeto de la invención un aparato para tratamiento de calor para un proceso de selenización o de sulfurización realizado al formar una capa de absorción de luz en una célula solar del tipo calcopirita, donde el aparato comprende: -Un tubo de cuarzo (1) en cuyo interior se disponen los múltiples sustratos de célula solar (2) en paralelo a intervalos predeterminados -Un mecanismo de calentamiento (5) del gas de selenización. -Unas primeras placas deflectoras (6) dispuestas hacia arriba de los sustratos (2) que permite el guiado del gas que ha ascendido por calor hacia el centro. Adicionalmente contará con unas segundas placas deflectoras (12) dispuestas en las superficies laterales de los sustratos, que están separadas de los sustratos (2), y el mecanismo de calentamiento. Estas segundas placas deflectoras bloquean la radiación directa del mecanismo de calentamiento en las superficies laterales de los sustratos. Además, estas segundas placas deflectoras (12) promueve la subida del gas calentado a lo largo de la superficie interior del tubo de cuarzo y se evita que el gas atmosférico caiga por los espacios libres entre cada sustrato, reduciendo la diferencia de temperatura entre la porción central y las superficies laterales en el sustrato, además de bloquear la radiación directa del mecanismo de calentamiento. Cualquiera de los documentos citados están próximos al objeto de la invención ya que buscan de algún modo producir un calentamiento de sustratos de células solares en un proceso de selenización o sulfurización. Ninguno de los documentos citados cuenta al menos con una serie de placas deflectoras dispuestas en la parte superior de los sustratos de manera que el gas calentado tras subir a lo largo de la superficie interior de un tubo de cuarzo, donde están alojados los sustratos, hace que el gas sea guiado desde arriba hacia el centro de los sustratos. Por lo tanto la primera reivindicación cuenta con novedad según lo establecido en el Art. 6.1 de la LP 11/86 Gracias a estas primeras placas deflectoras se consigue una mayor uniformidad de temperatura en el aparato y uniformidad en la circulación atmosférica. El problema técnico que el objeto de la invención resolvería sería cómo diseñar un aparato de tratamiento de calor en un proceso de selenización o sulfurización de sustratos de placas solares que permita obtener una mayor uniformidad tanto de temperatura como de distribución del gas. Si bien el problema técnico que el objeto de la invención resuelve podría ser reconocido por un técnico en la materia, no la solución al mismo, no habiendo ningún indicio en el estado de la técnica que empujara a un técnico en la materia a realizar una construcción del aparato como la planteada. Por lo tanto, se considera que la reivindicación primera podría contar con actividad inventiva según lo establecido en el Art.
  6. 6.1 de la LP 11/86.
    Informe del Estado de la Técnica Página 4/4
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