CN106024670A - 加热器区块及基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种包括安装于其面对待处理物体(例如基板)的一个表面上的多个加热灯的加热器区块及包括所述加热器区块的基板处理装置。所述加热灯包括第一灯及第二灯，所述第一灯用以对所述待处理物体照射紫外(UV)线，所述第二灯用以对所述待处理物体照射红外(IR)线。对于所述一个表面上的多个区域中的每一个，所述第一灯的数目对所述第二灯的数目的相对比率是不同的。本发明提供所述加热器区块及基板处理装置，所述加热器区块可对所述基板的边缘区域的温度进行热补偿以提高所述基板的温度均匀性。

Description

加热器区块及基板处理装置

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置，且更具体而言，涉及一种其结构经改良以提高基板的温度均匀性的加热器区块及包括所述加热器区块的基板处理装置。

背景技术

半导体及显示装置由以下方法制造而成：在基板上重复进行例如薄膜积层(thin film lamination)、离子植入及热处理等单元过程，从而在基板上形成具有所期望电路运作特性的元件。

用于单元过程的基板热处理过程的装置包括快速热处理装置。所述快速热处理装置使用紫外线及红外线而将热传递至基板。为此，如例如在韩国专利公开申请第10-2002-0085452号中所公开，快速热处理装置包括红外线灯及紫外线灯。

与此同时，当快速热处理装置处理基板时，所述基板的品质受所述基板的温度均匀性影响。因此，期望红外线灯及紫外线灯中的每一个均具有使基板的温度均匀性提高的结构。

然而，在现有技术中，如在韩国专利公开申请中所公开，提供了线性灯型的红外线灯及紫外线灯。因此，在现有技术中，由于对待处理基板的热补偿是通过一维补偿(one-dimensional compensation)方法来进行，故在提高基板的整个区域的温度均匀性及补偿基板的边缘的温度方面存在局限性。

此外，在现有技术中，如在韩国专利公开申请中所公开，红外线灯及紫外线灯交替地设置成格栅结构(lattice structure)。因此，在现有技术中，红外线灯与紫外线灯彼此干扰，使得自红外线灯所产生的光辐射能量减小且紫外线灯的寿命因红外线辐射能量而缩短。

[现有技术文献]

[专利文献]

(专利文献1)KR10-2002-0085452 A

发明内容

本发明提供一种其结构经改良以提高基板的热处理效率的加热器区块及基板处理装置。

本发明还提供一种其结构经改良以提高基板的温度均匀性的加热器区块及基板处理装置。

本发明还提供一种其结构经改良以抑制或防止彼此不同的灯之间的热干扰及能量减少现象的加热器区块及基板处理装置。

本发明还提供一种其结构经改良以延长照射紫外线的灯的寿命的加热器区块及基板处理装置。

根据示例性实施例，一种加热器区块包括安装于所述加热器区块的面对待处理物体的一个表面上的多个加热灯。所述加热灯包括第一灯及第二灯，所述第一灯用以对所述待处理物体照射紫外(ultraviolet，UV)线，所述第二灯用以对所述待处理物体照射红外(infrared，IR)线。对于所述一个表面上的多个区域中的每一个，所述第一灯的数目对所述第二灯的数目的相对比率是不同的。

所述一个表面上的所述多个区域可包括中心区域及围绕所述中心区域的周围区域，所述中心区域具有与所述待处理物体的大小及形状对应的大小及形状。

所述第一灯及所述第二灯可一同安装于所述中心区域及所述周围区域中的每一个上。

所述第一灯及所述第二灯可一同安装于所述中心区域上，且所述第二灯可安装于所述周围区域上。

所述第一灯可安装于所述中心区域上，且所述第一灯及所述第二灯可一同安装于所述周围区域上。

所述第一灯可安装于所述中心区域上，且所述第二灯可安装于所述周围区域上。

安装于所述中心区域上的所述第一灯的数目可超过安装于所述中心区域上的所述加热灯的总数目的50％。

安装于所述周围区域上的所述第二灯的数目可超过安装于所述周围区域上的所述加热灯的总数目的50％。

所述第一灯及所述第二灯可选择性地安装于所述中心区域与所述周围区域之间的边界上。当以所述中心区域与所述周围区域之间的所述边界为基准，所述中心区域上的所述加热灯的表面积等于或大于所述加热灯的总表面积的50％时，可安装所述第一灯，而当以所述中心区域与所述周围区域之间的所述边界为基准，所述周围区域上的所述加热灯的表面积超过所述加热灯的所述总表面积的50％时，可安装所述第二灯。

根据另一示例性实施例，提供一种用以处理基板的基板处理装置，所述基板处理装置包括：腔室，具有内部空间，在所述内部空间中处理所述基板；基板支撑单元，安置于所述腔室中以支撑所述基板；加热器区块，被安置成面对所述基板支撑单元；以及传输构件，安置于所述腔室与所述加热器区块之间。提供多个第一灯及多个第二灯，所述第一灯用以对所述基板照射紫外(UV)线，所述第二灯用以对所述基板照射红外(IR)线，且所述第一灯与所述第二灯在所述加热器区块的面对所述基板的一个表面上彼此间隔开。

所述加热器区块的所述一个表面可包括面对待处理物体的中心区域及围绕所述中心区域的周围区域，且所述第一灯可至少安装于所述一个表面的所述中心区域与所述周围区域中的所述中心区域上。

所述加热器区块的所述一个表面可包括面对所述待处理物体的中心区域及围绕所述中心区域的周围区域，且所述第二灯可至少安装于所述一个表面的所述中心区域与所述周围区域中的所述周围区域上。

对于所述中心区域与所述周围区域中的每一个，所述第一灯的数目对所述第二灯的数目的比率可为不同的。

安装于所述中心区域上的所述第一灯的数目可超过安装于所述中心区域上的所述加热灯的总数目的50％，且安装于所述周围区域上的所述第二灯的数目可超过安装于所述周围区域上的所述加热灯的所述总数目的50％。

附图说明

结合附图从以下说明可更详细地理解示例性实施例，在附图中：

图1是用于阐释根据示例性实施例的基板处理装置的图。

图2是用于阐释根据示例性实施例的加热器区块及加热灯的图。

图3至图5是用于阐释根据经修改的实例的加热器区块及加热灯的图。

图6(a)、图6(b)是用于阐释根据示例性实施例及经修改的实例的加热器区块及加热灯的图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图来详细地阐述本发明的实施例。然而，本发明可实施为不同形式，而不应被视为仅限于本文中所述的实施例。确切而言，提供这些实施例是为了使此揭示内容将透彻及完整，且将向所属领域中的技术人员充分传达本发明的范围。在图式中，为说明清晰起见，夸大了层及区的尺寸。通篇中，相同的参考编号指代相同的组件。

图1是示出基板处理装置的一侧以阐释根据示例性实施例的基板处理装置的侧剖视图，且图2是示出加热器区块的灯安装表面以阐释配置根据示例性实施例的加热器区块的第一灯及第二灯的结构的平面图。

此外，图3是示出加热器区块的灯安装表面以阐释配置根据经修改实例的加热器区块的第一灯及第二灯的结构的平面图，图4是示出加热器区块的灯安装表面以阐释配置根据另一经修改实例的加热器区块的第一灯及第二灯的结构的平面图，且图5是示出加热器区块的灯安装表面以阐释配置根据再一经修改实例的加热器区块的第一灯及第二灯的结构的平面图。

此外，图6(a)、图6(b)是用于阐释根据实施例及经修改实例的一种选择性地将加热灯安装在加热器区块的一个表面(例如，位于上述一个表面的中心区域与周围区域之间的边界上的灯安装表面)上的方法的平面图。

参照图1及图2，根据示例性实施例的基板处理装置包括：腔室100，具有内部空间，在所述内部空间中处理基板；基板支撑单元，安置于腔室100的内下侧上以支撑基板10；加热器区块300，被安置成面对基板支撑单元；以及传输构件400，安置于腔室100与加热器区块300之间以使加热器区块300自腔室100分离。

基板10可包括大型玻璃基板，所述大型玻璃基板在制造各种显示元件(包括主动矩阵式发光二极管(AMOLED)、液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)及发光二极管(LED))或各种电子元件(包括太阳电池及半导体芯片)的过程中用作基础材料。举例而言，基板10可包括在用于制造TFT基板的单元过程的栅极绝缘膜的脱氢过程中或聚酰亚胺(polyimide，PI)膜固化过程中所应用的玻璃基板。

此处，上述基板10可具有矩形板形状，且基板10的上表面可设置有待热处理的氧化物膜，例如栅极绝缘膜。安置于基板10上的氧化物膜可被自随后将阐述的加热器区块300所产生的紫外(UV)线或红外(IR)线照射并脱氢。

当然，根据示例性实施例的基板10并非仅限于此。举例而言，基板10可包括具有其上安置有各种待处理含氢层的上表面的各种基板。

腔室100可具有例如其内部向上开放的中空区块形状。供基板10穿过的门(未示出)可设置于腔室100的侧表面中的一个上，且用于将基板10装载至腔室100内并自腔室100卸载基板10的搬运机器人(未示出)可设置于所述门外侧。

与此同时，尽管图中未示出，然而用于向腔室100内提供环境气体(ambient gas)的气体供应单元及用于排出所提供的环境气体的气体排出单元可进一步设置于腔室100的一侧，以控制腔室100的内部环境。

腔室100的内部可被密封，以形成用于处理基板的基板处理空间，且基板支撑单元可安置于腔室100的内下侧上，以在进行在腔室100中处理基板的预定过程的同时稳定地支撑基板10。此处，基板支撑单元可具有与基板10的大小及形状对应的各种结构。举例而言，基板支撑单元可包括具有环形形状的上表面的边缘环200，以在基板10被热处理的同时支撑所述基板的边缘的下部部分。

此外，基板支撑单元可包括多个升降销(lift pin)210，且升降销210可支撑被装载入腔室100内的基板10并在基板10被装载及卸载时提升及降下基板10。

在对本发明的示例性实施例的阐述中，尽管上述腔室100及基板支撑单元可具有各种构造及类型，然而本发明的示例性实施例并非仅限于此。

加热器区块300用于以红外线及紫外线形式对被装载入腔室100内的基板10提供辐射能量。亦即，加热器区块300可对位于基板支撑单元上的基板10照射例如红外线及紫外线。加热器区块300安装于腔室100的上部部分上，以稳固地覆盖腔室100的开放的上部部分并面对基板支撑单元，且加热灯310(其具有例如灯泡形状)可设置于加热器区块300的面对基板支撑单元的一个表面(例如，灯安装表面)上，以对基板10进行热处理。

传输构件400可安置于腔室100与加热器区块300之间。举例而言，传输构件400可包括石英窗(quartz window)。传输构件400用于使自加热灯310产生的光(例如，红外线及紫外线)能够传输至腔室100内。

密封单元安置于传输构件400与加热器区块300之间的耦合表面及传输构件400与腔室100之间的耦合表面中的每一个上，以进而稳固地密封腔室100的内部并维持加热器区块300的真空。

在下文中，将参照图1至图6(a)、图6(b)来更详细地阐述根据示例性实施例及经修改实例的加热器区块300。

加热器区块300包括安装于加热器区块的面对基板10的一个表面上的多个加热灯310，以对待处理物体(例如，基板10)照射光并处理基板10。加热器区块300安装成覆盖腔室100的开放的上部部分，以密封腔室100的内部且还用于通过使用设置于所述一个表面(例如，灯安装表面)的所述多个加热灯310来对装载入腔室100内的基板10照射光。

加热器区块300的上述一个表面中可界定多个灯安装沟槽320，且灯安装沟槽320可具有下部部分开放的半球形形状。加热灯310可安装于灯安装沟槽320中。此处，加热灯310可在与加热器区块300的所述一个表面交叉的方向(例如，垂直方向)上进行安装。尽管图中未具体示出，然而加热灯310可包括安置于灯体的上端部上的具有例如中空圆柱形状且耦合至灯安装沟槽的插座，以接收外部电源。此处，所述灯体可由玻璃或石英制成，且灯体的内部可填充有例如卤素气体。

如上所述，由于加热灯310安装于灯安装沟槽320中，因此可实现其中加热灯310中的每一个被例如隔断件320a隔离的结构性效应(structuraleffect)，且因此可防止邻近彼此安置的加热灯310之间的光干扰。将更详细地对此予以阐述。

根据示例性实施例，具有用于容纳加热灯310、下部部分为开放的空间的灯安装沟槽320可设置于加热器区块300的所述一个表面上，例如，灯安装表面上的多个位置上。加热灯310可分别安装于灯安装沟槽320中且分别安置于灯安装沟槽320中。

亦即，加热灯310可彼此水平地间隔开且分别安置于彼此分离的空间中，以彼此间隔开且彼此隔离开。因此，所述多个加热灯310的发光区域可不彼此交叠。换言之，自加热灯310中的一个所照射的光可不直接照射至除加热灯中的上述一个外的其余加热灯。

如下所述，特别是当加热灯310包括紫外线灯(第一灯310a)及红外线灯(第二灯310b)时，紫外线与红外线之间的光干扰可被防止，且因此紫外线及红外线的照射可更高效地进行，以提高处理基板的效率且延长紫外线灯(第一灯310a)的寿命及红外线灯(第二灯310b)的寿命。

根据示例性实施例，加热灯310可包括紫外线灯(第一灯310a)及红外线灯(第二灯310b)。紫外线灯(第一灯310a)对基板10照射紫外线，以对安置于基板10上的栅极绝缘膜的氢硅(Si-H)键进行化学断键(debond)。此外，红外线灯(第二灯310b)(例如，卤素红外线灯)向基板10照射红外线，以通过提高基板10的温度及腔室100中的温度来加热并蒸发经断键的氢的方法而使氢能够自栅极绝缘膜脱离，即，脱氢处理。

当上述加热灯310仅包括紫外线灯(第一灯310a)时，则难以将基板10加热直至使基板10脱氢的温度。另一方面，当加热灯310仅包括红外线灯(第二灯310b)时，由于氢硅键仅通过红外线辐射能量断开，故腔室中需要近似450℃或大于450℃的高温环境，且因此加热基板的时间增加，并进而增加总处理时间。

因此，根据示例性实施例，加热灯310可包括紫外线灯(第一灯310a)及红外线灯(第二灯310b)，且对基板照射紫外(UV)线的多个第一灯310a及对基板照射红外(IR)线的多个第二灯310b可在加热器区块300的面对基板10的一个表面上彼此水平地间隔开。

如上所述，由于多个第一灯310a及多个第二灯310b中的每一个水平地间隔开，故在处理基板10的同时，加热器区块300可以基板10的照射有光的上表面为基准二维地控制基板10的温度。因此，由于对基板10的边缘区域的热补偿可被二维地补偿，故相比于现有技术而言可相对易于确保热均匀性。

此外，根据示例性实施例，如图2中所示，多个加热灯310可配置成在加热器区块300的所述一个表面上构成行及列，且构成邻近行的加热灯310可相对于构成所述行中的任一个的加热灯而交替地配置。类似地，构成邻近列的加热灯可相对于构成所述列中的任一个的加热灯而彼此交替地配置。

此处，参照图2，当横向方向为一个方向且纵向方向为另一方向时，上述“构成所述行中的任一个的加热灯”可代表在加热器区块300的其上安装有加热灯310的一个表面上的预定位置上沿一个方向配置的加热灯。同样地，“构成所述列中的任一个的加热灯”可代表在加热器区块300的所述一个表面的上述预定位置上沿另一方向配置的加热灯。

总而言之，彼此邻近的加热灯310中的每一个可在加热器区块300的所述一个表面上配置成三角形形状或六边形形状。因此，加热灯310可以最少数目的加热灯310而紧密地配置于加热器区块300的所述一个表面上，且还在加热器区块300的所述一个表面上彼此均匀地间隔开。

与此同时，根据实施例及经修改的实例，加热器区块300的面对基板10的所述一个表面可包括多个区域，且对于上述一个表面上的所述多个区域，第一灯310a的数目对第二灯310b的数目的相对比率可为不同的。

举例而言，加热器区块300可具有面对基板10的一个表面，所述一个表面被划分成中心区域A及周围区域B，中心区域A具有与基板10的大小及形状对应的大小及形状，周围区域B围绕中心区域A。第一灯310a及第二灯310b可安装至加热器区块300的所述一个表面，使得第一灯310a的数目对第二灯310b的数目的相对比率是不同的。

此处，第一灯310a可安装于中心区域A及周围区域B中的至少所述中心区域A上，且第二灯310b可安装于中心区域A及周围区域B中的至少所述周围区域B上。亦即，第一灯310a及第二灯310b可一同安装于中心区域A及周围区域B中的每一个上(参照图3)、第一灯310a及第二灯310b可一同安装于中心区域A上且仅第二灯310b可安装于周围区域B上(参照图2)、仅第一灯310a可安装于中心区域A上且第一灯310a及第二灯310b可一同安装于周围区域B上(参照图4)或仅第一灯310a可安装于中心区域A上且仅第二灯310b可安装于周围区域B上(参照图5)。

根据实施例及经修改的实例，特别是当加热灯310安装于中心区域A上时，第一灯310a的数目对第二灯310b的数目的比率可被选择成使安装于中心区域A上的第一灯310a的数目超过安装于中心区域A上的加热灯310的总数目的50％。此外，当加热灯310安装于周围区域B上时，第一灯310a的数目对第二灯310b的数目的比率可被选择成使安装于周围区域B上的第二灯310b的数目超过安装于周围区域B上的加热灯310的总数目的50％。

此处，当安装于中心区域A上的第一灯310a的数目等于或小于安装于中心区域A上的加热灯310的总数目的50％时，可能难以对安置于加热器区块300的下部部分上的基板10照射所期望的紫外线量，且因此安置于基板10上的预定膜可能无法化学地分离氢。此外，当安装于周围区域B上的第二灯310b的数目等于或小于安装于周围区域B上的加热灯310的总数目的50％时，可能难以向基板充份地提供用于对基板的边缘区域进行热补偿的红外线辐射能量。因此，根据示例性实施例，对于所述区域中的每一个，均安装第一灯310a及第二灯310b，以满足第一灯310a的数目对第二灯310b的数目的上述相对比率。

因此，根据示例性实施例，相对多数目的第一灯310a可安装于加热器区块300的所述一个表面的中心区域A上，以将紫外线均匀地照射至基板10上，且由此使安置于基板10上的预定膜中所含有的氢化合物中的氢的化学键断开。此外，相对多数目的第二灯310b可安装于周围区域B上，以将相对大量的红外线照射至基板10的边缘区域上，且由此补偿基板10的边缘区域的温度。

与此同时，根据示例性实施例及经修改的实例，当第一灯310a及第二灯310b安装于中心区域A与周围区域B之间的边界上时，参照以下将阐述的方法，可选择性地将第一灯310a及第二灯310b中的任一个安装于中心区域A与周围区域B之间的边界上。以下将阐述所述方法。当以中心区域A与周围区域B之间的边界为基准，中心区域A上的加热灯310的表面积等于或大于加热灯310的总表面积的50％时，可选择性地安装第一灯310a作为在中心区域A与周围区域B之间的边界上所安装的加热灯310。此在图6(a)中示出。

此外，当以中心区域A与周围区域B之间的边界为基准，周围区域B上的加热灯310的表面积超过加热灯310的总表面积的50％时，可安装第二灯310b作为在中心区域A与周围区域B之间的边界上所安装的加热灯310。此在图6(b)中示出。

亦即，当加热灯310被安装成向中心区域A偏置时，可选择性地安装第一灯310a，且当加热灯310被安装成向周围区域B偏置时，可选择性地安装第二灯310b。

在选择第一灯310a与第二灯310b中的一个作为安装于中心区域A与周围区域B之间的边界上的加热灯310时，上述选择方法对应于为热补偿基板10的边缘区域而进行的对周围区域B中第一灯310a的数目对第二灯310b的数目的相对比率的选择。因此，基板10的边缘区域处的温度可得到高效地补偿，以提高基板10的温度均匀性。

与此同时，除上述对基板10的边缘区域的温度补偿外，由于过程中的各种原因，当红外线及紫外线中的每一个对基板10的各种区域不同地照射时，第一灯310a及第二灯310b可被安装成使加热器区块300的所述一个表面以不同于上述方法的各种方法进行划分，且第一灯310a的数目对第二灯310b的数目的相对比率是不同的。亦即，用于配置安装于加热器区块300的所述一个表面上的加热灯310的方法可通过对应于其中在用于处理基板的过程中对基板的每一位置所照射的光的种类、强度等受控制的情形而有各种变化。

此外，尽管应用于基板处理装置的加热器区块300被作为实例进行阐述，然而除基板处理装置外，根据示例性实施例的加热器区块300还可应用于对设置于预定空间中的待处理的各种物体照射红外线及紫外线的各种处理装置。

如上所述，根据示例性实施例，加热器区块及包括所述加热器区块的基板处理装置显示出能够对基板的边缘区域进行热补偿来进一步提高基板的温度均匀性的技术特性。

举例而言，在现有技术中，尽管对基板照射红外线及紫外线来处理基板，然而基板的边缘区域的温度小于除基板的所述边缘区域外的基板的中心区域的温度，降低了基板的温度均匀性。尽管如上所述在现有技术中，在基板的整个区域上不均匀地进行脱氢处理降低了基板的品质，然而根据示例性实施例，如上所述提供了第一灯310a及第二灯310b以对基板的边缘区域的温度进行补偿，由此确保整个基板的温度均匀性并提高待处理基板的品质。

根据示例性实施例，处理待处理基板的效率可提高。举例而言，当照射紫外线的第一灯及照射红外线的第二灯一同安装于加热器区块的面对基板的所述一个表面的中心区域上时，所安装的第一灯在数量上大于第二灯、或仅安装第一灯来均匀地控制待处理基板表面的整个区域中氢的化学分离，由此增大处理基板的效率。

此外，根据示例性实施例，待处理基板的温度均匀性可提高。举例而言，当第一灯及第二灯一同安装于围绕加热器区块的所述一个表面的中心区域的周围区域上时，所安装的第二灯可在数量上大于第一灯、或仅安装第二灯以对基板的边缘区域进行热补偿，由此提高基板的温度均匀性。此外，由于基板的温度均匀性提高，故可在待处理基板表面的整个区域上均匀地控制脱氢处理，以提高处理基板的效率。

此外，根据示例性实施例，由于第一灯及第二灯分别安装于多个灯安装沟槽中且彼此水平地间隔开，可防止邻近彼此的第一灯与第二灯之间的光干扰，其中所述灯安装沟槽穿过加热器区块的所述一个表面。因此，由于自第二灯所照射的红外线无法到达第一灯，故可抑制或防止由红外线辐射能量所造成的第一灯的温度升高及热损坏，以延长第一灯的寿命。此外，可防止自第一灯所照射的紫外线到达第二灯，以抑制或防止因自第二灯所照射的红外线而使紫外辐射能量减少。

本发明的实施例及比较实例给出进一步详细说明来帮助理解本发明，但不限制本发明的范围。本发明的实施例可在本发明的技术理念及范围内以其他形式进行修改。此外，根据实施例及比较实例的技术理念可通过以各种方法彼此结合及应用来实现。可提供各种实施例来使所属领域中的技术人员能够理解本发明的范围，但本发明并非仅限于此。

Claims (14)

1.一种加热器区块，其特征在于，包括安装于所述加热器区块的面对待处理物体的一个表面上的多个加热灯，

其中所述加热灯包括第一灯及第二灯，所述第一灯用以对所述待处理物体照射紫外线，所述第二灯用以对所述待处理物体照射红外线，且

对于所述一个表面上的多个区域中的每一个，所述第一灯的数目对所述第二灯的数目的相对比率是不同的。

2.根据权利要求1所述的加热器区块，其特征在于，所述一个表面上的所述多个区域包括中心区域及围绕所述中心区域的周围区域，所述中心区域具有与所述待处理物体的大小及形状对应的大小及形状。

3.根据权利要求2所述的加热器区块，其特征在于，所述第一灯及所述第二灯一同安装于所述中心区域及所述周围区域中的每一个上。

4.根据权利要求2所述的加热器区块，其特征在于，所述第一灯及所述第二灯一同安装于所述中心区域上，且

所述第二灯安装于所述周围区域上。

5.根据权利要求2所述的加热器区块，其特征在于，所述第一灯安装于所述中心区域上，且

所述第一灯及所述第二灯一同安装于所述周围区域上。

6.根据权利要求2所述的加热器区块，其特征在于，所述第一灯安装于所述中心区域上，且

所述第二灯安装于所述周围区域上。

7.根据权利要求2所述的加热器区块，其特征在于，安装于所述中心区域上的所述第一灯的数目超过安装于所述中心区域上的所述加热灯的总数目的50％。

8.根据权利要求2所述的加热器区块，其特征在于，安装于所述周围区域上的所述第二灯的数目超过安装于所述周围区域上的所述加热灯的总数目的50％。

9.根据权利要求2所述的加热器区块，其特征在于，所述第一灯及所述第二灯选择性地安装于所述中心区域与所述周围区域之间的边界上，且

当以所述中心区域与所述周围区域之间的所述边界为基准，所述中心区域上的所述加热灯的表面积等于或大于所述加热灯的总表面积的50％时，安装所述第一灯，而当以所述中心区域与所述周围区域之间的所述边界为基准，所述周围区域上的所述加热灯的表面积超过所述加热灯的所述总表面积的50％时，安装所述第二灯。

10.一种用以处理基板的基板处理装置，所述基板处理装置包括：

腔室，具有内部空间，在所述内部空间中处理所述基板；

基板支撑单元，安置于所述腔室中以支撑所述基板；

加热器区块，被安置成面对所述基板支撑单元；以及

传输构件，安置于所述腔室与所述加热器区块之间；

其中提供多个第一灯及多个第二灯，所述第一灯用以对所述基板照射紫外线，所述第二灯用以对所述基板照射红外线，且所述第一灯与所述第二灯在所述加热器区块的面对所述基板的一个表面上彼此间隔开。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述加热器区块的所述一个表面包括面对待处理物体的中心区域及围绕所述中心区域的周围区域，且

所述第一灯至少安装于所述一个表面的所述中心区域与所述周围区域中的所述中心区域上。

12.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述加热器区块的所述一个表面包括面对待处理物体的中心区域及围绕所述中心区域的周围区域，且

所述第二灯至少安装于所述一个表面的所述中心区域与所述周围区域中的所述周围区域上。

13.根据权利要求11或12所述的基板处理装置，其特征在于，对于所述中心区域与所述周围区域中的每一个，所述第一灯的数目对所述第二灯的数目的比率是不同的。

14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，安装于所述中心区域上的所述第一灯的数目超过安装于所述中心区域上的所述加热灯的总数目的50％，且

安装于所述周围区域上的所述第二灯的数目超过安装于所述周围区域上的所述加热灯的所述总数目的50％。