TW201705292A

TW201705292A - 加熱器區塊以及基板處理裝置

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Publication number: TW201705292A
Application number: TW105104833A
Authority: TW
Inventors: 鄭弼盛; 池尙炫; 李成龍; 韓容愚
Original assignee: Ａｐ系統股份有限公司
Priority date: 2015-03-27
Filing date: 2016-02-19
Publication date: 2017-02-01
Also published as: JP2016189454A; KR20160115398A; US20160284572A1; CN106024670A

Abstract

本發明涉及一種包括安裝於其面對待處理物體（例如基板）的一個表面上的多個加熱燈的加熱器區塊、及包括所述加熱器區塊的基板處理裝置。所述加熱燈包括第一燈及第二燈，所述第一燈用以對所述待處理物體照射紫外（UV）線，所述第二燈用以對所述待處理物體照射紅外（IR）線。對於所述一個表面上的多個區域中的每一者，所述第一燈的數目對所述第二燈的數目的相對比率是不同的。本發明提供所述加熱器區塊及所述基板處理裝置，所述加熱器區塊可對所述基板的邊緣區域的溫度進行熱補償以提高所述基板的溫度均勻性。

Description

加熱器區塊及基板處理裝置

本發明涉及一種基板處理裝置，且更具體而言，涉及一種其結構經改良以提高基板溫度均勻性的加熱器區塊及包括所述加熱器區塊的基板處理裝置。

半導體及顯示裝置由以下方法製造而成：在基板上重複進行例如薄膜積層（thin film lamination）、離子植入及熱處理等單元過程，從而在基板上形成具有所期望電路運作特性的元件。

用於單元過程的基板熱處理過程的裝置包括快速熱處理裝置。所述快速熱處理裝置使用紫外線及紅外線而將熱傳遞至基板。爲此，如例如在韓國專利公開申請第10-2002-0085452號中所公開，快速熱處理裝置包括紅外線燈及紫外線燈。

與此同時，當快速熱處理裝置處理基板時，所述基板的品質受所述基板的溫度均勻性影響。因此，期望紅外線燈及紫外線燈中的每一者均具有使基板的溫度均勻性提高的結構。

然而，在現有技術中，如在韓國專利公開申請中所公開，提供了線性燈型的紅外線燈及紫外線燈。因此，在現有技術中，由於對待處理基板的熱補償是通過一維補償（one-dimensional compensation）方法來進行，故在提高基板的整個區域的溫度均勻性及補償基板的邊緣的溫度方面存在侷限性。

此外，在現有技術中，如在韓國專利公開申請中所公開，紅外線燈及紫外線燈交替地設置成格栅結構（lattice structure）。因此，在現有技術中，紅外線燈與紫外線燈彼此干擾，使得自紅外線燈所產生的光輻射能量减小且紫外線燈的壽命因紅外線輻射能量而縮短。 [現有技術文獻] [專利文獻] （專利文獻1）KR10-2002-0085452 A

本發明提供一種其結構經改良以提高基板的熱處理效率的加熱器區塊及一種基板處理裝置。

本發明還提供一種其結構經改良以提高基板的溫度均勻性的加熱器區塊及一種基板處理裝置。

本發明還提供一種其結構經改良以抑制或防止彼此不同的燈之間的熱干擾及能量减少現象的加熱器區塊及一種基板處理裝置。

本發明還提供一種其結構經改良以延長照射紫外線的燈的壽命的加熱器區塊及一種基板處理裝置。

根據示例性實施例，一種加熱器區塊包括安裝於所述加熱器區塊的面對待處理物體的一個表面上的多個加熱燈。所述加熱燈包括第一燈及第二燈，所述第一燈用以對所述待處理物體照射紫外（ultraviolet，UV）線，所述第二燈用以對所述待處理物體照射紅外（infrared，IR）線。對於所述一個表面上的多個區域中的每一者，所述第一燈的數目對所述第二燈的數目的相對比率是不同的。

所述一個表面上的所述多個區域可包括中心區域及圍繞所述中心區域的周圍區域，所述中心區域具有與所述待處理物體的大小及形狀對應的大小及形狀。

所述第一燈及所述第二燈可一同安裝於所述中心區域及所述周圍區域中的每一者上。

所述第一燈及所述第二燈可一同安裝於所述中心區域上，且所述第二燈可安裝於所述周圍區域上。

所述第一燈可安裝於所述中心區域上，且所述第一燈及所述第二燈可一同安裝於所述周圍區域上。

所述第一燈可安裝於所述中心區域上，且所述第二燈可安裝於所述周圍區域上。

安裝於所述中心區域上的所述第一燈的數目可超過安裝於所述中心區域上的所述加熱燈的總數目的近似50%。

安裝於所述周圍區域上的所述第二燈的數目可超過安裝於所述周圍區域上的所述加熱燈的總數目的近似50%。

所述第一燈及所述第二燈可選擇性地安裝於所述中心區域與所述周圍區域之間的邊界上。當以所述中心區域與所述周圍區域之間的所述邊界爲基準，所述中心區域上的所述加熱燈的表面積等於或大於所述加熱燈的總表面積的近似50%時，可安裝所述第一燈，而當以所述中心區域與所述周圍區域之間的所述邊界爲基準，所述周圍區域上的所述加熱燈的表面積超過所述加熱燈的所述總表面積的近似50%時，可安裝所述第二燈。

根據另一示例性實施例，提供一種用以處理基板的基板處理裝置，所述基板處理裝置包括：腔室，具有內部空間，在所述內部空間中處理所述基板；基板支撑單元，安置於所述腔室中以支撑所述基板；加熱器區塊，被安置成面對所述基板支撑單元；以及傳輸構件，安置於所述腔室與所述加熱器區塊之間。提供多個第一燈及多個第二燈，所述第一燈用以對所述基板照射紫外（UV）線，所述第二燈用以對所述基板照射紅外（IR）線，且所述第一燈與所述第二燈在所述加熱器區塊的面對所述基板的一個表面上彼此間隔開。

所述加熱器區塊的所述一個表面可包括面對待處理物體的中心區域及圍繞所述中心區域的周圍區域，且所述第一燈可至少安裝於所述一個表面的所述中心區域與所述周圍區域中的所述中心區域上。

所述加熱器區塊的所述一個表面可包括面對所述待處理物體的中心區域及圍繞所述中心區域的周圍區域，且所述第二燈可至少安裝於所述一個表面的所述中心區域與所述周圍區域中的所述周圍區域上。

對於所述中心區域與所述周圍區域中的每一者，所述第一燈的數目對所述第二燈的數目的比率可爲不同的。

安裝於所述中心區域上的所述第一燈的數目可超過安裝於所述中心區域上的所述加熱燈的總數目的近似50%，且安裝於所述周圍區域上的所述第二燈的數目可超過安裝於所述周圍區域上的所述加熱燈的所述總數目的近似50%。

在下文中，將參照附圖來詳細地闡述本發明的實施例。然而，本發明可實施爲不同形式，而不應被視爲僅限於本文中所述的實施例。確切而言，提供這些實施例是爲了使此揭示內容將透徹及完整，且將向所屬領域中的技術人員充分傳達本發明的範圍。在圖式中，爲說明清晰起見，誇大了層及區的尺寸。通篇中，相同的參考編號指代相同的組件。

圖1是繪示基板處理裝置的一側以闡釋根據示例性實施例的基板處理裝置的側剖視圖，且圖2是繪示加熱器區塊的燈安裝表面以闡釋配置根據示例性實施例的加熱器區塊的第一燈及第二燈的結構的平面圖。

此外，圖3是繪示加熱器區塊的燈安裝表面以闡釋配置根據經修改實例的加熱器區塊的第一燈及第二燈的結構的平面圖，圖4是繪示加熱器區塊的燈安裝表面以闡釋配置根據另一經修改實例的加熱器區塊的第一燈及第二燈的結構的平面圖，且圖5是繪示加熱器區塊的燈安裝表面以闡釋配置根據再一經修改實例的加熱器區塊的第一燈及第二燈的結構的平面圖。

此外，圖6(a)、圖6(b)是用於闡釋根據實施例及經修改實例的一種選擇性地安裝在加熱器區塊的一個表面（例如，位於上述一個表面的中心區域與周圍區域之間的邊界上的燈安裝表面）上所安裝的加熱燈的方法的平面圖。

參照圖1及圖2，根據示例性實施例的基板處理裝置包括：腔室100，具有內部空間，在所述內部空間中處理基板；基板支撑單元，安置於腔室100的內下側上以支撑基板10；加熱器區塊300，被安置成面對基板支撑單元；以及傳輸構件，安置於腔室100與加熱器區塊300之間以使加熱器區塊300自腔室100分離。

基板10可包括大型玻璃基板，所述大型玻璃基板在製造各種顯示元件（包括主動矩陣式發光二極體（AMOLED）、液晶顯示器（LCD）、有機發光二極體（OLED）及發光二極體（LED））或各種電子元件（包括太陽電池及半導體晶片）的過程中用作基礎材料。舉例而言，基板10可包括在用於製造TFT基板的單元過程的閘極絕緣膜的脫氫過程中或聚醯亞胺（polyimide，PI）膜固化過程中所應用的玻璃基板。

此處，上述基板10可具有矩形板形狀，且基板10的上表面可設置有待熱處理的氧化物膜，例如閘極絕緣膜。安置於基板10上的氧化物膜可被自隨後將闡述的加熱器區塊300所產生的紫外（UV）線或紅外（IR）線照射並脫氫。

當然，根據示例性實施例的基板10並非僅限於此。舉例而言，基板10可包括具有其上安置有各種待處理含氫層的上表面的各種基板。

腔室100可具有例如其內部向上開放的中空區塊形狀。供基板10穿過的門（未示出）可設置於腔室100的側表面中的一者上，且用於將基板10裝載至腔室100內並自腔室100卸載基板10的搬運機器人（未示出）可設置於所述門外側。

與此同時，儘管圖中未示出，然而用於向腔室100內提供環境氣體（ambient gas）的氣體供應單元及用於排出所提供的環境氣體的氣體排出單元可進一步設置於腔室100的一側，以控制腔室100的內部環境。

腔室100的內部可被密封，以形成用於處理基板的基板處理空間，且基板支撑單元可安置於腔室100的內下側上，以在進行在腔室100中處理基板的預定過程的同時穩定地支撑基板10。此處，基板支撑單元可具有與基板10的大小及形狀對應的各種結構。舉例而言，基板支撑單元可包括具有環形形狀的上表面的邊緣環200，以在基板10被熱處理的同時支撑所述基板的邊緣的下部部分。

此外，基板支撑單元可包括多個升降銷（lift pin）210，且升降銷210可支撑被裝載入腔室10內的基板10並在基板10被裝載及卸載時提升及降下基板10。

在對本發明的示例性實施例的闡述中，儘管上述腔室100及基板支撑單元可具有各種構造及類型，然而本發明的示例性實施例並非僅限於此。

加熱器區塊300用於以紅外線及紫外線形式對被裝載入腔室100內的基板10提供輻射能量。亦即，加熱器區塊300可對位於基板支撑單元上的基板10照射例如紅外線及紫外線。加熱器區塊300安裝於腔室100的上部部分上，以穩固地覆蓋腔室100的開放的上部部分並面對基板支撑單元，且加熱燈310（其具有例如燈泡形狀）可設置於加熱器區塊300的面對基板支撑單元的一個表面（例如，燈安裝表面）上，以對基板10進行熱處理。

傳輸構件400可安置於腔室100與加熱器區塊300之間。舉例而言，傳輸構件400可包括石英窗（quartz window）。傳輸構件400用於使自加熱燈310產生的光（例如，紅外線及紫外線）能夠傳輸至腔室100內。

密封單元安置於傳輸構件400與加熱器區塊300之間的耦合表面及傳輸構件400與腔室100之間的耦合表面中的每一者上，以進而穩固地密封腔室100的內部並維持加熱器區塊300的真空。

在下文中，將參照圖1至圖6(a)、圖6(b)來更詳細地闡述根據示例性實施例及經修改實例的加熱器區塊300。

加熱器區塊300包括安裝於加熱器區塊的面對基板10的一個表面上的多個加熱燈310，以對待處理物體（例如，基板10）照射光並處理基板10。加熱器區塊300安裝成覆蓋腔室100的開放的上部部分，以密封腔室100的內部且還用於通過使用設置於所述一個表面（例如，燈安裝表面）的所述多個加熱燈310來對裝載入腔室100內的基板10照射光。

加熱器區塊300的上述一個表面中可界定多個燈安裝溝槽320，且燈安裝溝槽320可具有下部部分開放的半球形形狀。加熱燈310可安裝於燈安裝溝槽320中。此處，加熱燈310可在與加熱器區塊300的所述一個表面交叉的方向（例如，垂直方向）上進行安裝。儘管圖中未具體示出，然而加熱燈310可包括安置於燈體的上端部上的具有例如中空圓柱形狀且耦合至燈安裝溝槽的插座，以接收外部電源。此處，所述燈體可由玻璃或石英製成，且燈體的內部可填充有例如鹵素氣體。

如上所述，由於加熱燈310安裝於燈安裝溝槽320中，因此可實現其中加熱燈310中的每一者被例如隔斷件320a隔離的結構性效應（structural effect），且因此可防止鄰近彼此安置的加熱燈310之間的光干擾。將更詳細地對此予以闡述。

根據示例性實施例，具有用於容納加熱燈310、下部部分爲開放的空間的燈安裝溝槽320可設置於加熱器區塊300的所述一個表面上，例如，燈安裝表面上的多個位置上。加熱燈310可分別安裝於燈安裝溝槽320中且分別安置於燈安裝溝槽320中。

亦即，加熱燈310可彼此水平地間隔開且分別安置於彼此分離的空間中，以彼此間隔開且彼此隔離開。因此，所述多個加熱燈310的發光區域可不彼此交疊。換言之，自加熱燈310中的一者所照射的光可不直接照射至除加熱燈中的上述一者外的其餘加熱燈。

如下所述，特別是當加熱燈310包括紫外線燈310a及紅外線燈310b時，紫外線與紅外線之間的光干擾可被防止，且因此紫外線及紅外線的照射可更高效地進行，以提高處理基板的效率且延長紫外線燈310a的壽命及紅外線燈310b的壽命。

根據示例性實施例，加熱燈310可包括紫外線燈310a及紅外線燈310b。紫外線燈310a對基板10照射紫外線，以對安置於基板10上的閘極絕緣膜的氫矽（Si-H）鍵進行化學斷鍵（debond）。此外，紅外線燈310b（例如，鹵素紅外線燈）向基板10照射紅外線，以通過提高基板10的溫度及腔室100中的溫度來加熱並蒸發經斷鍵的氫的方法而使氫能夠自閘極絕緣膜脫離，即，脫氫處理。

當上述加熱燈310僅包括紫外線燈310a時，則難以將基板10加熱直至使基板10脫氫的溫度。另一方面，當加熱燈310僅包括紅外線燈310b時，由於氫矽鍵僅通過紅外線輻射能量斷開，故腔室中需要近似450℃或大於450℃的高溫環境，且因此加熱基板的時間增加，並進而增加總處理時間。

因此，根據示例性實施例，加熱燈310可包括紫外線燈310a及紅外線燈310b，且對基板照射紫外（UV）線的多個第一燈310a及對基板照射紅外（IR）線的多個第二燈310b可在加熱器區塊300的面對基板10的一個表面上彼此水平地間隔開。

如上所述，由於多個第一燈310a及多個第二燈320b中的每一者水平地間隔開，故在處理基板10的同時，加熱器區塊300可以基板10的照射有光的上表面爲基準二維地控制基板10的溫度。因此，由於對基板10的邊緣區域的熱補償可被二維地補償，故相比於現有技術而言可相對易於確保熱均勻性。

此外，根據示例性實施例，如圖2中所示，多個加熱燈310可配置成在加熱器區塊300的所述一個表面上構成行及列，且構成鄰近行的加熱燈310可相對於構成所述行中的任一者的加熱燈而交替地配置。類似地，構成鄰近列的加熱燈可相對於構成所述列中的任一者的加熱燈而彼此交替地配置。

此處，參照圖2，當橫向方向爲一個方向且縱向方向爲另一方向時，上述“構成所述行中的任一者的加熱燈”可代表在加熱器區塊300的其上安裝有加熱燈310的一個表面上的預定位置上沿一個方向配置的加熱燈。同樣地，“構成所述列中的任一者的加熱燈”可代表在加熱器區塊300的所述一個表面的上述預定位置上沿另一方向配置的加熱燈。

總而言之，彼此鄰近的加熱燈310中的每一者可在加熱器區塊300的所述一個表面上配置成三角形形狀或六邊形形狀。因此，加熱燈310可以最少數目的加熱燈310而緊密地配置於加熱器區塊300的所述一個表面上，且還在加熱器區塊300的所述一個表面上彼此均勻地間隔開。

與此同時，根據實施例及經修改的實例，加熱器區塊300的面對基板10的所述一個表面可包括多個區域，且對於上述一個表面上的所述多個區域，第一燈310a的數目對第二燈310b的數目的相對比率可爲不同的。

舉例而言，加熱器區塊300可具有面對基板10的一個表面，所述一個表面被劃分成中心區域A及周圍區域B，中心區域A具有與基板10的大小及形狀對應的大小及形狀，周圍區域B圍繞中心區域A。第一燈310a及第二燈310b可安裝至加熱器區塊300的所述一個表面，使得第一燈310a的數目對第二燈310b的數目的相對比率是不同的。

此處，第一燈310a可安裝於中心區域A及周圍區域B中的至少所述中心區域A上，且第二燈310b可安裝於中心區域A及周圍區域B中的至少所述周圍區域B上。亦即，第一燈310a及第二燈310b可一同安裝於中心區域A及周圍區域B中的每一者上（參照圖3）、第一燈310a及第二燈310b可一同安裝於中心區域A上且僅第二燈310b可安裝於周圍區域B上（參照圖2）、僅第一燈310a可安裝於中心區域A上且第一燈310a及第二燈310b可一同安裝於周圍區域B上（參照圖4）或僅第一燈310a可安裝於中心區域A上且僅第二燈310b可安裝於周圍區域B上（參照圖5）。

根據實施例及經修改的實例，特別是當加熱燈310安裝於中心區域A上時，第一燈310a的數目對第二燈310b的數目的比率可被選擇成使安裝於中心區域A上的第一燈310a的數目超過安裝於中心區域A上的加熱燈310的總數目的近似50%。此外，當加熱燈310安裝於周圍區域B上時，第一燈310a的數目對第二燈310b的數目的比率可被選擇成使安裝於周圍區域B上的第二燈310b的數目超過安裝於周圍區域B上的加熱燈310的總數目的50%。

此處，當安裝於中心區域A上的第一燈310a的數目等於或小於安裝於中心區域A上的加熱燈310的總數目的近似50%時，可能難以對安置於加熱器區塊300的下部部分上的基板10照射所期望的紫外線量，且因此安置於基板10上的預定膜可能無法化學地分離氫。此外，當安裝於周圍區域B上的第二燈310b的數目等於或小於安裝於周圍區域B上的加熱燈310的總數目的50%時，可能難以向基板充份地提供用於對基板的邊緣區域進行熱補償的紅外線輻射能量。因此，根據示例性實施例，對於所述區域中的每一者，均安裝第一燈310a及第二燈310b，以滿足第一燈310a的數目對第二燈310b的數目的上述相對比率。

因此，根據示例性實施例，相對多數目的第一燈310a可安裝於加熱器區塊300的所述一個表面的中心區域A上，以將紫外線均勻地照射至基板10上，且由此使安置於基板10上的預定膜中所含有的氫化合物中的氫的化學鍵斷開。此外，相對多數目的第二燈310a可安裝於周圍區域B上，以將相對大量的紅外線照射至基板10的邊緣區域上，且由此補償基板10的邊緣區域的溫度。

與此同時，根據示例性實施例及經修改的實例，當第一燈310a及第二燈310b安裝於中心區域A與周圍區域B之間的邊界上時，參照以下將闡述的方法，可選擇性地將第一燈310a及第二燈310b中的任一者安裝於中心區域A與周圍區域B之間的邊界上。以下將闡述所述方法。當以中心區域A與周圍區域B之間的邊界爲基準，中心區域A上的加熱燈310的表面積等於或大於加熱燈310的總表面積的近似50%時，可選擇性地安裝第一燈310a作爲在中心區域A與周圍區域B之間的邊界上所安裝的加熱燈310。此在圖6(a)中示出。

此外，當以中心區域A與周圍區域B之間的邊界爲基準，周圍區域B上的加熱燈310的表面積超過加熱燈310的總表面積的近似50%時，可安裝第二燈310b作爲在中心區域A與周圍區域B之間的邊界上所安裝的加熱燈310。此在圖6(b)中示出。

亦即，當加熱燈310被安裝成向中心區域A偏置時，可選擇性地安裝第一燈310a，且當加熱燈310被安裝成向周圍區域B偏置時，可選擇性地安裝第二燈310b。

在選擇第一燈310a與第二燈310b中的一者作爲安裝於中心區域A與周圍區域B之間的邊界上的加熱燈310時，上述選擇方法對應於爲熱補償基板10的邊緣區域而進行的對周圍區域B中第一燈310a的數目對第二燈310b的數目的相對比率的選擇。因此，基板10的邊緣區域處的溫度可得到高效地補償，以提高基板10的溫度均勻性。

與此同時，除上述對基板10的邊緣區域的溫度補償外，由於過程中的各種原因，當紅外線及紫外線中的每一者對基板10的各種區域不同地照射時，第一燈310a及第二燈310b可被安裝成使加熱器區塊300的所述一個表面以不同於上述方法的各種方法進行劃分，且第一燈310a的數目對第二燈310b的數目的相對比率是不同的。亦即，用於配置安裝於加熱器區塊300的所述一個表面上的加熱燈310的方法可通過對應於其中在用於處理基板的過程中對基板的每一位置所照射的光的種類、强度等受控制的情形而有各種變化。

此外，儘管應用於基板處理裝置的加熱器區塊300被作爲實例進行闡述，然而除基板處理裝置外，根據示例性實施例的加熱器區塊300還可應用於對設置於預定空間中的待處理的各種物體照射紅外線及紫外線的各種處理裝置。

如上所述，根據示例性實施例，加熱器區塊及包括所述加熱器區塊的基板處理裝置顯示出能夠對基板的邊緣區域進行熱補償來進一步提高基板的溫度均勻性的技術特性。

舉例而言，在現有技術中，儘管對基板10照射紅外線及紫外線來處理基板10，然而基板的邊緣區域的溫度小於除基板的所述邊緣區域外的基板的中心區域的溫度，降低了基板10的溫度均勻性。儘管如上所述在現有技術中，在基板的整個區域上不均勻地進行氫化處理降低了基板的品質，然而根據示例性實施例，如上所述提供了第一燈310a及第二燈310b以對基板的邊緣區域的溫度進行補償，由此確保整個基板的溫度均勻性並提高待處理基板的品質。

根據示例性實施例，處理待處理基板的效率可提高。舉例而言，當照射紫外線的第一燈及照射紅外線的第二燈一同安裝於加熱器區塊的面對基板的所述一個表面的中心區域上時，所安裝的第一燈在數量上大於第二燈、或僅安裝第一燈來均勻地控制待處理基板表面的整個區域中氫的化學分離，由此增大處理基板的效率。

此外，根據示例性實施例，待處理基板的溫度均勻性可提高。舉例而言，當第一燈及第二燈一同安裝於圍繞加熱器區塊的所述一個表面的中心區域的周圍區域上時，所安裝的第二燈可在數量上大於第一燈、或僅安裝第二燈以對基板的邊緣區域進行熱補償，由此提高基板的溫度均勻性。此外，由於基板的溫度均勻性提高，故可在待處理基板表面的整個區域上均勻地控制脫氫處理，以提高處理基板的效率。

此外，根據示例性實施例，由於第一燈及第二燈中的每一者穿過加熱器區塊的所述一個表面並安裝於彼此水平地間隔開的所述多個燈溝槽中的每一者中，以防止鄰近彼此安置的第一燈與第二燈之間的光干擾。因此，由於自第二燈所照射的紅外線無法到達第一燈，故可抑制或防止由紅外線輻射能量所造成的第一燈的溫度升高及熱損壞，以延長第一燈的壽命。此外，可防止自第一燈所照射的紫外線到達第二燈，以抑制或防止因自第二燈所照射的紅外線而使紫外輻射能量减少。

本發明的實施例及比較實例給出進一步詳細說明來幫助理解本發明，但不限制本發明的範圍。本發明的實施例可在本發明的技術理念及範圍內以其他形式進行修改。此外，根據實施例及比較實例的技術理念可通過以各種方法彼此結合及應用來實現。可提供各種實施例來使所屬領域中的技術人員能夠理解本發明的範圍，但本發明並非僅限於此。

10‧‧‧基板
100‧‧‧腔室
200‧‧‧邊緣環
210‧‧‧升降銷
300‧‧‧加熱器區塊
310‧‧‧加熱燈
310a‧‧‧第一燈
310b‧‧‧第二燈
320‧‧‧燈安裝溝槽
320a‧‧‧隔斷件
400‧‧‧傳輸構件
A‧‧‧中心區域
B‧‧‧周圍區域

結合附圖從以下說明可更詳細地理解示例性實施例，在附圖中：圖1是用於闡釋根據示例性實施例的基板處理裝置的圖。圖2是用於闡釋根據示例性實施例的加熱器區塊及加熱燈的圖。圖3至圖5是用於闡釋根據經修改的實例的加熱器區塊及加熱燈的圖。圖6(a)、圖6(b)是用於闡釋根據示例性實施例及經修改的實例的加熱器區塊及加熱燈的圖。

300‧‧‧加熱器區塊

310‧‧‧加熱燈

310a‧‧‧第一燈

310b‧‧‧第二燈

A‧‧‧中心區域

B‧‧‧周圍區域

Claims

一種加熱器區塊，包括安裝於所述加熱器區塊的面對待處理物體的一個表面上的多個加熱燈，其中所述加熱燈包括第一燈及第二燈，所述第一燈用以對所述待處理物體照射紫外線，所述第二燈用以對所述待處理物體照射紅外線，且對於所述一個表面上的多個區域中的每一者，所述第一燈的數目對所述第二燈的數目的相對比率是不同的。
如申請專利範圍第1項所述的加熱器區塊，其中所述一個表面上的所述多個區域包括中心區域及圍繞所述中心區域的周圍區域，所述中心區域具有與所述待處理物體的大小及形狀對應的大小及形狀。
如申請專利範圍第2項所述的加熱器區塊，其中所述第一燈及所述第二燈一同安裝於所述中心區域及所述周圍區域中的每一者上。
如申請專利範圍第2項所述的加熱器區塊，其中所述第一燈及所述第二燈一同安裝於所述中心區域上，且所述第二燈安裝於所述周圍區域上。
如申請專利範圍第2項所述的加熱器區塊，其中所述第一燈安裝於所述中心區域上，且所述第一燈及所述第二燈一同安裝於所述周圍區域上。
如申請專利範圍第2項所述的加熱器區塊，其中所述第一燈安裝於所述中心區域上，且所述第二燈安裝於所述周圍區域上。
如申請專利範圍第2項所述的加熱器區塊，其中安裝於所述中心區域上的所述第一燈的數目超過安裝於所述中心區域上的所述加熱燈的總數目的近似50%。
如申請專利範圍第2項所述的加熱器區塊，其中安裝於所述周圍區域上的所述第二燈的數目超過安裝於所述周圍區域上的所述加熱燈的總數目的近似50%。
如申請專利範圍第2項所述的加熱器區塊，其中所述第一燈及所述第二燈選擇性地安裝於所述中心區域與所述周圍區域之間的邊界上，且當以所述中心區域與所述周圍區域之間的所述邊界爲基準，所述中心區域上的所述加熱燈的表面積等於或大於所述加熱燈的總表面積的近似50%時，安裝所述第一燈，而當以所述中心區域與所述周圍區域之間的所述邊界爲基準，所述周圍區域上的所述加熱燈的表面積超過所述加熱燈的所述總表面積的近似50%時，安裝所述第二燈。
一種用以處理基板的基板處理裝置，所述基板處理裝置包括：腔室，具有內部空間，在所述內部空間中處理所述基板；基板支撑單元，安置於所述腔室中以支撑所述基板；加熱器區塊，被安置成面對所述基板支撑單元；以及傳輸構件，安置於所述腔室與所述加熱器區塊之間；其中提供多個第一燈及多個第二燈，所述第一燈用以對所述基板照射紫外線，所述第二燈用以對所述基板照射紅外線，且所述第一燈與所述第二燈在所述加熱器區塊的面對所述基板的一個表面上彼此間隔開。
如申請專利範圍第10項所述的基板處理裝置，其中所述加熱器區塊的所述一個表面包括面對待處理物體的中心區域及圍繞所述中心區域的周圍區域，且所述第一燈至少安裝於所述一個表面的所述中心區域與所述周圍區域中的所述中心區域上。
如申請專利範圍第10項所述的基板處理裝置，其中所述加熱器區塊的所述一個表面包括面對待處理物體的中心區域及圍繞所述中心區域的周圍區域，且所述第二燈至少安裝於所述一個表面的所述中心區域與所述周圍區域中的所述周圍區域上。
如申請專利範圍第11項或第12項所述的基板處理裝置，其中對於所述中心區域與所述周圍區域中的每一者，所述第一燈的數目對所述第二燈的數目的比率是不同的。
如申請專利範圍第13項所述的基板處理裝置，其中安裝於所述中心區域上的所述第一燈的數目超過安裝於所述中心區域上的所述加熱燈的總數目的近似50%，且安裝於所述周圍區域上的所述第二燈的數目超過安裝於所述周圍區域上的所述加熱燈的所述總數目的近似50%。