JP6441059B2

JP6441059B2 - 基板処理装置

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Publication number: JP6441059B2
Application number: JP2014252018A
Authority: JP
Inventors: サンヒョンジ; ドゥヨンユン; ソンヨンイ
Original assignee: エーピーシステムズインコーポレイテッド
Priority date: 2013-12-18
Filing date: 2014-12-12
Publication date: 2018-12-19
Anticipated expiration: 2034-12-12
Also published as: KR20150071325A; CN104733350A; KR101572662B1; JP2015119180A

Description

本発明は、基板処理装置に係り、さらに詳しくは、熱処理が行われる基板にパーティクル（汚染物質）が付着することを防ぐことのできる基板処理装置に関する。

半導体、ディスプレイなどの様々な工程において熱処理は欠かせない必須過程である。イオン活性化（ｉｏｎａｃｔｉｖａｔｉｏｎ）、結晶化（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、オーミックコンタクト合金化（ｏｈｍｉｃｃｏｎｔａｃｔａｌｌｏｙｉｎｇ）、イオン打込み損傷アニーリング（ｉｏｎ−ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎｄａｍａｇｅａｎｎｅａｌｉｎｇ）、ＴｉＮ、ＴｉＳｉ₂、ＣｏＳｉ₂などの薄膜形成などが熱処理を必要とする工程である。

このような熱処理を行う装備としては、ファーネス（ｆｕｒｎａｃｅ）及び急速熱処理（ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＰｒｏｃｅｓｓ；ＲＴＰ）装置が挙げられる。急速熱処理装置は、基板全体の温度を均一に維持したり、基板を取り替える度に他の基板に対しても同じ温度−時間特性を維持したり、基板の温度を正確に測定及び制御したりすることが困難であるため大きな脚光を浴びていなかったが、最近、温度測定技術及び温度制御技術が進歩するに伴い、急速熱処理装置がファーネスに取って代わっている。

図１は、熱処理を行う基板処理装置の断面図である。

熱処理を行う基板処理装置は、タングステンハロゲンランプの輻射光線を用いて基板Ｓに熱を伝える。このため、熱処理を行う基板処理装置は加熱ブロック１０を備え、基板Ｓと向かい合う加熱ブロック１０の対向面には複数の加熱ランプ１１が設けられている。また、熱処理チャンバ２０は、基板支持台５０と、基板を昇降させるリフトピン５１と、を備え、ゲート６０を介して基板Ｓを搬入または搬出する。熱処理チャンバ２０の内側にはガスを噴射するガス噴射器４０及びガスを排気する排気口７０が配設される。

熱処理チャンバ２０と加熱ブロック１０との間には透明な石英製のウィンドウ３０が配設され、加熱ブロック１０内の加熱ランプ１１及び熱処理チャンバ２０内のガス噴射器４０がウィンドウ３０によって分離されている。ウィンドウ３０は、加熱ブロック１０の下側に配設された熱処理チャンバ２０内に汚染物質であるパーティクルが流入することを防ぐとともに、上側に配設された加熱ブロック１０内の加熱ランプ１１の熱エネルギーを下側の基板に透過させる。このように、ウィンドウは、汚染物質から基板を保護するとともに、加熱ランプ６００の主な波長帯域である１〜４μｍにおいて９０％以上の透過率で光波長を透過させる。

ウィンドウ３０の材質としては石英（クォーツ）を用いるが、石英の大きさは、熱処理が行われる基板の大きさによって決定される。ところが、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ：ＦｌａｔｐａｎｅｌＤｉｓｐｌａｙ）やアクティブマトリクス式有機発光ダイオード（ＡＭＯＬＥＤ：ＡｃｔｉｖｅＭａｔｒｉｘＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）において用いられる基板は８．５世代の大型基板であり、その大きさは５．５ｍ²（２２００ｃｍ×２５００ｃｍ）に達する。このため、８．５世代の大型基板に対して熱処理を行おうとする場合、ウィンドウもまた５．５ｍ²の石英円板を用いなければならない。

しかしながら、このような大型の石英円板の製作は現実的に不可能であり、且つ、保管、搬送及び設置に難点がある。この理由から、現場においてはウィンドウを適用することなく熱処理を行っているが、ウィンドウの未適用に起因して基板の汚染が発生するという問題がある。

大韓民国登録特許第１０３１２２６号

本発明は上記の問題を解消するために案出されたものであり、その目的は、熱処理が行われる基板の汚染を防ぐことのできる基板処理装置を提供するところにある。
また、本発明の他の目的は、大型基板に対して熱処理を行うことのできる基板処理装置を提供するところにある。
さらに、本発明のさらに他の目的は、加熱ランプから発せられる光を効率よく透過させることのできる基板処理装置を提供するところにある。

上記の目的を達成するために、本発明の一実施形態に係る基板処理装置は、基板に対して熱処理を行う空間を有する熱処理チャンバと、前記熱処理空間において前記基板を支持する基板支持台と、前記基板と向かい合うランプ取付面に刻設された多数のランプ取付溝ごとに加熱ランプが取り付けられている加熱ブロックと、前記ランプ取付溝ごとに設けられて前記加熱ランプから発せられる光を透過させる個別透光板と、各ランプ取付溝の内部面に形成される雌ねじ山と、前記ランプ取付溝の内部面を取り囲み、前記加熱ランプから発せられる光を反射するリフレクタと、を備え、前記雌ねじ山は、前記リフレクタの表面に形成されることを特徴とする。

好ましくは、前記基板処理装置は、前記個別透光板の周面に形成される雄ねじ山をさらに備え、前記個別透光板の雄ねじ山と前記雌ねじ山を螺合することにより前記個別透光板がランプ取付溝に嵌合される。

さらに、好ましくは、前記基板処理装置は、前記ランプ取付溝の内部面に形成された段差をさらに備える。

さらに、好ましくは、前記基板処理装置は、雄ねじ山が形成された周面を有する固定リングをさらに備え、前記段差に前記個別透光板を嵌設した後に前記固定リングの雄ねじ山と前記雌ねじ山を螺合することにより前記個別透光板が前記ランプ取付溝に嵌合される。

さらに、好ましくは、前記個別透光板は、波長帯域別に選択的に光を透過させる帯域別透光フィルムで前記個別透光板の表面が選択的に被覆されている。

さらに、好ましくは、前記加熱ブロックのランプ取付面に刻設されたランプ取付溝のうちの一部のランプ取付溝に前記帯域別透光フィルムで選択的に被覆された個別透光板が嵌合される。

また、上記の目的を達成するために、本発明の他の実施形態に係る基板処理装置は、基板に対して熱処理を行う空間を有する熱処理チャンバと、前記熱処理空間において前記基板を支持する基板支持台と、前記基板と向かい合うランプ取付面に刻設された多数のランプ取付溝ごとに加熱ランプが取り付けられている加熱ブロックと、前記ランプ取付溝ごとに設けられて前記加熱ランプから発せられる光を透過させ、凸状レンズ状を呈する凸状レンズ個別透光板及び凹状レンズ状を呈する凹状レンズ個別透光板のうちのいずれか一方以上を有する個別透光板と、各ランプ取付溝の内部面に形成される雌ねじ山と、前記ランプ取付溝の内部面を取り囲み、前記加熱ランプから発せられる光を反射するリフレクタと、を備え、前記雌ねじ山は、前記リフレクタの表面に形成されることを特徴とする。

好ましくは、前記加熱ブロックのランプ取付面に刻設されたランプ取付溝のうちの一部のランプ取付溝に前記凸状レンズ個別透光板が嵌合され、残りのランプ取付溝に前記凹状レンズ個別透光板が嵌合される。

また、好ましくは、前記加熱ブロックのランプ取付面の最外縁部に配設されるランプ取付溝にのみ前記凸状レンズ個別透光板が嵌合され、残りのランプ取付溝には前記凹状レンズ個別透光板が嵌合される。

本発明の実施形態によれば、加熱ブロックと基板との間を個別透光板を用いて遮蔽することにより、基板の汚染を防ぐことができる。また、本発明の実施形態によれば、単一のウィンドウではなく、加熱ランプごとに個別透光板を適用してパーティクルを防ぐことにより、小型基板だけではなく、大型基板に対して熱処理を汚染なしに行うことができる。さらに、本発明の実施形態によれば、個別透光板を波長別または広帯域の通過フィルムで被覆したり、個別透光板をレンズ状にしたりすることにより、効率よい基板熱処理を行うことができる。

熱処理を行う基板処理装置の断面図である。本発明の実施形態により熱処理を行う基板処理装置の断面図である。本発明の実施形態による加熱ブロックのランプ取付面を示す図である。本発明の実施形態により加熱ブロックのランプ取付溝に配設される加熱ランプの斜視図である。本発明の実施形態によりランプ取付溝に個別透光板がねじ山同士の螺合により嵌合された様子を示す図である。本発明の実施形態によりランプ取付溝のリフレクタに個別透光板がねじ山同士の螺合により取着された様子を示す図である。本発明の実施形態により段差付きランプ取付溝に固定リングを用いて個別透光板を嵌合する様子を示す図である。本発明の実施形態による固定リングを示す図である。本発明の実施形態により段差付きランプ取付溝のリフレクタに固定リングを用いて個別透光板を取着する様子を示す図である。凸状レンズ及び凹状レンズの透光様子を示す図である。本発明の実施形態により凸状レンズ個別透光板及び凹状レンズ個別透光板がランプ取付面に取着された様子を示す図である。本発明の実施形態により凸状レンズ個別透光板をランプ取付面の周縁部に取着するときの光量分布を示す図である。レンズ状を呈しない透光板をランプ取付面に取着するときの光量分布を示す図である。

以下、添付図面に基づき、本発明の好適な実施形態についてより詳細に詳述する。しかしながら、本発明は以下に開示される実施形態に限定されるものではなく、異なる様々な形態に具体化可能であり、単に、これらの実施形態は、本発明の開示を完全たるものにし、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものである。なお、図中、同じ符号は同じ構成要素を示す。

図２は、本発明の実施形態により熱処理を行う基板処理装置の断面図であり、図３は、本発明の実施形態による加熱ブロックのランプ取付面を示す図であり、図４は、本発明の実施形態により加熱ブロックのランプ取付溝に配設される加熱ランプの斜視図である。

熱処理チャンバ１００は内部空間を有するが、このような内部空間は、熱処理対象となる基板に対して熱処理が行われる熱処理空間である。このような熱処理空間の内部に基板が載置される。このために、熱処理チャンバ１００は中空の密閉された四角筒状に製作されるが、本発明はこれに何ら限定されることなく、様々な筒状、すなわち、円筒状や多角筒状に製作可能である。また、熱処理チャンバ１００の一方の面及び他方の面のそれぞれには基板の出入りのためのゲート１１０が設けられ、ゲートは基板搬送モジュール（図示せず）に連結される。なお、熱処理チャンバ１００の側面には排気口１２０が設けられる。

熱処理チャンバ１００は、内側に基板Ｓを支持する基板支持台２００を備える。基板支持台２００は様々な形状を呈する。また、基板支持台２００がエッジリングにより実現される場合、エッジリングは、熱処理空間の内部における加熱ブロック４００との対向位置に基板を載置する。基板支持台２００は、昇降力を提供する手段、例えば、シリンダに連結される。ところが、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、基板を基板支持台２００に支持可能なものであれば、様々な手段、例えば、静電気力（静電チャック）または真空吸着力を利用する手段が基板支持台２００として採用可能である。参考までに、基板Ｓは、アクティブマトリクス式有機発光ダイオード（ＡＭＯＬＥＤ）、太陽光、発光ダイオード（ＬＥＤ：ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）、半導体など工程上熱処理を必要とする熱処理対象体である。なお、ここで、基板支持台２００は、内部に垂直方向に移動する複数のリフトピン２１０を備える。

ガス噴射部３００は、熱処理空間の内部に雰囲気ガスを噴射する。ガス噴射部は、熱処理が行われるときの雰囲気ガス、例えば、Ｎ₂ガスを熱処理チャンバ１００の内部である熱処理空間に噴射する。参考までに、熱処理チャンバ１００内の熱処理空間に噴射されたガスは、熱処理チャンバ１００に形成された排気口１２０を介して外部に排出される。

加熱ブロック４００は、熱エネルギーを発生させる多数の加熱ランプ６００を備えて、向かい合う下側に置かれた基板を加熱する。加熱ブロック４００は、上部扉状を呈し、熱処理チャンバ１００の上部を密閉して、外部環境（圧力、汚染物質）から熱処理チャンバ１００を保護する。場合によって、加熱ブロック４００及び熱処理チャンバ１００は封止材によって密閉性を補完する。なお、加熱ブロック４００は下部または側面に配設され、これにより、基板は向かい合う位置に置かれる。

加熱ブロック４００は、基板Ｓと向かい合うランプ取付面４００ａを有するが、このようなランプ取付面４００ａには多数のランプ取付溝４１０が刻設される。参考までに、ランプ取付溝４１０に取り付けられる加熱ランプ６００は、図４に示すように、フィラメントを内部に備えて輻射熱を透過させるランプ胴体６３０と、ランプ胴体６３０を固定するランプ支持部６２０と、ランプ支持部６２０に接続されて外部電源が印加されるランプソケット６１０と、を備える。

ランプ胴体６３０は、中空管状（すなわち、チューブ状）、例えば、Ｔ字状や直線形チューブ状に製作されることが好ましい。もちろん、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、曲線状、円形帯状または楕円形帯状に製作可能である。また、ランプ胴体６３０は、ガラスまたは石英を用いて製作する。これにより、輻射熱を損失なしに透過させることができる。なお、ランプ胴体６３０の内部には不活性ガス（例えば、ハロゲン、アルゴン）が充填されることが好ましい。

また、加熱ランプ６００は、図４に示すように、ランプ胴体６３０と、ランプ支持部６２０及びランプソケット６１０が取り外し可能な構造を有するが、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、別途のランプソケット６１０なしに外部から電源が印加されるランプ支持部６２０及びランプ胴体６３０が一体に形成される構造を有していてもよい。参考までに、加熱ランプ６００は、加熱ブロック４００のランプ取付面４００ａの反対側の面に形成された加熱ランプ嵌入口（図示せず）を介して着脱される。

個別透光板５００は、各ランプ取付溝４１０に設けられた加熱ランプ６００から発せられる光を透過させるが、各ランプ取付溝４１０ごとに設けられる。従来には、図１に示すように、透光板の役割を果たすウィンドウ３０が熱処理チャンバ２０と加熱ブロック１０との間に単一板状に配設されていた。このように、ウィンドウ３０が単一板状に配設される場合、大型基板に対して熱処理を行うチャンバに適用することができないという問題がある。このような問題を解消するために、本発明の実施形態においては、各ランプ取付溝４１０ごとに個別透光板５００を設けて、大型基板に対して熱処理を行うチャンバに適用できるようにしている。

個別透光板５００は、各ランプ取付溝４１０から発生するパーティクルが基板に落下することを防いで汚染源から基板を保護するとともに、各ランプ取付溝４１０に取り付けられた加熱ランプ６００の光を透過させて基板に伝える。

個別透光板５００の材質としては、石英、サファイアなど光を透過させるものが採用可能である。個別透光板５００の材質として石英を採用する場合、加熱ランプ６００の主な波長帯域である１μｍ〜４μｍの光波長を９０％以上透過させる。また、個別透光板５００の材質としてサファイアを採用する場合、所望の波長帯の光を選択的に透過させる。

ランプ取付溝４１０ごとに個別透光板５００が嵌合されなければならないが、このために、図５に示すように、各ランプ取付溝４１０の内部面に雌ねじ山４１１を形成して、個別透光板５００がランプ取付溝４１０の内部面に形成された雌ねじ山４１１に螺合されるようにする。このために、個別透光板５００の周面に雄ねじ山５０１を形成して、個別透光板５００の雄ねじ山５０１とランプ取付溝４１０の内部面に形成された雌ねじ山４１１を螺合する。

一方、ランプ取付溝４１０の内部面には別途のリフレクタ４２０が配設される。リフレクタ４２０は照明用の反射板であり、ランプ取付溝４１０の内部面を取り囲み、加熱ランプ６００から発せられる光を反射する。このため、リフレクタ４２０は、ランプ取付溝４１０の内部に配設された加熱ランプ６００から発せられる光を反射して、反射された光を個別透光板５００に向かわせる。このようにランプ取付溝４１０にリフレクタ４２０が設けられる場合には、図６に示すように、リフレクタ４２０の表面に雌ねじ山４２１を形成する。したがって、個別透光板５００の雄ねじ山５０１とリフレクタ４２０の表面に形成された雌ねじ山４２１を螺合して、個別透光板５００をランプ取付溝４１０に嵌合することができる。

一方、図５及び図６に示すように、別途の固定手段なしに個別透光板５００をランプ取付溝４１０に直接的に嵌合してもよいが、他の実施形態においては、図７及び図９に示すように、別途の固定リングを用いて個別透光板５００をランプ取付溝４１０に嵌合してもよい。

図７に示すように、ランプ取付溝４１０の内部面に形成された段差４１５に雄ねじ山５５１が形成された周面を有する固定リング５５０を係合して個別透光板５００をランプ取付溝４１０に嵌合する。すなわち、段差４１５に個別透光板５００を嵌設した後、固定リング５５０の雄ねじ山５５１とランプ取付溝４１０の内部面に形成された雌ねじ山４１１を螺合する。参考までに、固定リング５５０は、図８に示すように、ランプ取付溝４１０に嵌め込まれる直径を有し、固定リング５５０の周面に雄ねじ山が形成されている。参考までに、段差の構造は、図９に示すように、リフレクタ４２０を有するランプ取付溝４１０にも同様に適用可能である。

参考までに、上述した図５、図６、図７及び図９に示すように、個別透光板５００をランプ取付溝４１０に嵌抜自在に嵌合することにより、個別透光板５００を抜脱して周期的に洗浄を行うことができる。なお、個別透光板５００が破損したときに個別透光板５００を容易に取り替えることができる。

一方、個別透光板５００の表面は、波長帯域別に選択的に光を透過させる帯域別透光フィルムで選択的に被覆される。また、基板処理工程に応じて透過させようとする光波長帯域を異ならせる。このため、所望の光波長帯域を透過させる帯域別透光フィルムで個別透光板５００を被覆して様々な光波長帯域の熱処理を行うことができる。参考までに、「波長帯域別に選択的に光を透過させる帯域別透光フィルム」とは、異なる波長帯域の光を透過させる帯域別透光フィルムのことをいう。なお、「帯域別透光フィルムで選択的に被覆される」とは、異なる波長帯域の光を透過させる多数の帯域別透光フィルムで個別透光板５００の表面を選択的に組み合わせて被覆するということを意味する。

また、加熱ブロック４００のランプ取付面４００ａに刻設されたランプ取付溝４１０のうちの一部のランプ取付溝４１０に帯域別透光フィルムで選択的に被覆された個別透光板５００が嵌合され、残りのランプ取付溝４１０に帯域別透光フィルムで被覆されていない個別透光板５００が嵌合される。このため、加熱ブロック４００に刻設された多数のランプ取付溝４１０は、帯域別透光フィルムで被覆された個別透光板５００が嵌合されたランプ取付溝（被覆済み取付溝）と、帯域別透光フィルムで被覆されていない個別透光板５００が嵌合されたランプ取付溝（未被覆の取付溝）とに分けられる。例えば、多数のランプ取付溝４１０のうち偶数番目のラインにあるランプ取付溝４１０に帯域別透光フィルムで被覆された個別透光板５００を嵌合し、残りの奇数番目のラインにあるランプ取付溝４１０に帯域別透光フィルムで被覆されていない円板状の個別透光板５００を嵌合する。

一方、個別透光板５００は、凸状レンズ状を呈する凸状レンズ個別透光板５００ａ及び凹状レンズ状を呈する凹状レンズ個別透光板５００ｂのうちのいずれか一方以上を備える。一般に、凸状レンズの場合、図１０（ａ）に示すように、入射する光を集光して反対側の出射面を介して出射し、凹状レンズの場合、図１０（ｂ）に示すように、入射する光を拡散させて反対側の出射面を介して出射する。このため、本発明の実施形態においては、このような凸状レンズや凹状レンズの光学特性を用いて基板に対して熱処理を効率よく行うことができる。

本発明の基板処理装置は、加熱ブロック４００のランプ取付面４００ａに刻設されたランプ取付溝４１０のうちの一部のランプ取付溝４１０に凸状レンズ状を呈する凸状レンズ個別透光板が嵌合され、残りのランプ取付溝４１０に凹状レンズ状を呈する凹状レンズ個別透光板が嵌合されるように実現可能である。このため、加熱ブロック４００に刻設された多数のランプ取付溝４１０は、凸状レンズ個別透光板５００ａが嵌合されるランプ取付溝（凸状レンズ取付溝）と、凹状レンズ個別透光板５００ｂが嵌合されるランプ取付溝（凹状レンズ取付溝）と、からなる。

図１１は、加熱ブロックのランプ取付面４００ａの最外縁部に配設されるランプ取付溝の領域Ｓ１にのみ凸状レンズ個別透光板５００ａが嵌合され、残りのランプ取付溝には凹状レンズ個別透光板５００ｂが嵌合されたランプ取付面４００ａを示す図である。図１１に示す構造を有する場合、ランプ取付面４００ａの周縁部において光が拡散されることなく集光され、その結果、図１２に示すように、ランプ取付面４００ａの全面積に亘って均一な光量が照射されるので、基板に均一な光量が提供される。参考までに、ランプ取付面４００ａの周縁部ではなく、中心部に配設された凹状レンズは光を拡散させて光量を均一に照射する。

もし、加熱ブロックのランプ取付面にレンズ構造ではなく、通常の平面構造の透光板を適用する場合、図１３に示すように、ランプ取付面の周縁部から出射される光が横に拡散されて均一な光量を照射することができない。

以上、添付図面及び上述した好適な実施形態を参照して、本発明に係る基板処理装置について詳細に説明したが、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、後述する特許請求の範囲によって限定される。よって、この技術分野における通常の知識を有する者であれば、後述する特許請求の範囲の技術的思想から逸脱しない範囲内において本発明を種々に変形及び修正することができる筈である。

１００：熱処理チャンバ
２００：基板支持台
３００：ガス噴射器
４００：加熱ブロック
５００：個別透光板
６００：加熱ランプ

Claims

基板に対して熱処理を行う空間を有する熱処理チャンバと、
前記熱処理空間において前記基板を支持する基板支持台と、
前記基板と向かい合うランプ取付面に刻設された多数のランプ取付溝ごとに加熱ランプが取り付けられている加熱ブロックと、
前記ランプ取付溝ごとに設けられて前記加熱ランプから発せられる光を透過させる個別透光板と、
各ランプ取付溝の内部面に形成される雌ねじ山と、
前記ランプ取付溝の内部面を取り囲み、前記加熱ランプから発せられる光を反射するリフレクタと、
を備え、
前記雌ねじ山は、前記リフレクタの表面に形成される、基板処理装置。
前記個別透光板の周面に形成される雄ねじ山をさらに備え、前記個別透光板の雄ねじ山と前記雌ねじ山を螺合することにより前記個別透光板がランプ取付溝に嵌合される請求項１に記載の基板処理装置。
前記ランプ取付溝の内部面に形成される段差をさらに備える請求項１に記載の基板処理装置。
雄ねじ山が形成された周面を有する固定リングをさらに備え、前記段差に前記個別透光板を嵌設した後に前記固定リングの雄ねじ山と前記雌ねじ山を螺合することにより前記個別透光板が前記ランプ取付溝に嵌合される請求項３に記載の基板処理装置。
前記個別透光板は、波長帯域別に選択的に光を透過させる帯域別透光フィルムで前記個別透光板の表面が選択的に被覆される請求項１に記載の基板処理装置。
前記加熱ブロックのランプ取付面に刻設されたランプ取付溝のうちの一部のランプ取付溝に前記帯域別透光フィルムで選択的に被覆された個別透光板が嵌合される請求項５に記載の基板処理装置。
基板に対して熱処理を行う空間を有する熱処理チャンバと、
前記熱処理空間において前記基板を支持する基板支持台と、
前記基板と向かい合うランプ取付面に刻設された多数のランプ取付溝ごとに加熱ランプが取り付けられている加熱ブロックと、
前記ランプ取付溝ごとに設けられて前記加熱ランプから発せられる光を透過させ、凸状レンズ状を呈する凸状レンズ個別透光板及び凹状レンズ状を呈する凹状レンズ個別透光板のうちのいずれか一方以上を有する個別透光板と、
各ランプ取付溝の内部面に形成される雌ねじ山と、
前記ランプ取付溝の内部面を取り囲み、前記加熱ランプから発せられる光を反射するリフレクタと、
を備え、
前記雌ねじ山は、前記リフレクタの表面に形成される、基板処理装置。
前記加熱ブロックのランプ取付面に刻設されたランプ取付溝のうちの一部のランプ取付溝に前記凸状レンズ個別透光板が嵌合され、残りのランプ取付溝に前記凹状レンズ個別透光板が嵌合される請求項７に記載の基板処理装置。
前記加熱ブロックのランプ取付面の最外縁部に配設されるランプ取付溝にのみ前記凸状レンズ個別透光板が嵌合され、残りのランプ取付溝には前記凹状レンズ個別透光板が嵌合される請求項７に記載の基板処理装置。