ES2233055T3 - Procedimientos para grabar una capa que contiene aluminio. - Google Patents

Procedimientos para grabar una capa que contiene aluminio.

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Abstract

Un procedimiento para el grabado de porciones seleccionadas de una capa que contiene aluminio de un apilamiento de capas, estando dicho apilamiento de capas dispuesto sobre un substrato, estando dicha capa que contiene aluminio dispuesta debajo de una máscara de fotoresist que tiene un esquema sobre la misma, el cual comprende: proporcionar una cámara de tratamiento con plasma; posicionar dicho substrato que tiene sobre él dicho apilamiento de capas, incluyendo dicha capa que contiene aluminio y dicha máscara de fotoresist, dentro de dicha cámara de tratamiento con plasma; hacer fluir una fuente gaseosa grabadora que comprende HCl, una fuente gaseosa que contiene cloro y una fuente gaseosa que contiene oxígeno, dentro de dicha cámara de tratamiento con plasma; en la que un caudal de flujo de dicha fuente gaseosa que contiene oxígeno es menos del 20 por ciento de un caudal de flujo total de dicha fuente gaseosa grabadora, y en la que dicha fuente gaseosa grabadora está substancialmente librede BCl3; ignición de un plasma de dicha fuente gaseosa grabadora, en la que dicho plasma se usa para grabar al menos parcialmente a través de dicha capa que contiene aluminio.

Description

Procedimientos para grabar una capa que contiene aluminio.
Fundamentos de la invención
La presente invención se refiere al tratamiento de substratos semiconductores. Más particularmente, la presente invención se refiere a procedimientos para mejorar los resultados del grabado mientras se graba a través de una capa que contiene aluminio.
En el tratamiento de semiconductores, pueden formarse dispositivos tales como componentes transistores sobre una oblea o substrato semiconductor, el cual está hecho típicamente de silicio. Las líneas de interconexión metálicas, las cuales típicamente se graban a partir de una capa que contiene aluminio dispuesta encima del substrato, pueden, a continuación, usarse para unir los dispositivos entre sí para formar el circuito deseado.
Para facilitar la explicación, la Figura 1 ilustra una vista en sección transversal de un apilamiento de capas 20, el cual representa algunas de las capas formadas durante la fabricación de un circuito integrado semiconductor típico. Aunque lo expuesto aquí es un circuito integrado (CI) semiconductor con el fin de facilitar su entendimiento, la presente exposición abarca igualmente a substratos usados para fabricar otros componentes electrónicos, p. ej., paneles de vidrio usados para fabricar pantallas de panel plano. Es necesario indicar que pueden estar presentes otras capas adicionales encima, debajo, o entre las capas mostradas. Además, no todas las capas mostradas precisan necesariamente estar presentes y algunas o la totalidad pueden ser substituidas por otras capas diferentes.
En la parte inferior del apilamiento de capas 20, se muestra un substrato 100. Encima del substrato 100, puede formarse una capa de óxido 102, típicamente constituída por SiO_{2}. Entre la capa 102 y una capa de metalización posteriormente depositada 106, puede disponerse una capa barrera 104, típicamente formada por una capa que contiene titanio tal como Ti, TiW, TiN u otros materiales barrera adecuados. En el caso de la Figura 1, la capa barrera 104 representa una estructura bi-capa, la cual incluye una capa de Ti situada debajo de una capa de TiN. La capa barrera 104, en los casos en que esta existe, funciona con el fin de prevenir la difusión de los átomos de silicio desde la capa de óxido 102 al interior de la capa que contiene aluminio.
La capa que contiene aluminio 106 puede representar una capa de aluminio puro o puede representar una capa formada por una de las aleaciones de aluminio conocidas tales como Al-Cu, Al-Si, o Al-Cu-Si. Las dos capas restantes de la Figura 1, es decir, una capa de recubrimiento antireflectiva (ARC) 108 y una capa de fotoresist (PR) 110 depositada encima, pueden formarse, a continuación, encima de la capa que contiene aluminio 106. La capa ARC 108, la cual comprende, típicamente, otra capa que contiene titanio tal como TiN o TiW, puede ayudar a prevenir que la luz (p. ej., procedente de la etapa de litografía que copia el esquema del fotoresist) sea reflejada y dispersada por la superficie de la capa que contiene aluminio 106.
La capa de fotoresist 110 representa una capa de material fotoresist convencional, con el cual puede formarse un esquema para su grabado, p. ej., mediante exposición a rayos ultravioletas. Tal como resultará obvio, las capas de interés particular para la presente invención son la capa que contiene aluminio 106 y la capa de fotoresist 110, siendo todas las otras capas opcionales. Las capas del apilamiento de capas 20 son fácilmente reconocibles por los expertos en la técnica y pueden formarse usando cualquiera de entre un cierto número de procedimientos de deposición adecuados y conocidos, incluyendo la deposición química en fase vapor (CVD), la deposición química en fase vapor potenciada por plasma (PECVD), y la deposición física en fase vapor (PVD) tal como la proyección de partículas.
Para formar las líneas de interconexión metálicas anteriormente mencionadas, una porción de las capas del apilamiento de capas, incluyendo la capa que contiene aluminio 106, pueden grabarse usando una técnica de fotoresist adecuada. A modo de ejemplo, una de dichas técnicas de fotoresist implica el copiado del esquema de la capa de fotoresist 110 mediante la exposición del material de fotoresist con un sistema de litografía por etapas o de contacto, y el revelado del material de fotoresist para formar una máscara con el fin de facilitar el grabado posterior. Usando un grabador apropiado, las áreas de la capa que contiene aluminio que están sin proteger por la máscara, pueden, a continuación, ser grabadas usando una fuente gaseosa grabadora apropiada, dejando después de esto esquemas o líneas interconectados que contienen aluminio. A modo de ejemplo, un grabador comúnmente usado para el grabado por plasma de la capa de aluminio es una mezcla de Cl_{2} y BCl_{3}.
Con el fin de lograr una mayor densidad de circuitos, se han reducido a menor escala dispositivos semiconductores modernos con geometrías de grabado cada vez más próximas. Como resultado de ello, los tamaños de los esquemas, es decir, la anchura de las líneas de interconexión o los espaciamientos (p. ej. surcos) entre líneas de interconexión adyacentes, han disminuido continuamente. A modo de ejemplo, aunque una anchura de línea de aproximadamente 0,8 micrómetros (\mum) se considera aceptable en un CI de memoria de acceso aleatoria dinámica (DRAM) de 4 megabit (Mb), los CI de DRAM de 256 Mb usan preferiblemente líneas de interconexión tan finas como de 0,25 micrómetros o incluso más finas.
Las geometrías de grabado cada vez más comprimidas presentan, sin embargo, muchos retos para los ingenieros de procedimiento. Conforme los esquemas se hacen más pequeños y la máscara de fotoresist se vuelve progresivamente más delgada, llega a ser crecientemente más importante procedimientos de grabado que puedan proporcionar resultados de grabado satisfactorios. Esto es debido a que los resultados procedentes de los procedimientos de grabado con Cl_{2}/BCl_{3} de la técnica anterior, tienden a degradarse cuando el tamaño del esquema disminuye por debajo de un cierto punto.
A modo de ejemplo, la selectividad del fotoresist es un resultado del grabado que los ingenieros de procedimiento constantemente se esfuerzan por mejorar. La selectividad del fotoresist se refiere a la capacidad de un procedimiento de grabado dado para discriminar entre la capa objetivo a grabar (la capa que contiene aluminio en este caso) y la máscara de fotoresist. La selectividad del fotoresist se expreasa frecuentemente en términos de la velocidad de grabado a través de la capa objetivo frente a la velocidad de grabado de la máscara de fotoresist. La selectividad del fotoresist es absolutamente importante puesto que la máscara de fotoresist usada en la fabricación de dispositivos semiconductores modernos es completamente fina. Si un procedimiento de grabado elegido tiene una selectividad de fotoresist demasiado baja, la máscara de fotoresist puede consumirse antes de completarse el grabado, dando lugar a que se produzcan daños del grabado en regiones que están por debajo de la capa que contiene aluminio en las cuales no se desea el grabado.
El residuo de micromáscara es otro resultado importante del grabado que precisa atención. En general, es deseable que el procedimiento de grabado elegido no deje residuos no deseados o subproductos del grabado sobre la superficie del substrato después del grabado. Esto es debido a que la presencia del residuo no deseado puede interferir con las etapas posteriores del procedimiento y/o con la característica propia del dispositivo semiconductor resultante. Otro parámetro importante del grabado es la velocidad de grabado a través de la capa que contiene aluminio. Puesto que una mayor velocidad de grabado del aluminio es ventajosa desde un punto de vista del costo del productor (es decir, el costo de producción por substrato), es generalmente deseable una mayor velocidad de grabado del aluminio.
Otro resultado aún importante del grabado es el microcargado del perfil. El microcargado del perfil se produce dado que el grabado que tiene lugar en los espaciamientos estrechos pueden diferir de los que se producen en las regiones de entornos abiertos. Esta diferencia puede ocasionar que el perfil de la pared lateral de los esquemas en la región densa adopte una forma diferente del perfil de la pared lateral de esquemas en la región de entorno abierto. Con referencia a la Figura 2, por ejemplo, se observa en ella que el microcargado del perfil ocasiona una pared lateral 202 y una pared lateral 206 en la región de entorno abierto que adopta un perfil más en forma cónica que en la pared lateral más vertical 204 en la región densa. En este ejemplo, la Figura 2 representa el resultado después de que el apilamiento de capas de la Figura 1 ha sido grabado con la fuente gaseosa grabadora a base de Cl_{2}/BCl_{3} de la técnica anterior en una cámara de tratamiento con plasma. Dado que el microcargado del perfil representa una aberración en la dimensión crítica de los esquemas grabados, es generalmente deseable minimizar el microcargado del perfil. Estos y otros resultados del grabado son representativos de los resultados del grabado que los ingenieros de procedimiento constantemente se esfuerzan en optimizar para cumplir el reto de fabricar dispositivos semiconductores modernos altamente densos.
Resumen de la invención
La invención se refiere a un procedimiento de acuerdo con las Reivindicaciones 1-13, para el grabado de porciones seleccionadas de una capa que contiene aluminio de un apilamiento de capas que está dispuesto sobre un substrato.
Esta y otras ventajas de la presente invención resultarán evidentes a partir de la lectura de las descripciones detalladas siguientes y del estudio de las diversas figuras de los dibujos.
Breve descripción de los dibujos
La presente invención se ilustra a modo de ejemplo, y no a modo de limitación, en las figuras de los dibujos adjuntos, los cuales no están dibujados a escala con el fin de simplificar la ilustración, y en los cuales números de referencia iguales se refieren a elementos similares.
La Figura 1 ilustra una vista en sección transversal de un apilamiento de capas, que representa las capas formadas durante la fabricación de un CI semiconductor típico.
La Figura 2 ilustra una vista en sección transversal de un apilamiento de capas de la Figura 1 después de que la capa que contiene aluminio se ha grabado usando el procedimiento químico de Cl_{2}/BCl_{3}.
La Figura 3 ilustra una vista en sección transversal de un apilamiento de capas de la Figura 1 después de que la capa que contiene aluminio se ha grabado usando el procedimiento químico de la invención, el cual incluye HCl, una fuente gaseosa que contiene cloro, y una fuente gaseosa que contiene oxígeno.
La Figura 4A es una gráfica que ilustra la relación entre la velocidad de grabado del fotoresist y el caudal de flujo de oxígeno (expresado como un porcentaje del caudal de flujo total de la mezcla HCl/Cl_{2}/O_{2}) cuando no se encuentra presente aluminio.
La Figura 4B es una gráfica que ilustra la relación entre la velocidad de grabado del aluminio, la velocidad de grabado del fotoresist y el caudal de flujo de oxígeno (expresado como un porcentaje del caudal de flujo total de la mezcla HCl/Cl_{2}/O_{2}) cuando se graba la capa de aluminio.
La Figura 5 es una gráfica que ilustra la relación entre el residuo y el caudal de flujo de oxígeno (expresado como un porcentaje del caudal de flujo total de la mezcla HCl/Cl_{2}/O_{2}) mientras se está grabando a través de una capa que contiene aluminio para un grabado a modo de ejemplo que usa el régimen de grabado descrito en la invención.
La Figura 6 es una gráfica que ilustra la relación entre la velocidad de grabado del fotoresist y el caudal de flujo de oxígeno (expresado como un porcentaje del caudal de flujo total de la mezcla HCl/Cl_{2}/O_{2}) mientras se está grabando a través de una capa que contiene aluminio para un grabado a modo de ejemplo que usa el régimen de grabado descrito en la invención.
La Figura 7 es una gráfica que ilustra la relación entre la selectividad del fotoresist y el caudal de flujo de oxígeno (expresado como un porcentaje del caudal de flujo total de la mezcla HCl/Cl_{2}/O_{2}) mientras se está grabando a través de una capa que contiene aluminio para un grabado a modo de ejemplo que usa el régimen de grabado descrito en la invención.
La Figura 8 es una gráfica que ilustra la relación entre el microcargado del perfil y el caudal de flujo de oxígeno (expresado como un porcentaje del caudal de flujo total de la mezcla HCl/Cl_{2}/O_{2}) mientras se está grabando a través de una capa que contiene aluminio para un grabado a modo de ejemplo que usa el régimen de grabado descrito en la invención.
Descripción detallada de las realizaciones preferidas
La presente invención se describe ahora en detalle con referencia a unas pocas realizaciones preferidas de la misma tal como se ilustra en los dibujos adjuntos. En la siguiente descripción, se fijan numerosos detalles específicos con el fin de proporcionar un conocimiento completo de la presente invención. No obstante, resultará obvio para un experto en la técnica que la presente invención puede ponerse en práctica sin algunos o la totalidad de estos detalles específicos. En otros casos, no se han descrito con detalle etapas y/o estructuras de procedimientos bien conocidos con el fin de no obscurecer innecesariamente la presente invención.
De acuerdo con un aspecto de la invención, el grabado a través de la capa que contiene aluminio se optimiza grabando el substrato en una cámara de tratamiento con plasma usando una fuente gaseosa grabadora que incluye HCl, una fuente gaseosa que contiene cloro y una fuente gaseosa que contiene cloro. Tal como este término se usa aquí, la fuente gaseosa que contiene cloro representa cualquier gas que contenga cloro, tal como, por ejemplo, Cl_{2}, CCl_{4}, o similar (pero no HCl). La fuente gaseosa que contiene oxígeno puede incluir CO, CO_{2}, NO_{x}, O_{2}, o similares (bien solos o en combinación con un diluyente tal como N_{2}, Ar, o preferiblemente He, o similares). En una realización preferida, la fuente gaseosa grabadora usada incluye HCl, Cl_{2} y O_{2}, estando el flujo de O_{2} limitado por debajo de aproximadamente el 20% del flujo gaseoso total dentro de la cámara de tratamiento con plasma. En el régimen descrito de parámetros de grabado, se ha encontrado que, en presencia de aluminio expuesto, la adición del O_{2} gaseoso reduce sorprendentemente la velocidad de grabado del fotoresist.
La reducción de la velocidad de grabado del fotoresist se dice que es sorprendente dado que la máscara de fotoresist está típicamente basada en compuestos orgánicos, y la adición de un gas que contiene oxígeno que se disocia y forma plasma de oxígeno debería por ello acelerar el quemado o eliminación del fotoresist. De hecho, el oxígeno se ha usado ampliamente en la técnica anterior como una de las fuentes gaseosas usadas en los procedimientos de decapado posterior del fotoresist, es decir, los procedimientos diseñados para grabar rápidamente a continuación la máscara de fotoresist.
El autor de la presente invención ha confirmado igualmente que en una oblea de ensayo, es decir una cubierta en la que únicamente se ha depositado fotoresist (es decir, sin una capa que contenga aluminio debajo), la adición de O_{2} dentro de la mezcla de HCl/Cl_{2} acelera realmente la velocidad de grabado del fotoresist. Este resultado esperado se muestra en la Figura 4, en la que se muestra la velocidad de grabado del fotoresist sobre una oblea de ensayo que tiene encima de ella únicamente una capa de fotoresist depositado en la línea I de la cubierta con relación al caudal de flujo de oxígeno (expresado como un porcentaje del caudal de flujo total de la mezcla HCl/Cl_{2}/O_{2}). Tal como puede observarse en la Figura 4A, al incrementarse el caudal de flujo de oxígeno se incrementa la velocidad de grabado del fotoresist en esta situación.
Sin embargo, los datos experimentales muestran que, dadas las condiciones del procedimiento en su totalidad, el incremento del caudal de flujo del O_{2} gaseoso en la invención y el régimen de grabado descrito, ayuda de hecho a disminuir la velocidad de grabado del fotoresist cuando la capa que contiene aluminio es la capa objetivo a grabar. Esto puede observarse en la representación de la Figura 4B en la que la velocidad de grabado del aluminio y la velocidad de grabado del fotoresist se representan para un grabado a modo de ejemplo que usa la receta HCl/Cl_{2}/O_{2} de la invención. Para el ejemplo de la Figura 4B, la velocidad de grabado del aluminio y la velocidad de grabado del fotoresist se comportan tal como se esperaba cuando el caudal de flujo de oxígeno está por encima del punto de ruptura (aproximadamente 5% del volumen de flujo total en el ejemplo de la Figura 4B). Es decir, la velocidad de grabado del aluminio disminuye (debido a la formación de Al_{2}O_{3} relativamente estable) y la velocidad de grabado del fotoresist aumenta al aumentar el flujo de oxígeno. Curiosamente, la velocidad de grabado del aluminio y la velocidad de grabado del fotoresist se comportan de una manera totalmente inesperada cuando el flujo de oxígeno está por debajo del punto de ruptura (aproximadamente 5% del volumen de flujo total en el ejemplo de la Figura 4B). Es decir, en el régimen en el que el caudal de flujo de oxígeno está por debajo del punto de ruptura, la velocidad de grabado del aluminio no disminuye mientras que la velocidad de grabado del fotoresist realmente disminuye.
La fuente gaseosa grabadora está substancialmente libre de BCl_{3}. En otras palabras, se han logrado buenos resultados de grabado en términos de la velocidad de grabado del aluminio, selectividad del fotoresist, microcargado del perfil, residuos de micromáscaras, y similares, con la adición de O_{2} usando el régimen de grabado descrito y en ausencia de BCl_{3}. Esto se cumple, incluso aunque no se encuentre BCl_{3} para pasivar los esquemas de grabado, tal como es el caso del grabado con Cl_{2}/BCl_{3} de la técnica anterior.
La ausencia de residuos de óxido de aluminio es igualmente otro sorprendente hallazgo del procedimiento de grabado de la invención. En general, el óxido de aluminio es un compuesto muy estable. Al margen del área de los semiconductores, es ampliamente conocido que el óxido de aluminio permite que los componentes de aluminio sean altamente resistentes a los daños por corrosión dado que el recubrimiento duradero de óxido de aluminio, que se forma cuando el aluminio reacciona con el oxígeno del medio ambiente, recubre la superficie del aluminio y detiene cualquier corrosión posterior. Puesto que dentro de la mezcla de fuente gaseosa grabadora se introduce una fuente gaseosa que contiene oxígeno, sería de esperar que el óxido de aluminio, el cual es igualmente relativamente no volátil, se formaría y existiría un residuo de óxido de aluminio sobre la superficie de la oblea después del grabado. Sin embargo, en el régimen de grabado aquí descrito, existe sorprendentemente poco, si es que existe alguno, residuo formado sobre la superficie del substrato después del grabado.
Aunque no es completamente conocido el motivo por el cual la velocidad de grabado del fotoresist aumenta en ausencia de aluminio y disminuye cuando se encuentra presente aluminio, el autor de la presente invención especula que la sorprendente ausencia de residuos de óxido de aluminio puede explicarse por el relativamente bajo flujo de la fuente gaseosa que contiene oxígeno (que limita la velocidad de formación de cualquier residuo de óxido de aluminio), así como el apropiado ajuste de la orientación del portaelectrodo (que controla la velocidad a la cual la superficie del substrato es bombardeada durante el grabado). Mediante el encuentro de un balance cuidadoso entre la velocidad de formación de óxido de aluminio (así como de otro residuo) y la velocidad a la cual los residuos son proyectados en forma de partículas fuera de la superficie del substrato, puede obtenerse un resultado de grabado substancialmente libre de residuos.
De hecho, se estima que el caudal de flujo de la fuente gaseosa que contiene oxígeno juega un papel crucial en el éxito del grabado del aluminio. Con el fin de evitar la presencia de residuos después del grabado, el caudal de flujo de la fuente gaseosa que contiene oxígeno está por debajo de aproximadamente el 20% (pero no el 0%) del caudal de flujo de la fuente gaseosa grabadora total, más preferiblemente por debajo de aproximadamente 10% (pero no el 0%) y lo más preferiblemente entre aproximadamente 2% y aproximadamente 4%.
Las Figuras 5-8 ilustran algunos de los resultados de grabado para un ejemplo de grabado en el que se usa una mezcla de HCl/Cl_{2} y O_{2} como la fuente gaseosa grabadora en una cámara de tratamiento con plasma de alta densidad, a baja presión, acoplada inductivamente. La Figura 5 representa la relación entre el residuo remanente (mostrado en una escala arbitraria sobre el eje de las y) y el caudal de flujo de oxígeno (expresado como un porcentaje del caudal de flujo total sobre el eje de las x) para una receta a modo de ejemplo. Tal como puede observarse, el residuo aumenta significativamente cuando aumenta el caudal de flujo de oxígeno. Por debajo de un cierto caudal de flujo (4% en el Ejemplo de la Figura 5), el residuo está sin embargo sorprendentemente preferiblemente por debajo de aproximadamente 10% (pero no el 0%) y lo más preferiblemente entre aproximadamente 2% y aproximadamente 4%.
Las Figuras 5-8 ilustran algunos de los resultados del grabado para un ejemplo de grabado en el que se usa una mezcla de HCl/Cl_{2} y O_{2} como la fuente gaseosa grabadora en una cámara de tratamiento con plasma de alta densidad, a baja presión, acoplada inductivamente. La Figura 5 representa la relación entre el residuo remanente (mostrado en una escala arbitraria sobre el eje de las y) y el caudal de flujo de oxígeno (expresado como un porcentaje del caudal de flujo total sobre el eje de las x) para una receta a modo de ejemplo. Tal como puede observarse, el residuo aumenta significativamente cuando aumenta el caudal de flujo de oxígeno. Por debajo de un cierto caudal de flujo (4% en el Ejemplo de la Figura 5), el residuo está sin embargo sorprendentemente ausente. La Figura 6 representa la relación entre la velocidad de grabado del fotoresist (en angstroms por minuto) y el caudal de flujo de oxígeno (nuevamente expresado como un porcentaje del caudal de flujo total). Tal como puede observarse en el ejemplo de la Figura 6, la velocidad de grabado del fotoresist disminuye sorprendentemente cuando aumenta el caudal de flujo de oxígeno en el régimen mostrado (p. ej., entre aproximadamente 2% y aproximadamente 6% en el ejemplo de la Figura 6).
La Figura 7 representa la relación entre la selectividad del fotoresist (es decir, la velocidad de grabado del aluminio con relación a la velocidad de grabado del fotoresist) y el caudal de flujo de oxígeno (nuevamente expresado como un porcentaje del caudal de flujo total). Tal como muestra el ejemplo de la Figura 7, la selectividad del fotoresist aumenta cuando aumenta el caudal de flujo de oxígeno en el ejemplo de régimen de la figura (es decir, entre aproximadamente 2% y aproximadamente 6%).
La Figura 8 representa la relación entre el microcargado del perfil y el caudal de flujo de oxígeno (nuevamente expresado como un porcentaje del caudal de flujo total). Tal como muestra el ejemplo de la Figura 8, el microcargado del perfil disminuye cuando aumenta el caudal de flujo de oxígeno en el ejemplo de régimen de la figura (es decir, entre aproximadamente 2% y aproximadamente 6%). La disminución del microcargado del perfil en el régimen de grabado descrito es otra ventaja del procedimiento de grabado de la invención.
En un ejemplo de grabado, una oblea de 200 mm conteniendo encima de ella una capa de aluminio situada debajo de una máscara de fotoresist de UV profundo, con un espesor aproximado de 8.000 angstroms, se grabó en una cámara de tratamiento con plasma acoplada inductivamente, de baja presión, alta densidad, conocida como 9600 PTX, disponible de la Lam Research Corp. of Fremont, California. Tal como los términos se usan aquí, alta densidad se refiere a una densidad de plasma por encima de aproximadamente 10^{11} iones/cm^{3}, en tanto que baja presión se refiere al hecho de que la presión en el interior de la cámara de plasma está por debajo de aproximadamente 13,33 Pa durante el grabado. Por supuesto, la invención no está limitada a ningún tipo particular de material de fotoresist o tamaño de la oblea, y se contempla que la invención pueda igualmente ponerse en práctica en otros tipos de reactores de tratamiento con plasma, incluyendo los que poseen plasma de más altas presiones y baja o media densidad.
En el sistema de tratamiento con plasma 9600 PTX anteriormente mencionado, la potencia del electrodo inferior puede estar entre aproximadamente 80 watios y aproximadamente 300 watios, más preferiblemente entre aproximadamente 100 watios y aproximadamente 220 watios, y preferiblemente a aproximadamente 160 watios. La potencia del electrodo inferior es un parámetro crítico dado que este controla la velocidad de proyección de partículas del residuo, tal como se ha mencionado anteriormente. Está contemplado que este valor, así como otros valores aquí descritos, puedan optimizarse para acomodarse a las exigencias de un sistema de tratamiento con plasma particular, un tamaño de substrato particular, o un tipo particular de capa que contenga aluminio y/o fotoresist. Dicha optimización entra dentro de la capacidad de un experto normal en la técnica dada en esta descripción.
La potencia del electrodo superior puede estar entre aproximadamente 400 watios y aproximadamente 1.200 watios, más preferiblemente entre aproximadamente 600 watios y aproximadamente 1.000 watios, y preferiblemente a aproximadamente 800 watios. La presión en la cámara de plasma durante el grabado puede estar entre aproximadamente 0,27 Pa y aproximadamente 2,7 Pa, más preferiblemente entre aproximadamente 1,066 Pa y aproximadamente 1,6 Pa, y preferiblemente a aproximadamente 1,33 Pa. La presión es un parámetro crítico dado que esta influye en el tiempo de permanencia del plasma.
El caudal de flujo total de la fuente gaseosa grabadora de HCl/fuente gaseosa que contiene cloro/fuente gaseosa que contiene oxígeno (p. ej., HCl/Cl_{2}/O_{2}), puede estar entre aproximadamente 50 centímetros cúbicos estándar por minuto (sccm) y aproximadamente 300 sccm, más preferiblemente entre aproximadamente 100 sccm y aproximadamente 200 sccm, y preferiblemente a aproximadamente 150 sccm. La relación de la fuente gaseosa que contiene cloro (p. ej., Cl_{2}) a HCl puede estar entre aproximadamente 0,1:1 y aproximadamente 10:1, más preferiblemente entre aproximadamente 0,25:1 y aproximadamente 4:1, y preferiblemente a aproximadamente 2:1. El caudal de flujo del gas que contiene oxígeno (p. ej., O_{2}) como un porcentaje del caudal de flujo total puede estar entre aproximadamente 0% (pero no el 0%) y aproximadamente 20%, más preferiblemente entre aproximadamente 0% (pero no el 0%) y aproximadamente 10%, e incluso más preferiblemente entre aproximadamente 2% y aproximadamente 4%. Tal como se ha mencionado anteriormente, el caudal de flujo de oxígeno es un parámetro crítico dado que este produce el sorprendente resultado de reducir la velocidad de grabado del fotoresist y de formar de manera sorprendente poco, si es que produce algo, de residuo en el régimen de grabado descrito. La temperatura del electrodo puede estar entre aproximadamente 20ºC y aproximadamente 80ºC, más preferiblemente entre aproximadamente 40ºC y aproximadamente 60ºC, y preferiblemente a aproximadamente 50ºC.
En la Tabla 1 que figura más adelante, se muestra algunos resultados de ejemplos de grabado para un grabado de aluminio usando el procedimiento químico de HCl/Cl_{2}/O_{2}. Con fines de comparación, se muestran igualmente los resultados del grabado obtenido usando parámetros de tratamiento similares pero usando Cl_{2}/BCl_{3} como fuente gaseosa grabadora. Ambos procedimientos se han ajustado de manera tal que no queda substancialmente residuo después del grabado.
TABLA 1
1
De acuerdo con otra realización de la presente invención, la fuente gaseosa grabadora incluye Cl_{2}/HClCO_{2}, representando el CO_{2} el gas que contiene oxígeno. Se ha encontrado que, cuando se usa CO_{2} como el gas que contiene oxígeno en el grabado con Cl_{2}/HCl/O_{2} de la capa que contiene aluminio, puede lograrse una ventana para el procedimiento más amplia, es decir, el procedimiento es más permisivo en proporcionar buenos resultados, particularmente con respecto a las emisiones de residuos, a la vez que permite un intervalo mayor de parámetros. En realizaciones preferidas, la fuente gaseosa grabadora consiste esencialmente preferiblemente en los gases componentes Cl_{2}/HCl/CO_{2} anteriormente mencionados y está substancialmente libre de BCl_{3} o consiste esencialmente en los gases componentes Cl_{2}/HCl/CO_{2} anteriormente mencionados y un gas diluyente (tal como N_{2}, Ar o preferiblemente He) y está substancialmente libre de BCl_{3}. Para el ejemplo de grabado se usó un sistema de tratamiento con plasma 9600 PTX^{R} de alta densidad, baja presión, aunque se contempla que la invención puede llevarse igualmente a la práctica en otros tipos de reactores de tratamiento con plasma, incluyendo los que poseen plasma de más altas presiones y baja o media densidad.
En el sistema de tratamiento con plasma 9600 PTX anteriormente mencionado, la potencia del electrodo inferior puede estar entre aproximadamente 50 watios y aproximadamente 300 watios, más preferiblemente entre aproximadamente 50 watios y aproximadamente 250 watios, siendo el valor preferido de aproximadamente 150 watios. Alternativamente o adicionalmente, se puede controlar el voltaje del recubrimiento, pudiendo estar el voltaje del recubrimiento a aproximadamente -85 voltios hasta aproximadamente -145 voltios, con un valor preferido a aproximadamente -115 voltios. La potencia del electrodo inferior y/o el voltaje del recubrimiento es importante puesto que estos (conjuntamente o individualmente) controlan la velocidad de proyección de partículas del residuo. Está contemplado que estos valores, así como otros valores aquí descritos, puedan optimizarse para acomodarse a las exigencias de un sistema de tratamiento con plasma particular, un tamaño de substrato particular, o un tipo particular de capa que contenga aluminio y/o fotoresist, compatibles con las relaciones relativas de los parámetros aquí descritos.
La potencia del electrodo superior puede estar entre aproximadamente 300 watios y aproximadamente 900 watios, y preferiblemente a aproximadamente 600 watios. La presión en la cámara de plasma durante el grabado puede estar entre aproximadamente 0,8 Pa y aproximadamente 1,87 Pa, y preferiblemente a aproximadamente 1,33 Pa. La presión es un parámetro crítico dado que este influye en el tiempo de permanencia del plasma.
El caudal de flujo total de la fuente gaseosa grabadora de HCl/fuente gaseosa que contiene cloro/fuente gaseosa que contiene oxígeno (p. ej., HCl/Cl_{2}/CO_{2}), puede estar entre aproximadamente 50 centímetros cúbicos estándar por minuto (sccm) y aproximadamente 300 sccm, más preferiblemente entre aproximadamente 100 sccm y aproximadamente 200 sccm, y preferiblemente a aproximadamente 150 sccm. La relación de la fuente gaseosa que contiene cloro (p. ej., Cl_{2}) a HCl puede estar entre aproximadamente 0,1:1 y aproximadamente 10:1, más preferiblemente entre aproximadamente 0,25:1 y aproximadamente 4:1, y preferiblemente a aproximadamente 2:1. El caudal de flujo del gas que contiene oxígeno (p. ej., CO_{2}) como un porcentaje del caudal de flujo total puede estar entre aproximadamente 0% (pero no el 0%) y aproximadamente 50%, más preferiblemente entre aproximadamente 0% (pero no el 0%) y aproximadamente 20%, e incluso más preferiblemente entre aproximadamente 5% y aproximadamente 7%, siendo el punto medio de aproximadamente 6% el preferido. Tal como se ha mencionado anteriormente, el caudal de flujo de CO_{2} es un parámetro crítico dado que este produce el sorprendente resultado de reducir la velocidad de grabado del fotoresist y de formar de manera sorprendente poco, si es que produce algo, de residuo en el régimen de grabado descrito. La temperatura del electrodo puede estar entre aproximadamente 20ºC y aproximadamente 80ºC, más preferiblemente entre aproximadamente 40ºC y aproximadamente 60ºC, y preferiblemente a aproximadamente 50ºC. La temperatura de la cámara está, en una realización, a aproximadamente 70ºC, con la presión de cierre de He a aproximadamente 1,33 Pa.
Aunque esta invención se ha descrito en términos de diversas realizaciones preferidas, existen alteraciones, permutaciones y equivalentes que caen dentro del alcance de esta invención. Por ejemplo, es posible, y de hecho común, agregar un diluyente tal como He dentro del caudal de la fuente gaseosa que contiene oxígeno. Una mezcla de este tipo o una mezcla similar entra dentro del alcance de esta invención. Como un ejemplo adicional, aunque los ejemplos están dados con referencia a un sistema de tratamiento con plasma acoplado inductivamente, se espera que la técnica de grabado de la invención sea de aplicación igualmente en otros tipos de sistemas de tratamiento con plasma (p. ej., los basados en ECR, los basados en MORI, o los basados en diodos). Igualmente, es preciso indicar que existen muchas vías alternativas de implementación de los procedimientos y aparatos de la presente invención.

Claims (13)

1. Un procedimiento para el grabado de porciones seleccionadas de una capa que contiene aluminio de un apilamiento de capas, estando dicho apilamiento de capas dispuesto sobre un substrato, estando dicha capa que contiene aluminio dispuesta debajo de una máscara de fotoresist que tiene un esquema sobre la misma, el cual comprende:
proporcionar una cámara de tratamiento con plasma;
posicionar dicho substrato que tiene sobre él dicho apilamiento de capas, incluyendo dicha capa que contiene aluminio y dicha máscara de fotoresist, dentro de dicha cámara de tratamiento con plasma;
hacer fluir una fuente gaseosa grabadora que comprende HCl, una fuente gaseosa que contiene cloro y una fuente gaseosa que contiene oxígeno, dentro de dicha cámara de tratamiento con plasma; en la que un caudal de flujo de dicha fuente gaseosa que contiene oxígeno es menos del 20 por ciento de un caudal de flujo total de dicha fuente gaseosa grabadora, y en la que dicha fuente gaseosa grabadora está substancialmente libre de BCl_{3};
ignición de un plasma de dicha fuente gaseosa grabadora, en la que dicho plasma se usa para grabar al menos parcialmente a través de dicha capa que contiene aluminio.
2. El procedimiento de la Reivindicación 1, en el que dicha fuente gaseosa que contiene oxígeno es CO_{2}.
3. El procedimiento de la Reivindicación 1, en el que dicha fuente gaseosa que contiene oxígeno representa una mezcla de CO_{2} y un gas diluyente.
4. El procedimiento de la Reivindicación 3, en el que el gas diluyente es He.
5. El procedimiento de la Reivindicación 1, en el que la fuente gaseosa que contiene oxígeno es O_{2}.
6. El procedimiento de cualquiera de las Reivindicaciones 1 a 5, en el que dicha fuente gaseosa que contiene cloro es Cl_{2}.
7. El procedimiento de cualquiera de las Reivindicaciones 1 a 6, en el que dicho plasma tiene una densidad de al menos 10^{11} iones/cm^{3}.
8. El procedimiento de cualquiera de las Reivindicaciones 1 a 7, en el que dicho caudal de flujo de dicha fuente gaseosa que contiene oxígeno es entre 1 y 12 por ciento de dicho caudal de flujo total.
9. El procedimiento de cualquiera de las Reivindicaciones 1 a 7, en el que dicho caudal de flujo de dicha fuente gaseosa que contiene oxígeno es entre 5 y 7 por ciento de dicho caudal de flujo total.
10. El procedimiento de cualquiera de las Reivindicaciones 1 a 9, en el que un ajuste de potencia superior para dicha cámara de tratamiento con plasma está entre 300 W y 900 W.
11. El procedimiento de cualquiera de las Reivindicaciones 1 a 10, en el que dicha presión está entre 0,8 Pa y 1,87 Pa.
12. El procedimiento de cualquiera de las Reivindicaciones 1 a 11, en el que dicha cámara de tratamiento con plasma es una cámara de tratamiento con plasma acoplada inductivamente.
13. El procedimiento de cualquiera de las Reivindicaciones 1 a 12, en el que el plasma es un plasma de alta densidad, baja presión.
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7023021B2 (en) * 2000-02-22 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6789910B2 (en) 2000-04-12 2004-09-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Illumination apparatus
US7115523B2 (en) * 2000-05-22 2006-10-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for etching photomasks
US6391790B1 (en) 2000-05-22 2002-05-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for etching photomasks
EP1290495A2 (en) * 2000-06-15 2003-03-12 Applied Materials, Inc. A method and apparatus for etching metal layers on substrates
US7084066B1 (en) * 2000-07-03 2006-08-01 Cypress Semiconductor Corporation Method of uniformly etching refractory metals, refractory metal alloys and refractory metal silicides
JP4605554B2 (ja) * 2000-07-25 2011-01-05 独立行政法人物質・材料研究機構 ドライエッチング用マスク材
US20030003374A1 (en) * 2001-06-15 2003-01-02 Applied Materials, Inc. Etch process for photolithographic reticle manufacturing with improved etch bias
US6551942B2 (en) 2001-06-15 2003-04-22 International Business Machines Corporation Methods for etching tungsten stack structures
US7183201B2 (en) * 2001-07-23 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Selective etching of organosilicate films over silicon oxide stop etch layers
WO2003021659A1 (en) * 2001-09-04 2003-03-13 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for etching metal layers on substrates
WO2003089990A2 (en) * 2002-04-19 2003-10-30 Applied Materials, Inc. Process for etching photomasks
US20040072081A1 (en) * 2002-05-14 2004-04-15 Coleman Thomas P. Methods for etching photolithographic reticles
KR100464430B1 (ko) * 2002-08-20 2005-01-03 삼성전자주식회사 하드 마스크를 이용한 알루미늄막 식각 방법 및 반도체소자의 배선 형성 방법
US7270761B2 (en) * 2002-10-18 2007-09-18 Appleid Materials, Inc Fluorine free integrated process for etching aluminum including chamber dry clean
WO2004086143A2 (en) * 2003-03-21 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Multi-step process for etching photomasks
US7077973B2 (en) * 2003-04-18 2006-07-18 Applied Materials, Inc. Methods for substrate orientation
US20040229470A1 (en) * 2003-05-14 2004-11-18 Applied Materials, Inc. Method for etching an aluminum layer using an amorphous carbon mask
US7521000B2 (en) * 2003-08-28 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Process for etching photomasks
US7829243B2 (en) * 2005-01-27 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Method for plasma etching a chromium layer suitable for photomask fabrication
US8293430B2 (en) * 2005-01-27 2012-10-23 Applied Materials, Inc. Method for etching a molybdenum layer suitable for photomask fabrication
US7435681B2 (en) * 2006-05-09 2008-10-14 Macronix International Co., Ltd. Methods of etching stacks having metal layers and hard mask layers
KR100944846B1 (ko) * 2006-10-30 2010-03-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 마스크 에칭 프로세스
US8808562B2 (en) 2011-09-12 2014-08-19 Tokyo Electron Limited Dry metal etching method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1203089B (it) * 1976-03-03 1989-02-15 Int Plasma Corp Procedimento ed apparecchiatura per eseguire reazioni chimiche nella regione della scarica luminescente di un plasma
US4256534A (en) * 1978-07-31 1981-03-17 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Device fabrication by plasma etching
JPS57170534A (en) * 1981-04-15 1982-10-20 Hitachi Ltd Dry etching method for aluminum and aluminum alloy
JPS58213877A (ja) * 1982-06-05 1983-12-12 Anelva Corp アルミニウムのドライエツチング方法
US4462882A (en) * 1983-01-03 1984-07-31 Massachusetts Institute Of Technology Selective etching of aluminum
DE4107006A1 (de) * 1991-03-05 1992-09-10 Siemens Ag Verfahren zum anisotropen trockenaetzen von aluminium bzw. aluminiumlegierungen enthaltenden leiterbahnebenen in integrierten halbleiterschaltungen
JP3225532B2 (ja) * 1991-03-29 2001-11-05 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
US5387556A (en) * 1993-02-24 1995-02-07 Applied Materials, Inc. Etching aluminum and its alloys using HC1, C1-containing etchant and N.sub.2
JPH08130206A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Sony Corp Ａｌ系金属層のプラズマエッチング方法
US5976986A (en) * 1996-08-06 1999-11-02 International Business Machines Corp. Low pressure and low power C12 /HC1 process for sub-micron metal etching

Also Published As

Publication number Publication date
US5994235A (en) 1999-11-30
TW421828B (en) 2001-02-11
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EP1475461A1 (en) 2004-11-10
DE69922658T2 (de) 2005-12-08
US6242107B1 (en) 2001-06-05
JP2002519841A (ja) 2002-07-02
DE69922658D1 (de) 2005-01-20
KR100645908B1 (ko) 2006-11-17
EP1097257A1 (en) 2001-05-09
WO1999067443A9 (en) 2000-06-08
WO1999067443A1 (en) 1999-12-29
EP1097257B1 (en) 2004-12-15

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