EP1285467A1 - Weiss emittierende beleuchtungseinheit auf led-basis - Google Patents

Weiss emittierende beleuchtungseinheit auf led-basis

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EP1285467A1
EP1285467A1 EP01943068A EP01943068A EP1285467A1 EP 1285467 A1 EP1285467 A1 EP 1285467A1 EP 01943068 A EP01943068 A EP 01943068A EP 01943068 A EP01943068 A EP 01943068A EP 1285467 A1 EP1285467 A1 EP 1285467A1
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EP
European Patent Office
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lighting unit
white
emitting
led
phosphors
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EP01943068A
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English (en)
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Andries Ellens
Frank Jermann
Michael Ostertag
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Osram GmbH
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH
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Publication date
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Definitions

  • SE rare earths
  • a direct comparison between a conventional solution (BG) and a solution according to the invention (BGG) shows the following result: a blue-emitting InGaN chip (peak at 450 nm) together with conventional YAG: Ce was chosen as the BG solution.
  • the emission spectrum of the BGG Solution is shown in Figure 5.

Abstract

Eine weiß emittierende Lumineszenz-Konversions-LED verwendet einen Chlorosilikat-Leuchtstoff, der neben Ca und Mg eine Dotierung mit Europium enthält, sowie einen Granat-Leuchtstoff der seltenen Erden, insbesondere Y und/oder Tb. Damit lässt sich eine hohe Farbwiedergabe erzielen sowie eine hohe Konstanz der lichttecknischen Eigenschaften unter unterschiedlichen Temperaturverhältnissen.

Description

Weiß emittierende Beleuchtungseinheit auf LED-Basis
Technisches Gebiet
Die Erfindung betrifft eine Weiß emittierende Beleuchtungseinheit auf LED-Basis, wobei die LED primär UV-Strahlung oder blaues Licht emittiert. Außerdem werden zumindest ein gelb und ein grün emittierender Leuchtstoff zur teilweisen Konversion der Primärstrahlung verwendet. Als gelber Leuchtstoff wird ein Ce-aktivierter Gra- nat, der insbesondere Y und/oder Tb enthält verwendet, eingesetzt. Als grüner Leuchtstoff wird ein Eu-aktiviertes Calcium-Magnesium-Chlorosilikat (Ca8Mg(SiO4)4Cl2) eingesetzt.
Stand der Technik
Aus dem J. Electrochem. Soc. 1992, S. 622 ist bereits ein Chlorosilikat-Leuchtstoff und seine Anwendung für UV und Blaulicht-Anregung bekannt, der mit Eu dotiert ist (Luminescence Properties and Energy Transfer of Eu2+ Doped Ca8Mg(SiO4)4Cl2 Phosphors). Dieser leuchtet im Grünen. Ein konkretes Anwendungsgebiet für diesen Leuchtstoff ist nicht beschrieben.
Lumineszenz-Konversions-LEDs, die weißes Licht abgeben, werden derzeit durch die Kombination einer etwa bei 460 nm emittierenden blauen Ga(ln)N-LED und ei- nes gelb emittierenden YAG:Ce3+-Leuchtstoffs erzeugt (US 5 998 925 und EP 862 794). Allerdings sind diese Weißlicht-LEDs für Zwecke der Allgemeinbeleuchtung wegen ihrer schlechten Farbwiedergabe aufgrund fehlender Farbkomponenten (vor allem des Rot-Anteils) nur eingeschränkt zu gebrauchen. Eine Alternative ist die Mischung von drei Farben RGB (rot, grün, blau), die zusammen weiß ergeben, sie- he beispielsweise WO 98/39805. Darstellung der Erfindung
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungseinheit auf Basis einer LED gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 bereitzustellen, die weiß emittiert und insbesondere eine hohe Farbwiedergabe besitzt.
Diese Aufgaben werden durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen finden sich in den abhängigen Ansprüchen.
Bisherige Lösungen für eine weiße LED basieren insbesondere entweder auf dem RGB-Ansatz, also der Mischung von drei Farben, nämlich rot, grün und blau, wobei die letztere Komponente durch einen Leuchtstoff oder durch die primäre Emission der LED realisiert werden kann. Eine zweite vereinfachte Lösung basiert auf der Mischung von blau und gelb (BG-Ansatz), wie eingangs diskutiert.
Erfindungsgemäß wird erstmals ein ganz neues Konzept angewendet, das auf einer BGG-Mischung basiert, also der Kombination einer blauen, gelben und grünen Farbe. Wesentlich dabei ist, dass die gelben Leuchtstoffe dabei so breitbandig sind, dass sie auch einen ausreichenden Anteil der Emission im roten Spektralbereich aufweisen, insbesondere einen Anteil von mindestens 20 % ihrer Gesamtemission im Sichtbaren in einem Spektralbereich ≥ 620 nm.
Als geeigneter gelb emittierender Leuchtstoff zeigt sich insbesondere ein Ce- aktivierter Granat der seltenen Erden (SE), bevorzugt mit SE ausgewählt aus Y, Tb, Gd, Lu, und/oder La. Bevorzugt ist eine Kombination von Y und Tb. Dabei wirkt die langwellige Verschiebung durch Tb besonders positiv im Sinne eines ausreichenden Rotanteils.
Als grün emittierender Leuchtstoff (bevorzugt liegt seine Peakemissionswellenlänge im Bereich 500 bis 525 nm) eignet sich besonders bevorzugt ein Ca-Mg- Chlorosilikat-Grundgerüst, das erfindungsgemäß mit Europium (Eu) dotiert ist. Evtl. können auch geringe Mengen an weiteren Dotierstoffen, insbesondere an Mangan (Mn) in kleinen Anteilen zur Feinabstimmung hinzugefügt werden. Eine weitere Alternative ist ein grüner Leuchtstoff vom Typ SrAI2O4:Eu2+ oder Sr Ali4θ25:Eu2+. Der Farbort des grünen Leuchtstoffs spannt im Farbdiagramm zusammen mit dem Farbort des gelben Leuchtstoffs und dem der blauen LED (bzw. des blauen Leuchtstoffs) ein breites Dreieck auf, wodurch zusätzliche Möglichkeiten der Anpassung an spezielle Anforderungen geschaffen werden. Die Variationsbreite des Farborts un- terschiedlicher Granate ist dagegen deutlich geringer. Somit lässt sich auch die erzielbare Farbtemperatur über einen weiten Bereich, typisch von 4000 bis 10000 K, streuen.
Die Erfindung ist besonders vorteilhaft im Zusammenhang mit der Entwicklung einer im Weißen emittierenden Beleuchtungseinheit. Dabei handelt es sich um eine Be- leuchtungseinheit, die entweder auf einem LED-Feld (Array) oder einzelnen LEDs basiert, oder direkt um eine Lumineszenz-Konversions-LED, bei der die Leuchtstoffe direkt oder mittelbar in Kontakt mit dem Chip stehen, also direkt auf den Chip aufgetragen sind oder in dem ihn umgebenden Harz eingebettet sind.
Die Erzeugung von weißem Licht kann realisiert werden durch Kombination von UV oder blaues Licht (hier zusammenfassend als „kurzwellig" bezeichnet) emittierenden LEDs mit einer Emissionswellenlänge (Peak) zwischen 300 und 470 nm und der erfindungsgemäßen Leuchtstoff mischung, die die Strahlung der LED ganz oder teilweise absorbiert und selbst in Spektralbereichen emittiert, deren additive Mischung mit dem Licht der LED weißes Licht mit guter Farbwiedergabe ergibt. Evtl. muss eine zusätzliche blau emittierende Leuchtstoffkomponente (beispielsweise BAM) hinzugefügt werden. Eine besonders effiziente Anregung gelingt im Falle einer UV- LED bei einer Emissionswellenlänge (Peak) von etwa 330 bis 350 nm und im Falle einer blauen LED bei einer Emissionswellenlänge (Peak) von etwa 450 bis 470 nm.
Damit wird eine verbesserte Farbwiedergabe der bekannten weißen LED auf Basis eines Granat-Leuchtstoffs erzielt, beispielsweise durch Beimischung von 20 bis 50 Gew.-% des Chlorosilikat-Leuchtstoffs. Der gelb emittierende Leuchtstoff ist ein Granat der Seltenen Erden (SE) Y, Gd, Lu, La und/oder Tb gemäß der Formel SE3(AI,Ga)52:Ce, insbesondere mit SE = Y und/oder Tb, insbesondere entsprechend der Formel YAG:Ce oder TbAG:Ce.
Der Leuchtstoff Ca8Mg(SiO )4CI2:Eu2+ ist aus der wissenschaftlichen Literatur bekannt, ohne dass dort irgendeine konkrete Anwendung angegeben wäre. Dieser Leuchtstoff zeigt erfindungsgemäß eine gute Eignung für die Anwendung bei wei- ßen LEDs, besonders vorteilhaft auf Basis einer Drei-Farben-Mischung, die von einer primären UV-Lichtquelle angeregt wird (300 bis 390 nm). Aber auch für Spezi- alanwendungen bei einer weißen LED mit blauer Primär-Lichtquelle (430 bis 470 nm) ist er geeignet. Der Anteil x des Europium beträgt vorteilhaft zwischen x = 0,005 und 1,6 und insbesondere zwischen x = 0,01 und x = 1,0. Dabei ist als Summenformel Ca8-xEuxMg(SiO4)4CI2 angenommen.
Die Zugabe von Mn als weiterer Dotierstoff neben Eu in kleinen Mengen (bis zu etwa 20 % des Molanteils von Eu) bietet die Möglichkeit, die Emission gezielt aus dem grünen Spektralbereich etwas mehr zum Langwelligen hin zu verschieben, also in den gelben Spektralbereich. Dies hat den Vorteil, die Emission besser an das menschliche Auge anpassen zu können und damit auch den visuellen Nutzeffekt zu verbessern. Der Anteil y des Mn sollte dabei höchstens bei y = 0,1 liegen. Besonders bevorzugt ist der Anteil des Europiums zwischen x = 0,05 und 0,8 ohne dass Mangan hinzugefügt wird.
Die Europiumkonzentration beeinflusst den Farbort des Emissionslichts beim Einsatz in einer Lichtquelle, insbesondere LED. Über das Verhältnis der beiden Konzentrationen Eu:Mn lässt sich der Farbort dieses Leuchtstoffs zusätzlich fein einstellen, was die Anpassung an etwaige weitere (gelbe bzw. blaue) Leuchtstoffe in der LED vereinfacht bzw. optimiert.
Die erfindungsgemäßen Leuchtstoffe können beispielsweise auch in einem Gerät angewendet werden, in dem ein LED-Array (UV oder blau primär emittierend) Leuchtstoffe auf einer transparenten Scheibe beleuchtet oder in dem einzelne LEDs Leuchtstoffe beleuchtet, die auf einer Linse aufgebracht sind.
Besonders vorteilhaft werden die erfindungsgemäßen Leuchtstoffe angewendet um eine weiße LED hoher Farbwiedergabe zu realisieren. Dazu werden die Leuchtstoffe entweder separat oder in Mischung aufgetragen und evtl. mit einem möglichst transparenten Bindemittel kombiniert (EP 862 794). Die Leuchtstoffe absorbieren das Licht der UV/Blau-Licht emittierenden LED ganz oder teilweise und emittieren es in anderen Spektralbereichen (vornehmlich gelb und grün) wieder so breitbandig (nämlich mit merklichem Rotanteil), dass eine Gesamtemission mit gewünschtem Farbort entsteht. Bisher gibt es kaum Leuchtstoffe, die diese Anforderungen so gut erfüllen wie die hier beschriebenen Leuchtstoffe in ihrer Kombination. Sie zeigen eine hohe Quanteneffizienz (um 70 %) und gleichzeitig eine spektrale Emission, die aufgrund der Empfindlichkeit des Auges als hell empfunden wird. Der Farbort lässt sich in einem weiten Bereich einstellen.
Als Lichtquelle eignet sich eine LED (light emitting diode), die weißes Licht erzeugt, entweder über direkte Mischung des grün- bzw. gelb-emittierenden Leuchtstoffs mit der primären Strahlung im blauen Spektralbereich (430 bis 470 nm) oder indem eine primär UV emittierende Strahlung mittels mehrerer Leuchtstoffe in Weiß konvertiert wird (vollständige BGG-Mischung mittels dreier Leuchtstoffe). Allgemein sollen unter den Begriffen blau, gelb und grün hier Emissionsmaxima in den Bereichen Blau: 430 bis 470 nm, Grün: 490 bis 525 nm und Gelb: 545 bis 590 nm verstanden werden.
Als primäre Lichtquelle dient die Strahlung eines UV- oder blau-emittierenden Chips. Besonders gute Ergebnisse werden mit einer UV-LED erzielt, deren Emissionsmaximum bei 330 bis 370 nm liegt. Unter besonderer Berücksichtigung des Anregungsspektrums der Granate und Chlorosilikate zeigt sich ein Optimum bei 355 bis 365 nm. Als blauer Leuchtstoff dient hier beispielsweise BAM. Bei einem blauen Chip lassen sich besonders gute Ergebnisse mit einer Peakwellenlänge von 430 bis 470 nm erzielen. Unter besonderer Berücksichtigung des Anregungsspektrums der Granate und Chlorosilikate zeigt sich ein Optimum bei 445 bis 460 nm.
Eine Variante mit besonders guter Farbwiedergabe ist die gemeinsame Verwen- dung zweier Leuchtstoffe, eines hoch Tb-haltigen Leuchtstoffs, bev. reines TbAG.-Ce, zusammen mit Chlorosilikat.Εu. Eine Variante mit besonders guter Temperaturstabilität ist die gemeinsame Verwendung zweier Leuchtstoffe, eines hoch Y- haltigen Leuchtstoffs, bev. reines YAG:Ce, zusammen mit Chlorosilikat:Eu.
Als LED, die als Primärstrahlung UV- oder blaue Strahlung (im folgenden zusam- menfassend als kurzwellige Strahlung bezeichnet) emittiert, eignet sich insbesondere eine Ga(ln)N-LED, aber auch jede andere kurzwellig emittierende LED mit einer Emission im Bereich 300 bis 470 nm. Insbesondere wird als hauptsächlicher Emissionsbereich im UV 320 bis 360 nm und im blauen Bereich 430 bis 470 nm empfohlen, da dann die Effizienz am höchsten ist. Figuren
Im folgenden soll die Erfindung anhand mehrerer Ausführungsbeispiele näher erläutert werden. Es zeigen:
Figur 1 das Anregungs- und Emissionsspektrum eines mit Europium dotierten Chlorosilikats; Figur 2 das Reflexions- und Emissionsspektrum eines weiteren mit Europium dotierten Chlorosilikats; Figur 3 ein Halbleiterbauelement, das als Lichtquelle (LED) für weißes Licht dient; Figur 4 das Emissionsspektrum der LED aus Figur 3 mit den Leuchtstoffen TbAG und CS:Eu gemäß der vorliegenden Erfindung;
Figur 5 das Emissionsspektrum einer weiteren LED mit den Leuchtstoffen
TbAG und CS:Eu gemäß der vorliegenden Erfindung; Figur 6 das Temperaturverhalten einer LED mit den Leuchtstoffen YAG und
CS:Eu gemäß der vorliegenden Erfindung; Figur 7 das Emissionsspektrum einer LED mit den Leuchtstoffen YAG und
CS:Eu gemäß der vorliegenden Erfindung; Figur 8 eine Beleuchtungseinheit mit Leuchtstoffen gemäß der vorliegenden
Erfindung.
Beschreibung der Figuren
Im folgenden wird beispielhaft die Synthese eines Eu- und Mn-dotierten Chlorosili- kats Ca8Mg(SiO4)4CI2:(Eu2+,Mn2+) genauer beschrieben. Danach wird anhand einiger Beispielmessungen die Eignung dieses Leuchtstoffs dokumentiert.
Das Leuchtstoffpulver wird durch eine Hochtemperatur-Festkörperreaktion hergestellt. Dazu werden beispielsweise die hochreinen Ausgangsmaterialien CaCO3, MgO, SiO2 und CaCI2 zusammengemischt mit einem Mol-Verhältnis von 7:1:4:1 ,5. Eine kleine Menge Eu2O3 bzw. MnCO3 wird zum Zwecke der Dotierung hinzugefügt und ersetzt dabei die entsprechende Molmenge CaCO3. Dies entspricht der Bruttoformel Ca8.x-yEuxMnyMg(SiO4)4CI2, zuzüglich 0,5 CaCI2. Nachdem die einzelnen Komponenten gut vermischt worden sind, wird das Pulver bei 1000 - 1200 °C für 1 - 4 h in einer reduzierenden Atmosphäre (H2/N2) erhitzt und reagiert so zu der oben angegebenen Verbindung. Um überschüssiges CaCI2 und andere wasserlösliche Fremdphasen zu entfernen, kann das Pulver noch ein- mal mit voll entionisiertem Wasser gewaschen werden. Man erhält ein Leuchtstoffpulver mit hohen Quanteneffizienzen (typisch etwa 70 %) bei einer Anregung im kurzwelligen Wellenlängenbereich um 400 nm.
Figur 1 zeigt ein typisches Anregungs- und Emissionsspektrum eines europiumdotierten Pulvers. Der Zusatz an Eu2O3 beträgt 0,03 mol, d.h. x = 0,06. Die effiziente Anregbarkeit über einen sehr breiten Wellenlängenbereich von 300 bis 470 nm, vor allem 360 bis 400 nm, ist gut erkennbar. Die Abnahme der Anregbarkeit bei größeren Wellenlängen ist bedingt durch die Eu2+-Absorptionsbande. Bei 460 nm werden jedoch noch vergleichbare Quanteneffizienzen gemessen wie bei 400 nm oder auch kurzwelliger (bis herab zu etwa 340 nm). Das Emissionsspektrum zeigt eine Eu2+-Emissionsbande mit einem Maximum bei etwa 507 nm. Diese Emission wirkt auf das Auge grün. Mittels einer geringen Co- Dotierung mit Mangan kann, falls gewünscht, das Emissionsverhalten des Leuchtstoffs besser an die Empfindlichkeit des Auges angepasst werden.
Figur 2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Eu-dotierten Chlorosilikats Ca8Mg(SiO4)4CI2:Eu2+ (abgekürzt CS:Eu). Der Zusatz an Eu2O3 beträgt 0,2 mol, d.h. x = 0,4. Die Peakwellenlänge liegt bei 509 nm, die mittlere Wellenlänge bei 522 nm. Die Farbkoordinaten sind x = 0.185 und y = 0.615. Die Emission unter Bestrahlung bei 400 nm ist in Figur 2a in willkürlichen Einheiten angegeben. Weiter ist auch die Reflexion (in Prozent) in Figur 2b angegeben. Für den Einsatz in einer weißen LED zusammen mit einem GalnN-Chip wird beispielsweise ein Aufbau ähnlich wie in US 5 998 925 beschrieben verwendet. Der Aufbau einer derartigen Lichtquelle für weißes Licht ist in Figur 3 explizit gezeigt. Die Lichtquelle ist ein Halbleiterbauelement (Chip 1) des Typs InGaN mit einer Pea- kemissionswellenlänge von 450 nm mit einem ersten und zweiten elektrischen An- schluss 2,3, das in ein lichtundurchlässiges Grundgehäuse 8 im Bereich einer Ausnehmung 9 eingebettet ist. Einer der Anschlüsse 3 ist über einen Bonddraht 14 mit dem Chip 1 verbunden. Die Ausnehmung hat eine Wand 17, die als Reflektor für die blaue Primärstrahlung vom Chip 1 dient. Die Ausnehmung 9 ist mit einer Vergussmasse 5 gefüllt, die als Hauptbestandteile ein Epoxidgießharz (80 bis 90 Gew.-%) und Leuchtstoff pigmente 6 (weniger als 15 Gew.-%) enthält. Weitere geringe Anteile entfallen u.a. auf Methylether und Aerosil.
Dabei wird der Chlorosilikat-Leuchtstoff (CS:Eu) des zweiten Ausführungsbeispiels zusammen mit TbAG:Ce für die Leuchtstoffpigmente verwendet. Das Mischungs- Verhältnis (CS:Eu) zu TbAG beträgt 4:6 (Gewichtsanteile). Dieses Ausführungsbeispiel zeichnet sich durch besonders hohe Farbwiedergabe von Ra = 85 aus. Das Emissionsspektrum dieses Ausführungsbeispiels ist in Figur 4 gezeigt.
Ein direkter Vergleich zwischen einer konventionellen Lösung (BG) und einer erfindungsgemäßen Lösung (BGG) zeigt folgendes Ergebnis: als BG-Lösung wurde ein blau emittierender InGaN-Chip (Peak bei 450 nm) zusammen mit konventionellem YAG:Ce gewählt. Als erfindungsgemäße BGG-Lösung wurde die gleiche LED zusammen mit TbAG:Ce und CS:Eu gewählt. Dabei wird jeweils eine Farbtemperatur von 6000 K bei einem Farbort mit x = 0,322 und y = 0,366 erzielt. Während die einfache BG-Lösung lediglich eine Farbwiedergabe von Ra = 72 erreicht, gelingt mit der BGG-Lösung eine Farbwiedergabe von Ra = 80. Auch die Rotwiedergabe ist stark verbessert, nämlich von R9 = -22 auf R9 = 10. Das Emissionsspektrum der BGG-Lösung ist in Figur 5 gezeigt.
Ein weiteres bevorzugtes Ausführungsbeispiel einer weißen LED verwendet neben dem InGaN-Chip (blaue Emission bei 450 nm) die Kombination des o.e. Chlorosili- kat-Leuchtstoffs (CS.Εu) mit YAG:Ce. Dieses Ausführungsbeispiel zeichnet sich durch ein extrem gleichartiges Temperaturlöschverhalten beider Leuchtstoffe aus, wie in Figur 6 deutlich wird. Das Temperaturlöschverhalten beider Leuchtstoffe ist über das zulässige Einsatzgebiet (bis etwa 100 °C) praktisch gleich und nur geringfügig von der Temperatur abhängig. Andere Granate wie beispielsweise der zu Ver- gleichszwecken mit untersuchte Mischgranat (Yo,33Gd0,63Ceo )AI5O12 zeigen eine deutlich schlechtere Temperaturkonstanz (in Figur 6 ist dieser Mischgranat als (Y,Gd)AG:Ce bezeichnet). Somit ist eine besondere Konstanz des Farborts und weiterer lichttechnischer Daten unter unterschiedlichsten Temperaturbedingungen bei diesem Ausführungsbeispiel, das in hohem Maße Y (oder auch Tb) als SE ent- hält (mindestens 60 mol-% des SE-Gitterplatzes) gewährleistet. Das Emissionsspektrum dieses Ausführungsbeispiels ist in Figur 7 gezeigt. Es entspricht einer Farbtemperatur von 8000 K und einem Farbort mit den Koordinaten x = 0,294 und y = 0,309. Die Farbwiedergabe ist Ra = 77. Das Mischungsverhältnis der beiden Leuchtstoffe ist 4,6:1.
In Figur 8 ist ein Ausschnitt aus einer Flächenleuchte 20 als Beleuchtungseinheit gezeigt. Sie besteht aus einem gemeinsamen Träger 21 , auf den ein quaderförmi- ges äußeres Gehäuse 22 aufgeklebt ist. Seine Oberseite ist mit einer gemeinsamen Abdeckung 23 versehen. Das quaderförmige Gehäuse besitzt Aussparungen, in denen einzelne Halbleiter-Bauelemente 24 untergebracht sind. Sie sind UV- emittierende Leuchtdioden mit einer Peakemission von 360 nm. Die Umwandlung in weißes Licht erfolgt mittels Konversionsschichten 25, die auf allen der UV-Strahlung zugänglichen Flächen angebracht ist. Dazu zählen die innen liegenden Oberflächen der Seitenwände des Gehäuses, der Abdeckung und des Bodenteils. Die Konversionsschichten 25 bestehen aus drei Leuchtstoffen, die im gelben, grünen und blauen Spektralbereich emittieren unter Benutzung der erfindungsgemäßen Leuchtstoffe.

Claims

Ansprüche
Weiß emittierende Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle, wobei die LED primäre Strahlung im Bereich 300 bis 470 nm emittiert, wobei diese Strahlung teilweise oder vollständig in längerwellige Strahlung konvertiert wird durch Leuchtstoffe, die der primären Strahlung der LED ausgesetzt sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Konversion zumindest unter Zuhilfenahme eines Leuchtstoffs, der grün emittiert und der aus der Klasse der Eu-aktivierten Calcium- Magnesium-Chlorosilikate stammt, und zumindest eines Leuchtstoffs, der gelb emittiert, und der aus der Klasse der Ce-aktivierten Seltenerd-Granate stammt, erfolgt.
Weiß emittierende Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der grün emittierende Leuchtstoff der Summenformel
Ca8.χ.yEuxMnyMg(SiO4)4CI2 mit x zwischen x = 0,005 und x = 1 ,6 und mit y zwischen y = 0 und y = 0,1 gehorcht (jeweils Eckwerte einschließlich).
Weiß emittierende Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der gelb emittierende Leuchtstoff ein Granat der Seltenen Erden (SE) Y, Gd, Lu, La und/oder Tb ist gemäß Formel SE3(AI,Ga)52:Ce, insbesondere mit SE = Y und/oder Tb, insbesondere entsprechend der Formel YAG:Ce oder TbAG:Ce.
Weiß emittierende Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die primär emittierte Strahlung im Wellenlängenbereich 330 bis 370 nm liegt, wobei die primär emittierte Strahlung drei Leuchtstoffen mit Emissionsmaximum im Blauen (430 bis 470 nm), Grünen (490 bis 525 nm) und Gelben (545 bis 590 nm) ausgesetzt wird.
Weiß emittierende Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die primär emittierte Strahlung im blauen Wellenlängenbereich von 430 bis 470 nm liegt, wobei die primär emittierte blaue Strahlung zwei Leuchtstoffen mit Emissi- onsmaximum im Gelben (545 nm bis 590 nm) und im Grünen (490 bis 525 nm) entsprechend einem der vorherigen Ansprüche ausgesetzt wird.
Weiß emittierende Lumineszenz-Konversions-LED nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass als primäre Strahlungsquelle eine kurzwellig emittierende Leuchtdiode, insbesondere auf Basis von Ga(ln)N, verwendet wird. Weiß emittierende Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil des Europium zwischen x = 0,1 und x = 1 ,0 beträgt ohne dass zusätzlich Mn verwendet wird.
Weiß emittierende Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinheit eine Lumineszenz-Konversions-LED ist, bei der die
Leuchtstoffe direkt oder mittelbar in Kontakt mit dem Chip stehen.
Weiß emittierende Beleuchtungseinheit nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungseinheit ein Feld (Array) von LEDs ist.
Weiß emittierende Beleuchtungseinheit nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest einer der Leuchtstoffe auf einer vor dem LED-Feld angebrachten optischen Vorrichtung angebracht ist.
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Families Citing this family (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6596195B2 (en) * 2001-06-01 2003-07-22 General Electric Company Broad-spectrum terbium-containing garnet phosphors and white-light sources incorporating the same
DE20115914U1 (de) 2001-09-27 2003-02-13 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
CA2464000C (en) * 2001-10-19 2011-04-19 Ortho-Mcneil Pharmaceutical, Inc. 2-phenyl benzimidazoles and imidazo-[4,5]-pyridines as cdsi/chk2-inhibitors and adjuvants to chemotherapy or radiation therapy in the treatment of cancer
US7800121B2 (en) * 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US7224000B2 (en) 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US7224910B2 (en) * 2002-10-25 2007-05-29 Gennum Corporation Direct attach optical receiver module and method of testing
US6765237B1 (en) * 2003-01-15 2004-07-20 Gelcore, Llc White light emitting device based on UV LED and phosphor blend
DE102004003135A1 (de) 2003-02-20 2004-09-02 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beschichteter Leuchtstoff und lichtemittierende Vorrichtung mit derartigem Leuchtstoff
CN1768122A (zh) * 2003-03-28 2006-05-03 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 在颗粒或材料表面上制备涂层的方法及所得的产品
DE10319091A1 (de) * 2003-04-28 2004-09-09 Siemens Ag Leuchtstoff zum Umwandeln einer Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung
US7484860B2 (en) * 2003-07-02 2009-02-03 S.C. Johnson & Son, Inc. Combination white light and colored LED light device with active ingredient emission
US6933535B2 (en) * 2003-10-31 2005-08-23 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with enhanced luminous efficiency
KR100540848B1 (ko) * 2004-01-02 2006-01-11 주식회사 메디아나전자 이중 몰드로 구성된 백색 발광다이오드 소자 및 그 제조방법
JP4534513B2 (ja) * 2004-02-17 2010-09-01 豊田合成株式会社 発光装置
EP1571715A1 (de) * 2004-03-04 2005-09-07 Nan Ya Plastics Corporation Verfahren zur Erzeugung weissen Lichts durch sekundäre Lichtanregung und entsprechendes Produkt
KR100887489B1 (ko) * 2004-04-27 2009-03-10 파나소닉 주식회사 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을이용한 발광 장치
US7837348B2 (en) 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
KR101433343B1 (ko) * 2004-05-05 2014-08-22 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 고체-상태 에미터 및 하향-변환 재료를 이용한 고효율 광 소스
EP1769050B1 (de) 2004-07-06 2013-01-16 Lightscape Materials Inc. Effiziente grünemittierende leuchtstoffe und kombinationen mit rotemittierenden leuchtstoffen
KR100565075B1 (ko) 2004-07-27 2006-03-30 삼성전자주식회사 조명유니트 및 이를 채용한 화상투사장치
DE102004038199A1 (de) * 2004-08-05 2006-03-16 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH LED mit niedriger Farbtemperatur
KR100666265B1 (ko) * 2004-10-18 2007-01-09 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 발광소자
CN100472827C (zh) * 2004-11-18 2009-03-25 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有转换结构的发光设备
DE112006000694B4 (de) * 2005-03-24 2013-10-17 Kyocera Corp. Gehäuse für Lichtemissionsvorrichtung, lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
EP1726631A1 (de) * 2005-05-23 2006-11-29 SuperNova Optoelectronics Corporation Weiss emittierende Beleuchtungseinrichtung
CN101138104B (zh) * 2005-06-23 2011-08-24 伦斯勒工业学院 利用短波长led和下变频材料产生白光的封装设计
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US8906262B2 (en) * 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
KR20080106402A (ko) 2006-01-05 2008-12-05 일루미텍스, 인크. Led로부터 광을 유도하기 위한 개별 광학 디바이스
JP2007231250A (ja) * 2006-02-02 2007-09-13 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光体及びそれを用いた発光装置
US20070217184A1 (en) * 2006-03-16 2007-09-20 James Berry LED light assembly
US8282986B2 (en) * 2006-05-18 2012-10-09 Osram Sylvania, Inc. Method of applying phosphor coatings
DE102006029203B9 (de) 2006-06-26 2023-06-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lichtemittierende Vorrichtung
US7703942B2 (en) * 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
US7842960B2 (en) * 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
DE102007020782A1 (de) * 2006-09-27 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
EP2070123A2 (de) * 2006-10-02 2009-06-17 Illumitex, Inc. Led-system und -verfahren
US20090275266A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device polishing
CN101605867B (zh) 2006-10-03 2013-05-08 渲染材料公司 金属硅酸盐卤化物磷光体以及使用它们的led照明器件
US7889421B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
US7968900B2 (en) * 2007-01-19 2011-06-28 Cree, Inc. High performance LED package
US8203260B2 (en) * 2007-04-13 2012-06-19 Intematix Corporation Color temperature tunable white light source
DE102007028120A1 (de) 2007-06-19 2008-12-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Chlorosilikat-Leuchtstoffs und damit hergestellter Leuchtstoff
US7905618B2 (en) * 2007-07-19 2011-03-15 Samsung Led Co., Ltd. Backlight unit
KR100951274B1 (ko) * 2007-07-19 2010-05-06 삼성엘이디 주식회사 백라이트 유닛
CN104183688B (zh) * 2007-07-26 2017-05-24 晶元光电股份有限公司 波长转换系统
WO2009069345A1 (ja) 2007-11-30 2009-06-04 Nichia Corporation 蛍光体及びこれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法
WO2009093427A1 (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Nichia Corporation 発光装置
DE102008029191A1 (de) * 2008-01-31 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung zur Hinterleuchtung eines Displays sowie ein Display mit einer solchen Beleuchtungseinrichtung
EP2240968A1 (de) * 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System und verfahren zur bildung einer emitterschicht
US9339191B2 (en) * 2008-07-08 2016-05-17 Hitachi, Ltd. Optical measurement apparatus
US8525207B2 (en) * 2008-09-16 2013-09-03 Osram Sylvania Inc. LED package using phosphor containing elements and light source containing same
JPWO2010044239A1 (ja) 2008-10-17 2012-03-15 株式会社小糸製作所 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
KR101539246B1 (ko) * 2008-11-10 2015-07-24 삼성전자 주식회사 광추출 효율이 향상된 발광 장치의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 발광 장치
TW201034256A (en) * 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
KR20100070731A (ko) * 2008-12-18 2010-06-28 삼성전자주식회사 할로실리케이트 형광체, 이를 포함하는 백색 발광 소자
JP5326777B2 (ja) * 2009-04-27 2013-10-30 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びその製造方法
WO2011022399A1 (en) 2009-08-17 2011-02-24 Osram Sylvania Inc. Phosphor blend for an led light source and led light source incorporating same
US8592829B2 (en) * 2009-08-17 2013-11-26 Osram Sylvania Inc. Phosphor blend for an LED light source and LED light source incorporating same
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) * 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
DE102010028949A1 (de) 2010-05-12 2011-11-17 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Scheinwerfermodul
DE102010031237A1 (de) 2010-07-12 2012-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US8304797B2 (en) 2010-07-29 2012-11-06 Osram Sylvania Inc. Light emitting diode light source having a ceramic substrate
US8829777B2 (en) * 2010-09-27 2014-09-09 Osram Sylvania Inc. Ceramic wavelength converter and LED light source containing same
CN102071014A (zh) * 2010-11-29 2011-05-25 湖南信多利新材料有限公司 一种近紫外光激发单一基质白光荧光粉及其制备方法
US10522518B2 (en) 2010-12-23 2019-12-31 Bench Walk Lighting, LLC Light source with tunable CRI
US8579451B2 (en) 2011-09-15 2013-11-12 Osram Sylvania Inc. LED lamp
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
TWI518948B (zh) * 2012-06-08 2016-01-21 Unity Opto Technology Co Ltd To enhance the luminous angle of the small size of the LED package to improve the structure
WO2015072766A1 (ko) * 2013-11-13 2015-05-21 엘지이노텍(주) 청녹색 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
US9735323B2 (en) 2015-06-30 2017-08-15 Nichia Corporation Light emitting device having a triple phosphor fluorescent member
JP6384468B2 (ja) 2015-12-22 2018-09-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10256374B2 (en) 2016-03-04 2019-04-09 Nichia Corporation Light emitting device
JP6460040B2 (ja) * 2016-03-04 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10414976B2 (en) * 2016-03-28 2019-09-17 Nichia Corporation Method for producing fluorescent material, fluorescent material, and light emitting device using the same
EP3249703B1 (de) 2016-05-26 2021-08-04 Nichia Corporation Lichtemittierende vorrichtung
JP6477779B2 (ja) 2016-05-26 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7237815B2 (ja) * 2017-02-27 2023-03-13 シチズン電子株式会社 半導体発光装置及び照明装置
JP2019016632A (ja) 2017-07-04 2019-01-31 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7164800B2 (ja) 2017-09-28 2022-11-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6940764B2 (ja) 2017-09-28 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN115315821A (zh) 2020-03-27 2022-11-08 日亚化学工业株式会社 发光装置及具备该发光装置的灯具

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JP2000509912A (ja) * 1997-03-03 2000-08-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 白色光発光ダイオード
US6051925A (en) * 1997-03-03 2000-04-18 U.S. Philips Corporation Diode-addressed color display with molecular phosphor
US6294800B1 (en) * 1998-02-06 2001-09-25 General Electric Company Phosphors for white light generation from UV emitting diodes
US6255670B1 (en) * 1998-02-06 2001-07-03 General Electric Company Phosphors for light generation from light emitting semiconductors
WO2000057490A1 (de) * 1999-03-19 2000-09-28 Eurolight Illumination Technologies Gmbh Leuchte
EP1206802B1 (de) * 2000-05-29 2008-03-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Weiss emittierende beleuchtungseinheit auf led-basis
DE10147040A1 (de) * 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *
See also references of WO0193341A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2001093341A1 (de) 2001-12-06
KR20030007742A (ko) 2003-01-23
DE10026435A1 (de) 2002-04-18
US20050104503A1 (en) 2005-05-19
US20060103291A1 (en) 2006-05-18
US20030146690A1 (en) 2003-08-07
CA2410668A1 (en) 2002-11-27
JP5097999B2 (ja) 2012-12-12
US7183706B2 (en) 2007-02-27
TW554030B (en) 2003-09-21
CN1432198A (zh) 2003-07-23
US7002291B2 (en) 2006-02-21
JP2003535477A (ja) 2003-11-25

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DE60307411T2 (de) Fotolumineszentes material und leuchtdiode
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